光磁記錄介質及其製造方法、光磁記錄介質用基板、母模及其製造方法
2023-05-08 19:30:26 2
專利名稱：光磁記錄介質及其製造方法、光磁記錄介質用基板、母模及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種包括具有垂直磁各向異性的記錄層的光磁記錄介質及其製造方法、光磁記錄介質用基板、以及基板製造用的母模及其製造方法。
背景技術：
近年來，光磁記錄介質引起了廣泛的關注。光磁記錄介質利用磁性材料的各種磁特性而構成，是具有熱磁記錄和利用磁光效應進行再現的這兩種功能的可重寫記錄介質。
光磁記錄介質具有由垂直磁化膜構成的記錄層，該垂直磁化膜由非晶態稀土-過渡金屬合金構成。垂直磁化膜在與膜表面垂直的方向上具有易磁化軸。在光磁記錄介質中，預定的信號作為磁化方向的變化而被記錄在該記錄層中。在光磁記錄介質的記錄處理中，通過記錄用雷射的照射使記錄層的預定部位升溫以及對該預定部位施加磁場，通過以上兩者的組合在記錄層中記錄作為磁化方向的變化的預定信號。在光磁記錄介質的再現處理中，向記錄層以至包括該記錄層的記錄磁性部局部地照射再現用雷射，並利用該照射光在記錄層表面以至記錄磁性部表面產生反射時所產生的偏光狀態的變化來讀取作為磁化方向的變化的記錄信號。該光磁記錄介質例如記載在日本專利文獻特開平8-17080號公報、國際公開第WO98/02878號小冊子、以及日本專利文獻特開平10-149592號公報中。
在記錄處理和再現處理中，公知有以下事實向介質照射具有合適的預定能量的雷射時，介質表面上的雷射照射區域的尺寸即光斑直徑越小，對於提高介質的記錄解析度和再現解析度來說越有利。記錄解析度和再現解析度的提高有助於提高介質的記錄密度。可以通過縮短照射雷射的波長或增大用於聚集該照射雷射的物鏡(與介質相對的透鏡)的數值孔徑NA來減小光斑直徑。
但是，由於數值孔徑NA越大，焦距越短，所以對於應用於通常的背照(Back Illumination)方式光磁記錄介質來說越發困難。其原因在於，在背照方式光磁記錄介質中，出於機械強度方面的考慮，從需要有預定厚度的較厚的透明基板一側向記錄層以至記錄磁性部照射雷射，因此要求聚光用的透鏡具有較長的焦距。
為了有效地利用數值孔徑NA大的透鏡，在光磁記錄介質的技術領域中，代替後照方式，對前照(Front Illumination)方式的實用化需求很高。在前照方式光磁記錄介質中，由於從基板相反側向記錄層以至記錄磁性部照射雷射，所以聚光用透鏡不需具有後照方式光磁記錄介質所需程度的長焦距。
另一方面，公知有以下事實在光磁記錄介質中，可形成於記錄層的穩定的記錄標記(磁疇)的長度越小，記錄解析度越高，也越有利於達到高記錄密度。另外，公知有以下事實在層積形成有記錄層的表面上存在有粗糙度適度的凹凸，並且該凹凸的周期越小，越容易在記錄層(非晶態稀土-過渡金屬合金垂直磁化膜)中形成更小的穩定的磁疇。
由於層積對象表面的凹凸形狀，可以固定存在於記錄層的磁疇結構中的磁疇壁。即釘扎效應。當層積對象表面的凹凸形狀具有周期性時，會產生均勻的釘扎作用，該凹凸形狀的周期越小，釘扎單位(在記錄層內產生的磁簇)越傾向於細微化，另外，層積對象表面的表面粗糙度越大，作用在磁疇壁上的釘扎力越大。釘扎單位越小且釘扎力越大，越容易在記錄層中穩定地形成小的記錄標記(磁疇)，因此記錄解析度越高。因此，在光磁記錄介質中，為了使由非晶態合金垂直磁化膜形成的記錄層的磁疇結構細微化，有時特意在記錄層的層積對象表面上形成凹凸形狀。
為了形成該凹凸形狀，以往首先形成預定的材料膜來作為緊接在記錄層之下的一層(底層)。然後在材料膜的表面上沉積生長比該材料膜的表面張力大的材料。此時，由於該材料與材料膜表面之間的表面張力的差，該材料生長成島形。這樣，就可以在記錄層的層積對象表面上形成凹凸形狀了。
在前照方式光磁記錄介質的技術領域中，可以使記錄用雷射的光斑直徑縮小到例如能夠形成具有100nm以下的標記長度的記錄標記這樣的程度。但是，根據在記錄層的層積對象表面上特意形成凹凸形狀的上述的現有方法，難以以能夠穩定地形成具有100nm以下的標記長度的記錄標記的程度形成凹凸周期小且粗糙度大的凹凸形狀。因此，根據現有技術，由於無法充分地提高光磁記錄介質的記錄解析度，所以有時難以達到希望的高記錄密度。
本發明是鑑於以上情況而完成的，其目的在於提供一種適於實現高記錄密度的光磁記錄介質及其製造方法、光磁記錄介質用基板、以及基板製造用的母模及其製造方法。
發明內容
根據本發明的第一方面，提供一種光磁記錄介質。該光磁記錄介質具有層積結構，該層積結構包括基板、具有垂直磁各向異性並長度記錄功能的記錄層、以及基板和記錄層之間的至少一個功能層。基板和至少一個功能層中的至少一個的、記錄層一側的表面包括細微凹凸面。該細微凹凸面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度以及1～20nm的凹凸周期，兼具較大的表面粗糙度和較小的凹凸周期。在這裡，表面粗糙度在本發明中是指以JISB0601定義的對象表面的算術平均高度。使用參數Ra來表示該表面粗糙度。在本介質中，當基板和記錄層之間存在多個功能層時，該多個功能層中的一個與記錄層接觸，其他功能層不與記錄層接觸。與記錄層接觸的功能層(第一功能層)的記錄層一側的表面、不與記錄層接觸的功能層(第二功能層)的記錄層一側的表面、以及基板的記錄層一側的表面中的至少一個包括細微凹凸面。另外，例如通過使預定的材料在基板上順次成膜來形成本介質。
當第一功能層的記錄層一側的表面包括細微凹凸面時，在直接層積形成於該第一功能層上的記錄層中，由於兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期的細微凹凸面的該細微凹凸形狀而產生的釘扎力作用在形成於呈現垂直磁各向異性的磁疇結構中的磁疇壁上。因此，在該記錄層中能夠穩定地形成微小的磁疇。
當第二功能層的記錄層一側的表面包括細微凹凸面時，如果將介於該第二功能層和記錄層之間的至少一個層(包括第一功能層)設置得足夠薄的話，第二功能層的細微凹凸面的細微凹凸形狀就會反映在第一功能層的記錄層一側的表面上，因此在第一功能層表面上也會產生兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期的細微凹凸面。由於第一功能層的該細微凹凸面的細微凹凸形狀而產生的釘扎力作用在記錄層的磁疇壁上，因此，能夠在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。
當基板的記錄層一側的表面包括細微凹凸面時，如果將介於該基板和記錄層之間的至少一個層(包括第一功能層)設置得足夠薄的話，基板的細微凹凸面的細微凹凸形狀就會反映在第一功能層的記錄層一側的表面上，因此在第一功能層表面上也會產生兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期的細微凹凸面。由於第一功能層的該細微凹凸面的細微凹凸形狀而產生的釘扎力作用在記錄層的磁疇壁上，因此，能夠在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。
在記錄層上穩定地形成有微小磁疇的本光磁記錄介質具有高記錄解析度，有利於實現高記錄密度。
在本發明的第一方面中，優選層積結構具有包括槽脊部分和凹槽部分的凹凸軌形狀，基板和至少一個功能層中的至少一個的、記錄層一側的表面僅在槽脊部分或僅在凹槽部分包括細微凹凸面。該結構有利於僅將記錄層的槽脊部分或僅將記錄層的凹槽部分用作信息記錄部。
優選記錄層由具有過渡金屬磁化優勢組成的磁性材料(非晶態稀土-過渡金屬合金)形成，至少一個功能層包括與記錄層接觸的記錄輔助層，該記錄輔助層由用於減小記錄用磁場強度的、具有過渡金屬磁化優勢組成的磁性材料(非晶態稀土-過渡金屬合金)形成。或者，記錄層由具有稀土金屬磁化優勢組成的磁性材料(非晶態稀土-過渡金屬合金)形成，至少一個功能層包括與記錄層接觸的記錄輔助層，該記錄輔助層由用於減小記錄用磁場強度的、具有稀土金屬磁化優勢組成的磁性材料形成。
本發明第一方面的層積結構優選還包括具有垂直磁各向異性並承擔再現功能的再現層、以及介於記錄層和再現層之間並用於改變該記錄層和再現層的交換耦合狀態的中間層。根據該結構，可以將本發明的光磁記錄介質作為具有DWDD(domain wall displacement detection，磁疇壁移動檢測)或MAMMOS(magnetic amplifying magneto-optical system，磁疇放大播放系統)再現方式的介質來實施。本發明在再現解析度優越的DWDD再現方式或MAMMOS再現方式的光磁記錄介質中實施時，具有非常高的實用價值。
本發明的第二方面提供一種其他的光磁記錄介質。該光磁記錄介質具有層積結構，該層積結構包括基板、具有垂直磁各向異性並具有記錄功能的記錄層、以及基板和記錄層之間的散熱層。散熱層的記錄層一側的表面包括細微凹凸面。該細微凹凸面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
該結構相當於在本發明的第一方面中第一或第二功能層表面包括細微凹凸面的情況。因此，與第一方面的光磁記錄介質相同，本發明第二方面的光磁記錄介質也適於實現高記錄密度。
在本發明第二方面的優選實施方式中，層積結構(包括散熱層)具有包括槽脊部分和凹槽部分的凹凸軌形狀，散熱層的記錄層一側的表面僅在槽脊部分或僅在凹槽部分包括細微凹凸面。該結構有利於僅將記錄層的槽脊部分或僅將記錄層的凹槽部分用作信息記錄部。
本發明的第三方面提供一種光磁記錄介質用基板。至少該光磁記錄介質用基板的表面由樹脂材料形成。另外，該光磁記錄介質具有凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面。槽脊面和/或凹槽面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。如果使用具有該結構的基板，可以製造基板表面包括細微凹凸面的上述光磁記錄介質。
本發明的第四方面提供一種用於製造光磁記錄介質用基板的母模。該母模具有凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面。槽脊面和/或凹槽面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。如果使用該結構的母模，可以恰當地製造本發明第三方面的光磁記錄介質用基板。
根據本發明的第五方面，提供一種用於製造光磁記錄介質的方法。該方法包括以下工序在基體材料上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去材料膜中的第二材料的至少一部分，由此在材料膜上形成細微凹凸面；在材料膜之上形成具有垂直磁各向異性並具有記錄功能的記錄層。根據該方法，可以恰當地製造本發明第一方面的第一或第二功能層表面包括細微凹凸面的光磁記錄介質。
在本發明第五方面的優選實施方式中，第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。根據該結構，可以恰當地形成例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期的細微凹凸面。
根據本發明的第六方面，提供一種用於製造光磁記錄介質用基板的母模製造方法。該方法包括以下工序在具有第一凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面的基板的所述表面上，將比構成該表面的材料的表面能量大的材料加熱到該材料的擴散溫度以上並使其沉積，由此形成第一細微凹凸形狀；通過電鑄法使金屬材料在該基板表面上生長，由此形成具有與第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀的壓模；使壓模與基板分離。根據該結構，可以恰當地形成槽脊面和凹槽面具有第二細微凹凸形狀的母模，該第二細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。
根據本發明的第七方面，提供一種用於製造光磁記錄介質用基板的母模的其他製造方法。該方法用於製造母模，該母模用於製造光磁記錄介質用基板。該方法包括以下工序在具有第一凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面的基板的表面上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去材料膜中的第二材料的至少一部分，由此在材料膜表面上形成第一細微凹凸形狀；通過電鑄法使金屬材料在該材料膜上生長，由此形成具有與第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀的壓模；使壓模與基板分離。根據該結構，可以恰當地形成槽脊面和凹槽面具有第二細微凹凸形狀的母模，該第二細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。
在本發明第七方面的優選實施方式中，第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。該結構有利於形成例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期的細微凹凸形狀。
本發明的第八方面提供一種用於製造母模的其他方法，該母模用於製造光磁記錄介質用基板。該方法包括以下工序在基板上形成具有開口部的抗蝕圖；經由抗蝕圖對基板進行蝕刻處理，由此在該基板上形成具有槽脊面和凹槽面的第一凹凸軌形狀；通過從抗蝕圖一側沉積材料而在凹槽面上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去材料膜中的第二材料的至少一部分，由此在凹槽面上形成第一細微凹凸形狀；使基板與抗蝕圖分離；通過電鑄法使金屬材料在包括槽脊面和凹槽面的基板的表面上生長，由此形成具有與第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀的壓模；使壓模與基板分離。根據該結構，可以恰當地形成槽脊面具有第二細微凹凸形狀的母模，該第二細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。
在本發明第八方面的優選實施方式中，包括以下工序通過電鑄法使金屬材料在母模的第二凹凸軌形狀一側的表面上生長，由此形成具有與第二凹凸軌形狀對應的第三凹凸軌形狀和與第二細微凹凸形狀對應的第三細微凹凸形狀的子壓模；使子壓模與壓模分離。根據該結構，可以恰當地形成凹槽面具有第三細微凹凸形狀的母模，該第三細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。
優選第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。該結構有利於恰當地形成例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期的細微凹凸形狀。
圖1是本發明第一實施方式的光磁記錄介質的部分截面圖；
圖2是本發明的光磁記錄介質的記錄磁性部的變形例；圖3是本發明的光磁記錄介質的記錄磁性部的其他變形例；圖4A～圖4D表示圖1所示的光磁記錄介質的製造方法中的一部分工序；圖5A～圖5D表示圖4D的後續工序；圖6A和圖6B表示圖5D的後續工序；圖7A～圖7D表示圖1所示的光磁記錄介質的其他製造方法中的一部分工序；圖8是本發明第二實施方式的光磁記錄介質的部分截面圖；圖9A～圖9D表示圖8所示的光磁記錄介質的製造方法中的一部分工序；圖10A～圖10D表示圖9D的後續工序；圖11A～圖11D表示圖10D的後續工序；圖12是本發明第三實施方式的光磁記錄介質的部分截面圖；圖13A～圖13D表示圖12所示的光磁記錄介質的製造方法中的一部分工序；圖14A和圖14B表示圖13D的後續工序；圖15是本發明第四實施方式的光磁記錄介質的部分截面圖；圖16A～圖16D表示圖15所示的光磁記錄介質的製造方法中的一部分工序；圖17A～圖17C表示圖16D的後續工序；圖18表示第一實施例至第七實施例的光磁記錄介質的層積結構；圖19表示第八實施例的光磁記錄介質的層積結構；圖20表示第一比較例至第三比較例的光磁記錄介質的層積結構；圖21表示第四比較例的光磁記錄介質的層積結構；圖22是表示對第一實施例至第五實施例和第一比較例至第四比較例的光磁記錄介質進行比特差錯率測定的結果的曲線圖；圖23是示出樣品P1～P12的凹凸周期和表面粗糙度Ra的表。
具體實施例方式
圖1是本發明第一實施方式的光磁記錄介質X1的部分截面圖。光磁記錄介質X1具有基板S1、記錄磁性部11、散熱層12、電介質層13、以及保護膜14，該磁記錄介質X1作為前照方式的光磁碟而構成。另外，光磁記錄介質X1在基板S1的單面或雙面上具有圖1所示的層積結構。
基板S1設有渦卷狀或同心圓狀的預製溝槽10a並具有凹凸軌形狀，還具有相對凸出的槽脊面10b和相對凹入的凹槽面10c。槽脊面10b和凹槽面10c分別為具有細微凹凸形狀的細微凹凸面，並具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。該基板S1由對紫外線具有充分穿透性的材料構成。作為該基板的構成材料，例如可以列舉出玻璃、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)樹脂、環氧樹脂、以及聚烯烴樹脂。
記錄磁性部11具有由一個或兩個以上的磁性膜形成的磁性結構，該磁性結構具有熱磁記錄和利用磁光效應進行再現這兩種功能。例如，記錄磁性部11由兼具記錄功能和再現功能的單一記錄層構成。或者，記錄磁性部11具有雙層結構，該雙層結構由矯頑力相對大且具有記錄功能的記錄層和再現用雷射的科爾旋轉角相對大且具有再現功能的再現層構成。或者，如圖2所示，記錄磁性部11具有用於通過MSR方式、MAMMOS方式、或DWDD方式來實現再現的、包括記錄層11a、再現層11b、以及兩者之間的中間層11c的至少三層的結構。或者，如圖3所示，記錄磁性部11由具有記錄再現功能的記錄層11d和記錄輔助層11e構成。記錄輔助層11e是垂直磁化膜，具有減小記錄處理所需的最小外部磁場強度的功能。作為垂直磁化膜的記錄輔助層11e具有通過強化記錄層內的磁化向垂直方向的指向性來減小記錄處理用的外部磁場強度的功能。
記錄磁性部11可以採用的各個結構中的各層由稀土元素和過渡金屬的非晶態合金構成，是具有垂直磁各向異性並被磁化成垂直方向的垂直磁化膜。垂直方向是指與構成各層的磁性膜的膜表面垂直的方向。作為稀土元素，可以使用Tb、Gd、Dy、Nd、或Pr等。作為過渡金屬，可以使用Fe或Co等。
更具體地說，記錄層例如由具有預定組成的TbFeCo、DyFeCo或TbDyFeCo構成。在設置再現層時，該再現層例如由具有預定組成的GdFeCo、GdDyFeCo、GdTbDyFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCo、或PrDyFeCo構成。在設置中間層時，該中間層例如由具有預定組成的GdFe、TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdTbDyFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCo、或PrDyFeCo構成。根據記錄磁性部11所需的磁性結構來確定各層的厚度。
對於記錄磁性部11來說，在採用圖3所示的、由記錄層11d和記錄輔助層11e構成的雙層結構的情況下，優選記錄層11d具有過渡金屬磁化優勢組成並且記錄輔助層11e具有稀土金屬磁化優勢組成。或者，優選記錄層11d具有稀土金屬磁化優勢組成並且記錄輔助層11e具有過渡金屬磁化優勢組成。
記錄磁性部11具有反映基板S1的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分11f和凹槽部分11g。該槽脊部分11f和凹槽部分11g構成了本介質的信息記錄槽部。
散熱層12是用於將雷射照射時在記錄磁性部11產生的熱量高效傳至基板S1的部分，例如由Ag、Ag合金(AgPdCuSi、AgPdCu等)、Al合金(AlTi、AlCr等)、Au、或Pt等高導熱材料構成。散熱層12的厚度例如為10～40nm。另外，散熱層12具有反映基板S1的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分12a和凹槽部分12b。
電介質層13是用於表觀上增大再現用雷射的科爾旋轉角的部分，例如由SiN、SiO2、ZnS-SiO2、AlN、或Al2O3構成。電介質層13的厚度例如為20～90nm。
保護膜14由對照射光磁記錄介質X1的記錄用雷射和再現用雷射具有充分穿透性的樹脂構成，該保護膜14的厚度例如為10～40μm。作為用於構成保護膜14的樹脂，例如可以列舉透明紫外線硬化樹脂。
圖4A～圖6B表示光磁記錄介質X1的製造方法。在本方法中，首先如圖4A所示，在基板50上形成抗蝕膜51』。基板50用於製造原盤，例如為石英基板或矽晶片。
然後，對抗蝕膜51』進行曝光處理和顯影處理，由此如圖4B所示，形成具有開口部51a的抗蝕圖51。開口部51a具有與應該在基板S1上形成的上述預製溝槽10a相對應的圖案形狀。
然後，如圖4C所示，以抗蝕圖51為掩膜對基板50進行蝕刻處理，從而在基板50上形成凹部50a。由此，在基板50上形成了表面具有槽脊面50b和凹槽面50c的凹凸軌形狀。作為蝕刻方法，例如可以採用RIE(reactive ion etching，反應性離子蝕刻)。形成凹部50a以後，從基板50上除去抗蝕圖51。
然後，如圖4D所示，在槽脊面50b和凹槽面50c上形成細微凹凸形狀52。細微凹凸形狀52的凹凸周期為1～20nm，粗糙度Ra為0.3～1.5nm。在細微凹凸形狀52的形成中，具體地說，加熱基板50並同時沉積比該基板表面的表面能量大的材料。作為沉積方法，可以採用濺射法或蒸鍍法，加熱溫度設定為沉積材料的擴散溫度以上的溫度(例如200℃)。另外，基板表面和沉積材料的表面張力的差例如為1000mN/m以上。作為沉積材料，在具有比基板表面大的表面張力的條件下，例如可以採用選自由Pt、Au、Pd、Ru、Co構成的組的金屬單體(elementmetal)、或包括從該組中選擇的金屬的合金。這樣，能夠製造出具有與基板S1的預製溝槽10a相對應的凹部50a且在槽脊面50b和凹槽面50c上具有細微凹凸形狀52的、用於形成基板S1的原盤M1。
在光磁記錄介質X1的製造中，接下來如圖5A所示，將原盤M1作為模板，通過電鑄法形成壓模M2。具體地說，首先例如通過濺射法在原盤M1上形成導體薄膜。作為用於形成該導體薄膜的材料例如可以採用鎳。然後，根據電鍍原理，將導體薄膜用作導電層，在該導體薄膜上電鍍生成預定厚度的預定導體材料。作為預定的導體材料，例如可以採用鎳。這樣就可以製造出用於形成基板S1的母模、即壓模M2。原盤M1的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀52被轉印到壓模M2上，由此在壓模M2上形成凹凸軌形狀和細微凹凸形狀53。形成壓模M2以後，如圖5B所示，使壓模M2與原盤M1分離。
然後，根據需要將壓模M2衝壓加工成具有預定外徑的碟片後，如圖5C和圖5D所示，使用壓模M2來製造基板S1。
具體地說，首先通過紫外線硬化樹脂材料55』將基體材料54和壓模M2粘在一起。紫外線對基體材料54具有充分的穿透性，該基體材料54例如由玻璃、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)樹脂、環氧樹脂、或聚烯烴樹脂構成。另外，根據需要預先對基體材料54的表面進行表面處理，以獲得該基體材料54與樹脂材料55』之間的良好的粘合性。
粘合之後，從該基體材料54一側向樹脂材料55』照射紫外線，由此使該樹脂材料55』硬化形成樹脂部55。由此，將壓模M2的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀53轉印到樹脂部55上，並形成表面包括槽脊面10b和凹槽面10c的凹凸軌形狀，該槽脊面10b和凹槽面10c具有細微凹凸形狀。這樣能夠製造出上述基板S1。在基板S1的製造中，也可以採用將壓模M2用作模板而進行的射出成型法來代替以上的方法。
在光磁記錄介質X1的製造中，接著，在使基板S1與壓模M2分離以後，如圖6A所示，在基板S1上順次形成散熱層12、記錄磁性部11、以及電介質層13。可以通過濺射法使預定的材料成膜從而形成各層。
然後，如圖6B所示，在電介質層13上形成保護膜14。在保護膜14的形成中，首先使液體的樹脂合成物在電介質層13上成膜。作為成膜方法，可以採用旋塗法。然後，使成膜的樹脂合成物硬化。
如上所述，就可以製造出光磁記錄介質X1了。當在基體材料54的雙面側均設置從樹脂部55到保護膜14的層積結構時，對基體材料54另一側的表面也實行如圖5C～圖6B所示的上述一系列工序。
在光磁記錄介質X1中，基板S1具有槽脊面10b和凹槽面10c，該槽脊面10b和凹槽面10c具有細微凹凸形狀。槽脊面10b和凹槽面10c的表面粗糙度Ra為0.3～1.5nm，凹凸周期為1～20nm。槽脊面10b和凹槽面10c的細微凹凸形狀反映在被設置得足夠薄的散熱層12的記錄層側表面上，在散熱層12的槽脊部分12a和凹槽部分12b的表面上也形成有細微凹凸形狀(省略圖示)，該細微凹凸形狀兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期。散熱層12表面的該細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。在記錄磁性部11的槽脊部分11f和凹槽部分11g中，由散熱層12的該細微凹凸形狀引起的釘扎力作用在記錄磁性部11所包括的記錄層的磁疇壁上，因此可以在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。該光磁記錄介質X1具有高記錄解析度，從而有利於實現高記錄密度。
圖7A～圖7D表示光磁記錄介質X1的其他製造方法中的一部分工序。在本方法中，首先如圖7A所示，加工到圖4C所示的狀態以後，在與抗蝕圖51分離後的基板50上形成混合膜56。混合膜56包括作為基材的第一材料和作為添加物的第二材料，對於該第一材料，使用預定的蝕刻氣體進行的後述蝕刻處理中的蝕刻率相對低，而對於該第二材料，該蝕刻處理中的蝕刻率相對高。作為第一材料，例如可以採用包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、以及Au構成的組的元素的材料。作為第二材料，例如可以採用包括選自由C、Si、以及W構成的組的元素的材料。在混合膜56的形成中，通過共濺射(Co-sputtering)在基板50上沉積該第一材料和第二材料。該混合膜56的厚度例如為1～5nm。
然後，如圖7B所示，通過幹蝕刻法對混合膜56進行蝕刻處理，由此形成細微凹凸形狀56a。細微凹凸形狀56a具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。在本蝕刻處理中，使用對第二材料的蝕刻率比對第一材料的蝕刻率高的氣體來作為蝕刻氣體。優選對第二材料的蝕刻率為對第一材料的蝕刻率的10倍以上。例如，當採用Ag來作為第一材料並採用C來作為第二材料時，可以有效地使用O2來作為蝕刻氣體。另外，當採用Ag來作為第一材料並採用Si來作為第二材料時，可以有效地使用CF4來作為蝕刻氣體。
如上所述，能夠製造出具有與基板S1的預製溝槽10a相對應的凹部50a並且在槽脊面50b和凹槽面50c上具有細微凹凸形狀56a的、形成基板S1用的原盤M3。在該原盤製造方法中，在形成細微凹凸形狀56a時，不必特意將基板50加熱到例如200℃以上。因此，根據本發明，即使基板50例如由在200℃時容易變形的材料構成，也可以恰當地製造原盤M3。
在光磁記錄介質X1的製造中，接著，如圖7C所示，將原盤M3作為模板並通過電鑄法來形成壓模M4。具體地說，壓模M2的形成方法與參照圖5A進行的上述說明一樣。原盤M3的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀56a被轉印到壓模M4上，由此在壓模M4上形成凹凸軌形狀和細微凹凸形狀57。形成壓模M4以後，如圖7D所示，使壓模M4與原盤M3分離。
然後，除了以壓模M4代替壓模M2作為母模使用這一點不同之外，經過與參照圖5C和圖5D所進行說明的一樣的工序，或者使用壓模M4進行射出成型來製造基板S1。然後如圖6A和圖6B所示，在基板S1上順次形成散熱層12、記錄磁性部11、電介質層13、以及保護膜14。
如上所述，能夠製造出光磁記錄介質X1。
圖8是本發明第二實施方式的光磁記錄介質X2的部分截面圖。光磁記錄介質X2具有基板S2、記錄磁性部21、散熱層22、電介質層23、以及保護膜24，其作為前照方式的光磁碟而構成。另外，光磁記錄介質X2在基板S2的單面或雙面上具有圖8所示的層積結構。
基板S2設有渦卷形狀或同心圓形狀的預製溝槽20a並具有凹凸軌形狀，並且具有槽脊面20b和凹槽面20c。凹槽面20c是具有細微凹凸形狀的細微凹凸面，具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。作為基板S2的構成材料，可以採用與基板S1相同的上述材料。
記錄磁性部21具有由一個或兩個以上的磁性膜形成的磁性結構，該磁性結構具有熱磁記錄和利用磁光效應進行再現的這兩種功能。例如，記錄磁性部21由兼具記錄功能和再現功能的單一記錄層構成。或者，記錄磁性部21具有與記錄磁性部11相同的由多個磁性膜構成的上述多層結構(包括記錄層)。作為記錄磁性部21的構成材料，可以採用與記錄磁性部11相同的上述材料。另外，記錄磁性部21具有反映基板S2的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分21a和凹槽部分21b。該凹槽部分21b構成了本介質的信息記錄槽部。
散熱層22是用於將雷射照射時在記錄磁性部21產生的熱量高效傳至基板S2的部分，其具有10～40nm的厚度。另外，散熱層22具有反映基板S2的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分22a和凹槽部分22b。作為散熱層22的構成材料，可以採用與散熱層11相同的材料。
電介質層23和保護膜24的結構與電介質層13和保護膜14的上述結構相同。
圖9A～圖11D表示光磁記錄介質X2的製造方法。在本方法中，首先如圖9A所示，在基板60上形成抗蝕膜61』。基板60用於製造原盤，例如為石英基板或矽晶片。
然後，對抗蝕膜61』進行曝光處理和顯影處理，由此如圖9B所示，形成具有開口部61a的抗蝕圖61。開口部61a具有與應該在基板S2上形成的上述預製溝槽20a相對應的圖案形狀。
然後，如圖9C所示，以抗蝕圖61為掩膜對基板60實施蝕刻處理，從而在基板60上形成凹部60a。由此，在基板60上形成表面包括槽脊面60b和凹槽面60c的凹凸軌形狀。作為蝕刻方法，例如可以採用RIE。
然後，如圖9D所示形成混合膜62。混合膜62的厚度例如為1～5nm。混合膜62包括作為基材的第一材料和作為添加物的第二材料，對於該第一材料，使用預定的蝕刻氣體進行的後述蝕刻處理中的蝕刻率相對低，而對於該第二材料，該蝕刻處理中的蝕刻率相對高。作為第一材料和第二材料，可以採用與混合膜56相同的上述材料。在混合膜62的形成中，通過共濺射在基板60上沉積該第一材料和第二材料。在本共濺射中，第一材料和第二材料也沉積在抗蝕圖61上。
然後，如圖10A所示，從基板60上除去抗蝕圖61。此時，也除去抗蝕圖61上的混合膜62。
然後，如圖10B所示，通過幹蝕刻法對殘存在凹槽面60c上的混合膜62實施蝕刻處理，從而在混合膜62上形成細微凹凸形狀62a。細微凹凸形狀62a具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。在本蝕刻處理中，使用對第二材料的蝕刻率比對第一材料的蝕刻率高的氣體來作為蝕刻氣體。優選對第二材料的蝕刻率為對第一材料的蝕刻率的10倍以上。作為蝕刻氣體，根據第一材料和第二材料的種類，例如可以採用O2或CF4。
如上所述，能夠製造出具有與基板S2的預製溝槽20a相對應的凹部60a並且在凹槽面60c上具有細微凹凸形狀62a的、形成基板S2用的原盤M5。在該原盤的製造方法中，在形成細微凹凸形狀62a時，不必特意將基板60加熱到例如200℃以上。因此，根據本發明，即使基板60由在200℃時容易變形的材料構成，也可以恰當地製造原盤M5。
在光磁記錄介質X1的製造中，接著如圖10C所示，將原盤M5作為模板並通過電鑄法來形成壓模M6。具體地說，壓模M6的形成方法與參照圖5A進行的上述說明一樣。原盤M5的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀62a被轉印到壓模M6上，由此在壓模M6上形成凹凸軌形狀並在該槽脊部分形成細微凹凸形狀63。形成壓模M6以後，如圖10D所示使壓模M6與原盤M5分離。
然後，根據需要將壓模M6衝壓加工成具有預定外徑的碟片後，如圖11A和圖11B所示，使用壓模M6來製造基板S2。
具體地說，首先通過紫外線硬化樹脂材料65』將基體材料64和壓模M6粘在一起。可以採用與基體材料54相同的上述材料來作為基體材料64的構成材料。另外，根據需要預先對基體材料64的表面進行表面處理，以獲得該基體材料64和樹脂材料65』之間的良好的粘合性。
粘合之後，從該基體材料64一側向樹脂材料65』照射紫外線，從而使該樹脂材料65』硬化形成樹脂部65。由此，將壓模M6的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀63轉印到樹脂部65上，並形成表面包括槽脊面20b和凹槽面20c的凹凸軌形狀，該凹槽面20c具有細微凹凸形狀。這樣，能夠製造出上述基板S2。在基板S2的製造中，也可以採用將壓模M6用作模板的射出成型法來代替以上的方法。
在光磁記錄介質X2的製造中，接著，在使基板S2與壓模M6分離以後，如圖11C所示，在基板S2上順次形成散熱層22、記錄磁性部21、以及電介質層23。可以通過濺射法使預定的材料成膜從而形成各層。
然後，如圖11D所示，在電介質層23上形成保護膜24。具體地說，與參照圖6B進行說明的保護膜14的上述形成方法相同。
如上所述，能夠製造出光磁記錄介質X2。當在基體材料64的雙面側均設置從樹脂部65到保護膜24的層積結構時，對基體材料64另一側的表面也實行參照圖11A～圖11D進行說明的上述一系列工序。
在光磁記錄介質X2中，基板S2具有凹槽面20c，該凹槽面20c具有細微凹凸形狀。凹槽面20c的表面粗糙度Ra為0.3～1.5nm，凹凸周期為1～20nm。凹槽面20c的細微凹凸形狀反映在被設置得足夠薄的散熱層22的記錄層一側的表面上，在散熱層22的凹槽部分22b的表面上也形成有細微凹凸形狀(省略圖示)，該細微凹凸形狀兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期。散熱層22表面的該細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。在記錄磁性部21的凹槽部分21b中，由散熱層22的該細微凹凸形狀引起的釘扎力作用在包括於記錄磁性部21中的記錄層的磁疇壁上，因此可以在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。該光磁記錄介質X2具有高記錄解析度，從而有利於實現高記錄密度。
另外，在光磁記錄介質X2中，由於基板S2的槽脊面20b不具有凹槽面20c所具有的那樣的細微凹凸形狀，所以在散熱層22的槽脊部分22a的表面上未形成適當的細微凹凸形狀。因此，在記錄磁性部21的槽脊部分21a中，在凹槽部分21b中起作用那樣的釘扎力不作用在記錄磁性部21所包括的記錄層上，在槽脊部分21a中的記錄層(在本實施例中不承擔記錄功能)上形成微小的磁疇要比在凹槽部分21b中的記錄層上形成微小的磁疇困難。因此，在光磁記錄介質X2中，凹槽部分21b之間由槽脊部分21a在磁性上良好地分開，從而可將凹槽部分21b恰當地用作信息記錄槽部。
圖12是本發明第三實施方式的光磁記錄介質X3的部分截面圖。光磁記錄介質X3具有基板S3、記錄磁性部31、散熱層32、電介質層33、以及保護膜34，其作為前照方式的光磁碟而構成。另外，光磁記錄介質X3在基板S3的單面或雙面上具有圖12所示的層積結構。
基板S3設有渦卷形狀或同心圓形狀的預製溝槽30a並具有凹凸軌形狀，並且具有槽脊面30b和凹槽面30c。槽脊面30b是具有細微凹凸形狀的細微凹凸面，具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。作為基板S3構成材料，可以採用與基板S1相同的上述材料。
記錄磁性部31具有由一個或兩個以上的磁性膜形成的磁性結構，該磁性結構具有熱磁記錄和利用磁光效應進行再現的這兩種功能。例如，記錄磁性部31由兼具記錄功能和再現功能的單一記錄層構成。或者，記錄磁性部31具有與記錄磁性部11相同的由多個磁性膜構成的上述多層結構(包括記錄層)。作為記錄磁性部31的構成材料，可以採用與記錄磁性部11相同的上述材料。另外，記錄磁性部31具有反映基板S3的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分31a和凹槽部分31b。該槽脊部分31a構成了本介質的信息記錄槽部。
散熱層32是用於將雷射照射時在記錄磁性部31中產生的熱量高效傳至基板S3的部分，其具有10～40nm的厚度。另外，散熱層32具有反映基板S3的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分32a和凹槽部分32b。作為散熱層32的構成材料，可採用與散熱層11相同的上述材料。
電介質層33和保護膜34的結構與電介質層13和保護膜14的上述結構相同。
圖13A～圖14B表示光磁記錄介質X3的製造方法中的一部分工序。在本方法中，首先如圖13A所示，以上述壓模M6為模板通過電鑄法形成壓模M7。具體地說，與參照圖5A進行說明的壓模M2的上述形成方法一樣。壓模M7是用於形成基板S3的母模。壓模M6的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀62a被轉印到壓模M7上，由此在壓模M7上形成凹凸軌形狀和細微凹凸形狀66。形成壓模M7以後，如圖13B所示使壓模M7與壓模M6分離。
然後，如圖13C和圖13D所示，使用壓模M7來製造基板S3。
具體地說，首先通過紫外線硬化樹脂材料68』將基體材料67和壓模M7粘在一起。可以採用與基體材料54相同的上述材料來作為基體材料67的構成材料。另外，根據需要預先對基體材料67的表面進行表面處理，以獲得該基體材料67和樹脂材料68』之間的良好的粘合性。
粘合之後，從該基體材料67一側向樹脂材料68』照射紫外線，從而使該樹脂材料68』硬化形成樹脂部68。由此，將壓模M7的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀66轉印到樹脂部68上，並形成表面包括槽脊面30b和凹槽面30c的凹凸軌形狀，該槽脊面30b具有細微凹凸形狀。這樣，能夠製造出上述基板S3。在基板S3的製造中，也可以採用將壓模M7用作模板的射出成型法來代替以上的方法。
在光磁記錄介質X3的製造中，接著，在使基板S3與壓模M7分離以後，如圖14A所示，在基板S3上順次形成散熱層32、記錄磁性部31、以及電介質層33。可以通過濺射法使預定的材料成膜從而形成各層。
然後，如圖14B所示，在電介質層33上形成保護膜34。具體地說，與參照圖6B進行說明的保護膜14的上述形成方法相同。
如上所述，能夠製造出光磁記錄介質X3。當在基體材料67的雙面側均設置從樹脂部68到保護膜34的層積結構時，對基體材料67另一側的表面也實行參照圖13C～圖14B進行說明的上述一系列工序。
在光磁記錄介質X3中，基板S3具有槽脊面30b，該槽脊面30b具有細微凹凸形狀。槽脊面30b的表面粗糙度Ra為0.3～1.5nm，凹凸周期為1～20nm。槽脊面30b的細微凹凸形狀反映在被設置得足夠薄的散熱層32的記錄層一側的表面上，在散熱層32的凹槽部分32b的表面上也形成有細微凹凸形狀(省略圖示)，該細微凹凸形狀兼具大的表面粗糙度和小的凹凸周期。散熱層32表面的該細微凹凸形狀例如具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。在記錄磁性部31的槽脊部分31a中，由散熱層32的該細微凹凸形狀引起的釘扎力作用在記錄磁性部31所包括的記錄層的磁疇壁上，因此可以在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。該光磁記錄介質X3具有高記錄解析度，從而有利於實現高記錄密度。
另外，在光磁記錄介質X3中，由於基板S3的凹槽面30c不具有槽脊面30b所具有的那樣的細微凹凸形狀，所以在散熱層32的凹槽部分32b的表面上未形成適當的細微凹凸形狀。因此，在記錄磁性部31的凹槽部分31b中，在槽脊部分31a中起作用那樣的釘扎力不作用在記錄磁性部31所包括的記錄層上，在凹槽部分31b中的記錄層(在本實施例中不具有記錄功能)上形成微小的磁疇要比在槽脊部分31a中的記錄層上形成微小的磁疇困難。因此，在光磁記錄介質X3中，槽脊部分31a之間由凹槽部分31b在磁性上良好地分開，從而可將槽脊部分31a恰當地用作信息記錄槽部。
圖15是本發明第四實施方式的光磁記錄介質X4的部分截面圖。光磁記錄介質X4具有基板S4、記錄磁性部41、散熱層42、電介質層43、以及保護膜44，其作為前照方式的光磁碟而構成。另外，光磁記錄介質X4在基板S4的單面或雙面上具有圖15所示的層積結構。
在基板S3上設有凹凸軌形狀，該凹凸軌形狀具有渦卷形狀或同心圓形狀的預製溝槽40a。
記錄磁性部41具有由一個或兩個以上的磁性膜形成的磁性結構，該磁性結構具有熱磁記錄和利用磁光效應進行再現的這兩種功能。例如，記錄磁性部41由兼具記錄功能和再現功能的單一記錄層構成。或者，記錄磁性部41具有與記錄磁性部11相同的由多個磁性膜構成的上述多層結構(包括記錄層)。作為記錄磁性部41的構成材料，可以採用與記錄磁性部11相同的上述材料。另外，記錄磁性部41具有反映基板S4的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，並包括槽脊部分41a和凹槽部分41b。該槽脊部分41a和凹槽部分41b構成了本介質的信息記錄槽部。
散熱層42是用於將雷射照射時在記錄磁性部41中產生的熱量高效傳至基板S4的部分，例如由AiSi、AlSiTi、AgSi+等高導熱材料構成。散熱層42具有反映基板S4的凹凸軌形狀的凹凸軌形狀，散熱層42的記錄磁性層一側的表面具有槽脊面42a和凹槽面42b。槽脊面42a和凹槽面42b分別為具有細微凹凸形狀的細微凹凸面，並具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期。
電介質層43和保護膜44的結構與電介質層13和保護膜14的上述結構相同。
圖16A～圖17C表示光磁記錄介質X4的製造方法。在本方法中，如圖16A所示，首先在基板40上形成抗蝕膜71』。
然後，對抗蝕膜71』進行曝光處理和顯影處理，由此如圖16B所示，形成具有開口部71a的抗蝕圖71。開口部71a具有與上述預製溝槽40a相對應的圖案形狀。
然後如圖16C所示，以將抗蝕圖71為掩膜對基板40進行蝕刻處理，從而在基板40上形成預製溝槽40a。由此得到基板S4。作為蝕刻方法，例如可以採用RIE。形成預製溝槽40a後，從基板S4上除去抗蝕圖71。
然後，如圖16D所示，在基板S4上形成用於形成散熱層的混合層42』。混合層42』包括作為基材的第一材料和作為添加物的第二材料，對於該第一材料，使用預定的蝕刻氣體進行的後述蝕刻處理中的蝕刻率相對低，而對於該第二材料，該蝕刻處理中的蝕刻率相對高。作為第一材料，例如可以採用包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、以及Au構成的組的元素的材料。作為第二材料，例如可以採用包括選自由C、Si、以及W構成的組的元素的材料。在混合層42』的形成中，通過共濺射在基板S4上沉積該第一材料和第二材料。另外，在形成混合層42』前，可預先在基板S4上形成預定的底層，以獲得該基板S4和混合層42』之間的良好的粘合性。
然後，如圖17A所示，通過幹蝕刻法對混合層42』進行蝕刻處理，從而在其表面形成細微凹凸形狀42c，並形成散熱層42。在本蝕刻處理中，使用對第二材料的蝕刻率比對第一材料的蝕刻率高的氣體來作為蝕刻氣體。優選對第二材料的蝕刻率為對第一材料的蝕刻率的10倍以上。例如，當採用AlSi合金來作為第一材料並採用C來作為第二材料時，可以有效地使用O2來作為蝕刻氣體。另外，當採用Al來作為第一材料並採用Si來作為第二材料時，可以有效地使用CF4來作為蝕刻氣體。
在光磁記錄介質X4的製造中，接著，如圖17B所示，在散熱層42上順次形成記錄磁性部41和電介質層43。可以通過濺射法使預定的材料成膜從而形成各層。
然後，如圖17C所示，在電介質層43上形成保護膜44。具體地說，與參照圖6B進行說明的保護膜14的上述形成方法相同。
如上所述，能夠製造出光磁記錄介質X4。當在基板S4的雙面側均設置從散熱層42到保護膜44的層積結構時，對基板S4另一側的表面也實行參照圖16A～圖17C進行說明的上述一系列工序。
在光磁記錄介質X4中，基板S4具有槽脊面42a和凹槽面42b，該槽脊面42a具有細微凹凸形狀。槽脊面42a和凹槽面42b的表面粗糙度Ra為0.3～1.5nm，凹凸周期為1～20nm。在記錄磁性部41的槽脊部分41a和凹槽部分41b中，由於緊接在記錄磁性部41之下的散熱層42的該細微凹凸形狀42c所引起的釘扎力作用在記錄磁性部41所包括的記錄層的磁疇壁上，因此可以在該記錄層上穩定地形成微小的磁疇。該光磁記錄介質X4具有高記錄解析度，從而有利於實現高記錄密度。
第一實施例
製造本實施例的光磁記錄介質，以作為圖18所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。在本實施例的光磁記錄介質的製造中，首先製造原盤。然後，利用該原盤來製造母模。然後，利用該母模來製造光磁記錄介質用基板。然後，在該基板上層積形成光磁記錄介質的各層。
在原盤的製造中，首先，通過旋塗法在石英基板(直徑150mm，厚度1.2mm，表面粗糙度Ra0.25nm)上塗敷100nm厚的正性光致抗蝕劑(商品名稱DVR-300，日本Zeon公司製造)。然後，在100℃下對該光致抗蝕劑膜進行30分鐘的預焙。然後，使用光碟曝光裝置(曝光雷射波長351nm的Ar雷射，物鏡數值孔徑NA0.90)並通過預定的預製溝槽圖案(渦卷形狀，槽寬0.275μm，軌道間距0.275μm)來曝光光致抗蝕劑膜。該預製溝槽圖案相當於應該在本實施例的後述光磁記錄介質用基板上形成的預製溝槽的圖案形狀。然後，通過對曝光的光致抗蝕劑膜進行顯影處理來形成抗蝕圖。
然後，使用RIE裝置，以抗蝕圖為掩膜對石英基板進行蝕刻處理，在該石英基板上形成具有預定圖案的深50nm的預製溝槽。在本蝕刻處理中，使用CHF3來作為蝕刻氣體，氣體壓力為0.5Pa，蝕刻時間為120秒。在本工序中，在石英基板上形成具有凹凸軌形狀的凹凸軌面(包括槽脊面和凹槽面)。
然後，使用灰化裝置使氧等離子體作用於抗蝕圖，從而使該抗蝕圖灰化並除去該抗蝕圖。在本灰化處理中，使用O2來作為灰化氣體，氣體壓力為1Pa，灰化時間為120秒。
然後，通過濺射法使氧化釕(RuOx)在石英基板的凹凸軌面上成膜，由此形成底層(厚度1nm)，該底層用於形成細微凹凸形狀。具體地說，使用Ru靶並使用Ar氣體或O2氣體作為濺射氣體來進行反應性濺射，由此使RuOx成膜。在該濺射中，Ar氣體和O2氣體的流量比為5∶1，氣體壓力為1.6Pa，投入功率為40W。
然後，在石英基板的槽脊面和凹槽面的底層上形成細微凹凸形狀。在細微凹凸形狀的形成中，首先，將基板加熱至200℃，通過濺射法使1nm厚的Ag沉積在底層上。此時，基於由於底層和Ag的表面張力的差而產生的Ag的凝聚效應，Ag在多處沉積並生長成島狀，從而在底層上形成Ag微粒群。在本濺射中，使用Ag靶，氣體壓力為1.6Pa，投入功率為40W。接下來，為了增大各個微粒的高度，將基板加熱至200℃，並通過濺射法使C生長至1nm的厚度。在本濺射中，使用C靶，氣體壓力為0.3Pa，投入功率為150W。炭(C)具有固定Ag微粒的形狀的功能。這樣，在石英基板的槽脊面和凹槽面上形成了表面粗糙度Ra為1nm並且凹凸周期為10nm的細微凹凸形狀。
如上所述，就製造出了在凹凸軌形狀的槽脊面和凹槽面上具有細微凹凸形狀的原盤。
然後，將通過上述方法製造的原盤作為模板並通過電鑄法來製造母模。具體地說，首先通過蒸鍍法使Ni在原盤的凹凸軌面上成膜，從而形成50nm厚的鎳薄膜。然後，使用鎳薄膜來作為導電層，通過無電鍍法使鎳電鍍生長，從而形成厚度為300μm的鎳板。然後使鎳板與原盤分離。然後，對該鎳板進行衝壓加工，獲得母模。將原盤的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀轉印到該母模上，從而在該母模上形成凹凸軌形狀和細微凹凸形狀。
然後，使用通過上述方法製造的母模來製造光磁記錄介質用的基板。具體地說，首先通過紫外線硬化樹脂將母模與平的玻璃基板粘在一起。然後，通過從玻璃基板一側照射紫外線而使紫外線硬化樹脂硬化。這樣，就製造出了光磁記錄介質用的基板。母模的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀被轉印到該基板上，從而在槽脊面和凹槽面上形成細微凹凸形狀(表面粗糙度Ra1nm，凹凸周期10nm)。
然後，通過濺射法使AlSi在通過上述方法製造的基板上成膜，從而在該基板上形成厚度為40nm的散熱層。具體地說，使用Al靶和Si靶進行共濺射，從而使AlSi成膜。在本濺射中，濺射氣體的壓力為0.59Pa，投入功率為300W(Al靶)和200W(Si靶)。
然後，使TbFeCo非晶態合金(Tb22Fe70Co8)在散熱層上成膜，從而形成厚度為70nm的記錄層。在本濺射中，使用Tb靶和FeCo合金靶，使用Ar氣體作為濺射氣體，濺射壓力為1.5Pa，投入功率為46W(Tb靶)和200W(FeCo合金靶)。
然後，使TbFe非晶態合金(Tb22Fe78)在記錄層上成膜，由此形成厚度為15nm的中間層。在本濺射中，使用Tb靶和Fe靶，使用Ar氣體作為濺射氣體，濺射壓力為2.5Pa，投入功率為76W(Tb靶)和300W(Fe靶)。
然後，使GdFe非晶態合金(Gd26Fe74)在中間層上成膜，形成厚度為20nm的再現層。在本濺射中，使用Gd靶和Fe靶，使用Ar氣體作為濺射氣體，濺射壓力為0.3Pa，投入功率為84W(Gd靶)和250W(Fe靶)。
然後，使SiN在記錄層上成膜，由此形成厚度為50nm的電介質層。具體地說，使用Si靶並使用Ar氣體和N2氣體作為濺射氣體來進行反應性濺射，由此使SiN在基板上成膜。在本濺射中，Ar氣體和N2氣體的流量比為3∶1，濺射氣體壓力為0.3Pa，投入功率為500W。
然後，在電介質層上形成厚度為15μm的透明的保護膜。具體地說，首先通過旋塗法使15μm厚的紫外線硬化樹脂(商品名稱ダイキユアクリア，大日本Ink化學工業株式會社(DAINIPPON INK ANDCHEMICALS，INCORPORATED)製造)在電介質層上成膜。然後，通過紫外線照射使該紫外線硬化樹脂硬化，從而在電介質層上形成保護膜。
如上所述，根據參照圖4A～圖6B進行說明的上述方法製造出了本實施例的光磁記錄介質。
第二至第五實施例製造第二至第五實施例的光磁記錄介質，以作為圖18所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。具體地說，除了原盤製造過程中的細微凹凸形狀的形成條件以外，其他均與第一實施例相同，製造各實施例的光磁記錄介質，使基板的槽脊面和凹槽面的凹凸周期為1nm(第二實施例)、5nm(第三實施例)、15nm(第四實施例)、20nm(第五實施例)，以代替10nm(第一實施例)。在各原盤的製造過程中，使沉積在底層上的Ag的厚度分別為0.1nm(第二實施例)、0.5nm(第三實施例)、1.5nm(第四實施例)、2nm(第五實施例)，以代替1nm(第一實施例)。可以通過調節沉積的Ag的厚度來控制細微凹凸形狀的凹凸周期。
第六實施例
製造本實施例的光磁記錄介質，以作為圖18所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。在本實施例的光磁記錄介質的製造中，首先，與實施例1相同，在石英基板(直徑150mm，厚度1.2mm，表面粗糙度Ra0.25nm)上形成光致抗蝕劑膜，形成抗蝕圖，然後進行蝕刻處理，再除去抗蝕圖，在石英基板上形成包括槽脊面和凹槽面的凹凸軌形狀。
然後，通過濺射法使Al、Si和C沉積在石英基板的凹凸軌面上，形成厚度為3nm的混合膜。具體地說，使用AlSi靶和C靶並使用Ar氣體作為濺射氣體來進行共濺射，由此形成包括Al、Si和C的混合膜。在本濺射中，氣體壓力為0.5Pa，投入功率為600W(AlSi靶)和1000W(C靶)。
然後，使用RIE裝置使氧等離子體作用於混合膜，從而在該混合膜的表面形成細微凹凸形狀。在本蝕刻中，使用O2來作為蝕刻氣體，氣體壓力為1Pa，蝕刻時間為120秒。這樣，就在石英基板的槽脊面和凹槽面上形成了表面粗糙度Ra為1nm並且凹凸周期為10nm的細微凹凸形狀。
然後，使用上述製造的原盤並使用與第一實施例相同的方法來製造母模。然後，使用該母模並使用與第一實施例相同的方法來製造光磁記錄介質用基板。該基板具有與在原盤上形成的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀實質上相同的凹凸軌形狀和細微凹凸形狀(表面粗糙度Ra1nm，凹凸周期10nm)。然後，與第一實施例一樣，在該基板上層積形成各層。
如上所述，根據參照圖4A～圖4C、圖7A～圖7D以及圖6A～圖6B進行說明的上述方法製造出了本實施例的光磁記錄介質。
第七實施例製造本實施例的光磁記錄介質，以作為圖18所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。在本實施例的光磁記錄介質的製造中，首先，通過旋塗法在石英基板(直徑150mm，厚度1.2mm，表面粗糙度Ra0.25nm)上塗敷100nm厚的正性光致抗蝕劑膜(商品名稱DVR-300，日本Zeon公司製造)。然後在100℃下對該光致抗蝕劑膜進行30分鐘的預焙。接下來使用光碟曝光裝置(曝光雷射波長351nm的Ar雷射，物鏡數值孔徑NA0.90)並通過預定的預製溝槽圖案(渦卷形狀，槽寬0.275μm，軌道間距0.275μm)來曝光光致抗蝕劑膜。該預製溝槽圖案相當於應該在後述的光磁記錄介質用基板上形成的預製溝槽的圖案形狀。然後，通過對曝光的光致抗蝕劑膜進行顯影處理來形成抗蝕圖。
然後，使用RIE裝置，將抗蝕圖作為掩膜對石英基板進行蝕刻處理，在該石英基板上形成具有預定圖案的深50nm的預製溝槽。在本蝕刻處理中，使用CHF3來作為蝕刻氣體，氣體壓力為0.5Pa，蝕刻時間為120秒。在本工序中，在石英基板上形成具有凹凸軌形狀的凹凸軌面(包括槽脊面和凹槽面)。
然後，通過濺射法，以抗蝕圖為掩膜使Al、Si和C沉積在石英基板的凹凸軌面上，由此在石英基板的凹槽面上形成厚度為3nm的混合膜。具體地說，使用AlSi靶和C靶並使用Ar氣體作為濺射氣體來進行共濺射，由此形成包括Al、Si和C的混合膜。在本濺射中，氣體壓力為0.5Pa，投入功率為600W(AlSi靶)和1000W(C靶)。在本工序中使Al、Si和C也沉積在抗蝕圖上。
然後，通過將基板浸在顯影液中來除去抗蝕圖。此時，也除去了沉積在抗蝕圖上的混合膜。
然後，使用RIE裝置使氧等離子體作用於混合膜，由此在凹槽面上的混合膜的表面上形成細微凹凸形狀。在本蝕刻處理中，使用O2來作為蝕刻氣體，氣體壓力為1Pa，蝕刻時間為120秒。這樣就在石英基板的凹槽面上形成了表面粗糙度Ra為1nm且凹凸周期為10nm的細微凹凸形狀。
然後，使用上述製造的原盤並使用與第一實施例相同的方法來製造母模。然後，使用該母模並使用與第一實施例相同的方法來製造光磁記錄介質用基板。該基板具有與在原盤上形成的凹凸軌形狀實質上相同的凹凸軌形狀並具有與在原盤的凹槽面上形成的細微凹凸形狀實質上相同的細微凹凸形狀(表面粗糙度Ra1nm，凹凸周期10nm)。然後，與第一實施例一樣，在該基板上層積形成各層。
如上所述，根據參照圖9A～圖11D進行說明的上述方法製造出了本實施例的光磁記錄介質。
第八實施例製造本實施例的光磁記錄介質，以作為圖19所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。在本實施例的光磁記錄介質的製造中，首先，通過濺射法使SiN在表面具有凹凸軌形狀的聚碳酸酯基板(直徑120mm，厚度1.2mm，軌道間距0.275μm，槽深50nm)上成膜，由此形成厚度為2nm的底層(在圖19中省略)。具體地說，使用Si靶並使用Ar氣體和N2氣體作為濺射氣體來進行反應性濺射，由此使SiN在基板上成膜。在本濺射中，Ar氣體和N2氣體的流量比為3∶1，濺射氣體壓力為0.3Pa，投入功率為500W。
然後，通過濺射法使Al、Si和C沉積在聚碳酸酯基板的凹凸軌面上，由此形成厚度為40nm的混合層。具體地說，使用AlSi靶和C靶並使用Ar氣體作為濺射氣體來進行共濺射，由此形成包括Al、Si和C的混合層。在本濺射中，氣體壓力為0.5Pa，投入功率為600W(AlSi靶)和1000W(C靶)。
然後，使用RIE裝置使氧等離子體作用於混合膜，由此在該混合膜的表面上形成細微凹凸形狀。在本蝕刻處理中，使用O2來作為蝕刻氣體，氣體壓力為1Pa，蝕刻時間為120秒。這樣，就在槽脊部分和凹槽部分的表面上形成了具有細微凹凸形狀的散熱層(表面粗糙度Ra1nm，凹凸周期10nm)。
然後，與在第一實施例中形成記錄層、中間層、再現層、電介質層以及保護膜一樣，在本實施例的散熱層上形成記錄層、中間層、再現層、電介質層以及保護膜。
如上所述，根據參照圖16A～圖17C進行說明的上述方法製造出了本實施例的光磁記錄介質。
第一比較例製造本比較例的光磁記錄介質，以作為圖20所示的具有層積結構的前照方式的光磁碟。在本比較例的光磁記錄介質的製造中，首先與第八實施例一樣，通過濺射法使Al在表面具有凹凸軌形狀的聚碳酸酯基板(直徑120mm，厚度1.2mm，軌道間距0.275μm，槽深50nm)的該凹凸軌面上成膜，由此形成厚度為40nm的散熱層。在本濺射中使用Al靶，使用Ar氣體來作為濺射氣體，濺射氣體壓力為0.6Pa，投入功率為500W。
然後，通過濺射法使Pt在散熱層上成膜，由此形成表面粗糙度Ra為3nm且凹凸周期為40nm的凹凸層(厚度10nm)。在本濺射中使用Pt靶，使用Ar氣體來作為濺射氣體，氣體壓力為1.6Pa，投入功率為40W。
然後，與在第一實施例中形成記錄層、中間層、再現層、電介質層以及保護膜一樣，在本實施例的散熱層上形成記錄層、中間層、再現層、電介質層以及保護膜。
如上所述製造出了本比較例的光磁記錄介質。
第二、第三比較例除了使凹凸層的凹凸周期為35nm(第二比較例)或30nm(第三比較例)以代替40nm之外，使用其他方面均與第一比較例相同的方法來製造第二比較例和第三比較例的光磁記錄介質。在這些比較例的介質的製造過程中，使凹凸層的厚度分別為8nm(第二比較例)和6nm(第三比較例)，以代替10nm(第一比較例)。
第四比較例除了形成AlSi散熱層來代替Al散熱層之外，使用其他方面均與第一比較例相同的方法來製造本比較例的光磁記錄介質。在AlSi散熱層的形成中，使AlSi在Si底層(厚度2nm)上成膜。具體地說，使用Al靶和Si靶來進行共濺射，從而使AlSi在基板上成膜。在本濺射中，濺射氣體壓力為0.6Pa，投入功率為500W(Al靶)和40W(Si靶)。通過上述方法形成的散熱層的生長端側表面的凹凸周期為0.5nm。
特性評價對第一至第五實施例和第一至第四比較例的各個光磁記錄介質的再現信號的比特差錯率(bER)與細微凹凸形狀的凹凸周期的相關性進行了調查。在這裡，凹凸周期在第一至第五實施例中是指在原盤上形成並反映在散熱層上的細微凹凸形狀的凹凸周期，在第一至第三比較例中是指凹凸層表面的凹凸周期，在第四比較例中是指散熱層表面的凹凸周期。
在比特差錯率的測定中，首先，通過長75nm的空間(space)對各個光磁記錄介質(光磁碟)中的信息記錄槽重複記錄75nm的記錄標記。使用預定的光碟評價裝置並通過磁場調製記錄方式來進行該記錄處理。該評價裝置的物鏡的數值孔徑NA為0.85，雷射波長為405nm。在該記錄處理中，雷射掃描速度為4m/s，雷射功率為10mW，向每個信息記錄槽部連續照射雷射，並對預定的施加磁場(記錄磁場)進行調製。
然後，再現該光磁記錄介質，對記錄時的調製信號和再現時的解調信號進行比較，由此將再現解調信號相對於記錄調製信號的錯誤率作為比特差錯率(bER)而計算出來。使用與記錄處理相同的評價裝置來進行該再現處理，雷射功率為1.5mW，雷射掃描速度為4m/s。
對各個光磁記錄介質進行該記錄處理和再現處理並測定bER。圖22的曲線圖示出了通過對第一至第五實施例和第一至第四比較例的光磁記錄介質進行一系列測定而得到的結果。在圖22的曲線圖中，橫軸表示凹凸周期(nm)，縱軸表示bER。另外，在圖22的曲線圖中，分別通過E1～E5和C1～C4的曲線圖來表示第一至第五實施例和第一至第四比較例的測定結果。
為了實際應用光磁記錄介質，需要使bER為1×10-4以下。根據圖22的曲線圖可知，當凹凸周期為1～20nm時，可確保bER為1×10-4以下。
表面粗糙度與凹凸周期的相關性為了調查材料膜的表面粗糙度Ra與凹凸周期的相關性而製造了樣品P1～P12。在樣品P1～P12中，使用與在第一實施例的原盤製造過程中使Ag沉積在RuOx底層上的方法相同的方法，在預定基板上形成具有細微凹凸形狀的材料膜。
在各個樣品的製造中，首先，採用與第一實施例相同的形成底層的上述方法，通過濺射法使氧化釕(RuOx)在石英基板表面上成膜，由此形成細微凹凸形狀形成用的底層(厚度1nm)。然後，將基板加熱至200℃，通過濺射法使預定厚度的預定材料沉積在底層上。此時，基於由於底層和預定材料的表面張力的差而產生的該預定材料的凝聚效應，該材料在多處沉積並生長成島狀。通過該方法來分別製造其材料膜的表面具有細微凹凸的樣品P1～P12。對於沉積在底層上的材料及其厚度，樣品P1為Al、0.1nm；樣品P2為Al、0.5nm；樣品P3為Al、1nm；樣品P4為Al、2nm；樣品P5為Ag、0.1nm；樣品P6為Ag、0.5nm；樣品P7為Ag、1nm；樣品P8為Ag、2nm；樣品P9為Pt、0.1nm；樣品P10為Pt、0.5nm；樣品P11為Pt、1nm；樣品P12為Pt、2nm。
對各個樣品的凹凸周期和表面粗糙度Ra進行了調查。該結果如圖23中的表所示。
通過調節樣品P1～P12的材料膜的厚度可將該材料膜表面的凹凸周期控制在1～20nm的範圍內。如圖23中的表所示，凹凸周期被控制在該範圍內的樣品P1～P12的表面粗糙度Ra在0.3～1.5nm的範圍內。這樣，能夠形成具有0.3～1.5nm的表面粗糙度Ra和1～20nm的凹凸周期的細微凹凸表面。
權利要求
1.一種光磁記錄介質，具有層積結構，該層積結構包括基板，具有垂直磁各向異性並承擔記錄功能的記錄層，以及所述基板和所述記錄層之間的至少一個功能層，所述基板和所述至少一個功能層中的至少一個的、所述記錄層一側的表面包括細微凹凸面，該細微凹凸面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
2.如權利要求1所述的光磁記錄介質，其中，所述層積結構具有包括槽脊部分和凹槽部分的凹凸軌形狀，所述基板和所述至少一個功能層中的所述至少一個的、所述記錄層一側的所述表面僅在所述槽脊部分或僅在所述凹槽部分包括所述細微凹凸面。
3.如權利要求1所述的光磁記錄介質，其中，所述記錄層由具有過渡金屬磁化優勢組成的磁性材料構成，所述至少一個功能層由具有稀土金屬磁化優勢組成的磁性材料構成並包括與所述記錄層接觸的記錄輔助層。
4.如權利要求1所述的光磁記錄介質，其中，所述記錄層由具有稀土金屬磁化優勢組成的磁性材料構成，所述至少一個功能層由具有過渡金屬磁化優勢組成的磁性材料構成並包括與所述記錄層接觸的記錄輔助層。
5.如權利要求1所述的光磁記錄介質，其中，所述層積結構還包括再現層，具有垂直磁各向異性並承擔再現功能；以及中間層，介於所述記錄層和所述再現層之間，用於改變該記錄層和再現層的交換耦合狀態。
6.一種光磁記錄介質，具有層積結構，該層積結構包括基板，具有垂直磁各向異性並具有記錄功能的記錄層，以及散熱層，所述基板和所述記錄層之間，所述散熱層的所述記錄層一側的表面包括細微凹凸面，該細微凹凸面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
7.如權利要求6所述的光磁記錄介質，其中，所述層積結構具有包括槽脊部分和凹槽部分的凹凸軌形狀，所述散熱層的所述記錄層一側的所述表面僅在所述槽脊部分或僅在所述凹槽部分包括所述細微凹凸面。
8.一種光磁記錄介質用基板，至少表面由樹脂材料形成，且具有凹凸軌形狀，所述表面包括槽脊面和凹槽面，其中，所述槽脊面和/或凹槽面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
9.一種母模，具有凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面，用於製造光磁記錄介質用的基板，其中，所述槽脊面和/或凹槽面具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
10.一種光磁記錄介質的製造方法，包括以下工序在基體材料上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去所述材料膜中的所述第二材料的至少一部分，由此在所述材料膜上形成細微凹凸面；在所述材料膜之上形成具有垂直磁各向異性並具有記錄功能的記錄層。
11.如權利要求10所述的光磁記錄介質的製造方法，其中，所述第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，所述第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。
12.一種母模製造方法，用於製造母模，所述母模用於製造光磁記錄介質用基板，所述母模製造方法包括以下工序在具有第一凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面的基板的所述表面上，將比構成該表面的材料的表面能量大的材料加熱到該材料的擴散溫度以上並使其沉積，由此形成第一細微凹凸形狀；通過電鑄法使金屬材料在所述表面上生長並由此形成壓模，該壓模具有與所述第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與所述第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀；使所述壓模與所述基板分離。
13.一種母模製造方法，用於製造母模，該母模用於製造光磁記錄介質用基板，所述母模製造方法包括以下工序在具有第一凹凸軌形狀且表面包括槽脊面和凹槽面的基板的所述表面上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去所述材料膜中的所述第二材料的至少一部分，由此在所述材料膜的表面上形成第一細微凹凸形狀；通過電鑄法使金屬材料在所述材料膜上生長並由此形成壓模，該壓模具有與所述第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與所述第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀；使所述壓模與所述基板分離。
14.如權利要求13所述的母模製造方法，其中，所述第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，所述第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。
15.一種母模製造方法，用於製造母模，該母模用於製造光磁記錄介質用基板，所述母模製造方法包括以下工序在基板上形成具有開口部的抗蝕圖；經由所述抗蝕圖對所述基板進行蝕刻處理，由此在該基板上形成具有槽脊面和凹槽面的第一凹凸軌形狀；通過從所述抗蝕圖一側沉積材料而在所述凹槽面上形成包括蝕刻率相對低的第一材料和蝕刻率相對高的第二材料的材料膜；通過蝕刻法除去所述材料膜中的所述第二材料的至少一部分，由此在所述凹槽面上形成第一細微凹凸形狀；使所述基板與所述抗蝕圖分離；通過電鑄法使金屬材料在包括所述槽脊面和所述凹槽面的所述基板的表面上生長，由此形成具有與所述第一凹凸軌形狀對應的第二凹凸軌形狀和與所述第一細微凹凸形狀對應的第二細微凹凸形狀的壓模；使所述壓模與所述基板分離。
16.如權利要求15所述的母模製造方法，包括以下工序通過電鑄法使金屬材料在所述壓模的所述第二凹凸軌形狀一側的表面上生長並由此形成子壓模，該子壓模具有與所述第二凹凸軌形狀對應的第三凹凸軌形狀和與所述第二細微凹凸形狀對應的第三細微凹凸形狀；使所述子壓模與所述壓模分離。
17.如權利要求15所述的母模製造方法，其中，所述第一材料包括選自由Ag、Al、Pt、Ti、和Au構成的組的元素，所述第二材料包括選自由C、Si、和W構成的組的元素。
全文摘要
本發明的光磁記錄介質(X1)具有層積結構，該層積結構包括基板(S1)、具有垂直磁各向異性並承擔記錄功能的記錄層、以及所述基板和所述記錄層之間的至少一個功能層(12)。所述基板(S1)和所述至少一個功能層(12)中的至少一個的、所述記錄層一側的表面包括細微凹凸面(10b、10c)，該細微凹凸面(10b、10c)具有0.3～1.5nm的表面粗糙度和1～20nm的凹凸周期。
文檔編號G11B11/105GK1886790SQ20038011086
公開日2006年12月27日 申請日期2003年12月19日 優先權日2003年12月19日
發明者山影讓, 上村拓也, 田中努 申請人:富士通株式會社