多孔性高分子膜及其製造方法以及該製造中所使用的壓模的製造方法

2023-05-25 09:52:36 1

專利名稱：多孔性高分子膜及其製造方法以及該製造中所使用的壓模的製造方法
技術領域：
本發明涉及多孔性高分子膜及其製造方法，特別涉及使用壓模將微細的凹凸結構例如多孔性結構或孔陣(hole array )結 構轉印到表面的多孔性高分子膜的製造方法，以及通過該方法 製造的表面具有凹凸結構例如多孔性結構或孔陣結構的多孔性 高分子膜，進而涉及多孔性高分子膜的製造中所使用的壓模的 製造方法。本申請基於2005年8月26日向日本專利局提出的日本特願2005 - 245702號和2006年3月6日向日本專利局提出的日本特願2006 - 059103號主張優先權，在此引用其內容。
背景技術：
表面具有來自亞微米的納米級別的微細的凹凸結構的高分 子膜期待應用於疏水性膜、疏油性膜或防反射膜等各種領域。 迄今為止，研究出各種在高分子膜表面形成微細的凹凸圖案的 方法，其中，納米壓印法引起關注，該方法通過將表面具有微 細的凹凸圖案的鑄型機械地擠壓到聚合物而可在試樣表面形成 與鑄型的幾何結構對應的凹凸圖案(例如非專利文獻l)。根據 該方法可以以高吞吐量形成大面積的規則結構，因此可以期待 用作製造各種納米器件的方法。但是，由於通常在納米壓印中 所使用的鑄型的製造中使用電子束曝光(electron beam lithography),因而這些方法存在著難以大面積製造100nm以下 的微細的凹凸圖案的問題。非專利文獻l: S. Y. Chou, P. R. Krauss, and J. Renstrom,Science, 272, 85 ( 1996 )發明內容發明要解決的問題本發明為了解決製造各種用途所期待的在表面具有凹凸結 構例如多孔性結構或孔陣結構的高分子膜時的上述問題，對通 過使用如下的壓模而容易得到多孔性高分子膜的方法進行深入 研究而得以實現，所述壓模具有將細孔自組織性排列的多孔 性的材料例如陽極氧化多孔氧化鋁所具有的孔陣結構作為鑄模 而製造的、前述孔陣結構的反轉結構。本發明的目的在於提供可不經過複雜的工序而大面積製造 多孔性高分子膜的方法，以及通過該方法製造的多孔性高分子 膜，其中，該多孔性高分子膜在表面具有尺寸均勻的細孔與膜 表面垂直的多孔性結構、即孔陣結構。另外，提供適用於其制 造的壓模的製造方法，特別是具有高長徑比的凹凸結構(凹凸 圖案)的金屬制壓模的製造方法，進而提供具有各細孔貫通的 孔陣結構的高分子膜(所謂的通孔膜)的製造方法。用於解決問題的手段為了實現上述目的，本發明的多孔性高分子膜的製造方法， 其特徵在於，在具有多孔性的表面結構的陽極氧化多孔氧化鋁 的細孔內填充物質，通過溶解除去前述陽極氧化多孔氧化鋁來 製造由前述物質構成且具有前述表面結構的反轉結構的壓模， 通過將前述壓模的前述反轉結構轉印到高分子來製造具有前述 表面結構的高分子膜。即通過利用將陽極氧化多孔氧化鋁作為 鑄模而製造的壓模，將前述壓模的表面的凹凸轉印到高分子膜， 從而得到具有陽極氧化多孔氧化鋁的前述表面結構的多孔性高 分子膜。為了得到本發明所使用的壓模，在陽極氧化多孔氧化鋁的 細孔內和其表面填充金屬、金屬氧化物、半導體等物質之後溶 解除去該鑄模、即氧化鋁。這樣製造的壓模的材質、即填充到 陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內和其表面的物質優選金屬，進一 步優選鎳、金、和鉑。另外，上述本發明的方法中，還可以使用如下製作的壓模 將通過反覆進行陽極氧化和孔徑擴大處理而具有孔徑連續變化 的細孔的陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模而製造的壓模。這樣， 將通過組合陽極氧化和孔徑擴大處理而製造的具有孔徑連續變 化的細孔的多孔氧化鋁用作鑄模，則可製造突起直徑連續變化 的壓模，因此可在高分子膜表面製造細孔直徑在孔深度方向直 線性或曲線性變化的多孔性的表面結構、即孔陣結構。此時形 成的高分子膜表面的孔陣結構可通過改變壓模製造時的鑄模、 即陽極氧化多孔氧化鋁的製造條件來控制。另外，作為壓模的製造條件特別是用於製造壓模的鑄模、 即陽極氧化多孔氧化鋁的製造條件，可以採用各種條件。例如可以使用如下的壓才莫將草酸用作電解液並在形成電壓3 0 V ~ 40V下製造的陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模而製成的壓模；或 者將硫酸用作電解液並在形成電壓10V ~ 30V下製造的陽極氧 化多孔氧化鋁作為鑄模而製成的壓模；或者將磷酸用作電解液 並在形成電壓180V 200V下製造的陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模而製成的壓模。另外，壓模的製造中，在適當的條件下以恆壓實施長時間 陽極氧化並溶解除去試樣的金屬部分和皮膜底部，從而得到多 孔氧化鋁細孔底部的規則的細孔排列，若利用該細孔排列則可 以得到突起規則排列的壓模。若使用這樣製造的壓模，則可以進而，在恆壓下實施長時間陽極氧化之後，暫且除去氧化 皮膜，再次在相同條件下實施陽極氧化，將由此製造的陽極氧 化多孔氧化鋁用作鑄模，也可以得到具有高的突起排列規則性 的壓模。若使用這樣的壓模，則可以得到表面具有細孔規則排 列的孔陣結構的多孔性高分子膜。另外，也可以如下製造壓模在陽極氧化之前，在鋁表面形成微小的凹坑並將其作為陽極氧化時的細孔產生的起點，並 將這樣製造的陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模來製造壓模。通過 該方法，可製造具有任意排列的陽極氧化多孔氧化鋁。通過使 用將其作為鑄模而製造的壓模，可以得到表面具有任意細孔排列的孔陣結構的多孔性高分子膜。另外，將控制孔徑擴大處理時間並調節了細孔壁部分的比 例的陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模而製造壓模，若利用該壓模， 則還可以得到具有表面側的細孔壁部分的比例d 、的孔陣結構的 高分子膜。例如，可以製造形成於高分子膜表面的孔陣結構的 表面側的細孔壁部分的比例(即相對於高分子膜的外邊緣所包圍區域的面積的、細孔壁的上表面的總面積)為30%以下、優 選為20%以下、更優選為10%以下、進一步優選為5%以下的多 孔性高分子膜。進而通過將細孔直徑擴大至極限，形成於高分 子膜表面的孔陣結構在表面側的細孔橫截面形狀可以是例如三 角形、四邊形或六邊形。這樣的多孔性高分子膜由於在試樣表 面的孔隙度(空隙率)高，因而平坦的細孔壁部分所佔的比例 變少，對於用來提高防反射特性和疏水、疏油特性是有效的。使用以這樣的方法製造的壓模，通過轉印各種壓模所具有 的前述反轉結構的方法，可以製造表面具有孔陣結構的多孔性 高分子膜。可通過例如如下的方法，在高分子膜表面製造與作 為起始結構所使用的陽極氧化多孔氧化鋁同樣的孔陣結構，其中，所述方法為使用熱塑性樹脂作為轉印前述壓模所具有的前述反轉結構的高分子材料的熱壓印法；使用光固化性樹脂(特別是紫外線固化樹脂)作為轉印前述壓模的前述反轉結構的高分子材料的光壓印法；以及，通過將溶解有高分子的溶液澆鑄 到壓模上，乾燥溶劑後剝離壓模，從而將壓模的前述反轉結構 轉印到高分子的高分子溶液澆鑄法等方法。另外，本發明還提供適用於上述這樣的多孔性高分子膜的 製造中的、特別是高長徑比的金屬制壓模的製造方法。即，本 發明的壓模的製造方法是材質為金屬的壓模的製造方法，通過 電沉積法在作為鑄模的陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內填充金屬 時，使用離子束濺射裝置在鑄模表面塗布金屬而賦予導通層。 通過該方法，可以容易地製造特別是高長徑比的金屬制壓模。該壓模的製造方法中向鑄模表面賦予導通層時，優選在離 子束濺射裝置的試樣室的真空度為3xl0—4Pa~ lxlO」Pa的條件 下進行離子束濺射。通過這樣將濺射條件最優化，可以確切地 賦予期望的導通層。通過將根據這樣的方法製造的壓模的前述反轉結構轉印到 高分子，可以容易地製造具有與高長徑比的壓模對應的形狀的 各細孔的多孔性高分子膜。進 一 步，本發明還提供多孔性高分子膜特別是通孔膜的制 造方法。即，本發明的多孔性高分子膜的製造方法在具有多孔 性的表面結構的陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內填充物質，通過 溶解除去前述陽才及氧化多孔氧化鋁來製造由前述物質構成且具 有前述表面結構的反轉結構的壓模，將前述壓模設置在高分子 與底層基板的層上，對前述壓模施加荷重直至前述反轉結構的 凸部前端通過前述高分子接觸前述底層基4反的表面或到達前述 底層基板的內部，以將前述反轉結構轉印到前述高分子，從而製造具有前述表面結構的高分子膜，通過將前述高分子膜從前 述底層基板剝離(包括溶解除去底層基板的情況)來製造具有 各細孔貫通的表面結構(孔陣結構)的高分子膜。通過該方法 特別是可以容易地製造通孔膜。該具有各細孔貫通的孔陣結構的多孔性高分子膜的製造方 法中，作為底層基板可以使用至少表面為由高分子形成的基板， 例如高分子基板或澆鑄了溶解有高分子的溶液的基板、在玻璃 等基板上將單體聚合從而在表面形成高分子膜的底層基板、進 而最外表面為由高分子膜形成的多層的底層基板等。另外，可 以使用至少表面為由熱塑性樹脂形成的底層基板，並在加溫條 件下對壓模施加荷重。進而本發明還提供使用上述這樣的方法製造的多孔性高分 子膜。發明效果根據本發明的多孔性高分子膜以及其製造方法，可不經過 複雜的工序而筒單、高效地製造表面具有孔陣結構的多孔性高 分子膜，該孔陣結構中大量、均勻且大面積地排列有尺寸均勻 且微細的尺寸的與膜表面垂直的細孔。另外，根據本發明可以容易地製造具有各細孔貫通的孔陣 結構的多孔性高分子膜。進而，根據本發明還可以提供適用於這些多孔性高分子膜 的製造中的高長徑比的壓模。


圖l是表示壓模的製造工序的一個例子的工序流程圖。圖2是表示將具有孔徑連續變化的細孔的陽極氧化多孔氧 化鋁作為鑄模的壓模的製造工序的 一 個例子的工序流程圖。圖3是表示通過熱壓印進行的多孔性高分子膜的製造工序 的一個例子的工序流程圖。圖4是表示通過光壓印進行的多孔性高分子膜的製造工序 的一個例子的工序流程圖。圖5是表示通過向壓模上澆鑄溶液的多孔性高分子膜的製造工序的一個例子的工序流程圖。圖6是表示通孔膜製造工序的 一 個例子的工序流程圖。圖7是表示通過熱壓印製造的聚曱基丙烯酸甲酯多孔性膜 的表面在電子顯微鏡下的觀察結果的圖(細孔周期200nm)。圖8是通過光壓印製造的丙烯酸類樹脂多孔性膜的表面在 電子顯微鏡下的觀察結果的圖(細孔周期200nm)。圖9是通過光壓印製造的丙烯酸類樹脂多孔性膜的截面在 電子顯微鏡下的觀察結果的圖(細孔周期200nm)。圖IO是表示通過澆鑄法製造的氟樹脂多孔性膜的表面在電 子顯微鏡下的觀察結果的圖(細孔周期500nm)。圖11是表示實施例5中製造的高長徑比的金屬制壓模在電 子顯微鏡下的觀察結果的圖。圖12是表示實施例6中製造的通孔膜在電子顯微鏡下的觀 察結果的圖。符號說明1鋁2陽極氧化多孔氧化鋁 3填充物質層 4壓模5具有孔徑連續變化的細孔的陽極氧化多孔氧化鋁 6熱塑性樹脂 7基板8多孔性高分子膜9光固化性單體10聚合後的高分子膜11溶解的高分子溶液12溶劑乾燥後的高分子膜21基板22高分子層23底層基4反24光固化性樹脂層25壓模26通孔膜31壓模32通孔膜具體實施方式
以下參照附圖對本發明的多孔性高分子膜及其製造方法、 進而對其製造中所使用的壓模的製造方法詳細地說明期望的實施方式。圖l是表示本發明中所使用的將陽極氧化多孔氧化鋁作為 鑄模的壓模的製造法的 一 個例子。將鋁1在酸性浴中進行陽極氧 化以製造陽極氧化多孔氧化鋁2之後，將其作為鑄模，在其細孔 內和其表面填充物質(物質填充層3)。其後，僅選擇性溶解除 去鋁和氧化鋁部分。作為填充的物質可以使用金屬、金屬氧化 物、半導體等。例如，在陽極氧化多孔氧化鋁2的表面通過賊射 法、蒸鍍法形成導電性薄膜之後，通過將其作為電極進行金屬 的電沉積，可以製造金屬制的壓模4。本發明中進而如圖2所示那樣，通過組合陽極氧化和蝕刻引起的細孔的擴大處理，製造具有孔徑直線性或者曲線性連續變 化的細孔的陽極氧化多孔氧化鋁5並將其用作鑄模，由此可以得 到具有期望的突起形狀的壓模4。表面具有均勻孔徑的細孔排列的孔陣結構的多孔性高分子 膜的製造中，可以使用各種壓印法。圖3中表示通過熱壓印法製造多孔性高分子膜8的方法。將作為用來轉印壓模4的結構的高 分子材料的熱塑性樹脂6設於基板7上，在玻璃化轉變溫度以上 的溫度條件下對該熱塑性樹脂6按壓壓模4,其後冷卻到玻璃化 轉變溫度以下的溫度並剝離壓模4，由此可以得到轉印了壓模表 面的微細的凹凸結構的多孔性高分子膜8 。另外，也可以使用如圖4所示的光壓印法作為用來轉印壓 模4的結構的高分子材料的紫外線固化樹脂，將紫外線固化性 (光固化性)單體9滴加到基板7上之後，按壓壓模4並進行紫外 線照射，固化後剝離壓模4，得到聚合後的高分子膜IO,由此轉 印壓模4的結構。進而，除這些壓印法之外還可以使用圖5所示的方法將溶 解於適當的溶劑中的高分子溶液11澆鑄在壓模4上，在溶劑乾燥 之後(溶劑乾燥後的高分子膜12)將高分子膜剝離來製造多孔 性高分子膜8的方法。根據本發明可以製造在膜表面具有孔陣結構的多孔性高分 子膜，該孔陣結構規則排列有亞微米到納米級的均勻尺寸的細 孔。另外，若對膜厚度薄的高分子膜實施本發明方法，則還可 得到細孔貫通的通孔膜。圖6中表示通孔膜的製造方法的 一 個例子。在由基板21與高 分子層22形成的底層基板23上賦予例如光固化性樹脂層24,從 其上對壓模25施加荷重直至壓模25的凸部前端通過光固化性樹 脂層24稍稍超過底層基板23的表面的位置而到達底層基板23的內部，以進行壓才莫25的表面結構轉印，剝離壓模25之後，從底 層基板23剝離，或者進行與此同等的操作、例如溶解除去底層 基板23(該情況下溶解除去高分子層22 ),由此可得到通孔膜26。 實施例以下通過實施例進一步對本發明進行詳細說明，但本發明 並不受實施例限定。實施例l〔利用將陽極氧化多孔氧化鋁作為鑄模而製造的壓 模的多孔性高分子膜的製造〕將純度99.99%的鋁板在高氯酸、乙醇混合溶液中(體積比 1:4)中實施電解拋光處理。將進行了鏡面化的鋁板在調整為濃 度0.3M的草酸水〉容液中，在浴溫17。C、直流40V的條件下進行 15小時陽極氧化之後，暫且溶解除去氧化物層,再次在相同條件 下進行90秒鐘陽才及氧化，由此形成孔深150nm的陽極氧化多孔 氧化鋁。其後，將試樣在5重量％磷酸水溶液中浸漬30分鐘，實 施孔徑擴大處理、將細孔尺寸調節為70nm。使用濺射裝置在該 表面塗布50nm的Pt- Pd後進行Ni電沉積。然後通過氬氧化鈉水 溶液溶解除去鑄模，由此得到表面具有規則的突起排列的壓模。 使用所得到的N i制壓模，在18 0 。C的加溫條件下對形成於S i基板 上的聚曱基丙烯酸曱酯樹脂表面進行壓印處理，由此得到表面 具有細孔規則排列的孔陣結構的高分子膜。實施例2〔通過使用控制了突起形狀的壓模的熱壓印法進行 的聚曱基丙烯酸甲酯(PMMA)多孔性膜的製造〕在純度99.99%的鋁板表面，按壓具有突起以200nm周期規 則排列的結構的SiC制鑄型，在表面形成微細的凹凸圖案。將實 施了刻花(texturing )處理的鋁板在調整為濃度0.05M的草酸水 溶液中，在浴溫17。C、直流80V的條件下進行2秒鐘陽極氧化。 其後，在10重量％磷酸水溶液中浸漬25分鐘，實施孔徑擴大處理。反覆進行5次該操作，由此得到具有細孔周期200nm、細孔 開口部200nm、底部50nm、孑L深300nm的錐狀細孔的多孔氧化 鋁。使用濺射裝置在該表面塗布50nm的Pt- Pd之後進行Ni電沉 積。然後溶解除去鑄模，由此得到表面具有規則的突起排列的 壓模。使用所得到的N i制壓模,在18 0 。C的加溫條件下對形成於 Si基板上的聚曱基丙烯酸曱酯樹脂表面進行壓印處理，由此得 到表面具有細孔規則排列的孔陣結構的高分子膜。圖7表示通過 熱壓印製造的聚曱基丙烯酸曱酯多孔性膜(多孔性高分子膜8 ) 的表面的電子顯微鏡照片(用電子顯微鏡觀察的圖)。實施例3〔通過使用控制了突起形狀的壓模的光壓印法進行 的丙烯酸類多孔性膜的製造〕在將使用與實施例2同樣的方法製造的Ni制壓模按壓在滴 加到玻璃基板上的丙烯酸單體中的狀態下進行紫外線照射。單 體固化之後，剝離壓模，由此在基板上製造多孔性丙烯酸類樹 脂膜。所製造的丙烯酸類樹脂多孔性膜(多孔性高分子膜8)的 表面的電子顯微鏡照片(用電子顯微鏡觀察的圖)如圖8所示， 截面電子顯微鏡照片(用電子顯微鏡觀察的圖)如圖9所示。實施例4〔通過使用控制了突起形狀的壓模的澆鑄法進行的 氟樹脂多孔性膜的製造〕在純度99.99。/o的鋁板表面，按壓具有突起以500nm周期規 則排列的結構的SiC制鑄型，在表面形成微細的凹凸圖案。將實 施了刻花處理的鋁板在調整為濃度0.1M的磷酸水溶液中，在浴 溫0。C、直流200V的條件下進行10秒鐘陽極氧化。其後在10重 量％磷酸水溶液中浸漬25分鐘，實施孔徑擴大處理。反覆進行5 次該操作，由此得到具有細孔周期500nm、細孔開口部400nm、 底部150nm、孑L深800nm的錐狀細孔的多孔氧化鋁。使用濺射裝 置在該表面塗布50nm的Pt- Pd之後進行Ni電沉積。然後溶解除去鑄模，由此得到表面具有規則的突起排列的壓模。在所製造 的壓模上滴加溶解有氟樹脂的氟溶液並乾燥後，剝離壓模，由 此製造多孔性氟樹脂膜。所製造的氟樹脂多孔性膜(多孔性高 分子膜8)的表面的電子顯微鏡照片(用電子顯微鏡觀察的圖) 如圖IO所示。實施例5 〔高長徑比的金屬制壓模的製造〕將純度99.99%的鋁板在高氯酸、乙醇混合溶液中(體積比 1:4)中實施電解拋光處理。在進行了鏡面化的鋁板上按壓具有 突起以500nm周期規則排列的結構的SiC制鑄型，在表面形成微 細的凹凸圖案。在調整為濃度0.1M的磷酸水溶液中，在浴溫 (TC、直流200V的條件下進行14分鐘陽極氧化。其後，將試樣 在10重量％磷酸溶液中浸漬3 0分鐘，實施孔徑擴大處理並將 細孔尺寸調節為300nm。使用離子束濺射裝置在該表面塗布 50nm的Pt之後，進行Ni電沉積。然後溶解除去鑄模，由此得到 表面具有規則的突起排列的壓模。所製造的Ni壓模31如圖ll所 示。實施例6 〔通孔膜的製造〕在用與實施例5同樣的方法製造的Ni壓模上滴加光固化性 樹脂，在減壓條件下脫泡。將壓模按壓到澆鑄有PMMA的玻璃 基板上，邊施加荷重邊進行紫外線照射。樹脂通過光照射完全 固化之後，剝離Ni壓模。將試樣浸漬在丙酮中，僅選擇性溶解 除去PMMA層，由此得到高分子通孔膜。所製造的通孔膜32如 圖12A和圖12B所示。
權利要求
1.多孔性高分子膜的製造方法，在具有多孔性的表面結構的陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內填充物質，通過溶解除去所述陽極氧化多孔氧化鋁來製造由所述物質構成且具有所述表面結構的反轉結構的壓模，通過將所述壓模的所述反轉結構轉印到高分子來製造具有所述表面結構的高分子膜。
2. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，所述物質是金屬。
3. 根據權利要求2所述的多孔性高分子膜的製造方法，所 述金屬是鎳、金、鉑的任意一種。
4. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，所 述陽極氧化多孔氧化鋁通過反覆進行陽極氧化和孔徑擴大處理 而具有孔徑連續變化的細孔。
5. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，將 草酸用作電解液，在形成電壓30V 40V下製造所述陽極氧化多 孔氧化鋁。
6. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，將 硫酸用作電解液，在形成電壓10V 30V下製造所述陽極氧化多 孔氧化鋁。
7. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，將 磷酸用作電解液，在形成電壓180V 200V下製造所述陽極氧化多孔氧化鋁。
8. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，通 過在恆壓下實施陽極氧化之後，暫且溶解除去氧化皮膜，再次 在相同條件下實施陽極氧化來製造所述陽極氧化多孔氧化鋁。
9. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，通 過在陽極氧化之前在鋁的表面形成微小的凹坑，將所述凹坑作為細孔產生的起點實施陽極氧化來製造所述陽極氧化多孔氧化 鋁。
10. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，其 中，所述高分子膜的表面結構的表面側的細孔壁部分的比例為30%以下。
11. 根據權利要求10所述的多孔性高分子膜的製造方法， 其中，所述高分子膜的表面結構的表面側的細孔壁部分的比例 為20%以下。
12. 根據權利要求ll所述的多孔性高分子膜的製造方法， 其中，所述高分子膜的表面結構的表面側的細孔壁部分的比例 為10%以下。
13. 根據權利要求12所述的多孔性高分子膜的製造方法， 其中，所述高分子膜的表面結構的表面側的細孔壁部分的比例 為5%以下。
14. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，其 中，所述高分子膜的所述表面結構的表面側的細孔橫截面形狀 為三角形、四邊形或六邊形。
15. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，所 述高分子為熱塑性樹脂。
16. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，所 述高分子為光固化樹脂。
17. 根據權利要求l所述的多孔性高分子膜的製造方法，通 過將溶解了所述高分子的溶液澆鑄到所述壓模上，千燥所述溶 劑，剝離所述壓模，從而將所述壓模的表面結構轉印到所述高 分子。
18. 壓模的製造方法，其通過電沉積法在陽極氧化多孔氧 化鋁的細孔內填充金屬時，使用離子束濺射裝置在所述陽極氧化多孔氧化鋁表面塗布金屬而賦予導通層。
19. 根據權利要求18所述的壓模的製造方法，對所述陽極氧化多孔氧化鋁表面賦予所述導通層時，在真空度為3x10 — 4Pa~ 1x10 —spa的條件下進行離子束賊射。
20. 多孔性高分子膜的製造方法，將通過權利要求18所述 的壓模的製造方法製造的壓模的表面結構轉印到高分子。
21. 多孔性高分子膜的製造方法，在具有多孔性的表面結 構的陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內填充物質，通過溶解除去所 述陽極氧化多孔氧化鋁來製造由所述物質構成且具有所述表面 結構的反轉結構的壓模，將所述壓模設置在高分子和底層基板的層上，對所述壓模 施加荷重直至所述反轉結構的凸部前端通過所述高分子接觸所 述底層基板的表面或到達所述底層基板的內部，以將所述反轉 結構轉印到所述高分子，從而製造具有所述表面結構的高分子 膜，通過將所述高分子膜從所述底層基板剝離來製造具有各細 孔貫通的表面結構的高分子膜。
22. 根據權利要求21所述的多孔性高分子膜的製造方法， 所述底層基板至少表面為高分子。
23. 根據權利要求22所述的多孔性高分子膜的製造方法， 所述高分子為熱塑性樹脂，並在加溫條件下對所述壓模施加荷 重。
24. 多孔性高分子膜，其使用權利要求l ~ 17和20 ~ 23任一 項所述的方法製造。
全文摘要
通過在具有多孔性的表面結構的陽極氧化多孔氧化鋁的細孔內填充物質，溶解除去前述陽極氧化多孔氧化鋁來製造由前述物質形成且具有前述表面結構的反轉結構的壓模，通過將前述壓模的前述反轉結構轉印到高分子來製造具有前述表面結構的多孔性高分子膜。可不經過複雜的工序而大面積製造多孔性高分子膜，該多孔性高分子膜具有尺寸均勻的細孔與膜表面垂直的表面結構。
文檔編號B82B3/00GK101248219SQ20068003097
公開日2008年8月20日 申請日期2006年8月25日 優先權日2005年8月26日
發明者柳下崇, 益田秀樹, 西尾和之 申請人:財團法人神奈川科學技術研究院