陣列基板及其製備方法、顯示面板與流程
2024-04-12 20:21:05
1.本技術涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其製備方法、顯示面板。
背景技術：
2.顯示屏的穿透率是顯示屏光學性能衡量的重要指標。陣列基板是顯示屏的重要組成部分，由於陣列基板上需要製作像素開關和驅動電路，因此陣列基板的穿透率將影響到顯示屏的整體穿透率，從而影響到液晶顯示屏整體的光學利用效果及背光選型成本。為提升陣列基板的穿透率，近年來業內進行了很多膜層架構的相關研究。例如，對膜層材料進行改進，但一些膜層材料的改變雖然提升了陣列基板的穿透率，但卻導致了信賴性方面的問題。
技術實現要素：
3.有鑑於此，本技術提供一種陣列基板及其製備方法、顯示面板，能夠提升陣列基板的穿透率，且不會影響到陣列基板的信賴性。
4.第一方面，本技術提供一種陣列基板，包括：
5.襯底基板，包括顯示區和位於所述顯示區至少一側的非顯示區；
6.薄膜電晶體，設置於所述襯底基板上，且所述薄膜電晶體位於所述顯示區內；
7.鈍化層，設置於所述薄膜電晶體和所述襯底基板上；
8.其中，所述鈍化層包括位於所述顯示區的第一鈍化層和位於所述非顯示區的第二鈍化層，所述第一鈍化層與所述第二鈍化層同層設置，且所述第一鈍化層的光穿透率高於所述第二鈍化層的光穿透率。
9.在本技術一可選實施例中，所述第一鈍化層的材料為氧化矽。
10.在本技術一可選實施例中，所述第二鈍化層的材料為氮化矽。
11.在本技術一可選實施例中，所述薄膜電晶體包括：有源層、柵極絕緣層、柵極、源極及漏極；其中，所述有源層設置於所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置於所述有源層上，所述柵極設置於所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置於所述柵極上，所述鈍化層設置於所述源極和所述漏極上。
12.在本技術一可選實施例中，所述薄膜電晶體包括：柵極、柵極絕緣層、有源層、源極及漏極；其中，所述柵極設置於所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置於所述柵極上，所述有源層設置於所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置於所述有源層上，所述鈍化層設置於所述源極和所述漏極上。
13.在本技術一可選實施例中，所述陣列基板還包括第一電極層和第二電極層，所述第一電極層設置於所述鈍化層靠近所述源極和所述漏極的一側，所述第二電極層設置於所述鈍化層遠離所述源極和所述漏極的一側。
14.第二方面，本技術提供一種陣列基板的製備方法，包括：
15.提供一襯底基板，所述襯底基板包括顯示區和位於所述顯示區至少一側的非顯示
區；
16.在所述襯底基板上形成薄膜電晶體，所述薄膜電晶體形成在所述顯示區內；
17.在所述薄膜電晶體和所述襯底基板上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成在所述顯示區內；
18.在所述襯底基板上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層形成在所述非顯示區內，且所述第二鈍化層與所述第一鈍化層同層設置；
19.其中，所述第一鈍化層的光穿透率高於所述第二鈍化層的光穿透率。
20.在本技術一可選實施例中，所述第一鈍化層的材料為氧化矽。
21.在本技術一可選實施例中，所述第二鈍化層的材料為氮化矽。
22.第三方面，本技術提供一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。
23.本技術提供一種陣列基板及其製備方法、顯示面板，本技術將陣列基板的鈍化層分成兩個區域，即位於顯示區的第一鈍化層和位於非顯示區的第二鈍化層，所述第一鈍化層的光穿透率高於所述第二鈍化層的光穿透率。本技術通過在所述陣列基板的顯示區採用具有更高穿透率的材料，以提高所述陣列基板的穿透率，且保證非顯示區的所述第二鈍化層正常阻擋外界水汽及雜質離子的能力，該陣列基板結構可以在保證陣列基板信賴性不受影響的情況下，提升陣列基板的穿透率，進而提升顯示面板的性能。
附圖說明
24.為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對於本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。
25.圖1為本技術一實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。
26.圖2為本技術一實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。
具體實施方式
27.下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本技術中的實施例，本領域技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本技術保護的範圍。
28.在本技術的描述中，需要理解的是，術語「上」、「下」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本技術的描述中，「多個」的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體地限定。
29.本技術可以在不同實施中重複參考數字和/或參考字母，這種重複是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施方式和/或設置之間的關係。
30.現有技術中為了提升陣列基板的穿透率，將陣列基板的鈍化層(pv層)整體替換成具有更高穿透率的材料，但由於位於顯示區的鈍化層的膜層影響到陣列基板的穿透率，而位於顯示區外圍的非顯示區的鈍化層的膜層影響到信賴性(即陣列基板抵抗外界水汽及雜質離子的能力)。在一些情況下，將鈍化層整體替換成更高穿透率的材料後，雖然陣列基板的穿透率明顯提升，但在非顯示區外界水汽及雜質離子容易通過鈍化層進入顯示區，從而使陣列基板的信賴性降低。
31.為解決上述問題，本技術提供一種陣列基板，能夠在保證陣列基板信賴性不受影響的情況下，提升陣列基板的穿透率。
32.本技術提供的所述陣列基板100包括：
33.襯底基板110，包括顯示區aa和位於所述顯示區aa至少一側的非顯示區ra；
34.薄膜電晶體120，設置於所述襯底基板110上，且所述薄膜電晶體120位於所述顯示區aa內；
35.鈍化層180，設置於所述薄膜電晶體120和所述襯底基板110上；
36.其中，所述鈍化層180包括位於所述顯示區aa的第一鈍化層181和位於所述非顯示區ra的第二鈍化層182，所述第一鈍化層181與所述第二鈍化層182同層設置，且所述第一鈍化層181的光穿透率高於所述第二鈍化層182的光穿透率。
37.本技術將陣列基板100的鈍化層180分成兩個區域，即位於顯示區aa的第一鈍化層181和位於非顯示區ra的第二鈍化層182，且所述第一鈍化層181的材料的光穿透率高於所述第二鈍化層182的材料的光穿透率，通過在所述顯示區aa採用具有更高穿透率的材料，以提高所述陣列基板100的顯示區aa的穿透率，且保證非顯示區ra的所述第二鈍化層182正常阻擋外界水汽及雜質離子的能力，該陣列基板100結構可有效提升陣列基板100的穿透率，且不影響陣列基板100的信賴性。
38.在本技術中，所述陣列基板100可以是a-si tft(非晶矽)、ltps tft(低溫多晶矽)、htps tft(高溫多晶矽)、ltpo tft(低溫多晶氧化物)、igzo tft(氧化銦鎵鋅-金屬氧化物)等類型的陣列基板。
39.在本技術中，所述薄膜電晶體120包括：柵極123、柵極絕緣層122、有源層121、源極124及漏極125；所述柵極123設置於所述襯底基板110上，所述柵極絕緣層122設置於所述柵極123的一側，所述有源層121設置於所述柵極123遠離所述柵極絕緣層122的一側，所述源極124和所述漏極125設置於所述有源層121上。所述薄膜電晶體120可以是底柵型結構，也可以是頂柵型結構。
40.在一些實施例中，所述陣列基板100還包括設置於所述襯底基板110靠近所述薄膜電晶體120一側的遮光層130(ls層)、設置於所述遮光層130遠離所述襯底基板110一側的緩衝層140(buffer層)、設置於所述源極124和所述漏極125靠近所述襯底基板110一側的層間絕緣層150(ild層)，設置於所述源極124和所述漏極125遠離所述襯底基板110一側的平坦層160(pln層)、設置於所述鈍化層180靠近所述源極124和所述漏極125的一側的第一電極層170(bito)、設置於所述鈍化層180遠離所述源極124和所述漏極125的一側的第二電極層190(tito)等膜層。
41.以下將結合具體實施例及附圖對本技術提供的陣列基板100進行詳細描述。
42.如圖1所示，為本技術一實施例提供的一種陣列基板100的結構示意圖。在本實施
例中，所述陣列基板100為ltps tft類型。
43.所述陣列基板100包括：襯底基板110、遮光層130、緩衝層140、薄膜電晶體120、層間絕緣層150、平坦層160、第一電極層170、鈍化層180、第二電極層190。
44.所述襯底基板110，包括顯示區aa和圍繞所述顯示區aa的非顯示區ra。
45.所述遮光層130，設置於所述襯底基板110的一側，且與所述薄膜電晶體120相對。
46.所述緩衝層140，設置於所述遮光層130遠離所述襯底基板110的一側。
47.進一步的，所述緩衝層140包括第一緩衝層141和第二緩衝層142，所述第一緩衝層141設置於所述遮光層130遠離所述襯底基板110的一側，所述第二緩衝層142設置於所述第一緩衝層141遠離所述遮光層130的一側。其中，所述第一緩衝層141的材料可以是氮化矽，所述第二緩衝層142的材料可以是氧化矽。
48.所述薄膜電晶體120，設置於所述緩衝層140遠離所述遮光層130的一側，且所述薄膜電晶體120位於所述顯示區aa內。具體的，如圖1所示，所述薄膜電晶體120包括：有源層121、柵極絕緣層122、柵極123、源極124及漏極125；所述有源層121設置於所述緩衝層140遠離所述遮光層130的一側，所述柵極絕緣層122設置於所述有源層121遠離所述緩衝層140的一側，所述柵極123設置於所述柵極絕緣層122遠離所述有源層121的一側，所述源極124和所述漏極125設置於所述柵極123遠離所述柵極絕緣層122的一側。
49.上述為頂柵型結構的薄膜電晶體120，在一些實施例中，所述薄膜電晶體120也可以是底柵型結構，底柵型結構的薄膜電晶體包括:柵極123、柵極絕緣層122、有源層121、源極124及漏極125；其中，所述柵極123設置於所述緩衝層140遠離所述遮光層130的一側，所述柵極絕緣層122設置於所述柵極123遠離所述緩衝層140的一側，所述有源層121設置於所述柵極絕緣層122遠離所述柵極123的一側，所述源極124和所述漏極125設置於所述有源層121遠離所述柵極絕緣層122的一側。
50.所述層間絕緣層150，設置於所述源極124和所述漏極125靠近所述柵極123的一側，且覆蓋所述柵極123。
51.進一步的，所述層間絕緣層150包括第一層間絕緣層151和第二層間絕緣層152，所述第一層間絕緣層151設置於所述柵極123遠離所述柵極絕緣層122的一側，並覆蓋所述柵極123，所述第二層間絕緣層152設置於所述第一層間絕緣層151遠離所述柵極123的一側。其中，所述第一層間絕緣層151的材料為氮化矽，所述第二層間絕緣層152的材料為氧化矽。
52.所述平坦層160，設置於所述源極124和所述漏極125遠離所述層間絕緣層150的一側，且覆蓋所述源極124和所述漏極125。
53.所述第一電極層170，設置於所述平坦層160遠離所述源極124和所述漏極125的一側。進一步的，所述第一電極層170可以是公共電極層。
54.所述鈍化層180，設置於所述第一電極層170遠離所述平坦層160的一側。所述鈍化層180包括位於所述顯示區aa的第一鈍化層181和位於所述非顯示區ra的第二鈍化層182，所述第一鈍化層181與所述第二鈍化層182同層設置，且所述第一鈍化層181的光穿透率高於所述第二鈍化層182的光穿透率。
55.具體的，所述第一鈍化層181的材料可以是氧化矽，所述第二鈍化層182的材料可以是氮化矽。氧化矽和氮化矽是陣列基板100中無機絕緣保護層的常用材料，通常情況下將氧化矽或氮化矽形成一整層膜覆蓋在所述薄膜電晶體120和所述襯底基板110上。但氧化矽
薄膜和氮化矽薄膜的性質有所不同，相比於氧化矽薄膜，氮化矽薄膜的緻密性更強，但光穿透率較低。當鈍化層180為一整層氮化矽薄膜時，雖然可保證鈍化層180阻隔水汽及雜質離子的能力，但氮化矽會影響到陣列基板100的穿透率；當鈍化層180為一整層氧化矽膜時，可明顯提升所述顯示面板的穿透率，但由於氧化矽薄膜阻隔水汽及雜質離子的能力的較差，外界水汽及雜質離子會通過位於所述顯示區aa外圍的非顯示區ra的氧化矽膜層進入到顯示區aa，從而使陣列基板100的信賴性降低。
56.因此，本技術將鈍化層180分成兩個部分，即所述顯示區aa採用氧化矽材料的第一鈍化層181，在非顯示區ra採用氮化矽材料的第二鈍化層182，第一鈍化層181與第二鈍化層182同層設置，如此，既可以使所述陣列基板100的顯示區aa的穿透率提升，又可以保證所述陣列基板100的非顯示區ra的鈍化膜阻擋外界水汽及雜質離子的能力，從而在保證陣列基板100信賴性的同時提升陣列基板100的穿透率。
57.所述第二電極層190，設置於所述鈍化層180遠離所述第一電極層170的一側。進一步的，所述第二電極層190可以是像素電極層。
58.本技術還提供一種陣列基板100的製備方法，包括：
59.提供一襯底基板110，所述襯底基板110包括顯示區aa和位於所述顯示區aa至少一側的非顯示區ra；
60.在所述襯底基板110上形成薄膜電晶體120，所述薄膜電晶體120形成在所述顯示區aa內；
61.在所述薄膜電晶體120和所述襯底基板110上形成第一鈍化層181，所述第一鈍化層181形成在所述顯示區aa內；
62.在所述襯底基板110上形成第二鈍化層182，所述第二鈍化層182形成在所述非顯示區ra內，且所述第二鈍化層182與所述第一鈍化層181同層設置；
63.其中，所述第一鈍化層181的光穿透率高於所述第二鈍化層182的光穿透率。
64.以下將結合具體實施例對本技術提供的陣列基板100的製備方法進行詳細描述。
65.所述陣列基板100的製備方法，包括如下步驟：
66.s1：提供一襯底基板110，所述襯底基板110包括顯示區aa和圍繞所述顯示區aa的非顯示區ra。具體的，所述襯底基板110可以為剛性基板或柔性基板，剛性基板的材料可以為玻璃，柔性基板的材料可以為聚合物，例如聚醯亞胺等。
67.s2：在所述襯底基板110上沉積遮光層130，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述遮光層130進行圖案化處理，以得到遮光層130圖案。
68.s3：在所述襯底基板110上沉積緩衝層140，且所述緩衝層140覆蓋所述遮光層130。所述緩衝層140的材料可以是氧化矽或氮化矽。
69.在一些實施例中，所述緩衝層140可包括多層膜層。例如，所述緩衝層140可包括第一緩衝層141和位於第一緩衝層141上的第二緩衝層142，其製備方法包括：首先在所述基板上沉積第一緩衝層141，且所述第一緩衝層141覆蓋所述遮光層130，然後在所述第一緩衝層141上沉積第二緩衝層142，所述第一緩衝層141的材料可以是氮化矽，所述第二緩衝層142的材料可以是氧化矽。
70.s4：在所述緩衝層140上沉積有源層121，所述有源層121材料為非晶矽a-si，通過準分子雷射退火(ela)工藝，將a-si轉變為多晶矽，形成多晶矽有源層121，然後通過構圖工
藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述有源層121進行圖案化處理，以得到有源層121的poly-si圖案。
71.s5：在所述有源層121上沉積柵極絕緣層122，且所述柵極絕緣層122覆蓋所述有源層121。
72.s6：在所述柵極絕緣層122上沉積柵極123，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述柵極123進行圖案化處理，以得到柵極123圖案。再利用所述柵極123作為掩膜，形成所述有源層121的重摻雜區和輕摻雜區。
73.s7：在所述柵極123上沉積層間絕緣層150，且所述層間絕緣層150覆蓋所述遮光層130，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述層間絕緣層150進行圖案化處理，在所述層間絕緣層150中形成第一過孔的圖案。所述層間絕緣層150的材料可以是氧化矽或氮化矽。
74.在一些實施例中，所述層間絕緣層150可包括多層膜層。例如，所述層間絕緣層150可包括第一層間絕緣層151和位於第一層間絕緣層151上的第二層間絕緣層152，其製備方法包括：首先在所述柵極123上沉積第一層間絕緣層151，且所述第一層間絕緣層151覆蓋所述柵極123，然後在所述第一層間絕緣層151上沉積第二層間絕緣層152，所述第一層間絕緣層151的材料可以是氮化矽，所述第二層間絕緣層152的材料可以是氧化矽。
75.s8：在所述層間絕緣層150上沉積源漏極金屬層，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對源漏極金屬層進行圖案化處理，形成所述源極124和所述漏極125的圖案。其中，所述源極124和所述漏極125通過所述第一過孔與所述有源層121電連接。
76.s9：在所述源極124和所述漏極125上沉積平坦層160，且所述平坦層160覆蓋所述源極124和所述漏極125，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述平坦層160進行圖案化處理，在所述平坦層160中形成第二過孔的圖案，所述第二過孔暴露出所述漏極125。
77.s10：在所述平坦層160上沉積第一電極層170，所述第一電極層170的材料可以是氧化銦錫(ito)，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述第一電極層170進行圖案化處理，以得到所述第一電極層170圖案，其中，所述第一電極層170上形成有貫穿所述第一電極層170且與所述第二過孔相通的孔。所述第一電極層170可以是公共電極。
78.s11：在所述第一電極層170上沉積第一鈍化層181，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述第一鈍化層181進行圖案化處理，去除位於所述非顯示區ra的第一鈍化層部分，以得到位於所述顯示區aa的第一鈍化層181圖案，且所述第一鈍化層181上形成有貫穿所述第一鈍化層181且與所述第二過孔相通的孔。所述第一鈍化層181的材料可以是氧化矽。
79.s12：在所述第一鈍化層181上沉積第二鈍化層182，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述第二鈍化層182進行圖案化處理，去除所述顯示區aa的第二鈍化層部分，以得到位於所述非顯示區ra的第二鈍化層182圖案。其中，所述第二鈍化層182與所述第一鈍化層181同層設置。所述第二鈍化層182的材料可以是氮化矽。
80.s13：在所述第一鈍化層181和所述第二鈍化層182上沉積第二電極層190，所述第二電極層190的材料可以是氧化銦錫(ito)，並通過構圖工藝(曝光、顯影、刻蝕)對所述第二電極層190進行圖案化處理，以得到所述第二電極層190的圖案，其中，所述第二電極層190通過所述第二過孔與所述漏極125電連接。所述第二電極層190可以是像素電極。
81.本技術還提供一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板100。
82.如圖2所示，為本技術一實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。
83.本實施例所提供的顯示面板為液晶顯示面板，但本技術所保護的顯示面板類型不限於此。
84.具體的，如圖2所示，所述顯示面板包括陣列基板100，與所述陣列基板100相對設置的彩膜基板200，位於所述陣列基板100與所述彩膜基板200之間的框膠300，位於所述陣列基板100、所述彩膜基板200及所述框膠300圍成的密封空間內的液晶層400，以及位於所述陣列基板100及所述彩膜基板200之間的支撐柱500。
85.其中，所述陣列基板100，包括：
86.襯底基板110，包括顯示區aa和位於所述顯示區aa至少一側的非顯示區ra；
87.薄膜電晶體120，設置於所述襯底基板上，且所述薄膜電晶體120位於所述顯示區aa內；
88.鈍化層180，設置於所述薄膜電晶體120和所述襯底基板110上；
89.其中，所述鈍化層180包括位於所述顯示區aa的第一鈍化層181和位於所述非顯示區ra的第二鈍化層182，所述第一鈍化層181與所述第二鈍化層182同層設置，且所述第一鈍化層181的光穿透率高於所述第二鈍化層182的光穿透率。
90.在一些實施例中，所述第一鈍化層181的材料為氧化矽，所述第二鈍化層182的材料為氮化矽。
91.在一些實施例中，所述薄膜電晶體120包括：柵極123、柵極絕緣層122、有源層121、源極124及漏極125；所述柵極123設置於所述襯底基板110上，所述柵極絕緣層122設置於所述柵極123的一側，所述有源層121設置於所述柵極123遠離所述柵極絕緣層122的一側，所述源極124和所述漏極125設置於所述有源層121上。所述薄膜電晶體120可以是底柵型結構，也可以是頂柵型結構。
92.在一些實施例中，所述陣列基板100還包括設置於所述襯底基板110靠近所述薄膜電晶體120一側的遮光層130(ls層)、設置於所述遮光層130遠離所述襯底基板110一側的緩衝層140(buffer層)、設置於所述源極124和所述漏極125靠近所述襯底基板110一側的層間絕緣層150(ild層)，設置於所述源極124和所述漏極125遠離所述襯底基板110一側的平坦層160(pln層)、設置於所述鈍化層180靠近所述源極124和所述漏極125的一側的第一電極層170(bito)、設置於所述鈍化層180遠離所述源極124和所述漏極125的一側的第二電極層190(tito)等膜層。
93.本技術提供一種陣列基板及其製備方法、顯示面板，本技術將陣列基板的鈍化層分成兩個區域，即位於顯示區aa的第一鈍化層和位於非顯示區ra的第二鈍化層，所述第一鈍化層的光穿透率高於所述第二鈍化層的光穿透率。本技術通過在所述陣列基板的顯示區aa採用具有更高穿透率的材料，以提高所述陣列基板的穿透率，且保證非顯示區ra的所述第二鈍化層正常阻擋外界水汽及雜質離子的能力，該陣列基板結構可以在保證陣列基板信賴性不受影響的情況下，提升陣列基板的穿透率，進而提升顯示面板的性能。
94.綜上所述，雖然本技術已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例並非用以限制本技術，本領域的普通技術人員，在不脫離本技術的精神和範圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本技術的保護範圍以權利要求界定的範圍為準。