射頻功率放大器的製作方法
2024-02-19 11:25:15
專利名稱：射頻功率放大器的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體領域，特別涉及一種射頻功率放大器。
背景技術：
GSM (Global System for Mobile Communication,全球移動通信系統)及 EDGE(Enhanced Data Rate for GSM Evolution,增強數據速率的GSM演進)移動通信標準是目前世界上應用最為廣泛的移動通信標準，GSM手持設備的出貨量，佔據了目前所有移動通信設備出貨量的絕大多數。儘管CDMA (Code Division Multiple Access,碼分多址)/WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access,寬帶碼分多址)等新一代移動通信系統正在全球範圍內越來越廣泛地進行部署和應用，其手持設備仍然需要支持GSM/EDGE等通信標準。因此，對於手持設備製造廠商來說，降低GSM/EDGE部分器件成本對於提升其產品競爭力具有非常重要的意義。在GSM/EDGE通信系統中，射頻功率放大器是必不可少的關鍵組成部分，並且射頻功率功率放大器的成本佔據了所有射頻前端成本的絕大部分，而且其性能也是影響整個GSM/EDGE手持設備性能的重要因素。目前，大多數GSM射頻功率放大器的管芯是採用砷化嫁異質結雙極型電晶體(GaAs Heterojunction Bipolar Transistor,簡稱:GaAsHBT)或者金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET)工藝製造,而這些半導體工藝相對於常用的互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡稱:CMOS)工藝來說，價格高昂且供應商集中於有限的幾家半導體公司。眾所周知，通信系統的數字基帶晶片採用CMOS半導體工藝，隨著CMOS製造工藝和電路設計技術進步，晶片集成度越來越高。因此，產業界的一個趨勢是研究用廉價的CMOS工藝製造GSM/EDGE射頻功率放大器的方案，以提高系統集成度，降低成本。近年來，基於CMOS工藝的射頻功率放大器取得了一些進展，然而目前面世的CMOS射頻功率放大器產品僅能支持GSM通信且性能較低，還不能實現同時支持EDGE以及第三代通信標準。在US6701138發明專利中，公開了一種GSM射頻功率放大器功率控制的方法，其基本思想是通過控制GSM射頻功率放大器管芯的供電電源電壓來控制其輸出射頻功率的大小。這種功率控制方法及其類似方法在業界被廣泛使用，然而眾所周知，GSM射頻功率放大器供電電源通常需要輸出高達IA以上的電流，因此這種功率控制方式需要較為複雜的電路處理，並需要較大尺寸的晶片面積來實現。綜上所述，需要提供一種CMOS射頻功率放大器，能夠支持GSM/EDGE以及第三代UMTS (Universal Mobile Telecommunications System,通用移動通信系統)通信甚至第四代LTE (Long Term Evolution,長期演進)等通信標準，同時具有高性能及低成本優勢,是亟待解決的問題
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種射頻功率放大器，可以支持GSM/EDGE通信標準，具有高性能、低成本優勢，可以有效降低GSM/EDGE手持設備的整體功率消耗和生產成本，並具有可與GSM/EDGE移動通信終端中其他CMOS晶片進行集成的優勢。根據本發明的一個方面，提供一種射頻功率放大器，包括射頻信號處理單元、驅動單元和輸出單元，其中:射頻信號處理單元，用於利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的範圍為0°到90° ;驅動單元，用於分別對第一射頻信號和第二射頻信號進行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號；輸出單元，用於利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。優選的，射頻信號處理單兀包括分配器、第一移相器、第二移相器、第一矢量信號處理器、第二矢量信號處理器，其中:分配器，用於將輸入射頻信號分別分配到第一移相器和第二移相器；第一移相器，用於利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號；第二移相器，用於利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號，其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90° ;第一矢量信號處理器，用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號;第二矢量信號處理器，用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。優選的，第一矢量信號處理器還用於根據第一控制信號，調整第一角度的大小；第二矢量信號處理器還用於根據第一控制信號，調整第二角度的大小。優選的，第一矢量信號處理器還用於根據第二控制信號，使第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差；和/ 或第二矢量信號處理器還用於根據第二控制信號，使第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差。優選的，驅動單元包括第一放大器和第二放大器，其中:第一放大器，用於對第一射頻信號進行放大，以得到第一放大信號；第二放大器，用於對第二射頻信號進行放大，以得到第二放大信號。優選的，射頻功率放大器還包括控制單元，用於控制驅動單元和輸出單元中有源器件的偏置電壓。優選的，不同發射功率值對應的第一角度和第二角度之和不同。優選的，輸出單元包括至少一個射頻輸出模塊，在每個射頻輸出模塊中，包括兩組電晶體和電磁耦合變壓器，電磁耦合變壓器包括初級線圈和次級線圈，其中在第一組電晶體中，第一電晶體和第二電晶體的柵極分別與第一放大信號連接，第一電晶體的源極接地，第一電晶體的漏極與第二電晶體的漏極連接，第二電晶體的源極與第一電源連接；在第二組電晶體中，第三電晶體和第四電晶體的柵極分別與第二放大信號連接，第三電晶體的源極接地，第三電晶體的漏極與第四電晶體的漏極連接，第四電晶體的源極與第一電源連接；第一電晶體和第二電晶體的漏極還與初級線圈的第一端連接，第三電晶體和第四電晶體的漏極還與初級線圈的第二端連接；當輸出單元僅包括一個射頻輸出模塊時，次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，次級線圈的第二端接地；當輸出單元包括N個射頻輸出模塊時，N為大於I的自然數，第i個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端與第1-Ι個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端連接，l〈i < N，第I個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，第N個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端接地。優選的，在每個射頻輸出模塊中，初級線圈的第一端通過第一堆疊電晶體集合與第一電晶體連接，在第一堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第一堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊電晶體的源極與第一電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，M為大於I的自然數，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+1個堆疊電晶體的漏極連接，I ( j〈M，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第一電晶體的漏極連接；初級線圈的第一端通過第二堆疊電晶體集合與第二電晶體連接，在第二堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第二堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊電晶體的源極與第二電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+Ι個堆疊電晶體的漏極連接，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第二電晶體的漏極連接；初級線圈的第二端通過第三堆疊電晶體集合與第三電晶體連接，在第三堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第三堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊電晶體的源極與第三電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+Ι個堆疊電晶體的漏極連接，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第三電晶體的漏極連接；初級線圈的第二端通過第四堆疊電晶體集合與第四電晶體連接，在第四堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第四堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊電晶體的源極與第四電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+Ι個堆疊電晶體的漏極連接，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第四電晶體的漏極連接。本發明通過利用第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有的順時針角度差、以及第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有的逆時針角度差，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進行控制，從而滿足通信系統的功率控制要求。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明射頻功率放大器一個實施例的示意圖。圖2為本發明射頻信號處理單元一個實施例的示意圖。圖3為本發明第一射頻信號的示意圖。圖4為本發明第二射頻信號的示意圖。圖5為本發明驅動單元一個實施例的示意圖。圖6為本發明相位失配補償的示意圖。圖7為本發明第一射頻信號相位補償的示意圖。圖8為本發明第二射頻信號相位補償的示意圖。圖9為本發明射頻功率放大器另一實施例的示意圖。圖10為GSM通信標準中規定的發射機功率發射時隙的示意圖。圖11為本發明發射時隙中第一角度與第二角度之和的示意圖。圖12為本發明輸出單元一個實施例的示意圖。圖13為本發明輸出單元另一實施例的示意圖。圖14為本發明輸出單元又一實施例的示意圖。圖15為本發明輸出單元又一實施例的示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發明及其應用或使用的任何限制。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本發明的範圍。同時，應當明白，為了便於描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸並不是按照實際的比例關係繪製的。對於相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。在這裡示出和討論的所有示例中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。應注意到:相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨後的附圖中不需要對其進行進一步討論。
圖1為本發明射頻功率放大器一個實施例的示意圖。如圖1所示，射頻功率放大器包括射頻信號處理單元101、驅動單元102和輸出單元103。其中:射頻信號處理單元101，用於利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的範圍為0°到90°。驅動單元102，用於分別對第一射頻信號和第二射頻信號進行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號。輸出單元103，用於利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。基於本發明上述實施例提供的射頻功率放大器，通過利用第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有的順時針角度差、以及第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有的逆時針角度差，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進行控制，從而滿足通信系統的功率控制要求。圖2為本發明射頻信號處理單元101 —個實施例的示意圖。如圖2所示，射頻信號處理單兀包括分配器201、第一移相器202、第二移相器203、第一矢量信號處理器204、第二矢量信號處理器205。其中:分配器201，用於將輸入射頻信號分別分配到第一移相器201和第二移相器202。第一移相器202,用於利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號。第二移相器203,用於利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號,其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90°。第一矢量信號處理器204,用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號。第二矢量信號處理器205,用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。例如，來自於射頻收發器(Transceiver)的輸入射頻信號RFin輸入到射頻信號處理單元101中，輸入射頻信號RFin被等功率分配到第一移相器202和第二移相器203中。對於本發明涉及的GSM通信系統應用中，輸入射頻信號RFin為恆定包絡的相位調製信號。經過第一移相器202和第二移相器203處理之後，輸入射頻信號RFin被處理為相互相位差為90°的第一相位信號和第二相位信號。例如，第一相位信號和第二相位信號可以分別記為O。和90。，分別用sin ω t及cos ω t來表示。第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的功能是分別對輸入的第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進行矢量運算。第一矢量信號處理器204對第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進行處理，得到第一射頻信號V1 (t)。第二矢量信號處理器205對第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進行處理，得到第二射頻信號^⑴。其中:V1 (t) =Cos ( ω t+ Θ ^V2 (t) =cos ( ω t- θ 2)
其中，當第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205輸出信號的相位相同時，此時第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的輸出為VtlU) = coscot,在本發明中將VtlU) = C0S t被稱作零角度參考矢量信號。圖3為本發明第一射頻信號的示意圖，圖4為本發明第二射頻信號的示意圖。從圖中可以看出，第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第一角度Θ i的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第二角度θ2的逆時針角度差，第一角度G1和第二角度92的範圍為0°到90°。優選的，第一矢量信號處理器204還用於根據第一控制信號，調整第一角度的大小。第二矢量信號處理器205還用於根據第一控制信號，調整第二角度的大小。第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的相位旋轉角度θ ρ Θ 2的大小由其外部輸入信號Vramp來決定。Vramp信號通常來自於基帶處理器或者射頻收發器，用於指示系統輸出功率等級。Vramp信號經過一個低通濾波器處理之後輸入到第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205中。需要說明的是,在大多數實現中,Vramp信號是一個模擬電壓信號，但是Vramp也可以用多比特的數位訊號表示。圖5為本發明驅動單元一個實施例的示意圖。如圖5所示,驅動單元102包括第一放大器501和第二放大器502。其中:第一放大器501,用於對第一射頻信號進行放大，以得到第一放大信號。第二放大器502，用於對第二射頻信號進行放大，以得到第二放大信號。驅動單元102中的放大器，可以是單級或多級放大器，為輸入的第一射頻信號V1U)、第二射頻信號V2(t)提供足夠的功率增益。驅動單元的電源供電由Vccl管腳提供。需要說明的是，本實施例中的驅動單元可以工作於開關模式，輸出的飽和功率大小和具體實現中Vccl電壓大小相關。輸出單元利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號，其電源供電由Vcc2管腳提供。設射頻輸出信號為P0(t)，則其可以表達為:
權利要求
1.一種射頻功率放大器，其特徵在於，包括射頻信號處理單元、驅動單元和輸出單元，其中: 射頻信號處理單元，用於利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的範圍為O。到90° ; 驅動單元，用於分別對第一射頻信號和第二射頻信號進行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號； 輸出單元，用於利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。
2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特徵在於，射頻信號處理單元包括分配器、第一移相器、第二移相器、第一矢量信號處理器、第二矢量信號處理器，其中: 分配器，用於將輸入射頻 信號分別分配到第一移相器和第二移相器； 第一移相器，用於利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號； 第二移相器，用於利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號，其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90° ; 第一矢量信號處理器，用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號； 第二矢量信號處理器，用於利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。
3.根據權利要求2所述的射頻功率放大器，其特徵在於: 第一矢量信號處理器還用於根據第一控制信號，調整第一角度的大小； 第二矢量信號處理器還用於根據第一控制信號，調整第二角度的大小。
4.根據權利要求3所述的射頻功率放大器，其特徵在於: 第一矢量信號處理器還用於根據第二控制信號，使第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差； 和/或 第二矢量信號處理器還用於根據第二控制信號，使第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差。
5.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特徵在於: 驅動單元包括第一放大器和第二放大器，其中: 第一放大器，用於對第一射頻信號進行放大，以得到第一放大信號； 第二放大器，用於對第二射頻信號進行放大，以得到第二放大信號。
6.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特徵在於，射頻功率放大器還包括控制單元，用於控制驅動單元和輸出單元中有源器件的偏置電壓。
7.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特徵在於，不同發射功率值對應的第一角度和第二角度之和不同。
8.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特徵在於: 輸出單元包括至少一個射頻輸出模塊，在每個射頻輸出模塊中，包括兩組電晶體和電磁耦合變壓器，電磁耦合變壓器包括初級線圈和次級線圈，其中在第一組電晶體中，第一電晶體和第二電晶體的柵極分別與第一放大信號連接，第一電晶體的源極接地，第一電晶體的漏極與第二電晶體的漏極連接，第二電晶體的源極與第一電源連接；在第二組電晶體中，第三電晶體和第四電晶體的柵極分別與第二放大信號連接，第三電晶體的源極接地，第三電晶體的漏極與第四電晶體的漏極連接，第四電晶體的源極與第一電源連接；第一電晶體和第二電晶體的漏極還與初級線圈的第一端連接，第三電晶體和第四電晶體的漏極還與初級線圈的第二端連接； 當輸出單元僅包括一個射頻輸出模塊時，次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，次級線圈的第二端接地； 當輸出單元包括N個射頻輸出模塊時，N為大於I的自然數，第i個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端與第i_l個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端連接，Ki < N，第I個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，第N個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端接地。
9.根據權利要求8所述的射頻功率放大器，其特徵在於: 在每個射頻輸出模塊中，初級線圈的第一端通過第一堆疊電晶體集合與第一電晶體連接，在第一堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第一堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊電晶體的源極與第一電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，M為大於1的自然數，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+1個堆疊電晶體的漏極連接，1 < j〈M，第1個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第一電晶體的漏極連接； 初級線圈的第一端 通過第二堆疊電晶體集合與第二電晶體連接，在第二堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第二堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊電晶體的源極與第二電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+1個堆疊電晶體的漏極連接，第1個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第二電晶體的漏極連接； 初級線圈的第二端通過第三堆疊電晶體集合與第三電晶體連接，在第三堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第三堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊電晶體的源極與第三電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+1個堆疊電晶體的漏極連接，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第三電晶體的漏極連接； 初級線圈的第二端通過第四堆疊電晶體集合與第四電晶體連接，在第四堆疊電晶體集合中包括至少一個堆疊電晶體，堆疊電晶體的柵極均與第二電源連接，當第四堆疊電晶體集合中僅包括一個堆疊電晶體時，堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊電晶體的源極與第四電晶體的漏極連接；當第一堆疊電晶體集合中包括M個堆疊電晶體，則第j個堆疊電晶體的源極與第j+Ι個堆疊電晶體的漏極連接，第I個堆疊電晶體的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊電晶體的源極與第四電晶體的漏極連接。
全文摘要
本發明公開一種射頻功率放大器，該射頻功率放大器包括射頻信號處理單元、驅動單元和輸出單元。射頻信號處理單元利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中第一射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對於零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的範圍為0°到90°；驅動單元分別對第一射頻信號和第二射頻信號進行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號；輸出單元利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。通過利用第一角度和第二角度，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進行控制，從而滿足通信系統的功率控制要求。
文檔編號H03F3/189GK103095229SQ20131002327
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月22日 優先權日2013年1月22日
發明者祁琦 申請人:北京安邁澤成科技有限公司