粘接接合片與使用該粘接接合片的半導體裝置以及其製造方法

2023-10-08 05:24:24 4

專利名稱：：粘接接合片與使用該粘接接合片的半導體裝置以及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及一種粘接接合片及使用該粘接接合片的半導體裝置以及其製造方法。
背景技術：
：以往，主要使用銀膠來接合半導體元件與半導體元件搭載用支撐構件。但是，近年來隨著半導體元件的小型化、高性能化，所使用的支撐構件也開始要求細密化。相對於這種要求，使用銀膠就存在種種問題，例如因溢出或者半導體元件傾斜而導致在進行引線接合(wirebonding)時產生不良狀況、難以控制粘接劑層的膜厚、以及粘接劑層產生空隙等。為了解決這些問題，近年來已開始使用薄膜狀粘接劑。薄膜狀粘接劑應用於單片粘貼方式或晶片背面粘貼方式。在單片粘貼方式中，首先將巻軸狀的粘接薄膜切割或衝切成單片後，粘接到支撐構件上。接著在所得的附粘接薄膜支撐構件上，接合通過切割工序製成單片的半導體元件，來製作附半導體元件支撐構件，然後，經過引線接合工序、密封工序等，完成半導體元件。但是，單片粘貼方式需要切出粘接薄膜後粘接到支撐構件上的專用組裝裝置，因此存在其組裝成本比使用銀膠的方法高的問題。另一方面，在晶片背面粘貼方式中，首先，將粘接薄膜粘貼到半導體晶片上，使其貼合在切割膠帶上後，通過切割工序製成單片，得到附粘接劑半導體元件。接著，將該附粘接劑半導體元件接合於支撐構件，經過隨後的加熱、固化、引線接合等工序，完成半導體裝置。晶片背面粘貼方式，由於是將附粘接劑半導體元件接合於支撐構件，所以不需要用來將粘接薄膜製成單片的裝置，可以直接使用以往的銀膠用組裝裝置，或者如附加熱盤等對裝置的一部分進行改良後使用。從而，晶片背面粘貼方式，作為在使用薄膜狀粘接劑的組裝方法中，將組裝成本抑制得比較低的方法而受到注目。該晶片背面粘貼方式中的半導體元件的單片化，是在薄膜狀粘接劑側貼合切割膠帶後，由切割工序進行的。此時，所使用的切割膠帶大致分為壓敏型與UV型。壓敏型膠帶通常是在聚氯乙烯系或聚烯烴系的底薄膜上塗敷粘合劑而成。該切割膠帶需要具有充分高的粘合力，以使在進行切斷時各元件不會因切割鋸(dicingsaw)的旋轉而飛散。另一方面，切割膠帶需要具有較低的粘合力，以在拾取時使粘接劑不會附著於各元件上，並且能夠在不損傷元件的情況下拾取。也就是說，切割膠帶根據工序不同而需要滿足相反的性能。為了滿足所涉及的要求，使用壓敏型切割膠帶時，準備粘合力公差小的符合元件尺寸與加工條件的各種粘合力的品種較多的粘接片，以在每一工序切換。此時，必須確保較多品種的庫存，導致庫存管理複雜。另外，在每一工序，還需要切換粘接片的作業。但是，近年來，半導體元件(特別是CPU與內存)趨向於大容量化，半導體元件傾向於大型化。進一步，對於IC卡或記憶卡等製品來說，所使用的內存正逐漸薄型化。隨著這些半導體元件的大型化與薄型化，以往的壓敏型切割膠帶變得無法滿足切割時的固定力(高粘合力)及拾取時的剝離力(低粘合力)這樣相反的要求。最近，還廣泛採用被稱為UV型的切割膠帶，其在切割時具有高粘合力，而在拾取前通過照射紫外線(UV)變成低粘合力，從而滿足上述相反的要求。但是，在使用UV型的切割膠帶的晶片背面粘貼方式中，至切割工序為止需要進行2次的薄膜粘貼工序，存在作業繁雜的問題。為了解決這樣的問題，提出過種種同時具有晶片固定功能與半導體元件粘接功能的晶片粘貼用粘合片(例如參照專利文獻1:特許第1987034號公報、專利文獻2:特開平8-239636號公報、專利文獻3:特開平10-8001號公報、專利文獻4:特開2002-212522號公報、專利文獻5:特開2004-43760號公報)。這些片是具有以一層實現上述粘接薄膜作用與切割膠帶作用的粘接接合層的粘接接合片。使用這些片時，可以實現所謂的直接管心焊接(diebonding),也就是說在切割工序後，在粘接接合劑殘存於晶片背面的狀態下，拾取半導體元件，將其安裝到引線框等後，通過加熱等固化粘接，因此可以省略塗敷粘接劑的工序。
發明內容發明要解決的技術問題但是，例如揭示於特許第1987034號公報及特開平8-239636號公報的粘接片，固化物中沒有能夠顯示優良耐熱性的物質，所以在組裝半導體封裝後的耐熱性等可靠性方面尚有改善的餘地。另外，例如揭示於特許第1987034號公報、特開平8-239636號公報及特開平10-8001號公報的粘接接合片中，為了提高保存穩定性配合有熱活性型潛在性環氧樹脂固化劑。然而，由於其固化劑為吸溼性，所以會因周圍環境的溼氣促進粘接片的固化，其結果可使用時間減少，所以還是需要注意保存條件等。進一步，例如揭示於特開平10-8001號公報、特開2002-212522號公報及特開2004-43760號公報的粘接片，使用種種光反應性單體，其目的在於通過光照射使粘接接合層發生固化，以降低與半導體晶片的粘附力。然而，其光反應性單體由於照射紫外線後的耐熱性較低，所以加熱時的粘接力(熱粘接力)及耐回流性尚有改善的餘地。如此，以往的粘接接合片雖然有利於半導體裝置製造工序的簡化，但並不能充分地滿足半導體封裝中要求的特性，例如即使在苛刻的溼熱條件(例如85°C、85%RH、168小時)後的IR回流中，也可以保持充分的粘接性，顯示良好的耐回流性。本發明是鑑於上述現有技術中存在的問題而進行的，目的在於提供一種在切割工序中能夠充分有效地顯示作為切割膠帶的功能，而在接合半導體元件與支撐構件的工序中，則具有十分優良的連接可靠性的粘接接合片。另外，本發明的目的在於提供一種具有在半導體元件搭載用支撐構件上安裝熱膨脹係數差較大的半導體元件時所要求的耐熱性及耐溼性，且作業性優良的粘接接合片。本發明的再一個目的在於提供一種可以簡化半導體裝置製造工序的製造方法。解決問題的技術方案本發明涉及以下內容1.一種粘接接合片，其是具有光透過性支撐基材與粘接接合層的，用於切割工序及半導體元件粘接工序雙方的粘接接合片，所述粘接接合層包括(A)含有官能團的重均分子量為IO萬以上的高分子量成分；(B)環氧樹脂；(C)酚系環氧樹脂固化劑；(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250'C以上的光反應性單體；以及(E)通過照射波長200450nm的紫外線而產生鹼及自由基的光引發劑。2.上述的粘接接合片，其中，所述(A)含有官能團的重均分子量為IO萬以上的高分子量成分，是含有佔高分子量成分總量的0.56質量％的含環氧基重複單元的(甲基)丙烯酸類共聚物。3.上述的粘接接合片，其中，含有100重量份的所述(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分、及5250重量份的所述(B)環氧樹脂；所含有的所述(C)酚系環氧樹脂固化劑的量為，相對於所述(B)環氧樹脂中的每1個環氧基，所述(C)酚系環氧樹脂固化劑中的酚性羥基的當量比在0.51.5的範圍；含有5100重量份的所述(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250°C以上的光反應性單體、以及0.120重量份的所述(E)通過照射波長200450nm的紫外線而產生鹼及自由基的光引發劑。4.上述的粘接接合片，其中，所述支撐基材的表面自由能為50mN/m以下。5.上述的粘接接合片，其中，所述支撐基材在25。C的彈性模量為lOOOMPa以下。6.上述的粘接接合片，其中，所述支撐基材在常溫的屈服伸長為20%以上。7.上述的粘接接合片，其中，對於所述支撐基材的所述粘接接合層照射紫外線後的90。剝離粘接強度為10N/m以下。8.上述的粘接接合片，其中，所述粘接接合層在25'C的膠粘強度為15gf以上。9.上述的粘接接合片，其中，所述支撐基材滿足下述公式(a)所示的條件。(製作粘接接合片時的複製溫度(Tl)x複製溫度下的線膨脹係數(al))—(常溫(T2)x常溫下的線膨脹係數(a2))^7000ppm(a)10.—種半導體裝置，具備使用上述的粘接接合片，粘接半導體元件與半導體搭載用支撐構件而成的構件。11.一種半導體裝置的製造方法，包括以下工序(1)將上述的具有粘接接合層和支撐基材的粘接接合片，經由所述粘接接合層粘貼於半導體晶片上的工序；(2)切割所述半導體晶片，形成附粘接接合層晶片的工序；(3)對所述附粘接接合層晶片上的所述粘接接合層照射紫外線，固化其粘接接合層，形成附粘接接合層半導體元件，將所述支撐基材從該附粘接接合層半導體元件上剝離的工序；以及(4)經由所述粘接接合層，粘接所述剝離支撐基材之後的所述附粘接接合層半導體元件與半導體元件搭載用支撐構件的工序。有益效果本發明的光固型粘接接合片，由於具有上述構成，其常溫粘貼性、切割性及耐回流開裂性優異，所以可適宜地作為用來固定電子材料的粘接接合樹脂。圖1是表示本發明的粘接接合片的剖面模式圖。圖2是表示本發明的粘接接合片的例的平面圖。圖3是表示圖2的(b)的X-X剖面圖。圖4是表示關於本發明的粘接接合片的層構成的一例的剖面模式圖。圖5是表示接觸角的測定方法的剖面模式圖。圖6是表示彈性模量的測定方法的模式圖及表示屈服伸長的定義方法的圖表。圖7是表示將本發明的粘接接合片層壓於晶片上的樣子的剖面模式圖。圖8是表示90。剝離強度測定方法的立體圖及其剖面模式圖。圖9是表示膠粘負荷測定方法的剖面模式圖。圖10是表示關於本發明的粘接接合片的使用形態的一例的剖面模式圖。符號說明1:粘接接合片2:支撐基材3:粘接接合層4:保護薄膜5:周邊部6:液體試樣(水及碘化亞甲基)7:測定樣品8:環9:半導體晶片10:切割鋸11:吸嘴12:半導體元件搭載用基板13:密封材料14:焊珠15:引線16:半導體裝置17:探針91、92、93:半導體晶片A:半導體晶片e:接觸角具體實施例方式本發明的粘接接合片1,具有如圖1所示在光透過性支撐基材2上面設置了粘接接合層3的構造，也可以因需要而層疊粘接接合層的保護薄膜4。圖2是表示本發明的粘接接合片的例的平面圖。可以是如圖2(a)所示在整個支撐基材上設置粘接接合層，也可以是圖2(b)所示的粘接接合層被預先加工成作為被粘接對象的半導體晶片的形狀(圖2中未圖示保護薄膜)。圖3是表示圖2的(b)的X-X剖面圖。在這些圖中，多片粘接接合層3被預先切成比半導體晶片稍大的形狀(預切)，層疊在長條的支撐基材2上。周邊部5是將該長條的粘接接合片巻成滾筒狀等時，為了防止僅在具有粘接接合層的片的中心部發生膨脹而設置的厚度調整部。厚度調整部可以是與粘接接合層3相同的材質，也可以是在粘接接合層3上層疊非常薄的層而成，或者也可以是由完全不同的材質形成。作成這種長條的片時，粘接接合片的寬度只要是可以粘貼半導體晶片即可，並沒有特別的限制。從作業性及生產率等方面來看，該粘接接合片的寬度以比8英寸晶片、12英寸晶片等的大小寬110cm較佳，以寬38cm更佳。粘接接合片的長度可以根據切割裝置等自由地設定。但是，粘接接合片的長度若太短，則交換變得繁雜，若太長則有可能勒緊滾筒中心部的粘接接合片而導致厚度與形狀變形。因此，粘接接合片的長度通常以10m200m較佳，3070m程度更佳。在本發明的粘接接合片中，作為粘接接合層的具體例，可舉出包括(A)含有官能團的重均分子量為IO萬以上的高分子量成分、(B)環氧樹脂、(C)酚系環氧樹脂固化劑、(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250'C以上的光反應性單體及(E)通過照射波長200450nm的紫外線而產生鹼及自由基的光引發劑。下面，在本說明書中有時將這些成分分別簡稱為(A)高分子量成分、(B)環氧樹脂、(C)環氧樹脂固化劑、(D)光反應性單體及(E)光引發劑，或只是記為(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分及(E)成分。至於如上所述的粘接接合片可以解決上述課題的原因，被推測為如下(1)(3)所述。首先，(l)認為是由於(A)含有官能團的重均分子量為IO萬以上的高分子量成分與(B)環氧樹脂不相溶，容易獲得所謂的海島構造，所以可以得到良好的低彈性、粘接性、作業性及高溫時的可靠性。另外，(2)認為是由於並用(C)酚系環氧樹脂固化劑與(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250'C以上的光反應性單體，所以耐熱性、耐回流性優良。進一步，(3)認為是因為可以得到反應性與保存穩定性並存的薄膜。也就是說，認為是由於在(C)環氧樹脂固化劑及(D)光反應性單體存在的條件下，使用(E)通過照射波長200450nm的紫外線而產生鹼及自由基的光引發劑，所以在沒有光照射的狀態下，環氧樹脂及光反應性單體幾乎不反應，因此保存穩定性優良。另一方面，認為如果照射光，則在促進(D)光反應單體的光反應的同時，產生環氧樹脂的固化促進劑，所以如果在其狀態進行加熱，就可以順利地進行環氧樹脂的固化反應。以下，針對各成分進行更具體的說明。作為(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分，從提高粘接性的方面考慮，優選含有縮水甘油基等環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羧基、羥基、環硫化物(episulphide謹等官能團，其中，從交聯性的方面考慮更優選縮水甘油基。具體而言，(A)成分可以舉出作為原料單體使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯進行共聚而得到的，重均分子量為10萬以上的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸類共聚物。另外，從耐回流性的方面考慮，優選(A)成分為不與環氧樹脂相溶。但是，相溶性僅靠(A)高分子量成分的特性是不能決定的，所以應該選擇兩者不相溶的組合。另外，在本發明中，上述含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸類共聚物，是表示含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物與含有縮水甘油基的甲基丙烯酸類共聚物雙方的用語。作為這樣的共聚物，例如可以使用(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡膠等，優選丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠是以丙烯酸酯作為主要成分，主要是由丙烯酸丁酯及丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯及丙烯腈等的共聚物等構成的橡膠。作為共聚物單體，例如可舉出丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯腈等。選擇縮水甘油基作為官能團時，優選使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為共聚物單體。這種重均分子量為10萬以上的含縮水甘油基(甲基)丙烯酸類共聚物，可以是從上述單體中選擇適宜的單體來製造，也可以是使用市場上銷售的產品(例如NagaseChemtexCorporation公司制HTR誦860P-3、HTR-860P-5等)。對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分來說，官能團的數目會影響到交聯密度，所以是重要的，依據使用的樹脂也不同。例如所得高分子量成分為多種單體的共聚物時，作為原料使用的含官能團單體的量，優選相對於共聚物總量為0.56.0質量％程度。使用含縮水甘油基丙烯酸類共聚物作為(A)成分時，作為原料使用的丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等的含縮水甘油基單體的量，相對於共聚物總量以0.50.6質量°/。較佳，以0.55.0質量％更佳，以0.85.0質量%最佳。含縮水甘油基單體的量若處於該範圍，縮水甘油基就發生緩和的交聯，所以能夠確保粘接力，同時還防止發生凝膠化。另外，由於會變得與(B)環氧樹脂不相溶，所以應力緩和性優良。在合成含縮水甘油基(甲基)丙烯酸類共聚物時，也可以使用將其它官能團引入丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等而成的單體。此時的混合比率，考慮含縮水甘油基(甲基)丙烯酸類共聚物的玻璃轉移溫度(以下稱"Tg"沐決定，其Tg優選為-l(TC以上。這是因為Tg若為-10。C以上，則在B階狀態的粘接接合層的膠粘性就適當，操作性方面不會產生問題。使上述單體聚合，得到含縮水甘油基丙烯酸類聚合物，作為(A)包含官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分時，其聚合方法沒有特別的限制，例如可以使用成珠聚合、溶液聚合等方法。在本發明中，(A)高分子量成分的重均分子量為IO萬以上，但以30萬300萬較佳，以40萬250萬更佳，以50萬200萬最佳。重均分子量若位於此範圍，則製成片狀或薄膜狀時的強度、可撓性及膠粘性變得適當，另外，由於流動性變得適當，所以可以確保配線的電路填充性。而且，在本發明中，所謂重均分子量是以凝膠滲透色譜法進行測定，使用標準聚苯乙烯標準曲線換算得到的值。使用於本發明的(B)環氧樹脂，只要固化而具有粘接作用即可，並沒有特別限制，例如可以廣泛使用揭示於環氧樹脂手冊(新保正樹編，日刊工業新聞社)等的環氧樹脂。具體而言，例如可以使用雙酚A型環氧樹脂等二官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂與甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，可以使用眾所周知的多官能環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環環氧樹脂或脂環族環氧樹脂等。作為雙酚A型環氧樹脂，可舉出油化殼牌環氧樹脂公司制EPIKOTE807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009，Dow化學公司制DER-330、301、361，東都化成株式會社制YD8125、YDF8170等。作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可舉出油化殼牌環氧樹脂公司制EPIKOTE152、154，日本化藥株式會社制EPPN-201，Dow化學公司制DEN-438等。另外，作為鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，可舉出日本化藥株式會社制EOCN-102S、103S、104S、1012、1025、1027，東都化成株式會社制YDCN701、702、703、704等。作為多官能環氧樹脂，可舉出油化殼牌環氧樹脂公司制Eponl031S，汽巴特殊化學品公司制愛牢達0163，Nagase化成株式會社制DENAKORUEX-6U、614、614B、622、512、521、421、411、321等。作為胺型環氧樹脂，可舉出油化殼牌環氧樹脂公司制EPIKOTE604，東都化成株式會社制YH-434,三菱瓦斯化學株式會社制TETRAD-X、TETRAD-C，住友化學株式會社制ELM-120等。作為含雜環環氧樹脂，可舉出汽巴特殊化學品公司制愛牢達PT810等，UCC公司制ERL4234、4299、4221、4206等。這些環氧樹脂可以單獨或組合2種以上使用。另外，在本發明中，為了賦予高粘接力，優選使用雙酚A型環氧樹脂及苯酚酚醛清漆型環氧樹脂作為(B)環氧樹脂。本發明的(B)環氧樹脂的使用量，相對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分100重量份，以5250重量份較佳。(B)環氧樹脂的使用量若位於此範圍，則可以確保彈性模量及抑制成型時的流動性，另外，也可以充分地得到在高溫的操作性。(B)環氧樹脂的使用量以10100重量份更佳，以2050重量份特佳。如上所述，(B)環氧樹脂優選不與(A)高分子量成分相溶。使用於本發明的(C)酚系環氧樹脂固化劑，通過與環氧樹脂組合，所得粘接接合層在高溫高壓下的耐衝擊性優異，即使在苛刻的熱吸溼條件下也可以保持充分的粘接物性，因此是有效的。作為這樣的(C)成分，例如可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂或甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂等。更具體而言，例如可舉出大日本油墨化學工業株式會社制商品名PHENORITELF2882、PHENORITELF2822、PHENORITETD-2090、PHENORITETD-2149、PHENORITEVH-4150、PHENORITEVH4170等，這些可以單獨或組合2種以上使用。在本發明中，為了賦予粘接層以吸溼時的耐電蝕性，(C)成分的使用量，以相對於(B)環氧樹脂的1個環氧基，(C)酚系環氧樹脂固化劑的酚性羥基的當量比成為0.51.5的範圍較佳，形成0.8L2的量更佳。當量比過大或過小，都會導致樹脂的固化(交聯)不充分，玻璃轉移溫度不會變高，使固化劑的耐溼性與高溫的電氣特性等有劣化的傾向。就本發明的粘接接合片來說，如果使用(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250'C以上的光反應性單體，則照射紫外線後的耐熱性較高，所以熱時粘接力及耐回流性變佳。測定(D)成分的Tg的方法如以下所述。首先，在(D)成分中添加光引發劑，並照射紫外線，將得到的固化物成形為5x5mm程度大小的矩形，製作樣品。將製作的樣品由日本精工儀器株式會社制的熱分析系統(商品名EXSTRA6000)，利用壓縮模式測定而確定Tg。Tg若為250°C以上，則粘接接合層的耐熱性將非常優良，可以承受耐回流開裂性評價中的25(TC以上的熱。因此，粘接接合層的耐回流開裂性良好。由此點，(D)成分的固化物的Tg以200'C以上較佳，25(TC以上更佳。進一步，該Tg以對應無鉛焊料的26(TC以上較佳。另外，Tg若為太高，則照射紫外線後的粘接接合片在常溫下的粘貼性會有劣化的傾向，所以上限以35(TC程度較佳。作為(D)成分的具體例，可舉出例如季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三聚異氰酸環氧乙烷改性三丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯等。這些光反應性單體，可以單獨或組合2種以上使用。從照射紫外線後的殘存單體的觀點來看，即使為多官能，也以二季戊四醇六丙烯酸酯與二季戊四醇五丙烯酸酯等較佳。具體而言，可舉出新中村化學公司制A-DPH、A-9300等。而且，使用多種(D)成分時，其Tg是用上述測定方法測定其混合物時的Tg，而不需要各單體的Tg在25(TC以上。本發明的(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為25(TC以上的光反應性單體的使用量，相對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分100重量份，以5100重量份較佳。配合量若為5重量份以上，則容易發生照射紫外線引起的光反應性單體的聚合反應，所以存在拾取性提高的傾向。相反，若多於IOO重量份，則高分子量成分的低彈性起不到作用，薄膜變脆，存在耐溼性與高溫的電氣特性等劣化的傾向。由同樣的觀點來看，(D)成分的使用量相對於(A)成分100重量份，以1070重量份更佳，以2050重量份最佳。本發明的(E)通過照射波長200450nm的紫外線而產生鹼與自由基的光引發劑，一般是被稱為a-氨基酮化合物的物質。這種化合物被揭示於例如J.Photopolym.Sci.Technol，Vol.l3，Nol2001等，若照射紫外線，則會發生如下式所示的反應。formulaseeoriginaldocumentpage14-氨基酮化合物，由於在照射紫外線之前並不存在自由基，所以不會發生光反應性單體的聚合反應。另外，由於空間位阻所以也不會促進熱固性樹脂的固化。但是，通過照射紫外線，引起a-氨基酮化合物的離解，隨著自由基的產生，發生光反應性單體的聚合反應。另外，通過a-氨基酮化合物的離解，空間位阻降低，形成活性化胺。因此，胺將具有促進熱固性樹脂的固化的作用，認為通過之後的加熱起到促進固化的作用。這樣，由於在照射紫外線之前，自由基與活性化胺較難存在，所以就可以提供在室溫的保存穩定性非常優良的粘接接合片。另外，由於通過照射紫外線產生的自由基及胺的構造，會影響光反應性單體與環氧樹脂的固化速度，所以可以根據所使用的(B)成分、(C)成分及(D)成分的種類，來決定(E)光鹼產生劑。作為(E)光鹼產生劑，可以使用例如2-甲基-l(4-(硫代甲基))苯基-2-嗎啉代基丙垸-l-酮(汽巴特殊化學品公司制Irgacure907)、2-節基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代基苯基)-丁酮-l-酮(汽巴特殊化學品公司制Irgacure369)、六芳基雙咪唑衍生物(滷原子、烷氧基、硝基、氰基等取代基取代在苯基上也可)、苯並異惡唑酮衍生物等。除了上述鹼產生劑外，也可以使用通過光Fries重排、光Cloisen重排與Curtius重排、Stevens重排產生鹼的方法。上述鹼產生劑除了作為分子量500以下的低分子化合物使用外，使用導入高分子的主鏈及側鏈的化合物也可。此時的分子量，從作為粘接接合劑的粘接接合性、流動性的觀點來看，以重均分子量為1000100000較佳，以500030000更佳。在本發明的粘接接合片中，(E)光鹼產生劑的使用量，對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分100重量份，以0.120重量份較佳。若比0.1重量份少，則反應性差而有可能使應當聚合的單體殘留下來。若比20重量份多，則聚合反應引起的分子量增加會不佳，存在較多低分子量成分，所以有可能對耐回流性帶來影響。從而，(E)成分的使用量，更佳的是0.515重量份，最佳的是15重量份。其次，除了上述(A)(E)成分以外，針對可含在粘接接合層的成分加以說明。形成本發明的粘接接合片的粘接接合層中，出於提高可撓性與耐回流開裂性的目的，可以添加(F)與環氧樹脂具有相溶性的高分子量樹脂。作為這種高分子量樹脂，從提高可靠性的觀點來講，優選為不與(A)高分子量成分相溶的樹脂，例如可舉出苯氧基樹脂、高分子量環氧樹脂、超高分子量環氧樹脂等。這些也可以單獨或組合2種以上使用。當使用與(A)高分子量成分具有相溶性的樹脂作為(B)環氧樹脂時，若使用(F)與環氧樹脂具有相溶性的高分子量樹脂，貝U由於(B)環氧樹脂更容易與(F)成分相溶，所以結果有可能將(B)環氧樹脂與(A)高分子量成分變成不相溶。與環氧樹脂具有相溶性的高分子量樹脂的使用量，相對於環氧樹脂及酚系環氧樹脂固化劑的合計100重量份，以40重量份以下較佳。若為此範圍，則可以確保環氧樹脂層的Tg。另外，在形成本發明的粘接接合片的粘接接合層中，出於提高其操作性、提高熱傳導性、調整溶融粘度及賦予觸變性等的目的，也可以添加無機填料。作為無機填料，沒有特別的限制，可舉出例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶性二氧化矽、非結晶性二氧化矽等。填料的形狀沒有特別的限制。這些填料可以單獨或組合2種以上使用。其中，為了提高熱傳導性，以氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性二氧化矽、非結晶性二氧化矽等無機填料較佳。另外，為了調整溶融粘度及賦予觸變性，以氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、結晶性二氧化矽、非結晶性二氧化矽等無機填料較佳。另外，為了提高薄膜熱時的流動性，使用納米填料更佳。無機填料的使用量，相對於粘接接合層100重量份，以140重量份較佳。若為1重量份以下，則存在無法得到添加效果的傾向，若超過40重量份，則可能引起粘接劑層的貯藏彈性模量上升、粘接性降低、因殘存空隙而使電氣特性降低等問題。另外，在形成本發明的粘接接合片的粘接接合層中，為了使不同材料之間的界面良好地結合，也可以添加各種偶合劑。作為偶合劑，可舉出例如矽垸系、鈦系、鋁系等。作為上述矽烷系偶合劑，沒有特別的限制，可以使用Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、，甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽垸、，巰基丙基三甲氧基矽烷、Y-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽垸、3-脲基丙基三甲氧基矽垸等，也可以單獨或組合2種以上使用。具體的有日本尤尼卡公司制A-189、A-U60。上述偶合劑的使用量，從效果與耐熱性及成本方面來看，相對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分100重量份，以0.0110重量份較佳。在形成本發明的粘接接合片的粘接接合層中，為了吸附離子性雜質，提高吸溼時的絕緣可靠性，可以進一步添加離子捕獲劑。作為這樣的離子捕獲劑，沒有特別的限制，可舉出例如三嗪硫醇化合物、雙酚系還原劑等可防止銅變成離子溶出的作為銅害防止劑的化合物、鋯系、銻鉍系鎂鋁化合物等無機離子吸附劑等。上述離子捕獲劑的使用量，從添加帶來的效果與耐熱性、成本等觀點來看，對於(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分100重量份，以0.110重量份較佳。(粘接接合片的製造方法)本發明的粘接接合片，通過將形成粘接接合片的組合物溶解或分散於溶劑中製成漆，塗敷於基材薄膜上，加熱去除溶劑，就可以得到。也就是說，如圖4所示，首先，在保護薄膜4(也稱為脫模片)上，採用刮刀塗層法、輥塗法、噴霧塗層法、凹版塗層法、棒材塗層法、簾幕式塗層法等眾所周知的方法，塗敷將由上述成分構成的粘接接合劑的原料樹脂組合物溶解於有機溶劑等製成漆的物質，乾燥，形成粘接接合層3。然後，層疊光透過性支撐基材2，就可以得到由脫模片(保護薄膜)、粘接接合層及光透過性支撐基材形成的粘接接合片1。或者，以同樣的方法在光透過性支撐基材上直接塗敷粘接接合劑組合物，乾燥，層疊保護薄膜，就可以得到由保護薄膜、粘接接合層及光透過性支撐基材形成的粘接接合片。作為使用於本發明的粘接接合片的光透過性支撐基材，可舉出例如聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜等塑料膜等。作為使用於本發明的粘接接合片的光透過性支撐基材，從支撐基材與粘接接合層的粘附力的方面來看，表面自由能優選為2050mN/m，進一步優選為3045mN/m。該表面自由能若比20mN/m低，則光透過性支撐基材與粘接接合層的界面的粘附力降低，在欲剝離保護膜時，粘接接合層的一部分有可能從支撐基材上剝離。另外，若比50mN/m大，則曝光後的支撐基材-粘接接合層與粘接接合層-保護薄膜之間較難產生剝離強度差，晶片固定強度變得過大，拾取性有可能變差。這裡，在本發明中，關於表面自由能測定，是使用協和界面化學株式會社制CA-Z型儀器，從對於測定樣品7的，由液體試樣6(水、碘化亞甲基)構成的液體試樣6的接觸角e的實測值(參照圖5)，按照下述式(1)(3)算出的值。72.8(1+cosei)=〔(21.8)1/2(Yd)1/2+(51.0)1/2(/)1/2)(1)50.8(1+cos02)=〔(48.5)1/2(力1/2+(2.3)1/2(/)1/2)(2)R=rd+/(3)(式中，上述ei是對於水的接觸角(deg)、e2是對於碘化亞甲基的接觸角(deg)、Y為表面自由能、/為表面自由能的分散成分、/為表面自由能的極性成分。)另外，作為使用於本發明的粘接接合片的光透過性支撐基材，從拾取性與切割性進而從複製性等方面來看，支撐基材的25'C的彈性模量以102000MPa較佳。若比lOMPa小，則具有較難維持作為支撐基材的性能的傾向，若超過2000MPa，則由於具有較難複製的傾向，所以有可能會對後來的拾取性造成影響。上述彈性模量從切割性的觀點考慮以501000MPa較佳，以17100500MPa更佳。而且，在本發明中，光透過性支撐基材的25'C的彈性模量是如下確定的。首先，使用Orientec株式會社制TENSILON,將樣品尺寸lcmx5cm的矩形薄膜在長度方向的兩端各lcm處固定，以測定速度100mm/min進行拉伸強度測定(參照圖6的(a))。使用橫軸伸長/%、縱軸應力/MPa的測定結果(參照圖6的(b))，將連接測定樣品開始拉伸時的點(原點)與對應於拉伸lmm時(3.3%)的點A的應力(點B)而成的直線的斜率作為支撐基材的彈性模量。進一步，作為使用於本發明的粘接接合片的光透過性支撐基材，為了平滑地膨脹需要考慮屈服伸長。所謂屈服伸長，是以百分率表示拉伸特性中的屈服點的伸長率的值。屈服伸長的值，以5100%以上較佳，以2080%以上更佳。屈服伸長若不到5%，則存在影響拾取性的傾向。這裡，在本發明中，是將上述彈性模量測定的測定結果(圖6(b))中的，對應於應力的第一峰值(點C)的伸長(點D)的值，作為光透過性支撐基材的屈服伸長。而且，作為使用於本發明的粘接接合片的光透過性支撐基材，若考慮作為片製品進行操作的情況等，則需要考慮線膨脹係數。支撐基材的線膨脹係數，從翹曲等觀點來看，優選滿足下述式(a)的條件。(製作粘接接合片時的複製溫度(Tl)x複製溫度下的線膨脹係數(al))—(常溫(T2)x常溫下的線膨脹係數(ct2))芸7000(單位；ppm)(a)公式(a)的左邊若超過7000ppm，則作為片製品使用時翹曲就會過大而導致操作性降低。由同樣的觀點，上述公式(a)的左邊若為5000ppm以下則更佳，3000ppm以下則最佳。而且，在本發明中，線膨脹係數al、a2(單位ppm〃C)，是採用日本精工儀器株式會社制熱分析系統(商品名EXSTRA6000)，使用樣品尺寸4mmxlcm的矩形薄膜，以升溫速度10°C/min、測定溫度從-20。C至180。C，按照拉伸模式測定而確定的。另外，公式(a)的"常溫"表示25。C。另外，作為上述用來製成漆的溶劑，只要是有機溶劑則沒有特別的限制，但可以從沸點考慮製作薄膜時的揮發性等來確定。具體而言，例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等沸點比較低的溶劑，在製作薄膜時薄膜的固化較難進行，因此是優選的。另外，出於提高塗膜性等目的，以使用例如二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮、環己酮等沸點比較高的溶劑較佳。這些溶劑可以單獨或組合2種以上使用。在添加無機填料時的漆的製造中，考慮無機填料的分散性，以使用研磨機、三根輥、球磨機及珠磨機等較佳，另外，也可以組合這些使用。另外，預先混合無機填料與低分子量的原料後，配合高分子量的原料的話，還可以縮短混合的時間。另外，製成漆後，還可以通過真空脫氣等去除漆中的氣泡。粘接接合層的厚度雖沒有特別限制，但以3200pm較佳。若比3pm薄，則存在應力緩和效果欠缺的傾向，若比200!am厚，則不僅不經濟，而且不符合半導體裝置小型化的要求。支撐基材的厚度雖沒有特別限制，但以5250pm較佳。若比5Mm薄，則在切割時在支撐基材上製作切口時，支撐基材有可能會斷開，若比250pm厚，則不經濟，所以是不優選的。粘接接合層與支撐基板的合計厚度通常為10250^im程度。支撐基材的厚度若設定成與粘接接合層相同或者稍微厚，則作業性佳。作為具體的厚度的組合，可以舉出粘接接合層/支撐基材Oim)為5/25、10/30、10/50、25/50、50/50、50/75等，可以根據使用的條件與裝置等適當決定。另外，本發明的粘接接合片，為了得到所希望的厚度，使加熱時的流動性提高，也可以在粘接接合片的粘接接合層側，粘貼2張以上另行製成的粘接接合劑。此時，需要有不至於發生粘接接合層之間的剝離的粘貼條件。若對如以上說明的構成的粘接接合片照射紫外線，則在照射紫外線後，支撐基材-粘接接合層間的粘接力將大大地降低，能夠容易地在保持粘接接合層於半導體元件上的狀態下，從支撐基材上拾取該粘接接合片。可以進行(測定溫度25'C的)卯。剝離粘接強度測定，作為測量本發明的粘接接合片的拾取性的簡易評價。在本發明中，90。剝離粘接強度測定可以是如下進行。首先如圖8(a)所示，將粘接接合片1層壓至晶片A上，然後製作lcm寬度的切口，切開支撐基材2，照射紫外線。然後，如圖8(b)所示，以拉伸速度300m/min進行粘接接合層/支撐基材界面的90。剝離拉伸試驗，K定90°剝離粘接強度。如此測定的90。剝離粘接強度，從拾取性的觀點來看，以20N/m以下較佳，以10N/m以下更佳。另外，也可以進行膠粘負荷測定(圖9)作為測量本發明的粘接接合片的常溫粘貼性的簡易評價。從操作性及常溫層壓性的觀點來看，膠粘負荷以5400gf較佳，進一步更佳的是10200gf。本發明的膠粘負荷測定，是使用RHESCA公司制膠粘度試驗機，利用揭示於JISZ0237-1991的方法，以測定條件探針17的直徑5.1mm4(、剝離速度10mm/sec、接觸負荷100gf/cm2、接觸時間ls，在25'C的環境下進行。本發明的粘接接合片是在切割工序完成後，把紫外線(UV)照射到粘接接合片上，使具有紫外線聚合性的粘接接合片聚合固化，從而降低粘接接合片與基材界面的粘接力，拾取半導體元件。以下利用圖io說明本發明的粘接接合片的使用方法的一例。圖10(a)中圖示了粘接接合片1，該粘接接合片1具備支撐基材2與在其上預先成形的形狀與晶片相同且面積稍大於晶片的粘接接合層3。其次，在粘接接合片1的粘接接合層3上，以室溫或邊加熱邊粘貼需要進行切割加工的半導體晶片9(圖10(b))，用切割鋸10切割(圖10(c)),根據需要可以加上清洗、乾燥的工序。此時，由於半導體元件可以充分地粘接和保持在粘接接合片上，所以在上述各工序期間，半導體元件不會脫落。接著，將放射線照射到粘接接合片上，使具有由放射線進行聚合的性質的粘接接合片聚合固化(圖10(d))。作為放射線，可舉出例如紫外線、電子射線、紅外線等。在圖10(d)表示了利用紫外線的例子。對於粘接接合片的紫外線照射，是從具有紫外線聚合性的粘接接合片的面進行，照度與照射量根據粘接接合片的組成而有所浮動，但照度通常為3100mW/cn^程度，照射量通常為801000mJ程度，目標為光反應性單體基本上聚合程度的照射量。此時，粘接接合片的支撐基材2必須具有紫外線透過性。也就是說，在本發明中所謂"光透過性支撐基材"是指可透過在該階段使用的放射線的支撐基材。然後，用吸嘴把切割得到的半導體元件91、92及93，與紫外線固化後的粘接接合層一起拾取(圖10(e))，在室溫或邊加熱至4015(TC邊壓接到半導體元件搭載用支撐構件12上(圖10(f))，加熱。通過加熱，粘接接合層發揮出可靠的粘接力，完成半導體元件91與半導體元件搭載用支撐構件12的粘接。而且，例如圖10(g)所示，通常半導體裝置在之後要經過打入(安裝)引線15的工序、用密封材料16密封的工序、與設置焊珠14的外部基板(主基板)電氣連接的工序等，由於途中經過1次或多次受熱過程，所以利用該受熱過程也可以進一步加熱固化上述粘接接合層。實施例以下，利用實施例說明本發明，但本發明並不限於這些實施例。(實施例1)加入HTR-860-P3(帝國化學產業株式會社制商品名，含縮水甘油基丙烯酸橡膠，分子量100萬，Tg-7'C)100重量份、YDCN-703(東都化成株式會社制商品名，鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量210)5.4重量份、YDF-8170C(東都化成株式會社制商品名，雙酚F型環氧樹脂，環氧當量157)16.2重量份、7。，LF2882(大日本油墨化學工業株式會社制商品名，雙酚A酚醛清漆樹脂)15.3重量份、NUCA-189(日本尤尼卡株式會社制商品名，，巰基丙基三甲氧基矽烷)O.l重量份、NUCA-1160(日本尤尼卡株式會社制商品名，Y-脲基丙基三乙氧基矽垸)0.3重量份、A-DPH(新中村化學工業株式會社制商品名，二季戊四醇六丙烯酸酯)30重量份、IRGACURE369(汽巴特殊化學品公司制商品名，2-苄基-2-二甲基氨基-l-(4-嗎啉代基苯萄-丁酮-l-酮1-369)1.5重量份、環己酮，攪拌混合，真空脫氣。將粘接劑漆塗敷於作為保護膜的厚度75pm的表面脫模處理聚對苯二甲酸乙二醇酯(帝人株式會社制，帝人滌特綸膜A-31)上，以8(TC、30分鐘加熱乾燥，得到粘接接合片。在該粘接接合片上配合厚度100pm的光透過性支撐基材(Lonseal公司制商品名、軟質聚烯烴膜POF-120A),通過層壓製作由保護膜(表面脫模處理聚對苯二甲酸乙二醇酯)、粘接接合層及光透過性支撐基材構成的粘接接合片。(實施例2)在粘接接合成分的配合比例中，除了將光反應性單體量(A-DPH)變更為50重量份以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例3)在配合粘接接合成分時，除了不添加矽垸偶合劑以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例4)除了將支撐基材從POF-120A替換為Gunze制的DDD(商品名)以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例5)除了將粘接接合成分的HTR-860-P3變更為HTR-860-P5(NagaseChemtex株式會社制商品名，含縮水甘油基丙烯酸橡膠，分子量80萬，Tg-l(TC)以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例6)在配合粘接接合成分時，除了不添加YDF-8170，而添加EXA-4850-150(大日本油墨化學株式會社制商品名，柔軟強韌性液狀環氧樹脂，環氧樹脂當量450)5.5重量份以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例7)在粘接接合成分的光反應性單體中，除了將IRGACURE369變更為IRGACURE907(汽巴特殊化學品公司制商品名，2-甲基-l(4-(硫代甲基)苯基-2-嗎啉代基丙烷-1-酮1-907)1.5重量份以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例8)除了將粘接接合成分的A-DPH替換為A-9300(新中村化學工業株式會社制商品名，乙氧基化三聚異氰酸三丙烯酸酯)30重量份以外，進行了與實施例1同樣的操作。(實施例9)除了將支撐基材從POF-120A替換為FHF-100(Thermo株式會社制，低密度聚對苯二甲酸乙二醇酯/醋酸乙烯酯/低密度聚對苯二甲酸乙二醇酯三層膜)以外，進行了與實施例1同樣的操作。(比較例1)除了將粘接接合成分的光反應單體A-DPH替換成BPE-200(新中村化學工業株式會社制商品名，2.2-雙〔4-(甲基丙烯醯氧基*二乙氧基)苯基〕丙垸)以外，進行了與實施例1同樣的操作。(比較例2)除了將粘接接合成分的光反應單體A-DPH替換成FA-321M(日立化成株22式會社制商品名，環氧乙垸改性雙酚A二甲基丙烯酸酯)30重量份以外，進行了與實施例1同樣的操作。(比較例3)除了不添加粘接接合成分的光反應性單體以外，進行了與實施例1同樣的操作。(比較例4)在粘接接合成分的配合中，除了不添加光引發劑以外，進行了與實施例l同樣的操作。將以上實施例及比較例的評價所涉及的組成等示於表l、2。實施例及比較例的評價是採用以下的評價方法。將結果示於表3、4。(1)常溫粘貼性將粘接接合片粘貼於放置在晶片架上的厚度280^im的矽晶片上，評價常溫粘貼性。"A"表示粘貼性良好。(2)切割後的晶片飛散將粘接接合片粘貼於厚度280pm的矽晶片上，將附粘接接合片的矽晶片載置於切割裝置上。接著，將半導體晶片固定於切割裝置上，以10mm/sec的速度，切割成3.2mmx3.2mm的矩形後，計數因粘合力弱而從粘接接合片上剝離的半導體晶片的個數，進行評價。。拾取性將半導體晶片固定於切割裝置上，以10mm/sec的速度，切割成3.2mmx3.2mm的矩形後，使用Fusion公司制曝光機(商品名AEL-1B/M)，將照射體放置於照度50mW/cm2的地方，從粘接接合片的基材膜側照射8秒，評價是否可以將附粘接接合層的半導體晶片從光透過性支撐基材上拾取。A:基本上可以拾取全部的晶片。B:可以拾取的切割後的晶片佔5090%。C:切割後的晶片中可以拾取的晶片佔50%以下。(4)初期剪切粘接性將半導體晶片固定於切割裝置上，以10mm/sec的速度，切割成3.2mmx3.2mm的矩形後，照射紫外線，將附粘接接合層的半導體晶片從光透過性支撐基材上拾取後，以18(TC、2MPa、30sec的條件管心焊接到有機基板(PSR-4000、SR-AUS5、0.2mm厚度)上，施加175。C、5小時的後固化處理，得到評價樣品。將該評價樣品在265"C的熱板上保持30sec後，測定晶片與有機基板間的剪切粘接強度。(5)耐回流開裂性使用粘接接合片，將半導體晶片在配線基板上將粘接接合片以IO(TC、200gf、300sec的條件管心焊接後，使用密封劑(日立化成制CEL-9700-HF10)鑄模成特定形狀，然後以175"C、5小時加熱固化來封裝。把固化後的封裝在85i:/60n/。RH的條件下保管7天後，使封裝通過設定好溫度的IR回流爐，使封裝表面的最高溫度為26(TC並且可保持該溫度20秒，採用目測和超聲波顯微鏡觀察封裝中的開裂情況。此時記錄對IO個封裝的發生開裂的數目。A:未發生開裂的情況。B:發生了開裂的情況。表1tableseeoriginaldocumentpage25表2tableseeoriginaldocumentpage26表3tableseeoriginaldocumentpage27從以上結果可以知道，雖然實施例19能夠滿足常溫粘貼性、切割後的晶片飛散、拾取性、耐回流開裂性，但比較例1及比較例2由於光反應性單體通過照射紫外線得到的固化物的Tg較低，所以耐回流性的特性較差。比較例3由於不存在光反應性單體，所以照射紫外線後的拾取性較差，比較例4則由於不存在光引發劑，所以照射紫外線後的拾取性較差，進而可以知道由於存在未反應的光反應性單體，所以耐回流性較差。工業應用性本發明的光固型粘接接合片，由於具有上述構成，其常溫粘貼性、切割性及耐回流開裂性優異，所以可適宜地作為用來固定電子材料的粘接接合樹脂。權利要求1.一種粘接接合片，其是具有光透過性支撐基材與粘接接合層的，用於切割工序及半導體元件粘接工序雙方的粘接接合片，其中，所述支撐基材在25℃的彈性模量為1000MPa以下；所述粘接接合層包括含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分、環氧樹脂、環氧樹脂固化劑、光反應性單體和光引發劑；所述光反應性單體是通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250℃以上的光反應性單體。2.如權利要求l所述的粘接接合片，其中，所述高分子量成分是含有佔高分子量成分總量的0.56質量％的含環氧基重複單元的甲基丙烯酸類共聚物或丙烯酸類共聚物。3.如權利要求1或2所述的粘接接合片，其中，相對於100重量份的所述高分子量成分，所述環氧樹脂的含量是5250重量份。4.如權利要求1或2所述的粘接接合片，其中，所述支撐基材的表面自由能為50mN/m以下。5.如權利要求1或2所述的粘接接合片，其中，對於所述支撐基材的所述粘接接合層照射紫外線後的90。剝離粘接強度為10N/m以下。全文摘要一種粘接接合片，其是具有光透過性支撐基材與粘接接合層的，用於切割工序及半導體元件粘接工序雙方的粘接接合片，所述粘接接合層包括(A)含有官能團的重均分子量為10萬以上的高分子量成分；(B)環氧樹脂；(C)酚系環氧樹脂固化劑；(D)通過照射紫外線得到的固化物的Tg為250℃以上的光反應性單體；以及(E)通過照射波長200～450nm的紫外線而產生鹼及自由基的光引發劑。文檔編號C09J133/06GK101451054SQ20091000181公開日2009年6月10日申請日期2005年5月17日優先權日2004年5月18日發明者大久保惠介,稻田禎一申請人:日立化成工業株式會社