一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法、裝置製造方法
2023-05-04 09:33:46 1
一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法、裝置製造方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法和裝置，校準方法包括：將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；其中，所述對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準包括：採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將參考電壓校準值設置為所述參考電壓值。相應地，本發明實施例還公開了使用上述校準方法校準的內部參考電壓來對集成電路晶片採集的數據進行校準的方法和裝置。實施本發明實施例，可簡單方便地對集成電路晶片的參考電壓進行校準，進而對集成電路晶片採集的數據進行校準，保證了數據的準確性。
【專利說明】—種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法、裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路晶片領域，特別涉及一種集成電路晶片內部參考電壓的校準
方法、裝置。
【背景技術】
[0002]目前，集成電路晶片已廣泛使用在各種場合，在集成電路晶片的使用中需要用到基準電壓，如果基準電壓不精確，將會給後續的信號處理帶來誤差。例如:在單片機的應用中，當單片機的供電電源VCC不穩定時，如果使用VCC作為單片機模數轉換(ADC)的基準電壓，模數轉換的結果也會不準確，為了解決這一問題，可以加外一個恆定的電壓即外加一個基準源作為單片機模數轉換的基準電壓，但加外基準源不僅會先達了成本的提高，且會給本來就已經緊湊的電路板增加壓力，同時也可能會佔用單片機的模數轉換輸入引腳；有些單片機內部已設計好，帶有參考電壓，如PIC12F617，其帶有1.2V參考電壓和0.6V參考電壓，但是單片機內部帶有的參考電壓精度一般不高，單片機的參考電壓的實際值與其聲稱的參考電壓值不一樣，比如標明0.6V參考電壓的單片機，其參考電壓的實際值的範圍為
0.5到0.7V;標明1.2V參考電壓的單片機，其參考電壓的範圍為1.05到1.35，因此使用單片機內部的參考電壓作為模數轉換的基準電壓，模數轉換的結果還是不盡準確，需要對單片機自帶的參考電壓先進行校準。
【發明內容】
[0003]本發明實施例公開了一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法和裝置，解決了由於參考電壓不精確給後續的信號處理造成誤差的問題，相應地，本發明實施例還公開了一種使用上述校準方法校準的內部參考電壓來對集成電路晶片採集的數據進行校準的方法和裝置。
[0004]本發明實施例第一方面公開了一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法，包括以下步驟:
[0005]將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0006]根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0007]其中，所述對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準包括:採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。。
[0008]進一步地，在所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，所述方法還包括:
[0009]將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
[0010]可選地，在所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之前，所述方法還包括:[0011]讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則執行所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的步驟。
[0012]具體地，所述恆定的供電電壓包括由單片機燒寫器提供的電壓或者由一個單獨電源提供的電壓。
[0013]本發明實施例第二方面公開了一種集成電路晶片採集數據的校準方法，包括以下步驟:
[0014]使用本發明實施例第一方面公開的集成電路晶片內部參考電壓的校準方法得到參考電壓校準值；
[0015]採集數據得到至少一個採集數值；
[0016]獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓並作為參考電壓實際值；
[0017]將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
[0018]本發明實施例第三方面公開了一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置，包括:基準電壓設置模塊、參考電壓校準模塊；
[0019]所述基準電壓設置模塊，用於將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0020]所述參考電壓校準模塊，用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0021 ] 其中，參考電壓校準模塊用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的過程具體包括:
[0022]根據所述基準電壓，採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。進一步地，校準裝置還包括:校準標誌設置模塊，用於在所述參考電壓校準模塊對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
[0023]可選地，校準裝置還包括:校準判斷模塊，用於讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則觸發參考電壓校準模塊執行操作。
[0024]具體地，校準裝置還包括:供電模塊，用於提供與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓；所述供電模塊包括單片機燒寫器或者獨立電源。
[0025]本發明實施例第四方面公開了一種集成電路晶片採集數據的校準裝置，包括:參考電壓校準裝置、數據採集模塊、參考電壓獲取模塊、數據校準模塊；
[0026]所述參考電壓校準裝置，用於校準集成電路晶片的內部參考電壓得到參考電壓校準值；所述校準裝置為本發明實施例第三方面公開的校準裝置；
[0027]所述數據採集模塊，用於採集得到至少一個採集數值；
[0028]所述參考電壓獲取模塊，用於獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓得到參考電壓實際值；
[0029]所述數據校準模塊，用於將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
[0030]本發明實施例通過提供一個恆定供電電壓給集成電路晶片，將此恆定供電電壓作為集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓，獲得集成電路晶片內部參考電壓值作為參考電壓校準值，簡單方便地實現了對參考電壓的校準，避免後續信號處理的誤差；使用以上方法校準的參考電壓校準值，可對集成電路晶片採集的數據進行校準，保證了數據的準確性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1是本發明實施例的一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法的流程示意圖；
[0033]圖2是本發明實施例的另一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法的流程示意圖；
[0034]圖3是本發明實施例的一種集成電路晶片採集數據的校準方法的流程示意圖；
[0035]圖4是本發明實施例的一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置的結構示意圖；
[0036]圖5是本發明實施例的另一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置的結構示意圖；
[0037]圖6是本發明實施例的一種集成電路晶片採集數據的校準裝置的結構示意圖。【具體實施方式】
[0038]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0039]本發明實施例簡單方便地實現了對集成電路晶片內部參考電壓的校準，保證了數據的準確性。
[0040]請參閱圖1，圖1是本發明實施例的一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法的流程示意圖。圖1所示校準方法可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖1所示，該校準方法可以包括以下步驟:
[0041]S102、將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0042]具體地，該恆定供電電壓是一個電壓值穩定、紋波小的電壓。該供電電壓可以是一個單獨電源提供的供電電壓，也可以是單片機燒寫器上自帶的電壓，或是其他類型的供電電壓。
[0043]S104、根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0044]其中，所述對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準包括:採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。
[0045]具體地，以恆定供電電壓作為基準電壓，集成電路晶片的模數轉換功能將把集成電路晶片的內部參考電壓處的電壓轉換成一個數字的電壓值，集成電路晶片採集該電壓值作為參考電壓校準值。參考電壓校準值保存在非易失存儲器中，以使得集成電路晶片即使斷電參考電壓校準值不會丟失，重啟後該值依然存在。
[0046]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準。
[0047]請參閱圖2，圖2是本發明實施例的另一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法的流程示意圖。圖2所示校準方法可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖2所示，該校準方法可以包括以下步驟:
[0048]S202、將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0049]S204、根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0050]其中，所述對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準包括:採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。
[0051]S206、將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
[0052]具體地，在對集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，將校準標誌設置為一個預定值，例如0ΧΑΑ，以表示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準。校準標誌保存在非易失存儲器中，以使得集成電路晶片即使斷電校準標誌不會丟失，重啟後該值依然存在。
[0053]可選地，本發明圖2實施例中，在執行步驟S204之前還可以執行以下步驟:
[0054]讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則執行步驟S204。
[0055]具體地，在對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之前，先查看校準標誌的值，如果其值為預定值，如0ΧΑΑ，則表明參考電壓已被校準過，參考電壓校準值已經是校準後的值，那麼流程結束，不需要再進行校準步驟；如果其值不為預定值，則表示參考電壓還沒被校準，則執行後續的參考電壓校準步驟。
[0056]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準。
[0057]請參閱圖3，圖3是本發明實施例的一種集成電路晶片採集數據的校準方法的流程示意圖。圖3所示校準方法可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖3所示，該校準方法可以包括以下步驟:
[0058]S302、使用集成電路晶片內部參考電壓的校準方法得到參考電壓校準值；
[0059]具體地，該集成電路晶片內部參考電壓的校準方法是如圖1、圖2任一個所示的校準方法。
[0060]S304、採集數據得到至少一個採集數值；
[0061]具體地，集成電路晶片從輸入埠採集數據，得到至少一個採集數值。
[0062]S306、獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓並作為參考電壓實際值；
[0063]具體地，集成電路晶片獲取當前情況下，內部參考電壓的值作為參考電壓實際值。[0064]S308、將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
[0065]具體地，參考電壓校準值是一個經校準的準確的數值，以參考電壓校準值為基準，將採集數值除以所述參考電壓實際值得到採集數據和參考電壓的倍數關係，將該倍數關係乘以參考電壓校準值，得到的即是採集數值校準值。用數學公式表達為:A D C l_Ture= AD C lXVref_ADC/Vref_ADCl，其中，ADC l_Ture為採集數值校準值，ADCl為採集數值，Vref_ADC為參考電壓校準值，Vref_ADCl為參考電壓實際值。
[0066]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準，提高採集數據的準確性。
[0067]請參閱圖4，圖4是本發明實施例的一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置的結構示意圖。圖4所示校準裝置可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖4所示，該校準裝置400包括基準電壓設置模塊401、參考電壓校準模塊402，其中:
[0068]基準電壓設置模塊401，用於將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0069]參考電壓校準模塊402，用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0070]參考電壓校準模塊用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的過程具體包括:
[0071]根據所述基準電壓，採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。具體地，以恆定供電電壓作為基準電壓，集成電路晶片的模數轉換功能將把集成電路晶片的內部參考電壓處的電壓轉換成一個數字的電壓值，參考電壓校準模塊402採集該電壓值作為參考電壓校準值。參考電壓校準值保存在非易失存儲器中，以使得集成電路晶片即使斷電參考電壓校準值不會丟失，重啟後該值依然存在。
[0072]進一步地，校準裝置400還包括供電模塊403，用於提供與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓，該恆定供電電壓是一個電壓值穩定、紋波小的電壓。供電模塊可以是單片機燒寫器，也可以是獨立電源，或者是其他類型的供電模塊。
[0073]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準。
[0074]請參閱圖5，圖5是本發明實施例的另一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置的結構示意圖。圖5所示校準裝置可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖5所示，該校準裝置500包括基準電壓設置模塊501、參考電壓校準模塊502、校準標誌設置模塊504，其中:
[0075]基準電壓設置模塊501，用於將以與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓；
[0076]參考電壓校準模塊502，用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準；
[0077]參考電壓校準模塊502用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的過程具體包括:
[0078]根據所述基準電壓，採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。校準標誌設置模塊504，用於在所述參考電壓校準模塊對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
[0079]具體地，在對集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，校準標誌設置模塊504將校準標誌設置為一個預定值，例如0ΧΑΑ，以表示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準。校準標誌保存在非易失存儲器中，以使得集成電路晶片即使斷電校準標誌不會丟失，重啟後該值依然存在。
[0080]進一步地，校準裝置還包括供電模塊503，用於提供與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓。
[0081]可選地，本發明實施例中，校準裝置500還可以包括:
[0082]校準判斷模塊，用於讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則觸發參考電壓校準模塊502執行操作。
[0083]具體地，在對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之前，校準判斷模塊先查看校準標誌的值，如果其值為預定值，如0ΧΑΑ，則表明參考電壓已被校準過，參考電壓校準值已經是校準後的值，那麼流程結束，不需要再進行校準步驟；如果其值不為預定值，則表示參考電壓還沒被校準，則觸發參考電壓校準模塊502執行操作。
[0084]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準。
[0085]請參閱圖6，圖6是本發明實施例的一種集成電路晶片採集數據的校準裝置的結構示意圖。圖6所示校準裝置可應用於單片機等集成電路晶片中。如圖6所示，該校準裝置600包括參考電壓校準裝置601、數據採集模塊602、參考電壓獲取模塊603、數據校準模塊604，其中:
[0086]參考電壓校準裝置601，用於校準集成電路晶片的內部參考電壓得到參考電壓校準值；
[0087]具體地，該參考電壓校準裝置是如圖4、圖5任一個所示的校準裝置。
[0088]數據採集模塊602，用於採集得到至少一個採集數值；
[0089]具體地，數據採集模塊602從集成電路晶片的輸入埠採集數據，得到至少一個
採集數值。
[0090]參考電壓獲取模塊603，用於獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓得到參考電壓實際值；
[0091 ] 具體地，參考電壓獲取模塊603獲取集成電路晶片當前情況下內部參考電壓的值作為參考電壓實際值。
[0092]數據校準模塊604，用於將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
[0093]具體地，參考電壓校準值是一個經校準的準確的數值，數據校準模塊604以參考電壓校準值為基準，將採集數值除以所述參考電壓實際值得到採集數據和參考電壓的倍數關係，將該倍數關係乘以參考電壓校準值，得到的即是採集數值校準值。用數學公式表達為:A D C l_Ture= ADC I X Vref_ADC/Vref_ADCl，其中，ADC l_Ture 為採集數值校準值，A D C I為採集數值，Vref_ADC為參考電壓校準值，Vref_ADCl為參考電壓實際值。
[0094]執行本發明實施例，可以實現簡單方便地對集成電路晶片內部參考電壓的進行校準，提高採集數據的準確性。
[0095]本領域普通技術人員可以理解實現圖1、圖2和圖3所示方法中的全部或部分流程，是可以通過電腦程式來指令相關的硬體來完成，所述的程序可存儲於一計算機可讀取存儲介質中，該程序在執行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質可為磁碟、光碟、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory,ROM)或隨機存取存儲器(RandomAccess Memory,簡稱 RAM)等。
[0096]以上所揭露的僅為本發明較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利範圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的範圍。
【權利要求】
1.一種集成電路晶片內部參考電壓的校準方法，其特徵在於，包括: 將與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓； 根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準； 其中，所述對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準包括:採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，在所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，所述方法還包括: 將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，在所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之前，所述方法還包括: 讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則執行所述根據所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的步驟。
4.如權利要求1-3任一項所述的方法，其特徵在於，所述恆定的供電電壓包括由單片機燒寫器提供的電壓或者由一個單獨電源提供的電壓。
5.一種集成電路晶片採集數據的校準方法，其特徵在於，包括: 使用如權利要求1-3任一項所述的方法校準集成電路晶片的內部參考電壓得到參考電壓校準值； 採集數據得到至少一個採集數值； 獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓並作為參考電壓實際值； 將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
6.一種集成電路晶片內部參考電壓的校準裝置，其特徵在於，包括: 基準電壓設置模塊，用於將與集成電路晶片連接的恆定供電電壓作為所述集成電路晶片模數轉換初始化的基準電壓； 參考電壓校準模塊，用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準； 其中，參考電壓校準模塊用於根據所述基準電壓設置模塊設定的所述基準電壓，對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準的過程具體包括: 根據所述基準電壓，採集所述集成電路晶片內部的參考電壓值，將所述參考電壓值設置為參考電壓校準值。
7.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，所述裝置還包括: 校準標誌設置模塊，用於在所述參考電壓校準模塊對所述集成電路晶片內部的參考電壓進行校準之後，將校準標誌設置為預定值，以指示集成電路晶片內部的參考電壓已完成校準；所述校準標誌為用於指示所述集成電路晶片內部參考電壓是否完成校準的標誌位。
8.如權利要求7所述的裝置，其特徵在於，所述裝置還包括: 校準判斷模塊，用於讀取所述校準標誌，判斷其是否為所述預定值，如果判斷結果為是，則流程結束；如果判斷結果為否，則觸發所述參考電壓校準模塊執行操作。
9.如權利要求6-8任一項所述的裝置，其特徵在於，所述裝置還包括:供電模塊，用於提供與所述集成電路晶片連接的恆定供電電壓；所述供電模塊包括單片機燒寫器或者獨立電源。
10.一種集成電路晶片採集數據的校準裝置，其特徵在於，包括: 參考電壓校準裝置，用於校準集成電路晶片的內部參考電壓得到參考電壓校準值；所述參考電壓校準裝置為如權利要求6-8任一項所述的校準裝置； 數據採集模塊，用於採集得到至少一個採集數值； 參考電壓獲取模塊，用於獲取所述集成電路晶片當前的內部參考電壓得到參考電壓實際值； 數據校準模塊，用於將所述採集數值與所述參考電壓校準值相乘後除以所述參考電壓實際值得到的數值作為採集數值校準值。
【文檔編號】G01R31/28GK103901336SQ201410079616
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年3月5日 優先權日:2014年3月5日
【發明者】劉鵬飛, 鄭育盛 申請人:江蘇欣銳新能源技術有限公司