電子顯微鏡及試樣的觀察方法與流程

2024-03-31 15:18:05 1

本發明涉及一種電子顯微鏡，尤其是涉及能夠形成、觀察以及記錄掃描及透射電子圖像和電子束衍射圖案的透射電子顯微鏡。

背景技術：

利用透射電子顯微鏡對準試樣的晶體取向時，會使用電子束衍射圖案。通過對準電子束入射方向和晶軸的方向，能夠獲得原子排列信息並實施晶體識別。此外，要掌握多晶粒子的界面附近的構造時，通過使晶界與電子束軸平行，能夠正確獲得晶界寬度等。例如，在對半導體設備進行構造評估時，為了正確測量疊層在Si基板上的構造物的長度，會對Si基板的晶體取向進行對準，傾斜試樣，以使入射的電子束與基板面平行。

這種晶體取向對準是使用結晶性試樣時必須採用的技術，另一方面，由於要一邊觀察電子束衍射圖案一邊正確地對準晶體取向，所以必須熟悉該技術。

另外，此處的結晶性試樣是指，試樣的局部或全部具有規則正確的排列的試樣。例如為單晶、多個微晶的複合物即多晶、準晶。此外，元素單體或由多個元素構成的化合物也屬於結晶性試樣。

專利文獻1中，關於晶體取向對準，預先存儲對於試樣的每一傾斜角度獲得的電子束衍射圖案的數據，並基於所存儲的數據以圓的方式擬合電子束衍射圖案的斑點分布，將試樣進行自動傾斜，以使圓的半徑為最小。此外，關於多個電子束衍射圖案，利用1次函數對分別求出的近似圓的中心坐標的軌跡進行近似，求出試樣傾斜角，該試樣傾斜角可取得1次函數直線與直接斑點中心坐標為最短距離的1次函數直線上的交點，將其設為最佳傾斜角。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本專利特開2010-212067號公報

技術實現要素：

發明要解決的課題

但是，專利文獻1所記載的方法中，必須預先存儲與多個不同的試樣傾斜角對應的電子衍射圖形的數據，需要大量時間才能獲得晶帶軸(稱為晶帶的面的集合共有的1個晶軸)，因此處理量低下。

鑑於上述課題，本發明的目的在於，提供一種不論試樣、晶體取向的種類為何，即使不是熟練者，也能夠處理量良好且高精度地對準晶體取向並觀察試樣的裝置及方法。

解決技術問題所採用的技術方案

作為用來解決上述課題的一個方式，根據本發明，在試樣的晶體取向對準中，基於電子束衍射圖案中衍射斑點的亮度分布，設定以主斑點位於圓周上的方式重疊顯示的擬合用圓形圖案，並設定顯示為以該顯示的圓形圖案的中心位置為起點且以位於圓形圖案的圓周上的主斑點的位置為終點的矢量，並基於該顯示的矢量的方向及大小，控制所述試樣臺架的動作。

發明效果

根據本發明，不論試樣、晶體取向的種類為何，即使不是熟練者，也能夠處理量良好且高精度地對準晶體取向並觀察試樣。

附圖說明

圖1是本實施方式所涉及的電子顯微鏡的基本結構圖。

圖2是本實施方式所涉及的觀察電子束衍射圖案時的透射電子顯微鏡的光路圖。

圖3是表示本實施方式所涉及的結晶性試樣、電子束以及電子束衍射圖案的關係的圖。

圖4是說明第1實施方式所涉及的晶體取向對準的方法的圖。

圖5是表示本實施方式所涉及的用來求出試樣的傾斜方向和角度的正交坐標的例子的圖表。

圖6是表示第1實施方式所涉及的晶體取向對準的步驟的流程圖。

圖7是說明第2實施方式所涉及的晶體取向對準的方法的圖。

圖8是說明第3實施方式所涉及的晶體取向對準的方法的圖。

圖9是表示晶體取向對準前後的透射電子圖像及電子束衍射圖案的一例的圖。

圖10是說明第4實施方式所涉及的晶體取向對準的方法的圖。

圖11是說明與本實施方式所涉及的晶體取向對準處理有關的主體控制部的主要結構的圖。

具體實施方式

(第1實施方式)

以下，使用附圖說明本發明的實施方式。另外，整個說明書中，有時會對各圖中相同的各構成部分標註相同的符號，並省略說明。

《裝置結構》

圖1表示本實施方式所涉及的電子顯微鏡的基本結構。電子顯微鏡1的鏡體主要由電子槍2、聚光透鏡3、物鏡4、中間鏡5以及投射鏡6構成。

試樣8搭載在試樣保持器7上，試樣保持器7從設置在電子顯微鏡1的鏡體的側面的試樣臺架32導入內部。通過與試樣臺架32連接的試樣微動驅動機構9，對試樣8的移動和傾斜進行控制。

在物鏡4的上部配置用來收束照射至試樣8的電子束15的收束可動光圈16。在物鏡4的後焦面形成衍射圖案，在該面上具有對物可動光圈17，在像面上具有限制視野光圈18。各可動光圈與光圈驅動控制部19連接，可在水平方向上移動，並對準觀察對象，通過光圈驅動控制部19來控制動作以使其在光軸上進出。

在投射鏡6的下方配置有螢光板10，在螢光板10的下方安裝有攝像頭11。攝像頭11經由攝像頭控制部12，與監視器13和圖像分析裝置14連接。

聚光透鏡3、物鏡4、中間鏡5及投射鏡6的各透鏡連接至透鏡電源20。

從電子槍2釋放出的電子束15經聚光透鏡3和收束可動光圈16收束，照射至試樣8。透過試樣8的電子束15通過物鏡4成像，該像經中間鏡5和投射鏡6放大後，投影至螢光板10上。若移動螢光板10以使其從光軸上脫離，則像會投影至攝像頭11上，在監視器13上顯示透射像或者電子束衍射圖案22，並記錄至圖像分析裝置14中。

主體控制部21與試樣微動驅動機構9、攝像頭控制部12、光圈驅動控制部19以及透鏡電源20連接，接收/發送用來控制整個裝置的控制信號。試樣微動驅動機構9由用來移動試樣8的試樣移動機構9a以及用來使試樣8傾斜的試樣傾斜機構9b構成。圖1所示的控制系統的結構僅為一例，只要滿足本實施方式所要實現的功能，控制單元、通信用布線等的變形例也包含在本實施方式的電子顯微鏡的範疇內。例如，圖1中主體控制部21與各個構成部連接並控制整個裝置，但也可構成為，對每一構成部分別具有獨立的控制部。

《主體控制部的結構》

圖11是說明主體控制部21所包含的結構中主要與下述本實施方式所涉及的晶體取向對準有關的構成部的圖。作為與晶體取向對準有關的構成部，主要有主斑點設定部34、圖案設定部35、矢量設定部36、矢量信息獲取部、運算部38、試樣微動機構指示部39以及觀察模式切換部40。另外，主體控制部21除了上述構成部以外，還含有各種構成部。

主斑點設定部34設定下述投影至螢光板10或攝像頭11上的電子束衍射圖案22中的主斑點23的位置。在所設定的主斑點23的位置上，顯示標記25。此處，主斑點23的設定也可由操作者進行選擇，也可如下所述那樣，利用裝置來自動決定。

圖案設定部35設定圓形圖案26或圓弧狀圖案33，以使電子束衍射圖案22b的主斑點23位於圓周上。此外，通過圖案設定部35能夠變更基於電子束衍射圖案22b的亮度分布設定的圓形圖案26或圓弧狀圖案33的形狀和大小。

矢量設定部36在設定完圓形圖案26或圓弧狀圖案33之後，設定以下述中心點(或者中心點的虛擬坐標點)為起點且以主斑點23的位置為原點的矢量V。

矢量信息獲取部37獲取所設定的矢量V的方向和大小的信息，並基於上述信息求出試樣8的傾斜方向和傾斜角度。

試樣微動驅動機構指示部39基於運算部38求出的試樣8的傾斜方向和傾斜角度，控制試樣微動驅動機構9的試樣傾斜機構9b的動作。

觀察模式切換部40能夠按照像觀察模式和電子束衍射圖案22的觀察模式來變更電子顯微鏡1的觀察模式。

《光路圖》

圖2表示本實施方式所涉及的觀察電子束衍射圖案22時的透射電子顯微鏡1的光路圖。本圖中，示出了進行移動以使螢光板10脫離光軸時的情況，但也可將螢光板10配置在攝像頭11的上部。電子束15平行照射至試樣8。在試樣8為結晶性試樣時，根據結晶，電子束15中會存在不受到衍射而直線前進的電子束15a以及受到衍射的電子束15b，以相同角度進行衍射後的電子束15b會在物鏡4的後焦面集中到1點上，並在後焦面上形成電子束衍射圖案22a。

形成這些電子束衍射圖案22a的電子束15還會在物鏡4的像面上成像。像面上配置有限制視野光圈18，通過該限制視野光圈18的打開角度，來調整觀察電子束衍射圖案22的像的區域。

在觀察電子束衍射圖案22a時，使中間鏡5的焦點對準形成在物鏡4的後焦點的電子束衍射圖案22a，利用中間鏡5和投射鏡6進行放大並投影至螢光板10或攝像頭11上，獲得投影后的電子束衍射圖案22b。此外，在像觀察模式中，使中間鏡5的焦點對準成像在像面上的像，通過中間鏡5和投射鏡6進行放大，並投影至螢光板10或攝像頭11上。

此時，通過從鏡體中抽出限制視野光圈18，從而觀察整個視野。此外，通過在鏡體內配置限制視野光圈18，調整打開角度，從而觀察試樣8中與打開角度相應的視野中形成的電子束衍射圖案22a。

圖3表示本實施方式所涉及的結晶性的試樣8、電子束15與電子束衍射圖案22a的關係。(a)是與試樣8的晶面的晶軸8a平行地入射電子束15的狀態，(b)是相對於試樣8的晶面的晶軸8a，以從晶帶軸算起θ的角度入射電子束15的狀態。此處，將(a)中與試樣8的晶面的晶軸8a平行地入射電子束15的狀態稱為晶帶軸入射的狀態。根據圖3(a)，入射至結晶性試樣8的電子束15的衍射角θ、從主斑點23至衍射斑點24的距離R以及攝像頭長度L的關係可表示如下：

〔式1〕R＝Ltanθ～Lθ

此處，L使用預先已知的結晶性試樣8來求得，形成電子束衍射圖案22a的面上的距離R以及相對於試樣8的晶面的晶軸8a入射電子束15的角度θ可通過測量衍射圖案22上的距離R，並根據式(1)來求得。

圖3(b)是試樣8傾斜角度θ的情況，如本圖所示，可知為了與晶軸8a平行地入射電子束15即晶帶軸入射，需要將試樣8傾斜角度θ。

圖9是表示晶體取向對準前後的透射電子圖像以及電子束衍射圖案的一例的圖。(a)、(c)表示將Si器件的構造的局部放大的透射電子圖像，(b)、(d)分別表示與(a)、(c)的Si基板29的晶體取向對應的電子束衍射圖案22b。根據(b)所示的電子束衍射圖案22b的結果可知，(a)中電子束15的入射偏離了Si基板29的晶軸。另一方面，根據(d)所示的電子束衍射圖案22的結果可知，(c)中電子束15為對Si基板29進行晶帶軸入射的狀態。對(a)、(c)的各個透射電子圖像進行比較後可知，與(a)相比，(c)中Si基板29的界面更銳化，形成在其上的柵極電極30的邊緣(圖中箭頭部)31也更銳化。這表示各個界面與所入射的電子束15平行，由此可知例如為了正確評估柵極30與Si基板29之間的柵氧化膜的厚度，重要的是所入射的電子束15與試樣8的關係成為如(c)那樣的晶帶軸入射狀態。根據本實施方式，由於可容易得到能夠獲取(c)所示的透射電子圖像的晶帶軸入射的條件，所以能夠迅速且正確地測定材料構造物的長度。

圖4是說明第1實施方式所涉及的晶體取向對準處理的方法的圖。

首先，在監視器13上顯示電子束衍射圖案22。操作者通過滑鼠的點擊操作等，選擇例如顯示在監視器13上的投影至螢光板10或攝像頭11後的電子束衍射圖案22b的主斑點(直接射束)23時，顯示標記25(a)，將其位置設為原點0(0，0)，獲得與試樣8的傾斜方向α、β相應的X，Y正交坐標(b)。此處，雖然示出了顯示X，Y正交坐標的例子，但也可實際上並不顯示在監視器13上，而是將所獲得的X，Y正交坐標進行存儲並實施處理。

此時，在與主斑點23接近的衍射斑點的強度幾乎相同的情況下，難以選擇主斑點23。在這種情況下，暫時將試樣臺架32移動至沒有試樣8的場所，預先存儲發光的斑點的位置信息，接著，移動試樣臺架32以顯示投影至螢光板10或攝像頭11後的試樣8上的電子束衍射圖案22b，並將與預先存儲的斑點一致的位置決定為主斑點。由此，即使在接近的位置上存在強度幾乎相同的衍射斑點，也能夠正確選擇主斑點23的位置。另外，上述例子中說明了操作者選擇主斑點23的位置的情況，但也可通過主體控制部21的指示，自動選擇按照上述方法預先存儲的主斑點23的位置。

接著，若在監視器13上進行點擊，則重疊顯示圓形圖案26以使電子束衍射圖案22b的主斑點23位於其圓周上(步驟606)。此時，操作者能夠對應於電子束衍射圖案22b的亮度分布，調整圓形圖案26的大小。

此處，使第2標記27顯示在圓形圖案26的中心，存儲X，Y正交坐標上的第2標記27的位置的坐標P(x，y)，並從點P至點0顯示矢量28(d)。

將0(0，0)、P(x，y)的各個X，Y正交坐標上的坐標位置的信息及矢量28的大小、方向的信息發送至主體控制部21的矢量信息獲取部37。

此處，使用圖5，如下所述，通過主體控制部21的運算部38根據矢量28的方向求出試樣8的傾斜方向，根據矢量28的大小R即α坐標的差x和β坐標的差y，通過式(1)求出α和β軸的試樣8的傾斜角度。

主體控制部21基於求出的試樣8的傾斜方向、傾斜角度，控制試樣微動驅動機構9的試樣傾斜機構9b，使試樣8傾斜。

此處，如果P(x，y)與0(0，0)一致，則電子束15入射晶帶軸。此外，通過在試樣8傾斜時切換為像觀察模式，從而能夠確認由限制視野光圈18限制的視野的大小。即使在因試樣8傾斜而發生視野移動時，也能夠通過操作者手動或主體控制部21自動地操作試樣微動驅動機構9的試樣移動機構9a來調節試樣微動等，從而防止在試樣8傾斜時失去視野。基於預先獲取的傾斜角度與位置偏移量的關係或基於校正計算式來求出視野移動的調整量並校正位置偏移的方法中，有時會由於試樣臺架的再現性、精度的原因，而無法調整至實際的試樣8的位置，但通過這樣在像觀察模式的像觀察時實時調整視野移動，從而能夠可靠地校正位置偏移。

圖5是表示本實施方式所涉及的用來求出試樣8的傾斜方向和傾斜角度的X，Y正交坐標的圖表。橫軸是與試樣傾斜軸的α軸對應的X軸，縱軸是與試樣傾斜軸的β軸對應的Y軸，將電子束衍射圖案22的主斑點23位置設為原點0(0，0)。此外，將對應於電子束衍射圖案22的亮度分布重疊顯示的圓形圖案26的中心點設為P(x，y)。根據從點P至點0的矢量28，求出試樣8的傾斜角度和方向。此時，根據式(1)，傾斜角的α成分為α』＝-x/L，β成分為β』＝-y/L。

圖6是表示第1實施方式所涉及的晶體取向對準的動作步驟的流程圖。

首先，設定倍率(步驟601)。此時，為了在試樣8傾斜時即使視野發生移動也能夠容易追蹤，優選設定為適當的倍率以下。

接著，為了決定限制視野，使用試樣微動驅動機構9的試樣移動機構9a、試樣傾斜機構9b，決定用來對準晶體取向的試樣8上的視野(步驟602)。

其後，對於要進行晶體取向對準的試樣8，使用光圈驅動機構19插入限制視野光圈18(步驟603)。

此處，將電子束衍射圖案22的觀察模式設為開啟(步驟604)。由此，使中間鏡5的焦點對準形成在物鏡4的後焦點的電子束衍射圖案22a，通過主體控制部21控制中間鏡5和投射鏡6的透鏡電源20，使得利用中間鏡5和投射鏡6放大電子束衍射圖案22，並投影至螢光板10或攝像頭11上。由此，獲得投影至螢光板10或攝像頭11後的電子束衍射圖案22b。通過主體控制部21的控制，投影至螢光板10或攝像頭11的電子束衍射圖案22b會經由攝像頭控制部12顯示在監視器13上。

接著，操作者通過利用滑鼠等輸入裝置的點擊操作等選擇顯示在監視器13上的電子束衍射圖案22b的主斑點(直接射束)23，並利用主體控制部21的主斑點設定部34顯示主斑點23的位置(步驟605)。

此時，在與主斑點23接近的衍射斑點的強度幾乎相同的情況下，難以選擇主斑點23。在這種情況下，暫時將試樣臺架32移動至沒有試樣8的場所，預先存儲發光的斑點的位置信息，接著移動試樣臺架32以顯示試樣8上的電子束衍射圖案22，並將與預先存儲的位置一致的位置決定為主斑點23。由此，即使在接近的位置上存在強度幾乎相同的衍射斑點的情況下，也能夠正確選擇主斑點23。另外，上述例子中說明了操作者選擇主斑點的情況，但也可通過主體控制部21的指示，進行自動選擇。

接著，通過在監視器13上進行點擊，經由主體控制部21的圖案設定部35重疊顯示圓形圖案26，以使主斑點23位於其圓周上(步驟606)。此時，操作者能夠對應於電子束衍射圖案22b的亮度分布，調整圓形圖案26的大小。此處，主體控制部21的圖案設定部35能夠顯示為，將圓形圖案26配置在電子束衍射圖案22b的衍射斑點的亮度分布的內側。

由此，決定圓形圖案26及其中心點(矢量的起點)P(x，y)，並顯示連接圓形圖案26的中心點P(x，y)與主斑點23的位置即原點(矢量的終點)0(0，0)的矢量V28。

接著，若在監視器13上進行點擊，則對應於矢量28的方向和大小(長度)，傾斜試樣8(步驟607)。此處，關於試樣8的傾斜，將0(0，0)、P(x，y)的各個X，Y正交坐標上的坐標位置的信息以及矢量28的大小、方向的信息發送至主體控制部21的矢量信息獲取部37，並通過運算部38求出試樣8的傾斜方向、傾斜角度，基於求出的結果，經由試樣微動驅動機構指示部39實施傾斜。

在試樣8開始傾斜的同時，電子顯微鏡1通過主體控制部21的觀察模式切換部40變更為像觀察模式，並在監視器13上顯示試樣8傾斜時的像。此時，即使在因試樣8傾斜而發生視野移動時，也能夠通過操作者手動或主體控制部21自動地操作試樣微動驅動機構9的試樣移動機構9a來調節試樣微動等，從而防止在試樣8傾斜時失去視野。基於預先獲取的傾斜角度與位置偏移量的關係或基於校正計算式求出視野移動的調整量並校正位置偏移的方法中，有時會由於試樣臺架的再現性和精度的原因，無法調整至實際的試樣8的位置，但通過這樣在像觀察模式的像觀察時實時調整視野移動，從而能夠可靠地校正位置偏移。此外，除了調節試樣微動以外，還可以通過控制未圖示的偏向器來變更電子束15的照射區域，從而調整視野移動。

若試樣8的傾斜動作結束，則通過主體控制部21的觀察模式切換部40變更為電子束衍射圖案22b的觀察模式，並在監視器13上顯示電子束衍射圖案22b(步驟608)。

接著，確認所顯示的電子束衍射圖案22的晶體取向對準結果(步驟609)。此處，圓形圖案26的中心點P(x，y)和電子束衍射圖案22b的主斑點23的位置即原點0(0，0)仍有偏移時，再從步驟608開始重複步驟609的動作。

如果圓形圖案26的中心與電子束衍射圖案22b的主斑點23重疊，則結束晶體取向對準，開啟像觀察模式，對試樣8進行觀察、測長(步驟610)。

另外，上述步驟607中，在進行當試樣8傾斜時發生視野移動的情況下的校正時，優選切換為像模式來進行應對。此時，例如在限制視野光圈18較小，僅靠光圈內所含的視野難以確認移動時，也可以通過與切換為像模式連動地抽出限制視野光圈18來顯示整個視野，在視野移動的校正後驅動光圈驅動機構19，以在切換為電子束衍射圖案22b的觀察模式時再次放入限制視野光圈18。此外，在試樣8傾斜時不發生視野移動的情況下，可以省略切換為像模式的操作。

(第2實施方式)

圖7是說明本實施方式所涉及的晶體取向對準的動作的圖。

圓形圖案

第1實施方式中，在上述圖4的例子中說明了使衍射圖案22的亮度分布與圓形圖案26的大小擬合的方法。但是，在開始觀察衍射圖案22時，在晶體取向與晶帶軸入射偏離較大時，上述方法有時會難以通過圓形圖案26實施擬合。

因此，第2實施方式中，首先利用光標25將主斑點23指定為原點0(0，0)(a)，接著，在電子束衍射圖案22b的衍射斑點即亮度分布較多的區域重疊顯示，以使顯示的圓形圖案26的圓周必須通過主斑點23即光標25(b)。此時，基於連接顯示為圓形圖案26的中心點P(x，y)的標記27與主斑點23即標記25的矢量28，求出試樣8的傾斜角度，並再次顯示為圓形圖案26，重複同樣的動作(c，d)，最終使圓形圖案26的中心點P(x，y)與主斑點23即原點0(0，0)的坐標一致，從而能夠使晶體取向成為晶帶軸入射。根據上述方法，需要將傾斜試樣8的動作重複數次，但即使開始觀察時晶體取向與晶帶軸入射偏離較大，也能夠容易地對準晶體取向。

(第3實施方式)

圖8是表示第3實施方式所涉及的晶體取向對準的方法的圖。本實施方式中，說明了使用圓弧狀圖案(圓周的局部)33代替上述圓形圖案26來進行擬合的方法。

開始觀察電子束衍射圖案22b時，在晶體取向與晶帶軸入射偏離較大的情況下，首先將主斑點23設為原點O(0，0)，顯示選項標記25(a)。接著，以通過作為主斑點23的原點0(0，0)、即標記25且與電子束衍射圖案22b的亮度分布擬合的方式，顯示圓弧狀圖案33(b)。顯示所擬合的圓弧狀圖案33上的任意2點的坐標(x1，y1)、(x2，y2)，並記錄(c)。所擬合的圓弧狀圖案33為圓形圖案26的圓周的一部分，將圓形圖案26的虛擬半徑設為r時，通過以下聯立方程(2-1、2-2、2-3)能夠求出圓形圖案26的中心點的虛擬坐標點P(a，b)。

〔式2-1〕a2+b2＝r2

〔式2-2〕(x1-a)2+(y1-b)2＝r2

〔式2-3〕(x2-a)2+(y2-b)2＝r2

根據上式求出的結果，能夠獲得從中心點的虛擬坐標點P(a，b)至原點0(0，0)即標記25的矢量28，求出相應的試樣8的傾斜量和方向，通過試樣微動驅動機構9的試樣傾斜機構9b使試樣8傾斜，並進行晶體取向對準，能夠調整成晶帶軸入射(d)。

根據本實施方式，即使在電子束15的入射與晶帶軸偏離較大，難以通過圓形圖案26實施擬合時，也能夠利用圓弧狀圖案33求出中心點的虛擬坐標點，從而實施晶體取向對準。

(第4實施方式)

圖10是說明第4實施方式所涉及的動作的圖。(a)表示相對於電子束15的入射軸，晶體取向偏離晶帶軸時的電子束衍射圖案22b，(b)表示相對於電子束15的入射軸，晶體取向與晶帶軸一致即晶帶軸入射的狀態下的電子束衍射圖案22b。本實施方式中，與衍射斑點擬合的圓形圖案26的圓周並不顯示為線狀，而是顯示為半透明的任意寬度的帶狀標記。由此，即使在衍射斑點上重疊顯示，也能夠確認衍射斑點的位置。因此，與上述實施方式相比，能夠更容易地進行對於衍射斑點的擬合。

附圖標記說明

1……電子顯微鏡

2……電子槍

3……聚光透鏡

4……物鏡

5……中間鏡

6……投射鏡

7……試樣保持器

8……試樣

8……晶軸

9……試樣微動驅動機構

9a……試樣移動機構

9b……試樣傾斜機構

10……螢光板

11……攝像頭

12……攝像頭控制部

13……監視器

14……圖像分析部

15……電子束

16……收束可動光圈

17……對物可動光圈

18……限制視野可動光圈

19……可動光圈驅動控制機構

20……透鏡電源

21……主體控制部

22a……電子束衍射圖案

22b……投影至螢光板或攝像頭後的電子束衍射圖案

23……主斑點

24……衍射斑點

25……標記

26……圓形圖案

27……標記

28……矢量

29……Si基板

30……柵極電極

31……柵極電極邊緣

32……試樣臺架

33……圓弧狀圖案(圓周的局部)

34……主斑點設定部

35……圖案設定部

36……矢量設定部

37……矢量信息獲取部

38……運算部

39……試樣微動驅動機構指示部

40……觀察模式切換部