頂部發光型有源矩陣場致發光設備及其製造方法
2024-03-28 23:16:05
專利名稱：頂部發光型有源矩陣場致發光設備及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種有機場致發光設備，尤其是，涉及一種頂部發光型有源矩陣場致發光設備和製造該設備的方法。儘管本發明適合廣泛的應用，但它尤其適合增強發光效率和改善設備的電氣功能。
背景技術：
場致發光設備由於它的寬視角、高孔徑比和高色度特性，被認為是下一代平面顯示設備。更確切的說，在有機場致發光(EL)設備中，當電荷注入到形成在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機場致發光層中時，電子和空穴互相配對產生激子，其激發態下降到基態，由此發出光。因此，與其他顯示設備相比，該有機場致發光設備(ELD)能在低電壓下操作。
基於該驅動方法，將有機ELD分為鈍化ELD和有源矩陣ELD。該鈍化ELD是由透明基片上的透明電極、在透明電極上的有機場致發光層和有機場致發光層上的陰極形成的。該有源矩陣ELD是由確定基片上的像素區域的多個掃描線和數據線、電連接掃描線和數據線並控制場致發光設備的開關設備、電連接該轉換設備並形成在基片上的像素區域中的透明電極(即，陽極)、在透明電極上的有機場致發光層和有機場致發光層上的金屬電極(即，陰極)形成的。不同於鈍化ELD，該有源矩陣ELD還包括是薄膜電晶體(TFT)的開關設備。
可以將有源矩陣ELD分為兩類頂部發光型ELD和底部發光型ELD。與底部發光型ELD不同，由於頂部發光型ELD向金屬共用電極(即，陰極)發射光線，所以頂部發光型ELD的金屬共用電極應當形成一薄層，以便提供高效的光透射。
然而，如果形成的金屬共用電極太薄，則在其中產生的熱量將導致金屬共用電極短路或氧化。由於有源矩陣ELD的這些特點，大量的電流在金屬共用電極內恆定的流動。更確切的說，當金屬共用電極由銀(Ag)形成時，由於銀(Ag)原子的遷移，在金屬共用電極上形成很多團塊。因此，該設備的可靠性下降，並且耐用性降低。
發明內容
因此，本發明涉及一種頂部發光型有源矩陣場致發光設備和製造該設備的方法，其能同時避免由相關技術的局限性和缺點引起的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種頂部發光型有源矩陣場致發光設備和製造該設備的方法，它能同時增強發光效率和改善該設備的電氣功能。
在說明書中，下面將部分的陳述本發明的其他優點、目的和特徵，並且基於以下試驗或對本發明實例的了解，本發明的其他優點、目的和特徵對本領域技術人員將變得更明顯。通過在書面的說明書和權利要求以及附圖中指出的特殊結構，可以認識和實現本發明的目的和其他優點。
為了獲得這些目的和其他優點，並根據本發明的目的，在此通過具體和廣泛的描述，有源矩陣場致發光設備包括基片，該基片具有薄膜電晶體和在基片上規定的像素區域，在基片和薄膜電晶體上形成的絕緣層，在絕緣層上形成的第一電極，在第一電極之間的絕緣層上形成的第二電極，在第一電極上形成的發射層，和在發射層上形成的並電連接第二電極的第三電極。
該第一電極形成在像素區域中並通過接觸孔電連接薄膜電晶體。並且，在每個像素區域之間形成第二電極。
該發射層由空穴注入層、空穴傳輸層、有機場致發光層、電子傳輸層和電子注入層形成，這些層順序的互相澱積。
第三電極由澱積在透明電極上的金屬電極形成，或由透明電極形成。
在本發明的另一方面中，用於製造有源矩陣場致發光設備的方法包括在具有規定於其上的像素電極的基片上形成薄膜電晶體，在薄膜電晶體和基片上形成絕緣層，在絕緣層上形成第一電極和第二電極，在第一電極上形成發射層，在發射層上形成第三電極，第三電極電連接第二電極。
第一電極和第二電極由相同材料形成。並且，第一電極形成在絕緣層上的像素區域中，並同時，在每個像素區域之間形成第二電極。
其中，由於在第二電極上沒形成發射層，所以第三電極電連接第二電極。
根據本發明，用於製造該有源矩陣場致發光設備的方法還包括在絕緣層上的預定區域上形成第一電極和第二電極。這裡，絕緣層包括暴露第二電極的溝道。而且，第三電極通過該溝道電連接第二電極。
應當理解，本發明上面的概述和下面的詳細描述是示範和說明，並意圖為要求保護的本發明提供更多的說明。
附圖為本發明提供進一步的理解並結合構成說明書的一部分，其描述了本發明的實施例，並結合說明書解釋本發明的原理。在附圖中圖1示出了根據本發明的有源矩陣場致發光設備的平面圖；圖2示出了沿著圖1的B-B』線的橫截面視圖；圖3A至3G示出了根據本發明的第一實施例的用於製造有源矩陣場致發光設備的方法的過程步驟；圖4示出了根據本發明的陰影掩模(shadow mask)；圖5A至5F示出了根據本發明的第二實施例的用於製造有源矩陣場致發光設備的方法的過程步驟。
具體實施例方式
現在將詳細描述本發明的優選實施例，其範例示出在附圖中。無論什麼情況，在整個附圖中，相同參考數字將表示相同或類似部件。
圖1示出了根據本發明的有源矩陣場致發光設備的平面圖。
參考圖1，根據本發明的頂部發光型有源矩陣場致發光設備(ELD)包括在像素區域上形成的紅(R)、綠(G)和藍(B)有機場致發光層34、34』和34」，以及在像素區域的外部區域上以條狀形成的反共用電極29，該像素區域具有在其上形成的R、G和B有機場致發光層。一般而言，在有源矩陣ELD中，當形成的R、G和B有機場致發光層34、34』和34」時，一直使用陰影掩模。在此，陰影掩模橋的厚度在大約40至50微米(μm)的範圍內，它是一個足夠寬的空間以形成反共用電極29。由於圖1的區域D和陰影掩模橋接區域對應，在本發明中，該反共用電極29形成在D區域中。
反共用電極29通過絕緣層30的孔電連接共用電極37和38(即，陰極)。因此，大多數電流流過共用電極37和38，並通過反共用電極29流到外面，該反共用電極29具有低電阻，因此解決了共用電極中的電阻問題。
圖2示出了沿著圖1的B-B』線的橫截面視圖。參考圖2，將詳細描述根據本發明的頂部發光型有源矩陣場致發光設備。
參考圖2，像素電極28和多個在像素電極28上穿過的共用電極37和38形成在玻璃基片21上。該共用電極37和38包括金屬共用電極37和在其上澱積的透明共用電極38。另外，有機場致發光層34形成在像素電極28和共用電極37及38之間。在此，該有機場致發光層34形成在像素區域中。
另外，薄膜電晶體B形成在玻璃基片21上，並電連接像素電極28。該薄膜電晶體B包括半導體層22，該半導體層形成在玻璃基片21上並包括源和漏區域22a和22b和溝道區域22c，在半導體層22和玻璃基片21的整個表面上的柵絕緣層23，在溝道區域22c上的柵絕緣層23上形成的柵極24。在此，源和漏區域22a和22b和溝道區域22c的邊界與柵極24的兩邊對齊。
而且，夾層電介質25形成在薄膜電晶體B上。該夾層電介質25包括多個暴露源和漏區域22a和22b的部分表面的接觸孔。在接觸孔中形成多個電極線26，以便電連接源和漏區域22a和22b。
在夾層電介質25和電極線26的整個表面上形成平面化絕緣層27。該平面化絕緣層27包括通孔，該通孔暴露連接漏區域22b的電極線26的部分表面。像素電極28形成在平面化絕緣層27的像素區域上。在此，該像素電極28通過平面化絕緣層27的通孔電連接薄膜電晶體B的漏區域22b。
反共用電極29以帶狀並以平行於薄膜電晶體B的柵極24長度的方向形成在平面化絕緣層27的像素區域的外部。
在像素電極28和反共用電極29之間形成的絕緣層30覆蓋部分像素電極28和部分反共用電極29。形成的絕緣層30電絕緣像素電極28和反共用電極29，該絕緣層30形成在像素區域的外部區域中。
空穴注入層32和空穴傳輸層33連續的形成在像素電極28和絕緣層30上，並且有機場致發光層34形成在空穴傳輸層33的像素區域上。該有機場致發光層34包括基於發出的顏色的紅(R)、綠(G)和藍(B)有機場致發光層34、34』和34」。該R、G和B有機場致發光層34、34』和34」順序的形成在每個對應的像素區域上。隨後，電子傳輸層35和電子注入層36順次的澱積在有機場致發光層34和空穴傳輸層33上。
金屬共用電極37和透明共用電極38形成在反共用電極29、一部分絕緣層30和電子注入層36上，並且保護層39形成在透明共用電極38的整個表面上。在此，由於絕緣層30、空穴注入層32、空穴傳輸層33、有機場致發光層34、電子傳輸層35和電子注入層36沒有形成在反共用電極29上，所以共用電極37和38與反共用電極39接觸。另外，在本發明中，省略金屬共用電極37，從而使透明共用電極38與反共用電極39直接接觸。
根據本發明的用於製造頂部發光型有源矩陣場致發光設備的方法將參考下列附圖進行描述。
第一實施例圖3A至3G示出了根據本發明的第一實施例的用於製造有源矩陣場致發光設備的方法的過程步驟。參考圖3A，為了用作薄膜電晶體B的有源層，通過使用多晶矽將半導體層22形成在玻璃基片21上。隨後，對該半導體層22進行構圖，只留下半導體層22的一部分，其與在其上面將形成薄膜電晶體B的區域對應。然後，柵絕緣層23澱積在玻璃基片21和半導體層22的整個表面上，並且導電材料層澱積在柵絕緣層23上，以便形成柵極。對該導電材料層進行構圖，以便只有預定部分保留在被構圖的半導體層22上，由此形成柵極24。
此後，柵極24作為用於注入雜質，諸如硼(B)或鉀(P)的掩模，然後對半導體層22進行熱處理，由此形成薄膜電晶體B的源和漏區域22a和22b。並且，其中沒注入雜質的半導體層22的區域變成溝道區域22c。在此，由於通過使用作為掩模的柵極24注入雜質，源和漏區域22a和22b的邊界和溝道區域22c的邊界與柵極24的兩邊對齊。
夾層電介質25形成在柵絕緣層23和柵極24上。之後，夾層電介質25和柵絕緣層23被選擇性的蝕刻，以暴露源和漏區域22a和22b的上表面的一部分，由此形成接觸孔。並且，用金屬填充該接觸孔，以便形成電極線26，每個電極線電連接源和漏區域22a和22b。
隨後，通過使用旋塗方法將絕緣材料澱積在夾層電介質25和電極線26上，由此澱積該平面化絕緣層27。然後通過預烘焙處理使平面化絕緣層27變硬。而且，選擇性的除去平面化絕緣層27，以暴露與薄膜電晶體B的漏區域22b連接的電極線26，由此形成該通孔。
金屬材料層澱積在通孔和平面化絕緣層27的整個表面上。在底部發光型ELD中，金屬性材料層由透明材料，諸如銦錫氧化物(ITO)形成。相反的，在頂部發光型ELD中，該金屬性材料層由具有高反射率和功函數的金屬形成。更確切的說，在該情況下，該金屬性材料層由鉻(Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)的合金和銀(Ag)—金(Au)合金或其中之一形成，並且通過使用這些金屬可形成多層。該金屬性材料層澱積在平面化絕緣層27的通孔的內層上，並連接在通孔底部形成的電極線26。
選擇性的除去金屬性材料層，以便在每個像素區域中形成像素電極28。並且，同時，反共用電極29形成在像素區域的外部區域中。該反共用電極29形成在像素電極28之間，並空間上遠離該像素電極一預定距離。換句話說，該反共用電極29形成在平面化絕緣層27上的每個像素電極之間的邊界區域上。而且，如圖1所示，該反共用電極29在薄膜電晶體B上以條狀形成，並平行於薄膜電晶體B的柵極24。
參考圖3B，在將絕緣材料澱積在平面化絕緣層27、像素電極28、反共用電極29的整個表面上之後，選擇性的除去絕緣材料層，以便在除像素區域外的區域，更確切的說，在像素區域之間的邊界區域上形成絕緣層30。在這一點上，該絕緣層30也不會形成在反共用電極29的部分表面上。換句話說，在像素電極28和反共用電極29之間形成的絕緣層30隻覆蓋每個像素電極28和反共用電極29的一部分。為了暴露反共用電極29的部分表面，該絕緣層30包括在反共用電極29上以與反共用電極29的長度相同的方向形成的溝道。
隨後，發射層形成在像素電極28上。在此，該發射層由逐次澱積的空穴注入層32、空穴傳輸層33、有機場致發光層34、電子傳輸層35和電子注入層36形成。參考圖3C，該陰影掩模31用於將空穴注入層32和空穴傳輸層33順次澱積在像素電極38和絕緣層30上。該空穴注入層32和空穴傳輸層33不必澱積在反共用電極29上。圖4示出了陰影掩模31的部分表面。在此，該陰影掩模31具有與反共用電極29的圖形對齊的多個條紋。
參考圖3D，陰影掩模(未示出)用於將空穴傳輸層33澱積在有機場致發光層34上。該有機場致發光層34包括基於發出的顏色的紅(R)、綠(G)和藍(B)有機場致發光層34、34』和34」。該R、G和B有機場致發光層34、34』和34」順次形成在每個相應的像素區域上。在此，該有機場致發光層34隻澱積在像素區域中。
如圖3E所示，該陰影掩模31用於將電子傳輸層35和電子注入層36順次的澱積在部分空穴傳輸層33和有機場致發光層34上。
參考圖3F，該共用電極37和38形成在電子注入層36和反共用電極29的整個表面上。由於共用電極電連接反共用電極29，流過共用電極的電流通過反共用電極29流出，該反共用電極29具有較小電阻，由此解決共用電極有關電阻的問題。該共用電極包括金屬共用電極37和透明共用電極38。為了形成金屬共用電極37，具有若干納米(nm)厚度的鋁(Al)層澱積在電子注入層36和反共用電極29的整個表面上，然後對其蝕刻以具有等於或小於5納米(nm)的厚度。替換的，代替鋁層，可澱積具有厚度等於或小於5納米(nm)的MgxAgx-1金屬組的金屬層。另一方面，用於形成金屬共用電極37的另一方法是順次的澱積具有約0.5納米(nm)厚度的氟化鋰(LiF)層和大約1納米(nm)厚度的鋁(Al)層。另外，透明共用電極38由透明導電材料，諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成。
該金屬共用電極37可被省略，並且替代金屬共用電極37，可形成透明共用電極38以電連接反共用電極29。
此後，如圖3G所示，形成保護層39以防止有機場致發光層34、電子傳輸層35和電子注入層36接觸氧或水分。而且，儘管在圖中未顯示，通過使用密封劑和透明基片將保護罩安裝在保護層39上，因此完成了根據本發明的頂部發光型有源矩陣場致發光設備。
第二實施例圖5A至5F示出了根據本發明的第二實施例的用於製造有源矩陣場致發光設備的方法的過程步驟。參考圖5A，半導體層122形成在玻璃基片121上，以便用作薄膜電晶體B的有源層。該半導體層122由多晶矽構成。隨後，對該半導體層122進行構圖，只留下半導體層122的一部分，其與在其上面將形成薄膜電晶體B的區域對應。然後，柵絕緣層123澱積在玻璃基片121和半導體層122的整個表面上，並且導電材料層澱積在柵絕緣層123上，以便形成柵極。對該導電材料層進行構圖，以便只有預定部分保留在被構圖的半導體層122上，由此形成柵極24。
柵極24作為用於注入雜質，諸如硼(B)或鉀(P)的掩模，然後為了形成薄膜電晶體B的源和漏區域122a和122b，對半導體層122進行熱處理。其中沒注入雜質的半導體層122的區域變成溝道區域122c。在此，由於通過使用作為掩模的柵極124注入雜質，源和漏區域122a和122b的邊界和溝道區域122c的邊界與柵極124的兩邊對齊。
夾層電介質125形成在柵絕緣層123和柵極124上。之後，夾層電介質125和柵絕緣層123被選擇性的蝕刻，以暴露源和漏區域122a和122b的上表面的一部分，由此形成接觸孔。並且，用金屬填充該接觸孔，以便形成電極線26，每個電極線電連接源和漏區域122a和122b。
隨後，通過使用旋塗方法將絕緣材料澱積在夾層電介質125和電極線126上，由此澱積該平面化絕緣層127。然後通過預烘焙處理使平面化絕緣層127變硬。而且，選擇性的除去平面化絕緣層127，以暴露與薄膜電晶體B的漏區域122b連接的電極線126，由此形成該通孔。
金屬材料層澱積在通孔和平面化絕緣層127的整個表面上。在底部發光型ELD中，金屬性材料層由透明材料，諸如銦錫氧化物(ITO)形成。相反的，在頂部發光型ELD中，該金屬性材料層由具有高反射率和功函數的金屬形成。更確切的說，在該情況下，該金屬性材料層由鉻(Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)的合金和銀(Ag)—金(Au)合金或其中之一形成，並且通過使用這些金屬可形成多層。該金屬性材料層澱積在平面化絕緣層127的通孔的內層上，並連接在通孔底部形成的電極線126。
選擇性的除去金屬性材料層，以便在每個像素區域中形成像素電極128。並且，同時，反共用電極129形成在像素區域的外部區域中。該反共用電極129形成在像素電極128之間，並空間上遠離該像素電極一預定距離。換句話說，該反共用電極219形成在平面化絕緣層27上的每個像素電極之間的邊界區域上。該反共用電極129在薄膜電晶體B上以條狀形成，並平行於薄膜電晶體B的柵極124。
參考圖5B，在將絕緣材料澱積在平面化絕緣層127、像素電極128、反共用電極129的整個表面上之後，選擇性的除去絕緣材料層，以便在除像素區域外的區域，更確切的說，在像素區域之間的邊界區域上形成絕緣層30。在這一點上，該絕緣層130也不會形成在反共用電極129的部分表面上。換句話說，在像素電極128和反共用電極129之間形成的絕緣層130隻覆蓋每個像素電極128和反共用電極129的一部分。為了暴露反共用電極129的部分表面，該絕緣層130包括在反共用電極129上以與反共用電極129長度相同的方向形成的溝道。
隨後，發射層形成在像素電極128上。在此，該發射層由逐次澱積的空穴注入層132、空穴傳輸層133、有機場致發光層134、電子傳輸層135和電子注入層136形成。參考圖5C，該陰影掩模131用於將空穴注入層132、空穴傳輸層133、有機場致發光層134、電子傳輸層135和電子注入層136順次澱積在像素電極128和部分絕緣層130上。該有機場致發光層134包括基於發出的顏色的紅(R)、綠(G)和藍(B)有機場致發光層134、134』和134」。參考圖5d，利用陰影掩模131，將R、G和B有機場致發光層134、134』和134」順次形成在每個相應的像素區域上。在此，空穴注入層132、空穴傳輸層133、有機場致發光層134、電子傳輸層135和有機場致發光層134隻澱積在像素區域中。
參考圖3E，共用電極137和138形成在電子注入層136、部分絕緣層130和反共用電極129的整個表面上。由於共用電極電連接反共用電極129，流過共用電極的電流通過反共用電極129流出，該反共用電極129具有較小電阻，由此解決共用電極有關電阻的問題。該共用電極包括金屬共用電極137和透明共用電極138。為了形成金屬共用電極137，具有若干納米(nm)厚度的鋁(Al)層澱積在電子注入層136、部分絕緣層130和反共用電極129的整個表面上。具有厚度等於或小於5納米(nm)的MgxAgx-1金屬組層或銀層澱積在該鋁層上。用於形成金屬共用電極137的其他方法是順次的澱積具有約0.5納米(nm)厚度的氟化鋰(LiF)層和大約1納米(nm)厚度的鋁(Al)層。另外，透明共用電極138由透明導電材料，諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成。
此後，如圖3F所示，形成保護層139以防止有機場致發光層134、電子傳輸層135和電子注入層136接觸氧或水分。而且，儘管在圖中未顯示，通過使用密封劑和透明基片將護罩安裝在保護層139上，由此完成了根據本發明的頂部發光型有源矩陣場致發光設備。
如上所述，在根據本發明的頂部發光型有源矩陣場致發光設備中，由於形成的反共用電極電連接共用電極，儘管金屬共用電極形成的很薄，但還是有易於電流流動。而且，由於金屬共用電極很薄，所以可以增強光透射率。因此，頂部發光型有源矩陣場致發光設備具有改進的耐用性並提供增強的可靠性。
本領域技術人員應當清楚，在不脫離本發明精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明應當覆蓋對本發明提供的修改和變化，這些修改和變化在附屬權利要求和它們的等同物的範圍內。
權利要求
1.一種有源矩陣場致發光設備，包括基片，其包含薄膜電晶體和在基片上規定的像素區域；在基片和薄膜電晶體上形成的絕緣層；在像素區域的絕緣層上形成的第一電極；在第一電極之間的絕緣層上形成的第二電極；在每個第一電極上形成的發射層；和在發射層上形成並電連接第二電極的第三電極。
2.根據權利要求1的設備，其中第一電極通過絕緣層內的接觸孔連接薄膜電晶體。
3.根據權利要求1的設備，其中第一電極形成在像素區域上，並且第二電極形成在每個像素區域之間。
4.根據權利要求1的設備，還包括在第一電極和第二電極上的預定區域上形成的絕緣層。
5.根據權利要求4的設備，其中絕緣層包括沿著第二電極的方向形成的溝道。
6.根據權利要求1的設備，其中該發射層由空穴注入層、空穴傳輸層、有機場致發光層、電子傳輸層和電子注入層形成，這些層互相順次澱積。
7.根據權利要求1的設備，其中發射層沒有形成在第二電極上。
8.根據權利要求1的設備，其中第三電極由澱積在透明電極上的金屬電極形成。
9.根據權利要求1的設備，其中第三電極由透明電極形成。
10.一種用於製造有源矩陣場致發光設備的方法，其包括在基片上形成薄膜電晶體，該基片具有在其上規定的像素區域；在薄膜電晶體和基片上形成絕緣層；在像素區域的絕緣層上形成第一電極和在第一電極之間的絕緣層上形成第二電極；在第一電極上形成發射層；和在發射層上形成第三電極，該第三電極電連接第二電極。
11.根據權利要求10的方法，其中第一電極形成在絕緣層上的像素區域中，同時，第二電極形成在像素區域之間。
12.根據權利要求10的方法，其中第一電極和第二電極由相同材料形成。
13.根據權利要求12的方法，其中第一電極和第二電極由反射材料形成。
14.根據權利要求10的方法，其中第三電極由澱積在透明電極上的金屬電極形成。
15.根據權利要求14的方法，其中金屬電極形成為具有等於或小於5納米(nm)的厚度。
16.根據權利要求10的方法，還包括在絕緣層的預定區域上形成第一電極和第二電極。
17.根據權利要求16的方法，其中絕緣層包括暴露第二電極的溝道。
18.根據權利要求10的方法，其中該發射層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機場致發光層、電子傳輸層和電子注入層。
19.根據權利要求10的方法，其中發射層沒有形成在第二電極上。
20.根據權利要求10的方法，還包括在薄膜電晶體上的絕緣層中形成接觸孔。
21.根據權利要求10的方法，形成發射層的步驟包括使用陰影掩模在像素區域的第一電極上順次澱積空穴注入層、空穴傳輸層、有機場致發光層、電子傳輸層和電子注入層。
22.根據權利要求10的方法，形成發射層的步驟包括使用第一陰影掩模在第一電極上順次澱積空穴注入層和空穴傳輸層；使用第二陰影掩模在空穴傳輸層上澱積有機場致發光層；和使用第一陰影掩模在有機場致發光層上順次澱積電子傳輸層和電子注入層。
全文摘要
公開了一種頂部發光型有源矩陣場致發光設備和製造該設備的方法，其中當形成像素電極時，在像素區域的外部區域中形成反共用電極，以便同時增強該設備的發射效率和電氣功能。在此，儘管共用電極形成為薄層，反共用電極也電連接共用電極，由此防止共用電極的過載和短路。
文檔編號H05B33/20GK1582078SQ20041005589
公開日2005年2月16日 申請日期2004年8月5日 優先權日2003年8月5日
發明者金洪奎 申請人:Lg電子株式會社