薄膜電晶體的製造方法、電光學裝置和電子儀器的製作方法

2023-05-01 05:13:56

專利名稱：：薄膜電晶體的製造方法、電光學裝置和電子儀器的製作方法
技術領域：
：本發明涉及半導體膜的製造方法和使用該半導體膜的薄膜電晶體的製造方法。
背景技術：
：以往，作為薄膜電晶體製造工序的半導體膜的形成方法，廣泛採用使用半導體材料形成具有大於需要的面積的薄膜，通過對其圖案化去除不要的部分來成型的方法。此外，柵電極也多是形成鉭、鋁等的導電性薄膜，對其圖案化來製作。作為圖案化方法的一個例子，舉出光刻法。光刻法是在形成得很寬的薄膜上，使用光掩模形成希望的抗蝕劑圖案，通過蝕刻處理未被抗蝕劑圖案覆蓋的部分將該薄膜成型為目的形狀的方法。近年來，由於半導體元件的高集成化，小於1微米的所謂亞微米數量級的成型技術變得必要了，採用蝕刻時形成更微細的掩模圖案或使用波長短的X射線和電子射線曝光的解析度高的方法。此外，微細形狀的薄膜也可通過噴墨法形成。例如，提出將包含有機半導體材料等的半導體材料的溶液由噴墨式噴出裝置噴出到基板上來形成半導體膜的方法。在由噴墨法噴出的情況下，由於基板表面的溼潤性，噴出的液滴由於溼潤而擴展，有時難以正確地描繪微細圖案。因此，提出在基板表面上預先形成貯格圍堰(bank)來控制液滴的配置，從而根據希望的圖案配置噴出的液滴的方法(例如參照專利文獻1或專利文獻2)。專利文獻1特開昭59-75205號公報專利文獻2特開2000-353594號公報但是，在光刻法中，微細圖案的形成和用於使用X射線和電子射線的曝光的裝置很昂貴，吞吐量也低。此外，噴墨法中，液滴直徑在數微米以上，因此難以成型亞微米數量級的薄膜。使用貯格圍堰的方法中，為形成貯格圍堰，必須使用上述光刻法和噴墨法，因此產生成本和效率問題。
發明內容因此，本發明的第一課題是提供一種可通過簡易且廉價的工序，以亞微數量級的精度形成薄膜電晶體用的半導體膜的薄膜電晶體的製造方法。此外，本發明的第二課題是提供一種可通過簡易且廉價的工序，以亞微數量級的精度形成薄膜電晶體用的柵電極的薄膜電晶體的製造方法。進而，本發明的第三課題是提供一種可通過簡易且廉價的工序，以亞微數量級的精度形成多個與多個薄膜電晶體對應的柵電極的薄膜電晶體的製造方法。為解決上述第一課題，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式是一種薄膜電晶體的製造方法，該薄膜電晶體具備半導體膜、在半導體膜上設置的溝道區域、夾持溝道區域設置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與溝道區域相對置的柵電極，其中包括在基板上配置包含半導體材料的液滴的工序；使液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出半導體材料來形成半導體膜的工序。一般地，在基板上配置的液滴在周邊部(邊緣)乾燥進行得快。因此，液滴包含溶質或分散物質(下面統稱溶質等)的情況下，在該液滴的乾燥過程中，液滴周邊部中溶質等的濃度首先達到飽和，開始析出。另一方面，液滴內部產生從液滴中央部向周邊部的液體流動，以補充液滴周邊部由蒸發而失去的液滴，液滴中央部的溶質等隨著該流動運行到周邊部，隨著液滴的乾燥在周邊部開始析出。這樣，將液滴中包含的溶質等，沿著基板上配置的液滴形狀的外周環狀析出的現象稱為「閉環」(pinning)。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式，其特徵在於，在基板上配置包含半導體材料的液滴，通過使該液滴乾燥，由閉環現象將半導體材料析出到液滴周邊部。根據閉環現象，可以簡單工序形成亞微米數量級的微細半導體膜。此外，半導體膜的形狀，可通過乾燥速度的調整、配置液滴的基板表面的溼潤性調整來控制，可形成環狀，或形成在中央部也形成薄膜的圓形或橢圓形。任何情況下，通過引起閉環，可防止乾燥途中周邊部退縮、薄膜變小或飛出。此外，液滴中央部也形成薄膜的情況下，如後所述，通過去除其一部分可加工成微細形狀。此外，本說明書中使用的術語「薄膜電晶體」，只要包括在半導體膜上設置的溝道區域、與溝道區域對應的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與溝道區域對置的柵電極，則不限定其構成，可以是在絕緣基板上按半導體膜、柵絕緣膜、柵電極的順序依次層疊的所謂頂置柵極型，也可以是在絕緣基板上按柵電極、柵絕緣膜、半導體膜的順序依次層疊的所謂底置柵極型。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式中，優選是在配置液滴的工序中，配置2個以上的液滴，使半導體膜材料在這些液滴融合時得到的液滴形狀的周邊部析出。如果2個以上的液滴非常接近或部分重疊地配置，則由於各液滴的溼潤擴展而融合2個以上的液滴。由此，可將液滴形狀作種種改變，從而得到的半導體薄膜的形狀自由度也提高。例如，通過直線狀並置並融合多個液滴，可得到線狀的液滴。如果由線狀的液滴引起閉環，則其周邊部析出半導體材料時，可得到亞微米數量級的寬度的直線狀的半導體膜。此外，除將全部液滴融合形成1個大液滴之外，還可通過反覆融合2個以上的液滴並在其周邊部析出半導體膜而得到直線狀的半導體膜。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式中，優選是還包括在配置液滴的工序之後提高液滴中液滴周邊部的半導體膜材料的濃度的工序。作為提高液滴中液滴周邊部的半導體膜材料的濃度的工序，可舉出例如在配置液滴的基板上加上溫度梯度來與液滴內產生對流的工序、在配置於基板上的液滴上重疊噴出溶劑(或分散溶劑)的工序等。通過這種工序，半導體材料集中在液滴周邊部，促進周邊部的析出。如上所述，即便沒有本工序，通過液滴中央部和周邊部的溶質等的濃度差產生從液滴中央部向周邊部的液體流動，但通過由本工序產生積極地將半導體材料運送到液滴周邊部的流動，可更有效地防止液滴中央部殘留半導體材料。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式，優選是還包括在形成半導體膜的工序之後，去除半導體膜的一部分以分割半導體膜的工序，和形成柵電極以分別對應分割的半導體膜的工序。作為去除半導體膜的工序，可舉出例如附加有機溶劑來溶出半導體材料並去除每個溶劑的方法、蝕刻法等。去除工序中，不需要亞微米數量級的精度，因此可用蝕刻法比較廉價地進行。通過這樣分割半導體膜、形成柵電極以對應各半導體膜，可高密度高效率地形成多個微細薄膜電晶體。此外，液滴乾燥時，除液滴周邊部外，在例如液滴中央部也析出半導體材料的情況下，通過用同樣方法去除中央部的半導體膜，可僅得到周邊部的微細的半導體膜。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式，優選是包含在配置液滴的工序之前進行平坦化基板表面的工序。平坦化的工序，例如通過化學機械研磨(CMP)、蝕刻法等進行。此外，旋塗法中形成SOG(玻璃上旋轉)膜的方法，從成本看對於得到平坦面也是很好的方法。如果基板表面平坦，液滴均勻地溼潤擴展，因此可高精度地進行半導體膜的圖案化。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式中，優選是將熱或光能照射到通過閉環得到的半導體膜。作為熱或光能照射，可舉出例如快速熱處理(RapidThermalProcess)(RTP)的處理、雷射照射。由此，可提高半導體膜的結晶性。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式中，還可包括在形成半導體膜的工序之後通過將雜質注入半導體膜而形成源區域和漏區域的工序。通過該工序可將上述半導體膜用於薄膜電晶體。此外，為解決上述第二課題，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式是一種薄膜電晶體的製造方法，該薄膜電晶體具備在半導體膜上設置的溝道區域、對應溝道區域的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與溝道區域相對置的柵電極，其中包括液滴配置工序，配置液滴以使得包含導電性材料的液滴的周邊部與溝道區域相對置；和析出工序，使液滴乾燥，通過使導電性材料在該液滴的至少周邊部析出來形成柵電極。即，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式，其特徵在於，通過利用上述的「閉環」現象配置液滴，使得包含導電性材料的液滴周邊部與溝道區域對置，將析出的導電性膜用作柵電極。根據閉環現象，可用簡單工序形成亞微米數量級的微細導電性膜。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是在液滴配置工序中，通過控制上述柵絕緣膜的表面的溼潤性，配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區域相對置。作為通過控制溼潤性配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區域相對置的方法，可舉出例如除與溝道區域對置的位置外，形成對導電性材料具有低的親和性的表面修飾膜(例如自組織化單分子膜(SAMsSelf-AssembledMonlayer)，在該表面修飾膜形成後配置包含導電性材料的液滴的方法。根據該方法，導電性材料避開形成親和性低的表面修飾膜的區域，容易在與溝道區域對置的位置上析出。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是在析出工序中，包含去除在液滴的中央部析出的導電性材料的工序。作為去除析出的導電性材料的方法，可舉出例如附加有機溶劑、酸性溶液來溶出導電性材料並去除每個溶劑的方法、蝕刻法等。去除工序中，不需要亞微米數量級的精度，因此可用蝕刻法比較廉價地進行。通過去除中央部的導電性薄膜，可僅得到周邊部的微細的導電性薄膜。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是將多個溝道區域設置在1個薄膜電晶體的半導體膜上的情況下，在液滴配置工序中配置1個或多個液滴使得液滴的周邊部與該多個溝道區域相對置，在析出工序中形成分別對置於該多個溝道區域的多個柵電極。如在一個薄膜電晶體的半導體膜上設有多個溝道的高集成化的結構的情況下，根據苯發明的製造方法，也可以簡易地形成柵電極。液滴的配置的控制，也可以通過如上述的潤溼性的控制進行，並也可以調節乾燥來進行控制。通過調整乾燥，在液滴中央部上也析出導電性材料，也能夠形成圓形或橢圓形狀的導電性薄膜，而形成所述薄膜後，去除中央部的薄膜而可以形成柵電極。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是析出工序包括去除在上述液滴周邊部析出導電性材料的一部分的去除工序，該去除工序中斷開導電性材料以形成分別對置於上述多個溝道區域的多個柵電極。例如，通過去除斷開以環狀形成的導電性材料的一部分，形成圓弧形狀的多個柵電極。通過這種結構可以簡單工序形成多個柵電極，可更高密度地形成柵長度短的高性能的薄膜電晶體。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是在液滴配置工序中，配置2個以上的液滴，在析出工序中，使導電性材料在上述2個以上的液滴融合時得到的液滴形狀的至少周邊部析出。如上所述，通過融合2個以上的液滴，將液滴形狀作種種改變，從而得到的導電性薄膜的形狀自由度也提高。例如，通過直線狀並置並融合多個液滴，可得到線狀的液滴。如果由線狀的液滴引起閉環，則其周邊部析出導電性材料時，可得到亞微米數量級的寬度的直線狀的柵電極圖案。此外，除將全部液滴融合形成1個大液滴之外，還可以通過反覆融合2個以上的液滴並在其周邊部析出導電性薄膜得到直線狀的導電性薄膜。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第二方式中，優選是還包括在液滴配置工序之後提高液滴中液滴周邊部的導電性材料的濃度的工序。作為提高液滴中液滴周邊部的導電性材料的濃度的工序，可舉出例如在配置液滴的基板上加上溫度梯度來與液滴內產生對流的工序、在配置於基板上的液滴上重疊噴出溶劑(或分散溶劑)的工序等。通過這種工序，導電性材料集中在液滴周邊部，促進周邊部的析出。如上所述，即便沒有本工序，通過液滴中央部和周邊部的溶質等的濃度差產生從液滴中央部向周邊部的液體流動，但通過由本工序產生積極地將導電性材料運送到液滴周邊部的流動，可更有效地防止液滴中央部殘留導電性材料。此外，本發明還提供具備含2個溝道區域的1個半導體膜、對應上述溝道區域的源區域和漏區域、經柵絕緣膜對置上述2個溝道區域的柵電極，形成上述柵電極的導電膜為1個環狀導電膜的薄膜電晶體。這種薄膜電晶體在例如頂置柵型的情況下，可通過在柵絕緣膜上配置以2個溝道區域的距離為直徑大小的包含導電性材料的液滴，藉助將其乾燥並引起閉環現象來製造。該薄膜電晶體柵長度為亞微米數量級，極短的柵電極隔開微小間隔高密度形成，因此可高集成化。此外，具備上述2個溝道區域的薄膜電晶體的情況下，也可以形成夾持2個溝道區域的1組源區域和漏區域，也可以對應2個溝道區域的每一個形成2個薄膜電晶體。作為前者的應用，形成3個以上的對應1組源區域和漏區域的柵電極的所謂多柵型薄膜電晶體也包含於本發明中。供給的電流增多了柵電極增加的部分，性能也提高這些。此外，電流量相等的情況下，每1個柵電極的電流變少，電流損失和發熱可被抑制，是優選的。此外，後者情況下，即，對應2個溝道區域的每一個形成2個薄膜電晶體的情況下，2個薄膜電晶體中一個對應N溝道型MOS電晶體，而另一個可為對應P溝道型MOS電晶體的互補型MOS電晶體。此外，為解決上述第三課題，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第三方式是一種製造2個以上的薄膜電晶體的方法，該薄膜電晶體具備含溝道區域的半導體膜、夾持上述溝道區域相對置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極，其特徵在於，具備配置工序，配置包含導電材料的液滴，以使該液滴周邊部的至少一部分與1個以上的上述溝道區域相對置；析出工序，通過在上述液滴的周邊部析出上述導電材料來形成上述柵電極，其中將形成的上述柵電極的每一個與至少一個其他的柵電極相連接。即，本發明的薄膜電晶體的製造方法的第三方式中，通過利用上述「閉環現象」，滴下包含導電材料的液滴並形成導電性薄膜，將其用作柵電極，從而可廉價且容易得到亞微米數量級的寬度的環狀柵電極，此外，可容易形成對應多個薄膜電晶體的多個柵電極。此外，導電性薄膜可環狀析出，通過控制包含導電材料的液滴的乾燥速度、導電材料的粒徑、接觸角、濃度，或通過在配置一次的液滴上重疊配置其他液滴等方法可析出環狀以外的形狀，而採用哪個形狀或控制方法是設計上的事情。本發明的薄膜電晶體的製造方法的第三方式，其特徵在於，在製造的薄膜電晶體中，形成的各柵電極與至少一個其他柵電極電連接。這種構成在配置的液滴僅為1個的情況下，也可將液滴配置成該液滴的周邊部與多個溝道區域對置。配置的液滴為2個以上的情況下，通過各液滴的周邊部的至少一部分與1個以上的上述溝道區域對置，並且各液滴的周邊部的至少一部分與至少其他液滴的周邊部重疊，各柵電極電連接至少1個以上的其他柵電極。通過這種構成，可得到並列連接了多個薄膜電晶體的多溝道型電晶體，可用1個柵信號驅動多個電晶體。此外，為解決上述第三課題，本發明提供一種薄膜電晶體的製造方法，其是製造2個以上的薄膜電晶體的方法，該薄膜電晶體具備含溝道區域的半導體膜、夾持上述溝道區域相對置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極，其特徵在於，包括配置工序，配置包含導電材料的液滴，以使各液滴周邊部的至少一部分與1個以上的上述溝道區域相對置；析出工序，通過在上述液滴的周邊部析出上述導電材料來形成上述柵電極；分離工序，將分別對置上述溝道區域的各柵電極形成為與和其他溝道區域對置的柵電極分離開的島狀。該方法中，通過分離由閉環現象形成的導電性薄膜並形成柵電極，能夠容易形成與多個薄膜電晶體的每一個對應的多個柵電極，同時可高密度地得到微細柵電極。優選是上述分離工序通過例如去除析出的柵電極的一部分而進行。導電性薄膜的去除，可以通過例如供給鹼性溶劑並溶出薄膜，按每個溶劑去除導電材料的方法、蝕刻法進行。此外，本發明的薄膜電晶體製造方法中，優選是製造的薄膜電晶體各自具有一個柵電極，對於各個柵電極形成有一組源區域和漏區域。通過這種結構，可高密度形成多連接的電晶體。此外，與相鄰的其他薄膜電晶體共有源區域和/或漏區域的構成也包含於本發明中。此外，優選是在上述液滴配置工序中配置下一液滴，使之重疊在先配置的液滴周邊部所析出的導電材料的一部分上，再分散導電材料的一部分。通過採用這種構成，可根據析出的導電性薄膜的形狀具有自由度。此外，優選是液滴配置工序中配置2個以上的液滴，析出工序中使導電性材料在2個以上的液滴融合時得到的液滴形狀的至少周邊部析出。由此，可得到更大的環狀導電性薄膜、直線狀的導電性薄膜等。本發明的薄膜電晶體的製造方法中，優選是將製造的各薄膜電晶體的半導體膜形成為與其他薄膜電晶體的半導體膜分離的島狀。此外，本發明的薄膜電晶體的製造方法，優選是在液滴配置工序之前包括在各個溝道區域上形成表面平坦的柵絕緣膜的工序。如果絕緣膜表面平坦，則配置液滴時均勻地溼潤擴展，從而容易控制液滴形狀。另外，本發明的薄膜電晶體製造方法的第二和第三方式，優選是在上述液滴配置工序之前，包括在上述各個溝道區域上形成表面平坦的柵絕緣膜的工序，並在上述液滴噴出工序中，該柵絕緣膜上配置液滴。平坦的柵絕緣膜例如為塗布型絕緣膜。例如，在形成半導體圖案的基板上，以旋塗法形成SOG膜時，形成在有半導體圖案的區域薄、在沒有半導體圖案的區域厚的絕緣膜，可以得到表面平坦的絕緣膜。SOG膜可以為1層，替代上述CMP等可將SOG膜用作平坦化機構。另一方面，在半導體膜上通過濺射法形成絕緣膜時，半導體膜上層疊的部分與沒有半導體膜的區域上形成的部分在絕緣膜中產生階差，但該情況下，可通過化學機械研磨(CMP)和蝕刻等形成。如果柵絕緣膜的表面平坦，則柵絕緣膜上配置液滴時均勻地溼潤擴展，因此容易將液滴配置為希望的形狀，可以高精度地進行柵電極的圖案化。此外，本發明還包含具備由上述本發明的薄膜電晶體製造方法製造的薄膜電晶體的電光學裝置、具備該薄膜電晶體的電子儀器。這裡，電光學裝置一般是具備本發明的薄膜電晶體的通過電作用而發光或具備改變來自外部的光的狀態的電光元件的裝置，包含自發光裝置和控制來自外部的光的通過的裝置。例如，作為電光元件，有液晶元件、具有分散了電泳粒子的分散介質的電泳元件、EL(電致發光)元件、具備使通過電場施加產生的電子正對發光板來發光的電子放射元件的有源矩陣型顯示裝置等。此外，所謂電子儀器一般是具備本發明的薄膜電晶體的實現一定功能的儀器，例如具備電光學裝置、存儲器。其構成不特別限定，但可包含例如IC卡、行動電話機、錄像機、個人計算機、頭戴式顯示器、背投或正投型投影儀，此外還有帶顯示功能的傳真裝置、數位照相機的取景器、便攜型電視、DSP裝置、PDA、電子記事本、電光揭示板、宣傳廣告用顯示器等。此外，本發明還提供一種使用在基板上形成的半導體膜形成半導體元件的半導體裝置的製造方法，包括在基板上配置含半導體材料的液滴的工序；和使液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出半導體材料來形成半導體膜的工序。該製造方法中可用簡單工序高密度形成微細半導體膜。圖1是第一實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖2是第一實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖3是噴墨式噴出裝置的立體圖。圖4是噴墨頭的側面截面圖。圖5是第二實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖6是第二實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖7是第三實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖8是第三實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖9是第四實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖10是第四實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖11是第四實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖12是第五實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖13是第五實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖14是第六實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖15是第六實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖16是第七實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖17是第七實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖18是第八實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖19是第八實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖20是第九實施方式的半導體膜裝置的製造方法的說明圖。圖21是第九實施方式的半導體膜裝置的製造方法的說明圖。圖22是第九實施方式的半導體膜裝置的製造方法的說明圖。圖23是第十實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖24是第十一實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖25是第十一實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖26是表示第十一實施方式的半導體膜裝置的等效電路的圖。圖27是用以說明第十一實施方式的柵電極的形成方法的圖。圖28是第十二實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖29是表示第十二實施方式的半導體膜裝置的等效電路的圖。圖30是第十三實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖31是用以說明第十三實施方式的柵電極的形成方法的圖。圖32是第十四實施方式的半導體膜裝置的說明圖。圖33是用以說明第十四實施方式的柵電極的形成方法的圖。圖34是表示電光學裝置的連接狀態的一個例子的圖。圖35是採用電光學裝置構成的各種電子儀器的說明圖。圖36是採用電光學裝置而構成的各種電子儀器的說明圖。圖中10、50-基板，12、52、72-絕緣膜，14、54-液滴，16、56、74、88-半導體膜，18、58、76-柵絕緣膜，20、62-柵電極，22、78-源/漏區域，25、80-源/漏電極，30-噴墨式噴出裝置，31-噴墨式噴頭，100-電光學裝置具體實施方式下面參照本發明的實施方式。第一實施方式圖1和圖2是表示本發明的薄膜電晶體的製造方法的第一方式的半導體膜製造方法的說明圖。本實施方式中，其特徵在於，在絕緣基板上配置含半導體材料的液滴並使其乾燥，利用閉環現象形成半導體膜。(絕緣膜形成工序)圖1(A)是形成絕緣膜12的基板的平面圖。沿該圖2A-2A線的截面圖在圖2(A)表示。如圖2(A)所示，絕緣膜12形成在玻璃等絕緣材料構成的基板10上。本實施方式中，形成氧化矽膜作為絕緣膜12。氧化矽膜可通過例如等離子體化學氣相沉積(PECVD法)、減壓化學氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相體積法等成膜。此外也可以通過塗布法形成SOG膜。成膜後，表面並不十分平坦的情況下，使用氟酸的溼蝕刻、或使用CMP法平坦化表面。通過旋塗法成膜的SOG膜具有平坦化效果，因此上述平坦化工序不需要。由此，絕緣膜12的表面凹凸變沒有，液滴均勻溼潤擴展，從而容易配置希望形狀的液滴。(液滴配置工序)接著如圖1(B)所示，在絕緣膜12上配置含半導體材料的液滴14。沿該圖2B-2B線的截面圖在圖2(B)表示。作為半導體材料，可使用例如有機半導體材料。有機半導體材料可溶解於甲苯、二甲苯、三甲苯等非極性有機溶劑，可作為液滴配置在絕緣膜12上。作為有機半導體材料，可舉出萘、蒽、並四苯、並五苯、並六苯等低分子化合物，或以及羥基二唑衍生物(PBD)、羥基二唑二聚物(OXD-8)、鈹—苯並喹啉絡合物(Bebq)、三苯胺衍生物(MTDATA)和三芳基胺衍生物、三唑衍生物、聚苯撐、聚烷基芴、聚烷基噻吩、(P3HT)、聚乙烯芘、聚乙烯萘、F8T2(poly(9，9-dioctylfluorene-co-bithiophene))等的高分子化合物，但不限定於此。有機半導體可在室溫加工，不需要大規模製造裝置，可廉價製造。此外，作為包含半導體膜材料的液滴，可使用將從環戊矽烷和矽烷基環戊矽烷構成的組中選擇的至少一種矽化合物溶於二甲苯等的有機溶劑中得到的液體，根據這些材料，可形成無機半導體膜。作為在絕緣膜12上配置液滴14的方法，可舉出使用微滴管(micropipette)、微噴灑、噴墨等的方法，但可進行特別正確的圖案化的噴墨方法是最好的。噴墨法使用後述的噴墨式噴出裝置進行。(半導體材料析出工序)如圖1(B)和圖2(B)所示，在絕緣膜12上配置的液滴14在周邊部15比在中央部乾燥速度快，周邊部15上半導體材料先達到飽和濃度，開始析出。成為液滴的周邊部通過析出的半導體材料釘住的狀態，引起抑制隨著其之後的乾燥的液滴收縮(外徑收縮)的「閉環現象」。由於周邊部15的乾燥速度快，產生從液滴中央部向周邊部15的液體流動，半導體膜上材料被運到周邊部15的結果，形成追隨液滴外形的環狀半導體膜16。圖1(C)中表示出液滴完全乾燥、半導體膜上材料沿著液滴周邊部形狀析出、形成半導體膜16的狀態。沿著該圖的2C-2C線的截面圖在圖2(C)中表示。半導體膜16形成寬度1微米以下的環狀。液滴14乾燥時，可以控制成提高液滴中的液滴周邊部的半導體材料濃度。例如，調節基板的溫度，或通過在暫時乾燥的半導體膜上再次噴出液滴來控制液滴的氣化狀態或粘度，在液滴中產生對流，可有效地將半導體材料移動到周邊部15。這樣一來，半導體材料集中在液滴周邊部，可更有效地防止在半導體膜16的中央部17殘留半導體材料，可析出寬度細的環狀半導體膜，從而不需要圖案化就可直接用於半導體元件的形成。得到的半導體膜16上通過照射熱或光能可以提高結晶性。例如，可舉出快速熱處理(RTP)的熱處理，或作為光能可舉出X射線、紫外線、可見光線、紅外線(熱線)、雷射、毫米波、微波、電子射線、放射線(α線、β線、γ線)等，尤其優選是可高輸出照射的雷射。作為雷射，可舉出各種氣體雷射、固體雷射(半導體雷射)等，但激元雷射、Nd-YAG雷射、Ar雷射、CO2雷射、He-Ne雷射等適宜。其中具有半導體膜表面吸收照射能量的350nm以下波長的激元雷射特別適合。(元件形成工序)接著以薄膜電晶體為例說明使用上述製造方法製造的半導體膜形成半導體元件的工序。圖1(D)和圖2(D)中表示形成柵絕緣膜18和柵電極20的狀態。圖2(D)是沿著圖1(D)的2D-2D線的截面圖。如圖2(D)所示，在半導體膜16上形成柵絕緣膜18和柵電極20。柵絕緣膜18為例如氧化矽膜，氧化矽膜可通過例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)等成膜法、和SOG膜形成。柵電極20可通過在由濺射法等的成膜法形成鉭、鋁等的導電體薄膜後通過進行圖案化來形成。圖1(D)中，為表示半導體膜16和柵電極20的位置關係，省略了柵絕緣膜18。柵電極20配置成橫過環狀的半導體膜16。接著以柵電極20為掩模注入成為施主和受主的雜質元素，進行所謂的自匹配離子注入，在半導體膜16上形成源/漏區域22和溝道區域23。例如，作為雜質元素注入磷(P)，之後，將XeCl激元雷射調整為400mJ/cm2的能量密度進行照射來活化雜質元素，從而形成N型源/漏區域。此外，替代雷射照射，可進行250℃～400℃左右的熱處理進行雜質元素的活化。接著如圖1(E)和2(E)所示，表示出層間絕緣膜和源/漏電極的形成工序。圖2(E)是沿著圖1(E)的2E-2E線的截面圖。而如2(E)所示，形成由氧化矽膜構成的層間絕緣膜24以覆蓋柵絕緣膜18和柵電極20。氧化矽膜通過例如PECVD法、SOG法等成膜法形成500nm左右。接著貫通柵絕緣膜18和層間絕緣膜24形成跨源/漏區域22的接觸孔，在這些接觸孔內通過濺射法等成膜法埋入鋁、鎢等的導電體後圖案化，從而形成源/漏電極25。這樣形成薄膜電晶體。圖1(E)中，為明確源/漏區域22、柵電極20、源/漏電極25等的位置關係，省略了柵絕緣膜和層間絕緣膜。環狀形成的半導體膜中未層疊柵電極的部分為源/漏區域22，層疊了柵電極的部分為溝道區域，形成薄膜電晶體。源/漏電極形成在源/漏區域的中央。這樣，本實施方式中，用包含半導體材料的液體的配置和其乾燥這樣的簡單工序可形成規定形狀的半導體膜，不用圖案化半導體膜就可連續進行絕緣膜形成工序。(液滴噴出裝置)上述各液滴通過從噴墨式噴出裝置噴出液體形成。因此，使用圖3說明噴墨式噴出裝置。圖3是噴墨式噴出裝置30的立體圖。噴墨式噴出裝置30主要由底座32、第一移動部件34、第二移動部件36、作為重量測定部件的電子天平(未圖示)、頭31、封蓋單元33以及清除單元35構成。包含第一移動部件34、第二移動部件36的噴墨式噴出裝置30的動作由控制裝置控制。圖3中，X方向是底座32的左右方向，Y方向是前後方向，Z方向是上下方向。第一移動部件34，使2個導軌38與Y軸方向一致地直接設置在底座32的上面。該第一移動部件34具有可沿著2個導軌38移動的滑塊39。作為該滑塊39的驅動部件，可採用例如線性電動機。由此，滑塊39可沿著Y軸方向移動，可定位在任意位置。滑塊39上面固定電動機37，電動機37的轉子上固定臺(table)46。該臺46保持基板10並定位。即，通過使未圖示的吸附保持部件動作，通過臺46的孔46A吸附基板10，可將基板10保持在臺46上。此外，電動機37例如為直接驅動電動機。通過對該電動機37通電臺46與轉子一起旋轉向θz方向，臺46上設置頭31扔掉液體，或嘗試噴出(預備噴出)的預備噴出區域。另一方面，底座32後方立設2個支柱36A，該支柱36A上端部架設有柱子36B。並且柱子36B的整個面上設置有第二移動部件36。該第二移動部件36具有沿著X軸方向配置的2個導軌84A，具有可沿著導軌84A移動的滑塊82。作為該滑塊82驅動部件，可採用例如線性電動機。由此，滑塊82可沿著X軸方向移動，可定位在任意位置。滑塊82上設置有頭31。頭31連接作為搖動定位部件的電動機84，85，86，87。電動機84可使頭31在Z軸方向移動，而且可定位在任意位置。電動機85可使頭31在圍繞Y軸的β方向搖動，而且可定位在任意位置。電動機86可使頭31在圍繞X軸的γ方向搖動，而且可定位在任意位置。電動機87可使頭31在圍繞Z軸的α方向搖動，而且可定位在任意位置。如上所述，基板10可在Y方向上移動並定位，可在θz方向上搖動並定位。頭31可在X、Z方向上移動並定位，可在α、β、γ方向上搖動並定位。因此，本實施方式的噴墨式噴出裝置30可正確控制頭31的噴墨面31P和臺上的基板10的相對位置和姿勢。(噴墨頭)這裡，參照圖4說明頭31的結構。圖4是噴墨頭的側面截面圖。頭31通過液滴噴出方式將液體L從噴嘴41噴出。作為液滴噴出方式，可適用利用作為壓電體元件的壓電元件噴出液體的壓電方式、通過加熱液體產生的泡(氣泡)噴出液體的方式等公知的種種技術。其中壓電方式不對液體加熱，因此具有不對材料組成等產生影響的優點。圖4的頭31採用壓電方式。頭31的頭主體40上形成有貯液器(reservoir)45和從貯液器45分支的多個墨水室43。貯液器45成為用以向各墨水室43供給液體L的流路。此外，頭主體40下端面安裝有構成噴墨面的噴嘴板。該噴嘴板上對應於各墨水室43打開噴出液體L的多個噴嘴41。並且，從各墨水室43朝向對應的噴嘴41形成有墨水流路。另一方面，頭主體40上端面安裝有振動板44。振動板44形成著各墨水室43的壁面。該振動板44外側對應於各墨水室43設置有壓電元件42。壓電元件42用一對電極(未示出)夾持水晶等壓電材料。該一對電極連接於驅動電路49。並且，從驅動電路49向壓電元件42施加電壓時，壓電元件42膨脹變形或收縮變形。壓電元件42收縮變形時，墨水室43的壓力降低，從貯液器45向墨水室43流入液體L。此外壓電元件42的壓力降低，從貯液器45向墨水室43流入液體L。壓電元件42膨脹變形時，墨水室43的壓力增加，從噴嘴41噴出液體L。此外，通過施加電壓的頻率改變可控制壓電元件42的變形速度。即，通過控制對壓電元件42的施加電壓控制液體L的噴出條件。另一方面，圖3所示的噴墨式噴出裝置備有封蓋單元33以及清除單元35。封蓋單元33用於防止頭31的噴墨面31P乾燥，在噴墨式噴出裝置30待機時蓋住噴墨面31P。清除單元35是用於去除頭31的噴嘴上的堆積物，從而吸入噴嘴內部的部件。清除單元35為去除頭31上的噴墨面31P的汙染物而對噴墨面31P進行擦拭。第二實施方式圖5和圖6表示本發明的第二方式的半導體膜的製造方法。本實施方式中，也以薄膜電晶體為例說明。本實施方式中，其特徵在於除半導體膜外，柵電極也通過配置並乾燥包含傳導性材料的液體形成。(半導體膜形成工序)首先，如圖5(A)和(B)所示，在絕緣膜52上配置包含半導體材料的液滴54，使其乾燥而得到半導體膜56。兩圖中的6A-6A線和6B-6B線的截面圖，在圖6(A)和(B)中表示。絕緣膜52層疊在玻璃基板等的基板50上。絕緣膜形成工序、液滴配置工序、半導體材料析出工序，通過與第一實施方式相同的方法進行，省略說明。(柵電極形成工序)接著使用圖5(C)(D)和圖6(B』)～(D)，說明形成用於使用由上述製造方法製造的半導體膜的半導體元件的柵電極的工序。圖5的6C-6C線和6D-6D線的截面圖分別是圖6(C)和(D)。圖5中為表示半導體膜和柵電極的位置關係，省略了柵絕緣膜58。首先，使用圖6(B』)表示在半導體膜56上形成柵絕緣膜58的工序。柵絕緣膜58可以是例如氧化矽膜，氧化矽膜可通過例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)等成膜法形成。如圖6(B)所示，由這種方法形成的柵絕緣膜58上，在半導體膜56上層疊的區域與其他區域中產生階差。柵絕緣膜58上有凹凸時，平坦化表面。作為平坦化方法，使用例如CMP法或回蝕刻法。這樣，包含導電性材料的液滴，在柵絕緣膜58上更均勻地溼潤擴展，容易控制液滴形狀。此外，柵絕緣膜中使用SOG膜時，SOG膜自動吸收半導體膜56的階差，可以得到平坦的柵絕緣膜表面。接著如圖5(C)和6(C)所示，在柵絕緣膜58上配置含柵電極材料的液滴60。作為柵電極材料優選是導電性微粒子，例如Ag、Au、Cu等直徑數nm左右的微粒子。這些微粒子分散到水或十四碳烷等有機分散劑中，使用噴墨法等，作為液滴配置在柵絕緣膜58上。如圖5(D)和6(D)所示，乾燥液滴60時，柵電極材料開始從液滴周邊部析出，得到沿著液滴外形的環狀柵電極62。柵電極62的一部分配置成橫過半導體膜56。為了液滴中央部不殘留導電性材料，可以積極進行控制使得柵電極材料集中在液滴周邊部。關於控制方法，使用與上述半導體膜同樣的方法，這裡說明從略。(元件形成工序)接著以柵電極62為掩模，注入成為施主和受主的雜質元素，在半導體膜56上形成源/漏區域。接著形成層間絕緣膜，以覆蓋柵絕緣膜58和柵電極62，並貫通柵絕緣膜和層間絕緣膜形成接觸孔，通過在該接觸孔內埋入導電體而形成源/漏電極。這些工序與上述第一實施方式的工序同樣進行，說明從略。根據本實施方式的方法，不僅半導體膜，柵電極也可以通過液滴配置和乾燥這樣的簡單工序在短時間內形成。柵電極可以1微米以下的寬度形成，以其為掩模注入雜質形成源/漏區域，從而可得到柵長為1微米以下的薄膜電晶體。通過縮短柵長，可減小柵電容，從而可形成高性能的薄膜電晶體。第三實施方式圖7中表示第三方式的半導體膜的製造方法的概要。本實施方式中，從由液滴的配置和乾燥得到的1個半導體膜製造2個薄膜電晶體。首先，如圖7(A)所示，以與第一和第二實施方式相同的方法，在絕緣膜72上形成半導體膜74。接著如該圖(B)所示，去除該半導體膜的一部分，得到半導體膜74a和74b。為去除半導體膜74的一部分，舉出例如在要去除的場所附加上述液滴的溶劑，溶出半導體材料並按每個溶劑去除的方法，或蝕刻法。去除的區域不需要比較大面積的亞微米數量級的精度，因此可以使用蝕刻法這種並非特別高精度的方法，但卻是廉價常用方法。接著形成柵絕緣膜(未圖示)來覆蓋半導體膜74後，形成柵電極76a和76b來橫過半導體膜74a和74b的各自的中央部。柵電極將包含柵電極材料的液滴配置在柵絕緣膜上並將其乾燥，通過閉環現象成型。用濺射法等形成導電體薄膜、也可以通過圖案化來形成，但根據閉環現象，容易形成具有亞微米數量級的寬度的柵電極。柵電極的圖案化可通過供給酸性液滴溶出電極來去除的方法和蝕刻法進行。此時，在去除工序中也不需要亞微米數量級的精度，因此使用蝕刻法這種並非特別高精度的方法但卻是廉價常用方法的方法。接著，以柵電極76a和76b作為掩模注入成為施主和受主的雜質元素，形成源/漏區域78a～78d。接著形成層間絕緣膜(未圖示)以覆蓋柵電極76a，76b和柵絕緣膜(未圖示)，貫通柵絕緣膜和層間絕緣膜形成接觸孔，通過在該接觸孔內埋入導電體而形成源/漏電極80a～80d。這些工序與上述第一實施方式的工序同樣進行，說明從略。根據本實施方式的方法，可用簡單工序得到2個用於半導體元件的半導體膜，可高密度高效率地製造半導體裝置。此外，柵電極也通過閉環現象製造，製造工序更簡單，同時得到柵長為1微米以下的半導體裝置。此外，本實施方式中，形成2個半導體膜，但可形成3個以上的半導體膜。此外上述第一到第三實施方式中，包含半導體材料或柵電極材料的液滴僅配置1滴、進行乾燥，來得到了環狀薄膜，但又可以配置多個液滴。圖8是說明配置2個以上液滴形成薄膜的情況的說明圖。如圖6(A)所示，隔開一定間隔配置包含半導體材料的液滴時，如該圖(B)所示，通過液滴溼潤擴展，液滴融合，如該圖(C)所示，成為1個線狀液滴。通過乾燥該線狀液滴引起閉環現象，如該圖(D)所示，得到沿著線狀的液滴外周的環狀的薄膜。通過這種方法可以得到直線狀的半導體膜88。此外，本實施方式中如果重疊各液滴的一部分而配置各液滴，則通過各液滴溼潤擴展融合2個以上液滴。由此，可將液滴形狀作種種改變，從而得到的半導體薄膜的形狀自由度提高。例如，通過直線狀並置並融合多個液滴，可以得到線狀液滴。用線狀液滴引起閉環，則在其周邊部析出半導體材料時，可以得到亞微米數量級的寬度的直線狀的半導體膜。此外，除將全部的液滴融合為1個大液滴外，還可以通過反覆融合2個以上的液滴並在其周邊部析出半導體膜而得到直線狀的半導體膜。第四實施方式圖9和圖10是表示本發明的第一實施方式的薄膜電晶體的製造方法的說明圖。以本實施方式製造的薄膜電晶體是圖11(B)所示的頂柵型薄膜電晶體T。薄膜電晶體T備有在半導體膜上設置的溝道區域424、對應於溝道區域424的源/漏區域424，和經柵絕緣膜416與溝道區域424對置的柵電極420。(半導體膜形成工序)圖9(A)表示在基板410上形成的絕緣膜412上形成半導體膜414的狀態。絕緣膜412形成在玻璃等絕緣材料構成的基板410上。本實施方式中，作為絕緣膜412形成氧化矽膜。氧化矽膜可以通過例如等離子體化學氣相沉積(PECVD法)、減壓化學氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相沉積法等而成膜。此外，可使用液體材料，作為塗布型的絕緣膜(SOG膜)。本實施方式中，形成矽膜作為半導體膜414。矽膜通過APCVD法、LPCVD法、PECVD法等CVD法或濺射法、蒸鍍法等PVD法形成。或者，可與上述本發明的薄膜電晶體的製造方法中使用的柵電極的形成方法同樣，使用閉環現象形成矽膜。利用閉環現象時，配置包含矽材料的液滴，使得該液滴的周邊部位於形成矽膜的區域。又可以根據矽膜的形狀配置多個包含矽材料的液滴，在這些液滴融合時得到的液滴形狀的周邊部析出矽膜。此外，可與本發明的柵絕緣膜的形成方法同樣，進行提高液滴周邊部的矽膜材料濃度的工序、在矽膜形成後去除一部分的工序、對形成的半導體膜提供熱或光能來提高結晶性的工序。在用LPCVD法形成矽膜的情況下，使基板溫度為約400℃～700℃，以二矽烷(Si2H6)等為原料在基板溫度為100℃左右到500℃左右下沉積矽。使用濺射法時，基板溫度為從室溫到400℃左右。這樣，沉積的矽膜初始狀態多為非晶質、混晶質、微晶質、或多晶質等種種狀態，但可以是任一狀態。矽膜的膜厚，在用於半導體膜電晶體的情況下為20nm到100nm左右是適當的。沉積的半導體膜被提供熱能來結晶化。本說明書中，所謂「結晶化」不僅是非晶質的半導體膜結晶化，還包含多晶質和微晶質的半導體膜的結晶化。半導體膜的結晶化可以使用雷射照射方法和固相生長的方法，但不限定於此。(絕緣膜形成工序)使用圖9(B)和(C)說明柵絕緣膜416的形成工序。形成柵絕緣膜416，以覆蓋半導體膜414和絕緣膜412，例如為氧化矽膜。氧化矽膜可通過例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)、PECVD法、常壓化學氣相沉積法(APCVD法)、或者低壓化學氣相沉積法(LPCVD法)等成膜法形成。這樣形成的柵絕緣膜416如圖1(B)所示，在半導體膜414上層疊的區域與在絕緣膜412上層疊的區域部分之間產生階差，平面不平坦。在其上供給包含到導電性材料的液滴時，不能均勻溼潤擴展，不能在希望的位置析出導電性材料並得到柵電極。因此，如圖9(C)所示，在配置包含導電性材料的液滴前，平坦化柵絕緣膜416。平坦化可通過化學機械研磨(CMP)、或蝕刻法進行。柵絕緣膜也可以使用旋塗，通過塗布液體的高K材料和SOG形成。由液體材料塗布的情況下，僅通過塗布工序得到平坦的表面，因此絕緣膜形成後不進行平坦化也可以。可在用PECVD法等形成的柵絕緣膜上層疊旋塗法形成的膜。通過旋塗法層疊膜可平坦化表面。(液滴配置工序)接著如圖9(D)所示，在絕緣膜416上配置含導電性材料的液滴418。作為導電性材料，可使用例如直徑數nm左右的Ag、Au、Cu、Ni等金屬微粒子，例如Ag膠質墨等是適當的。這些金屬微粒子分散到十四碳烷等有機分散劑中，作為液滴供給。作為在絕緣膜416上配置液滴418的方法，可舉出使用微滴管、微噴灑、噴墨等的方法，但可進行特別正確的圖案化的噴墨方法是適宜的。噴墨法使用後述的噴墨式噴出裝置進行。圖10(A)表示液滴配置工序的平面圖。圖10(A)中的沿著IXD-IXD線的截面圖為圖9(D)。圖10(A)中，為明確半導體膜414和液滴418的位置關係省略了柵絕緣膜416。液滴418配置成周邊部與溝道區域對置，其外周弧的一部分橫過半導體膜414中央附近。配置液滴時，通過控制柵絕緣膜416表面的溼潤性，配置成液滴418周邊部與溝道區域相對置，即液滴418的周邊部橫過半導體膜414中央附近。溼潤性的控制使用例如一端具有在柵絕緣膜表面形成SAMs的官能團、另一端具有疏液性官能團的化合物，在柵絕緣膜表面形成單分子膜來進行。除形成柵電極的區域外，通過形成這種SAM膜，包含導電性材料的液滴移動到未形成SAM膜的部分，在那裡乾燥析出導電性材料。(導電性材料析出工序)在絕緣膜416上配置的液滴418中，引起上述閉環現象，形成追隨液滴外形的環狀導電性膜420。圖9(E)中表示出液滴完全乾燥、導電性材料沿著液滴周邊部形狀析出、形成環狀導電性膜420的狀態。圖10(B)表示導電性材料析出工序的平面圖。沿著圖10(B)中的IXE-IXE線的截面圖在圖9(E)中表示。導電性膜420形成寬度1微米以下的環狀，配置成橫過半導體膜414的大致中央。另外，液滴418乾燥時，可以控制成提高液滴周邊部的導電性材料濃度。例如，調節絕緣基板的溫度，或通過在暫時乾燥的導電性膜上再次噴出液滴來控制液滴的氣化狀態或粘度，在液滴中產生對流，可有效地將導電性材料移動到周邊部。這樣一來，導電性材料不會殘留在導電性膜420的中央部，可按寬度細的環狀析出導電性材料。導電性材料析出後，可以對得到的導電性膜上進行熱處理，凝聚金屬微粒子，從而可以提高薄膜的導電性。(源/漏區域形成工序)接著如圖11(A)所示，以柵電極420為掩模注入成為施主和受主的雜質元素，進行所謂的自匹配離子注入，從而在半導體膜414上形成源/漏區域422和活性區域424。例如，作為雜質元素注入磷(P)，之後，將XeCl激元雷射調整為400mJ/cm2左右的能量密度進行照射來活化雜質元素，從而形成N型薄膜電晶體。此外，替代雷射照射，可進行250℃～400℃左右的熱處理進行雜質元素的活化。如上所述，柵電極20其寬度小於1微米，所以通過以其為掩模形成源/漏區域，可以得到柵長為亞微米數量級的半導體元件。這樣，本實施方式中，以包含導電性材料的液體的配置和其乾燥這樣的簡單工序就可將具有亞微米數量級寬度的導電性膜形成為希望的形狀，不用圖案化該導電性膜就可用作柵電極。根據該構成，可簡單且廉價地形成柵長非常短且高性能高集成的半導體元件，這是很適當的。(液滴噴出裝置)上述各液滴通過從噴墨式噴出裝置噴出來形成。噴墨式噴出裝置和噴墨頭的結構在第一實施方式中使用圖3和圖4進行了說明，這裡說明從略。第五實施方式如12和圖13表示本發明的第二實施方式的薄膜電晶體。沿著圖12的XIII-XIII線的截面圖為圖13。如圖13所示，本實施方式的薄膜電晶體在源/漏區域464a和464b之間形成2個柵電極463a和463b的所謂「雙柵型電晶體」。這種結構的電晶體有所謂洩漏電流低的特徵，整體上用作1個電晶體。從圖12和圖13可知，柵電極463a和463b分別為1個環狀導電性薄膜463的一部分。該半導體裝置通過在上述本發明的薄膜電晶體的製造方法中，將包含導電性材料的液滴配置成其周邊部到達應形成柵電極463的位置上來形成。或者，又可以觀察乾燥過程中的液滴的收縮，將包含導電性材料的液滴配置在比應形成柵電極463的位置更大的位置上。例如，半導體膜464中配置液滴，使其覆蓋從半導體膜兩端開始的除應形成源/漏區域464a和464b的區域之外的剩餘部分。這樣，通過配置1個導電性材料的液滴、使其乾燥的容易廉價工序可在希望的位置上形成2個柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數量級的寬度，所以在此之後不需要圖案化，還可減小半導體裝置的柵電容。柵數量增加時，電流也增多，其性能提高。流過相同量電流的情況下，每1個柵的電流非常少，從而可抑制電流損失和發熱。另外，作為第五實施方式，舉例說明了對於1個源/漏區域形成2個柵電極的雙柵型，但使用本發明的柵電極的形成方法，可對1個源/漏區域形成3個以上的柵電極，成為多柵型電晶體，該電晶體也包含在本發明中。第六實施方式圖14和圖15表示本發明的第六實施方式的半導體裝置。沿著圖14的XV-XV線的截面圖為圖15。本實施方式的半導體裝置，包括含源/漏區域472a和472b的半導體元件、含源/漏區域472c和472d的半導體元件共2個半導體元件構成的雙連接的薄膜電晶體。圖15所示的雙連接的薄膜電晶體的每一個柵電極474a和474b為圖14所示的1個環狀導電性薄膜474的一部分。該雙連接的電晶體可視為2個電晶體並列連接，整體上用作柵寬度(或溝道寬度)大的1個電晶體。該半導體裝置，通過在上述本發明的薄膜電晶體的製造方法中，將包含導電性材料的液滴配置在應形成導電性薄膜474的位置，即與溝道區域對置的位置上來形成。或者，也可以觀察乾燥過程中的液滴的收縮，將包含導電性材料的液滴配置在比應形成柵電極474的位置更大的位置上。例如，半導體膜472中配置液滴，使其覆蓋從半導體膜兩端開始的除應形成漏區域472a和472b的區域之外的剩餘部分。這樣，通過配置1個導電性材料的液滴、使其乾燥的容易廉價工序可在希望的位置上形成用於雙連接的薄膜電晶體的2個柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數量級的寬度，所以在此之後不需要圖案化，還可減小半導體裝置的柵電容。可容易形成雙連接的薄膜電晶體，半導體元件的微細加工、高密度化也容易進行。第七實施方式圖16和圖17中表示本發明的第七實施方式的半導體裝置。沿著圖16的XVII-XVII線的截面圖為圖17。本實施方式的半導體裝置，包括含漏/源區域484a和484b的半導體元件、含源/漏區域484c和484d的半導體元件共2個半導體元件構成的雙連接的薄膜電晶體。如圖16所示，圖17所示的雙連接的薄膜電晶體的每一個柵電極486a和486b，通過去除1個環狀導電性薄膜的一部分而形成的。該雙連接的電晶體被認為是進行不同動作的2個電晶體具有共同的源。該半導體裝置，通過在上述本發明的薄膜電晶體的製造方法中，配置成包含導電性材料的液滴位於應形成導電性薄膜486a和486b的位置上來形成。或者，觀察乾燥過程中的液滴的收縮，將包含導電性材料的液滴配置成比應形成導電性薄膜486a和486b的圓具有更大直徑。例如，就可以半導體膜484中配置液滴，使其覆蓋從半導體膜兩端開始的除應形成源/漏區域484a和484b的區域之外的剩餘部分。接著通過乾燥工序析出導電性材料後，去除作為柵電極不要的部分的薄膜，得到柵電極486a和486b。作為薄膜的去除方法，可以使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導電性薄膜一起去除的方法，或用氟酸剝離氧化矽膜的方法、蝕刻法等。去除薄膜的區域並非亞微米數量級，因此蝕刻法是比較廉價的通用方法。根據本實施方式，通過配置1個導電性材料的液滴、使其乾燥的容易廉價工序可在希望的位置上形成用於雙連接的薄膜電晶體的2個柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數量級的寬度，所以在此之後不需要圖案化，還可減小半導體裝置的柵電容。可容易形成雙連接的薄膜電晶體，半導體元件的微細加工、高密度化也容易進行。第八實施方式圖18和圖19中表示本發明的第五實施方式的半導體裝置。沿著圖18的XIX-XIX線的截面圖為圖19。如圖19所示，本實施方式的半導體裝置是具備N溝道型MOS電晶體TN和P溝道型MOS電晶體TP的互補型MOS半導體裝置。漏/源區域(492a和492b)以及源/漏區域(492c和492d)導電型不同，電極496b與P部和N部雙方電導通。N溝道型MOS電晶體和P溝道型MOS電晶體的各自柵電極494a和494b，如圖18所示，都成一個導電性環狀薄膜494的一部分。該半導體裝置，在互補型MOS半導體裝置的製造工序中，在形成柵電極時，在應形成N溝道型MOS電晶體TN和P溝道型MOS電晶體TP的柵電極的位置上配置包含導電性材料的液滴，使其乾燥，析出導電性材料來形成。根據本實施方式，通過配置1個液滴、使其乾燥的簡單的工序可形成雙電晶體的柵電極。得到的柵電極可以是亞微米數量級的寬度，所以在此之後不需要圖案化，還可減小半導體裝置的柵電容。第九實施方式圖20和21是表示本發明的第九實施方式的柵電極的製造方法的說明圖。本實施方式中表示出使用本發明的薄膜電晶體的製造方法，製造包含2個薄膜電晶體的多溝道型薄膜電晶體的方法。(半導體膜形成工序)圖20(A)表示在基板510上形成的絕緣膜512上形成半導體膜514的狀態。絕緣膜512形成在玻璃等絕緣材料構成的基板510上。本實施方式中，作為絕緣膜512形成氧化矽膜。氧化矽膜可以通過例如等離子體化學氣相沉積(PECVD法)、減壓化學氣相沉積法(LPCVD法)、濺射法等物理氣相沉積法、SOG(玻璃上旋轉)法等成膜。本實施方式中，形成矽膜作為半導體膜514。矽膜通過APCVD法、LPCVD法、PECVD法等CVD法或濺射法或蒸鍍法等PVD法形成。在用LPCVD法形成矽膜的情況下，使基板溫度為約400℃～700℃，以矽烷(SiH4)、二矽烷(Si2H6)等為原料沉積矽。PECVD法中以矽烷(SiH4)等為原料在基板溫度為100℃到500℃左右下可沉積矽。這樣，沉積的矽膜初始狀態有非晶質、混晶質、微晶質、或多晶質等種種狀態，但可以是任一狀態。矽膜的膜厚在用於半導體膜電晶體的情況下為20nm到100nm左右是適當的。沉積的半導體膜被提供熱能來結晶化。本說明書中，所謂「結晶化」不僅是非晶質的半導體膜結晶化，還包含多晶質和微晶質的半導體膜的結晶化。半導體膜的結晶化可使用雷射照射方法和固相生長的方法，但不限定於此。接著，使用光刻法將形成的半導體膜通過蝕刻圖案化為需要形狀，得到矽膜514。(絕緣膜形成工序)使用圖20(B)和(C)說明柵絕緣膜516的形成工序。形成柵絕緣膜516以覆蓋半導體膜514和絕緣膜512，例如為氧化矽膜。氧化矽膜可通過例如電子回旋加速器共振PECVD法(ECR-PECVD法)、PECVD法、常壓化學氣相沉積法(APCVD法)、低壓化學氣相沉積法(LPCVD法)等成膜法形成。這樣形成的柵絕緣膜516如圖20(B)所示，在半導體膜514上層疊的區域與在絕緣膜512上層疊的部分之間產生階差，平面不平坦。在其上供給包含到導電性材料的液滴時，不能均勻溼潤擴展，不能在希望的位置析出導電性材料並得到柵電極。因此，如圖20(C)所示，在配置包含導電性材料的液滴前，平坦化柵絕緣膜516。平坦化可通過化學機械研磨(CMP)、蝕刻法進行。柵絕緣膜也可使用旋塗通過塗布液體的SOG材料和低K材料形成。液體材料塗布的情況下，即使具有圖案或階差的基底也可以使表面平坦地形成，因此絕緣膜形成後不進行平坦化也可以。(液滴配置工序)接著如圖20(D)所示，在絕緣膜516上配置含導電性材料的液滴518。作為導電性材料，可使用例如直徑數nm左右的Ag、Au、Cu等金屬微粒子，例如Ag膠質墨等是適當的。這些金屬微粒子分散到十四碳烷等有機分散劑中，作為液滴供給。作為在絕緣膜516上配置液滴518的方法，可舉出使用微滴管、微噴灑、噴墨等的方法，但可進行特別正確的圖案化的噴墨方法是適宜的。噴墨法使用後述的噴墨式噴出裝置進行。圖21(A)表示液滴配置工序的平面圖。圖21(A)中的沿著XXD-XXD線的截面圖為圖20(D)。圖21(A)中，為明確半導體膜514和液滴518的位置關係省略了柵絕緣膜516。本實施方式中，為使用半導體膜514形成2個薄膜電晶體，該2個薄膜電晶體的柵電極連接的構成。配置液滴518，使得液滴518的周邊部2次橫過半導體膜514。更具體說，液滴518的直徑為應形成2個薄膜電晶體的柵電極的位置間的距離。或者觀察乾燥過程中液滴的收縮，設置具有比該距離稍大直徑的液滴。(導電性材料析出工序)在絕緣膜516上配置的液滴518中，引起上述閉環現象，形成追隨液滴518外形的環狀導電性膜520。圖20(E)中表示出液滴完全乾燥、導電性材料沿著液滴形狀析出、形成環狀導電性膜520的狀態。圖21(B)表示導電性材料析出工序的平面圖。沿著圖21(B)中的XXE-XXE線的截面圖是圖20(E)。導電性膜520形成寬度1微米以下的環狀，配置成2次橫過半導體膜514。液滴518乾燥時，可以控制成以使提高液滴周邊部的導電性材料濃度。例如，調節絕緣基板的溫度，或通過在一旦乾燥的導電性膜上再次噴出液滴來控制液滴的氣化狀態和粘度，在液滴中產生對流，可有效地將導電性材料移動到周邊部。這樣一來，半導體材料不會殘留在導電性膜520的中央部，可按寬度細的環狀析出半導體材料。導電性材料析出後，對得到的導電性薄膜上進行熱處理，凝聚金屬微粒子，從而提高薄膜的導電性。(源/漏區域形成工序)接著如圖22(A)所示，以柵電極520中區域520a和520b為掩模注入成為施主和受主的雜質元素，進行所謂的自匹配離子注入。例如，作為雜質元素注入磷(P)，之後，將XeCl激元雷射調整為400mJ/cm2的能量密度進行照射來活化雜質元素，從而形成N型薄膜電晶體。此外，替代雷射照射，可進行250℃～400℃左右的熱處理進行雜質元素的活化。通過以區域520a和520b為掩模注入雜質元素，形成區域514a、514b和514c。區域514a作為包含柵電極520a的薄膜電晶體的漏區域、區域514c作為包含柵電極520a的薄膜電晶體的漏區域。區域514b用作包含柵電極520a的薄膜電晶體和包含柵電極520b的薄膜電晶體的源區域。接著如圖22(B)所示，在柵絕緣膜516、柵電極520a和520b上面形成絕緣膜517。例如可用PECVD法形成約500nm的氧化矽膜。接著，在絕緣膜516和517中打開到達源區域514b、漏區域514a和514c的接觸孔，在接觸孔內和絕緣膜517的接觸孔周邊部形成源/漏電極528。源/漏電極528可通過例如濺射法沉積鋁形成。在絕緣膜517中打開跨柵電極528的接觸孔，形成柵電極用端子電極(未示出)。如上所述形成的2個薄膜電晶體，各自的柵電極520a和520b成為1個環狀導電性薄膜520的一部分。這種電晶體作為共用源區域和柵電極的2個電晶體而作用。本實施方式中，通過配置1個包含導電性材料的液滴和其乾燥這樣的容易且廉價工序就可製造所述的2個電晶體。本方法得到的柵電極520其寬度小於1微米，所以在此之後不用圖案化。通過以該柵電極為掩模形成源/漏區域可得到柵長為亞微米數量級的半導體元件，從而可成為柵電容小的高性能的薄膜電晶體。根據本實施方式的方法，可容易進行半導體元件的微小加工、高密度化。(液滴噴出裝置)上述各液滴通過從噴墨式噴出裝置噴出而形成。噴墨式噴出裝置和噴墨頭的構成在第一實施方式中使用圖3和圖4進行了說明，這裡說明從略。第十實施方式圖23(A)和23(B)中表示本發明的第十實施方式的半導體裝置。本實施方式中使用本發明的薄膜電晶體的製造方法，製造雙連接的薄膜電晶體。雙連接的薄膜電晶體是指2個薄膜電晶體串聯連接。沿著圖23(A)的XXIIIB-XXIIIB線的截面圖為圖23(B)。本實施方式的製造方法中，半導體膜形成工序、絕緣膜形成工序、液滴配置工序、導電性材料析出工序，用上述第一實施方式所述的方法或基於此的方法進行，這裡說明從略。(柵電極分離工序)本實施方式中，通過閉環現象，在絕緣膜上環狀析出導電性薄膜後，去除其一部分，分離與雙連接的薄膜電晶體的各自的溝道區域對置的各柵電極。分離的狀態平面圖為圖23(A)。分別對置雙連接的薄膜電晶體的溝道區域563a和563b的柵電極566a和566b如圖23(A)所示，為彼此分離的島狀。作為薄膜的去除方法，可使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導電性薄膜一起去除的方法，或用氟酸剝離氧化矽膜的方法、蝕刻法等。去除薄膜的區域並非亞微米數量級，因此蝕刻法是比較廉價的通用方法。(源/漏區域形成工序)接著如圖23(A)所示，以柵電極566a和566b為掩模注入成為施主和受主的雜質元素，進行所謂的自匹配離子注入。例如，作為雜質元素注入磷(P)，之後，將XeCl激元雷射調整為400mJ/cm2左右的能量密度進行照射來活化雜質元素，從而形成N型薄膜電晶體。此外，替代雷射照射，可進行250℃～400℃左右的熱處理進行雜質元素的活化。通過以柵電極566a和566b為掩模注入雜質元素，形成區域564a、564b和564c。區域564a作為包含柵電極566a的薄膜電晶體的源區域、區域564b作為包含柵電極566a的薄膜電晶體的漏區域，同時用作包含柵電極566b的薄膜電晶體的源區域。而且，區域564c作為包含柵電極566b的薄膜電晶體的漏區域而作用。接著如圖23(B)所示，在柵絕緣膜516、柵電極566a和566b上面形成絕緣膜517。例如可用PECVD法形成約500nm的氧化矽膜。接著，在絕緣膜516和517中打開到達區域564a、564b和564c的接觸孔，在接觸孔內和絕緣膜517的接觸孔周邊部形成源/漏電極568。源/漏電極568可通過例如濺射法沉積鋁而形成。在絕緣膜517中打開跨柵電極566a和566b的接觸孔，形成柵電極用端子電極(未圖示)。本實施方式中，通過配置1個導電性材料的液滴和其乾燥這樣的容易而廉價工序就可在希望的位置上形成雙連接的薄膜電晶體用的2個彼此分離的島狀的柵電極。得到的柵電極為亞微米數量級的寬度，所以在此之後不用圖案化，可減小半導體裝置的柵電容。由於容易形成雙連接的薄膜電晶體，可容易進行半導體元件的微細加工、高密度化。第十一實施方式圖24表示本發明的第十一實施方式的半導體裝置，圖25中表示圖24所示的半導體裝置的XXV-XXV線的截面圖。此外，圖26表示本實施方式的半導體裝置的等效電路圖。本實施方式的半導體裝置包含4個薄膜電晶體T1～T4，各薄膜電晶體T1～T4的源電極672a、672c、672e以及漏電極672b、672d分別共用(參照圖24和圖26)。另一方面，形成各薄膜電晶體T1～T4的柵電極674a～674d，如圖24所示成為周邊部部分重疊地形成的2個環狀導電性薄膜(下面叫環狀導電性薄膜)674的一部分。這樣的電晶體是溝道並聯連接的多溝道電晶體，整體上用作溝道寬度大的1個電晶體該構成的半導體裝置如下形成。如上所述，首先，在基板670上形成的絕緣膜67上，使用CVD法、PVD法等形成成為半導體層的半導體膜675(參照圖25)。該半導體層上隨後形成多個溝道區域。通過SOG膜覆蓋這樣形成的半導體膜675和絕緣膜671來形成表面平坦的柵絕緣膜673。並且，該柵絕緣膜673上使用噴墨式噴出裝置(參照圖4)順序滴下包含導電性材料的液滴，形成多個環狀導電性薄膜(導電圖案)674。具體說，首先，滴下成包含導電性材料的第一液滴周邊部那樣，對置各溝道區域(源區域和漏區域之間夾持的區域)。該滴下的液滴由於周邊部比中央部的乾燥速度快，產生從液滴中央部向周邊部的流動，導電性材料到達周邊部。其結果是形成追隨第一液滴外形的環狀導電性薄膜674(例如圖24所示左側的環狀導電性薄膜)。對應第一液滴的環狀導電性薄膜674形成後，接著滴下第二液，使得其包含環狀導電性薄膜674的一部分(換言之，各液滴之間各自的一部分重疊)並且周邊部的一部分對置各溝道區域。由此，形成追隨第二液滴外形的環狀導電性薄膜674(例如圖24所示右側的環狀導電性薄膜)。通過形成這2個環狀導電性薄膜674，形成成為各導電性薄膜674的一部分的柵電極674a～674d。這樣，可通過僅錯開規定量的位置滴下多個包含導電性材料的液滴，並使其乾燥的容易廉價工序就可在希望位置上以亞微米數量級的寬度形成4連接薄膜電晶體用的4個柵電極674a～674d。4個柵電極形成為2個環狀導電性薄膜的一部分，因此為彼此電連接的結構。之後，以形成的上述柵電極674a～674d為掩模適當注入成為施主或受主的自匹配離子，從而在半導體層上形成源區域675a，675c，675e和漏區域675b，675d以及各源區域和各漏區域之間夾持的多個溝道區域(參照圖25)。經過以上說明的工序，可得到具有圖25所示的亞微米數量級的柵長、包括彼此互相連接的連續形狀的柵電極的包含4個薄膜電晶體的多溝道型半導體裝置。另外，本實施方式中說明了4個薄膜電晶體，但可以是3個薄膜電晶體或5個薄膜電晶體。此時，通過增加配置的液滴數或調整源區域和漏區域的配置，可以形成這樣的薄膜電晶體。另外，以上說明中，例示出為形成4個薄膜電晶體而形成2個環狀導電性薄膜674的情況，但該環狀導電性薄膜674的個數可對應於應形成n(n≥2)連接的薄膜電晶體的數量適當變更(參照圖27)。此外，各環狀導電性薄膜674的配置間隔和其直徑等也可對應於應形成薄膜電晶體的設計等適當變更。第十二實施方式圖28中表示本發明的第十二實施方式的半導體裝置，圖29中表示本實施方式的半導體裝置的等效電路圖。本實施方式的半導體裝置是具有彼此島狀分離的柵電極的薄膜電晶體T1～T4串聯連接的結構的半導體裝置(參照圖29)。形成該各薄膜電晶體T1～T4的柵電極674a～674d通過去除前面圖24所示的2個環狀導電性薄膜674的一部分而形成。關於各柵電極674a～674d的形成方法進行說明，首先，如第三實施方式所說明那樣，滴下多個包含導電性材料的液滴，形成2個環狀導電性薄膜674。接著，從這些環狀導電性薄膜674去除作為柵電極而不要的部分的薄膜(即對置溝道區域的部分以外的薄膜)，得到柵電極674a～674d。作為薄膜的去除方法，可以使用供給鹽酸、硫酸等的酸性溶液，將該酸性溶液與不要的導電性薄膜一起去除的方法，和用氟酸剝離氧化矽膜的方法、蝕刻法等。去除該導電性薄膜的區域並非亞微米數量級，因此蝕刻法是比較廉價的通用方法。去除不要的導電性薄膜後，根據需要可形成柵電極墊(pad)676(參照圖28)。此外，本實施方式中，說明了4連接的薄膜電晶體，但可以是3連接的薄膜電晶體或5連接的薄膜電晶體。此時，可增加配置的液滴數、或調整源區域和漏區域的配置形成這種薄膜電晶體。第十三實施方式圖30中表示本發明的第十三實施方式的半導體裝置。本實施方式的半導體裝置具有與前面圖28中所示的半導體裝置相同的電路結構，柵電極的形成方法與該半導體裝置不同。下面說明本實施方式的柵電極形成方法。圖31是用以說明本實施方式的柵電極形成方法的圖。首先如圖31(A)所示，滴下包含導電性材料的第一液滴，並通過乾燥形成追隨第一液滴外形的環狀導電性薄膜674。接著滴下第二液，使得其包含該環狀導電性薄膜674的一部分(參照圖31(B))。此時通過控制第二液滴的分散劑、乾燥速度、第二液滴包含的導電性材料的粒徑、接觸角、濃度、第一液滴滴下後到第二液滴滴下的時間間隔，再分散或再溶解第二液滴包含的環狀導電性薄膜674(即由第一液滴形成的環狀導電性薄膜)的一部分。這樣，再分散或再溶解第二液滴包含的環狀導電性薄膜674後，通過乾燥第二液滴等，形成圖31(C)所示的追隨第二液滴外形的環狀導電性薄膜674。對應柵電極數反覆執行上述說明的一連串的工序後，從各計算(勘定)導電性薄膜674去除作為柵電極不要的部分的薄膜(參照第十實施方式)，得到圖30所示的柵電極674a～674d。可通過使其乾燥的容易廉價工序就可形成多個具有亞微米數量級寬度的薄膜電晶體的柵電極。本實施方式中，與第十實施方式同樣，部分去除導電性薄膜，使各柵電極674a～674d獨立，但不去除導電性薄膜，連接各柵電極也可以。第十四實施方式圖32中表示本發明的第十四實施方式的半導體裝置的構成。本實施方式的半導體裝置具有與前面圖30所示的半導體裝置相同的電路構成，僅柵電極的形狀不同。具體說，圖32所示的柵電極674a～674d大致為直線狀。下面說明這種直線狀柵電極形成方法。圖33是用以說明本實施方式的柵電極形成方法的圖。本實施方式中，為得到大致直線狀的柵電極，以比包含導電性材料的液滴乾燥時間快的時間間隔連續滴下該液滴(參照圖33(A)。具體說，先滴下的液滴(例如圖33(A)中虛線所示最上的液滴)乾燥後在該液滴周邊部形成環狀導電性薄膜之前，與先滴下液滴部分重疊地滴下下一液滴(例如圖33(A)中虛線所示的正中央的液滴)。滴下的各液滴通過溼潤擴展而融合，最終得到如圖33(A)所示的，在各液滴端部連續的2根一對的大致直線狀的導電性薄膜(下面叫直線狀導電性薄膜)。這樣，形成2根一對的直線狀導電性薄膜674(對應圖33(A)所示的柵電極674a，674b)時，與上述同樣滴下多個液滴，以形成新的2根對直線狀導電性薄膜674。但是，本實施方式中，各柵電極的配置間隔w1(參照圖33(C))比2根一對的直線狀導電性薄膜674的間隔w2(參照圖33(C))設定得窄，因此可連續滴下液滴以包含已經形成的直線狀導電性薄膜674的一部分。其結果，如圖33(C)所示，得到雙層形成的2根一對直線狀導電性薄膜674構成的柵電極647a～674d。通過上說明的方法，通過滴下多個包含導電材料的液滴，並使其乾燥這樣的容易廉價工序可形成多個具有亞微米數量級的寬度的薄膜電晶體的柵電極。另外，本實施方式中，各柵電極的配置間隔w1設定得比2根一對的直線狀導電性薄膜674的間隔w2窄，但當然也可以將各柵電極的配置間隔w1設定得比2根一對的直線狀導電性薄膜674的間隔w2寬。此外，上述實施方式中，半導體區域表示出1個連續的區域，但對應於多個電晶體的每一個可分別形成島區域。此時，各電晶體的源和漏區域獨立，與構成電路的情況相比，具有更多樣式。各實施方式中源和漏區域的配置可夾持溝道區域彼此相反。第十五實施方式本發明的第十五實施方式涉及包括由本發明的薄膜電晶體的製造方法製造的半導體裝置等的電光學裝置。作為電光學裝置的一個例子，舉出有機EL(電致發光)顯示裝置。圖34是說明第四實施方式的電光學裝置100的構成的圖。本實施方式的電光學裝置(顯示裝置)100，包括在基板上按矩陣狀配置包含薄膜電晶體T1～T4的像素驅動電路而構成的電路基板(有源矩陣基板)；由像素驅動電路驅動而發光的發光層；向包含各薄膜電晶體T1～T4而構成的像素驅動電路提供驅動信號的驅動器101和102而構成。驅動器101經掃描線Vsel和發光控制線Vgp而對各像素區域提供驅動信號。驅動器102經數據線Idata和電源線Vdd向各像素區域提供驅動信號。通過控制掃描線Vsel和數據線Idata進行對於各像素區域的電流程序，可控制發光部OELD的發光。構成像素驅動電路的各薄膜電晶體T1～T4和驅動器101，102適用上述第一或第二實施方式的製造方法形成。另外，作為電光學裝置的一個例子說明了有機EL顯示裝置，但此外可同樣製造液晶顯示裝置等各種電光學裝置。接著說明適用本發明的電光學裝置100而構成的各種電子儀器。圖35是採用電光學裝置100的電子儀器例子的圖。圖35(A)是對行動電話機的適用例子，該行動電話機230備有天線部231、聲音輸出部232、聲音輸入部233、操作部234、和本發明的電光學裝置100。這樣，本發明的電光學裝置可用作顯示部。圖35(B)是對攝像機的適用例子，該攝像機240備有受像部241、操作部242、聲音輸入部243、和本發明的電光學裝置100。這樣，本發明的電光學裝置可用作取景器或顯示部。圖35(C)是對可攜式個人計算機(所謂PDA)的適用例子，該計算機250備有照相機部251、操作部252、和本發明的電光學裝置100。這樣本發明的電光學裝置可用作顯示部。圖35(D)是對頭戴式顯示器的適用例子，該頭戴式顯示器260備有帶子261、光學系統容納部262和本發明的電光學裝置100。這樣本發明的電光學裝置可用作圖像顯示源。此外，本發明的電光學裝置100不限於上述例子，可適用於可採用有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置等的顯示裝置的所有電子儀器。例如，此外可靈活用於帶顯示功能的傳真裝置、數位照相機的取景器、便攜型電視、電子記事本、電光揭示板、宣傳廣告用顯示器等。圖36(A)是對電視機的適用例子，該電視機300備有本發明的電光學裝置100。對於用於個人計算機等的監視器裝置，同樣可適用本發明的電光學裝置。圖36(B)是對捲起式(rollup)電視機的適用例子，該捲起式電視機備有本發明的電光學裝置100。上述各實施方式的製造方法可用於除電光學裝置製造外的各種儀器的製造。例如，可製造FeRAM(鐵電RAM)、SRAM、DRAM、NOR型RAM、NAND型RAM、浮動柵型非易失性存儲器、磁性RAM(MRAM)等各種存儲器。適用微波的非接觸型通信系統中，在製造裝載了微小電路晶片(IC晶片)的廉價的標記(tag)的情況下也可適用。本發明不限定於上述各實施方式的內容，在本發明的主旨範圍內可進行種種變形。例如，上述實施方式中，作為半導體膜的一個例子，採用矽膜進行了說明，但半導體膜不限定於此。上述實施方式中，作為使用本發明的半導體膜而形成的半導體元件的一個例子，使用薄膜電晶體進行了說明，但半導體元件不限定於此，可形成其他元件(例如薄膜二極體等)。此外，本發明的薄膜電晶體除用作像素電晶體外，還可用作集成電路的電晶體。權利要求1.一種薄膜電晶體的製造方法，是具備半導體膜、在上述半導體膜上設置的溝道區域、夾持上述溝道區域設置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極的薄膜電晶體的製造方法，其特徵在於，包括在基板上配置包含半導體材料的液滴的工序；使上述液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出上述半導體材料，以形成上述半導體膜的工序。2.根據權利要求1所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在配置上述液滴的工序中，配置2個以上的上述液滴，在形成上述半導體膜的工序中，使上述半導體膜材料在上述2個以上的液滴融合時得到的液滴形狀的周邊部析出。3.根據權利要求1或2所述的薄膜電晶體的製造方法，其中還包括在配置上述液滴的工序之後提高上述液滴中液滴周邊部的上述半導體膜材料的濃度的工序。4.根據權利要求1到3的任一項所述的薄膜電晶體的製造方法，其中還包括在形成上述半導體膜的工序之後去除上述半導體膜的一部分以分割上述半導體膜的工序；和形成上述柵電極以分別對應上述分割的半導體膜的工序。5.根據權利要求1到4的任一項所述的薄膜電晶體的製造方法，在形成上述半導體膜的工序中向上述薄膜供給熱或光能。6.根據權利要求1到5的任一項所述的薄膜電晶體的製造方法，還包括在形成上述半導體膜的工序之後通過將雜質注入上述半導體膜而形成上述源區域和上述漏區域的工序。7.一種薄膜電晶體的製造方法，是具備在半導體膜上設置的溝道區域、對應上述溝道區域的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極的薄膜電晶體的製造方法，其特徵在於，包括液滴配置工序，配置上述液滴以使得包含導電性材料的液滴的周邊部與上述溝道區域相對置；和析出工序，使上述液滴乾燥，通過使上述導電性材料在該液滴的至少周邊部析出來形成上述柵電極。8.根據權利要求7所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述液滴配置工序中，通過控制上述柵絕緣膜的表面的溼潤性，配置成上述液滴的周邊部與上述溝道區域相對置。9.根據權利要求7所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述析出工序中，包含去除在上述液滴的中央部析出的上述導電性材料的工序。10.根據權利要求7所述的薄膜電晶體的製造方法，其中將多個上述溝道區域設置在1個上述薄膜電晶體的上述半導體膜上，在上述液滴配置工序中配置1個或多個液滴使得上述液滴的周邊部與上述多個溝道區域相對置，在上述析出工序中形成分別對置於上述多個溝道區域的多個柵電極。11.根據權利要求10所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述析出工序中具備去除在上述液滴周邊部析出的環狀的上述導電性材料的一部分的去除工序，上述去除工序中斷開上述環狀導電性材料，以形成分別對置於上述多個溝道區域的多個柵電極。12.根據權利要求7所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述液滴配置工序中，配置2個以上的液滴，在上述析出工序中，使上述導電性材料在上述2個以上的液滴融合時得到的液滴形狀的至少周邊部析出。13.根據權利要求7所述的薄膜電晶體的製造方法，其中包括在上述液滴配置工序之後提高上述液滴中液滴周邊部的上述導電性材料的濃度的工序。14.一種製造二個以上薄膜電晶體的方法，是具備帶有溝道區域的半導體膜、夾持上述溝道區域相對置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極的薄膜電晶體的製造方法，其特徵在於，包括液滴配置工序，配置包含導電材料的液滴，以使該液滴周邊部的至少一部分與1個以上的上述溝道區域相對置；析出工序，通過在上述液滴的周邊部析出上述導電材料來形成上述柵電極，其中形成的上述柵電極各自與至少一個的其他柵電極相連接的。15.根據權利要求14所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述液滴配置工序中，配置2個以上的上述液滴，配置成各液滴周邊部的至少一部分對置於1個以上的上述溝道區域，並且各液滴周邊部的至少一部分與至少1個其他液滴的周邊部重疊。16.一種製造2個以上的薄膜電晶體的方法，是具備含溝道區域的半導體膜、夾持上述溝道區域相對置的源區域和漏區域、經柵絕緣膜與上述溝道區域相對置的柵電極的薄膜電晶體的製造方法，其特徵在於，包括液滴配置工序，配置包含導電材料的液滴，以使得各液滴周邊部的至少一部分與1個以上的上述溝道區域相對置；析出工序，通過在上述液滴的周邊部析出上述導電材料來形成上述柵電極；分離工序，將分別對置上述溝道區域的各柵電極形成為與和其他溝道區域對置的柵電極分離開的島狀。17.根據權利要求16所述的薄膜電晶體的製造方法，其中上述分離工序包含去除上述柵電極的一部分的工序。18.根據權利要求16所述的薄膜電晶體的製造方法，其中上述薄膜電晶體的每一個對於上述分離的柵電極的每一個都具有一組源區域和漏區域。19.根據權利要求15或16所述的薄膜電晶體的製造方法，其中上述液滴配置工序中配置下一液滴，使之重疊在先配置的液滴周邊部所析出的導電材料的一部分上，再分散該導電材料的一部分。20.根據權利要求14或16所述的薄膜電晶體的製造方法，其中上述液滴配置工序中配置2個以上的上述液滴，上述析出工序中使上述導電性材料在上述2個以上的液滴融合時得到的液滴形狀的至少周邊部析出。21.根據權利要求14或16所述的薄膜電晶體的製造方法，其中1個上述薄膜電晶體的上述半導體膜形成為與其他上述薄膜電晶體的上述半導體膜分離的島狀。22.根據權利要求7或14所述的薄膜電晶體的製造方法，其中在上述液滴配置工序之前還包括在上述各個溝道區域上形成表面平坦的上述柵絕緣膜的工序，在上述液滴配置工序中在上述柵絕緣膜上配置液滴。23.一種電子電路，具備由權利要求1至22的任一項所述的製造方法製造的薄膜電晶體。24.一種電光學裝置，具備由權利要求1到22的任一項所述的製造方法製造的薄膜電晶體。25.一種電子儀器，具備由權利要求1到22之一所述的製造方法製造的薄膜電晶體。26.一種使用在基板上形成的半導體膜形成半導體元件的半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括在上述基板上配置含半導體材料的液滴的工序；和使上述液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出上述半導體材料來形成上述半導體膜的工序。全文摘要本發明的目的是提供一種通過簡易且廉價的工序以亞微數量級的精度形成薄膜電晶體用的柵電極和半導體膜的技術。本發明提供的薄膜電晶體的製造方法，包括半導體膜薄膜的形成方法和/或柵電極的形成方法，其中半導體膜薄膜的形成方法包括在基板上配置包含半導體材料的液滴(14)的工序；使液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出半導體材料來形成半導體膜(16)的工序，而柵電極的形成方法包括配置含導電性材料的液滴的工序；使液滴乾燥，通過在該液滴的至少周邊部析出導電性材料來形成柵電極的工序。文檔編號H01L21/336GK1719584SQ20051007610公開日2006年1月11日申請日期2005年6月8日優先權日2004年7月9日發明者湯田坂一夫,增田貴史申請人:精工愛普生株式會社