發光設備的製作方法

2023-10-05 15:43:24

專利名稱：發光設備的製作方法
技術領域：
實施例涉及一種發光設備。
背景技術：
由於其物理和化學特性，已經廣泛使用II1-V族氮化物半導體作為用於諸如發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)等的發光裝置的主要材料。通常，II1-V族氮化物半導體包括具有InxAlyGanyN (O彡x彡1，0彡y彡1，以及O彡x+y彡I)的複合化學式的半導體材料。LED是通過利用化合物半導體的特性將電信號轉換為紅外線或者光來發送或接收信號的半導體器件。LED還用作光源。

使用氮化物半導體材料的LED主要用於發光裝置以提供光。例如，使用氮化物半導體材料的LED被作為用於諸如蜂窩電話的鍵區發光部分、電子標識牌以及發光裝置等的各種產品的光源來使用。通過以各種形狀加工透鏡或包封構件來將這樣的LED布置在發光設備上，以調節從發光裝置發出的光的分布特性。

發明內容
實施例提供一種具有新穎結構的發光設備。實施例提供一種包括結構新穎的透鏡的發光設備。實施例提供一種具有寬取向角的發光設備。本發明提供了一種發光設備，包括:襯底；位於所述襯底上的發光裝置組件；以及透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發光裝置組件上方並且包括反射結構，其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，並且其中，所述反射結構被布置在所述發光裝置組件上方並且反射從所述發光裝置組件發出的光，使得所述光被從所述反射結構反射並且沿所述透鏡的側向方向行進。根據該實施例的發光設備可以包括:組件本體；第一電極和第二電極；發光裝置，該發光裝置電連接到第一電極和第二電極，並且包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和有源層，該有源層位於第一導電半導體層與第二導電半導體層之間；以及透鏡，該透鏡被支撐在組件本體上，並且該透鏡的至少一部分包括反射結構，其中，所述組件本體包括第一空腔，第一電極和第二電極的一端暴露於第一空腔中，且第一電極和第二電極的另一端在組件本體的橫向側暴露，並且，在第一電極的暴露於第一空腔中的預定部分處形成有第
二空腔。根據實施例的發光設備可以包括:襯底；位於該襯底上的發光裝置組件；以及透鏡，該透鏡由襯底支撐在發光裝置組件上方並且包括反射結構，其中，該透鏡包括透鏡本體和透鏡支撐件，該透鏡本體具有第一凹部，該透鏡支撐件支撐所述透鏡本體使得透鏡本體與所述襯底隔開。根據實施例的發光設備可以包括:襯底；發光裝置，該發光裝置位於襯底上，並且包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和有源層，該有源層位於第一導電半導體層與第二導電半導體層之間；包封物，該包封物位於所述襯底和發光裝置上，以包圍該發光裝置；以及透鏡，該透鏡由襯底支撐在發光裝置上方並且包括反射結構。根據實施例的發光裝置可以包括:襯底；發光裝置，該發光裝置位於襯底上，並且包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和有源層，該有源層位於第一導電半導體層與第二導電半導體層之間；包封物，該包封物位於所述襯底和發光裝置上，以包圍該發光裝置；透鏡，該透鏡由襯底支撐在發光裝置上方並且包括凹部；以及冷光材料，該冷光材料形成在透鏡和/或包封物中的至少一個上，以吸收從發光裝置發出的光從而將該光轉換為另一類型的光，其中，所述冷光材料包括第一冷光材料和第二冷光材料，該第一冷光材料和第二冷光材料通過吸收從發光裝置發出的光而發出具有不同頻帶的光，並且第一冷光材料的比例高於第二冷光材料的比例。


圖1是示出根據第一實施例的發光設備的透視圖；圖2是示出根據第一 實施例的發光設備的截面透視圖；圖3是示出根據第一實施例的發光設備的另一示例的截面透視圖；圖4是示出在根據第一實施例的發光設備中使用的透鏡的另一示例的截面透視圖；圖5是示出圖1和圖2所示的、根據第一實施例的發光設備的光分布的視圖；圖6是示出圖3所示的、根據第一實施例的另一示例的發光設備的光分布的視圖；圖7至圖13是示出根據第一實施例的發光設備的各種示例的截面圖；圖14是示出在根據第一實施例的發光設備中使用的發光裝置的截面圖；圖15是示出在根據第一實施例的發光設備中使用的發光器件的另一示例的截面圖；圖16和圖17是示出根據第二實施例的發光設備的視圖；圖18是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖；圖19是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖20是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖21是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖22是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖23是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖24是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖25是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖26是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖27是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖28是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖29是示出根據第二實施例的發光設備的又一示例的視圖；圖30和圖31是用於說明根據第二實施例的發光設備的光分布特性的視圖。
具體實施例方式在以下實施例的描述中，應理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊或另一圖案「上」或「下」時，它可以「直接」或「間接」位於另一襯底、層(或膜)、區域、墊或圖案上，或者也可以存在有一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚起 見，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被誇大、省略或示意性繪出。另外，元件的尺寸並不完全反映實際尺寸。在下文中，將參考附圖來詳細描述根據所述實施例的發光設備。第一實施例圖1是示出根據第一實施例的發光設備的透視圖，並且圖2是示出根據第一實施例的發光設備的截面透視圖。參考圖1和圖2,根據第一實施例的發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。能夠通過使用適於注入成型的聚合物樹脂來形成組件本體21。例如，該聚合物樹脂包括PPA (聚鄰苯二甲醯胺)或LCP (液晶聚合物)。用於組件本體21的材料可以不限於聚合物樹脂，而是諸如矽酮等的各種樹脂材料均能用於組件本體21。另外，組件本體21可以包括陶瓷材料。根據該實施例，組件本體21具有大致矩形六面體結構，在其上部形成有第一空腔28。第一電極26與第二電極27電氣隔離。第一電極26和第二電極27的一端暴露於第一空腔28中，並且第一電極26和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個橫向側暴露。根據該實施例，在組件本體的兩個橫向側，第一電極26和第二電極27中的每一個電極均被分為三個部分，但該實施例不限於此。第一電極26和第二電極27可以分為兩個部分或者可以不進行劃分。在組件本體21中，第一電極26和第二電極27的三個劃分的部分相互電連接。第一電極26和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表面處於同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個部分可以布置成與組件本體21的底表面處於同一平面上。
另外，第一電極26的暴露於第一空腔28中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔29。第一電極26的與第二空腔29相對應的底表面從組件本體21向下突出。第一電極26和第二電極27不僅將電力供應給發光裝置22，而且散發由發光裝置22生成的熱並且反射從發光裝置22發出的光。發光裝置22安裝在第一電極26上。例如，發光裝置22可以包括發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有η型半導體層、有源層以及P型半導體層。發光裝置22可以包括諸如藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片或綠光發光二極體晶片等的彩色發光二極體晶片，或者發出UV光的UV光發光二極體晶片。能夠為發光裝置22採用各種發光二極體晶片。發光裝置22通過電線(未示出)電連接到第一電極26和第二電極27。例如，發光裝置22的一部分通過電線連接到第二電極27，並且發光裝置22的其餘部分通過與第一電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發光裝置22可以安裝在第一電極26的第二空腔29中。在組件本體21中形成的第一空腔28和在第一電極26中形成的第二空腔29被製備成凹部的形式，當從其頂部觀察時，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空腔28和第二空腔29的內壁可以傾斜，以允許由發光裝置22產生的光容易地發射到外部。此外，還能透鏡30安裝在發光裝置22上，以改變從發光裝置22發出或者從第一空腔28和第二空腔29的內周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括矽酮樹脂或環氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設置在透鏡30下方的發光裝置22的至少一部分可以包括冷光材料。具體地，該冷光材料能夠形成在發光裝置22的表面上，或者能夠形成在發光裝置22與透鏡30之間，同時與發光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔28和第二空腔29中。在這樣的情況下，透鏡30由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發光裝置22上方。此外，在不形成於第二空腔29中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔28中，使得透鏡30能夠布置在發光裝置22上方並與發光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔28和第二空腔29中，同時與發光裝置22的頂表面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發光裝置22接觸或者能夠與發光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態下被注入到組件本體21中或者在固化狀態下與組件本體21聯接。透鏡30具有凸狀結構，並且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，並且凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結構37。例如，該反射結構37能夠形成在凹部32中。反射結構37的面積相當於基於透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以被反射結構37完全或部分填充。由於反射結構37形成在凹部32中，所以能夠從反射結構37反射從發光裝置22發出的光、從第一空腔28的內周壁和底表面反射的光、或者在從第一空腔28的內周壁和底表面反射之後被朝著凹部32定向的光，使得該光沿著透鏡30的側向方向行進。 因此，從發光裝置22發出的光以及從第一空腔28和第二空腔29的底表面和內周壁反射的光穿過透鏡30的外周部分發射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射結構37的區域。因此，由於光能夠穿過透鏡30的外周部分發射到外部，所以根據第一實施例的發光設備能夠提供具有寬取向角的光。例如，通過將具有70%或更大透射率的有機物與能夠對光進行反射或散射的無機物混合，能夠獲得反射結構37。該無機物可以包括Ti02、SiO2, Al、Al2O3以及Ag中的至少一種。根據該有機物和無機物之間的混合比，反射結構37能夠完全或部分反射光。該有機物和無機物之間的混合比在1: 0.001至1:1的範圍內。另外，例如，反射結構37可以包括通過使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約IOOA或更大的厚度。根據第一實施例的發光設備，凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發光裝置22重疊，並且反射結構37形成在凹部32中，從而能夠調節從發光裝置22發出的光的取向角。
圖3是示出根據第一實施例的發光設備的另一示例的截面透視圖。圖1所示的發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光設備22以及透鏡30。能夠通過使用適於注入成型的聚合物樹脂來形成組件本體21。例如，該聚合物樹脂包括PPA (聚鄰苯二甲醯胺)或LCP (液晶聚合物)。用於組件本體21的材料可以不限於聚合物樹脂，而是諸如矽酮等的各種樹脂材料均能用於組件本體21。另外，組件本體21可以包括陶瓷材料。根據該實施例，組件本體21具有大致矩形六面體結構，在其上部形成有第一空腔28。第一電極26與第二電極27電氣隔離。第一電極26和第二電極27的一端暴露於第一空腔28中，並且第一電極26和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個橫向側暴露。根據實施例，在組件本體21的兩個橫向側，第一電極26和第二電極27中的每一個電極均被分為三個部分，但該實施例不限於此。第一電極26和第二電極27可以分為兩個部分或者可以不進行劃分。在組件本體21中，第一電極26和第二電極27的三個劃分的部分相互電連接。第一電極26和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表面處於同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個部分可以布置成與組件本體21的底表面處於同一平面上。另外，第一電極26的暴露於第一空腔28中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔
29。第一電極26的與第二空腔29相對應的底表面從組件本體21向下突出。第一電極26和第二電極27不僅將電力供應給發光裝置22，而且發散由發光裝置22生成的熱並且反射從發光裝置22發出的光。發光裝置22安裝在第一電極26上。例如，發光裝置22可以包括發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有η型半導體層、有源層以及P型半導體層。發光裝置22可以包括諸如藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片或綠光發光二極體晶片等的彩色發光二極體晶片，或者發出UV光的UV光發光二極體晶片。能夠為發光裝置22採用各種發光二極體晶片。發光裝置22通過電線(未示出)電連接到第一電極26和第二電極27。例如，發光裝置22的一部分通過電線連接到第二電極27，並且發光裝置22的其餘部分通過與第一電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發光裝置22可以安裝在第一電極26的第二空腔29中。在組件本體21中形成的第一空腔28和在第一電極26中形成的第二空腔29被製備成凹部的形式，當從其頂部觀察時，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空腔28和第二空腔29的內壁可以傾斜，以允許由發光裝置22產生的光容易地發射到外部。此外，還能夠在第一空腔28的傾斜表面21a上形成有反射材料。透鏡30安裝在發光裝置22上，以改變從發光裝置22發出或者從第一空腔28和第二空腔29的內周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括矽酮樹脂或環氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設置在透鏡30下方的發光裝置22的至少一部分可以包括冷光材料。具體地，該冷光材料能夠形成在發·光裝置22的表面上，或者能夠形成在發光裝置22與透鏡30之間，同時與發光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔28和第二空腔29中。在這樣的情況下，透鏡30由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發光裝置22上方。此外，在不形成於第二空腔29中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔28中，使得透鏡30能夠布置在發光裝置22上方並與發光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔28和第二空腔29中時與發光裝置22的頂表面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發光裝置22接觸或者能夠與發光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態下被注入到組件本體21中或者在固化狀態下與組件本體21聯接。透鏡30具有凸狀結構，並且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，並且凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結構37。例如，該反射結構37能夠形成在凹部32中。反射結構37的面積相當於基於透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以被反射結構37完全或部分填充。由於反射結構37形成在凹部32中，所以能夠從反射結構37反射從發光裝置22發出的光、從第一空腔28的內周壁和底表面反射的光、或者在從第一空腔28的內周壁和底表面反射之後被朝著凹部32導向的光，使得該光沿著透鏡30的側向方向行進。因此，從發光裝置22發出的光以及從第一空腔28和第二空腔29的底表面和內周壁反射的光穿過透鏡30的外周部分被發射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射結構37的區域。因此，由於光能夠穿過透鏡30的外周部分發射到外部，所以根據第一實施例的發光設備的另一示例能夠提供具有寬取向角的光。
例如，通過將具有70%或更大透射率的有機物與能夠對光進行反射或散射的無機物混合，能夠獲得反射結構37。該無機物可以包括Ti02、SiO2, Al、A1203、以及Ag中的至少一種。根據該有機物和無機物之間的混合比，反射結構37能夠完全或部分反射光。該有機物和無機物之間的混合比在1: 0.001至1:1的範圍內。另外，例如，反射結構37可以包括通過使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約1 OOA或更大的厚度。根據第一實施例的發光設備的另一示例，凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發光裝置22重疊，並且反射結構37形成在凹部32中，從而能夠調節從發光裝置22發出的光的取向角。根據第一實施例的發光設備的另一示例，形成在透鏡30上的凹部32的面積大於形成在圖1和圖2的發 光設備中的凹部32的面積。圖1和圖2所示的凹部32的面積小於第二空腔29的面積。然而，圖3所示的凹部32的面積大於第二空腔29的面積。因此，可以與凹部32的面積成比例地放大該反射結構37的面積。由於圖3所示的發光設備的反射結構37比圖1和圖2所示的發光設備的反射結構37大，所以從發光設備發出的光的取向角能夠變得更寬，從而該發光設備沿側向方向可以呈現優異的光效率。圖4是示出在根據第一實施例的發光設備的另一示例中使用的透鏡的截面透視圖。參考圖4，在透鏡130的上表面上形成有向下凹陷的第一凹部132，並且在第一凹部132中形成有第一反射結構137。另外，在第一凹部132的周圍形成有向下凹陷的第二凹部134，並且在第二凹部134中形成有第二反射結構138。例如，第二凹部134被製備成圍繞第一凹部132的環的形式。另外，第一凹部132可以比第二凹部134深。第一反射結構37與第二反射結構138隔開一段預定距離。能夠根據第一反射結構137的面積、第二反射結構138的面積以及第一反射結構137和第二反射結構138之間的間隔來調節該發光設備的光分布。圖5是示出圖1和圖2所示的、根據第一實施例的發光設備的光分布的視圖，並且圖6是示出圖3所示的、根據第一實施例的另一示例的發光設備的光分布的視圖。圖4所示的根據第一實施例的另一示例的發光設備的光分布與圖6所示的發光設備類似，因此，為了避免重複，在附圖中將其省略。如圖5所示，在根據第一實施例的發光設備的情況下，峰-峰取向角是90°至120°。如圖6所示，在根據第一實施例的另一示例的發光設備的情況下，峰-峰取向角是130。至 165。。S卩，從發光設備發出的光的分布根據沿豎直方向與發光裝置22重疊的凹部32和形成在該凹部32上的反射結構37的面積而變化。圖7至圖13是示出根據第一實施例的發光設備的各種示例的截面圖。圖7至圖13示出具有各種類型的冷光材料的發光設備，並且為了避免重複，將會省略已經參考圖1至圖6描述過的說明。
參考圖7，該發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。可以在發光裝置22與透鏡30之間布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，並且包封物224包括第一至第四包封物224a至224d，其中，第一包封物224a包圍發光裝置22，第一冷光材料223a形成在第一包封物224a上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料223b形成在第二包封物224b上，第三包封物224c形成在第二冷光材料223b上，第三冷光材料223c形成在第三包封物224c上，並且第四包封物224d形成在第三冷光材料223c上。第一至第三冷光材料223a至223c在彼此隔開的同時與發光裝置22隔開。例如，第一至第四包封物224a至224d可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂。在該發光設備中至少包括兩種類型的冷光材料。根據該實施例，描述三種類型的冷光材料作為第一至第三冷光材料223a至223c。例如，如果發光裝置22是發出藍光的藍光發光二極體晶片，那麼第一冷光材料223a和第二冷光材料223b能夠設置在該發光設備中。在這樣的情況下，第一冷光材料223a和第二冷光材料223b可以分別用作發出黃光的黃光冷光材料和發出綠光的綠光冷光材料，或者分別用作發出黃光的黃光冷光材料和發出紅光的紅光冷光材料。另外，第一冷光材料223a和第二冷光材料223b可以分別用作發出紅光的紅光冷光材料和發出綠光的綠光冷光材料。例如，如果發光裝置22是發出藍光的藍光發光二極體晶片,那麼第一至第三冷光材料223a至223c能夠設置在該發光設備中。在這樣的情況下，第一至第三冷光材料223a至223c可以分別用作發出黃光的黃光冷光材料、發出綠光的綠光冷光材料以及發出紅光的紅光冷光材料。第一至第三冷光材料223a至223c可以布置在從發光裝置22發出的光的光學路徑上。靠近發光裝置22的冷光材料可以發出具有較短波長的光。例如，如果發光裝置22是藍光發光二極體晶片，那麼第一冷光材料223a包括綠光冷光材料，第二冷光材料223b包括黃光冷光材料，並且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。另外，例如，如果發光裝置22是UV光發光二極體晶片，那麼第一冷光材料223a包括藍光冷光材料，第二冷光材料223b包括綠光冷光材料，並且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。綠光冷光材料可以包括基於氧氮化物的冷光材料或者基於矽酸鹽的冷光材料，黃光冷光材料可以包括YAG冷光材料、TAG冷光材料或者基於矽酸鹽的冷光材料，並且紅光冷光材料可以包括基於氧氮化物的冷光材料或者基於氮化物的冷光材料。如果第一至第三冷光材料分別用作綠光冷光材料、黃光冷光材料和紅光冷光材料,那麼黃光冷光材料的量最大，而紅光冷光材料的量最小。綠光冷光材料可以包括發出具有50至lOOnm、優選為60至90nm的FWHM (半峰全寬)的光的冷光材料。例如，綠光冷光材料是發出具有60至IOOnm的FWHM的光的、基於矽酸鹽的冷光材料並且包括(Sr，Ba, Mg, Ca)2Si04:EU2+,或者發出具有50至70nm的FWHM的光的、基於氧氮化物的冷光材料並且包括Si6_xAlx0xN8_x:EU2+(0〈X〈6)。在基於矽酸鹽的冷光材料的情況下，如 果Ba的摩爾比等於或者大於Sr的摩爾比，那麼基於矽酸鹽的冷光材料可以發出具有綠光的波段的光。另外，如果Sr的摩爾比大於Ba的，那麼基於矽酸鹽的冷光材料可以發出具有黃光的波段的光。另外，能夠選擇性地採用Mg和Ca中的至少一種。黃光冷光材料發出具有50至IOOnm或者120nm或以上的FWHM的光。例如，黃光冷光材料是包括Y3Al5O12: Ce3+的YAG冷光材料、包括Tb3Al5O12: Ce3+的TAG冷光材料、或者發出具有60至IOOnm的FWHM的光的基於矽酸鹽的冷光材料，並且包括(Sr, Ba, Mg, Ca) 2Si04:EU2+。紅光冷光材料可以包括發出具有80至llOnm、優選為90至IOOnm的FWHM的光的、基於氮化物的冷光材料。例如，紅光冷光材料可以包括發出具有90至IOOnm的光的冷光材料並且包括CaAlSiN3:EU2+。例如，第一冷光材料223a可以包括基於氧氮化物的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括YAG冷光材料，並且第三冷光材料223c可以包括基於氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括基於娃酸鹽的冷光材料,第二冷光材料223b可以包括基於矽酸鹽的冷光材料，並且第三冷光材料223c可以包括基於氮化物或者基於氧氮化物的冷光材料。此外,例如,第一冷光材料223a可以包括基於娃酸鹽的冷光材料,第二冷光材料223b可以包括YAG冷光材料，並且第三冷光材料223c可以包括基於氧氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括YAG冷光材料或者基於娃酸鹽的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括基於氧氮化物的冷光材料，並且第三冷光材料223c可以包括基於氧氮化物的冷光材料。此外，例如，第一冷光材料223a可以包括基於氧氮化物的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括基於氧氮化物 的冷光材料，並且第三冷光材料223c可以包括基於氧氮化物的冷光材料。因此，圖7所示的發光設備能夠通過使用至少兩種類型的冷光材料來發出白光。參考圖8，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線40電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括:第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發光裝置22的橫向側和頂表面周圍以包圍發光裝置22 ;第二冷光材料223b，該第二冷光材料223b布置在位於發光裝置22的橫向側和頂表面周圍以包圍發光裝置22的第一冷光材料223a上；以及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在發光裝置22的橫向側和頂表面周圍以包圍發光裝置22的第二冷光材料223b上。包封物224包圍第一至第三冷光材料223a至223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠與第一冷光材料223a接觸，同時與發光裝置22隔開，並且第三冷光材料223c能夠與第二冷光材料223b接觸，同時與發光裝置22隔開。包封物224可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖9，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線40電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括分布在包封物224中的第一至第三冷光材料223a至223c。包封物224可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖10，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。包封物224包圍發光裝置22，並且冷光材料223包括形成在包封物224上的第一冷光材料223a、形成在第一冷光材料223a上的第二冷光材料223b、以及形成在第二冷光材料223b上的第三冷光 材料223c。例如，第一冷光材料223a形成在包封物224上，同時與發光裝置22隔開，第二冷光材料223b與第一冷光材料223a接觸，並且第三冷光材料223c與第二冷光材料223b接觸。包封物224可以包括環氧樹脂或矽樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖11，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，並且包封物224包括第一至第三包封物224a至224c，其中，第一包封物224a包圍發光裝置22，第一冷光材料223a形成在第一包封物224a上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料223b形成在第二包封物224b上，第三包封物224c形成在第二冷光材料223b上，並且第三冷光材料223c形成在第三包封物224c上。例如，第一冷光材料223a與發光裝置22隔開，第二冷光材料223b與第一冷光材料223a隔開，並且第三冷光材料223c與第二冷光材料223b隔開。第一至第三包封物224a至224c可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖12，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括:第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發光裝置22的頂表面的周圍；第二冷光材料223b，該第二冷光材料223b布置在位於發光裝置22的頂表面周圍的第一冷光材料223a上；以及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在發光裝置22的頂表面周圍的第二冷光材料223b上。包封物224包圍第一至第三冷光材料223a 至 223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠與第一冷光材料223a接觸，同時與發光裝置22隔開，並且第三冷光材料223c能夠與第二冷光材料223b接觸。包封物224可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖13，發光設備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發光裝置22以及透鏡30。發光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，並且包封物224包括第一包封物224a和第二包封物224b，其中，第一冷光材料223a布置在發光裝置22的頂表面周圍，第一包封物224a包圍發光裝置22和第一冷光材料223a，第二冷光材料223b布置在第一包封物224a上，第二包封物224b布置在第二冷光材料223b上，並且第三冷光材料223c布置在第二包封物224b上。例如，第一冷光材料223a能夠與發光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠形成在第一包封物224a上，同時與第一冷光材料223a隔開，並且第三冷光材料223c能夠形成在第二包封物224b上，同時與第二冷光材料223b隔開。第一 224a和第二包封物224b可以包括環氧樹脂或矽酮樹脂，並且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。圖14是示出在根據第一實施例的發光設備中使用的發光裝置的截面圖。根據該實施例的發光裝置22包括:生長襯底2210 ;未摻雜的半導體層2220，該未摻雜的半導體層2220形成在生長襯底2210上；以及發光結構層，該發光結構層形成在該未摻雜的半導體層2220上。所述發光結構層包括:第一導電半導體層2230 ;有源層2240 ;以及第二導電半導體層2250,該第二導電半導體層2250形成在未摻雜的半導體層2220上。在第一導電半導體層2230上形成有第一電極層2260,並且在第二導電半導體層2250上形成有第二電極層2270。在第一導電半導體層2230和有源層2240之間可以形成有第一導電InGaN/GaN超晶格結構或者第一導電InGaN/InGaN超晶格結構2235。另外，還能夠在第二導電半導體層2250與有源層2240之間形成有第二導電AlGaN層 2255。生長襯底2210 可以包括從由 Al203、SiC、S1、GaAs、GaN、Zn0、S1、GaP、InP 以及 Ge組成的組中選擇的至少一種，並且該實施例不限於此。例如，所述發光結構層能夠生長在包括Al2O3的生長襯底2210上。在生長襯底2210上能夠形成有多個突出圖案2211。突出圖案2211散射從有源層2240發出的光，從而提高光效率。例如，突出圖案2211可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納米柱形形狀中的一種形狀。儘管第一導電雜質沒有被有意注入到 未摻雜的半導體層2220中，但是未摻雜的半導體層2220是具有第一導電傳導性的氮化物層。例如，未摻雜的半導體層2220可以包括未摻雜的GaN層。在未摻雜的半導體層2220和生長襯底2210之間可以形成有緩衝層。另外，未摻雜的半導體層2220不是必須需要的。即，可以省略未摻雜的半導體層2220。例如，第一導電半導體層2230可以包括η型半導體層。第一導電半導體層2230可以包括具有InxAlyGa1IyN (0^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I)的複合化學式的半導體材料。例如，第一導電半導體層2230可以包括從由InAlGaN、GaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN組成的組中選擇的一個並且可以摻雜有諸如S1、Ge或者Sn的η型摻雜物。在有源層2240處，通過第一導電半導體層2230注入的電子(或者空穴)與通過第二半導體層2250注入的空穴(或者電子)複合，從而有源層2240發出具有根據有源層2240的本徵材料的能帶確定的波長的光。有源層2240可以具有單量子阱結構、MQff (多量子阱)結構、量子點結構或者量子線結構，但該實施例不限於此。有源層2240可以包括具有InxAlyGanyN (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的複合化學式的半導體材料。如果有源層2240具有MQW結構，那麼有源層2240可以包括多個阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結構。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或P型摻雜物的包覆層(未示出)。該包覆層可以包括AlGaN層或InAlGaN層。例如，第二導電半導體層2250可以包括P型半導體層。第二導電半導體層2250可以包括諸如 InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN 或者 InN 的具有 InxAlyGanyN(O ^ X ^ 1, O ^ y ^ 1, O ^ x+y ^ I)的複合化學式的半導體材料。另外，第二導電半導體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的p型摻雜物。

第一導電半導體層2230可以包括P型半導體層並且第二導電半導體層2250可以包括η型半導體層。另外，包括η型或P型半導體層的第三導電半導體層(未示出)能夠形成在第二導電半導體層2250上。因此，發光結構層可以具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ以及PNP結結構中的一種。另外，雜質能夠均勻或不均勻地摻雜在第一導電半導體層2230和第二導電半導體層2250中。即，該發光結構層可以具有各種結構而沒有限制。第一電極層2260形成在第一導電半導體層2230上,並且第二電極層2270形成在第二導電半導體層2250上以將電力供應給有源層2240。發光裝置22可以包括GaN基發光二極體，其產生具有位於450nm至480nm、優選為465nm的波段的中心波長和具有15nm至40nm的FWHM的藍光。圖15是示出根據第一實施例的發光設備中使用的發光裝置的另一示例的截面圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不會進一步描述已經參考圖14描述過的元件和結構。發光裝置22包括:導電支撐襯底2280 ;發光結構層，該發光結構層形成在導電支撐襯底2280上並且包括第一導電半導體層2230、有源層2240和第二導電半導體層2250 ；以及第一電極層2260,該第一電極層2260形成在第一導電半導體層2230上。在第一導電半導體層2230和有源層2240之間可以形成第一導電InGaN/GaN超晶格結構或第一導電InGaN/InGaN超晶格結構2235。另外，在第二導電半導體層2250和有源層2240之間能夠形成有第二導電AlGaN層 2255。能夠在第一導電半導體層2230上形成具有柱狀或孔狀形狀的光提取結構2231。第一提取結構2231允許從有源層2240產生的光被有效發射到外部。例如，光提取結構2231可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納米柱形形狀中的一種形狀。另外，光提取結構2231可以包括光子晶體。導電支撐襯底2280支撐發光結構層並且與第一電極層2260協作將電力供應給發光結構層。導電支撐襯底2280可以包括支撐層、歐姆接觸層以及位於該支撐層與歐姆接觸層之間的結合層。該支撐層可以包括從由Cu、N1、Mo、Al、Au、Nb、W、T1、Cr、Ta、Pd、Pt、S1、Ge>GaAs>ZnO以及SiC組成的組中選擇的至少一種。另外,通過使用包括Ag或Al的金屬形成歐姆接觸層，以使其與第二導電半導體層2250歐姆接觸同時用作反射結構。該歐姆接觸層可以包括具有歐姆接觸功能的第一層和具有反射功能的第二層。例如，具有歐姆接觸功能的第一層可以包括與第二導電半導體層2250歐姆接觸的材料。例如，通過使用從由ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁錫氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、ΑΤ0 (銻鋅氧化物)、GZ0 (鎵鋅氧化物)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、N1、Ag、Ni/Ir0x/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少一種能夠以單層或多層製備具有歐姆接觸功能的第一層。該結合層可以包括從由Cu、N1、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、T1、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、S1、Al-S1、Ag-Cd、Au-Sbλ Al-Zn、Al-MgΛ Al-GeΛ Pd-PbΛ Ag-SbΛ Au_In、Al-Cu-Si Λ Ag-Cd-CuΛCu-Sbλ Cd-Cuλ Al-S1-Cuλ Ag-CuΛ Ag-ZnΛ Ag-Cu-ZnΛ Ag-Cd-Cu-ZnΛ Au_S1、Au-GeΛ Au_N1、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu_Cu20、Cu-Zn、Cu-P、N1-P、N1-Mn-PcUN1-P 以及 Pd-Ni 組成的組中選擇的至少一種或至少兩種。該發光結構層可以包括化合物半導體層，其包括多個II1-V族元素。在發光結構的橫向側和頂表面上能夠·形成有絕緣層。例如,第一導電半導體層2230可以包括η型半導體層。第一導電半導體層2230可以包括具有InxAlyGa1IyN (0^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I)的複合化學式的半導體材料。例如，第一導電半導體層2230可以包括從由InAlGaN、GaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN組成的組中選擇的一種，並且可以被摻雜有諸如S1、Ge或Sn等的η型摻雜物。在有源層2240處，通過第一導電半導體層2230注入的電子(或者空穴)與通過第二半導體層2250注入的空穴(或者電子)複合，從而有源層2240發出具有根據有源層2240的本徵材料的能帶確定的波長的光。有源層2240可以具有單量子阱結構、MQff (多量子阱)結構、量子點結構或者量子線結構，但該實施例不限於此。有源層2240可以包括具有InxAlyGanyN (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的複合化學式的半導體材料。如果有源層2240具有MQW結構，那麼有源層2240可以包括多個阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結構。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或P型摻雜物的包覆層(未示出)。該包覆層可以包括AlGaN層或InAlGaN層。例如，第二導電半導體層2250可以包括P型半導體層。第二導電半導體層2250可以包括諸如 InAlGaN、GaN、AlGaN, InGaN, Al InN、AlN 或 InN 等的具有 InxAlyGanyN(O ^ X ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y ^ I)的複合化學式的半導體材料。另外，第二導電半導體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等的p型摻雜物。同時，第一導電半導體層2230可以包括P型半導體層，並且第二導電半導體層2250可以包括η型半導體層。另外，在第二導電半導體層2250上能夠形成有包括η型或P型半導體層的第三導電半導體層(未示出)。因此，該發光結構層可以具有NP、PN、NPN及PNP結結構中的一種。另外，雜質能夠均勻或不均勻地摻雜在第一導電半導體層2230和第二導電半導體層2250中。即，該發光結構層可以具有各種結構而沒有限制。在第二導電半導體層2250和導電支撐襯底2280之間能夠形成有電流阻擋區域(未示出)，使得該電流阻擋區域的至少一部分能夠與第一電極層2260重疊。該電流阻擋區域可以包括具有低於導電支撐襯底2280的導電性的材料，或者電絕緣材料。另外，能夠通過將等離子體損傷應用於第二導電半導體層2250來形成該電流阻擋區域。由於該電流阻擋區域使得電流能夠被廣泛地擴散，從而能夠提高有源層2240的光效率。發光裝置22可以包括GaN基發光二極體，其產生具有位於450nm至480nm、優選為465nm的波段的中心波長和具有15nm至40nm的FWHM的藍光。第二實施例圖16和圖17是示出根據第二實施例的發光設備的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考第一實施例描述的兀件和結構。參考圖16和圖17，根 據第二實施例的發光設備包括:襯底210 ;發光裝置組件220，該發光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發光裝置組件220的上方，同時由襯底210支撐。襯底210可以包括PCB(印製電路板)並且在襯底210上形成有電路圖案(未示出)。所述電路圖案電連接到發光裝置組件220。另外，襯底210可以包括MCPCB (金屬核印製電路板)。能夠不同地選擇襯底210的材料和結構。發光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個發光裝置222、包圍發光裝置222的冷光材料223、以及包圍組件本體221上的冷光材料223的包封物224。組件本體221中設置有電極(未示出)。所述電極形成為穿過組件本體221或者形成在組件本體221的表面上，以將發光裝置222和襯底210的電路圖案電連接。能夠通過使用各種材料來形成組件本體221。例如，能夠通過使用陶瓷材料、樹脂材料以及矽酮材料中的一種材料來形成組件本體221。能夠以發光二極體晶片的形式來製備發光裝置222。多個發光裝置222能夠安裝在組件本體221上。根據該實施例，三個發光裝置222安裝在組件本體221上。發光裝置222彼此並聯或串聯連接。另外，通過倒裝晶片方案或引線鍵合方案，能夠將發光裝置222與所述電極電連接。例如，發光裝置222是包括η型半導體層、有源層以及P型半導體層的發光二極體
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發光裝置222可以包括諸如藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片或綠光發光二極體晶片等的彩色發光二極體晶片。另外，發光裝置222可以包括發出UV光的UV(紫外線)光發光二極體晶片。能夠不同地選擇所述晶片的類型。根據該實施例，發出藍光的藍光發光二極體晶片可以用作發光裝置222。冷光材料223包圍組件本體221上的發光裝置222。例如，冷光材料223可以包括黃光冷光材料。能夠不同地選擇在冷光材料223中包括的冷光材料的類型。冷光材料223的頂表面被平坦化，從而冷光材料223在組件本體221上具有預定高度。包封物224形成在組件本體221上並且包圍冷光材料223。包封物224可以包括諸如環氧樹脂或矽酮樹脂等的透明樹脂材料。包封物224的頂表面的中央是凸起的，並且包封物224的上表面的中央周圍的外圍部分被平坦化。透鏡230包括透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a。通過注入成型使透鏡本體231和透鏡支撐件231a彼此形成一體，或者使其形成為彼此分離並然後通過使用粘合劑來相互粘合。當在平面圖中 觀察時，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，在透鏡本體231的底表面上能夠形成凹凸部分或粗糙部。多個透鏡支撐件231a能夠設置在透鏡本體231的底表面上。儘管在圖16和圖17中僅示出兩個透鏡支撐件231a，但是能夠設置有至少三個透鏡支撐件231a，同時使它們相互隔開以穩定地支撐透鏡本體231。可以根據該發光設備的設計來更改透鏡支撐件231a的數目和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料並且通過透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通過使用粘合劑能夠將透鏡支撐件231a穩固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，並且在透鏡本體231的上表面的中央形成有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結構237。第一凹部232可以被反射結構237完全或部分填充。例如，通過將具有70%或更大透射率的有機物與能夠對光進行反射或散射的無機物混合，能夠獲得反射結構237。該無機物可以包括Ti02、Si02、Al、Al2O3以及Ag中的至少一種。根據該有機物和無機物之間的混合比，反射結構237能夠完全或部分反射光。該有機物和無機物之間的混合比在1: 0.001至1:1的範圍內。另外，例如，反射結構237可以包括通過使用Si02、TiO2, Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約iooA或更大的厚度。另外，透鏡本體231具有平的底表面，並且在透鏡本體231的底表面的中央形成有向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232沿豎直方向與第二凹部233重疊。由於第一凹部232和第二凹部233位於透鏡本體231的中央，所以透鏡本體231的中央部分具有薄的厚度。具體地，透鏡本體231的厚度從透鏡本體231的中央向外圍部分逐漸增加，然後在透鏡本體231的外周部分再次減少。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，並且透鏡本體231的橫向側可以與透鏡本體231的底表面垂直。第一凹部232的最大深度a在0.3至0.4mm的範圍內，並且第二凹部233的最大深度b在2.5至3mm的範圍內。另外，第一凹部232的最大深度c在3.5至4mm的範圍內，並且第二凹部233的最大深度d在2.5至3mm的範圍內。透鏡支撐件231a的最大厚度e在0.5至0.8mm的範圍內。透鏡本體231的最大厚度h在4至5mm的範圍內，從底表面到透鏡本體231的上表面的平坦部分的最大厚度f在1.8至2.2mm的範圍內，並且從透鏡本體231的上表面的平坦部分到最上部分的最大厚度g在2.2至2.8mm的範圍內。透鏡本體231的最大寬度j在13至19mm的範圍內，並且透鏡本體231的彎曲部分的最大寬度I在12至18mm的範圍內。同時，從發光裝置組件220到組件本體221的最大厚度在0.3至0.4mm的範圍內，並且從組件本體231的上表面到包封物224的最上表面的高度在1.1至1.5mm的範圍內。根據第二實施例，第一凹部232的最大深度a與透鏡本體231的最大厚度h的比率在0.06至0.1的範圍內，並且第二凹部233的最大深度b與透鏡本體231的最大厚度h的比率在0.5至0.75的範圍內。另外，第二凹部233的最大深度b與第一凹部232的最大深度a的比率在6.25至10的範圍內。此外，第一凹部232的最大寬度c與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0.18至
0.3的範圍內，第二凹部233的最大寬度d與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0.14至
0.25的範圍內，並且第二凹部233的最大寬度d與第一凹部232的最大寬度c的比率在0.7至0.94的範圍內。 另外，包封物224的至少一部分被提供在第二凹部233中。組件本體221的最大厚度小於透鏡支撐件231a的最大厚度，並且透鏡本體231的底表面布置成與發光裝置222、冷光材料224或包封物224處於同一平面上。因此，具有上述結構的發光設備可以沿側向方向呈現優異的光效率。由發光裝置222生成的光被反射並且被從包封物224和第二凹部233折射，然後從反射結構237反射，從而能夠沿側向方向發出更大量的光。特別地，形成在第一凹部232和第二凹部233中的反射結構237可以減少沿向上方向發出的光的量。圖18是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖18，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括與襯底210相鄰的包封物224。包封物224形成在襯底210、組件本體221以及冷光材料223上。由於包封物224與組件本體221和襯底210的橫向側接觸，所以接觸面積擴大了，從而包封物224能夠更加穩固地接合到襯底210和組件本體221。圖19是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在圖19中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖19，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括以預定厚度形成在發光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。冷光材料223沿著發光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在組件本體221上的冷光材料223的高度低於形成在發光裝置222上的冷光材料223的高度。根據第二實施例的發光設備的另一示例，具有預定厚度的冷光材料223包圍發光裝置222，因此能夠減小從發光設備發出的光的色偏。圖20是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在圖20中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述參考已經圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖20，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括以凸起形狀形成在發光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。根據第二實施例的發光設備的另一示例，能夠通過點膠方案來形成冷光材料223，從而能夠簡化製造工藝。圖21是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在圖21中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖21，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括在其頂表面上形成有狹槽221a的組件本體221和填充在該狹槽221a中的包封物224。因此，可以擴大包封物224與組件本體221之間的接觸面積，並且包封物224能夠穩固地與組件本體221接合。儘管圖21示出了形成在組件本體221的頂表面上的狹槽221a，但該狹槽221a能夠形成在組件本體221的橫向側。另外，還能夠形成突起來替代狹槽221a。圖22是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在圖22中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖22，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括在其頂表面上形成有雙狹槽221b的組件本體221和填充在所述雙狹槽221b中的包封物224。雙狹槽221b從組件本體221的頂表面垂直向下延伸，然後水平延伸。因此，可以擴大包封物224與組件本體221之間的接觸面積，並且，填充在雙狹槽221b中的包封物224可以用作鎖定單元，從而包封物224可以與組件本體221穩固地接合。圖23是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在圖23中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖23，根 據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置組件220包括組件本體221和形成在該組件本體221的頂表面上的反射結構225。反射結構225可以包括具有高反射率的墨或金屬。反射結構225可以減少在組件本體221中吸收的光的量，從而能夠提高該發光設備的光效率。圖24是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。
在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖24，通過COB (板上晶片貼裝)方案來形成根據第二實施例的另一示例的發光設備。即，發光裝置222直接安裝在襯底210上，並且冷光材料223形成在襯底210上以包圍發光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210上以包圍冷光材料223上。包封物224與襯底210接觸並且包封物224的一部分被填充在第二凹部233中。與圖16和圖17所示的發光裝置不同，根據第二實施例的發光設備的另一示例，發光裝置222直接安裝在襯底210上，而沒有通過使用組件本體221進行封裝。因此，由 發光裝置222產生的光能夠以較寬的取向角發出，並且由發光裝置222產生的熱能夠通過襯底210有效散發到外部。圖25是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。在圖25中，透鏡230被省略。參考圖25，通過COB (板上晶片貼裝)方案來形成根據第二實施例的另一示例的發光設備。即，發光裝置222直接安裝在襯底210上，並且冷光材料223形成在襯底210和發光裝置222上以包圍發光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物224的一部分設置在第二凹部233中。在襯底210上形成有狹槽231a並且包封物224被填充在該狹槽231a中。因此，能夠擴大包封物224與襯底210之間的接觸面積，並且包封物224能夠與襯底210和冷光材料223穩固地接合。圖26是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。在圖26中，透鏡被省略。參考圖26，通過COB (板上晶片貼裝)方案來形成根據第二實施例的另一示例的發光設備。即，發光裝置222直接安裝在襯底210上，並且冷光材料包封物226形成在襯底210和發光裝置222上以包圍發光裝置222。通過對其內分布有冷光材料的包封物進行點膠來以凸起形狀形成冷光材料包封物226。因此，冷光材料包封物226可以具有冷光材料和包封物的功能。根據第二實施例的另一示例，能夠簡化製造工藝。圖27是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。在圖27中，透鏡被省略。參考圖27，通過COB (板上晶片貼裝)方案來形成根據第二實施例的另一示例的發光設備。即，發光裝置222直接安裝在襯底210上，並且，具有預定厚度的冷光材料223形成在襯底210和發光裝置222上以包圍發光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物224的一部分設置在第二凹部233中。冷光材料223沿著發光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在襯底210上的冷光材料223的高度低於形成在發光裝置222上的冷光材料223的高度。根據第二實施例的發光設備的另一示例，具有預定厚度的冷光材料223包圍發光裝置222，因此能夠減少從發光設備發出的光的色偏。圖28是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。 參考圖28，根據第二實施例的另一示例的發光設備包括透鏡230，該透鏡230具有透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a，在該透鏡本體231內形成有間隙235。當在平面圖中觀察時，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，能夠在透鏡本體231的底表面上形成凹凸部分或粗糙部。能夠在透鏡本體231的底表面上設置有多個透鏡支撐件231a。儘管在圖28中僅示出兩個透鏡支撐件231a，但是能夠設置有至少三個透鏡支撐件231a，同時使它們相互隔開以穩固地支撐透鏡本體231。可以根據該發光設備的設計來更改透鏡支撐件231a的數目和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料並且通過透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通過使用粘合劑能夠將透鏡支撐件231a穩固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，並且在透鏡本體231的上表面的中央形成有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結構237。第一凹部232可以被反射結構237完全或部分填充。

另外，透鏡本體231具有平坦的底表面，並且在透鏡本體231的底表面的中央形成有向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232與第二凹部233沿豎直方向重疊，並且在第一凹部232和第二凹部233之間形成有間隙235。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，並且透鏡本體231的橫向側可以與透鏡本體231的底表面垂直。在穿過第二凹部233和間隙235朝著第一凹部232的反射結構237行進的同時，由發光裝置222生成的光被反射和折射。因此，可以減少沿向上方向導向的光的量，從而能夠沿側向方向發出更大量的光。圖29是示出根據第二實施例的發光設備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重複，將不再進一步描述已經參考圖16和圖17描述過的元件和結構。參考圖29，根據第二實施例的另一示例的發光設備包括:襯底20 ;發光裝置組件220，該發光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發光裝置組件220上方，同時由襯底210支撐。發光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個發光裝置222、包圍發光裝置222的冷光材料223。透鏡230包括:包封物部分230a，該包封物部分230a形成在襯底210和發光裝置組件220上以包圍發光裝置組件220 ;透鏡部分230c，該透鏡部分230c設置在包封物部分230a上；以及支撐部分230b，該支撐部分230b在支撐所述透鏡部分230c的同時將包封物部分230a連接到透鏡部分230c。透鏡230可以包括諸如環氧樹脂或矽酮樹脂等的透明樹脂材料。可以通過注入成型來使包封物部分230a、透鏡部分230c以及支撐部分230b彼此形成一體，或者使其形成為相互分離並然後通過使用粘合劑將其相互粘合。透鏡部分230c的上表面是凸起的，並且在透鏡部分230c的上表面的中央形成有第一凹部232。在第一凹部232中形成有反射結構237。透鏡部分230c與包封物部分230a隔開，從而在透鏡部分230c和包封物部分230a之間形成間隙236。包封物部分230a可以提高從發光裝置222發出的光的提取效率，同時保護髮光裝置 222。在穿過包封物部分230a、間隙236以及透鏡部分230c行進的同時，從發光裝置222發出的光被反射和折射，從而能夠減少沿向上方向導向的光的量。因此，發光設備能夠沿側向方向發出更大量的光。圖30和圖31是用於說明根據第二實施例的發光設備的光分布特性的視圖。如圖30和圖31所示，當與襯底210垂直的方向被設定為0°時，圖16和圖17所示的根據第二實施例的發光設備以70°至85°或者-70°至-85°的角度發出峰值光。即，從發光設備產生的光主要沿側向方向發出。
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同時，圖18至圖29所示的發光設備可以具有與圖30和圖31所示的光分布特性。在本說明書中對於「一個實施例」、「一實施例」、「示例性實施例」等的引用意味著結合實施例描述的特定特徵、結構或特性被包括在本發明的至少一個實施例中。在說明書中，在各處出現的這類短語不必都表示相同實施例。此外，當結合任何實施例描述特定特徵、結構或特性時，都認為結合實施例中的其它實施例實現這樣的特徵、結構或特性也是本領域技術人員所能夠想到的。雖然已經參照本發明的多個示例性實施例描述了實施例，但應該理解，本領域的技術人員可以想到多個其它修改和實施例，這將落入本發明原理的精神和範圍內。更具體地，在本說明書、附圖和所附權利要求的範圍內的主題組合布置結構的組成部件和/或布置結構中，能夠進行各種變化和修改。對於本領域的技術人員來說，除了對組成部件和/或布置結構的變化和修改之外，替代用途也將是顯而易見的。
權利要求
1.一種發光設備，包括: 襯底； 位於所述襯底上的發光裝置組件；以及 透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發光裝置組件上方並且包括反射結構， 其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，並且 其中，所述反射結構被布置在所述發光裝置組件上方並且反射從所述發光裝置組件發出的光，使得所述光被從所述反射結構反射並且沿所述透鏡的側向方向行進。
2.如權利要求1所述的發光設備，其中，所述透鏡本體包括透鏡支撐件，所述透鏡支撐件設置在所述透鏡本體的底表面上以支撐所述透鏡本體，使得所述透鏡本體與所述襯底隔開。
3.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述反射結構形成在所述透鏡的所述第一凹部中。
4.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述透鏡本體包括向上凹陷的第二凹部，並且所述第一凹部向下凹陷。
5.如權利要求2所述的發光設備，其中，所述透鏡支撐件包括相互隔開的至少三個透鏡支撐件。
6.如權利要求4所述的發光設備，其中，所述第一凹部沿豎直方向與所述第二凹部重疊。
7.如權利要求1或2所述的發光 設備，其中，所述反射結構以反射材料被填充在所述第一凹部中。
8.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述反射結構以反射材料被塗覆在所述第一凹部上。
9.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述透鏡本體的厚度從所述透鏡本體的中央向外周部分逐漸增加，並且在所述透鏡本體的外周部分再次減小。
10.如權利要求4所述的發光設備，其中，包封物的一部分被設置在所述第二凹部中。
11.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述第一凹部的最大深度與所述透鏡本體的最大厚度的比率在0.06至0.1的範圍內。
12.如權利要求4所述的發光設備，其中，所述第二凹部的最大深度與所述透鏡本體的最大厚度的比率在0.5至0.75的範圍內。
13.如權利要求4所述的發光設備，其中，所述第二凹部的最大深度與所述第一凹部的最大深度的比率在6.25至10的範圍內。
14.如權利要求1或2所述的發光設備，其中，所述第一凹部的最大寬度與所述透鏡本體的最大寬度的比率在0.18至0.3的範圍內。
15.如權利要求4所述的發光設備，其中，所述第二凹部的最大寬度與所述透鏡本體的最大寬度的比率在0.14至0.25的範圍內。
全文摘要
公開了一種發光設備，其包括襯底；位於所述襯底上的發光裝置組件；以及透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發光裝置組件上方並且包括反射結構，其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，並且其中，所述反射結構被布置在所述發光裝置組件上方並且反射從所述發光裝置組件發出的光，使得所述光被從所述反射結構反射並且沿所述透鏡的側向方向行進。
文檔編號H01L33/60GK103236488SQ20131012520
公開日2013年8月7日 申請日期2010年10月15日 優先權日2009年10月15日
發明者閔鳳傑 申請人:Lg伊諾特有限公司