發光裝置及其製作方法
2023-05-08 20:15:01 2
發光裝置及其製作方法
【專利摘要】本發明公開一種發光裝置及其製作方法。發光裝置包括一外延結構、一反射層、一第一保護層以及一阻障層。反射層設置於外延結構上。第一保護層設置於反射層及外延結構上，並至少覆蓋於反射層的一側壁。阻障層設置於第一保護層及外延結構上，並完全覆蓋第一保護層，阻障層之上具有一第一電極。本發明也公開一種發光裝置的製造方法。
【專利說明】發光裝置及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種發光裝置及其製作方法，特別是涉及一種發光二極體發光裝置及其製作方法。
【背景技術】
[0002]發光二極體是一種由半導體材料製作而成的發光元件，具有耗電量低、元件壽命長、反應速度快等優點，再加上體積小容易製成極小或陣列式元件的特性，因此近年來隨著技術不斷地進步，其應用範圍也由指示燈、背光源甚至擴大到了照明領域。
[0003]請參照圖1所示，其為現有一種發光裝置I的剖視示意圖。於此，發光裝置I為一倒裝(Flip-chip)結構發光二極體，且圖1以向下發光為例。
[0004]發光裝置I包括一外延基板11、一外延結構12、一反射層13、一保護層14、一阻障層15以及一絕緣層16。另外，發光裝置I還可包括一第一電極Pl及一第二電極P2。
[0005]外延結構12設置於外延基板11上，而反射層13設置於外延結構12上。外延結構12具有一 n-GaN層121、一多重量子阱層122及一 ρ-GaN層123。反射層13通常為一高反射率的金屬材料，以反射發光裝置I所發出的光線，以提高發光裝置I的出光效率。另夕卜，保護層14設置於反射層13的一頂面132上，而阻障層15設置於保護層14之上，並覆蓋保護層14及反射層13。其中，保護層14可保護反射層13，避免後續製作工藝損傷到反射層13而導致反射率下降。另外，阻障層15可保護反射層13，避免反射層13因後續製作工藝或元件操作時產生的擴散或劣化等問題。此外，絕緣層16設置於阻障層15上，而第一電極Pl及第二電極P2分別設置於阻障層15及n-GaN層121上，並分別露出於絕緣層16。其中，第一電極Pl通過阻障層15、保護層14及反射層13與外延結構12的ρ-GaN層123電連接，而第二電極P2與外延結構12的n-GaN層121電連接。通過供電給第一電極Pl及第二電極P2，並通過反射層13的光線反射，可使發光裝置I發出向下的光線。
[0006]然而，現有的發光裝置I的結構中，雖然有保護層14可保護反射層13的頂面132，但卻無法保護反射層13的一側壁131，使得後續製作工藝中的化學藥品或高溫仍然會造成反射層13的側壁131產生損傷或裂縫，導致反射率下降而使得發光裝置I的良率不佳等問題。另外，於反射層13的製作工藝中，反射層13的側壁131上也常會出現金屬絲的問題，導致後續製作工藝的阻障層15及絕緣層16的覆蓋不佳而造成發光裝置I的良率降低。
[0007]因此，如何提供一種發光裝置及其製作方法，可改善反射層側壁外露的問題，使反射層不因後續製作工藝的化學藥品或高溫而造成反射率降低，導致發光裝置的良率降低，是業者一直努力的目標。
【發明內容】
[0008]有鑑於上述課題，本發明的目的在於提供一種發光裝置及其製作方法，可改善反射層側壁外露的問題，使反射層不因後續製作工藝的化學藥品或高溫而造成反射率降低，導致發光裝置的良率降低。[0009]為達上述的目的，本發明提供一種一種發光裝置包括一外延結構、一反射層、一第一保護層以及一阻障層。反射層設置於外延結構上。第一保護層設置於反射層及外延結構上，並至少覆蓋於反射層的一側壁。阻障層設置於第一保護層及外延結構上，並完全覆蓋第一保護層，阻障層之上具有一第一電極。
[0010]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置更包括一外延基板，外延結構、反射層、第一保護層及阻障層設置於外延基板之上。
[0011]在本發明的一較佳實施例中，外延結構具有一第一半導體層、一有源層及一第二半導體層，有源層夾置於第一半導體層及第二半導體層之間。
[0012]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一第二保護層，其設置於反射層的一頂面，並夾置於第一保護層與反射層之間。
[0013]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一絕緣層，其設置於阻障層及外延結構上。
[0014]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一第二電極，其設置於外延結構的一第一半導體層上，第一電極與第二電極位於外延基板的同一側。
[0015]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一接合層，其設置於阻障層上。
[0016]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一導熱基板，其設置於接合層上，導熱基板為第一電極。
[0017]在本發明的一較佳實施例中，發光裝置還包括一電極層，其設置於外延結構遠離反射層的一表面上。
[0018]在本發明的一較佳實施例中，反射層的材質包含銀、鋁、金、鈦、鉻、鎳、銦錫氧化物，或其組合。
[0019]在本發明的一較佳實施例中，第一保護層的材質包含鎳、鈦、鎢，或其組合。
[0020]在本發明的一較佳實施例中，導熱基板的材質包含矽、銅、鋁、銅錳合金，或其組
入
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[0021]為達上述的目的，本發明提供一種發光裝置製造方法包括形成一外延結構於一外延基板上；形成一反射層於外延結構上；形成一第一保護層於反射層及外延結構上，其中第一保護層至少覆蓋於反射層的一側壁；以及形成一阻障層於第一保護層及外延結構上，其中阻障層完全覆蓋第一保護層。
[0022]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括形成一第二保護層於反射層的一頂面，並夾置於第一保護層與反射層之間。
[0023]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括形成一絕緣層於阻障層及外延結構上。
[0024]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括形成一第一電極於阻障層之上；以及形成一第二電極於外延結構的一第一半導體層上，其中第一電極與第二電極位於外延基板的同一側。
[0025]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括形成一第一接合層於阻障層上；形成一第二接合層於一導熱基板上；及通過第一接合層及第二接合層接合導熱基板於阻障層之上。
[0026]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括移除外延基板。[0027]在本發明的一較佳實施例中，製作方法還包括形成一電極層於外延結構遠離反射層的一表面上。
[0028]在本發明的一較佳實施例中，反射層經過蒸鍍或濺鍍沉積以及合金製作工藝，以形成於外延結構上。
[0029]在本發明的一較佳實施例中，第一保護層經過蒸鍍或濺鍍沉積，並通過蝕刻或浮離製作工藝形成於反射層及外延結構上。
[0030]在本發明的一較佳實施例中，阻障層經過蒸鍍或濺鍍沉積，並通過浮離製作工藝形成於第一保護層及外延結構上。承上所述，因依據本發明的發光裝置及製作方法中，反射層設置於外延結構上，第一保護層設置於反射層及外延結構上，並至少覆蓋於反射層的一側壁，而阻障層設置於第一保護層及外延結構上，並完全覆蓋第一保護層，且阻障層之上具有一第一電極。由此，與現有相較，本發明的第一保護層至少覆蓋於反射層的一側壁，除了可避免發光裝置因後續製作工藝所使用的化學藥品或高溫製作工藝損傷到反射層的側壁而造成反射率降低，導致發光裝置的良率降低之外，還可改善反射層出現金屬絲而導致後續製作工藝的阻障層及絕緣層的覆蓋不佳等問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]圖1為現有一種發光裝置的剖視示意圖；
[0032]圖2A為本發明較佳實施例的一種發光裝置的剖視示意圖；
[0033]圖2B為本發明另一實施態樣的發光裝置的剖視示意圖；
[0034]圖2C為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置的剖視示意圖；
[0035]圖3A為本發明較佳實施例的一種發光裝置製造方法的流程圖；
[0036]圖3B為本發明較佳實施例的一種發光裝置製造方法的另一流程圖；
[0037]圖3C為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置製造方法的流程圖；
[0038]圖4A至圖4F分別為本發明較佳實施例的一種發光裝置的製作過程示意圖；以及
[0039]圖5A至圖5C分別為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置的製作過程示意圖。
[0040]主要元件符號說明
[0041]l、2、2a、2b:發光裝置11、21:外延基板
[0042]12、22:外延結構121:n_GaN 層
[0043]122:多重量子阱層123:p_GaN層
[0044]13、23:反射層131、231:側壁
[0045]132,232:頂面14:保護層
[0046]15、26:阻障層16、27:絕緣層
[0047]221:第一半導體層222:有源層
[0048]223:第二半導體層24:第一保護層
[0049]25:第二保護層28:接合層
[0050]281:第一接合層282:第二接合層
[0051]29:導熱基板P:電極層
[0052]Pl:第一電極P2:第二電極
[0053]POl ~P09、SOl ~S07:步驟【具體實施方式】
[0054]以下將參照相關附圖，說明依本發明較佳實施例的一種發光裝置及其製作方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
[0055]請分別參照圖2A所示，其為本發明較佳實施例的一種發光裝置2的剖視示意圖。本實施例的發光裝置2為一倒裝結構發光二極體，並為向下發光為例。
[0056]發光裝置2包括一外延基板21、一外延結構22、一反射層23、一第一保護層24以及一阻障層26。另外，發光裝置2還可包括一第二保護層25、一絕緣層27、一第一電極Pl及一第二電極P2。在此，外延結構22、反射層23、第一保護層24、第二保護層25、阻障層26及絕緣層27分別設置於外延基板21之上。
[0057]外延基板21可為透光或不透光。在本實施例中，外延基板21以一可透光的藍寶石基板(Sapphire)為例。當然，外延基板21還可以是碳化矽、氧化鋁、氮化鎵、玻璃、石英、磷化鎵或砷化鎵基板等等，當外延基板21為不透光基板時，須於完成所有發光二極體管芯製作工藝後再去除外延基板21，以避免遮光現象的發生。另外，外延結構22以材料能隙來看，常用的III族-V族元素組成大至可分成四類，分別為:GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列。在此，外延結構22以具有一第一半導體層221、一有源層222及一第二半導體層223為例。其中，靠近外延基板21至遠離外延基板21依序為第一半導體層221、有源層222及第二半導體層223。第一半導體層221與第二半導體層223具有不同電性，當第一半導體層221為P型時，第二電性半導體層223為N型；而當第一半導體221層為N型時，第二半導體層223則為P型。在此，第一半導體層221為N型氮化鎵(GaN)，有源層222為多重量子阱(Multiple quantumiell，MQW)結構，而第二半導體層223以P型氮化鎵為例。本實施例的第一半導體層221為部分露出，以做為後續設置電極之用。
[0058]反射層23設置於外延結構22上。本實施例的反射層23可為單層高反射率的金屬層或為多層高反射率的金屬層，而其材質可例如包含銀、鋁、金、鈦、鉻、鎳、銦錫氧化物，或其組合，並例如可為單層的銀、雙層的鎳/銀，或銦錫氧化物/銀，以提高光線的反射率及改善反射層23與第二半導體層223之間的歐姆接觸特性。
[0059]第一保護層24設置於反射層23及外延結構22上，並至少覆蓋於反射層23的一側壁231。在本實施例中，於反射層23的一頂面232上設置第二保護層25，之後再於第二保護層25、反射層23及外延結構22上設置第一保護層24。在本實施例中，第一保護層24完全覆蓋反射層23的側壁231及部分未被第二保護層25覆蓋的頂面232，且接觸於外延結構22的第二半導體層223。其中，第一保護層24與第二保護層25可分別為單層或多層金屬層所構成，並可使用相同或不同材質，而其材質例如可包含鎳、鈦、鎢，或其組合。其中，第一保護層24與第二保護層25例如可分別為單層的鎳、鈦、鎢或鈦鎢，或雙層的鎳/鈦等。
[0060]本實施例的第二保護層14可保護反射層23，避免後續製作工藝所使用的化學藥品或高溫損傷到反射層23的頂面232而導致反射率下降。另外，在本實施例中，為了使反射層23的側壁231被保護，本發明設置第一保護層24完全覆蓋反射層23的側壁231及部分未被第二保護層25覆蓋的頂面232，除了可避免後續製作工藝所使用的化學藥品或高溫製作工藝損傷到反射層23而造成反射率降低，導致發光裝置2的良率降低之外，還可改善反射層23出現金屬絲而導致後續製作工藝的阻障層26及絕緣層27的覆蓋不佳等問題。[0061]阻障層26設置於第一保護層24及外延結構22上。在此，阻障層26完全覆蓋第一保護層24，並接觸外延結構22的第二半導體層223。阻障層26可保護反射層23，避免反射層23因後續製作工藝或元件操作時產生的擴散或劣化等問題。其中，阻障層26可經過蒸鍍或濺鍍沉積，並通過浮離(lift-off)製作工藝形成於第一保護層24及外延結構22上。阻障層26可為單層或多層的金屬材料所構成，其材質可例如包含鎳、鈦、鎢、金、鉬，或其組合，並例如可為單層的鎳、鈦、金、鎢、鉬或鈦鎢，或雙層的鎳/鈦、金/鎢或鈦鎢/鉬，或三層的鎳/鈦/鉬，或四層的鈦/鎳/鈦/鉬等。
[0062]絕緣層27設置於阻障層26及外延結構22上。在此，絕緣層27覆蓋阻障層26，並接觸外延結構22。絕緣層27例如可為二氧化矽(Si02)、氮化矽(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)或SOG等單層或多層的高絕緣性材料所構成。
[0063]另外，第一電極Pl設置於阻障層26之上，而第二電極P2設置於外延結構22所暴露出的第一半導體層221上，以完成倒裝結構發光二極體的發光裝置2。具體而言，第一電極Pl與第二電極P2位於外延基板21的同一側。在此，絕緣層27並不包覆第一電極Pl及第二電極P2。其中，絕緣層27沉積於阻障層26及外延結構22上之後，可以蝕刻(溼式或乾式)或浮離製作工藝去除阻障層26及第一半導體層221上的部分絕緣層27，以定義第一電極Pl及第二電極P2的圖案區域，接著再分別設置第一電極Pl及第二電極P2於阻障層26上及第一半導體層221未被絕緣層27覆蓋的區域。其中，可以蒸鍍或濺鍍沉積，並通過浮離製作工藝形成第一電極Pl及第二電極P2。第一電極Pl及第二電極P2可為單層或多層的金屬材料所構成，其材質可例如包含金、錫、鋁、鉻、鉬、鈦，或其組合，並例如可為單層的金、鋁或金錫，或雙層的鈦/金或鈦/鋁，或三層的鉻/鉬/金等。通過供電給第一電極Pl及第二電極P2，並通過反射層23的光線反射，可使發光裝置2發出向下的光線。
[0064]值得一提的是，可再使用雷射聚焦於外延基板21與第一半導體層221的界面，使外延基板21與外延結構22剝離，使發光裝置不具有外延基板21而成為另一實施態樣的發光二極體發光裝置。
[0065]請參照圖2B所示，其為本發明另一實施態樣的發光裝置2a的剖視示意圖。
[0066]發光裝置2a與發光裝置2主要的不同在於，發光裝置2a並不具有第二保護層25，而是通過第一保護層24完全覆蓋反射層23的側壁231及頂面232，以保護反射層23，除了可改善反射層23出現金屬絲而導致後續製作工藝的阻障層26及絕緣層27的覆蓋不佳之夕卜，還可避免後續製作工藝所使用的化學藥品或高溫製作工藝損傷到反射層23而造成反射率降低，導致發光裝置2a的良率降低。
[0067]此外，發光裝置2a的其它技術特徵可參照發光裝置2的相同元件，在此不再贅述。
[0068]另外，請參照圖2C所示，其為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置2b的剖視示意圖。本實施例的發光裝置2b為一金屬基板鍵合結構(metal bonding或wafer bonding)發光二極體，並為向下發光為例。
[0069]發光裝置2b的外延結構22、反射層23、第一保護層24、第二保護層25及阻障層26與發光裝置2相同。
[0070]發光裝置2b與發光裝置2主要的不同在於，發光裝置2b並不具有發光裝置2的外延基板21、絕緣層27、第一電極Pl及第二電極P2,而是包括有一接合層28、一導熱基板29及一電極層P。[0071]接合層28設置於阻障層26上，導熱基板29設置於接合層28上，而電極層P設置於外延結構22遠離反射層23的一表面224上。在此，電極層P設置於外延基板21的第一半導層221上，並可為一透明導電層。
[0072]接合層28用以接合阻障層26與導熱基板29。其中，接合層28可使阻障層26與導熱基板29接合併電連接。接合層28可為單層或多層的金屬材料所構成，其材質可例如包含金、錫、招、鉻、鉬、鈦，或其組合，並例如可為單層的金、招或金錫，或雙層的鈦/金或鈦
/招，或二層的絡/鉬/金等。
[0073]導熱基板29為具有高熱導係數的基板，並可通過接合層28接合於阻障層26。導熱基板29也為一導電基板，而其材質可例如包含矽、銅、鋁、錳或其它金屬材料，或其組合，並例如可為一矽基板(表面可具有導電層)、銅基板、鋁基板、銅錳基板或其它高導熱基板。通過導熱基板29的設置，可將發光裝置2b所產生的熱量通過阻障層26、接合層28傳導至高導熱材料的導熱基板29而發散出，以提高發光裝置2b的產品可靠度。由於導熱基板29也為一導電基板，故可將導熱基板29當作一電極使用(也可稱為第一電極)，並將電極層P當作另一電極使用(也可稱為第二電極)，通過供電給導熱基板29及電極層P，並通過反射層23的光線反射，使發光裝置2b發出向下的光線。
[0074]另外，請參照圖3A及圖4A至圖4F所示，其中，圖3A為本發明較佳實施例的一種發光裝置2的製作方法的流程圖，而圖4A至圖4F分別為本發明較佳實施例的一種發光裝置2的製作過程示意圖。
[0075]本發明的發光裝置2的製作方法可包括步驟SOl至步驟S04。
[0076]在步驟SOl中，如圖4A所示，形成一外延結構22於一外延基板21上。在此，可通過蝕刻製作工藝使部分的外延結構21的第一半導體層221露出，以做為後續設置電極之用。而在其他實施例中，為了確定可以暴露出部分的第一半導體層221，也可以控制蝕刻製作工藝去除部分的第一半導體層221，以確保可以暴露出第一半導體層221。其中，形成外延結構22的主要外延方法有液相外延法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)、氣相外延法(Vapor Phase Epitaxy, VPE)及有機金屬氣相外延法(Metal-organic Chemical VaporDeposition, MOCVD),並不加以限制。
[0077]接著，在步驟S02中，如圖4B所示，形成一反射層23於外延結構22上。其中，可經由電子槍(E-Gun)蒸鍍或派鍍(sputter)等沉積製作工藝將反射層23設置於外延結構22上,並於325?550°C的溫度中進行合金(annealing)步驟,通過合金步驟以熱量來減少外延結構22與反射層23間的接觸電阻，並能提高反射層23對光線的反射率。在本實施例中，在進行步驟S03之前，製作方法還可包括:形成一第二保護層25於反射層23的一頂面232上。在此，第二保護層25形成於反射層23的部分頂面232，且靠近反射層23的一側壁231的部分頂面232不具有第二保護層25。不過，也可將第二保護層25形成於反射層23的全部頂面232上。當然，在其它的實施態樣中，發光裝置也可不具有第二保護層25。其中，第二保護層25可與反射層23使用同一個沉積製作工藝，以將反射層23及第二保護層25依序沉積在外延結構22上，再通過光刻、蝕刻(溼式或乾式)或浮離等製作工藝分別完成反射層23及第二保護層25的圖案定義。
[0078]接著，進行步驟S03，如圖4C所示，形成一第一保護層24於反射層23及外延結構22上，且第一保護層24至少覆蓋於反射層23的一側壁231。在此，第一保護層24形成於反射層23、第二保護層25及外延結構22上，以完全覆蓋反射層23、第二保護層25，以保護反射層23的頂面232及側壁231。在此，在第二保護層25與反射層23的圖形定義之後沉積第一保護層24，可使用電子槍(E-Gun)蒸鍍或濺鍍(sputter)等沉積製作工藝，以將第一保護層24沉積於第二保護層25與反射層23之上，以使第一保護層24可完全覆蓋第二保護層25與反射層23。
[0079]接著，進行步驟S04，如圖4D所示，形成一阻障層26於第一保護層24及外延結構22上，其中阻障層26完全覆蓋第一保護層24。在此，阻障層26為一金屬層，並完全覆蓋住第一保護層24。
[0080]另外，請參照圖3B所示，其為本發明較佳實施例的一種發光裝置2的製作方法的
另一流程圖。
[0081]發光裝置2的製作方法還可包括步驟S05?步驟S07。
[0082]如圖4E所示，步驟S05為，形成一絕緣層27於阻障層26及外延結構22上。在此，絕緣層27以蒸鍍或濺鍍沉積於阻障層26及外延結構22上。
[0083]最後，進行步驟S06及步驟S07中，如圖4F所示，形成一第一電極Pl於阻障層26之上，以及形成一第二電極P2於外延結構22的一第一半導體層221上，其中第一電極Pl與第二電極P2位於外延基板21的同一側。在本實施例中，絕緣層27並不包覆第一電極Pl及第二電極P2。在此，在形成第一電極Pl與第二電極P2之前，可於阻障層26及外延結構22上沉積完絕緣層27之後，以蝕刻或浮離製作工藝分別去除阻障層26及第一半導體層221上的部分絕緣層27，以定義出第一電極Pl及第二電極P2的圖案。接著再分別形成第一電極Pl及第二電極P2於阻障層26及第一半導體層221上未被絕緣層27覆蓋的區域。如此，即完成發光裝置2的製作方法。
[0084]此外，發光裝置2的製作方法的其它技術特徵，包含各元件的材料及其製作工藝等可參照上述相同元件的說明，在此不再贅述。
[0085]另外，請參照圖3C及圖5A至圖5C所示，其中，圖3C為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置2b的製作方法的流程圖，而圖5A至圖5C分別為本發明另一較佳實施例的一種發光裝置2b的製作過程示意圖。
[0086]本發明的發光裝置2b的製作方法可包括步驟POl至步驟P09。其中，步驟POl?步驟P04分別與步驟SOl?步驟S04相同，不再贅述。
[0087]在步驟P05及步驟P06中，如圖5A所示，形成一第一接合層281於阻障層26上，及形成一第二接合層282於一導熱基板29上。第一接合層281及第二接合282可分別以蒸鍍或濺鍍方式分別形成於阻障層26及導熱基板29上。本實施例的第一接合層281及第二接合層282可為單層或多層的金屬材料所構成，其材質可例如分別包含金、錫、鋁、鉻、鉬、鈦，或其組合，並例如可為單層的金、鋁或金錫，或雙層的鈦/金或鈦/鋁，或三層的鉻/鉬/金等。其中，鉻或鈦是作為與阻障層26及導熱基板29接著之用，而鉬則作為阻擋層，用以阻止鉻與金原子互相擴散，金則可用以後續製作工藝兩者的接合，以金層-金層對接。
[0088]接著，進行步驟P07，如圖5B所示，通過第一接合層281及第二接合層282接合導熱基板29於阻障層26之上。具體而言，通過第一接合層281及第二接合層282，以使導熱基板29可接合於阻障層26。於此，接合後的第一接合層281與第二接合層282可形成一接合層28。[0089]另外，步驟P08為:移除外延基板21。本實施例以雷射聚焦於外延結構22的第一半導體層221靠近外延基板21的一側，並通過雷射聚焦解離部分的第一半導體層221，以分離外延基板21及外延結構22。
[0090]最後，進行步驟P09，如圖5C所示，形成一電極層P於外延結構22遠離反射層23的一表面224上。於此，電極層P形成於外延基板21的第一半導層221上。由於導熱基板29也為一導電基板，故可將導熱基板29當作一電極使用，並將電極層P當作另一電極，並可通過供電給導熱基板29及電極層P，並通過反射層23的光線反射，使發光裝置2b發出向下的光線。
[0091]此外，發光裝置2b的製作方法的其它技術特徵，包含各元件的材料及其製作工藝等可參照上述相同元件的說明，於此不再贅述。
[0092]綜上所述，因依據本發明的發光裝置及製作方法中，反射層設置於外延結構上，第一保護層設置於反射層及外延結構上，並至少覆蓋於反射層的一側壁，而阻障層設置於第一保護層及外延結構上，並完全覆蓋第一保護層，且阻障層之上具有一第一電極。由此，與現有相比較，本發明的第一保護層至少覆蓋於反射層的一側壁，除了可避免發光裝置因後續製作工藝所使用的化學藥品或高溫製作工藝損傷到反射層的側壁而造成反射率降低，導致發光裝置的良率降低之外，還可改善反射層出現金屬絲而導致後續製作工藝的阻障層及絕緣層的覆蓋不佳等問題。
[0093]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明的精神與範疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含於所附的權利要求中。
【權利要求】
1.一種發光裝置，包括: 外延結構； 反射層，設置於該外延結構上； 第一保護層，設置於該反射層及該外延結構上，並至少覆蓋於該反射層的一側壁；以及阻障層，設置於該第一保護層及該外延結構上，並完全覆蓋該第一保護層，該阻障層之上具有第一電極。
2.如權利要求1所述的發光裝置，還包括: 外延基板，該外延結構、該反射層、該第一保護層及該阻障層設置於該外延基板之上。
3.如權利要求1所述的發光裝置，其中該外延結構具有第一半導體層、有源層及第二半導體層，該有源層夾置於該第一半導體層及該第二半導體層之間。
4.如權利要求1所述的發光裝置，還包括: 第二保護層，設置於該反射層的一頂面，並夾置於該第一保護層與該反射層之間。
5.如權利要求1或4所述的發光裝置，還包括: 絕緣層，設置於該阻障層及該外延結構上。
6.如權利要求5所述的發光裝置，還包括: 第二電極，設置於該外延結構的第一半導體層上，該第一電極與該第二電極位於該外延基板的同一側。
7.如權利要求1或4所述的發光裝置，還包括: 接合層，設置於該阻障層上。
8.如權利要求7所述的發光裝置，還包括: 導熱基板，設置於該接合層上，該導熱基板為該第一電極。
9.如權利要求8所述的發光裝置，還包括: 電極層，設置於該外延結構遠離該反射層的一表面上。
10.一種發光裝置製造方法，包括: 形成一外延結構於一外延基板上； 形成一反射層於該外延結構上； 形成一第一保護層於該反射層及該外延結構上，其中該第一保護層至少覆蓋於該反射層的一側壁；以及 形成一阻障層於該第一保護層及該外延結構上，其中該阻障層完全覆蓋該第一保護層。
11.如權利要求10所述的製作方法，還包括: 形成一第二保護層於該反射層的頂面，並夾置於該第一保護層與該反射層之間。
12.如權利要求10或11所述的製作方法，還包括: 形成一絕緣層於該阻障層及該外延結構上。
13.如權利要求12所述的製作方法，還包括: 形成一第一電極於該阻障層之上；以及 形成一第二電極於該外延結構的第一半導體層上，其中該第一電極與該第二電極位於該外延基板的同一側。
14.如權利要求10或11所述的製作方法，還包括:形成一第一接合層於該阻障層上；形成一第二接合層於一導熱基板上；及通過該第一接合層及該第二接合層接合該導熱基板於該阻障層之上。
15.如權利要求14所述的製作方法，還包括:移除該外延基板。
16.如權利要求15所述的製作方法，還包括:形成一電極層於該外延`結構遠離該反射層的一表面上。
【文檔編號】H01L33/44GK103682027SQ201310044160
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年2月4日 優先權日:2012年9月26日
【發明者】陳彥瑋, 朱長信, 餘國輝, 莊文宏 申請人:奇力光電科技股份有限公司, 佛山市奇明光電有限公司