真空沉積裝置和使用該真空沉積裝置的真空沉積方法
2024-01-29 01:00:15 2
專利名稱：真空沉積裝置和使用該真空沉積裝置的真空沉積方法
技術領域：
所描述的技術總體涉及將沉積物質真空沉積到以輥到輥(roll-to-roll)方式移動的基片上的真空沉積裝置以及使用該真空沉積裝置的真空沉積方法。
背景技術：
與一次電池不同，可再充電電池(包括例如鎳氫電池、鋰電池以及鋰離子電池)可以反覆進行充電和放電，並且以組的形式被製造而成以廣泛用於諸如行動電話、膝上型電腦和可攜式攝像機之類的可攜式電子設備。可再充電電池包括通過堆疊正電極和負電極以及其間插置的隔板而螺旋卷繞成膠捲形的電極組件、容納電極組件與電解液的罐以及密封罐的開口的蓋組件。根據活性物質是否被塗到基片上，正電極和負電極被分為塗覆部分和未塗覆部分。當負電極用諸如Si、Si0x、Sn和SnO之類的金屬形成時，不可逆容量增加，從而減弱了容量增加的優點。由於負電極的效率低，正電極的使用率(充電和放電的電壓帶)不同於石墨的使用率。為了解決這樣的問題，應用了鋰預充電過程。也就是說，鋰預充電過程通過將鋰真空沉積到負電極的塗覆部分，提高了負電極的初始效率並且增強了正電極的使用率。在鋰預充電過程中，當鋰被沉積到未塗覆部分時，在正電極和負電極被卷繞成膠捲形的狀態下，未塗覆部分的鋰使得未塗覆部分與引線接線片的焊接特性惡化。進一步，二次電池的單電池容量由於電池容積的使用率下降而惡化，並且可能發生未塗覆部分與引線接線片的連接斷開的現象。在背景部分中公開的以上信息僅用於加強所描述的技術的背景的理解，因此其可以包含並不構成本國內本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
所描述的技術致力於提供一種真空沉積裝置，其具有將沉積物質沉積到基片中除未塗覆部分之外的塗覆部分的優點。所描述的技術進一步致力於提供一種使用真空沉積裝置的真空沉積方法。示例性實施例提供一種真空沉積裝置，包括輥筒，在真空腔內支撐具有塗覆部分和未塗覆部分的基片的連續移動；沉積源，安裝在所述輥筒的對立側以向所述塗覆部分提供沉積物質；掩模，在所述沉積源的開口與所述輥筒之間移動時阻斷所述沉積物質從所述沉積源向所述塗覆部分的移動；檢測傳感器，檢測設置在移動的所述基片上的第一參考點和第二參考點；以及控制器，根據基於所述第一參考點和所述第二參考點計算得出的並且設置在所述掩模上的第三參考點和第四參考點是否分別對應於所述第一參考點和所述第二參考點來控制所述基片和所述掩模的移動，以便將所述沉積物質沉積到所述塗覆部分。所述輥筒可以包括第一輥筒，支撐所述移動的基片的一個表面；以及第二輥筒， 支撐在所述第一輥筒上移動的所述基片的另一表面。
所述掩模可以包括第一掩模，與所述第一輥筒相對立，並且面對所述第一輥筒， 在距所述基片一段距離處移動；以及第二掩模，面對所述第二輥筒，在距所述基片一段距離處移動。所述檢測傳感器可以包括第一檢測傳感器，檢測所述第一參考點，所述第一參考點設置在投入所述第一輥筒的所述基片的所述另一表面；以及第二檢測傳感器，檢測所述第二參考點，所述第二參考點設置在投入所述第二輥筒的所述基片的所述一個表面。所述掩模可以與在所述輥筒上移動的所述基片隔開預定的間隙。所述掩模可以由提供在朝向所述輥筒的一側上的多個轉動支撐輥來支撐，並且在驅動輥的作用下沿一個方向移動和停止。所述掩模可以包括使所述沉積物質通過的開口部分和阻擋所述沉積物質的阻擋部分，並且所述阻擋部分的寬度大於所述沉積源的開口的寬度以便完全阻擋所述沉積源的開口。所述檢測傳感器可以檢測所述未塗覆部分的第一始端作為所述第一參考點，並且檢測所述未塗覆部分的第一末端作為所述第二參考點。所述控制器可以計算在所述掩模的阻擋部分的第二始端作為所述第三參考點，並且計算所述阻擋部分的第二末端作為所述第四參考點。另一實施例提供一種真空沉積方法，包括移動基片並且停止掩模；檢測形成在所述基片中的未塗覆部分的第一始端和第一末端的位置以及形成在所述掩模中的阻擋部分的第二始端和第二末端的位置；確定所述第一始端的位置是否與所述第二始端的位置相對應；當所述第一始端的位置與所述第二始端的位置相對應時，以相同的速度移動所述基片和所述掩模；確定所述阻擋部分是否完全阻擋沉積源的開口 ；當所述阻擋部分完全阻擋所述沉積源的開口時，移動所述基片並且停止所述掩模；確定所述第一末端是否與所述第二末端相對應；以及當所述第一末端與所述第二末端相對應時，則以相同的速度移動所述基片和所述掩模。所述位置的檢測可以包括根據數據計算所述未塗覆部分的第一始端和第一末端的位置以及所述掩模的第二始端和第二末端的位置，其中所述數據包括所述基片的所述未塗覆部分的寬度、形成在所述未塗覆部分之間的塗覆部分的長度和所述基片的移動速度；所述掩模的阻擋部分的寬度和形成在所述阻擋部分之間的開口部分的長度；位於沉積源的開口與檢測傳感器之間的基片的長度；以及所述檢測傳感器進行的對所述未塗覆部分的檢測時間點。如所描述的，根據這些示例性實施例，當在移動的基片與沉積源之間移動和停止掩模時，沉積物質從沉積源釋放到塗覆部分，並且從沉積源向未塗覆部分移動的沉積物質被中斷，使得沉積物質可以有選擇性地沉積到除未塗覆部分之外的塗覆部分上。
圖1是示出根據本發明示例性實施例的真空沉積裝置的構造的圖。圖2是圖1的真空沉積裝置中的相鄰的輥筒、掩模和沉積源的詳細視圖。圖3是示出根據本發明示例性實施例的用於控制真空沉積裝置的元件的框圖。圖4是示出根據本發明示例性實施例的真空沉積控制方法的流程圖。
圖5是示出停止掩模同時移動基片直到掩模的阻擋部分的始端與未塗覆部分的始端相對應的狀態的圖。圖6是示出在圖5的狀態之後掩模的阻擋部分的始端與未塗覆部分的始端相對應的狀態的圖。圖7是示出在圖6的狀態之後掩模的阻擋部分完全阻擋沉積源的開口的狀態的圖。圖8是示出在圖7的狀態之後掩模的阻擋部分的末端與未塗覆部分的末端相對應的狀態的圖。圖9是示出在圖8的狀態之後掩模和基片以相同的速度移動的狀態的圖。
具體實施例方式以下將參考附圖更充分地描述本發明，附圖中示出本發明的示例性實施例。正如本領域技術人員將會認識到的，可以以各種不同的方式對所描述的實施例進行修改，而均不背離本發明的精神或範圍。附圖和說明被視為本質上是示例性的而不是限制性的。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。例如，在根據本發明示例性實施例的真空沉積裝置和使用該真空沉積裝置的真空沉積方法中，鋰被沉積到在形成鋰離子電池的電極組件的正電極和負電極的基片上形成的活性物質塗覆部分。在這種情況下，在示例性實施例中，鋰沒有被沉積到正電極和負電極的未塗覆部分。圖1是示出根據本發明示例性實施例的真空沉積裝置的構造的圖。參見圖1，根據本示例性實施例的真空沉積裝置被形成為將沉積物質(例如，鋰)選擇性地沉積到在真空腔1內連續移動的基片2的除未塗覆部分21之外的塗覆部分22上。塗覆部分22包括以預定圖案形成在基片2的第一表面SDl中的第一塗覆部分221和以預定圖案形成在基片2 的第二表面SD2中的第二塗覆部分222。第一塗覆部分221和第二塗覆部分222由活性物質製成，位於設置在兩側的未塗覆部分21之間。進一步，真空沉積裝置被形成為將沉積物質沉積到形成在基片2的兩個表面中的第一塗覆部分221和第二塗覆部分222上。本示例性實施例的真空沉積裝置將鋰沉積到基片2的第一塗覆部分221，而後將鋰沉積到基片2的第二塗覆部分222。真空沉積裝置可以將沉積物質僅僅沉積到該基片的兩個表面之一上(未示出)。真空沉積裝置被形成為在連續從退繞輥3供應基片2的同時，將鋰沉積到基片2 的第一塗覆部分221和第二塗覆部分222並且將基片2重繞到重繞輥4。多個支撐輥5被提供在基片2移動所在的退繞輥3和重繞輥4之間。基片2被支撐輥5支撐和移動，其中支撐輥5被布置成轉換基片2的移動方向。供紙輥41被提供在重繞輥4側以在鋰被沉積之後在重繞基片2之間供應紙42。紙42防止第一塗覆部分221與第二塗覆部分222直接接觸，從而保護鋰所沉積到的第一塗覆部分221和第二塗覆部分222。真空沉積裝置具有用於將鋰沉積到支撐輥5之間的基片2上的輥筒6。輥筒6包括對應於第一塗覆部分221的第一輥筒61和對應於第二塗覆部分222的第二輥筒62。基片2在第一輥筒61上移動。在通過第一輥筒61之後，基片2被支撐輥5翻轉而後在第二輥筒62上移動。
為了將鋰沉積到第一表面SDl的第一塗覆部分221，第一輥筒61通過接觸基片2 的第二表面SD2來支撐基片2並使基片2移動。第一表面SDl的第一塗覆部分221和未塗覆部分21隨著基片2的連續移動交替接觸第一輥筒61。為了將鋰沉積到第二表面SD2的第二塗覆部分222，第二輥筒62通過接觸基片2的第一表面SDl支撐基片2並使基片2移動。第二表面SD2的第二塗覆部分222和未塗覆部分21隨著基片2的連續移動交替接觸第二輥筒62。真空沉積裝置具有向基片2提供沉積物質的沉積源7。沉積源7包括對應於第一輥筒61的第一塗覆部分221的第一沉積源71和對應於第二輥筒62的第二塗覆部分222 的第二沉積源72。第一沉積源71提供待沉積到第一塗覆部分221的鋰，並且具有開口 711以將蒸發鋰噴射到第一輥筒61的第一塗覆部分221。第二沉積源72提供待沉積到第二塗覆部分222 的鋰並且具有開口 721以將蒸發鋰噴射到第二輥筒62的第二塗覆部分222。因此，真空沉積裝置可以將鋰沉積到基片2的第一表面SDl的第一塗覆部分221和第二表面SD2的第二塗覆部分222。真空腔1包括將其內部分隔開的第一障肋11和第二障肋12。為了防止不想要的到移動基片2上的沉積，第一障肋11將第一輥筒61和第二輥筒62的上部和下部分隔開。 為了防止不想要的到第一輥筒61和第二輥筒62側部的沉積，第二障肋12將第一輥筒61 和第二輥筒62下部的第一沉積源71和第二沉積源72分隔開。該真空沉積裝置包括阻斷從沉積源7向輥筒6和塗覆部分22移動的沉積物質的掩模8。掩模8包括阻斷對應於第一沉積源71的沉積物質的第一掩模81和阻斷對應於第二沉積源72的沉積物質的第二掩模82。第一掩模81在第一沉積源71的開口 711與第一輥筒61的基片2之間移動時阻斷從第一沉積源71向第一塗覆部分221移動的沉積物質。第二掩模82在第二沉積源72 的開口 721與第二輥筒62的基片2之間移動時阻斷從第二沉積源72向第二塗覆部分222 移動的沉積物質。第一掩模81被布置為面對第一輥筒61，與基片2的第一表面SDl相距預定的第一間隙Cl。第二掩模82被布置為面對第二輥筒62，與基片2的第二表面SD2相距預定的第二間隙C2。也就是說，第一掩模81和第二掩模82沒有接觸基片2以允許將圖案沉積到第一塗覆部分221和第二塗覆部分222上。第一掩模81和第二掩模82分別被提供在朝向第一輥筒61和第二輥筒62的一側， 分別被多個轉動的支撐輥813和823支撐，並且分別在驅動輥814和824的作用下沿一個方向移動或停止。分別在驅動輥814和824的作用下移動的第一掩模81和第二掩模82僅僅將鋰分別沉積到第一塗覆部分221和第二塗覆部分222，並且阻擋鋰沉積到未塗覆部分 21。例如，驅動輥814和擬4被提供在第一掩模81和第二掩模82的移動方向的後側， 以通過推動分別由支撐輥813和823支撐的第一掩模81和第二掩模82來移動第一掩模81 和第二掩模82。在第一輥筒61和第二輥筒62的下方的第一掩模81和第二掩模82在重力的作用下下垂從而以曲面狀態移動，以便分別對應於沿第一輥筒61和第二輥筒62的曲面移動的基片2的曲面。
圖2是圖1的真空沉積裝置中的相鄰的輥筒、掩模和沉積源的詳細視圖。第一輥筒61和第二輥筒62被等同地形成和操作，第一沉積源71和第二沉積源72被等同地形成和操作，並且第一掩模81和第二掩模82被等同地形成和操作。因此，現在將示例性地描述圖2中示出的第一輥筒61、第一沉積源71和第一掩模81。第一掩模81包括使沉積物質通過的開口部分811和設置在開口部分811之間以便阻擋沉積物質的阻擋部分812。為了用阻擋部分812完全阻擋第一沉積源71的開口 711， 阻擋部分812的寬度Wl被形成為大於開口 711的寬度W2。進一步，當阻擋部分812被停止而基片2移動時，未塗覆部分21可以被阻擋而與蒸發和噴射的鋰隔開。因此，阻擋部分 812的寬度Wl可以被形成為小於未塗覆部分21的寬度W3。圖3是示出根據本發明示例性實施例的用於控制真空沉積裝置的元件的框圖。參見圖1至3，真空沉積裝置具有檢測傳感器9，其檢測從移動的基片2設置的第一參考點和第二參考點，例如，未塗覆部分21 (或塗覆部分)的始端和末端，以將第一參考點和第二參考點施加於控制器10的輸入端。檢測傳感器9包括對應於第一輥筒61的第一塗覆部分 221和未塗覆部分21的第一檢測傳感器91和對應於第二輥筒62的第二塗覆部分222和未塗覆部分21的第二檢測傳感器92。例如，第一檢測傳感器91檢測投入第一輥筒61的基片2的第一表面SDl上所設置的未塗覆部分21 (或塗覆部分)。第二檢測傳感器92檢測經過第一輥筒61投入第二輥筒62的基片2的第二表面SD2上所設置的未塗覆部分21 (或塗覆部分)。第一檢測傳感器91和第二檢測傳感器92的構造和操作是相同的，因此，以第一檢測傳感器91為例。在示例性實施例中，第一檢測傳感器91檢測在基片2上的未塗覆部分 21的始端和末端。參見圖3和5，控制器10根據檢測信號計算在第一輥筒61側的以一時間間隔移動的未塗覆部分21的第一始端Sl和第一末端E1，並且計算在第一掩模81上的阻擋部分812的第二始端S2和第二末端E2。控制器10基於計算得出的值確定未塗覆部分 21的第一始端Sl是否與阻擋部分812的第二始端S2相對應，並且確定未塗覆部分21的第一末端El是否與阻擋部分812的第二末端E2相對應。未塗覆部分21的第一始端Sl和第一末端El是由第一檢測傳感器91在基片2上設置的第一參考點和第二參考點的實例。阻擋部分812的第二始端S2和第二末端E2是在第一掩模81上設置的對應於基片2上的第一參考點和第二參考點的第三參考點和第四參考點的實例。傳遞基片2的重繞輥4和第一掩模81和第二掩模82的驅動輥814和擬4被可控地連接到控制器10的輸出端。為了方便起見，本示例性實施例示出了重繞輥4供應基片2 的實例，並且為了傳遞基片2，可以提供單獨的傳遞裝置(未示出)。因此，為了根據第一檢測傳感器91和第二檢測傳感器92的檢測信號將沉積物質沉積到第一塗覆部分221和第二塗覆部分222上，控制器10控制第一掩模81和第二掩模82的傳遞速度以與基片2的傳遞相對應。圖4是示出根據本發明示例性實施例的控制真空沉積的方法的流程圖。為了方便起見，在對控制方法的描述中，以第一輥筒61、第一塗覆部分221之間的未塗覆部分21以及第一掩模81為例。控制真空沉積的方法包括步驟1至步驟8 (STl至ST8)，這些步驟通過使基片2的未塗覆部分21與第一掩模81的阻擋部分812相對立來控制通過開口 811將鋰僅僅沉積到第一塗覆部分221同時防止鋰沉積到未塗覆部分21。圖5是示出停止掩模同時移動基片直到掩模的阻擋部分的始端與未塗覆部分的始端相對應時的狀態的圖。參見圖5，基片2移動而第一掩模81停止(ST1)。基片2在重繞輥4的驅動力下移動，從而與停止的第一掩模81相對應。圖5示出未塗覆部分21的第一始端Sl與在基片2上的阻擋部分812的第二始端S2不對應的狀態。檢測形成在基片2中的未塗覆部分21的第一始端Sl和第一末端E2的位置和形成在第一掩模81中的阻擋部分812的第二始端S2和第二末端E2的位置(ST2)。實質上， 在本示例性實施例的步驟2ST2，應用基於第一檢測傳感器91的檢測信號計算每個位置的方法。例如，控制器10存儲數據，這些數據包括基片2的未塗覆部分21的寬度W3、形成在未塗覆部分21之間的第一塗覆部分221的長度Li、基片2的移動速度、第一掩模81的阻擋部分812的寬度W2、形成在阻擋部分812之間的開口部分811的長度L2以及位於第一沉積源71的開口 711與第一檢測傳感器91之間的基片2的長度L3。圖6是示出在圖5的狀態之後掩模的阻擋部分的始端與未塗覆部分的始端相對應的狀態的圖。參見圖6，控制器10確定未塗覆部分21的第一始端Sl的位置是否與阻擋部分812的第二始端S2的位置相對應(SB)。圖6示出未塗覆部分21的第一始端Sl與在基片2上的阻擋部分812的第二始端S2相對應的狀態。在步驟3ST3，從由第一檢測傳感器91進行的未塗覆部分21的檢測時間點在第一輥筒61和第一沉積源71側計算和確定未塗覆部分21的第一始端Sl和第一末端El的位置以及第一掩模81的第二始端S2和第二末端E2的位置。由此，控制器10確定在第一輥筒61和第一沉積源71側，未塗覆部分21的第一始端Sl是否與阻擋部分812的第二始端S2相對應。通過在基片2和第一掩模的一側安裝並直接檢測檢測傳感器(未示出)，可以確定該第一始端是否與該第二始端相對應或者該第一末端是否與該第二末端相對應。當未塗覆部分21的第一始端Sl的位置與阻擋部分812的第二始端S2的位置相對應(圖6的狀態)時，基片2和第一掩模81以相同的速度移動(ST4)。基片2在重繞輥 4的驅動力下移動，並且第一掩模81在驅動輥814的作用下移動。圖7是示出在圖6的狀態之後掩模的阻擋部分完全阻擋沉積源的開口的狀態的圖。參見圖7，控制器10確定阻擋部分812是否完全阻擋第一沉積源71的開口 711 (ST5)。 基片2和第一掩模81以相同的速度移動直到阻擋部分812完全阻擋第一沉積源71的開口 711。基片2在重繞輥4的驅動力下移動，並且第一掩模81在驅動輥814的作用下移動。 圖7示出當未塗覆部分21的第一始端Sl與阻擋部分812的第二始端S2相對應時阻擋部分812完全阻擋開口 711的狀態。圖8是示出在圖7的狀態之後掩模的阻擋部分的末端與未塗覆部分的末端相對應的狀態的圖。參見圖8，如果阻擋部分812完全阻擋第一沉積源71的開口 711，則第一掩模 81在基片2仍然移動的狀態下被停止(ST6)。也就是說，未塗覆部分21的第一始端Sl與阻擋部分812的第二始端S2開始彼此分離。圖8示出未塗覆部分21的第一末端El與阻擋部分812的第二末端S2相對應的狀態。
控制器10確定未塗覆部分21的第一末端El是否與阻擋部分812的第二末端E2 相對應(ST7)。通過步驟5至步驟7 (ST5至ST7)，基片2的未塗覆部分21可以在處於不被沉積的狀態下通過第一沉積源71。圖9是示出在圖8的狀態之後掩模和基片以相同的速度移動的狀態的圖。參見圖 9，當未塗覆部分21的第一末端El與阻擋部分812的第二末端E2相對應時，基片2和第一掩模81以相同的速度移動(ST8)。因此，從第一沉積源71的開口 711噴射的蒸發鋰通過開口部分811被沉積到第一塗覆部分221，並且被掩模81的阻擋部分812阻擋。圖9示出在未塗覆部分21的第一末端El與阻擋部分812的第二末端E2相對應的狀態下在基片2和第一掩模81以相同的速度移動期間將通過第一掩模81的開口部分811 的蒸發鋰沉積到第一塗覆部分221的狀態。根據根據本示例性實施例的真空沉積方法，在重複執行步驟1至步驟8 (STl至 ST8)時，沉積鋰可以被沉積到第一表面SDl的第一塗覆部分221上，而不會被沉積到基片2 的未塗覆部分21上。進一步，步驟1至步驟8 (STl至ST8)也在第二輥筒62、第二沉積源 72以及第二掩模82側被執行，以便鋰可以被沉積到第二表面SD2的第二塗覆部分222。儘管已經結合目前所認為的實際的示例性實施例描述了本發明，但是應當理解， 本發明不限於所公開的實施例，而是相反，本發明意在覆蓋包括在所述權利要求的精神和範圍內的各種修改和等同布置。符號描述1 真空腔2 基片21 未塗覆部分22 塗覆部分221、222 第一塗覆部分和第二塗覆部分3 退繞輥4 重繞輥5、813、823 支撐輥6:輥筒61、62 第一輥筒和第二輥筒7 沉積源71、72 第一沉積源和第二沉積源711、721:開口81，82 第一掩模和第二掩模811:開口部分812:阻擋部分814,824 驅動輥9 檢測傳感器91,92 第一檢測傳感器和第二檢測傳感器Cl，C2 第一間隙和第二間隙El, E2 第一末端和第二末端 Li、L2、L3 長度SD1、SD2 第一表面和第二表面Si、S2 第一始端和第二始端W1、W2、W3:寬度。
權利要求
1.一種真空沉積裝置，包括輥筒，在真空腔內支撐具有塗覆部分和未塗覆部分的基片的連續移動； 沉積源，安裝在所述輥筒的對立側以向所述塗覆部分提供沉積物質； 掩模，在所述沉積源的開口與所述輥筒之間移動時阻斷所述沉積物質從所述沉積源向所述塗覆部分的移動；檢測傳感器，檢測設置在移動的所述基片上的第一參考點和第二參考點；以及控制器，根據基於所述第一參考點和所述第二參考點計算得出的並且設置在所述掩模上的第三參考點和第四參考點是否分別對應於所述第一參考點和所述第二參考點來控制所述基片和所述掩模的移動，以便將所述沉積物質沉積到所述塗覆部分。
2.如權利要求1所述的真空沉積裝置，其中所述輥筒包括 第一輥筒，支撐所述移動的基片的一個表面；以及第二輥筒，支撐在所述第一輥筒上移動的所述基片的另一表面。
3.如權利要求2所述的真空沉積裝置，其中所述掩模包括第一掩模，與所述第一輥筒相對立，並且面對所述第一輥筒，在距所述基片一段距離處移動；以及第二掩模，面對所述第二輥筒，在距所述基片一段距離處移動。
4.如權利要求3所述的真空沉積裝置，其中所述檢測傳感器包括第一檢測傳感器，檢測所述第一參考點，所述第一參考點設置在投入所述第一輥筒的所述基片的所述另一表面；以及第二檢測傳感器，檢測所述第二參考點，所述第二參考點設置在投入所述第二輥筒的所述基片的所述一個表面。
5.如權利要求1所述的真空沉積裝置，其中所述掩模與在所述輥筒上移動的所述基片隔開預定的間隙。
6.如權利要求5所述的真空沉積裝置，其中所述掩模由提供在朝向所述輥筒的一側上的多個轉動支撐輥來支撐，並且在驅動輥的作用下沿一個方向移動和停止。
7.如權利要求1所述的真空沉積裝置，其中所述掩模包括使所述沉積物質通過的開口部分和阻擋所述沉積物質的阻擋部分，並且所述阻擋部分的寬度大於所述沉積源的開口的寬度以便完全阻擋所述沉積源的開口。
8.如權利要求7所述的真空沉積裝置，其中所述檢測傳感器檢測所述未塗覆部分的第一始端作為所述第一參考點，並且檢測所述未塗覆部分的第一末端作為所述第二參考點。
9.如權利要求8所述的真空沉積裝置，其中所述控制器計算在所述掩模的阻擋部分的第二始端作為所述第三參考點，並且計算所述阻擋部分的第二末端作為所述第四參考點。
10.一種真空沉積方法，包括 移動基片並且停止掩模；檢測形成在所述基片中的未塗覆部分的第一始端和第一末端的位置以及形成在所述掩模中的阻擋部分的第二始端和第二末端的位置；確定所述第一始端的位置是否與所述第二始端的位置相對應； 當所述第一始端的位置與所述第二始端的位置相對應時，以相同的速度移動所述基片和所述掩模；確定所述阻擋部分是否完全阻擋沉積源的開口；當所述阻擋部分完全阻擋所述沉積源的開口時，移動所述基片並且停止所述掩模； 確定所述第一末端是否與所述第二末端相對應；以及如果所述第一末端與所述第二末端相對應，則以相同的速度移動所述基片和所述掩模。
11.如權利要求10所述的真空沉積方法，其中所述位置的檢測包括根據數據計算所述未塗覆部分的第一始端和第一末端的位置以及所述掩模的第二始端和第二末端的位置，其中所述數據包括所述基片的所述未塗覆部分的寬度、形成在所述未塗覆部分之間的塗覆部分的長度和所述基片的移動速度；所述掩模的阻擋部分的寬度和形成在所述阻擋部分之間的開口部分的長度；位於沉積源的開口與檢測傳感器之間的基片的長度；以及所述檢測傳感器進行的對所述未塗覆部分的檢測時間點。
全文摘要
提供了一種將沉積物質沉積到基片中除未塗覆部分之外的塗覆部分的真空沉積裝置和使用該真空沉積裝置的真空沉積方法。所述真空沉積裝置包括輥筒，在真空腔內支撐具有塗覆部分和未塗覆部分的基片的連續移動；沉積源，安裝在所述輥筒的對立側以向所述塗覆部分提供沉積物質；掩模，在所述沉積源的開口與所述輥筒之間移動時阻斷沉積物質從所述沉積源向所述塗覆部分移動；檢測傳感器，檢測在移動的基片上設置的第一參考點和第二參考點；控制器，根據基於第一參考點和第二參考點計算得出的並且在所述掩模上設置的第三參考點和第四參考點是否分別對應於第一參考點和第二參考點來控制所述基片和所述掩模的移動，以便將沉積物質沉積到所述塗覆部分。
文檔編號H01M4/04GK102465252SQ20111011576
公開日2012年5月23日 申請日期2011年4月28日 優先權日2010年11月2日
發明者崔完旭, 樸成鎬, 李星昊, 李濟玩, 林永昌, 鄭錫憲 申請人:三星Sdi株式會社