陣列基板的製作方法
2023-05-17 02:38:31 1
陣列基板的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板的製作方法，涉及顯示【技術領域】，簡化了絕緣層通孔的製作過程。該陣列基板的製作方法，包括：在基板上沉積金屬層；在基板上塗布光刻膠；對金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，絕緣層通孔區域為不進行曝光的區域，對絕緣層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使絕緣層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄；對金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕；對金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使金屬層刻蝕區域和絕緣層通孔區域之外的光刻膠被去除，使絕緣層通孔區域的光刻膠厚度變薄；沉積絕緣層；剝離絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔。
【專利說明】 陣列基板的製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板的製作方法。
【背景技術】
[0002]顯示器的陣列基板是由不同的層結構組成，其中，絕緣層上往往會製作一些通孔以使被絕緣層隔開的導電部分相連通。
[0003]然而，由於每層絕緣層上的通孔都需要使用單獨的構圖工藝進行製作，並且陣列基板上往往包括多個絕緣層，因此通孔製作過程較為複雜。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種陣列基板的製作方法，簡化了絕緣層通孔的製作過程。
[0005]為解決上述技術問題，本發明採用如下技術方案:
[0006]提供一種陣列基板的製作方法，包括:
[0007]在基板上沉積金屬層；
[0008]在包括所述金屬層的基板上塗布光刻膠；
[0009]對金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使所述金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，絕緣層通孔區域為不進行曝光的區域，對所述絕緣層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使所述絕緣層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄；
[0010]對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕；
[0011]對所述金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使所述金屬層刻蝕區域和絕緣層通孔區域之外的光刻膠被去除，使所述絕緣層通孔區域的光刻膠厚度變薄；
[0012]在包括所述絕緣層通孔區域光刻膠的基板上沉積絕緣層；
[0013]剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔。
[0014]可選地，所述金屬層為源漏金屬層，所述絕緣層為鈍化層，所述絕緣層通孔區域為鈍化層通孔區域；
[0015]所述對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕的過程為:
[0016]對所述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層進行刻蝕，形成包括數據線和TFT源漏極的圖案，所述鈍化層通孔區域位於所述TFT的漏極處；
[0017]在所述形成絕緣層通孔之後，還包括:
[0018]在包括所述絕緣層通孔的基板上形成透明電極，使所述透明電極通過所述絕緣層通孔與所述TFT的漏極連接。
[0019]可選地，所述金屬層為柵極金屬層，所述絕緣層為柵極絕緣層；
[0020]所述對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕的過程為:
[0021]對所述柵極金屬層刻蝕區域的柵極金屬層進行刻蝕，形成包括柵線、開關TFT柵極和驅動TFT柵極的圖案，所述絕緣層通孔區域位於所述驅動TFT的柵極處；
[0022]在所述剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔的過程之前，還包括:
[0023]在包括所述絕緣層的基板上形成有源層；
[0024]在所述剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔的過程之後，還包括:
[0025]在包括所述絕緣層通孔的基板上沉積源漏金屬層，使所述開關TFT的漏極通過所述絕緣層通孔與所述驅動TFT的柵極連接。
[0026]具體地，在所述包括所述絕緣層通孔的基板上沉積源漏金屬層的過程之後，還包括:
[0027]在包括所述源漏金屬層的基板上塗布光刻膠；
[0028]對源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使所述源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，鈍化層通孔區域為不進行曝光的區域，對所述鈍化層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使所述鈍化層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄；
[0029]對所述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層進行刻蝕，形成包括數據線、開關TFT源漏極和驅動TFT源漏極的圖案，所述鈍化層通孔區域位於所述驅動TFT的漏極處；
[0030]對所述源漏金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使所述源漏金屬層刻蝕區域和鈍化層通孔區域之外的光刻膠被去除，使所述鈍化層通孔區域的光刻膠厚度變薄；
[0031]在包括所述鈍化層通孔區域光刻膠的基板上沉積鈍化層，剝離所述鈍化層通孔區域的光刻膠，形成鈍化層通孔。
[0032]具體地，在所述形成鈍化層通孔之後，還包括:
[0033]在包括所述鈍化層通孔的基板上形成透明電極，所述透明電極通過所述鈍化層通孔與所述驅動TFT的漏極連接。
[0034]具體地，所述半曝光為半色調曝光或灰度色調曝光。
[0035]具體地，所述灰化為O2等離子體灰化。
[0036]本發明提供的陣列基板的製作方法，通過半曝光工藝使作為金屬層掩模板的光刻膠在通孔區域保留，在沉積絕緣層之後，剝離通孔區域的光刻膠，此時通孔區域的絕緣層被同時剝離，因此無需單獨的構圖工藝來製作通孔，簡化了絕緣層通孔的製作過程，避免了較多的曝光和幹刻處理工序對器件均勻性和穩定性的影響。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1為本發明實施例一中一種陣列基板的製作方法流程圖；
[0039]圖2至圖7為本發明實施例一中一種陣列基板的剖面不意圖；
[0040]圖8為本發明實施例二中一種陣列基板的製作方法流程圖；
[0041]圖9為本發明實施例三中一種陣列基板的製作方法流程圖；
[0042]圖10、11、13、14、15、16、18、19、20、22、23和24為本發明實施例三中一種陣列基板的剖面示意圖；[0043]圖12、17、21和25為本發明實施例三中一種陣列基板的平面示意圖。
【具體實施方式】
[0044]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。
[0045]實施例一
[0046]如圖1所示，本實施例提供一種陣列基板的製作方法，包括:
[0047]步驟101、如圖2所示，在基板上沉積金屬層I ;
[0048]步驟102、在包括上述金屬層I的基板上塗布光刻膠2 ；
[0049]步驟103、如圖3所示，對金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使上述金屬層刻蝕區域的光刻膠2被去除，絕緣層通孔區域為不進行曝光的區域，即絕緣層通孔區域的光刻膠2完全保留，對上述絕緣層通孔區域之外的光刻膠2進行半曝光並顯影，使上述絕緣層通孔區域之外的光刻膠2厚度變薄；
[0050]步驟104、如圖4所示，通過光刻膠2作為掩模板對上述金屬層刻蝕區域的金屬層I進行刻蝕，得到金屬層圖案；
[0051]步驟105、如圖5所示，對上述金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使上述金屬層刻蝕區域和絕緣層通孔區域之外的光刻膠被去除，使上述絕緣層通孔區域的光刻膠2厚度變薄，由於在灰化之前絕緣層通孔區域的光刻膠2最厚，因此通過灰化可以方便地去除絕緣層通孔區域之外的光刻膠2，而僅保留絕緣層通孔區域的光刻膠2 ；
[0052]步驟106、如圖6所示，在包括上述絕緣層通孔區域光刻膠的基板上沉積絕緣層3 ；
[0053]步驟107、如圖7所示，剝離上述絕緣層通孔區域的光刻膠，由於之前絕緣層通孔區域的絕緣層覆蓋在光刻膠上，因此在剝離光刻膠的過程中自然去除了絕緣層通孔區域的絕緣層，從而自然形成絕緣層通孔。
[0054]需要說明的是，上述的半曝光可以為半色調(Halftone)曝光或灰度色調(Graytone)曝光，用於通過限制曝光時的透過率來控制顯影后光刻膠殘留厚度。另外，上述灰化具體可以為O2等離子體灰化。
[0055]本實施例中陣列基板的製作方法，通過半曝光工藝使作為金屬層掩模板的光刻膠在通孔區域保留，在沉積絕緣層之後，剝離通孔區域的光刻膠，此時通孔區域的絕緣層被同時剝離，因此無需單獨的構圖工藝來製作通孔，簡化了絕緣層通孔的製作過程，避免了較多的曝光和幹刻處理工序對器件均勻性和穩定性的影響。
[0056]實施例二
[0057]在實施例一的基礎上,本實施例通過液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)陣列基板的製作方法為例具體說明鈍化層通孔的製作。
[0058]上述金屬層在本實施例中為源漏金屬層，上述絕緣層在本實施例中為鈍化層，上述絕緣層通孔區域在本實施例中為鈍化層通孔區域。
[0059]具體地,如圖8所示,在上述步驟101之前,還包括:
[0060]步驟100、在基板上形成包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)的圖案；
[0061]上述步驟101具體為步驟1011、在包括上述TFT圖案的基板上沉積源漏金屬層。[0062]步驟102、在包括上述TFT圖案的基板上沉積源漏金屬層；
[0063]步驟103、對源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使上述源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，鈍化層通孔區域為不進行曝光的區域，對上述鈍化層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使上述鈍化層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄；
[0064]上述步驟104、對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕的過程具體為:
[0065]步驟1041、對上述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層進行刻蝕，形成包括數據線和TFT源漏極的圖案，上述鈍化層通孔區域位於該TFT的漏極處；
[0066]步驟105、對上述源漏金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使上述源漏金屬層刻蝕區域和鈍化層通孔區域之外的光刻膠被去除，使上述鈍化層通孔區域的光刻膠厚度變薄；
[0067]步驟106、在包括上述鈍化層通孔區域光刻膠的基板上沉積絕緣層；
[0068]步驟107、剝離上述鈍化層通孔區域的光刻膠，形成鈍化層通孔
[0069]在上述步驟107之後，還包括:步驟108、在包括上述鈍化層通孔的基板上形成透明電極，使上述透明電極通過上述鈍化層通孔與該TFT的漏極連接。
[0070]需要說明的是，本實施例中陣列基板的製作方法也可以用於其他類型的顯示器中鈍化層通孔的製作，例如用於有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode, OLED)顯示器中鈍化層通孔的製作，區別僅在於形成的圖案或結構不同，但是均包括需要刻蝕圖案的源漏金屬層和與其相鄰的鈍化層。
[0071]本實施例中陣列基板的製作方法，通過半曝光工藝使作為金屬層掩模板的光刻膠在通孔區域保留，在沉積絕緣層之後，剝離通孔區域的光刻膠，此時通孔區域的絕緣層被同時剝離，因此無需單獨的構圖工藝來製作通孔，簡化了絕緣層通孔的製作過程，避免了較多的曝光和幹刻處理工序對器件均勻性和穩定性的影響。
[0072]實施例三
[0073]在實施例一的基礎上，本實施例通過OLED顯示器中陣列基板的製作方法為例具體說明柵極絕緣層通孔和鈍化層通孔的製作。
[0074]實施例一中所述金屬層在本實施例中為柵極金屬層，所述絕緣層為柵極絕緣層。
[0075]如圖9所示，本實施例中陣列基板的製作方法包括:
[0076]步驟201、如圖10所示，在基板上沉積柵極金屬層4 ；
[0077]步驟202、在包括上述柵極金屬層4的基板上塗布光刻膠2 ；
[0078]步驟203、如圖11和圖12所示，對柵極金屬層刻蝕區域的光刻膠2進行完全曝光並顯影，使上述柵極金屬層刻蝕區域的光刻膠2被去除，柵極絕緣層通孔區域51為不進行曝光的區域，對上述柵極絕緣層通孔區域51之外的光刻膠2進行半曝光並顯影，使上述柵極絕緣層通孔區域51之外的光刻膠厚度變薄；
[0079]步驟204、如圖13和圖12所示，對上述柵極金屬層刻蝕區域的柵極金屬層4進行刻蝕，形成包括柵線6、開關TFT柵極71和驅動TFT柵極72的圖案，柵極絕緣層通孔區域51位於驅動TFT的柵極72處；
[0080]步驟205、如圖14和圖12所示，對上述柵極金屬層刻蝕區域之外的光刻膠2進行灰化，使上述柵極絕緣層通孔區域之外的光刻膠2被去除，即僅保留柵極絕緣層通孔區域51的光刻膠2，並使柵極絕緣層通孔區域51的光刻膠2厚度變薄；[0081]步驟206、如圖15所示，在包括柵極絕緣層通孔區域光刻膠2的基板上沉積柵極絕緣層8 ；
[0082]步驟207、如圖16和圖17所示，在包括上述柵極絕緣層的基板上形成有源層9 ；
[0083]形成有源層9的過程具體可以包括依次沉積有源層和光刻膠，對光刻膠進行曝光顯影，對有源層進行刻蝕，最終形成位於開關TFT柵極和驅動TFT柵極處的有源層9，並且有源層9上留有光刻膠2。
[0084]步驟208、如圖18和圖17所示，剝離上述柵極絕緣層通孔區域51的光刻膠，形成絕緣層通孔，同時剝離上述有源層9上的光刻膠；
[0085]至此柵極絕緣層通孔的製作完成，以下步驟為鈍化層通孔的製作過程。
[0086]步驟209、如圖19所示，在包括上述絕緣層通孔的基板上沉積源漏金屬層10，使上述開關TFT的漏極通過上述絕緣層通孔與上述驅動TFT的柵極連接；
[0087]步驟210、在包括源漏金屬層10的基板上塗布光刻膠2 ；
[0088]步驟211、如圖20和21所示，對源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠2進行完全曝光並顯影，使上述源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠2被去除，鈍化層通孔區域52為不進行曝光的區域，對上述鈍化層通孔區域52之外的光刻膠2進行半曝光並顯影，使上述鈍化層通孔區域52之外的光刻膠厚度變薄；
[0089]步驟212、對上述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層10進行刻蝕，形成包括數據線11、固定電壓線12 (即驅動TFT的源極)、開關TFT源極13、開關TFT漏極14和驅動TFT漏極15的圖案，鈍化層通孔區域52位於驅動TFT的漏極15處；
[0090]步驟213、如圖22所示，對上述源漏金屬層刻蝕區域之外的光刻膠2進行灰化，使上述鈍化層通孔區域之外的光刻膠2被去除，使上述鈍化層通孔區域的光刻膠2厚度變薄；
[0091]步驟214、如圖23所示，在包括鈍化層通孔區域光刻膠2的基板上沉積鈍化層16，
[0092]步驟215、如圖24所示，剝離上述鈍化層通孔區域的光刻膠，形成鈍化層通孔；
[0093]步驟216、如圖24和25所示,在包括上述鈍化層通孔的基板上形成透明電極17,透明電極17通過上述鈍化層通孔與上述驅動TFT的漏極連接。
[0094]需要說明的是，本實施例僅通過一種典型的包括開光TFT和驅動TFT的底柵型結構的OLED陣列基板為例具體說明陣列基板的製作過程，其他結構的OLED陣列基板也可以通過實施例一的方法進行製作。
[0095]本實施例中陣列基板的製作方法，通過半曝光工藝使作為金屬層掩模板的光刻膠在通孔區域保留，在沉積絕緣層之後，剝離通孔區域的光刻膠，此時通孔區域的絕緣層被同時剝離，因此無需單獨的構圖工藝來製作通孔，簡化了絕緣層通孔的製作過程，避免了較多的曝光和幹刻處理工序對器件均勻性和穩定性的影響。
[0096]上述實施例二和實施例三僅以鈍化層通孔和柵極絕緣層通孔的製作過程來說明本發明提供的陣列基板製作方法，該方法同樣適用於陣列基板上其他類型的非金屬層通孔製作。
[0097]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板的製作方法，其特徵在於，包括: 在基板上沉積金屬層； 在包括所述金屬層的基板上塗布光刻膠； 對金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使所述金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，絕緣層通孔區域為不進行曝光的區域，對所述絕緣層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使所述絕緣層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄； 對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕； 對所述金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使所述金屬層刻蝕區域和絕緣層通孔區域之外的光刻膠被去除，使所述絕緣層通孔區域的光刻膠厚度變薄； 在包括所述絕緣層通孔區域光刻膠的基板上沉積絕緣層； 剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 所述金屬層為源漏金屬層，所述絕緣層為鈍化層，所述絕緣層通孔區域為鈍化層通孔區域； 所述對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕的過程為: 對所述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層進行刻蝕，形成包括數據線和TFT源漏極的圖案，所述鈍化層通孔區域位於所述TFT的漏極處； 在所述形成絕緣層通孔之後，還包括: 在包括所述絕緣層通孔的基板上形成透明電極，使所述透明電極通過所述絕緣層通孔與所述TFT的漏極連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 所述金屬層為柵極金屬層，所述絕緣層為柵極絕緣層； 所述對所述金屬層刻蝕區域的金屬層進行刻蝕的過程為: 對所述柵極金屬層刻蝕區域的柵極金屬層進行刻蝕，形成包括柵線、開關TFT柵極和驅動TFT柵極的圖案，所述絕緣層通孔區域位於所述驅動TFT的柵極處； 在所述剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔的過程之前，還包括: 在包括所述絕緣層的基板上形成有源層； 在所述剝離所述絕緣層通孔區域的光刻膠，形成絕緣層通孔的過程之後，還包括:在包括所述絕緣層通孔的基板上沉積源漏金屬層，使所述開關TFT的漏極通過所述絕緣層通孔與所述驅動TFT的柵極連接。
4.根據權利要求3所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 在所述包括所述絕緣層通孔的基板上沉積源漏金屬層的過程之後，還包括: 在包括所述源漏金屬層的基板上塗布光刻膠； 對源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠進行完全曝光並顯影，使所述源漏金屬層刻蝕區域的光刻膠被去除，鈍化層通孔區域為不進行曝光的區域，對所述鈍化層通孔區域之外的光刻膠進行半曝光並顯影，使所述鈍化層通孔區域之外的光刻膠厚度變薄； 對所述源漏金屬層刻蝕區域的源漏金屬層進行刻蝕，形成包括數據線、開關TFT源漏極和驅動TFT源漏極的圖案，所述鈍化層通孔區域位於所述驅動TFT的漏極處； 對所述源漏金屬層刻蝕區域之外的光刻膠進行灰化，使所述源漏金屬層刻蝕區域和鈍化層通孔區域之外的光刻膠被去除，使所述鈍化層通孔區域的光刻膠厚度變薄； 在包括所述鈍化層通孔區域光刻膠的基板上沉積鈍化層，剝離所述鈍化層通孔區域的光刻膠，形成鈍化層通孔。
5.根據權利要求4所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 在所述形成鈍化層通孔之後，還包括: 在包括所述鈍化層通孔的基板上形成透明電極，所述透明電極通過所述鈍化層通孔與所述驅動TFT的漏極連接。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 所述半曝光為半色調曝光或灰度色調曝光。
7.根據權利要求1至5中任意一項所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於， 所述灰化為O2等 離子體灰化。
【文檔編號】H01L21/336GK103560088SQ201310542331
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月5日 優先權日:2013年11月5日
【發明者】張立, 閆梁臣, 劉鳳娟 申請人:京東方科技集團股份有限公司