發光元件及用於製造該發光元件的電子束沉積裝置的製作方法
2024-04-01 13:21:05
實施例涉及一種發光元件和一種用於形成該發光元件的電極層的電子束沉積裝置。
背景技術：
由於例如諸如寬且容易調整的帶隙能量的許多優點，所以諸如例如gan和algan的iii-v族化合物半導體被廣泛用於光電學和電子元件。
具體地，經由元件材料與薄膜生長技術的發展，例如使用iii-v族或ii-vi族化合物半導體的發光二極體或者雷射二極體的發光元件可以實現例如諸如紅、綠和藍以及紫外光之類的各種顏色的光，並且通過使用螢光材料或者通過組合顏色還可以實現具有高光視效能的白光。相比於諸如例如螢光燈和白熾燈的現有光源，這些發光元件具有低能耗、半永久性使用壽命、響應速度快、安全性良好以及環保特性的優點。
因此，發光元件的應用已經擴展至光通信裝置的傳輸模塊、發光二極體背光(其可以代替構成液晶顯示(lcd)裝置的背光的冷陰極螢光燈(ccfl))、白色發光二極體照明裝置(其可以代替螢光燈或者白熾燈泡、車頭燈以及信號燈)。
此外，由於發光二極體在例如可攜式電器或者照明裝置的光源方面的應用正在增加，所以最近已經研製出具有優異的光學特性及小尺寸的發光二極體。
雖然已經進行嘗試以通過減小發光結構的橫截面積來形成像素，從而實現小發光二極體，但是每個發光結構的厚度太大，以至於不能實現超薄型單位像素。
也就是說，在例如由藍寶石形成的襯底上生長上述發光二極體的發光結構。例如，在生長了發光襯底之後其中殘留有襯底的水平型發光元件以及在其中金屬支架被耦接至發光結構的一側且襯底被移除的垂直型發光元件的情形下，襯底或者金屬支架太厚，以至於無法形成超薄型像素。
此外，當設置在階梯部上的半導體層或金屬層的階梯覆蓋較差時，在超薄型像素中使用的小發光元件的性能可能劣化。
技術實現要素：
【技術問題】
因此，提供實施例以實現超薄型發光元件，該超薄型發光元件由於在電子束沉積裝置中設置的襯底固定器的改良結構而具有改良的沉積質量的金屬層。
由實施例所要實現的技術目的不限於上述技術目的，並且根據下文的描述，本領域技術人員將清晰地理解其它未提到的技術目的。
【技術方案】
實施例提供一種發光元件，包括：發光結構，其包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層；以及第一電極和第二電極，其被分別設置在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層上；其中，所述發光結構包括第一臺面區域，以及所述第一導電半導體層包括第二臺面區域，其中，所述第一電極包括：第一區域，位於所述第二臺面區域的部分上表面上；第二區域，位於所述第二臺面區域的側表面上；以及第三區域，被設置成從所述第二臺面區域的側表面的邊緣開始延伸，以及其中，所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域具有以下厚度比率：
d1:d2:d3＝1:0.9至1.1:1
(其中，d1是所述第一區域的厚度，d2是所述第二區域的厚度，d3是所述第三區域的厚度)。
另一個實施例提供一種形成第一電極的電子束沉積裝置，該裝置包括：熱電子發射器；源饋送器，包括沉積材料，將由所述熱電子發射器供應的熱電子來蒸發所述沉積材料；以及圓頂單元，其與所述源饋送器間隔開，並且被設置在所述源饋送器上方，其中，所述圓頂單元包括多個襯底固定器，以及其中，所述每個襯底固定器包括可變夾具，該可變夾具的傾斜角被調節。
【有益效果】
實施例的電子束沉積裝置包括可變夾具，因而能夠自由調節襯底被設置為固定到襯底固定器的角度。當使用這樣的電子束沉積裝置時，襯底可以相對於沉積金屬層時所供應的源而斜傾，由此，發光元件可以實現其階梯層處改良的階梯覆蓋。
附圖說明
圖1和圖2是示出發光元件的實施例的視圖。
圖3a是示出實施例的發光元件的透視圖。
圖3b是示出實施例的發光元件的平面圖。
圖4是示出電子束沉積裝置的實施例的視圖。
圖5是示出圓頂(dome)單元的上表面的視圖。
圖6是示出襯底固定器單元的實施例的視圖。
圖7和圖8是示出可變夾具的實施例的視圖。
圖9和圖10是示出固定夾具的實施例的視圖。
圖11是示出襯底固定器的實施例的視圖。
圖12是示出包括實施例的襯底固定器的圓頂單元部分的視圖。
圖13是示出角度測量裝置的實施例的視圖；
圖14是示出附接有實施例的角度測量裝置的圓頂單元的部分的視圖。
具體實施方式
下文中，將參照附圖對實施例進行詳細的描述，以便具體實現上述目的。
此處所公開的實施例的描述中，應當理解的是，當元件被稱為形成在另一個元件「上」或「下」時，它可以指直接位於其它元件的「上面」或「下面」，或者是間接形成在其它元件的「上面」或「下面」，其間介入一個或多個元件。還應當理解的是，可以相對於附圖來描述位於元件的「上」或「下」。
此外，例如在以下描述中使用的諸如「第一」、「第二」、「上面/上/上方」以及「下面/下/下方」之類的相關術語可以用於區分任意一個物質或元件與另一個物質或元件，而無需在這些物質或元件之間要求或包含任意物理或邏輯關係或者順序。
在附圖中，出於清晰簡潔的目的，每個層的厚度或尺寸可以被誇大、省略或示意性說明。此外，每個構成要素的尺寸並未完全反應其實際的尺寸。
圖1和圖2是示出發光元件的實施例的視圖。
實施例的發光元件可以包括：發光結構120，其包括第一導電半導體層122、有源層124和第二導電半導體層126；以及第一電極142和第二電極146，它們分別被設置在第一和第二導電半導體層上。
參考圖1和圖2，發光結構120可以包括至少一個臺面(mesa)區域。這裡，臺面區域對應於包括通過臺面蝕刻形成的結構的上表面和側表面的區域。
發光結構可以包括第一臺面區域，並且第一導電半導體層可以包括第二臺面區域。
例如，在圖1和圖2中，第一臺面區域可以包括第一導電半導體層122、有源層124、和第二導電半導體層126，並且第二臺面區域可以僅包括第一導電半導體層122。另外，第一臺面區域可以設置在第二臺面區域上。
發光結構120可以包括第一導電半導體層122、第一導電半導體層上的有源層124和設置在有源層上的第二導電半導體層126。
第一導電半導體層122可以由例如諸如iii-v族或ii-vi族化合物半導體的化合物半導體形成，並且可以摻雜第一導電摻雜劑。第一導電半導體層122可以由具有組分方程alxinyga(1-x-y)n(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半導體材料形成，並且例如可以由algan、gan、inalgan、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的任意一種或多種形成。
當第一導電半導體層122是n型半導體層時，第一導電摻雜劑可以包括例如諸如si、ge、sn、se或te的n型摻雜劑。第一導電半導體層122可以形成為單層或多層，而不限於此。
有源層124可以設置在第一導電半導體層122上。
有源層124可以設置在第一導電半導體層122和第二導電半導體層126之間，並且可以包括單阱結構(雙異質結構)、多阱結構、單量子阱結構、多量子阱(mow)結構、量子點結構和量子線結構中的任意一種。
有源層324可以具有使用例如algan/algan、ingan/gan、ingan/ingan、algan/gan、inalgan/gan、gaas(ingaas)/algaas和gap(ingap)/algap(且不限於此)的iii-v族化合物半導體的阱層和勢壘層的對結構中的任意一種或多種。阱層可以由具有小於勢壘層的能量帶隙的能量帶隙的材料形成。
可以使用化合物半導體在有源層124的表面上形成第二導電半導體層126。第二導電半導體層126可以由例如iii-v族或ii-vi族化合物半導體形成，並且可以摻雜有第二導電摻雜劑。第二導電半導體層126可以由具有組分方程inxalyga(1-x-y)n(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半導體材料形成，並且可以由algan、gan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的任意一種或多種形成。例如，第二導電半導體層126可以由alxga(1-x)n形成。
當第二導電半導體層126是p型半導體層時，第二導電摻雜劑可以是p型摻雜劑，例如，諸如mg、zn、ca、sr或ba。第二導電半導體層126可以形成為單層或多層，而不限於此。
導電層130還可以設置在第二導電半導體層126上。
導電層130可以改善第二導電半導體層126的電特性，並且可以改善第二導電半導體層126和第二電極146之間的電接觸。導電層130可形成為多層或者可以具有圖案。導電層130可以被配置成具有透光特性的透明電極層。
導電層130可以由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋅銦錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、鋁鋅氧化物(azo)、銻錫氧化物(ato)、鎵鋅氧化物(gzo)、銦鋅氮氧化物(izon)、al-gazno(agzo)、in-gazno(igzo)、氧化鋅(zno)、氧化銥(irox)、氧化釕(ruox)、氧化鎳(nio)、ruox/ito以及ni/irox/au(金)中的至少一種形成，並且可以不限於這些材料。
第一電極142和第二電極146可以分別設置設置在第一導電半導體層122和第二導電半導體層126上。
可以使用例如從銦(in)、鈷(co)、矽(si)、鍺(ge)、金(au)、鈀(pd)、鉑(pt)、釕(ru)、錸(re)、鎂(mg)、鋅(zn)、鉿(hf)、鉭(ta)、銠(rh)、銥(ir)、鎢(w)、鈦(ti)、銀(ag)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈮(nb)、鋁(al)、鎳(ni)、銅(cu)和鈦鎢合金(wti)中(對此不做限制)選出的金屬或者合金的導體材料，將第一電極142和第二電極146形成為單層或者多層。
第一電極142可以設置在第二臺面區域的一部分上。也就是說，第一電極142可以設置在通過臺面蝕刻而暴露的第一導電半導體層122的一部分上。
在圖1和圖2的實施例中，第一電極142可以形成在第一導電半導體層122的上表面(即第二臺面區域的上表面)的一部分上和第二臺面區域側表面上，以便從第二臺面區域的邊緣延伸。
在發光元件的實施例中，可以使用實施例的電子束沉積裝置來形成第一電極142，這將在下文中進行描述。也就是說，可以使用根據實施例的具有可變夾具的電子束沉積裝置來形成第一電極142的金屬層。
第一電極可以包括設置在第二臺面區域的部分上表面上的第一區域、設置在第二臺面區域的側表面上的第二區域和布置為以便從第二臺面區域的側表面的邊緣延伸的第三區域，並且第一電極的第一區域至第三區域的厚度比率可以如下所示：
d1:d2:d3＝1:0.9～1.1:1
其中，d1可以是第一區域的厚度，d2可以是第二區域的厚度，並且d3可以是第三區域的厚度。
例如，第一電極層的第一區域和第三區域的厚度d1和d3可以是大約1μm，並且第二區域的厚度d2可以是從0.9μm到1.1μm的範圍。
當使用如下描述的電子束沉積裝置來沉積第一電極的金屬層時，包括沉積表面的襯底可以是傾斜的，從而允許蒸發的沉積金屬材料容易地到達由第二臺面區域形成的發光元件的階梯部。因此，具有階梯部的第一電極層可以被形成為其整體上具有均勻的厚度。
也就是說，形成在第二臺面區域的上表面和側表面上並從側表面的邊緣延伸的第一電極層可以具有均勻的厚度。
此外，在下面將要描述的電子束沉積裝置的實施例中，當可變夾具固定成相對於固定夾具具有30度至45度的範圍內的傾斜角時，第一電極層可以表現出良好的階梯覆蓋，因此可以具有均勻的電極層厚度。
第一電極142可以包括歐姆層、反射層和耦接層。第一電極的歐姆層可以由鉻(cr)或銀(ag)形成，反射層可以由鉑(pt)和金(au)、鎳(ni)和金(au)、鋁(al)和鉑(pt)、金(au)和鋁(al)以及鎳(ni)和金(au)中的任意一種或其合金形成，並且耦接層可以由鈦(ti)形成。
第一電極142的歐姆層可以便於第一導電半導體層122和反射層之間容易的耦接，並且可以形成耦合層以用於反射層和絕緣層150之間的耦接。
同時，可以設置第一電極142使得其第一表面與將要在下文進行描述的絕緣層150接觸，並且第二表面面向第一表面的部分向外暴露。
在圖1和圖2的實施例中，第二電極146可以設置在第二導電半導體層126上方。
此外，當導電層130進一步被設置在第二導電半導體層126上時，第二電極146可以設置在導電層130上。
同時，當使用下面將要描述的電子束沉積裝置來形成第二電極146時，可變夾具可以以小於30度的傾斜角被固定到固定夾具。
也就是說，在實施例的電子束沉積裝置中，可以根據待沉積的金屬層的形狀來調整可變夾具的傾斜角。
第二電極146可以包括歐姆層和反射層。
第二電極的歐姆層可以由鉻、銀或鈦形成。歐姆層可以便於導電層和反射層之間的耦接。
此外，第二電極的反射層可以是鉑(pt)和金(au)、鎳(ni)和金(au)、鋁(al)和鉑(pt)、金(au)和鋁(al)、以及鎳(ni)和金(au)中的任意一種或者其合金。
在圖1和圖2的實施例中，絕緣層150可以設置在第一電極142和第二電極146之間暴露的發光結構120上。
此外，絕緣層150可以設置在發光結構120暴露的表面上和第一電極142上。
絕緣層150可以設置在發光結構120的第一臺面區域和第二臺面區域上，並且可以包括配置為使得第一臺面區域上的第二導電半導體層126暴露的開放區域。
此外，在第一臺面區域中，第二導電半導體層126、絕緣層150和第二電極146的至少一部分可以在開放區域的外周彼此重疊，在該開放區域中，第二導電半導體層126或導電層130被暴露。
同時，第二電極146的至少一部分可以設置在開放區域上。本文中，第二電極146可以與第二導電半導體層126接觸。
絕緣層150可以由絕緣材料形成，以便防止第一導電半導體層122和第二導電半導體層126之間的電接觸。
絕緣層150可以由例如sio2、si3n4、或者聚醯亞胺形成。
此外，絕緣層150可以由具有高反射率的材料形成，以便增大從發光結構發射的光的效率，並且絕緣層150可以具有例如dbr結構。
參考圖1，第二臺面區域的側表面可以相對於第一導電半導體層122的底表面是傾斜的。
例如，第二臺面區域的側表面相對於第一導電半導體層的底表面的傾斜角θ2可以是大於50度且小於90度。具體地，傾斜角θ2可以在70度到80度的範圍內。
此外，形成第二臺面區域的第一導電半導體層的高度(即從第一導電半導體層的底表面到第二臺面區域上表面的高度t1)可以是大約2μm。
儘管在圖1中第一臺面區域的側表面被示出為接近垂直，但是實施例不限於此，並且第一臺面區域的側表面可以相對於發光元件的底表面斜傾預定角度。
參考圖2，第一臺面區域的側表面可以相對於第二臺面區域的上表面傾斜。
例如，第一臺面區域的側表面相對於第二臺面區域上表面的傾斜角θ3可以在70度到90度的範圍內。同時，第一臺面區域的側表面相對於第二臺面區域的上表面的傾斜角可以與第一臺面區域的側表面相對於第一導電半導體層的底表面的傾斜角相同。
此外，在圖2的實施例中，對於第二臺面區域的側表面相對於第一導電半導體層的底表面的傾斜角，設置有第一電極的部分的傾斜角θ2和沒有設置第一電極的部分的傾斜角θ4可以相同。例如，位於相對側的第二臺面區域的側表面相對於第一導電半導體層的底表面的傾斜角θ2和θ4可以在70度到80度的範圍內。
當通過幹蝕刻工藝形成第二臺面區域時，由於工藝，難以將小於70度的側表面的傾斜角減小。此外，當側表面的傾斜角小於70度時，儘管第一電極142可以由於平緩的傾斜角而被均勻的沉積，但是可能增加第一金屬的沉積面積，從而導致成本增加。
此外，當傾斜角大於80度並且接近垂直時，第一電極的階梯覆蓋可能有缺陷，並且可能增加發生短路的可能性。
也就是說，當第二臺面區域的側表面的傾斜角θ2和θ4在70度到80度的範圍內變化時，可以改善第一電極142的階梯覆蓋，並且形成在第一臺面區域和第二臺面區域上的絕緣層150以及第一電極142可以沉積成均勻的厚度。
另一方面，在圖2的實施例中，當位於第二臺面區域相對側的傾斜角不同時，關係θ4≥θ2可以被確定。即使在這種情況下，位於相對側的傾斜角θ2和θ4也可以在70度到80度的範圍內變化。
然而，當保持傾斜角度θ2以使其等於或小於傾斜角θ4時，形成在第二臺面區域側表面上的第一電極142可以具有均勻的厚度，並且隨後形成在第一電極142上的絕緣層150可以具有均勻的厚度。
圖3a和圖3b分別是實施例發光元件的透視圖和平面圖。
參考圖3a，可以沿著第二臺面區域側表面上的階梯部而形成第一電極142。也就是說，第一電極142可以沿著第二臺面區域的階梯部形成，以便沿著第二臺面區域的上表面和第二臺面區域的側表面而連續延伸，然後從第二臺面區域的側表面延伸。
此外，發光元件可以是微尺度的發光二極體(μ-led)。該實施例的這種μ-led可以被形成為小於常規的發光元件。參考圖3b的平面圖，發光元件的水平長度wa和垂直長度wb可以分別在100μm以內。例如，本實施例的發光元件可以具有水平長度wa為82μm且垂直長度wb為30μm的矩形形狀。
上述實施例的發光元件或者其中布置有上述實施例的多個發光元件的發光元件陣列由於其小尺寸，可以用於需要精確度的裝置中，並且當第一電極在第二臺面區域上形成為均勻層時，可以提高發光元件的生產率，從而降低了由於差的階梯覆蓋所導致的缺陷的發生率。
圖4是示出電子束沉積裝置(電子束蒸發器)的實施例的視圖。
本實施例的電子束沉積裝置1000可以是用於形成上述發光元件的第一電極142的裝置。
電子束沉積裝置1000可以包括熱電子發射器430、源饋送器440和圓頂單元500，並且圓頂單元500可以包括多個襯底固定器300。
熱電子發射器430可以包括熱電子燈絲，其在接收到高壓電流時釋放電子。
當向熱電子燈絲供應電流時釋放的電子束可以通過由電磁體形成的磁場來引導，並且可以被集中在沉積材料上。
也就是說，由熱電子發射體430提供並具有高能量的電子束可以通過由電磁體形成的磁場來改變路徑，並且可以集中在並且傳送至源饋送器440。
源饋送器440可以包括使用電子束沉積裝置即將沉積在襯底上的材料。可以通過被熱電子加熱之後再蒸發來將沉積材料沉積在基底上。
源饋送器440可以包括存儲有沉積材料的水冷式坩堝460。
在水冷式坩堝中，可以在蒸發之前儲存固態沉積材料444。在源饋送器440的中心部分，可以存儲由從熱電子發射器430提供的熱電子加熱的熔融狀態沉積材料442。
可以在源饋送器440中蒸發熔融狀態沉積材料442，使得在襯底上形成薄層。
包括了在上面安裝有襯底的襯底固定器300的圓頂單元500可以向上與源饋送器440間隔開。
例如，可以在源饋送器440上方設置圓頂單元500，使得圓頂單元500與源饋送器440間隔一高度，在源饋送器440中蒸發並從其中釋放的沉積材料可以達到該高度。
此外，圓頂單元500可以是可旋轉的，以便允許沉積材料均勻地沉積在安裝在該圓頂單元上的襯底上。
圖4示意性地示出電子束沉積裝置的橫截面。參考圖4，圓頂單元500可以具有圓錐形狀，其寬度從頂部向底部逐漸增加。
因此，圓頂單元的側表面可以相對於圓頂單元的下表面具有傾斜角θ1。例如，圓頂單元的側表面可以相對於圓頂單元的下表面具有在從10度至15度的範圍內的傾斜角。
圖5是示例性示出圓頂單元500的上表面的視圖。
也就是說，圖5是示出包括當從頂側觀察時襯底固定器300的圓頂單元500的平面圖。
參考圖5，可以將襯底固定器300設置為接近圓頂單元的下部。例如，可以沿著圓頂單元的下圓周以固定間隔來排列襯底固定器300。
圖6是示出實施例的襯底固定器300的視圖。
參考圖6，襯底固定器300可以包括固定夾具310和可變夾具330。
襯底固定器300的固定夾具310和可變夾具330可以具有環形形狀，其中心部分被穿孔，以便在其中安裝襯底，並且用於沉積薄層的襯底可以被固定至固定夾具330。
可變夾具330的直徑可以小於固定夾具310的直徑。例如，可變夾具330的外徑可以小於固定夾具310的內徑，使得可變夾具330可以設置在環形固定夾具310的內部。
圖7和圖8是示出可變夾具330的實施例的視圖。
圖7是可變夾具的平面圖，並且圖8是示出可變夾具的側表面的剖面圖。
參考圖7，可變夾具330可以具有環形形狀，並且可以具有至少一個螺孔，從可變夾具的外表面330b至其內表面330a而形成該螺孔。
下面將要描述可以將在可變夾具的側表面中形成的至少一個螺孔設置為以便對應於固定夾具中的螺孔，並且緊固螺釘332可以穿透彼此對應的可變夾具中的螺孔和固定夾具中的螺孔，從而將孔彼此連接。
例如，參考圖7，可以在可變夾具的側表面中形成兩個螺孔，並且可以在可變夾具的圓周中形成兩個螺孔，以使彼此相對。
參考圖8的剖面圖，可變夾具的內表面330a可以具有階梯部a，並且可以將襯底設置成被固定在階梯部a上。
例如，可以設置襯底s使得將要在上面形成薄層的沉積表面面向具有階梯部a的內表面330a。
圖9和圖10是示出固定夾具310實施例的視圖。
圖9是固定夾具的平面圖，圖10是示出固定夾具側表面的視圖。
參考圖9，可以從固定夾具內表面310a至其外表面310b來形成螺孔，並且緊固螺釘332可以被設置在螺孔中。本文中，可以設置固定夾具和可變夾具，使得在固定夾具的側表面中形成的至少一個螺孔對應於上述可變夾具中的螺孔。
此外，固定件312可以設置在固定夾具上，以便固定被設置成穿透螺孔的緊固螺釘。
例如，可以通過在固定夾具310的上表面中形成的通孔使固定件312與緊固螺釘332接觸。同時，每個固定件312和在固定夾具中形成的通孔可以在內部設置有螺紋。
參考圖10，當從側邊觀察固定夾具310時，固定件312可以從固定夾具310突出。
圖11是根據實施例的襯底固定器的平面圖。
圖11是示出包括固定夾具和可變夾具的襯底固定器的實施例的視圖。
如上所述，可以在每個固定夾具310的側表面和可變夾具330的側表面中設置至少一個螺孔。
固定夾具和可變夾具可以被設置為使得分別在固定夾具310和可變夾具330中形成的螺孔彼此對應，並且緊固螺釘332可以穿透相應的螺孔，從而將兩個夾具彼此連接。
同時，襯底可以安裝在可變夾具330上，並且至少一個固定銷336可以設置在可變夾具的一側上，以防止安裝的襯底與一側分離。
固定銷336可以在其一側被固定到基準肋334，該基準肋334設置在可變夾具330上。
可變夾具330可以在其一個或多個點處被耦接到固定夾具310，並且可變夾具可以被固定成相對於固定夾具具有一傾斜角。
例如，再次參考圖6，可變夾具330可以在彼此相對的兩個點處被耦接並被固定到固定夾具310，並且具有環形形狀的可變夾具和固定夾具可以不設置在同一平面中，但是可變夾具330和固定夾具310可以被固定成在它們之間具有預定的角度。
圖12是示出設置在實施例的圓頂單元上的多個襯底固定器中任意一個襯底固定器300的視圖。
在圖12中，方形虛線區域內的部分可以是包括一個襯底固定器300的圓頂單元的一部分。
參考圖12，固定夾具310可以被安裝並被固定在電子束沉積裝置的圓頂單元上。
此外，可變夾具330可以在其一個或多個點處被耦接和固定到固定夾具310，並且用於沉積薄層的襯底s可以設置在可變夾具330的內部。
圖12示出包括襯底固定器300的圓頂單元的上表面的一部分，並且在電子束沉積裝置中，可以將在襯底固定器300上安裝的襯底s設置為使得作為沉積表面的襯底的上表面面向圓頂單元的下側。
圖13是示出傾斜角測量裝置600的實施例的視圖。
傾斜角測量裝置600可以形成為被獨立地耦接至電子束沉積裝置的圓頂單元。
例如，傾斜角測量裝置可用於測量可變夾具相對於固定夾具的傾斜角。在可變夾具固定為具有預定傾斜角之後，傾斜角測量裝置可以與圓頂單元分離。
也就是說，當在電子束沉積裝置中執行沉積工藝時，傾斜角測量裝置可以保持與圓頂單元分離。
可以配置傾斜角測量裝置600使得用於角度測量的刻度620被標記在塑料板610上。例如，傾斜角測量裝置可以由透明塑料材料形成，具體地可以由例如丙烯醛基或聚碳酸酯形成。
圖14是示出附接有傾斜角測量裝置600的圓頂單元的部分的視圖。
如圖14所示，在安裝了傾斜角測量裝置600的狀態下，可變夾具330可以被固定為相對於固定夾具310具有傾斜角θs。
可變夾具繞著其耦接到固定夾具的一部分旋轉。可變夾具可以被調節為相對於固定夾具具有0度到90度範圍內的傾斜角。
例如，可變夾具330可以固定為相對於固定夾具310具有30度至45度範圍內的傾斜角。當可變夾具的傾斜角被保持在30度到45度的範圍內時，可以改善沉積在沉積襯底上且具有階梯圖案的薄層的階梯覆蓋。
在上述電子束沉積裝置的實施例中，由於可以自由調節設置可變夾具的角度，所以可以根據在沉積工藝期間從源饋送器供應的沉積材料的類型或者即將在襯底上形成的沉積層的厚度和圖案，來改變可變夾具被設置的角度。
此外，當使用包括可變夾具的電子束沉積裝置在襯底上形成薄層時，可以獲取具有均勻厚度的沉積層，並且可以改善沉積層的均一性，甚至可以改善階梯圖案的均一性。
上述實施例的發光元件可以被包括在可穿戴設備中。
例如，在智能手錶中可以包括所述實施例的發光元件或者可以包括具有實施例的多個發光元件的發光元件陣列。
智能手錶可以執行與外部數字設備的配對，並且外部數字設備可以是可連接的數字設備，以用於與智能手錶進行通信。例如，外部數字設備可以包括智慧型電話、筆記本電腦或網際網路協議電視(iptv)。
可以使用上述實施例的發光元件或者在柔性印刷電路板(fpcb)上布置有實施例的多個發光元件的發光元件陣列，作為智能手錶的光源。
在包括本實施例的發光元件的智能手錶的情況下，因為發光元件減小的尺寸以及fpcb的柔韌性，其可以佩戴在手腕上，並且由於發光元件的微小尺寸而可以實現微像素。
在下文中，作為包括上述實施例的發光元件的實施例，將描述圖像顯示裝置和照明裝置。
在根據實施例的發光元件的光路上，可以設置諸如例如導光板、稜鏡片和漫射片的光學構件。發光元件、襯底和光學構件可以用作背光單元。
此外，可以實現包括根據實施例的發光元件的顯示裝置、指示器裝置或照明裝置。
本文中，顯示裝置可以包括底蓋；反射器，設置在底蓋上；導光板，設置在發光元件前方並且發射光；以及反射器，以便將從發光元件發射的光引導至前側；光學片，包括設置在導光板前方的稜鏡片；顯示面板，設置在光學片前方；圖像信號輸出電路，連接到顯示面板，以便向顯示面板提供圖像信號；以及濾色器，設置在顯示面板的前方。本文中，底蓋、反射器、發光器件陣列、導光板和光學片可以構成背光單元。
此外，照明裝置可以包括：光源模塊，具有襯底以及根據所述實施例的發光元件；散熱器，配置成驅散來自光源模塊的熱量；以及電源單元，配置為處理或者轉換從外部提供的電信號，以便將其供應至發光模塊。例如，照明裝置可以包括電燈、車前燈或路燈。
在上述圖像顯示裝置和照明裝置的情況下，通過提供根據上述實施例的發光元件，由於發光器件陣列的柔韌性而可以減小裝置的尺寸並且可以減少對設計的限制。
儘管已經如上所述對示例性實施例進行了說明和描述，但是對於本領域技術人員而言，顯而易見的是，提供所述實施例是為了幫助理解，並且所述實施例不限於上述說明。在不脫離本公開的精神或者範圍的情況下，可以在所述實施例中進行各種修改和變化，並且只要所述修改和變化包括權利要求書中所提出的構成要件，就不應該脫離本公開的觀點或者範圍而單獨理解它們。
工業實用性
實施例的電子束沉積裝置包括可變夾具，以便能夠自由調節襯底被設置為固定到襯底固定器的角度，因此具有工業實用性。