附帶接合膜的基板以及附帶接合膜的基板的製造方法

2023-04-28 18:55:01 3

專利名稱：附帶接合膜的基板以及附帶接合膜的基板的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種附帶接合膜的基板以及附帶接合膜的基板的製造方法。
背景技術：
在數位照相機等的光學裝置中應用有光學低通濾波器(專利文獻1)。在光學低通濾波器中，具有以下結構即，層疊有水晶雙折射板、IR(紅外線)吸收玻璃、由水晶構成的相位差板(具體來說，是指1/4波長板，也稱為偏振光消除板)以及水晶雙折射板。在這些光學構件中位於外側的水晶雙折射板的表面上，形成有防反射塗膜或UV(紫外線)- 截止塗層。作為頂吸收玻璃，已知在使磷酸鹽玻璃的基料中含有CuO以使之具有了紅外線吸收功能的基板上，設置有紅外線吸收膜的紅外線截止濾波器(專利文獻2)；和在石英玻璃等的基板上設置有紅外線吸收膜的紅外線截止濾波器(專利文獻3、4)。在專利文獻2的紅外線截止濾波器中，作為紅外線吸收膜，從基板一側起依次將氧化鈦(TiO2)薄膜與二氧化矽(SiO2)薄膜反覆交替層疊。在專利文獻3、4的紅外線截止濾波器中，將接合於基板的TW2或ITO的薄膜與氧化矽薄膜交替方式層疊。一直以來，水晶雙折射板和頂吸收玻璃等構成光學低通濾波器的光學構件通過粘合劑而被相互粘合在一起的情況較多。但是，由於在形成有防反射塗膜和UV-IR截止塗層的水晶雙折射板中，會產生因壓縮應力和拉伸應力而導致的翹曲，因而當通過粘合劑將水晶雙折射板與頂吸收玻璃或者相位差板相接合時，將由於翹曲而導致接合面內的粘合層厚度在各個部位不均勻，從而產生較大的波面像差。而且，在組裝光學低通濾波器的工藝中，當進行回流焊接時，粘合劑容易因受熱而變質，所以會產生變色或粘合不良的現象。並且，當使用粘合劑時，在高溼度環境下，易於引起從光學構件的粘合層的外圍起呈垂柳狀的缺陷。所以，在現有技術中，提出了作為接合方法不使用粘合劑而通過直接接合將兩個基板而接合在一起的方法(專利文獻5)。並且，在專利文獻6中，提出了如下的技術方案，S卩，在層疊兩張以上的多張基板而形成的光學元件中，在一方的基板的表面(接合面)上設置氧化矽膜(SiO2膜)，而將所述一方的基板的接合面與另一方的基板的接合面通過原子鍵(Si-O-Si鍵或者Si-Si鍵) 而直接接合。並且，在專利文獻6中，記載了如下內容，S卩，層疊的所述多張基板可以均為水晶板、均為玻璃板、或者為水晶板與玻璃板的組合。另外，在直接接合的工藝中，由於在高溫(700 800°C )下對基板進行熱處理、或者對基板的接合面進行親水化處理的過程中，必須使用HF(氟酸)等，所以存在製造較為困難等問題。並且，在製造工藝中熱處理時以及高溫環境下，還會產生由於基板的材質以及基板的結晶面上的線性膨脹係數不同而導致剝離的問題。而且，還存在由於接合面的狀態 (均勻性、清潔度等)而無法得到穩定的接合強度的問題。
因此，作為不使用粘合劑且不使用直接接合而使基板彼此之間相互結合的方法， 提出了通過等離子聚合法等來進行接合的方法(專利文獻7、8)。在專利文獻7、8的現有示例中，在基板的一方或者雙方的接合面上通過等離子聚合法而形成接合膜，並隔著該接合膜使多張基板相接合。在這裡，專利文獻7、8中所公開的接合膜包括矽骨架，其含有矽氧烷(Si-O)鍵， 且結晶度為45%以下；脫離基，其結合於該矽骨架，並由有機基構成。由此，獲得了產生良好粘合性的疊層體。在專利文獻9中，公開了一種如下的偏振光板，其使用在專利文獻7、8中所公開的接合膜，而對玻璃基板和偏振光薄膜進行接合。在專利文獻10中，公開了一種如下的疊層波長板，其使用在專利文獻7、8中所公開的接合膜，而對兩張水晶基板彼此間進行結合。在專利文獻11中，公開了一種如下的偏振光變換元件，其使用在專利文獻7、8中所公開的接合膜，依次層疊第1透光性基板、偏振光分離膜、由水晶構成的1/2波長板、第2 透光性基板。在先技術文獻專利文獻1 日本特開2003-248198號公報專利文獻2 日本特開2008-70827號公報專利文獻3 日本特開2008-708 號公報專利文獻4 日本特開2008-70825號公報專利文獻5 日本特開平07-303M號公報專利文獻6 日本特開2007-41117號公報專利文獻7 日本特許第4337935號公報專利文獻8 日本特開2009-173949號公報專利文獻9 日本特開2009-98465號公報專利文獻10 日本特開2009-258404號公報專利文獻11 日本特開2009-192868號公報另外，在玻璃中，具有如下成分的製品，S卩，首先以二氧化矽(SiO2)為主成分，並使作為副成分的各種金屬化合物以粉末形式混合而成的製品。這種玻璃是通過對在高溫下進行溶融而成為液體狀態的原料進行快速冷卻而製造出的。主要副成分有氧化鈉(Na2O)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化硼(B2O5)、氧化磷(P2O5)等。另一方面，也存在雖然主成分不為二氧化矽(SiO2),但具有與所述玻璃相同的結構、即玻璃化的物質。例如，作為主成分，由硼酸(B2O5)、磷酸(P2O5)等取代二氧化矽成為骨架，從而形成玻璃。如專利文獻2所公開的、以磷酸鹽玻璃或者氟磷酸鹽玻璃為基料並添加銅而形成的含銅玻璃基板，即為其中的一個示例。 但是，在專利文獻2、專利文獻3以及專利文獻4所公開的現有示例中，關於紅外線截止濾波器元件與水晶雙折射板或者偏振光消除板(1/4波長板)等基板的接合方法，沒有公開任何內容。因此，考慮到當對專利文獻2所公開的、主成分不為二氧化矽而是由其它物質所構成的玻璃基板與其它基板進行接合時，使用在專利文獻7、8中所提出的所述接合膜來進行接合。
此處，在專利文獻7、8中，對於作為接合對象的基板種類進行了多方面的介紹。但是，並未對與材料種類所對應的課題和有效性等進行詳細的研究。因此，本申請的發明人經研究發現，對於氧化矽系玻璃(石英玻璃)、氧化矽系鹼性玻璃等的示例進行高精度地接合具有再現性從而是有效的。但是，發現關於未被例示的磷酸系玻璃構件aR吸收玻璃構件) 存在如下的課題。S卩，發現了如下的問題，在專利文獻1所公開的磷酸鹽玻璃的基料中含有CuO的頂吸收玻璃構件，與石英玻璃或者水晶等以二氧化矽(SiO2)作為主成分的透光性基板之間進行接合時，當嘗試使用在專利文獻7、8所提出的、通過等離子聚合法而形成的接合膜來進行接合時，無法獲得足夠的接合強度。這是因為，由於如上所述的頂吸收玻璃構件為磷酸系玻璃構件，所以不以矽基作為骨架。因此推測為，是由於無法形成Si-O-Si的矽氧烷鍵的原因。並且，在專利文獻1中的、被應用於的紅外線截止濾波器的玻璃基板中，為了吸收紅外線而摻雜有CuO等雜質，因而與石英玻璃等氧化矽系玻璃相比較，化學耐久性較差。因此，存在如下問題，即，由於高溼度環境，使得玻璃基板中的銅離子等與大氣中的水分發生化學反應，從而表面會形成結晶物進而導致產生微小異物。可以判斷出，這樣的微小異物成為了進一步阻礙使用由等離子聚合法而形成的接合膜來進行接合的重要原因。並且，如果從接合後的狀態下發生了異物析出，則還存在如下的問題，S卩，易於發生在接合表面處的剝離、或者根據部位的不同而接合面翹起導致產生空隙，進而會導致接合膜的粘合性變差。另一方面，在通過本申請的發明人的研究等而獲得的見解中，在將線性膨脹係數不同的水晶與如上所述的不具有矽基、或者不以二氧化矽(SiO2)為主成分的玻璃等透光性基板相接合而形成的光學元件中，當將其組裝於投影儀、數位照相機、光拾波裝置等產品中使用時，會出現以下的問題。即，在水晶與所述透光性基板中，由於線性膨脹係數不同，因而根據產品的使用溫度(工作溫度範圍)從而由熱膨脹係數的不同所引起的伸縮量不同，由此會產生熱變形。並且，由於對水晶與所述透光性基板進行接合的接合膜不能與所述透光性基板形成矽氧烷(Si-O-Si)鍵，所以無法確保接合可靠性。因此，會產生如下問題，即，不能承受因溫度變化而發生的熱變形，而會發生從接合表面的脫離等，從而無法獲得足夠的接合強度。所以，存在水晶與所述透光性基板在接合表面處產生剝離等，從而作為光學元件無法確保足夠的光學特性與足夠的可靠性的問題。也就是說，確認了如下的問題，S卩，當對異種材料的基板之間進行接合時，在基板的主成分不為二氧化矽(SiO2)或者基板不以矽基為骨架的情況下，難以獲得足夠的接合強度。並且，在使用通過等離子聚合法而設置的接合膜的接合方法中，為了提高基板之間的接合強度，需要提供能夠確保進行接合的膜面的平坦度(翹曲較小)、或者聚合膜的柔軟性的製造方法。

發明內容
本發明的目的在於，提供一種如下的附帶接合膜的基板以及其製造方法，S卩，即使對於主成分不為二氧化矽(SiO2)、或者不以矽基為骨架的基板，也能夠在對這些基板彼此間進行接合、或者對該基板與主成分為二氧化矽(SiO2)、或者以矽基為骨架的基板進行接合時，實現可靠的接合。應用例1本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，具備基板，其主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架；氧化矽膜，其通過氣相沉積法而被鄰接設置於該基板的表面上；接合膜，其通過等離子聚合法而設置，所述接合膜包括矽骨架，其含有矽氧烷(Si-O) 鍵，且結晶度為45%以下；脫離基，其結合於該矽骨架，其中，所述脫離基由有機基構成，所述接合膜為，當向其至少一部分區域供給能量時，通過存在於所述接合膜的表面附近的所述脫離基從所述矽骨架脫離，從而在所述接合膜的表面的所述區域上，產生所述基板與粘附物的粘合性，所述氧化矽膜的膜厚為，IOOnm以上2000nm以下。在該種結構的本應用例中，當在附帶接合膜的基板上接合粘附物時，由於附帶接合膜的基板具有通過等離子聚合法而設置的接合膜，因而附帶接合膜的基板與粘附物之間的接合為，通過Si-O-Si的矽氧烷鍵而實現的牢固相互接合。而且，由於通過等離子聚合法而設置的接合膜沒有流動性，所以能夠避免因使用粘合劑而產生的不良現象，例如由於部位的不同從而接合厚度不均勻進而導致波面像差等的精度不良現象。並且，由於接合膜具有彈性，所以即使進行接合的兩構件的線性膨脹係數不同，也能夠進行應對。並且，由於通過等離子聚合法而設置的接合膜具有耐熱性以及耐高溼環境性，所以附帶接合膜的基板即使處於高溫高溼環境下也能夠很好地被應用。而且，由於在主成分不為二氧化矽(SiO2)、或者不以矽(Si)鍵為骨架的基板上，通過氣相沉積法而設置有氧化矽膜，因而通過氧化矽膜而阻礙了例如銅離子、以及由其它雜質構成的異物從基板的表面析出。因此，不會出現接合膜的接合因析出異物而被阻礙的現象，且不會出現接合部分的剝離，從而能夠獲得高品質且穩定的接合。並且，特別是由於能夠獲得氧化矽分子為非晶態而填充率較高的膜，因而在基板中會注入微小的氧化矽分子， 從而分子間距離變小而能夠獲得較大的範德華力，因而基板與氧化矽膜的粘合性良好。與此相對，在專利文獻2中，以與磷酸鹽玻璃的基料中含有CuO而構成的基板接觸的方式而形成有氧化鈦的薄膜。但是，由於該氧化鈦本身不是充分的非晶態結構，所以有可能出現CuO 等異物析出從而進行接合的膜剝離的現象。並且，專利文獻2中的氧化鈦膜( 截止構件) 與氧化矽膜相比較，該氧化鈦膜與頂吸收玻璃構件之間的範德華力較小。因此，IR吸收玻璃構件與氧化鈦膜之間的粘合強度較弱。並且，在本應用例中，由於通過形成氧化矽膜而能夠實現與接合膜同樣穩定的矽氧烷鍵，所以能夠獲得穩定的粘合性。並且，有時會出現通過在基板上形成氧化矽膜，從而在形成為平板狀時會翹曲為凸狀的現象。但是，通過具有彈力的接合膜，從而即使在基板上接合粘附物時，兩構件也不會剝離。並且，由於隨著基板被拉伸而粘附物也會同時發生翹曲，所以幾乎不會產生依賴於氧化矽膜所引起的翹曲的波面像差。並且，在本應用例中，將氧化矽膜的膜厚設定為IOOnm以上2000nm以下。當氧化矽的膜厚小於IOOnm時，將無法通過氧化矽膜來抑制銅離子等異物從基板的表面析出。另一方面，當膜厚超過2000nm時，基板的翹曲將增大。並且，當通過例如蒸鍍或者陰極真空噴鍍成膜來形成氧化矽膜時，由於吸附有濺沫等異物，從而會在表面上產生突起，進而導致表面精度變差，使接合強度變得不足。所以，通過將氧化矽膜的膜厚設為IOOnm以上2000nm以下，從而能夠牢固地接合基板與粘附物。此外，即使在通過接合膜而貼合了基板與粘附物之後，隨著溫度變化基板與粘附物由於線性膨脹係數的不同而伸縮量不同的情況下，也由於接合膜通過等離子聚合法而設置從而能夠吸收由伸縮量的不同而導致的熱變形。並且，在接合膜與氧化矽膜相鄰接時，由於具有相同的矽骨架和氧骨架，所以能夠形成強度非常大的共價鍵。所以，能夠防止由熱變形而導致的接合強度的降低。因此，由於即使存在溫度變化也能夠吸收熱變形從而維持較強的接合強度，因而能夠防止基板與粘附物的剝離，並能夠發揮良好的光學特性。如上所述，本發明的附帶接合膜的基板在粘附物的主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架的情況下，或者粘附物的主成分為二氧化矽、或者以矽基為骨架的情況下，均能夠與粘附物可靠地接合。而且，本發明的接合膜可以以與氧化矽膜連續、或者不連續的形式而設置。即，在本發明中，既可以採用依次連續設置基板、氧化矽膜、接合膜的結構、也可以採用依次連續設置基板、氧化矽膜、光學功能膜、接合膜的結構。此時，作為光學功能膜，可以列舉出UV截止濾波器膜、IR截止濾波器膜、UV-IR截止濾波器膜、偏振光分離膜等。應用例2本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，在從構成所述接合膜的全部原子中除去氫原子之後的原子中，矽原子的含有率和氧原子的含有率的總計為，10原子百分比以上90原子百分比以下。在該種結構的本應用例中，接合膜的矽原子與氧原子形成牢固的網，從而接合膜本身較為牢固。並且，該接合膜對基板與粘附物表現出特別高的接合強度。應用例3本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述接合膜中的矽原子和氧原子的豐度比為，3 7至7 3的範圍。在該種結構的本應用例中，接合膜的穩定性增強，從而能夠更加牢固地接合基板與粘附物。應用例4本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述脫離基為烷基。在該種結構的本應用例中，由於烷基的化學穩定性較高，所以作為脫離基而含有烷基的接合膜具有優異的耐候性以及耐藥品性。應用例5本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述接合膜在至少存在於其表面附近的所述脫離基從所述矽骨架脫離之後，具有懸空鍵或者由羥基形成的活性鍵。在該種結構的本應用例中，附帶接合膜的基板能夠基於化學鍵而牢固地接合於粘附物上。應用例6本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述接合膜的主要材料為聚有機矽氧烷，所述聚有機矽氧烷以八甲基三矽氧烷的聚合物為主成分。在該種結構的本應用例中，由於八甲基三矽氧烷具有較為良好的柔軟性，因而即
8使基板與粘附物的線性膨脹係數不同，也能夠緩和隨著兩構件的熱膨脹而產生的應力。並且，由於聚有機矽氧烷具有優異的耐藥品性，所以附帶接合膜的基板能夠在長期暴露於藥品等的環境下有效地應用。應用例7本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述基板為磷酸系玻璃基板。在該種結構的本應用例中，能夠通過氧化矽膜來防止銅離子、以及由其它雜質構成的異物從磷酸系玻璃構件的表面析出的現象。因此，能夠穩定通過等離子聚合法而設置的接合膜的接合強度。應用例8本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，在所述接合膜中，當將紅外吸收光譜中屬於矽氧烷鍵的峰強度設為1時，屬於甲基的峰強度比為0. 05以上且0. 15以下。在該種結構的本應用例中，由於屬於甲基的峰強度比為0.05以上，所以能夠保持接合膜的柔軟性。因此，能夠防止由於線性膨脹係數的差異而導致基板與粘附物剝離的現象。應用例9本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，在所述接合膜中，當將紅外吸收光譜中屬於矽氧烷鍵的峰強度設為1時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 29以上且0. 76 以下。在該種結構的本應用例中，由於屬於Si-CH3鍵的峰強度為0. 29以上，所以能夠保持接合膜的柔軟性。因此，能夠防止由於線性膨脹係數的差異而導致基板與粘附物剝離的現象。應用例10本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述接合膜被等離子體活性化。在該種結構的本應用例中，通過由等離子體將接合膜活性化，從而能夠只使接合膜的表面或者其附近活性化，因而能夠減少接合膜內部的甲基的含有率的變化、即甲基的脫離。所以，能夠在保持柔軟性的狀態下接合基板與粘附物。另一方面，例如，在通過UV而進行的活性化中，由於向接合膜內部也供給能量，因而內部的甲基將減少從而導致接合膜的質地堅硬。而且，難以控制內部的甲基量。應用例11本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述基板被應用於光學低通濾波器。在該種結構的本應用例中，當將粘附物設定為相位差板時，能夠通過接合膜與氧化矽膜而強度較大地對基板與相位差板進行接合。所以，由於即使產生熱變形基板與相位差板也不會剝離，所以能夠很好地利用於光學低通濾波器。應用例12本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述基板被應用於偏振光分離元件。在該種結構的本應用例中，當將粘附物設定為相位差板時，能夠通過接合膜與氧化矽膜而強度較大地對相位差板與基板進行接合。所以，由於即使產生熱變形基板與相位差板也不會剝離，所以能夠很好地利用於偏振光分離元件。應用例13本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，在所述基板中與所述接合膜對置的部分上，設置有偏振光分離膜，該偏振光分離膜由包括所述氧化矽膜和氟化鎂的薄膜在內的多個層構成，並且，所述氧化矽膜鄰接於所述接合膜。在該種結構的本應用例中，由於氧化矽膜鄰接於接合膜，所以接合膜與偏振光分離膜之間能夠形成強度較大的共價鍵。所以，能夠防止基板與偏振光膜剝離的現象。應用例14本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述基板被應用於孔徑濾波
ο在該種結構的本應用例中，當將粘附物設定為孔徑濾波器用波長板時，能夠通過接合膜與氧化矽膜而強度較大地對基板與孔徑濾波器用波長板進行接合。所以，由於即使產生熱變形基板與孔徑濾波器用波長板也不會剝離，因而能夠很好地利用於孔徑濾波器。應用例15本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的特徵在於，所述基板被應用於附帶衍射光柵的波長板。在該種結構的本應用例中，當採用相位差板作為粘附物時，能夠通過接合膜與氧化矽膜而強度較大地對基板與相位差板進行接合。所以，由於即使產生熱變形基板與相位差板也不會剝離，因而能夠很好地利用於附帶衍射光柵的波長板。應用例16本應用例所涉及的附帶接合膜的基板的製造方法的特徵在於，在150°C以上 350°C以下的溫度下，通過陰極真空噴鍍或者蒸鍍而在所述基板上形成所述氧化矽膜，並且，在40°C以上150°C以下的溫度下，通過等離子聚合法而形成所述接合膜。在該種結構的本應用例中，通過在150°C以上350°C以下的溫度下使用陰極真空噴鍍或者蒸鍍而在基板上形成氧化矽膜，從而使形成於基板上的氧化矽膜為硬化且緻密的膜，由此能夠充分地防止異物從基板的表面析出的現象。並且，為了形成接合膜，由於將溫度設為40°C以上150°C以下，因而甲基的含有率在最佳範圍內，從而能夠使接合膜為柔軟的膜。因此，當在基板上接合粘附物時，即使兩張基板的線性膨脹係數不同，也能夠充分地進行應對。


圖1為表示具備本發明的第1實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要結構圖。圖2(A)為在光學元件的基板上所吸附的異物上設置了氧化矽膜的狀態下的剖視圖；圖2(B)為在光學元件的基板上所吸附的異物上設置了氧化矽膜的狀態下的俯視圖。圖3為表示光學元件的主要部分的分解剖視圖。圖4為本實施方式所使用的等離子聚合裝置的概要圖。圖5(A)為表示接合膜被供給能量之前的狀態的局部放大圖；圖5(B)為表示接合膜被供給能量之後的狀態的局部放大圖。圖6為用於說明光學元件的製造方法的圖。圖7為用於說明光學元件的製造方法的圖。圖8為表示光學元件的改變例的概要結構圖。圖9為表示氧化矽膜的膜厚與翹曲以及接合強度之間關係的曲線圖。圖10為表示接合膜的成膜溫度與甲(CH3)基的峰強度比之間的關係的曲線圖。圖11為表示接合膜的成膜溫度與Si-CH3鍵的峰強度比之間的關係的曲線圖。圖12(A)為表示具備本發明的第2實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要結構圖；圖12(B)為表示光學元件的主要部分的放大剖視圖。圖13為表示接合膜的成形過程的概要圖。圖14為用於說明接合膜的活性化工序的概要圖。圖15為用於說明貼合工序的概要圖。圖16為用於說明切斷工序的概要圖。圖17為用於說明組裝工序的概要圖。圖18(A)為表示具備本發明的第3實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要俯視圖；圖18(B)為表示光學元件的概要結構圖。圖19為表示具備本發明的第4實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要結構圖。圖20為表示本發明所涉及的附帶接合膜的基板的改變例的概要結構圖。符號說明1:水晶雙折射板；2 =IR吸收玻璃構件(基板)；3:相位差板(粘附物)；6:氧化矽膜；7:接合膜；21C :1/2波長板(粘附物)；22:第2玻璃基材(基板)
31 波長板(粘附物)；32:玻璃基材(基板)；41 相位差板(粘附物)；42:玻璃基材(基板)。
具體實施例方式下面根據附圖，對本發明的第1實施方式進行說明。圖1圖示了具備本發明的第1實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要結構。在圖1中，光學元件為，將水晶雙折射板IUR吸收玻璃構件2、相位差板3以及水晶雙折射板4層疊而構成的光學低通濾波器10。水晶雙折射板1為由水晶形成的俯視呈矩形的平板構件，在其表面上形成有防反
11射塗膜。防反射塗膜的結構為，將由氧化矽等構成的低折射層、與由氧化鈦等構成的高折射層以交替的方式而配置五層的結構。頂吸收玻璃構件2為消除紅外線的構件，且為由以P2O5為主成分的磷酸系玻璃構件形成的俯視呈矩形的平板構件。頂吸收玻璃構件2為，主成分不為二氧化矽(SiO2)、即不具有矽基的基板。在磷酸系玻璃構件中，含有銅離子、鈉離子、鈣離子等多種雜質。相位差板3為頂吸收玻璃構件2的粘附物，且為由水晶形成的俯視呈矩形的平板構件。水晶雙折射板4為由水晶形成的俯視呈矩形的平板構件，且在其表面上形成有 UV-IR截止塗層。該UV-IR截止塗層的結構為，將低折射層與高折射層交替配置例如39層的結構。IR吸收玻璃構件2與相位差板3通過接合部5而被相互接合。而且，IR吸收玻璃構件2與接合部5相當於本發明的附帶接合膜的基板。接合部5具備氧化矽膜6，其鄰接於頂吸收構件2的表面，並通過氣相沉積法而形成；接合膜7，其為通過對氧化矽膜6與相位差板3進行分子結合的等離子聚合法而設置的膜。如後文所述，優選該接合膜7的主材料為聚有機矽氧烷。該聚有機矽氧烷為具有矽氧烷鍵的高分子化合物的總稱，其中，優選八甲基三矽氧烷的聚合物為該聚有機矽氧烷的主成分。由於氧化矽膜6鄰接於接合膜7而能夠形成相互間同樣穩定的矽氧烷鍵，所以獲得了穩定的粘附力。矽氧烷鍵的結構為Si-O-Si、Si-Si、Si-OH-Si。水晶雙折射板1與頂吸收玻璃構件2通過與接合部5相同結構的接合部(未圖示)而被相互接合。相位差板3與水晶雙折射板4利用通過等離子聚合法而設置的接合膜 (未圖示)而被相互接合。在本實施方式中，水晶雙折射板1與相位差板3均為，作為與頂吸收玻璃構件2 接合的接合對象的光學構件。接合膜7的平均厚度為IOnm以上IOOOnm以下，優選為50nm以上500nm以下。當
接合膜7的平均厚度小於IOnm時，接合膜7的彈性壓縮量將變小，從而有可能會產生由於相位差板3的表面粗糙度和平坦性而未粘合的部位，進而導致無法獲得足夠的接合強度。 另一方面，當超過IOOOnm時，將容易發生接合膜7內部的凝集破壞，從而接合強度會降低。 接合膜7的表面粗糙度Ra為IOnm以下。並且，優選為，在從構成接合膜7的全部原子中除去氫原子之後的原子中，矽原子的含有率和氧原子的含有率的總計為，10原子百分比以上90原子百分比以下。而且，優選為，接合膜7中的矽原子和氧原子的豐度比為，3 7至7 3的範圍。氧化矽膜6的膜厚為IOOnm以上2000nm以下。當氧化矽膜6的膜厚小於IOOnm 時，將無法通過氧化矽膜6來抑制銅離子等異物從頂吸收玻璃構件2的表面析出的現象。 另一方面，當膜厚超過2000nm時，頂吸收玻璃構件2的翹曲將變大。並且，當通過例如蒸鍍或者陰極真空噴鍍來形成氧化矽膜6時，發生蒸鍍時的繃沸中的異物吸附的可能性將增大。並且，如果在這個異物上層疊氧化矽膜6，則在氧化矽膜6的表面上將產生突起，從而導致面精度變差。例如，如圖2(A)、(B)所示，當在頂吸收玻璃構件2的異物9上設置氧化矽膜6，且在該氧化矽膜6上進一步形成了多層的光學功能膜6A時，突起6B會進一步變大。
12
所以，當在頂吸收玻璃構件的異物上設置了厚度大於2000nm的氧化矽膜時，會由於突起而導致接合強度不足。如後文所述，氧化矽膜6通過蒸鍍、陰極真空噴鍍、CVD等氣相沉積法而成膜於頂吸收玻璃構件2的表面上。圖3為表示光學元件的主要部分的分解剖視圖。在圖3中，接合膜7被分為成膜時形成於相位差板3上的薄膜部71、和形成於氧化矽膜6上的薄膜部72。該薄膜部71、72通過圖4中所示的等離子聚合裝置而成形。圖4為在本實施方式中所使用的等離子聚合裝置的概要圖。在圖4中，等離子聚合裝置100的結構為，具備腔室101;第1電極111以及第2 電極112，其分別被設置於該腔室101的內部；電源電路120，其對這些第1電極111和第 2電極112之間施加高頻電壓；氣體供給部140，其將氣體供給至腔室101的內部；排氣泵 150，其排出腔室101內部的氣體。第1電極111支撐作為成膜對象的相位差板3、和形成有氧化矽膜6的頂吸收玻璃構件2。電源電路120具備匹配箱121和高頻電源122。氣體供給部140具備儲液部141，其儲藏液狀的膜材料；氣化裝置142，其對液狀的膜材料進行氣化以使變化為原料氣體；儲氣瓶143，其儲存載體氣體。儲存在該儲氣瓶 143中的載體氣體通過電場作用而放電，並且，為了維持該放電而導入腔室101內的氣體為例如氬氣或氦氣。這些儲液部141、氣化裝置142以及儲氣瓶143與腔室101通過配管102而被連接在一起，從而將氣體狀的膜材料與載體氣體的混合氣體供給至腔室101的內部。被儲藏在儲液部141內的膜材料為，用於通過等離子聚合裝置100，而在相位差板 3和形成有氧化矽膜6的頂吸收玻璃構件2上形成接合膜7的薄膜部71、72的原材料，並且該膜材料通過氣化裝置142被氣化從而成為原料氣體。作為該原料氣體，可以列舉出如甲基矽氧烷、六甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷、 十甲基四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、甲基苯基矽氧烷等有機矽氧烷， 三甲基鎵、三乙基鎵、三甲基鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基銦、三乙基銦、三甲基鋅、三乙基鋅這樣的有機金屬系化合物、各種烴系化合物、各種氟系化合物等，但尤其優選八甲基
三矽氧烷。使用此類原料氣體而獲得的接合膜7的薄膜部71、72為，這些原料聚合而形成的物質(聚合物)，即，由八甲基三矽氧烷等構成。聚有機矽氧烷通常表現防水性。但是，能夠通過實施各種的活性化處理而較容易地使有機基脫離，從而能夠變化為親水性。由表現防水性的聚有機矽氧烷構成的薄膜部71、72，即使使其相互接觸也會由於有機基而阻礙粘合，從而極難粘合。另一方面，由表現親水性的聚有機矽氧烷構成的薄膜部 71、72，當使其相互接觸時，能夠特別容易地進行粘合。即，由於能夠容易地進行防水性和親水性的控制這一優點與能夠容易地進行粘合性的控制這一優點相關聯，因此在本實施方式中優選應用由聚有機矽氧烷構成的薄膜部71、72。而且，由於聚有機矽氧烷具有較好的柔軟性，因而即使相位差板3和形成有氧化矽膜6的頂吸收玻璃構件2的線性膨脹係數不同， 也能夠緩和隨著在二者上產生的熱膨脹而產生的應力。而且，由於聚有機矽氧烷具有優異的耐藥品性，因而能夠有效地應用於，如長期暴露於藥品類等環境中的構件的接合。在聚有機矽氧烷中，尤其優選以八甲基三矽氧烷的聚合物為主成分的聚有機矽氧烷。由於以八甲基三矽氧烷的聚合物為主成分的接合膜7具有優異的粘合性，所以在本實施方式的接合方法中被優選使用。由於八甲基三矽氧烷的聚合物在常溫下呈液狀且具有適當的粘度，因而易於使用。該接合膜7包括矽骨架，其含有矽氧烷鍵，且結晶度為45%以下；脫離基，其結合於該矽骨架，並由有機基構成。在這裡，脫離基由有機基構成，且優選為甲(CH3)基等的烷基。並且，接合膜7為，當向其至少一部分區域供給能量時，通過存在於接合膜7的表面附近的脫離基從矽骨架脫離，從而在接合膜7的表面的所述區域上，產生頂吸收玻璃基板2 與相位差板3的粘合性的膜。在圖3中，接合膜7被分為，成膜時形成於相位差板3的薄膜部71、和形成於氧化矽膜6的薄膜部72。在這裡，對薄膜部71的結構進行說明。此外，薄膜部72也為相同結構。如圖5㈧所示，薄膜部71具有矽骨架7A，其含有矽氧烷(Si-O)鍵7B，並具有無規的原子結構；脫離基7C，其結合於該矽骨架7A。這種薄膜部71通過含有矽氧烷鍵7B 且具有無規的原子結構的矽骨架7A的影響，從而成為難以變形的牢固的膜。其原因被認為是，由於矽骨架7A的結晶性降低，因而難以產生晶界上的錯位和偏差等缺陷的緣故。因此， 薄膜部71本身的接合強度、耐藥品性以及尺寸精度較高，從而對於最終獲得的接合膜7，也能夠獲得具有較高的接合強度、耐藥品性以及尺寸精度的膜。這種薄膜部71在被供給能量時，脫離基7C將從矽骨架7A脫離，從而如圖5 (B)所示，只在薄膜部71的表面或者表面附近產生懸空鍵的活性鍵7D。其中，作為活性鍵，也可以為羥基。並且，由此將在薄膜部71的表面上產生粘合性。當產生所述粘合性時，形成有薄膜部71的相位差板3能夠以較高的尺寸精度有效地牢固接合於形成有薄膜部72的氧化矽膜6上。並且，這種薄膜部71為不具有流動性的固體狀的膜。因此，與現有的、具有流動性的液狀或者粘液狀的粘合劑相比，薄膜部71的厚度與形狀幾乎不會發生變化。由此，接合膜7的尺寸精度明顯高於現有技術。而且，由於不需要粘合劑硬化所需要的時間，從而能夠在短時間內實現牢固的接合。而且，由於薄膜部71中的矽骨架7A的結晶度為45%以下、且更優選為40%以下， 因而矽骨架7A含有充分無規的原子結構。因此，所述矽骨架7A的特性顯著化，從而薄膜部 71具有更為優異的尺寸精度以及粘合性。而且，由於薄膜部71具有矽骨架7A與氧骨架的活性鍵7D，因而與具有相同骨架的氧化矽膜6形成共價鍵，從而能夠發揮較強的接合強度。接下來，對具備第1實施方式的附帶接合膜的基板的、光學元件的製造方法進行說明。氧化矽膜的成膜工序首先，氧化矽膜6通過陰極真空噴鍍或者蒸鍍等氣相沉積法而被形成在頂吸收玻璃構件2上。用於實施陰極真空噴鍍和蒸鍍的裝置使用了公知的裝置。根據需要，還可以通過離子輔助沉積來進行成膜。因此，向未圖示的腔室中投入頂吸收玻璃構件2，並將該腔室內的溫度設定為 1500C以上350°C以下，從而氧化矽膜6成膜在頂吸收玻璃構件2上。接合膜的成膜工序構成接合膜7的薄膜部71、72分別形成於相位差板3的一個表面、以及在頂吸收玻璃構件2上所形成的氧化矽膜6上。成膜溫度為40°C以上150°C以下。在這裡，在紅外線吸收光譜測定中，當將屬於矽氧烷鍵(Si-O-Si)的峰強度設為1時，屬於接合膜7的甲 (CH3)基的峰強度比優選為0. 05以上且0. 15以下，或者屬於Si-CH3鍵的峰強度比優選為 0. 29以上且0. 76以下。以下，對薄膜部71、72的成膜順序進行說明。在該聚合膜形成工序中，通過等離子聚合裝置100的腔室101的第1電極111，而使相位差板3以及形成有氧化矽膜6的頂吸收玻璃構件2被保持，並且在向腔室101的內部導入氧氣的同時從電源電路120向第1電極111和第2電極112之間施加高頻電壓，從而相位差板3和成膜有氧化矽膜6的頂吸收玻璃構件2被活性化。之後，氣體供給部140工作並向腔室101內部供給原料氣體與載體氣體的混合氣體。混合氣體被填充至腔室101內部，如圖6(A)所示，混合氣體暴露於相位差板3的一個表面和在頂吸收玻璃構件2上形成的氧化矽膜6上。成膜時的腔室101的壓力為133. 3X Kr6 13331 (1 X 1(Γ6 IOTorr)左右。原料氣體流量優選為0. 5 200SCCm左右。載體氣體流量優選為5 750SCCm左右。處理時間優選為1 10分鐘左右。通過在第1電極111與第2電極112之間施加高頻電壓，從而存在於這些電極111、 112之間的氣體分子電離，從而產生等離子體。如圖6(B)所示，通過該等離子體的能量而使原料氣體中的分子進行聚合，從而使聚合物吸附、堆積在相位差板3的一個表面和在頂吸收玻璃構件2上形成的氧化矽膜6上。由此，如圖6(C)所示，在相位差板3的一個表面和 IR吸收玻璃構件2上的氧化矽膜6之間形成接合膜7的薄膜部71、72。表面活性化工序之後，如圖6(D)所示，薄膜部71、72被活性化從而表面被活性化。在表面活性化工序中，例如可以使用照射等離子體的方法以及其它方法等。在該表面活性化工序中，為了使薄膜部71、72的表面有效地活性化，從而優選使用照射等離子體的方法。作為等離子體，能夠使用氧氣、氬氣、氮氣、空氣、水等中的單獨一種、或者兩種以上的混合物。在這些物質中，優選使用氧氣。通過使用這種等離子體，由於僅使薄膜部71、72的表面或者表面附近活性化，所以能夠防止接合膜內部的甲(CH3)基的脫離，從而能夠在保持柔軟性的狀態下進行接合。並且，能夠消除較廣範圍內的偏差，並能夠以更短時間來進行處理。通過該種方式被活性化的薄膜部71、72的表面上，一部分的甲(CH3)基脫離，從而形成為Si-或者導入羥基的Si-OH。貼合工序薄膜部71、72的表面被活性化了的、相位差板3與形成在頂吸收玻璃構件2上的氧化矽膜6，被相互貼合從而被一體化(貼合工序)。即，如圖7(A)、(B)所示，相位差板3以及形成在頂吸收玻璃構件2上的氧化矽膜 6，以分別使接合膜7的薄膜部71、72對置的狀態而被相互壓擠。表面被活性化的薄膜部71、72由於其活性狀態隨著時間推移而緩和，因而在表面活性化工序結束之後迅速轉入貼合工序。通過使薄膜部71、72貼合，從而使這些膜相互接合。該接合被推測為是基於如下的⑴或O)、或者⑴以及(2)的機理的接合。(1)使兩個基板彼此之間、在本實施方式中為使相位差板3與形成在頂吸收玻璃構件2上的氧化矽膜6被貼合時，分別存在於各個接合膜7的薄膜部71、72的表面上的羥基將會相互鄰接。這些相互鄰接的羥基通過氫鍵相互吸引，從而在羥基之間產生引力。並且，通過該氫鍵而相互吸引的羥基根據溫度條件並隨著脫水縮合而從表面脫離。其結果為，在兩個薄膜部71、72之間的接觸邊界上，脫離的羥基所結合的結合鍵相互結合。(2)當頂吸收玻璃構件2與相位差板3被貼合時，在薄膜部71、72的表面或者表面附近產生的未飽和的結合鍵(懸空鍵)相互再結合。由於在薄膜部71與薄膜部72之間以相互重合(交錯)的方式而複雜地生成該再結合，所以在接合界面上形成網狀的鍵。由此，設置有薄膜部72的氧化矽膜6與設置有薄膜部71的相位差板3直接接合，從而各個薄膜部71、72被一體化。加壓工序在本實施方式中，如圖7 (C)所示，在貼合工序之後，根據需要，對相位差板3和頂吸收玻璃構件2進行加壓。通過被加壓，使得兩個薄膜部71和薄膜部72更加緊密地接觸。 因此，分子之間距離進一步縮短，從而在結合的分子的數量增大的同時，一部分羥基之間的氫鍵變化為Si-O-Si的矽氧烷鍵，由此獲得了牢固且穩定的鍵。由此，如圖7(D)所示，製造出了光學低通濾波器的一部分。在相位差板3和頂吸收玻璃構件2被加壓的狀態下，薄膜部71、72成為一體從而構成接合膜7。加壓工序中的加壓壓力根據相位差板3與頂吸收玻璃構件2的厚度尺寸、裝置等條件而不同，但是優選1 IOMPa左右。而且，還可以在加壓之後實施加熱。對水晶雙折射板1、以及接合有相位差板3的頂吸收玻璃構件2實施以上的工序。 即，在頂吸收玻璃構件2上形成未圖示的氧化矽膜，並在該氧化矽膜和水晶雙折射板1的一個表面上形成構成未圖示的接合膜的薄膜部，從而使這些構件被接合。並且，在相位差板3與水晶雙折射板4上形成構成未圖示的接合膜的薄膜部，從而使這些構件被接合。通過實施以上的工序，從而製造出光學低通濾波器。而且，本發明的附帶接合膜的基板，也可以採用如圖8所示的結構。圖8為表示光學元件的改變例的概要結構圖。也就是說，附帶接合膜的基板也可以採用如下結構，即，在頂吸收玻璃構件2的水晶雙折射板1 一側的外表面上，具有用於消除紅外線的紅外線吸收膜8。該紅外線吸收膜8為形成多層的電介質膜的結構，可以使用公知的膜。通過以上結構的本實施方式，能夠實現以下的作用效果。
(1)在頂吸收玻璃構件2上形成氧化矽膜6，該氧化矽膜6與水晶的相位差板3 通過接合膜7而分子接合。因此，由於氧化矽膜6與相位差板3通過Si-O-Si的矽氧烷鍵而被相互牢固地接合，所以不需要使用粘合劑。因此，接合厚度均勻從而能夠防止產生波面像差。並且，由於接合膜7具有彈力，因而即使在將線性膨脹係數不同的頂吸收玻璃構件2 與相位差板3進行接合時，也難以產生因溫度變化等而導致的接合部分剝離的現象。而且， 由於即使銅離子、或由其它雜質構成的異物慾從頂吸收玻璃構件2的表面析出時也被氧化矽膜6所阻礙，因而異物不會進入接合膜7，從而接合部分不會剝離。(2)接合膜7的主要材料為聚有機矽氧烷，且所述聚有機矽氧烷以八甲基三矽氧烷的聚合物為主成分。此時，由於八甲基三矽氧烷比較富於柔軟性，因而能夠緩和隨著頂吸收玻璃構件2與相位差板3的線性膨脹係數的不同而產生的應力，除此之外，由於聚有機矽氧烷本身具有優異的耐藥品性，因而能夠提高頂吸收玻璃構件2和相位差板3的耐藥品性。(3)由於將氧化矽膜6的膜厚設為IOOnm以上2000nm以下，因而能夠在抑制銅離子等異物的析出的同時，使之具有足夠的接合強度。(4)由於在頂吸收玻璃構件2上通過陰極真空噴鍍或者蒸鍍的氣相沉積法而對氧化矽膜6進行成膜時，將溫度設定為150°C以上350°C以下，因而能夠使氧化矽膜6成為硬化且緻密的膜，進而充分防止異物從頂吸收玻璃構件2的表面析出的現象。並且，由於在形成接合膜7時，將溫度設定為40°C以上150°C以下，因而能夠使接合膜7具有適當的柔軟性。其中，將成膜溫度設定為40°C以上是作為成膜裝置能夠對基材表面溫度穩定地進行溫度控制的下限而設置的條件，在20°C左右的室溫下進行成膜也不會有問題。(5)由於將接合膜7分成兩個薄膜部71、72，且其中使薄膜部72形成在頂吸收玻璃構件2的氧化矽膜6上、使薄膜部71形成在相位差板3上，因此，由於加壓接合的部分為相同材質的膜，因而能夠更加牢固地接合。(6)在接合膜7上，當將紅外吸收光譜測定中屬於矽氧烷(Si-O-Si)鍵的峰強度設為1時，使屬於甲(CH3)基的峰強度比為0.05以上且0.15以下。並且，使屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0.四以上且0. 76以下。此時，由於屬於甲(CH3)基的峰強度比為0.05以上、或者屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 以上，所以能夠保持接合膜7的柔軟性。而且，具有以下關係，即，當接合膜7的成膜溫度較高時，屬於甲(CH3)基的峰強度比以及屬於Si-CH3鍵的峰強度比將降低。(7)使線性膨脹係數不同的相位差板3與頂吸收玻璃構件2通過接合膜7而進行分子接合。因此，即使由於溫度變化而在相位差板3與頂吸收玻璃構件2上產生了因伸縮量不同而導致的熱變形，接合膜7也能夠吸收該熱變形。此外，將接合膜7與氧化矽膜6以鄰接的方式而接合。由此，由於接合膜7與氧化矽膜6具有相同的矽骨架和氧骨架，因而能夠形成非常強的共價鍵。所以，由於即使產生熱變形也能夠防止接合強度降低，因而能夠防止相位差板3與頂吸收玻璃構件2剝離的現象。(8)通過在從構成接合膜7的全部原子中除去氫原子之後的原子中，將矽原子的含有率和氧原子的含有率的總計設為10原子百分比以上90原子百分比以下，從而使接合膜7的矽原子和氧原子形成牢固的網。由此，使得接合膜7本身形成為牢固的膜。並且，該
17接合膜7對頂吸收玻璃構件2以及相位差板3表現出特別高的接合強度。(9)通過將接合膜7中的矽原子和氧原子的豐度比設為3 7至7 3的範圍， 從而能夠提高接合膜7的穩定性。由此，能夠更加牢固地對頂吸收玻璃構件2與相位差板 3。(10)在接合膜7中，通過將脫離基設定為烷基，從而使膜具有優良的耐候性以及耐藥品性。(11)在接合膜7中，在至少存在於其表面附近的脫離基7C從矽骨架脫離之後，具有懸空鍵或者由羥基構成的活性鍵7D。由此，使得頂吸收玻璃構件2與相位差板3基於化學鍵而牢固地接合。(12)由於在磷酸玻璃構件的頂吸收玻璃構件2的表面上設置氧化矽膜6，因而能夠防止銅離子、或由其它雜質構成的異物從表面析出的現象。因此，能夠穩定接合膜7的接合強度。(13)由於通過使用等離子體使接合膜7活性化，能夠僅使接合膜7的表面或者其附近活性化，所以能夠減少接合膜7的內部的甲基的脫離。因此，能夠在保持柔軟性的狀態下對頂吸收玻璃構件2與相位差板3進行接合。下面，根據實施例對上述的第1實施方式的效果進行驗證。首先，對氧化矽膜6的膜厚與翹曲之間的關係以及氧化矽膜6與接合強度之間的關係進行說明。在本實施例中，在以下的條件下通過利用離子輔助沉積而在頂吸收玻璃構件2上對氧化矽膜6進行成膜。成膜條件成膜溫度150°C加速電壓1000V加速電流1200mA速度7A/secIR吸收玻璃構件2的條件厚度0. 30mm大小邊長為40mm的正方形圖9為表示氧化矽膜的膜厚與翹曲以及接合強度之間的關係的曲線圖。其中，利用高精度平坦度測試儀(型號FT-900 株式會社尼德克)對翹曲進行測定，利用拉伸強度測試儀(型號AGS-H 株式會社島津製作所)對接合強度進行測定。在圖9中，翹曲以與氧化矽膜的膜厚成正比的形式而增大。例如，當氧化矽膜為 500nm時翹曲為36. 7μ，當為IOOOnm時翹曲為73. 5 μ，當為2000nm時翹曲為147. 1μ，當為 3000nm時翹曲為220. 7 μ，當為4000nm時翹曲為四4. 3 μ。另一方面，當氧化矽膜為Onm(無薄膜)時接合強度(拉伸粘合強度)為lkgf/cm2，當氧化矽膜為IOnm時接合強度為82kgf/ cm2(kgf/cm2 = 9. 80665N/cm2)，當氧化矽膜為20nm時接合強度為144kgf/cm2，當氧化矽膜為50nm時接合強度為153kgf/cm2，當氧化矽膜為IOOnm時接合強度為164kgf/cm2，當氧化矽膜為200nm時接合強度為17^gf/cm2，當氧化矽膜為500nm時接合強度為16;3kgf/cm2，當氧化矽膜為IOOOnm時接合強度為13^gf/cm2，當氧化矽膜為1500nm時接合強度為139kgf/cm2，當氧化矽膜為2000nm時接合強度為l(^kgf/cm2，當氧化矽膜為2500nm時接合強度為 85kgf/cm2,當氧化矽膜為3000nm時接合強度為84kgf/cm2，當氧化矽膜為3500nm時接合強度為60kgf/cm2，當氧化矽膜為4000nm時接合強度為49kgf/cm2。即，雖然當氧化矽膜變厚時，翹曲以與之成比例的方式而增大，但是在膜厚達到200nm之前接合強度增大，而當膜厚超過200nm後接合強度將減小。當氧化矽膜6的膜厚超過2000nm時，由於氧化矽膜6的應力和表面粗糙度、蒸鍍時的繃沸中的異物的吸附等，從而變得無法獲得足夠的接合強度。在這裡，接合強度作為實用強度，優選為拉伸粘合強度(以JIS K 6848為基準)在 100kgf/cm2以上。因此優選為，氧化矽膜6的膜厚為20nm以上且2000nm以下。另一方面， 為了防止從頂吸收玻璃構件2上的銅離子等異物的析出，需要使氧化矽膜的膜厚為IOOnm 以上。其結果為，在本實施方式中，氧化矽膜的膜厚的最佳值為IOOnm以上且2000nm以下。對上述的使形成有氧化矽膜的頂吸收玻璃構件經由接合膜而與相位差板接合的實施例的、透過波面PV進行測定的結果，平均為0. 8 λ ( λ = 632. 8nm)。相對於此，對使形成有氧化矽膜的頂吸收玻璃構件經由粘合劑而與相位差板接合的比較例中的透過波面PV 進行測定的結果，波面像差為3. 4λ，從而可以看出與使用了接合膜的實施例相比其波面像差較大。接下來，對接合膜的成膜溫度、與將紅外吸收光譜測定中屬於矽氧烷(Si-O-Si) 鍵的峰強度設為1時屬於甲(CH3)基的峰強度比、或者屬於Si-CH3鍵的峰強度比之間的關係進行說明。在成膜裝置中所使用的氣體為Si、Ar、O2，其流量中Si為30sCCm、Ar為30sCCm、A 為Osccm，其壓力為4Pa，POWER(電功率)為250W。而且，在成膜之前實施活性化工序。作為其條件，導入氣體為O2，其流量為20SCCm，POWER為50W，壓力為4Pa、時間為30秒。在以上的條件下，改變成膜溫度，並觀察此時的屬於甲(CH3)基的峰強度比與屬於 Si-CH3鍵的峰強度比之間的關係。圖10為表示成膜溫度與屬於甲(CH3)基的峰強度比之間的關係的曲線圖，圖11為表示成膜溫度與屬於Si-CH3鍵的峰強度比之間的關係的曲線圖。在這些曲線圖中，記錄的是實驗獲得的數據的平均值。在圖10中，隨著成膜溫度升高甲(CH3)基的峰強度比降低。例如，成膜溫度為40°C 時甲(CH3)基的峰強度比為0. 15，成膜溫度為50°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 15，成膜溫度為60°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 15，成膜溫度為70°C時甲(CH3)基的峰強度比為 0. 147，成膜溫度為80°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 144，成膜溫度為90°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 142，成膜溫度為100°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 14，成膜溫度為140°C 時甲(CH3)基的峰強度比為0.07，成膜溫度為150°C時甲(CH3)基的峰強度比為0. 05，成膜溫度為160°C時甲(CH3)基的峰強度比為0.04，成膜溫度為170°C時甲(CH3)基的峰強度比為 0. 033。在圖11中，隨著成膜溫度升高，屬於Si-CH3鍵的峰強度比降低。例如，當成膜溫度為40°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 76 ；當成膜溫度為50°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 755 ；當成膜溫度為60°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 75 ；當成膜溫度為 70°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 74 ；當成膜溫度為80°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 72 ；當成膜溫度為90°C時，屬於Si-CH3鍵的峰強度比為0. 68 ；當成膜溫度為100°C時，屬於31-013鍵的峰強度比為0. 64;當成膜溫度為140°C時，屬於Si-洱鍵的峰強度比為 0. 33 ；當成膜溫度為150°C時，屬於31-013鍵的峰強度比為0. 29 ；當成膜溫度為160°C時，屬於51-013鍵的峰強度比為0. 25 ；當成膜溫度為170°C時，屬於31-013鍵的峰強度比為0. 22。在這裡，由於當成膜溫度較高時，甲(CH3)基以及Si-CH3鍵將會分解，因而接合膜會被氧化從而氧化矽的比率增加，因此，由於接合膜本身將變硬以導致柔軟性不足，因而在為了進行接合而對構件之間實施加壓時會產生故障。因此，當檢驗各個成膜溫度下的聚合膜的硬度時，發現40°C以上150°C以下的成膜溫度足以維持接合膜的柔軟性。當成膜溫度超過150°C時，由於聚合膜會過硬，從而將會變成與現有技術的直接接合(氧化矽系玻璃的鏡面之間的接合)相同的接合面，從而如果不大幅度地提高接合膜的平坦性則無法進行接合。因此，成膜溫度在40°C以上150°C以下時，甲(CH3)基的峰強度比為0.05以上且 0. 15以下，Si-CH3鍵的峰強度為0. 以上且0.76以下。換句話說，即可以看出甲(CH3)基的峰強度比為0. 05以上時或者Si-CH3鍵的峰強度比為0. 29以上時，接合膜7具有對於接合而言的適當值。第2實施方式下面根據圖12至圖16，對本發明的第2實施方式進行說明。圖12(A)為表示具備本發明的第2實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要結構圖，圖12(B)為表示光學元件的主要部分的放大剖視圖。第2實施方式例示了被稱為PS變換元件的偏振光分離元件20以作為光學元件。 該偏振光分離元件20例如被組裝在液晶投影裝置中而使用。在圖12(A)、(B)中，第2實施方式的偏振光分離元件20層疊有第1玻璃基材23 以及第2玻璃基材22，其中，第2玻璃基材22作為經由偏振光分離變換層21或者反射膜 24而被接合的基板。並且，第2玻璃基材22為，主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架的構件，例如為磷酸系玻璃構件。在第1玻璃基材23以及第2玻璃基材22中，其光入射側的平面25A與光出射側的平面25B被平行配置，並且反射膜M和偏振光分離變換層21以相對於這些平面25A、25B 成45°角度的方式而被相互平行地配置。如圖12 (A)所示，偏振光分離變換層21將入射的光束(S偏振光和P偏振光)分離為S偏振光和P偏振光，其中，S偏振光反射，P偏振光作為S偏振光而出射。如圖12(B)所示，偏振光分離變換層21具備偏振光分離膜21A，其與第2玻璃基材22鄰接接合；氧化矽膜21B，其被層疊在第1玻璃基材23上；1/2波長板21C，其作為被接合於這些偏振光分離膜21A以及氧化矽膜21B上的粘附物。偏振光分離膜21A是通過在第2玻璃基板22的表面上，交替層疊多層高折射率材料和低折射率材料而構成的。作為高折射率材料的種類，能夠使用如下的膜，即，由La(鑭)和Ti (鈦)的混合氧化物構成的鈦酸鑭膜、由La和Al (鋁)的混合氧化物構成的鋁酸鑭膜、以及Ta205、TiO2, Nb2O5^Al2O3等的各種高折射率膜。作為低折射率材料的種類，能夠使用由二氧化矽構成的SiO2膜、由氟化鎂(MgF2) 構成的MgF2膜等的各種低折射率膜。CN 102259445 A
說明書
18/21頁當從這些材料中適當選擇出高折射率材料和低折射率材料並層疊多層時，在偏振光分離膜21A和1/2波長板21C的界面一側的偏振光分離膜21A的最外層上，配置有由SiO2 膜構成的與第1實施方式相同的、未圖示的氧化矽膜。並且，在偏振光分離膜21A和第2玻璃基材22的界面一側的偏振光分離膜21A的最外層上，也配置有與第1實施方式相同的未圖示的氧化矽膜。這些最外層的氧化矽膜可以通過如下方式而形成，S卩，當選擇由由二氧化矽構成的S^2膜作為所述高折射率材料與所述低折射率材料的交互層的所述低折射率材料時，以使該S^2膜位於相互交替的層中的最外層的方式來進行層疊。1/2波長板21C通過與第1實施方式相同的接合膜^A、26B而被接合在偏振光分離膜21A以及氧化矽膜21B之間。即，偏振光分離膜21A被設置於，第2玻璃基材22中與接合膜26A對置的部分上。在圖12㈧中，反射膜M為折射率不同的電介質的多層膜，例如由氧化鉭(Ta05)、 氧化矽膜所構成。此外，反射膜M通過與偏振光分離變換層21相同的固定方法而被接合在第1玻璃基材23以及第2玻璃基材22上。所以，反射膜M使被偏振光分離膜21A反射出的S偏振光成分反射而使傳播方向轉向90°，從而自光出射側的平面25B出射。偏振光分離元件的製造方法接下來，根據圖13至17，對第2實施方式中的光學元件的製造方法進行說明。圖 13為表示接合膜的成形順序的概要圖。圖14為用於說明接合膜的活性化工序的概要圖。 圖15為用於說明貼合工序的概要圖。圖16為用於說明切斷工序的概要圖。圖17為用於說明組裝工序的概要圖。光學功能膜形成工序預先準備用於形成第1玻璃基材23的長方形光學單元23A以及用於形成第2玻璃基材22的長方形光學單元22A。並且，在長方形光學單元23A的一個表面上形成氧化矽膜21B之後，如圖13 (A)、 (B)、(C)所示，在被設置在長方形光學單元23A上的氧化矽膜21B上，形成有接合膜26A (參照圖1幻。具體來說，如圖13(A)所示，將設置在長方形光學單元23A上的氧化矽膜21B的最上層暴露於混合氣體中。由此，如圖13(B)所示，聚合物吸附並堆積在氧化矽膜21B的最上層表面上。並且， 如圖13(C)所示，在氧化矽膜21B的最上層上形成了薄膜部^Bl。表面活性化工序之後，如圖14(A)所示，例如通過等離子照射而使薄膜部^Bl的表面被活性化。貼合工序長方形光學單元23A的氧化矽膜21B上所形成的薄膜部^Bl和長方形光學單元 22A被貼合在一起。在這裡，雖然省略了圖示，但在長方形光學單元22A上，預先在偏振光分離膜21A 上經由接合膜26B而層疊有1/2波長板21C，並在1/2波長板21C上進一步形成有被活性化了的薄膜部26B2。並且，如圖14 (B)所示，形成於1/2波長板21C上的薄膜部與形成於氧化矽膜21B上的薄膜部^Bl相互對置。所以，如圖15(A)、(B)所示，長方形光學單元23A的薄膜部^Bl與長方形光學單元22A的薄膜部被接合。所以，形成接合膜^5B。而且，在本實施方式中，反射膜M被形成在其間設置有偏振光分離膜21A的長方形光學單元23A、22A上。具體來說，在長方形光學單元22A上通過蒸鍍等形成反射膜24，並以連接於該反射膜M的最上層的方式而形成有未圖示的接合膜。長方形光學單元23A被貼合在該接合膜上。在進行貼合時，其間設置有偏振光分離膜21A的長方形光學單元23A、 22A以其端部錯位的狀態而進行貼合(參照圖16(A))。切斷工序接下來，層疊了多張的長方形光學單元23A、22A被切割為預定形狀。如圖16(A)所示，長方形光學單元23A、22A以其端部錯位的狀態而被層疊。並且， 如圖16(B)所示，被層疊的長方形光學單元23A、22A沿著相對於其平面呈45°的方向L而以預定間隔為單位被切斷。在圖17(A)中圖示了被切斷的一個單元27。如圖17(A)所示，單元27的截面被設定為平行四邊形。而且，其結構為，在單元27 上以預定間隔為單位而配置有偏振光分離變換層21和反射膜M的結構被。之後，單元27 沿著相對於其平面垂直的方向Vl被切斷。相位差設置工序如圖17(B)所示，被切斷的單元27被左右排列並接合，從而形成了偏振光分離元件20。在以上的結構的第2實施方式中，能夠實現以下的作用效果。(14)通過接合膜^B而將形成在第1玻璃構件23上的氧化矽膜21B和1/2波長板21C進行接合。因此，能夠較大強度地接合第1玻璃基材23與1/2波長板21C。(15)並且，由於最外層上具有氧化矽膜的偏振光分離膜21A和1/2波長板21C均通過接合膜26A而進行了接合，所以能夠較大強度地接合偏振光分離膜21A和1/2波長板 21C。所以，由於即使產生熱變形也能夠維持良好的接合強度，因而能夠防止第1玻璃基材23和偏振光分離膜21A與1/2波長板21C剝離。第3實施方式接下來，根據圖18對本發明的第3實施方式進行說明。圖18(A)為表示具備本發明的第3實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要俯視圖。圖18(B)為表示該光學元件的概要結構圖。第3實施方式例舉了孔徑濾波器30以作為光學元件。該孔徑濾波器30例如被組裝於拾波裝置等而使用。在圖18(A)、⑶中，第3實施方式的孔徑濾波器30層疊有作為粘附物的水晶波長板31、和作為基板的玻璃基材32。而且，玻璃基板32為，主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架的構件，例如為磷酸系玻璃構件。波長板31具備相位調製部件311和波長選擇部件312。相位調製部件311為，使波長相互不同的多條光線中的全部波長的光線透過的部件，波長選擇部件312為，阻止預定波長的光線透過的部件。在波長板31的玻璃基材32 —側的面上，形成有氧化矽膜33。並且，在玻璃基板32的波長板31—側的面上，也形成有氧化矽膜34。這些波長板31的氧化矽膜33與玻璃基材32的氧化矽膜34，通過與第1實施方式相同的接合膜35而被接合在一起。作為孔徑濾波器30的製造方法，與第1實施方式相同，通過蒸鍍等而使氧化矽膜 33、34分別被層疊于波長板31和玻璃基材32上。並且，在波長板31的氧化矽膜33和玻璃基板32的氧化矽膜34的雙方上形成被活性化的薄膜部之後，通過貼合這些薄膜部從而形成接合膜35，由此製造出孔徑濾波器30。在以上結構的第3實施方式中，能夠實現以下的作用效果。(16)在波長板31以及玻璃基材32上分別層疊氧化矽膜33、34，並在這些氧化矽膜33、34之間形成接合膜35。因此，由於進一步提升了接合強度，且即使產生熱變形也能夠維持良好的接合強度，所以能夠防止波長板31與玻璃基材32剝離。第4實施方式接下來，根據圖19對本發明的第4實施方式進行說明。圖19為表示具備本發明的第4實施方式所涉及的附帶接合膜的基板的、光學元件的概要俯視圖。第4實施方式例示了了附帶衍射光柵的波長板40 (以下，簡稱為「波長板40」)以作為光學元件。該波長板40例如被組裝於拾波裝置等而使用。在圖19中，第4實施方式的波長板40層疊有相位差板41，其由水晶構成，並作為粘附物；玻璃基材42，其作為與相位差板41接合的基板；偏振光元件43，其接合於相位差板41的、與玻璃基材42相反的一側。而且，玻璃基材42為，主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架的構件，例如為磷酸系玻璃構件。偏振光元件43為，利用金屬而形成有微小的周期圖案的、所謂的線柵。在玻璃基材42的外表面上，形成有衍射光柵44。該衍射光柵44由在玻璃基材42 的表面上以預定間隔而形成的多個凸部構成。波長板40通過衍射光柵44將從光源50出射的出射光分離成三條光束。在相位差板41的玻璃基材42—側的表面上，形成有與第1實施方式相同的氧化矽膜45，而在玻璃基材42的相位差板41 一側的表面上，也形成有與第1實施方式相同的氧化矽膜46。這些相位差板41的氧化矽膜45與玻璃基材42的氧化矽膜46通過與第1實施方式相同的接合膜47而被接合在一起。在波長板40的製造方法中，與第3實施方式相同，通過蒸鍍等而使氧化矽膜45、46 分別被層疊在相位差板41和玻璃基材42上。並且，在相位差板41的氧化矽膜45與玻璃基材42的氧化矽膜46的雙方上形成被活性化了的薄膜部之後，使這些薄膜部被貼合，從而形成了接合膜47。在接合了相位差板41以及玻璃基材42之後，在相位差板41上形成偏振光元件 43，並在玻璃基材42上形成衍射光柵44，從而製造出波長板40。而且，作為偏振光元件43， 例如可以列舉出由樹脂構成的偏振光濾波器、或者由無機材料構成的無機偏振光板等。根據以上結構的第4實施方式，能夠實現以下的作用效果。(17)在相位差板41和玻璃基材42上分別層疊氧化矽膜45、46，並在這些氧化矽膜45、46之間形成了接合膜47。因此，由於即使產生熱變形也能夠發揮良好的接合強度，所以能夠防止相位差板41與玻璃基材42剝離。而且，本發明並不限定於上述實施方式，在能夠達成本發明目的的範圍內的變形、改良等也被包括在本發明的範圍內。圖20為表示本發明所涉及的附帶接合膜的基板的改變例的概要結構圖。例如，雖然在第1實施方式至第4實施方式中，是以磷酸系玻璃構件作為基板，但並不限定於此。基板也可以為混合了 SiO2和化03的矽酸硼玻璃，還可以為YAG(釔鋁石榴石)基板。YAG基板為氧化釔(Y2O3)和氧化鋁(Al2O3)的複合氧化物，其為無色透明的立方繫結晶，形成為石榴石結構。並且，基板還可以為以硼酸(B2O5)為主成分的硼酸系玻璃基板。並且，在第1實施方式中，對包括頂吸收玻璃構件與水晶的光學構件(相位差板 3和水晶雙折射板1)的光學元件進行了說明。但是，在本發明中，與頂吸收玻璃構件接合的接合對象並不限定於由水晶構成的構件，還可以為氧化矽系玻璃的光學構件。在這裡，氧化矽系玻璃為，以氧化矽為主成分且以金屬氧化物等為輔助成分的玻璃或者石英玻璃。而且，雖然在所述第1實施方式中，本發明應用在了對水晶雙折射板、IR吸收玻璃構件、相位差板以及水晶雙折射板這四個構件進行接合的結構中，但並不限定於此。例如， 在本發明中，還可以採用以下結構，即，對頂吸收玻璃構件和相位差板這兩個構件進行接合，並將其它構件隔離配置。並且，還可以採用以下結構，即，對水晶雙折射板、IR吸收玻璃構件以及相位差板這三個構件進行接合，並將水晶雙折射板隔離配置。此外，雖然在第1實施方式至第4實施方式中，是在粘附物的一個表面上形成接合膜的薄膜部，並在基材上形成氧化矽膜和接合膜的薄膜部，但並不限定於此。在本發明中， 如果在基材上形成氧化矽膜，並在該氧化矽膜上形成接合膜，則在粘附物上不需要進行任何成膜。此時，對接合膜和粘附物的雙方實施活性化工序。並且，例如如圖20所示，本發明的附帶接合膜的基板51還可以具有與第1實施方式相同的基板52、與第1實施方式相同的接合膜54、以及多層膜53。多層膜53包括與第1實施方式相同的氧化矽膜53A、53B ；以及設置於該氧化矽膜53A、5!3B之間的一層或多層中間膜53C。氧化矽膜53A為與基板52鄰接的最外層。另一方面，優選氧化矽膜5 為與接合膜M鄰接的最外層。形成中間膜53C的材料可以列舉出氧化鋅(ZnO2)、氧化鉭(Tii2O5)、氧化鈦(TiO2)寸。這樣的多層膜53作為匹配膜而發揮功能。例如，能夠進一步減少氧化矽膜5 與接合膜M的分界面上的反射。並且，本發明的附帶接合膜的基板也能夠適用於除了上述的光學低通濾波器等光學元件以外的裝置中。本發明能夠適用於光學低通濾波器、其它的設置有附帶接合膜的基板的液晶投影儀、拾波裝置、其它光學儀器。
權利要求
1.一種附帶接合膜的基板，其特徵在於，具備 基板，其主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架；氧化矽膜，其通過氣相沉積法而被鄰接設置於該基板的表面上； 接合膜，其通過等離子聚合法而設置， 所述接合膜包括矽骨架，其含有矽氧烷(Si-O)鍵，且結晶度為45%以下； 脫離基，其結合於該矽骨架， 其中，所述脫離基由有機基構成，所述接合膜為，當向其至少一部分區域供給能量時，通過存在於所述接合膜的表面附近的所述脫離基從所述矽骨架脫離，從而在所述接合膜的表面的所述區域上，產生所述基板與粘附物的粘合性，所述氧化矽膜的膜厚為，IOOnm以上2000nm以下。
2.如權利要求1所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於，在從構成所述接合膜的全部原子中除去氫原子之後的原子中，矽原子的含有率和氧原子的含有率的總計為，10原子百分比以上90原子百分比以下。
3.如權利要求1或2所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於，所述接合膜中的矽原子和氧原子的豐度比為，3 7至7 3的範圍。
4.如權利要求1至3中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述脫離基為烷基。
5.如權利要求1至4中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於，所述接合膜在至少存在於其表面附近的所述脫離基從所述矽骨架脫離之後，具有懸空鍵或者由羥基形成的活性鍵。
6.如權利要求1至5中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述接合膜的主要材料為聚有機矽氧烷，所述聚有機矽氧烷以八甲基三矽氧烷的聚合物為主成分。
7.如權利要求1至6中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述基板為磷酸系玻璃基板。
8.如權利要求1至7中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於，在所述接合膜中，當將紅外吸收光譜中屬於矽氧烷鍵的峰強度設為1時，屬於甲基的峰強度比為0. 05以上且0. 15以下。
9.如權利要求1至8中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於，在所述接合膜中，當將紅外吸收光譜中屬於矽氧烷鍵的峰強度設為1時，屬於Si-CH3 鍵的峰強度比為0. 29以上且0. 76以下。
10.如權利要求1至9中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述接合膜被等離子體活性化。
11.如權利要求1至9中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述基板被應用於光學低通濾波器。
12.如權利要求1至9中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述基板被應用於偏振光分離元件。
13.如權利要求11所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 在所述基板中與所述接合膜對置的部分上，設置有偏振光分離膜，該偏振光分離膜由包括所述氧化矽膜和氟化鎂的薄膜在內的多個層構成，並且，所述氧化矽膜鄰接於所述接合膜。
14.如權利要求1至9中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述基板被應用於孔徑濾波器。
15.如權利要求1至9中任一項所述的附帶接合膜的基板，其特徵在於， 所述基板被應用於附帶衍射光柵的波長板。
16.一種附帶接合膜的基板的製造方法，其特徵在於，如權利要求1至15中任一項所述的附帶接合膜的基板的製造方法， 在150°C以上350°C以下的溫度下，通過陰極真空噴鍍或者蒸鍍而在所述基板上形成所述氧化矽膜，並且，在40°C以上150°C以下的溫度下，通過等離子聚合法而形成所述接合
全文摘要
本發明提供一種附帶接合膜的基板及其製造方法，即使對主成分不為二氧化矽(SiO2)、或者不以矽基為骨架的基板，也能夠在接合這些基板時，或者在接合該基板與主成分為二氧化矽(SiO2)、或者以矽基為骨架的基板時，實現可靠的接合。附帶接合膜的基板具備IR吸收玻璃構件(2)，其主成分不為二氧化矽、或者不以矽基為骨架；氧化矽膜(6)，其通過氣相沉積法而被鄰接設置於IR吸收玻璃構件(2)的表面上；接合膜(7)，其通過等離子聚合法而被設置於氧化矽膜(6)上，其中，氧化矽膜(6)的膜厚為100nm以上2000nm以下。
文檔編號C09J7/02GK102259445SQ20111009628
公開日2011年11月30日 申請日期2011年4月14日 優先權日2010年4月15日
發明者上原健彥, 宮原充, 松崎文武 申請人:精工愛普生株式會社