RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構及製備方法
2024-04-05 22:19:05
專利名稱：RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構及製備方法
技術領域：
本發明屬於薄膜沉積技術領域，涉及一種RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構及 製備方法。
背景技術：
SiC材料憑藉其優異的物理特性和機械特性，已經成為空間用大口徑反射鏡基底 的首選材料之一。但直接拋光後的SiC基底反射鏡很難獲得較高質量的光學表面，其表面 光學散射仍較大，無法滿足高質量空間光學系統的應用需求，使空間光學系統很難達到理 想的解析度。為解決這一矛盾，就必須要對SiC基底反射鏡進行表面改性，設法提高其表面 的光學質量，以滿足空間光學系統對高解析度的迫切要求。所謂SiC基底表面改性就是要在SiC基底表面鍍制一層結合牢固且拋光性能良好 的相當厚度的緻密改性層，覆蓋住基底表面缺陷，然後再對緻密改性層進行光學精密拋光， 以達到獲得較高質量的光學表面的目的。SiC基底反射鏡表面改性常用的一種方法是通過 在基底表面製備一層Si改性層進行改性。SiC基底材料的製備方法很多，其中RB-SiC(反應燒結SiC)是目前國內工程上較 為常用的一種SiC反射鏡基底材料。由於製備工藝的原因，RB-SiC材料中通常含有10% 30%的游離矽，即RB-SiC基底材料由兩相成分組成(如圖1所示)。圖2所示為RB-SiC基 底表面500倍光學顯微鏡照片，深色部分為SiC材料，淺色部分為單質Si。研究和實踐表 明，直接用離子輔助製備Si改性層的方法對RB-SiC基底進行表面改性的效果並不是很理 想，其原因是在RB-SiC基底兩相成分上生長的Si改性層不均勻(如圖3所示)，RB-SiC基 底表面Si改性層的生長情況出現了擇優取向，在SiC和Si兩相成份上的生長情況明顯不 同，且其分布複製了原基底表面的情況。兩種情況下Si膜生長的成核密度相差較大，使得 在兩相成份上生長出的Si膜物理性質出現差別，這直接導致它們拋光特性上的差異。而這 必然導致改性層拋光特性不佳，影響最終的改性效果。雖然直接用離子輔助製備Si改性層的方法對RB-SiC基底反射鏡的改性效果不 佳，但由於RB-SiC製備成本較低，能夠做到近淨尺寸成型，且非常適於製備複雜輕量化結 構的大口徑反射鏡基底，這些綜合的性能優勢決定了其在未來航天應用中不可或缺的地 位。因此，為滿足高質量大口徑空間光學系統應用需求，針對RB-SiC基底本身的特性，設法 找到一種更佳的改性方法，以進一步提高RB-SiC基底表面改性的性能是勢在必行的。
發明內容
本發明要解決的一個技術問題是提供一種能夠進一步提高RB-SiC基底反射鏡表 面改性效果，以獲得更高質量的光學表面，滿足航天應用中高質量光學系統的相關應用需 求的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構。為了解決上述技術問題，本發明的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構包括對 RB-SiC基底表面Si相成分碳化後得到的SiC相成分，在RB-SiC基底SiC相成分12與Si相成分11碳化後得到的SiC相成分2表面製備的類金剛石膜緩衝層，在類金剛石膜緩衝層 上生長的均勻緻密的Si改性層。所述類金剛石膜緩衝層厚度為10 120nm。所述Si改性層厚度為15-25微米。本發明要解決的另一個技術問題是提供一種上述RB-SiC基底反射鏡表面改性層 結構的製備方法。為了解決上述技術問題，本發明的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方 法包括下述步驟一、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中； 將鍍膜機的真空室抽真空至1. 0X10_3 2. 0X10_3Pa ；在200 400°C溫度範圍內烘烤並 恆溫30 60分鐘；然後用放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行20 40 分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為25 35sCCm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到8 llsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為15 25sccm ；調節Kaufman離 子源使其屏極電壓在600 700V範圍內，束流達150 170mA，將CH4電離成活性C離子及 H離子，用C離子轟擊基底表面12 18分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相 成分發生反應而轉化成SiC，從而把RB-SiC基底表面的Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量參數條件不變，繼續同時 通入Ar氣和CH4氣體10 20分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到 類金剛石膜緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至25 35sCCm，調 節Kaufman離子源使其屏極電壓達550 650V，束流90 1 IOmA ；在此條件下，用電子束蒸 發Si膜料的方法，在類金剛石膜緩衝層上沉積15-25微米厚的Si改性層。本發明藉助離子注入手段，首先將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分，然 後再在SiC成分上生長一層類金剛石膜(DLC)緩衝層，最後結合高能離子輔助手段並應用 電子束蒸發Si膜料的方法在類金剛石膜(DLC)緩衝層上生長Si改性層。由於類金剛石膜 (DLC)緩衝層表面成分和特性單一，趨於一致，因而在此基礎之上生長的Si改性層較為致 密均勻，無明顯的擇優取向，改善了其拋光特性。特別是由於使用了高能量的Kaufman離子 源，其離子能量可達到700eV，能夠大大提高沉積粒子的能量，從而提高其在基底表面的遷 移率，使Si改性層生長得更加緻密、均勻，大大改善了其表面拋光特性，使拋光後基底表面 的光學質量得到較大提升，能夠滿足高質量空間光學系統的應用要求，這為RB-SiC基底反 射鏡的空間應用提供了有力的保障。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明。圖1現有技術的基底反射鏡表面改性層結構示意圖。圖2為RB-SiC基底表面500倍光學顯微鏡照片。圖3為現有技術的基底反射鏡表面改性層表面的500倍光學顯微鏡照片。
圖4為本發明的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構示意圖。圖5為採用本發明實施例3所述方法製備的RB-SiC基底反射鏡表面改性層表面 的500倍光學顯微鏡照片。圖6為採用本發明實施例3所述方法製備的RB-SiC基底反射鏡表面改性層拋光 後表面的500倍光學顯微鏡照片。
具體實施例方式如圖1所示，RB-SiC基底材料由SiC相成分12和Si相成分11組成，現有技術是 採用直接用離子輔助製備Si改性層的方法對RB-SiC基底進行表面改性，在RB-SiC基底兩 相成分上生長的Si改性層13不均勻。如圖4所示，RB-SiC基底材料由SiC相成分12和Si相成分11組成；本發明的 RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構包括對RB-SiC基底表面Si相成分11碳化後得到的SiC 相成分2，在RB-SiC基底SiC相成分12與Si相成分11碳化後得到的SiC相成分2表面制 備的類金剛石膜緩衝層3，在類金剛石膜緩衝層3上生長的均勻緻密的Si改性層4。所述類金剛石膜緩衝層3厚度為10nm、30nm、50nm、90nm或120nm。所述Si改性層4厚度為15、20、19或25微米。實施例1本發明的RB-SiC基底反射鏡結構的製備方法包括如下具體步驟一、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中； 將鍍膜機的真空室抽真空至1. OX 10_3Pa ；在200°C溫度範圍內烘烤並恆溫30分鐘；然後用 放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行20分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為 25sccm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到8SCCm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為15SCCm ；調節Kaufman離子源使其屏 極電壓達到600V，束流達150mA，將CH4電離成活性C離子及H離子，用C離子轟擊基底表 面12分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而將 RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量等參數條件不變，繼續同 時通入Ar氣和CH4氣體10分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類 金剛石膜(DLC)緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至2kccm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達550V，束流90mA ；在此條件下，用電子束蒸發Si膜料的方 法，在類金剛石膜(DLC)緩衝層上沉積15微米厚的Si改性層。此實施例條件下所製備的Si改性層，經拋光後表面粗糙度(rms)測試結果為 0.816nm。實施例2本發明的RB-SiC基底反射鏡結構的製備方法包括如下具體步驟—、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中；將鍍膜機的真空室抽真空至1. 5X 10 ；在200°C溫度範圍內烘烤並恆溫50分鐘；然後用 放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行40分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為 25sccm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到llsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為15sCCm ；調節Kaufman離子源使其 屏極電壓達到700V，束流達150mA，將CH4電離成活性C離子及氫離子，用C離子轟擊基底 表面16分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而 將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量等參數條件不變，繼續同 時通入Ar氣和CH4氣體12分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類 金剛石膜(DLC)緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至30sCCm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達560V，束流IOOmA ；在此條件下，用電子束蒸發Si膜料的方 法，在類金剛石膜(DLC)緩衝層上沉積20微米厚的Si改性層。此實施例條件下所製備的Si改性層，經拋光後表面粗糙度(rms)測試結果為 0.753nm。實施例3本發明的RB-SiC基底反射鏡結構的製備方法包括如下具體步驟—、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中； 將鍍膜機的真空室抽真空至1. 5 X 10 ；在300°C溫度範圍內烘烤並恆溫40分鐘；然後用 放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行30分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為 30sccm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到lOsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為20sCCm ；調節Kaufman離子源使其 屏極電壓達到700V，束流達160mA，將CH4電離成活性C離子及氫離子，用C離子轟擊基底 表面15分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而 將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量等參數條件不變，繼續同 時通入Ar氣和CH4氣體15分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類 金剛石膜(DLC)緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至30sCCm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達600V，束流IOOmA ；在此條件下，用電子束蒸發Si膜料的方 法，在類金剛石膜(DLC)緩衝層上沉積20微米厚的Si改性層。本實施例中的工藝參數是相關技術人員經過大量工藝實驗得到的，由圖4、圖5可 以看到，Si改性層生長的非常緻密均勻，拋光效果非常好。此實施例條件下所製備的Si改 性層，經拋光後表面粗糙度(rms)測試結果為0. 605nm。實施例4
本發明的RB-SiC基底反射鏡結構的製備方法包括如下具體步驟一、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中； 將鍍膜機的真空室抽真空至2. OX 10_3Pa ；在400°C溫度範圍內烘烤並恆溫60分鐘；然後用 放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行40分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為 35sccm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到llsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為25sCCm ；調節Kaufman離子源使其 屏極電壓達到800V，束流達170mA，將CH4電離成活性C離子及氫離子，用C離子轟擊基底 表面18分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而 將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量等參數條件不變，繼續同 時通入Ar氣和CH4氣體15分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類 金剛石膜(DLC)緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至3kccm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達650V，束流IlOmA;在此條件下，用電子束蒸發Si膜料的方 法，在類金剛石膜(DLC)緩衝層上沉積19微米厚的Si改性層。此實施例條件下所製備的Si改性層，經拋光後表面粗糙度(rms)測試結果為 0.837nm。實施例5本發明的RB-SiC基底反射鏡結構的製備方法包括如下具體步驟一、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中； 將鍍膜機的真空室抽真空至1. 7X 10 ；在350°C溫度範圍內烘烤並恆溫55分鐘；然後用 放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行23分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為 31sccm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減 小到llsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為21sCCm ；調節Kaufman離子源使其 屏極電壓達到750V，束流達160mA，將CH4電離成活性C離子及氫離子，用C離子轟擊基底 表面16分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而 將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜(DLC)緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分 後，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量等參數條件不變，繼續同 時通入Ar氣和CH4氣體14分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類 金剛石膜(DLC)緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至3kccm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達620V，束流95mA ；用電子束蒸發Si膜料的方法，在類金剛 石膜(DLC)緩衝層上沉積25微米厚的Si改性層。此實施例條件下所製備的Si改性層，經拋光後表面粗糙度(rms)測試結果為 0. 728nm0
權利要求
1.一種RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特徵在於包括對RB-SiC基底表面Si相 成分碳化後得到的SiC相成分O)，在RB-SiC基底SiC相成分(1 與Si相成分(11)碳化 後得到的SiC相成分( 表面製備的類金剛石膜緩衝層(3)，在類金剛石膜緩衝層C3)上生 長的均勻緻密的Si改性層(4)。
2.根據權利要求1所述的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特徵在於所述類金剛 石膜緩衝層⑶厚度為10 120nm。
3.根據權利要求1或2所述的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特徵在於所述 Si改性層(4)厚度為15-25微米。
4.一種如權利要求1所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於 包括下述步驟一、鍍膜條件準備將RB-SiC基底固定於鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝於坩堝中；將鍍 膜機的真空室抽真空至1. 0X10_3 2. 0X10_3pa ；在200 400°C溫度範圍內烘烤並恆溫 30 60分鐘；然後用放置於鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行20 40分鐘 離子清洗，Ar氣體積流量為25 35sCCm ；二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減小到 8 llsccm，同時將CH4氣體通入，CH4氣體體積流量為15 25sccm ；調節Kaufman離子源 使其屏極電壓在600 700V範圍內，束流達150 170mA，將CH4電離成活性C離子及H離 子，用C離子轟擊基底表面12 18分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分 發生反應而轉化成SiC，從而把RB-SiC基底表面的Si相成分碳化成SiC成分；三、製備類金剛石膜緩衝層將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分後，保持 Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH4氣體流量參數條件不變，繼續同時通入Ar 氣和CH4氣體10 20分鐘，多餘的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類金剛 石膜緩衝層；四、製備Si改性層停止通入CH4氣體，將Ar氣體積流量調節至25 3kccm，調節 Kaufman離子源使其屏極電壓達550 650V，束流90 IlOmA ；在此條件下，用電子束蒸發 Si膜料的方法，在類金剛石膜緩衝層上沉積15-25微米厚的Si改性層。
5.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於所 述步驟一中，真空室抽真空至1. OX 10』a ；烘烤溫度為200°C，恆溫30分鐘；在Ar氣體積 流量為25sCCm的條件下對基底進行20分鐘離子清洗；所述步驟二中，Ar氣的體積流量為8SCCm，CH4氣體體積流量為15sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為600V，束流為150mA，用C離子轟擊基底表面12分鐘；所述步驟三中，Ar氣的體積流量為8SCCm，CH4氣體體積流量為15sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為600V，束流為150mA，同時通入Ar氣和CH4氣體10分鐘；所述步驟四中，Ar氣體積流量為25SCCm，Kaufman離子源屏極電壓為550V，束流90mA ； 在類金剛石膜緩衝層上沉積15微米厚的Si改性層。
6.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於所 述步驟一中，真空室抽真空至1. 5 X 10 ；烘烤溫度為200°C，恆溫50分鐘；在Ar氣體積 流量為25sCCm的條件下對基底進行40分鐘離子清洗；所述步驟二中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為15sCCm ；Kaufman離子源屏極電壓為700V，束流為150mA，用C離子轟擊基底表面16分鐘；所述步驟三中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為15sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為700V，束流為150mA，同時通入Ar氣和CH4氣體16分鐘；所述步驟四中，Ar氣體積流量為30SCCm，Kaufman離子源屏極電壓為560V，束流IOOmA ； 在類金剛石膜緩衝層上沉積20微米厚的Si改性層。
7.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於所 述步驟一中，真空室抽真空至1. 5 X 10 ；烘烤溫度為300°C，恆溫40分鐘；在Ar氣體積 流量為30sCCm的條件下對基底進行30分鐘離子清洗；所述步驟二中，Ar氣的體積流量為lOsccm，CH4氣體體積流量為20sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為700V，束流為160mA，用C離子轟擊基底表面15分鐘；所述步驟三中，Ar氣的體積流量為lOsccm，CH4氣體體積流量為20sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為700V，束流為160mA，同時通入Ar氣和CH4氣體15分鐘；所述步驟四中，Ar氣體積流量為30SCCm，Kaufman離子源屏極電壓為600V，束流IOOmA ； 在類金剛石膜緩衝層上沉積20微米厚的Si改性層。
8.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於所 述步驟一中，真空室抽真空至2. OX ；烘烤溫度為400°C，恆溫60分鐘；在Ar氣體積 流量為35sCCm的條件下對基底進行40分鐘離子清洗；所述步驟二中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為25sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為800V，束流為170mA，用C離子轟擊基底表面18分鐘；所述步驟三中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為25sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為800V，束流為170mA，同時通入Ar氣和CH4氣體15分鐘；所述步驟四中，Ar氣體積流量為35SCCm，Kaufman離子源屏極電壓為650V，束流1 IOmA ； 在類金剛石膜緩衝層上沉積19微米厚的Si改性層。
9.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的製備方法，其特徵在於所 述步驟一中，真空室抽真空至1. 7 X KT3Pa ；烘烤溫度為350°C，恆溫55分鐘；在Ar氣體積 流量為31Sccm的條件下對基底進行23分鐘離子清洗；所述步驟二中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為2Isccm ；Kaufman離子 源屏極電壓為750V，束流為160mA，用C離子轟擊基底表面16分鐘；所述步驟三中，Ar氣的體積流量為llsccm，CH4氣體體積流量為21sCCm ；Kaufman離子 源屏極電壓為750V，束流為160mA，同時通入Ar氣和CH4氣體14分鐘；所述步驟四中，Ar氣體積流量為35SCCm，Kaufman離子源屏極電壓為620V，束流95mA ； 在類金剛石膜緩衝層上沉積25微米厚的Si改性層。
全文摘要
本發明涉及一種RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，該結構包括對RB-SiC基底表面Si相成分碳化後得到的SiC相成分，在RB-SiC基底SiC相成分與Si相成分碳化後得到的SiC相成分表面製備的類金剛石膜緩衝層，在類金剛石膜緩衝層上生長的均勻緻密的Si改性層。本發明藉助離子注入手段，首先將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分，然後再在SiC成分上生長一層類金剛石膜緩衝層，最後藉助高能離子輔助手段在類金剛石膜緩衝層上生長Si改性層，Si改性層較為緻密均勻，大大改善了其拋光特性，使拋光後基底表面的光學質量得到較大提升，為RB-SiC基底反射鏡的空間應用提供了有力的保障。
文檔編號C23C14/02GK102094179SQ20101061435
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月30日 優先權日2010年12月30日
發明者申振峰, 高勁松 申請人:中國科學院長春光學精密機械與物理研究所