處理室裝置及其大氣置換方法及包括該裝置的電光學裝置的製作方法

2023-05-22 09:20:16

專利名稱：處理室裝置及其大氣置換方法及包括該裝置的電光學裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種把需要在惰性氣體環境下進行基板等的工件處理的工件處理裝置收容在內並能夠對其進行維護的處理室裝置、該處理室裝置的大氣置換方法、包括該處理室裝置的電光學裝置以及有機EL裝置。
背景技術：
在現有技術中，在惰性氣體環境下進行工件處理的半導體製造裝置等中所使用的處理室裝置，在工件的出入管理中，考慮安全性問題(操作者的缺氧等情況)，需要將處理室內的惰性氣體環境置換成大氣。處理室中的惰性氣體與大氣的置換，通常通過真空吸引處理室內的惰性氣體進行。
這樣，在現有技術的處理室裝置中，將惰性氣體置換成大氣時由於通過真空吸引進行，不僅要花費時間，而且容易出現惰性氣體殘留的問題。特別是，在容積大的處理室裝置中，大氣置換所花費的時間，對於半導體製造的生產節拍的影響很大。
本發明的目的在於提供一種可以在短時間內有效對處理室內的惰性氣體和大氣進行置換的處理室裝置的大氣置換方法、處理室裝置、包括該處理室裝置的電光學裝置以及有機EL裝置。

發明內容
本發明的處理室裝置的大氣置換方法，是將構成處理室內的惰性氣體環境和大氣進行置換的處理室裝置的大氣置換方法，其特徵在於開放處理室的排氣通道，同時關閉惰性氣體的氣體供給通道，強制向處理室內送入外部氣體，將處理室內的惰性氣體和外部氣體置換。
依據該構成，在處理室內，將惰性氣體和外部氣體置換時，開放排氣通道，強制向處理室內送入外部氣體，流入到處理室內的外部氣體具有將惰性氣體趕向排氣通道的作用。為此，可以迅速並且有效進行大氣置換。而且可以防止惰性氣體的殘留。
這時優選外部氣體的強制送氣採用向處理室內強制送入惰性氣體的風扇進行。
依據該構成，在進行大氣置換時，可以活用向處理室內強制送入惰性氣體的風扇，使得外部氣體導入用裝置的結構簡單。
這時優選外部氣體通過氣體供給通道被強制送入到處理室中。
依據該構成，在進行大氣置換時，可以活用惰性氣體的氣體供給通道，在這一點上也使得外部氣體導入用裝置的結構簡單。並且，在處理室內沒有必要形成大氣導入用開口部，使得處理室的空氣密封結構簡單。
這時優選外部氣體在經過溫度調節裝置後被強制送入到處理室中。
依據該構成，可以使充滿外部氣體的處理室內保持所希望的溫度。例如，在收容在處理室內的裝置中，在進行操作導入前的不需要惰性氣體的試運行時可以在設計的環境溫度下進行。
本發明的處理室裝置，是將需要在惰性氣體環境下進行操作處理的工件處理裝置收容並可進行維護的處理室裝置，其特徵在於包括收容工件處理裝置的處理室、向處理室內供給惰性氣體同時在中途設置了氣體調節器的氣體供給通道、將處理室內的環境氣體排出並且在中途設置了排氣調節器的排氣通道、向處理室內強制送入外部氣體的風扇。
依據該構成，在由氣體調節器關閉氣體供給通道並且由排氣調節器開放排氣通道的狀態下，通過驅動風扇，可以容易將處理室內的惰性氣體環境置換成大氣環境。這樣在保持安全性(防止缺氧)的狀態下，可以進行工件處理裝置的維護。又，在該大氣置換中，用風扇強制將外部氣體送入到處理室內，流入到處理室內的外部氣體具有將惰性氣體趕向排氣通道的作用。為此，可以迅速並且有效進行大氣置換。而且可以防止惰性氣體的殘留。
這時優選進一步包括與氣體調節器的下流側的氣體供給通道合流並且在中途設置了外部氣體調節器的用於導入外部氣體的外部氣體導入通道，風扇設置在外部氣體導入通道的合流部的下流側的氣體供給通道上。
依據該構成，風扇設置在氣體供給通道上，風扇可以在外部氣體導入和惰性氣體導入時兼用，使得裝置結構簡單。又，由於使外部氣體導入通道和氣體導入通道合流，氣體供給通道的一部分可以作為外部氣體導入通道活用，同時沒有必要在處理室上形成大氣導入用的開口部。
這時優選進一步包括在外部氣體導入通道的合流部與風扇之間的氣體供給通道上設置的溫度調節裝置。
依據該構成，在由外部氣體構成處理室的環境可以保持所希望的溫度。為此，在收容在處理室內的工件處理裝置中，在進行操作導入前的不需要惰性氣體的試運行時(例如為確認精度的試運行)可以在設計的環境溫度下進行。
這時優選進一步包括在風扇的下流側的氣體供給通道上設置的過濾器。
依據該構成，不僅導入的惰性氣體，而且導入外部氣體(大氣)都由過濾器過濾，即使在大氣導入時，也可以防止灰塵侵入到處理室內。此外過濾器優選採用HEPA過濾器。
這時優選外部氣體調節器由2個開閉風門構成。
在工件處理裝置正常運行時，為保持良好的惰性氣體環境而使外部氣體調節器始終處於關閉狀態。但是，擔心從外部氣體調節器的調節板之間的間隙使外部氣體侵入到處理室內。依據該構成，外部氣體調節器由2個開閉風門構成，可以雙重關閉外部氣體導入通道，在上述正常運行時可以確切防止外部氣體侵入到處理室內。此外，優選在該2個開閉風門上增加開閉閥，三重關閉外部氣體導入通道。
這時優選在處理室中設置維護用的裝卸面板體，裝卸面板體由之間形成空隙的相對峙的外面板和內面板構成。
依據該構成，通過取下裝卸面板體，可以開放處理室的一部分，使得在工件處理裝置的維護上不會出現障礙。又，通過採用外面板和內面板的二重結構構成裝卸面板體，可以更加防止從處理室內洩漏惰性氣體，同時更加防止向處理室內透入水分。
這時優選進一步包括其一端部與內外兩面板之間的空隙連通、而另一端部與排氣調節器的上流側的排氣通道連通的面板體排氣通道、在面板體排氣通道中設置的面板體排氣調節器。
依據該構成，即使從內面板洩漏出惰性氣體而滯留在與外面板之間的空隙中，所洩漏的惰性氣體在大氣置換時通過面板體排氣通道流入到排氣通道中，可以防止在內外面板的空隙中惰性氣體的殘留。
這時優選進一步包括閉鎖裝卸面板體的電磁鎖機構、檢測處理室內的氧氣濃度的氧氣濃度檢測裝置，電磁鎖機構根據濃度檢測裝置的檢測結果，使裝卸面板體處於閉鎖或者開放狀態。
依據該構成，在處理室內充滿惰性氣體時，或者在大氣置換時殘留有惰性氣體時，裝卸面板體處於閉鎖狀態，可以確切防止誤將裝卸面板體開放的情況發生。
這時優選進一步包括控制氣體調節器、排氣調節器以及大氣調節器開閉的控制裝置，控制裝置，在惰性氣體運行時控制使氣體調節器和排氣調節器處於打開狀態，同時使大氣調節器處於關閉狀態，在外部氣體導入時，控制使氣體調節器處於關閉狀態，同時使排氣調節器以及大氣調節器處於打開狀態。
依據該構成，在惰性氣體運行時控制使氣體調節器和排氣調節器處於打開狀態，可以連續進行處理室的惰性氣體的補給與排氣。為此，可以始終在處理室內保持新鮮的惰性氣體環境，並且可以適當排出在操作處理中所產生的氣體。又，可以容易進行處理室內的氧氣濃度等的控制。
這時優選在處理室臨近處設置機械室，氣體供給通道以及外部氣體導入通道通過用隔壁將機械室分隔後形成。
依據該構成，惰性氣體以及外部氣體的管道(氣體供給通道以及外部氣體導入通道)可以在機械室內直接作成，沒有必要設置專用的管道，使得機械室結構單純並且緊湊。
這時優選至少氣體供給通道在上下方向上延伸。
依據該構成，在不損失機械室的功能的情況下可以儘可能減少機械室的佔用面積。
本發明的電光學裝置，其特徵在於包括上述處理室裝置、收容在處理室裝置中的工件處理裝置。
優選工件處理裝置是有機EL裝置的製造裝置。
依據該構成，可以在良好的惰性氣體環境下進行操作處理，並且可以在安全的大氣環境下進行工件處理裝置的維護等。又，由於可以在短時間內進行大氣置換，可以更加減少對製造節奏(操作處理)的影響。
這時優選有機EL裝置的製造裝置包括使導入了發光功能材料的功能液滴噴出頭相對於操作對象的基板掃描的、選擇性噴出發光功能材料在基板的多個象素區域上形成有機EL功能層的液滴噴出裝置。
依據該構成，由於噴出發光功能材料形成有機EL功能層的工藝可以良好的惰性氣體環境下進行，可以有效防止發光功能材料的變質和損傷。又，通過良好的大氣置換，不會損失液滴噴出裝置的維護性。
這時優選有機EL功能層是EL發光層以及空穴注入層中至少EL發光層。
依據該構成，有機EL裝置中成為發光功能主體的部分可以用功能液滴噴出頭形成，可以以更高的精度形成更加微小的象素，可以製造出高解析度並且高質量的有機EL裝置。
本發明的有機EL裝置，其特徵在於由上述電光學裝置製造。
依據該構成，可以以低成本提供高質量和高成品率的有機EL裝置。


圖1表示本發明實施方案的電光學裝置的外觀立體圖。
圖2表示該實施方案的描繪裝置的外觀立體圖。
圖3表示該實施方案的描繪裝置的外觀主視圖。
圖4表示該實施方案的描繪裝置的外觀側視圖。
圖5表示該實施方案的描繪裝置的外觀俯視圖。
圖6表示該實施方案的描繪裝置的液滴噴出裝置的示意圖。
圖7表示該實施方案的處理室裝置的系統圖。
圖8表示該實施方案的處理室裝置的俯視圖。
圖9表示該實施方案的處理室裝置的主視圖。
圖10表示該實施方案的處理室裝置的右側視圖。
圖11表示該實施方案的處理室裝置的左側視圖。
圖12表示該實施方案的處理室裝置的背面圖。
圖13表示該實施方案的處理室裝置的裝卸面板單元的橫截面圖(a)以及橫截面圖(b)。
圖14表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中堆積部形成工藝(無機物堆積)的截面圖。
圖15表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中堆積部形成工藝(有機物堆積)的截面圖。
圖16表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中等離子處理工藝(親水化處理)的截面圖。
圖17表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中等離子處理工藝(遠水化處理)的截面圖。
圖18表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中正穴注入層形成工藝(液滴噴出)的截面圖。
圖19表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中正穴注入層形成工藝(乾燥)的截面圖。
圖20表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中表面改質工藝(液滴噴出)的截面圖。
圖21表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中表面改質工藝(乾燥)的截面圖。
圖22表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中B發光層形成工藝(液滴噴出)的截面圖。
圖23表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中B發光層形成工藝(乾燥)的截面圖。
圖24表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中R·G·B發光層形成工藝的截面圖。
圖25表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中對向電極形成工藝的截面圖。
圖26表示該實施方案的有機EL裝置的製造方法中封接工藝的截面圖。
符號說明
1-電光學裝置、2-描繪裝置、3-處理室裝置、4-功能液滴噴出頭、6-液滴噴出裝置、11-主處理室、12-電氣室、13-機械室、17-X軸桌臺、18 Y軸桌臺、20-噴頭單元、101-氣體導入單元、102-排氣管、113-前部裝卸面板單元、114-後部裝卸面板單元、121-內面板單元、122-外面板單元、124-內面板、126-外面板、129-電磁鎖裝置、130-空隙、131-送氣口、132-排氣口、133-過濾處理室、135-過濾器、134-隔壁、138-氣體通道、141-氣體儲罐單元、142-氣體開閉閥、143-氣體調節閥、144-氣體開閉風門、147-主氣體通道、155-氣體調節機器、156-冷卻器、157-加熱器、158-風扇、161-排氣處理室、162-排氣調節單元、163-排氣調節風門、164-排氣開閉風門、166-外部氣體通道、172-外部氣體入口、173-外部氣體調節單元、174-外部氣體開閉風門、175-外部氣體調節風門、176-外部氣體開閉閥、500-有機EL裝置、501-基板、504-有機EL元件、510a-空穴注入/輸送層、510b-發光層、W-基板。
具體實施方案以下參照

本發明的實施方案。
噴墨印表機的噴墨頭(功能液滴噴出頭)可以精確噴出微小墨滴(液滴)成圓點狀，例如通過在功能液滴(噴出對象液)中採用特殊墨水、發光性或者感光性樹脂等，可以期待應用到各種部件的製造領域中。
本實施方案的電光學裝置，例如適用於有機EL裝置等的所謂平板顯示器的製造裝置中，在惰性氣體的環境中，從多個功能液滴噴出頭噴出發光材料等功能液(噴墨方式)、形成成為有機EL裝置的發光功能的各象素的EL發光層以及空穴注入層。
為此，在本實施方案中，說明適用於有機EL裝置的製造裝置中的電光學裝置，說明由該裝置製造的有機EL裝置的結構和製造方法(製造過程)。
如圖1所示，本實施方案的電光學裝置1由描繪裝置2和收容描繪裝置2的處理室裝置3所構成，由搭載了描繪裝置2的功能液滴噴出頭4噴出發光材料，形成有機EL裝置的EL發光層以及空穴注入層，並且包含該功能液滴噴出頭4的噴出動作的一系列製造工藝在處理室裝置3中在惰性氣體(氮氣)環境下進行。
描繪裝置2的詳細內容將在後面說明，包括液滴噴出裝置6、由附屬在該裝置中的各種裝置所構成的附帶裝置7。處理室裝置3在處理室11中並排設置電氣室12以及機械室13，為所謂的潔淨間的狀態。在處理室11中導入惰性氣體的氮氣，收容在其中的上述液滴噴出裝置6以及附帶裝置7整體暴露在氮氣環境下，在氮氣環境下工作。
如圖2到圖5所示，液滴噴出裝置6包括設置在地板上的臺架15、設置在臺架15上的穩定石盤16、設置在穩定石盤16上的X軸桌臺17、以及與其垂直的Y軸桌臺18、懸掛在Y軸桌臺18上進行設置的主託架19、搭載在主託架19上的噴頭單元20。
X軸桌臺17，包括構成X軸方向的驅動系統的X軸空氣滑杆22以及X軸線電機23，在其上搭載將θ桌臺24以及基板W空氣吸引的吸附臺25。Y軸桌臺18包括構成Y軸方向的驅動系統的一對Y軸滑杆27、27、Y軸螺杆28、Y軸電機(伺服電機)29，在其上搭載吊接上述主託架19的橋板30。
在搭載在主託架19上的噴頭單元20上，通過介入子託架搭載多個功能液滴噴出頭4。在圖中雖然沒有特別詳細畫出，在子託架上，搭載了12個功能液滴噴出頭4，這些功能液滴噴出頭4分成2組，每組6個(在圖6中前後2組)，在主掃描方向按給定角度傾斜配置(參見圖6)。
在本實施方案的液滴噴出裝置6中，與功能液滴噴出頭4的驅動(功能液滴選擇性噴出)同步，移動基板W，功能液滴噴出頭4的所謂主掃描是由X軸桌臺17的X軸方向上的往返移動實現。而所謂副掃描，是由Y軸桌臺18使功能液滴噴出頭4在Y軸方向上的往返移動實現。
另一方面，噴頭單元20的起始位置，為圖1中的後側位置，並且從該液滴噴出裝置6的後方進行噴頭單元20的搬運或者交換(後面詳細說明)。又，在該圖的左側上，基板搬送裝置(圖中未畫出)靠近，從其左方將基板W搬入、搬出。該液滴噴出裝置6的前側，一體設置上述附帶裝置7的主要構成裝置。
附帶裝置7包括靠近上述臺架15以及穩定石盤16配置的箱體形式的公共機臺32、設置在公共機臺32內的一半上的空氣供給裝置33以及抽真空裝置34、在公共機臺32內的另一半上設置其主要裝置的功能液供給回收裝置35、在公共機臺32上設置其主要裝置的維護裝置36。此外，圖中的符號37是設置在主儲罐(圖中未畫出)和噴頭單元20之間的功能液通道上的功能液供給回收裝置35的中間儲罐。
空氣供給裝置33構成功能液供給回收裝置35的壓力供給源，同時在維護裝置36等中的空氣壓力調節器的驅動源使用。抽真空裝置34連接在上述吸附臺25上，通過空氣吸力吸住基板W。功能液供給回收裝置35向功能液滴噴出頭4供給功能液，同時回收來自維護裝置36等的不需要的功能液。
維護裝置36包括定期對功能液滴噴出頭4衝洗(從所有噴嘴噴出功能液並扔掉)的衝洗單元41、吸出功能液滴噴出頭4的功能液並進行保管的清潔單元42、擦拭功能液滴噴出頭4的噴嘴形成面的擦拭單元43。清潔單元42和擦拭單元43配置在上述公共機臺32上。衝洗單元41配置在基板W的附近，搭載在X軸桌臺(θ桌臺24)17上。
在此，參照圖6的示意圖，簡單說明在處理室裝置3內在氮氣環境下動作的描繪裝置2的一系列動作。首先，作為準備階段，將噴頭單元20搬入到液滴噴出裝置6中，並設置在主託架19上。噴頭單元20設置在主託架19上後，Y軸桌臺18使噴頭單元20移動到圖外的噴頭識別照相機的位置上，進行噴頭單元20的位置識別。在此，根據該識別結果，對噴頭單元進行θ校正，並且在數據上進行噴頭單元20的X軸方向以及Y軸方向的位置校正。位置校正後，使噴頭單元(主託架19)20返回到起始位置。
另一方面，如果在X軸桌臺17的吸附臺25上導入基板(這時針對所導入的每塊基板)W，在導入位置上由圖外的基板識別照相機對基板W進行位置識別。在此，根據識別結果，由支撐吸附臺25的θ桌臺24對基板W進行θ校正，並且在數據上進行基板W的X軸方向以及Y軸方向的位置校正。
這樣，準備階段結束後，在實際的液滴噴出作業中，首先驅動X軸桌臺17，使基板W在主掃描方向上往返移動，同時驅動多個功能液滴噴出頭4，進行向基板W選擇性噴出功能液滴的動作。基板W返回移動後，驅動Y軸桌臺18，使噴頭單元20在副掃描方向上移動一行距，再次使基板W在主掃描方向上往返移動，同時驅動功能液滴噴出頭4。這樣，通過數次反覆進行，從基板W的端到端(整個區域)進行了液滴噴出，形成有機EL裝置的發光層。
另一方面，在進行上述動作的同時，由作為壓力供給源的空氣供給裝置33從功能液供給回收裝置35向液滴噴出裝置6的噴頭單元(功能液滴噴出頭4)20連續供給功能液，並且在吸附臺25上由抽真空裝置34空氣吸引住基板W。又，在液滴噴出作業之前，使噴頭單元20靠近清潔單元42以及擦拭單元43，從功能液滴噴出頭4的所有噴嘴吸出功能液，接著進行噴嘴形成面的擦拭。在液滴噴出作業中，適時使噴頭單元20靠近衝洗單元41，對功能液滴噴出頭4進行衝洗。
此外，在本實施方案中，雖然是使噴出對象物的基板W相對於噴頭單元20在主掃描方向(X軸方向)上移動，也可以使噴頭單元20在主掃描方向上移動。又，也可以固定噴頭單元20，而使基板W在主掃描方向和副掃描方向上移動。
以下，參照圖7的系統圖、圖8到圖13的結構圖，說明處理室裝置3。此外，在處理室裝置的說明中，以圖8中的紙面的下側為「前」、上側為「後」、左側為「左」、右側為「右」進行說明。
處理室裝置3包括收容上述描繪裝置2的處理室11、與處理室11的右前部並排設置的電氣室12、與處理室11的右後部並排設置的機械室13。此外，作為填充到處理室11中的惰性氣體優選採用氮氣、二氧化碳氣、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣以及氡氣中的任一種，在本實施方案中，考慮到成本和安全性，採用氮氣。
惰性氣體(氮氣)由圖外的氣體製造裝置通過氣體導引單元101導入到機械室13中，在此經過調和處理後導入到處理室11中。又，處理室11內的惰性氣體從添設在處理室37的左前部上的排氣管(排氣通道)102適當排出，傳送到圖外的氣體處理裝置。在實際運行中，向處理室11連續進行惰性氣體的補給和排氣，由微小流動的惰性氣體構成處理室11內的環境氣體。
處理室11是用氣密材料將左側壁111、右側壁112、前部裝卸面板單元113、後部裝卸面板單元114、底壁115以及頂壁116相互密封組成的預製式房間。另一方面，收容在處理室11內部的液滴噴出裝置6以前後方向為Y軸方向，而左右方向為X軸方向的姿式被收容(參見圖1)。即，考慮到維護方便，描繪裝置2的附帶裝置7面向前部裝卸面板單元113，考慮到噴頭單元20的運入等的方便，使噴頭單元20的起始位置面向後部裝卸面板單元114。又，左側壁111上，形成為搬入搬出基板W的帶活動板的傳遞開口117(參見圖11)。
前部裝卸面板單元113以及後部裝卸面板單元114均為內面板單元121以及外面板單元122底二重結構。內面板單元121由在左右中間具有縱框123a的框體123、在由縱框123a構成的左右開口部(維護開口)上分別裝入可自由裝卸的帶窗口的一對內板124、124所構成(參見圖13)。在各內板124上，除了設置左右的手柄外，還設置多個鎖杆(均未在圖中畫出)，內板124以抽拉形式與框體124接觸，並且由多個鎖杆密封裝入到框體123上。
同樣，外面板單元122由在左右中間具有縱框125a的框體125、在由縱框125a構成的左右開口部(維護開口)上分別裝入可自由裝卸的帶窗口的一對外板126、126所構成(參見圖13)。在各外板126上，除了設置左右的手柄127、127外，還設置多個鎖杆128，這時外板126也以抽拉形式與框體擋接，並且由多個鎖杆128密封裝入到框體125上。外面板單元122比內面板單元121要稍微寬一些並且要稍微長一些，對內外兩面板121、122的裝卸作業不會形成障礙(參見圖13)。
又，在內外各面板124、126上，在其上側安裝多個電磁閉鎖裝置129，根據處理室11內的氧氣濃度，可以控制內外各面板124、126成閉鎖或者開放狀態(後面詳細說明)。即，前部裝卸面板單元113以及後部裝卸面板單元114可以由電磁閉鎖裝置129相互閉鎖。
在右側壁112的後上部上，形成連通機械室13的送氣口131，與此對應在左側壁111的前下部形成與排氣管102連通的排氣口132。又，在處理室11的頂板部分上形成與送氣口131連通的過濾室133。過濾室133由格子狀的過濾器安裝框134水平分割頂板部分形成，在該過濾器安裝框134上安裝多個(4個)過濾器(HEPA過濾器)135(參見圖8)。
從送氣口131流入的惰性氣體流入到過濾室133中，經過多個過濾器135後流入到液滴噴出裝置6的上部。這時，從送氣口131流入的惰性氣體，經過多個過濾器135後的氣流的主體，在處理室11內大致在對角線方向上流動，併到達排氣口132。在該對角方向的氣流的主流路上設置液滴噴出裝置6的進行液滴噴出動作的區域，即噴出區域。
即，在處理室11內，惰性氣體的主氣流包圍噴出區域流動，並且作為氣流整體從過濾器向下流入後，流向排氣口132。這樣，噴出區域始終暴露在新鮮的惰性氣體環境中。此外，這時的氣流的流速，調整到不使從功能液滴噴出頭4噴出的功能液滴偏離的程度。
在機械室13的上部，設置與圖外的氣體製造裝置連通的氣體導入單元101，又在機械室13的內部適當用隔壁137分隔，形成從氣體導入單元101到上述送氣口131的氣體通道138。即，在機械室13的內部一體形成成為氣體通道138的管道。
在氣體導入單元101上，安裝由氣體開閉閥(電磁閥)142、氣體調節風門(電磁閥高密度電機調節器)143以及氣體開閉風門(高密度電機調節器)144構成氣體調節單元141(參見圖7)。如上所述，在本實施方案的處理室裝置3中，採用連續進行惰性氣體的補給和排氣的運行方式，在氣體開閉閥142以及氣體開閉風門144處於「打開」狀態下，由氣體調節風門143調節惰性氣體的補給流量。又，在後述的大氣置換運行中，將氣體開閉閥142、氣體調節風門143以及氣體開閉風門144均控制成「關閉」狀態。
在機械室13的內部構成氣體通道138，從氣體導入單元101延伸到機械室13的下部，在此折回傳送到上部的送氣口131。在該氣體通路138中朝向上方的通道部分上安裝後述的氣體調節機器155。
又，氣體通道138，如圖7所示，在氣體導入單元101的下流測分流，由從氣體導入單元101經過氣體調節機 155到達送氣口131的一方主氣流通道147、和從氣體導入單元101直接到達送氣口131的另一方旁路氣流通道148所構成。在主氣流通道147以及旁路氣流通道148中分別設置通道切換用手動風門149、150。兩手動風門149、150隻是在設置處理室裝置3的初始調節時使用。
此外，如圖7所示，在處理室11形成返回通道(返回口)151，處理室11的返回氣流通過該返回通道151返回到機械室13，在氣體調節機器155的上流側與主氣流通道147合流。但是，該返回氣流是在預備時使用，在正常運轉時不返回氣流。
在主氣流通道147中設置由冷卻器(製冷設備)156、加熱器(電加熱器)157以及2颱風扇(多葉片風扇)158、158構成的氣體調節機器155。冷卻器156以及加熱器157靠近機械室的上下中間位置配置，構成溫度調節裝置。這樣，處理室11內的惰性氣體環境可以保持在給定溫度，例如在本實施方案中為在20℃±0.5℃。
風扇158在機械室13的上部，靠近送氣口131設置。從氣體導入單元101導入的惰性氣體，由該風扇158通過送氣口131強制傳送給處理室11內。並且由該風扇158控制向處理室11內補給惰性氣體的流量以及處理室11內的氣流的流速等。
構成排氣通道的排氣管102，在排氣口132附近有排氣室161，從該排氣室161開始上升，進一步沿處理室11的上面水平延伸。在排氣管102的下流側(位於處理室11的上面的部分)，設置由排氣調節風門163以及排氣開閉風門164構成的排氣調節單元162(參見圖7)，由該排氣調節風門163調節排氣量。
又，在排氣室161中，與分別從上述前部裝卸面板單元113以及後部裝卸面板單元114延伸的2根排氣管(面板上排氣通道)166、166連接(參見圖8、圖9、以及圖11)。各排氣管的上流端，與內面板單元121和外面板單元122之間的空隙130連通，又在各排氣管166上設置排氣閥(面板體排氣調節風門)167。這樣，可以將在內外兩面板單元113、114的空隙130部分處洩漏的惰性氣體排出(後面詳細說明)。
另一方面，在氣體調節機器155的上流側的主氣流通道147中，與由隔壁137在機械室內13構成的外部氣流通道171合流(參見圖7)。外部氣流通道171的外部氣體入口172，在機械室13的下部側面開口，外部氣流通道171的下流測，在冷卻器156的上流側與主氣流通道147合流。又，在外部氣流通道171中，從外部氣體入口172開始，依次設置外部氣體開閉風門174、外部氣體調節風門175以及外部氣體開閉閥176所構成的外部氣體調節單元173。
這時，外部氣體開閉風門174以及外部氣體調節風門175由高密封調節器構成，外部氣體開閉閥176由電磁閥(或者電動換向閥)構成。在後面將詳細說明，外部氣體開閉風門174、外部氣體調節風門175以及外部氣體開閉閥176均控制成「打開」的狀態下，由外部氣體調節風門175調節外部氣體的流量。又，在通常通電時，這些風門174、175以及176均控制成「關閉」狀態，通過高度密封，可以確切防止外部氣體的侵入。
以下簡單說明處理室裝置3的運行方法。在向處理室11導入惰性氣體的正常運行時，外部調節器單元173處於「關閉」狀態，由風扇158對處理室11內進行惰性氣體的補給以及排氣，形成惰性氣體環境。
氣體調節閥143，通過控制器181，與設置在處理室11內的氧氣濃度計(低濃度)182以及水分計183連接，根據這些測量結果，調節惰性氣體的補給流量。更具體講，由氣體調節閥143進行控制，可以將處理室11內的氧氣濃度以及水分濃度均保持在10ppm以下。此外，圖中的符號184是顯示氧氣濃度的刻度表。
另一方面，排氣調節風門163通過控制器186與壓力計187連接，根據壓力計187的檢測結果，調節惰性氣體的排氣流量。即，由排氣調節風門163進行控制，可以使處理室11內相對於大氣壓成正壓狀態。這樣，即使從處理室11有惰性氣體洩漏，也可以防止外部氣體的侵入。
又，在氣體調節單元141的下流側附近，以及排氣調節單元162的上流側附近，分別設置風速電機188a、188b，根據該風速電機188a、188b的風力差的變化，可以確定風扇158的故障和惰性氣體的洩漏。
進一步，在處理室11內，設置溫度調節計(溫度計)189，溫度調節計189通過繼電器190與加熱器157連接。這時，溫度調節裝置的冷卻器156始終按額定運行，由加熱器157將處理室11內的溫度控制在20℃±0.5℃。
另一方面，在將處理室11內的惰性氣體排出而導入外部氣體的大氣置換運行中，氣體調節單元141處於「關閉」狀態，外部氣體調節單元173以及排氣調節單元162處於「打開」狀態，由風扇158向處理室11強制送入外部氣體。即，向處理室11強制送入外部氣體，將處理室11內的惰性氣體趕出。又，兩排氣閥167、167處於「打開」狀態，將洩漏在內外兩面板單元121、122的空隙130部分中的惰性氣體也排出。
在以維護描繪裝置2為前提(裝卸面板單元113、114開放)的大氣置換運行中，加熱器157關閉，同時外部氣體調節風門175以及排氣調節風門163處於「全開」狀態，不進行流量調節。這樣可以在最短時間內進行大氣置換。然後，根據設置在處理室11內的氧氣濃度計(高濃度)191的測量結果，可以確認大氣置換是否結束，並且解除上述電磁鎖裝置129的閉鎖狀態。這樣，前後裝卸面板單元113、114處於可開放狀態。
又，在以該確認描繪裝置(液滴噴出裝置6)2的精度的試驗運行為前提的大氣置換運行中，加熱器157打開，同時外部氣體調節風門175以及排氣調節風門163進行流量調節，使處理室11內置換成所希望溫度(20℃±0.5℃)的大氣環境。
這樣，在處理室11中收容描繪裝置2，使液滴噴出裝置6的液滴噴出作業在新鮮的惰性氣體環境下進行，因此不會使噴射在基板W上的功能液滴(發光材料)出現變質或者損傷的情況，可以穩定製造有機EL裝置。又，在進行大氣置換時，採用風扇158強制向處理室11內送入外部氣體，可以在短時間內進行大氣置換，同時可以更加防止惰性氣體的殘留。
以下說明採用上述實施方案的電光學裝置1製造有機EL裝置的方法。
圖14到圖26表示有機EL裝置的製造過程及其結構。該製造過程包括堆積部形成工藝、等離子處理工藝、由空穴注入/輸送層形成工藝以及發光層形成工藝所構成的發光元件形成工藝、對向電極形成工藝、封接工藝。
在堆積部形成工藝中，在預先形成在基板501上的電路元件部502以及電極511(也稱為象素電極)的指定位置上，通過積層無機物堆積層512a和有機物堆積層512b，形成具有開口部512g的堆積部512。這樣，在堆積部形成工藝中，包括在電極511的一部分上形成無機物堆積層512a的工藝、和在無機物堆積層上形成有機物堆積層512b的工藝。
首先在形成無機物堆積層512a的工藝中，如圖14所示，在電路元件部502的第2層間絕緣膜544b上以及象素電極511上形成無機物堆積層512a。例如可以通過採用CVD法、噴塗法、濺射法、蒸鍍法等在層間絕緣層514以及象素電極511的整個面上形成SiO2、TiO2等無機物膜，形成無機物堆積層512a。
然後，通過對該無機物膜時刻等，進行圖案化，設置與電極511的電極面511a的形成位置對應的下部開口部512c。這時，需要使無機物堆積層512a與電極511的周緣部重疊形成。這樣，通過使電極部511的周緣部(一部分)和無機物堆積層512a重疊來形成無機物堆積層512a，可以控制發光層510的發光區域。
然後，在形成有機物堆積層512b的工藝中，如圖15所示，在無機物堆積層512a上形成有機物堆積層512b。採用光刻技術等對有機物堆積層512b進行蝕刻，形成有機物堆積層512b的上部開口部512d。上部開口部512b設置在與電極面511a以及下部開口部512c對應的位置上。
上半開口部512d，如圖15所示，優選形成為比下部開口部512c寬，比電極面511a窄。這樣，將無機物堆積層512a的下部開口部512c包圍的第1積層部512e成為比有機物堆積層512b向電極511的中央側延伸的形狀。這樣，通過將上部開口部512d、下部開口部512c連通，形成貫通無機物堆積層512a以及有機物堆積層512b的開口部512g。
然後在等離子處理工藝中，在堆積部512的表面和象素電極的表面511a上形成呈現親墨水性的區域、和呈現斥墨水性的區域。該等離子處理工藝大體可以分成預加熱工藝、將堆積部512的上面(512f)、開口部512g的壁面以及象素電極511的電極面511a加工成具有親墨水性的親墨水化工藝、將有機物堆積層512b的上面512f以及上半開口部512d的壁面加工成具有斥墨水性的斥墨水化工藝、冷卻工藝。
首先，在預備加熱工藝中，將包含堆積部512的基板501加熱到給定溫度。加熱，通過例如在載置基板501的平臺上安裝加熱器、用該加熱器加熱該平臺和基板501實現。具體講，優選將基板501的預備加熱溫度加熱到例如70℃～80℃的範圍內。
然後，在親墨水化工藝中，在大氣環境下以氧氣作為處理氣體，進行等離子處理(O2等離子處理)。通過該O2等離子處理，如圖16所示，對象素電極511的電極面511a、無機物堆積層512a的第1積層部512e、有機物堆積層512b的上部開口部512d的壁面以及上面512f進行親墨水化處理。通過這樣的親墨水化處理，在這些各面上導入氫氧基，使其具有親墨水性。在圖16中，用點橫線表示親墨水處理後的部分。
然後，在斥墨水化工藝中，在大氣環境下以4氟化甲烷作為處理氣體，進行等離子處理(CF4等離子處理)。通過該CF4等離子處理，如圖17所示，對上部開口部512d的壁面、有機物堆積層的上面512f進行斥墨水化處理。過這樣的斥墨水化處理，在這些各面上導入氟基，使其具有斥墨水性。在圖17中，用二點橫線表示斥墨水處理後的部分。
然後，在冷卻工藝中，使為進行等離子處理而加熱的基板501冷卻到室溫、或者噴墨工藝(液滴噴出工藝)的管理溫度。通過使等離子處理後的基板501冷卻到室溫、或者指定溫度(例如進行噴墨工藝的管理溫度)。可以在恆定溫度下進行下一步的空穴注入/輸送層形成工藝。
然後，在發光元件形成工藝中，通過在象素電極511上形成空穴注入/輸送層以及發光層，形成發光元件。在發光元件形成工藝中，包含4個工藝。即，將為形成空穴注入/輸送層的第1組成物噴吐到上述各象素電極上的第1液滴噴出工藝、使噴出的上述第1組成物乾燥，在上述象素電極上形成空穴注入/輸送層的空穴注入/輸送層形成工藝、將為形成發光層的第2組成物噴吐在上述空穴注入/輸送層上的第2液滴噴出工藝、使噴出的上述第2組成物乾燥，在上述空穴注入/輸送層上形成發光層的發光層形成工藝。
首先，在第1液滴噴出工藝中，通過噴墨法(液滴噴出法)，將包含空穴注入/輸送層形成材料的第1組成物噴吐到電極面511a上。此外，在該第1液滴噴出工藝以後，優選在沒有氫、氧氣的氮氣環境、氬氣環境等惰性氣體環境中進行。(此外，只在象素電極上形成空穴注入/輸送層時，不形成與有機物堆積層鄰近的空穴注入/輸送層)。
如圖18所示，在噴墨頭(功能液滴噴出頭)H中填充包含空穴注入/輸送層形成材料的第1組成物，使噴墨頭H的噴嘴與位於下部開口部512c內的電極面511a對向，一邊使噴墨頭H相對於基板501相對移動，一邊向電極面511a上從噴嘴噴出相當於1滴液量的第1組成物滴510c。
在此，作為所用的第1組成物，例如，可以採用將聚乙二羥噻吩(PEDOT)等聚乙烯衍生物和聚苯乙烯碸酸(PSS)等混合物溶解在極性溶劑的組成物。作為極性溶劑，例如可以採用異丙醇(IPA)、正丁醇、γ-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)及其衍生物、卡必醇醋酸酯、丁基卡必醇醋酸酯等乙二醇醚類等。此外，空穴注入/輸送層形成材料，對於R·G·B的各發光層510b既可以採用相同的材料，也可以針對每個發光層改變。
如圖18所示，噴出的第1組成物滴510c在親墨水化處理後的電極面511a以及第1積層部512e上擴散，浸滿下部、上部開口部512c、512d內。噴出到電極面511a上的第1組成物量由下部、上部開口部512c、512d的大小、要形成的空穴注入/輸送層的厚度、第1組成物中空穴注入/輸送層形成材料的濃度等確定。又，第1組成物滴510c不限於1次，也可以分數次向同一電極面511a上噴出。
然後，在空穴注入/輸送層形成工藝中，如圖19所示，對噴出後的第1組成物進行乾燥處理以及熱處理，使包含在第1組成物中的極性溶劑蒸發，在電極面511a上形成空穴注入/輸送層510a。在進行乾燥處理時，包含在第1組成物滴510c內的極性溶劑的蒸發，主要是在無機物堆積層512a以及有機物堆積層512b附近發生，伴隨極性溶劑的蒸發，空穴注入/輸送層形成材料濃縮後析出。
這樣，如圖19所示，通過乾燥處理，在電極面511a上也發生極性溶劑的蒸發，這樣在電極面511a上形成由空穴注入/輸送層形成材料構成的平坦部510a。在電極面511a上由於極性溶劑的蒸發速度基本上均勻，空穴注入/輸送層的形成材料在電極面511a上均勻濃縮，這樣形成均勻厚度的平坦面510a。
然後，在第2液滴噴出工藝中，通過噴墨法(液滴噴出法)，在空穴注入/輸送層510a上噴出包含發光層形成材料的第2組成物。在該第2液滴噴出工藝中，為了防止空穴注入/輸送層510a的再次溶解，在形成發光層時所使用的第2組成物的溶劑，採用對空穴注入/輸送層510a不溶解的非極性溶劑。
但是另一方面，空穴注入/輸送層510a由於對非極性溶劑的親和性低，將包含非極性溶劑的第2組成物噴出到空穴注入/輸送層510a上時，空穴注入/輸送層510a與發光層510b不能密接，或者擔心出現發光層510b不能均勻噴塗的情況。為此，為了提高非極性溶劑以及發光層形成材料與空穴注入/輸送層510a的表面的親和性，優選在形成發光層之前實施表面改質工藝。
在此首先說明表面改質工藝。在表面改質工藝中，將採用和發光層形成時所使用的第1組成物的非極性溶劑相同的溶劑或者相近的溶劑作為表面改質用溶劑，通過噴墨法(液滴噴出法)、旋轉噴塗法或者浸漬法塗敷在空穴注入/輸送層510a上，然後進行乾燥。
例如，採用噴墨法塗敷時，如圖20所示，在噴墨頭H中填充表面改質用溶劑，使噴墨頭H的噴嘴與基板(即形成了空穴注入/輸送層510a的基板)對向，一邊使噴墨頭H相對於基板501相對移動，一邊向空穴注入/輸送層510a上從噴嘴噴出表面改質用溶劑510d。然後，如圖21所示，使表面改質用溶劑510d乾燥。
然後，在第2液滴噴出工藝中，通過噴墨法(液滴噴出法)，在空穴注入/輸送層510a上噴出包含發光層形成材料的第2組成物。如圖22所示，在噴墨頭H中填充包含藍色(B)發光層形成材料的第2組成物，使噴墨頭H的噴嘴與位於下部、上部開口部512c、512d內的空穴注入/輸送層510a對向，一邊使噴墨頭H相對於基板501相對移動，一邊從噴嘴噴出相當於1滴液量的第2組成物滴510e，將該第2組成物滴510e噴塗在空穴注入/輸送層510a上。
作為發光層形成材料，可以採用聚芴系高分子衍生物、(聚)對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚亞苯基衍生物、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素色素、若丹明系色素，或者在上述高分子中摻雜了有機EL材料後使用。例如，可以摻雜四氟乙烯均聚物、苝、9，10-二苯蒽、四苯丁二烯、尼羅紅、香豆素、喹吖啶酮等後使用。
作為非極性溶劑，優選空穴注入/輸送層510a不溶解的材料，例如，可以採用環乙基苯、二氫苯並呋喃、三甲基苯、四甲基苯等。通過在發光層510b的第2組成物中採用這樣的非極性溶劑，可以在不使空穴注入/輸送層510a再次溶解的情況下塗敷第2組成物。
如圖22所示，所噴出的第2組成物滴510e在空穴注入/輸送層510a上擴散，填滿下部、上部開口部512c、512d內。又，第2組成物滴510e不限於1次，也可以分數次向同一空穴注入/輸送層510a上噴出。這時，每次第2組成物的量可以相同，也可以每次都改變第2組成物的量。
然後，在發光層形成工藝中，在噴出第2組成物後實施乾燥處理以及熱處理，在空穴注入/輸送層510a上形成發光層510b。乾燥處理是使通過對噴出後的第2組成物進行乾燥處理後使包含在第2組成物中的非極性溶劑蒸發，形成圖23所示的藍色(B)發光層510b。
然後，如圖24所示，和藍色(B)發光層510b的情況同樣，形成紅色(R)發光層510b，最後形成綠色(G)發光層510b。此外，發光層510b的形成順序，並不限定於上述順序，可以按任意順序形成。例如，可以根據發光層形成材料確定形成順序。
然後在對向電極形成工藝中，如圖25所示，在發光層510b以及有機物堆積層512b的整個面上形成陰極503(對向電極)。此外，陰極503也可以通過堆積多個材料形成。例如，優選在發光層附近側形成自有能小的材料，例如，可以採用Ca、Ba等，並且根據材料有時也可能在下層形成薄薄一層LiF等較好。又，優選在上部側(封接側)採用比下部側自由能更高的材料。這些陰極(陰極層)503，例如優選採用蒸鍍法、濺射法、CVD法等形成，特別優選採用蒸鍍法形成，這樣對發光層510b可以不造成熱損傷。
又，氟化鋰也可以只在發光層510b上形成，或者更進一步只在藍色(B)發光層510b上形成。這時，在其它紅色(R)發光層以及綠色(G)發光層510b、510b上，與LiF構成的上部陰極層503b相連接。又，在陰極12的上部，優選採用由蒸鍍法、濺射法、CVD法等形成的Al膜、Ag膜等。又，在陰極503上，為防止氧化，也可以設置SiO2、SiN等的保護層。
最後，在圖26所示的封接工藝中，在氮、氬、氦等惰性氣體環境中，在有機EL元件504上積層封接用基板505。封接工藝優選在氮、氬、氦等惰性氣體環境中進行。如果在大氣環境中進行，如果在陰極503上形成了針孔等缺陷時，水分和氧氣等從該缺陷部侵入到陰極503中，陰極503有可能被氧化，這是不希望的事情。最後，使可撓性電路板的布線與陰極503連接，同時在驅動IC上連接電路元件部502的布線，獲得本實施方案的有機EL裝置500。
發明的效果如上所述，依據本發明的處理室裝置的大氣置換方法以及處理室裝置，處理室內的大氣置換中，強制將外部氣體送入到處理室內，可以防止惰性氣體的殘留，可以在短時間內對處理室內的惰性氣體環境和大氣有效置換。
又，依據本發明的電光學裝置以及有機EL裝置，可以在良好的惰性氣體環境下進行操作處理，並且在安全的大氣環境中對工件處理裝置進行維護。又，可以在短時間內進行大氣置換。進一步，可以以低成本提供高質量、高可靠性的有機EL裝置。
權利要求
1.一種處理室裝置的大氣置換方法，是將構成處理室內的惰性氣體環境和大氣進行置換的處理室裝置的大氣置換方法，其特徵在於開放所述處理室的排氣通道，同時關閉惰性氣體的氣體供給通道，強制向所述處理室內送入外部氣體，將所述處理室內的惰性氣體和外部氣體置換。
2.根據權利要求1所述的處理室裝置的大氣置換方法，其特徵在於所述外部氣體的強制送氣採用向所述處理室內強制送入惰性氣體的風扇進行。
3.根據權利要求1所述的處理室裝置的大氣置換方法，其特徵在於所述外部氣體通過所述氣體供給通道被強制送入到所述處理室中。
4.根據權利要求1所述的處理室裝置的大氣置換方法，其特徵在於所述外部氣體在經過溫度調節裝置後被強制送入到所述處理室中。
5.一種處理室裝置，是將需要在惰性氣體環境下進行操作處理的工件處理裝置收容並可進行維護的處理室裝置，其特徵在於包括收容所述工件處理裝置的處理室、向所述處理室內供給惰性氣體的，並且在中途設置有氣體調節器的氣體供給通道、將所述處理室內的環境氣體排出並且在中途設置有排氣調節器的排氣通道、向所述處理室內強制送入外部氣體的風扇。
6.根據權利要求5所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括與所述氣體調節器的下流側的所述氣體供給通道合流並且在中途設置有外部氣體調節器的用於導入外部氣體的外部氣體導入通道，所述風扇設置在所述外部氣體導入通道的合流部的下流側的所述氣體供給通道上。
7.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括在所述外部氣體導入通道的合流部與所述風扇之間的所述氣體供給通道上設置的溫度調節裝置。
8.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括在所述風扇的下流側的所述氣體供給通道上設置的過濾器。
9.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於所述外部氣體調節器由2個開閉風門構成。
10.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於在所述處理室中設置維護用的裝卸面板體，所述裝卸面板體由之間形成空隙的相對峙的外面板和內面板構成。
11.根據權利要求10所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括其一端部與所述內外兩面板之間的所述空隙連通、而另一端部與所述排氣調節器的上流側的所述排氣通道連通的面板體排氣通道、在所述面板體排氣通道中設置的面板體排氣調節器。
12.根據權利要求10所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括閉鎖所述裝卸面板體的電磁鎖機構和檢測所述處理室內的氧氣濃度的氧氣濃度檢測裝置，所述電磁鎖機構根據所述濃度檢測裝置的檢測結果，使所述裝卸面板體處於閉鎖或者開放狀態。
13.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於進一步包括控制所述氣體調節器、所述排氣調節器以及所述大氣調節器開閉的控制裝置，所述控制裝置，在惰性氣體運行時控制所述氣體調節器和所述排氣調節器處於打開狀態，同時使所述大氣調節器處於關閉狀態，在外部氣體導入時，控制使所述氣體調節器處於關閉狀態，同時使所述排氣調節器以及所述大氣調節器處於打開狀態。
14.根據權利要求6所述的處理室裝置，其特徵在於在所述處理室臨近處設置機械室，通過用隔壁將所述機械室分隔而形成所述氣體供給通道以及所述外部氣體導入通道。
15.根據權利要求14所述的處理室裝置，其特徵在於至少所述氣體供給通道在上下方向上延伸。
16.一種電光學裝置，其特徵在於包括權利要求5所述的處理室裝置和被收容在所述處理室裝置中的所述工件處理裝置。
17.根據權利要求16所述的電光學裝置，其特徵在於所述工件處理裝置是有機EL裝置的製造裝置。
18.根據權利要求17所述的電光學裝置，其特徵在於所述有機EL裝置的製造裝置包括通過使導入了發光功能材料的功能液滴噴頭相對作為工件的基板進行掃描、選擇性地噴出所述發光功能材料，在所述基板的多個象素區域上形成有機EL功能層的液滴噴出裝置。
19.根據權利要求18所述的電光學裝置，其特徵在於所述有機EL功能層是EL發光層及空穴注入層中的至少所述EL發光層。
20.一種有機EL裝置，其特徵在於由權利要求17所述的電光學裝置製造而成。
全文摘要
本發明提供一種可以在短時間內對處理室內的惰性氣體和大氣進行有效置換的處理室裝置的大氣置換方法、處理室裝置、包括該處理室裝置的電光學裝置以及有機EL裝置。是將構成處理室(11)內的惰性氣體環境和大氣進行置換的處理室裝置(3)的大氣置換方法，開放處理室(11)的排氣通道(102)，同時關閉惰性氣體的氣體供給通道(138)，強制向處理室(11)內送入外部氣體，將處理室(11)內的惰性氣體和外部氣體置換。
文檔編號H05B33/10GK1438824SQ03102540
公開日2003年8月27日 申請日期2003年2月9日 優先權日2002年2月12日
發明者林高之 申請人:精工愛普生株式會社