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一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法與流程

2023-11-04 13:16:57

本發明涉及電路板孔化的技術領域,特別涉及一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法。



背景技術:

互調幹擾是由傳輸信道中非線性電路產生的,當兩個或多個不同頻率的信號輸入到非線性電路時,由於非線性器件的作用,會產生很多諧波和組合頻率分量,其中與所需要的信號頻率ω0相接近的組合頻率分量會順利通過接收機而形成幹擾。

因此,在高頻電路模塊運用過程中傳輸信道中非線性電路產生的互調幹擾越小,電路信號的傳輸性能就越好。而低互調指標的高頻電路基板,其表面銅箔採用的是一種具有低互調指標的反向銅箔,而這種反向銅箔若按照傳統pcb工藝進行常規孔化,那將會損壞反向銅箔表面的結構,影響降低互調幹擾的能力。



技術實現要素:

本發明的目的在於提供一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法,解決上述現有技術問題中的一個或者多個。

本發明提供的一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法,包括以下步驟:

s1、孔化前處理:採用高速噴砂機對板子表面的反向銅箔進行孔化前的物理處理;

s2、去除鑽孔孔內汙漬:採用naoh、kmno4、去鑽汙劑及純水的混合溶液去除鑽孔孔內汙漬,然後經過二次高壓水洗;

s3、表面除油:採用濃度為3-5%的鹽酸溶液對電路板表面進行有機除油,然後經過60-80℃的熱水清洗;

s4、微蝕:採用h2so4、h2o2、微蝕穩定劑及純水的混合溶液對反向銅箔表面及其內孔進行微蝕;

s5、預浸:將微蝕後的電路板放入hcl、預浸鹽及去離子水的混合溶液中進行預浸,預浸溶液的溫度控制在80℃,預浸時間控制在20min;

s6、活化:採用naoh、h3bo3、活化劑及純水的混合溶液再一次對板子的反向銅箔表面和內孔進行活化,活化溶液溫度控制在60℃,活化時間控制在10min;

s7、加速:在上述混合溶液中採用鈀離子作為加速的催化劑,對孔化進行加速;

s8、孔內沉銅:採用hcho、naoh、cu2+及純水的混合溶液進行孔內沉銅,沉銅溶液溫度控制在60℃,活化時間控制在30min,然後依次進行二次高壓水洗;

s9、全板電鍍:將沉銅完畢的板子採用全自動電鍍線進行全板電鍍。

在一些實施方式中,步驟s1的物理處理為依次進行水洗、高壓水洗、表面除油、熱水洗、金剛石噴砂、高壓水洗、熱風烘乾、冷風吹乾。

在一些實施方式中,步驟s2的混合溶液中naoh的濃度為40g/l、kmno4的濃度為65g/l的、去鑽汙劑的濃度為100ml/l。

在一些實施方式中,步驟s4的混合溶液中h2so4的濃度為80ml/l,h2o2的濃度為65ml/l,微蝕穩定劑的濃度為40ml/l。

在一些實施方式中,步驟s5的混合溶液中hcl的濃度為80ml/l,預浸鹽的濃度為240g/l。

在一些實施方式中,步驟s6的混合溶液中naoh的濃度為5g/l、h3bo3的濃度為5g/l、活化劑的濃度為40ml/l。

在一些實施方式中,步驟s6的混合溶液中hcho的濃度為6g/l,naoh的濃度為1g/l、cu2+的濃度為2g/l。

有益效果:本發明所採用的金剛砂高速噴砂能夠有效保護反向銅箔表面的結構,有利於進一步降低傳輸信號的幹擾性,具有更低的低互調;本發明所採用的去鑽汙能夠輕鬆咬蝕膨鬆軟化後的基材及膠渣,使孔壁之聚四氟乙烯之間形成一種蜂巢狀的微粗糙表面,以利於鈀的吸附,並增強化學銅層與聚四氟乙烯間以及內層的結合力,防止孔壁分離及孔破的發生;本發明所採用的微蝕方法具有優良的微蝕速率,銅面微蝕層均勻,能清除銅面氧化物,溶液穩定。

具體實施方式

下面的實施案例,對本發明進行進一步詳細的說明。

實施案例:

a1、將鑽孔後的板子採用高速噴砂機對板子表面的反向銅箔進行孔化前的物理處理,其依次進行水洗、高壓水洗、表面除油、熱水洗、金剛石噴砂、高壓水洗、熱風烘乾、冷風吹乾;

a2、採用4kg的naoh、6.5kg的kmno4、10l的去鑽汙劑及100l純水的混合溶液去除鑽孔孔內汙漬,然後經過二次高壓水洗;

a3、採用3~5%的hcl對板子表面進行有機除油,然後經過60~80℃的熱水洗;

a4、採用8l的h2so4(98%)、6.5l的h2o2(30%)、4l的微蝕穩定劑及100l純水的混合溶液對反向銅箔表面及其內孔進行微蝕;

a5、將微蝕後的板子放入8l的hcl、24kg的預浸鹽及100l去離子水的混合溶液中進行預浸,預浸溶液溫度控制在80℃,預浸時間控制在20min;

a6、採用naoh、h3bo3、活化劑及純水的混合溶液再一次對板子的反向銅箔表面和內孔進行活化,活化溶液溫度控制在60℃,活化時間控制在10min;

a7、採用鈀離子作為加速的催化劑,對孔化進行加速;

a8、採用0.6kg的hcho、1.1kg的naoh、0.2kg的cu2+及100l純水的混合溶液進行孔內沉銅,沉銅溶液溫度控制在60℃,活化時間控制在30min,然後依次進行二次高壓水洗;

a9、將沉銅完畢的板子採用全自動電鍍線進行全板電鍍。

本發明提供的實施方案中的一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法能有效保護反向銅箔表面的結構,有利於進一步降低傳輸信號的幹擾性,具有更低的低互調。

以上表述僅為本發明的優選方式,應當指出,對本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明創造構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些也應視為本發明的保護範圍之內。



技術特徵:

技術總結
本發明公開的一種低互調高頻模塊電路板的孔化方法,包括以下步驟:S1、孔化前處理;S2、去除鑽孔孔內汙漬;S3、表面除油;S4、微蝕;S5、預浸;S6、活化;S7、加速;S8、孔內沉銅;S9、全板電鍍。該低互調高頻模塊電路板的孔化方法能有效保護反向銅箔表面的結構,有利於進一步降低傳輸信號的幹擾性,具有更低的低互調。

技術研發人員:劉兆;賀永寧;張友山;褚華嶽;倪文波
受保護的技術使用者:泰州市博泰電子有限公司
技術研發日:2017.07.24
技術公布日:2017.09.15
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