電介質陶瓷組合物以及電子元件的製作方法
2023-05-20 05:37:41 1
電介質陶瓷組合物以及電子元件的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種相對介電常數和交流破壞電壓高、介電損耗低、且溫度特性以及燒結特性良好的電介質陶瓷組合物。本發明的電介質陶瓷組合物具備由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的組成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分為氧化鋅，第2副成分為選自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一種的氧化物，第3副成分為選自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一種的氧化物。相對於所述主成分100重量%，第1副成分的含量為0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物換算為大於0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物換算為0.02～1.5重量%。
【專利說明】電介質陶瓷組合物以及電子元件
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電介質陶瓷組合物以及電子元件。
【背景技術】
[0002]近年來，伴隨於急速發展的電氣設備的高性能化，電路的小型化以及複雜化也在急速進展。因此，要求電子元件進一步的小型化和高性能化。即，既要維持良好的溫度特性又要即使作為小型化也要為了維持靜電容量而提高相對介電常數，並且進一步為了在高電壓下使用而要求交流破壞電壓高的電介質陶瓷組合物以及電子元件。
[0003]一直以來，作為陶瓷電容器、層疊電容器、高頻用電容器以及高電壓用電容器等而被廣泛利用的高介電常數電介質陶瓷組合物，已知如專利文獻I-4那樣將BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3-SrTiO3類的陶瓷組合物作為主成分的物質。
[0004]但是，像這樣現有的BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3-SrTiO3類的陶瓷組合物由於具有鐵電性(ferroelectricity),因此難以維持高靜電容量以及低介電損耗不變並確保高交流破壞電壓。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開1994-302219號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2003-104774號公報
[0009]專利文獻3:日本特開2003-109430號公報
[0010]專利文獻4:日本特開2004-238251號公報
【發明內容】
[0011]發明所要解決的技術問題
[0012]本發明是鑑於這樣的實際狀況而完成的，其目的在於提供一種相對介電常數以及交流破壞電壓高、介電損耗低、且溫度特性以及燒結性良好的電介質陶瓷組合物。另外，本發明的目的還在於提供一種具有由這樣的電介質陶瓷組合物構成的電介質層的電子元件。
[0013]解決技術問題的手段
[0014]本發明人等為了達到上述目的而進行悉心研究，其結果發現，通過將電介質陶瓷組合物的組成設定為特定成分並將這些成分的比率設定為規定範圍，從而能夠完成上述目的，至此完成本發明。
[0015]即，解決了上述技術問題的本發明所涉及的電介質陶瓷組合物是具備由(Ba1-x-y, Cax, Sry) m (Ti1-z-a, Zrz, Sna) O3的組成式所表示的主成分、第I副成分、第2副成分以及第3副成分的電介質陶瓷組合物，
[0016]所述組成式中的X為0.03≤X≤0.30，
[0017]所述組成式中的y為0.00 < y≤0.05，
[0018]所述組成式中的z為0.02 < z≤0.2，[0019]所述組成式中的a為O≤a≤0.2，
[0020]所述組成式中的z+a為0.04≤z+a≤0.3，
[0021]所述組成式中的m為0.97≤m≤1.03，
[0022]所述第I副成分為氧化鋅，
[0023]所述第2副成分為選自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一種的氧化物，
[0024]所述第3副成分為選自Al、Ga、In、Mg、Cu、N1、Co、Fe以及Si中的至少一種的氧化物，
[0025]相對於所述主成分100重量％，所述第I副成分的含量為0.45-10重量％,
[0026]相對於所述主成分100重量％，所述第2副成分的含量以氧化物換算為大於0.0重量％且0.3重量％以下，
[0027]相對於所述主成分100重量％，所述第3副成分的含量以氧化物換算為0.02-1.5
重量％。
[0028]根據本發明，能夠提供一種相對介電常數以及交流破壞電壓高、介電損耗低、且溫度特性以及燒結性良好的電介質陶瓷組合物。
[0029]本發明的實施方式所涉及的電子元件具有由所述電介質陶瓷組合物構成的電介質層。
[0030]作為本發明的實施方式所涉及的電子元件並沒有特別的限定，例如可以例示為單板型陶瓷電容器、貫通型電容器、層疊陶瓷電容器、壓電元件、片式電感器、片式壓敏電阻、片式熱敏電阻、片式電阻以及其它表面貼裝(SMD)片型電子元件。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]圖1 (A)是本發明的一個實施方式所涉及的陶瓷電容器的主視圖，圖1 (B)是本發明的一個實施方式所涉及的陶瓷電容器的側面截面圖。
[0032]符號說明
[0033]2…單板型陶瓷電容器
[0034]4…保護樹脂
[0035]6、8…引接端子
[0036]10…電介質層
[0037]12、14…端子電極
【具體實施方式】
[0038]以下根據附圖所表示的實施方式來說明本發明。
[0039]陶瓷電容器2
[0040]如圖1 (A)所示，本發明的實施方式所涉及的陶瓷電容器2具有電介質層10、形成於其相對表面的一對端子電極12，14、和分別連接於該端子電極12，14的引接端子6，8而構成，並且這些構件被保護樹脂4覆蓋。陶瓷電容器2的形狀可以根據目的或用途來適當決定，優選電介質層10成為圓板形狀的圓板型電容器。另外，其尺寸可以根據目的或用途來適當決定，通常直徑為3-20mm左右,優選為3-15mm左右。
[0041]電介質層10的厚度沒有特別的限定，可以根據用途等來適當決定，優選為0.3-2mm。通過將電介質層10的厚度控制在這樣的範圍內，從而適合運用於中高壓用途中。
[0042]端子電極12，14是由導電材料構成的。作為用於端子電極12，14的導電材料，例如可以列舉Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。
[0043]電介質層10
[0044]陶瓷電容器2的電介質層10是由本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物構成的。
[0045]本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物是具備由(Bai_x_y，Cax, Sry) m(Tim Zrz, Sna) O3的組成式所表示的主成分、第I副成分、第2副成分以及第3副成分的電介質陶瓷組合物。
[0046]組成式中的X表示Ca的比率，其範圍為0.03≤X≤0.30。通過以該範圍來含有Ca，從而傾向於能夠提高相對介電常數、交流破壞電壓以及燒結性，並且溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，X優選為0.03≤X≤0.17，更加優選為0.08≤X≤0.16。
[0047]所述組成式中的y表示Sr的比率,其範圍為0.00 < y < 0.05。通過以該範圍來含有Sr，從而傾向於能夠提高相對介電常數，並且低溫側和高溫側雙方的溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，I優選為0.006≤ y ≤ 0.03，更加優選為0.006 ≤ y ≤ 0.02。
[0048]所述組成式中的z表示Zr的比率,其範圍為0.02 < z < 0.2。通過以該範圍來含有Zr，從而傾向於能夠提高相對介電常數以及交流破壞電壓，降低介電損耗，並且低溫側和高溫側雙方的溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，z優選為0.06 < z < 0.16，更加優選為 0.06 ≤ z≤ 0.15。
[0049]所述組成式中的a表示Sn的比率,其範圍為O < a < 0.2。通過以該範圍來含有Sn，從而傾向於能夠提高相對介電常數以及交流破壞電壓，並且溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，a優選為O≤a≤0.16，更加優選為O≤a≤0.15。
[0050]所述組成式中的z+a表示Zr和Sn的總比率,其範圍為0.04 ( z+a ( 0.3。通過以該範圍來含有Sn，從而傾向於能夠提高相對介電常數以及交流破壞電壓，降低介電損耗，並且溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，z+a優選為0.06≤z+a ≤ 0.20
[0051]所述組成式中的m表示作為A位點的成分的Ba、Ca以及Sr與作為B位點的成分的T1、Zr以及Sn的摩爾比，其範圍為0.97≤m≤1.03。通過將m設定在該範圍內，從而傾向於提高相對介電常數、交流破壞電壓以及燒結性。從這樣的觀點出發，m優選為0.97≤m≤1.00，更加優選為 0.97 ≤ m < 1.00。
[0052]所述第I副成分為氧化鋅。本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物中，相對於所述主成分100重量％，所述第I副成分的含量為0.45-10重量％。通過將第I副成分的含量設定在該範圍內，從而傾向於能夠提高相對介電常數、交流破壞電壓以及燒結性，並且溫度特性變良好。從這樣的觀點出發，第I副成分的含量優選為0.45-6重量％，更加優選為0.8-6重量％。
[0053]第2副成分為選自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一種的氧化物，優選為選自La、Pm、Nd、Sm、Gd以及Y中的至少一種的氧化物。本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物中，相對於所述主成分100重量％，第2副成分的含量為大於0.0重量％且0.3重量％以下。通過將第2副成分的含量設定在該範圍內，從而傾向於能夠提高交流破壞電壓並且溫度特性變良好。另外，本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物具有規定的組成以及量的主成分，並且具有規定量的第I副成分，從而即使第2副成分的含量較少，也能夠提高交流破壞電壓並且能夠使溫度特性良好。從這樣的觀點出發，第2副成分的含量優選為0.005-0.1重量％，更加優選為0.01重量％以上且0.09重量％以下。
[0054]第3副成分為選自Al、Ga、In、Mg、Cu、N1、Co、Fe以及Si中的至少一種的氧化物，優選為選自Al、Ga、In、Mg以及Si中的至少一種的氧化物。本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物中，相對於主成分100重量％，第3副成分的含量以氧化物換算為0.02-1.5重量％，優選為0.05-1.2重量％。通過將第3副成分的含量設定在該範圍內，從而能夠特別提高交流破壞電壓，介電常數提高，介電損耗減小，並且溫度特性變良好。
[0055]陶瓷電容器2的製造方法
[0056]接著，對陶瓷電容器2的製造方法進行說明。
[0057]首先，製造在燒成之後形成圖1所表示的電介質層10的電介質陶瓷組合物粉末。
[0058]準備主成分的原料以及各個副成分的原料。作為主成分的原料，可以列舉Ba、Ca、Sr、Ti、Zr、Sn的各個氧化物和/或經燒成而成為氧化物的原料、這些物質的複合氧化物等。例如，可以使用碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鈣(CaCO3)、碳酸鍶(SrCO3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化錫(SnO2)等。其它還可以使用例如氫氧化物等、在燒成之後成為氧化物或鈦化合物的各種化合物。在此情況下，可以適當變更含量以配合上金屬元素的元素數。
[0059]另外，主成分的原料既可以由固相法來製造又可以由水熱合成法或草酸鹽法等液相法來製造，從製造成本的觀點出發，優選由固相法來製造。
[0060]作為第I副成分、第2副成分以及第3副成分的原料並沒有特別的限定，可以從由燒成而成為上述氧化物的各種化合物例如碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合物等中適當選擇而使用。
[0061]作為本發明的實施方式所涉及的電介質陶瓷組合物的製造方法，首先配合主成分的原料、或者主成分的原料和各個副成分的原料，並使用氧化鋯球等的球磨機來進行溼式混合。在此時配合第I副成分-第3副成分的情況下，既可以以成為上述電介質陶瓷組合物的組成的形式來配合第I副成分-第3副成分，也可以僅配合一部分，在預燒成之後添加剩餘的第I副成分-第3副成分。
[0062]將獲得的混合物實施造粒成形而得到成形物，通過將成形物在空氣氛圍中預燒成，從而能夠獲得預燒成粉末。作為預燒成條件，例如預燒成溫度優選為1000-1300°C，更加優選為1150-1250°C ;預燒成時間優選為0.5-4小時。另外，也可以分別預燒成主成分的原料和副成分的原料，然後進行混合來製作電介質陶瓷組合物粉末。
[0063]接著，對所獲得的預燒成粉末實施粗粉碎。在僅配合一部分第I副成分-第3副成分的情況下，以與在預燒成之前添加的第I副成分-第3副成分的原料相合而成為上述電介質陶瓷組合物的組成的形式來添加剩餘的第I副成分-第3副成分。
[0064]將預燒成粉末、或者預燒成粉末和副成分的原料用球磨機來實施溼式粉碎，進而混合併乾燥，從而製作電介質陶瓷組合物粉末。如上所述，通過固相法來製造電介質陶瓷組合物粉末，從而既能夠實現所希望的特性又有能夠謀求製造成本的降低。
[0065]接著，通過將適量粘合劑添加到所獲得的電介質陶瓷組合物粉末中並進行造粒，並將所獲得的造粒物壓縮成形為具有規定大小的圓板狀，從而製作生坯成形體。然後，通過將所獲得的生坯成形體實施燒成，從而獲得電介質陶瓷組合物的燒結體。還有，作為燒成條件並沒有特別的限定，保持溫度優選為1200-1400°C，更加優選為1280-1360°C，並且優選將燒成氣氛設定為空氣中。
[0066]通過將端子電極印刷於所獲得的電介質陶瓷組合物的燒結體的主表面上，並根據需要進行燒接，由此形成端子電極12，14。之後，通過粘合劑粘附等將引接端子6，8接合於端子電極12，14，最後通過用保護樹脂4來覆蓋元件主體，從而獲得如圖1 (A)以及圖1 (B)所表示的單板型陶瓷電容器。
[0067]如上所述製造的本發明的陶瓷電容器通過引接端子6，8而被貼裝於印刷線路基板上等，並用於各種電子設備等。
[0068]以上已對本發明的實施方式進行說明，但是本發明不受這樣的實施方式的任何限定，只要在不脫離本發明宗旨的範圍內當然能夠以各種不同的方式來實施。
[0069]在上述實施方式中，作為本發明所涉及的電子元件，已例示了電介質層為單層的單板型陶瓷電容器，作為本發明所涉及的電子元件，並不限定於單板型陶瓷電容器，例如也可以是使用包含上述電介質陶瓷組合物的電介質膏體以及電極膏體的通過通常的印刷法或薄片法製作的層疊型陶瓷電容器，並且也可以使用上述電介質陶瓷組合物來製作貫通型電容器的電介質層。
[0070]實施例
[0071]以下基於詳細的實施例來進一步說明本發明，但是本發明並不限於這些實施例。
[0072]試樣I-58
[0073]作為主成分原料，分別準備碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鈣(CaCO3)、碳酸鍶(SrCO3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)以及氧化錫(Sn02)。以燒成後的組成成為表I-表4所表示的試樣I-73所示的組成的形式來分別對該主成分原料、作為第I副成分原料的ZnO以及作為第2副成分原料的稀土類添加劑實施稱量，用球磨機對該原料配合物實施3小時的溼式攪拌混合，在脫水乾燥之後以1170-1210°C的溫度條件進行預燒成並使其發生化學反應。
[0074]還有,關於作為第I副成分的ZnO和Al、Ga、In、Mg、Cu、N1、Co、Fe、Si的氧化物等的第3副成分的原料，也可以在僅預燒成主成分原料之後或者在預燒成主成分原料和第2副成分原料之後進行添加。另外，關於ZnO等的第I副成分原料和第3副成分原料，也可以以實行預先混合.預燒成並使之反應而得到的化合物的形式進行添加。
[0075]接著，在將預燒成粉末粗粉碎之後，再用球磨機微粉碎至0.5-2 μ m左右，在脫水乾燥後，其中添加聚乙烯醇(PVA)作為有機粘合劑，並進行造粒整粒，製成顆粒粉末。將該顆粒粉末在300MPa的壓力下成形,並製成直徑為16.5mm、厚度為1.15mm的圓板狀的成形物。
[0076]將獲得的成形體在空氣中、1350°C左右下進行正式燒成，從而獲得陶瓷素體。在由此獲得的陶瓷素體的兩面上用銀(Ag)膏體形成燒結電極，其上焊接引接導線，從而獲得陶瓷電容器。將測定由此獲得的試樣的相對介電常數、介電損耗、交流破壞電壓、溫度特性以及燒結性的結果表不於表2以及表4中。
[0077][相對介電常數(ε)]
[0078]相對介電常數(ε )是對電容器試樣，在基準溫度為20°C的環境中，用數字式LCR測試儀(Agilent Technologies Japan, Ltd.制，4274A),在頻率為1kHz、以及輸入信號電平(測定電壓)為1.0Vrms的條件下實施測定，從獲得的靜電容量算出的結果(無單位)。相對介電常數越高越好，在本實施例中將8000以上作為良好。[0079][介電損耗(tanS)][0080]介電損耗(tan δ )是在基準溫度為20°C的環境中，用數字式LCR測試儀(AgilentTechnologies Japan, Ltd.制,4274A),在頻率為1kHz、輸入信號電平(測定電壓)為1.0Vrms的條件下進行測定的結果。介電損耗越低越好，在本實施例中將1.5%以下作為良好。
[0081 ][交流破壞電壓(AC-Eb )]
[0082]交流破壞電壓(AC-Eb)是對電容器試樣,將交流電場以100V/s逐漸施加於電容器的兩端，並測定在流過IOOmA漏電流的時候的電壓，並求得每單位厚度的交流破壞電壓。交流破壞電壓越高越好，在本實施例中將5kV/mm以上作為良好。
[0083][溫度特性(TC)]
[0084]對電容器試樣，在溫度為85°C的環境中，用數字式LCR測試儀(YHP株式會社制，4284A)，在頻率為IkHz以及輸入信號電平(測定電壓)為IVrms的條件下測定靜電容量，並算出85°C下的靜電容量相對於基準溫度為20°C下的靜電容量的變化率(ΔC/c2O)(單位為％)。在本實施例中Λ C/C20優選滿足Z5U特性的+20%--56%的範圍。
[0085](燒結性)
[0086]關於所獲得的燒結體，從燒成後的燒結體的尺寸以及重量來算出燒結體密度，將該燒結體密度為5.5g/cm3以上的燒結體判定為「〇」，將小於5.5g/cm3的燒結體判定為「 X 」。在此，將基準設定為小於5.5g/cm3是因為如果小於5.5g/cm3，則質地強度明顯降低。
[0087](評價)
[0088]從試樣I-7,組成式中的m為0.97 < m < 1.03的情況(試樣2-6)與m為0.96的情況(試樣I)相比，可以確認試樣2-6的相對介電常數高，並且交流破壞電壓高。另外，組成式中的m為0.97 < m < 1.03的情況(試樣2-6)與m為1.04的情況(試樣7)相比，可以確認試樣2-6的燒結性良好。還有，試樣7由於燒結性低，因此不能測定相對介電常數、介電損耗、交流破壞電壓以及溫度特性。
[0089]從試樣8-13，組成式中的X為0.03 < X < 0.30的情況(試樣9-12)與x為O的情況(試樣8)相比，可以確認試樣9-12的介電損耗低，並且交流破壞電壓以及溫度特性有所提高。另外，組成式中的X為0.03 < X < 0.30的情況(試樣9-12)與x為0.4的情況(試樣13)相比，可以確認試樣9-12的相對介電常數高。
[0090]從試樣14-18，組成式中的y為0.00 < y≤0.05的情況(試樣15-17)與y為O的情況(試樣14)相比，可以確認試樣15-17的相對介電常數高。另外,組成式中的y為0.00 < y ≤0.05的情況(試樣15-17)與y為0.06的情況(試樣18)相比，可以確認試樣15-17的相對介電常數高，並且溫度特性良好。
[0091]從試樣19-26，組成式中的z為0.02 < z≤0.2的情況(試樣20-25)與z為0.02的情況(試樣19)相比,可以確認試樣20-25的相對介電常數高,並且介電損耗低,交流破壞電壓高。另外，組成式中的z為0.02 < z≤0.2的情況(試樣20-25)與z為0.25的情況(試樣26)相比，可以確認試樣20-25的相對介電常數高，並且溫度特性良好。
[0092]從試樣27-32，組成式中a為O≤a≤0.2的情況(試樣27-31)與a為0.25的情況(試樣32)相比，可以確認試樣27-31的相對介電常數高，並且溫度特性良好。
[0093]從試樣19、33-38，組成式中的z+a為0.04≤z+a ≤ 0.3的情況(試樣33-37)與組成式中的z+a為0.02的情況(試樣19)相比，可以確認試樣33-37的相對介電常數高，並且介電損耗低，交流破壞電壓高。另外，組成式中的z+a為0.04≤z+a ≤ 0.3的情況(試樣33-37)與組成式中的z+a為0.40的情況(試樣38)相比，可以確認試樣33-37的相對介電常數高，並且溫度特性良好。
[0094]從試樣39-45，氧化鋅(第I副成分)的含量相對於主成分100重量％為0.45-10重量％的情況(試樣40-44)與氧化鋅的含量為0.3重量％的情況(試樣39)相比，可以確認燒結性良好。另外，式樣38由於燒結性低，因此不能測定相對介電常數、介電損耗、交流破壞電壓以及溫度特性。另外，氧化鋅(第I副成分)的含量相對於主成分100重量％為
0.45-10重量％的情況(試樣40-44)與氧化鋅的含量為15重量％的情況相比,可以確認相對介電常數高。
[0095]從試樣4、46 -59,作為第 2 副成分，由選自 La2C、Pr6O1 、PPm2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3Gd2O3以及Y2O3中的至少一種構成的第2副成分的含量相對於所述主成分100重量％以氧化物換算為大於0.0重量％且0.3重量％以下的情況(試樣4、46-52、54-58)與不含有所述第2副成分的情況(試樣53)相比,可以確認試樣4、46-52、54-58的交流破壞電壓高。另外，所述第2副成分的含量相對於所述主成分100重量％以氧化物換算為大於0.0重量％且0.3重量％以下的情況(試樣4、46-52、54-58)與所述第2副成分含量為0.4重量％的情況(試樣59)相比，可以確認試樣4、46-52、54-58的相對介電常數高，並且溫度特性良好。
[0096]從試樣2、4、60 -73，作為第 3 副成分，由選自 Al2O3' Ga203、ln203、MgO, CuO、NiO、Co0、Fe203、Si02中的至少一種構成的第3副成分的含量相對於所述主成分100重量％以氧化物換算為0.02-1.5重量％的情況(試樣2、4、61-63、66-73)與不含有所述第3副成分的情況(試樣60)相比,可以確認試樣2、4、61-63、66-73的交流破壞電壓高。另外，所述第3副成分的含量相對於所述主成分100重量％以氧化物換算為0.02-1.5重量％的情況(試樣2、4、61-63、66-73)與第3副成分的含量為2.0重量％的情況(試樣64)相比，可以確認試樣2、4、61-63、66-73的相對介電常數以及交流破壞電壓高。
[0097][表 1]
【權利要求】
1.一種電介質陶瓷組合物，其中， 所述電介質陶瓷組合物具備由(Ba1H, Cax, Sry) m (Ti1-a, Zrz, Sna) O3的組成式所表示的主成分、第I副成分、第2副成分以及第3副成分， 所述組成式中的X為0.03≤X≤0.30， 所述組成式中的y為0.00 < y≤0.05， 所述組成式中的z為0.02 < z≤0.2， 所述組成式中的a為O≤a≤0.2， 所述組成式中的z+a為0.04 < z+a - 0.3, 所述組成式中的m為0.97≤m≤1.03， 所述第I副成分為氧化鋅， 所述第2副成分為選自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一種的氧化物， 所述第3副成分為選自Al、Ga、In、Mg、Cu、N1、Co、Fe以及Si中的至少一種的氧化物， 相對於所述主成分100重量％，所述第I副成分的含量為0.45~10重量％, 相對於所述主成分100重量％，所述第2副成分的含量以氧化物換算為大於0.0重量％且0.3重量％以下， 相對於所述主成分100重量％，所述第3副成分的含量以氧化物換算為0.02~1.5重量％。
2.一種電子元件，其中， 所述電子元件具有由權利要求1所述的電介質陶瓷組合物構成的電介質層。
【文檔編號】C04B35/49GK103449812SQ201310203788
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年5月28日 優先權日:2012年5月28日
【發明者】大津大輔, 阿部賢, 廣瀬正和, 梅田裕二 申請人:Tdk株式會社