用於質譜分析的離子漏鬥的製作方法

2023-05-01 04:41:06

專利名稱：用於質譜分析的離子漏鬥的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於質譜分析的離子漏鬥。
背景技術：
在各種工業和學術設置中例行地執行化學和生物分離，以確定複雜樣品混合物中 的各種核素的存在和/或量。存在各種用於執行者中分離的技術。質譜分析(MS)是用於樣品的定量化學分析的分析技術。樣品中的分子被離子化 並且通過質譜儀根據它們各自的質量而分離。之後檢測經分離的分析物離子並且產生樣品 的質譜。質譜提供關於質量的信息以及在一些情況下提供關於組成樣品的各種分析物粒子 的量。特別地，質譜分析可以被用來確定分子的分子量和分析物中的分子碎片。此外，質譜 分析可以基於裂解特徵來識別分析物內的成分。用於由質譜分析法分析的分析物離子可以由各種離子化系統中的 任何系統來產 生° 例 如，Atmospheric Pressure Matrix Assisted Laser DesorptionIonization (AP-MALDI)、Atmospheric Pressure Photoionization (APPI)、 Electrospray Ionization (ESI)、Atmospheric Pressure Chemicallonization(APCI)禾口 Inductively Coupled Plasma(ICP)系統可以被用在質譜分析系統中來產生離子。這些系 統中的許多在大氣壓或接近大氣壓下(760ΤΟΠ·)產生離子。在產生了之後，分析物離子必 須被引入或採樣到質譜儀中。通常，質譜儀的分析器部分被保持在從IO-4Torr到IiT8Torr 的高真空水平。實踐中，對離子進行採樣包括將分析物離子以精細限定的離子束的形式從 離子源經由一個或多個中間真空室傳輸到高真空質譜儀室。中間真空室中的每個都保持在 前後室之間的真空水平。因此，離子束對分析物離子進行傳輸，其中分析物離子以階梯的方 式從與離子形成相關聯的壓力水平過渡到質譜儀的壓力水平。在大部分應用中，期望將離 子在沒有顯著的離子損失的狀態下傳輸通過質譜儀系統的各種室中的每一者。通常在MS 系統中使用離子引導來使得離子沿著限定方向移動。離子引導通常採用電磁場來在允許或促進離子軸向傳輸的同時，徑向地約束離 子。一種類型的離子引導通過施加隨時間變化的電壓而產生多極場，其中多極場通常處在 射頻(RF)頻譜中。已經在將離子以及離子陷阱成分在MS系統的部分之間傳輸的各種應用 中見到了這些所謂的RF多極離子引導。當在存在緩衝氣體的情況下進行操作時，RF引導能 夠在軸向和徑向上減小離子的速度。在軸向和徑向上的這種離子速度的減小被公知為由於 離子與緩衝氣體的中性分子多次碰撞而使得離子「熱能化」或「冷卻」。沿著徑向壓縮的熱 能化的光束在改善穿過MS系統的節流口的離子傳輸和減小飛行時間(TOF)儀器中的徑向 速度散布非常有用。RF多極離子引導產生對離子引導內的離子進行約束的偽勢阱。通常， 由於離子在更高的壓力下停滯在離子引導中的問題，所以離子引導操作局限於約ITorr以 下的壓力。發展了一些公知的離子漏鬥離子光學器件，來通過利用RF電場來提供徑向約束 並且利用靜電電場提供軸向加速克服某些公知的離子引導的壓力限制。RF和靜電場都是通過具有逐漸減小的ID的同心環的陣列產生的。離子漏鬥可以從入口到出口對離子進行有 效地聚焦和傳遞，然而，埋入氣流中的中性體也可以從入口向出口有效地傳輸。因為離子漏 鬥可以相比於已知的離子引導在更高壓力下工作，並且中性粒子傳輸是由漏鬥內的壓力和 氣體流動限制的，所以將中性粒子(「中性體」)與離子分離的問題變得更加現實。在已知的離子漏鬥中，通過提供設計為阻擋中性體的路徑的額外的中央電極以及 通過將額外的電壓提供給該電極以使得離子繞中央電極轉向，來在離子漏鬥裝置中解決離 子和中性體的分離。雖然這種已知的離子漏鬥可能有效地分離離子和中性體，但是額外的 電極和額外的電源的複雜性是不期望的。此外，由於額外的電極的汙染導致額外的電極充 電並且需要隨時間調整其DC電壓，所以這種離子漏鬥的穩定性和可靠性也是問題。因此，所需要的是克服了上述已知的裝置和方法的缺點的、用於提供從離子源到 質量分析儀提供分析物的方法和設備。

發明內容
本發明的一方面涉及一種用在質譜儀中的接口，該接口包括第一離子漏鬥，其包 括第一入口和第一出口以及在第一入口與第一出口之間的第一軸線；以及第二離子漏鬥， 其與第一離子漏鬥前後設置，包括第二入口和第二出口以及在第二入口與第二出口之間的 第二軸線，其中第一軸線與第二軸線彼此相對偏移。本發明的另一方面涉及一種質譜儀，該質譜儀包括離子源；質量分析儀；以及設 置在離子源與質量分析儀之間的用於質譜儀的接口，其中該接口包括第一離子漏鬥，其包 括第一入口和第一出口以及在第一入口與第一出口之間的第一軸線；以及第二離子漏鬥， 其與第一離子漏鬥前後設置，包括第二入口和第二出口以及在第二入口與第二出口之間的 第二軸線，其中第一軸線與第二軸線彼此相對偏移。本發明的另一方面涉及一種在質譜儀中分離離子與中性粒子的方法，方法包括 將離子和中性粒子提供給接口，接口包括第一離子漏鬥，其包括第一入口和第一出口以及 在第一入口與第一出口之間的第一軸線；以及第二離子漏鬥，其與第一離子漏鬥前後設置， 包括第二入口和第二出口以及在第二入口與第二出口之間的第二軸線，其中第一軸線與第 二軸線彼此相對偏移；沿著第一入口與第一出口之間的第一軸線引導離子；沿著第二入口 與第二出口之間的第二軸線引導離子而不引導中性粒子。


在閱讀附圖時可以從以下詳細描述最好地理解本教導。特徵沒有必要按比例繪 制。在可用的情況下，相似的附圖標記表示相似的特徵。圖1是根據實施例的質譜儀的簡化示意圖。圖2A示出了根據實施例的MS裝置的接口的截面圖。圖2B示出了圖2A的接口的簡化示意表示圖。圖3示出了根據實施例的MS裝置的接口的截面圖。圖4示出了根據實施例的將離子與中性粒子分離的方法的流程圖。術語限定應該明白這裡所使用的術語僅是為了描述具體實施例，並且不是為了進行限制。
如在說明書和權利要求書中使用的，除非上下文中明確地指出的，未限定數目的 術語包括單數和複數的指代物。因此，例如，「裝置」包括一個裝置和多個裝置。如在說明書和權利要求書中使用的，除了它們原本的含義之外，術語「基本」或「基 本地」意味著具有可以接受的限度或程度。例如，「基本取消」意味著本領域技術人員將會 認為消除是可以接受的。如在說明書和權利要求書中使用的，除了其原本的含義之外，術語「大致地」意味 著在本領域技術人員可以接受的限度或量內。例如，「大致相同」意味著本領域技術人員將 會認為該項目可以比作相同。
具體實施例方式在以下描述中，為了解釋而不是為了限制，陳述了公開了具體細節的實施例以提 供本教導的透徹理解。可以省略已知的系統、裝置、材料、操作方法、製造方法的描述，以避 免妨礙示例實施例的描述。雖然如此，可以根據實施例使用在本領域技術人員範圍內的系 統、裝置、材料和方法。圖1示出了根據實施例的簡化的MS系統100的簡化框圖。MS系統100包括離子 源101、離子漏鬥102、接口 103、質量分析儀104和離子探測器105。離子源101可以是已 知類型的離子源之一。質量分析儀104可以是各種公知的質量分析儀，包括但不限於飛行 時間(TOF)裝置、傅立葉變換MS分析儀(FTMS)、離子陷阱、四極質量分析儀、磁性分析儀或 任何實踐的結合。類似地，離子探測器105是已知的離子探測器中的一種。在下文中結合具體實施例更全面地描述了離子漏鬥102。離子漏鬥102可以設置 在接口 103中，其中接口 103構造為提供位於離子源101與質量分析儀104之間的一個或 多個壓力過渡階段。離子源101通常保持在大氣壓或大氣壓附近，並且質量分析儀104通常 保持在相當高的真空下。根據特定實施例，離子漏鬥102可以被構造為從相當高的壓力過 渡到相當低的壓力。離子源101可以是各種已知的離子源中的一種。離子源101的下遊， 可以存在額外的離子操縱裝置和真空分區(未示出)，包括但不限於刮削器孔、小孔徑導管 和其他離子光學器件。在使用中，在離子源101中產生的離子(通過箭頭示出了其路徑) 被提供到離子漏鬥102。離子漏鬥102將離子朝向質量分析儀104移動，並且形成具有受限 制的相位空間的相當受限制的束。注意，並且如下文中更詳細的描述的，中性粒子通常不會 沿著離子的路徑，並且在離開離子漏鬥102之前基本與離子分離並基本防止進入質量分析 儀104。照這樣，離子束從離子漏鬥102離開並且被引入質量分析儀104。離子從質量分析 儀104穿過到離子探測器105，其中在離子探測器105中檢測離子。圖2A示出了根據實施例的接口 103的截面圖。接口 103包括第一室201和第二 室202。示意性地，室201、202是在離子源101處的環境壓力約為大氣壓的狀態下被差動地 抽氣的真空室。第一室201被保持在第一壓力P1並且第二室202被保持在第二壓力P2，其 中P1 > P2。示意性地，第一壓力P1被保持在從約2Torr到約IOOTorr的範圍內，第二壓力 P2被保持在從約0. ITorr到約IOTorr的範圍內。在一個示意性實施例中，P1是10Torr，P2 是3Τοπ·。需要強調，第一壓力P1和第二壓力P2的壓力範圍是示意性的，並且可以預料到 其他壓力範圍。第一離子漏鬥203設置在第一室201中，並且第二離子漏鬥204設置在第二室202中。第一離子漏鬥203與第二離子漏鬥204是前後設置。示意性的，漏鬥203、204可以在其 間沒有其他元件的狀態下直接前後設置，或者離子漏鬥可以在其間具有其他元件(例如， 離子光學器件)的狀態下前後設置。第一離子漏鬥203包括第一入口 205和第一出口 206，並且第二離子漏鬥204包括 第二入口 207和第二出口 208。第一軸線209從第一入口 205延伸到第一出口 206，並且第 二軸線210從第二入口 207延伸到第二出口 208。在該實施例中，第一出口 206作為第一室 201與第二室202之間的傳導限制部，並且同時是RF電壓施加到其上的、離子漏鬥203的最 後的活性元件。在傳導限制部上具有RF電壓防止充電並且因此改善了通過接口 103的離 子傳輸的穩定性。第一出口 206設置為與分區212中的開口 211相鄰，其中分區212在第一室201 與第二室202之間；第二入口 207設置在與分區212中的開口 211相鄰的相反側上。在示 意性實施例中，靜電漂移管裝置213設置在分區212中的開口 211中。如這裡更全面地描 述的，靜電漂移管213可以被用來使得離子加速通過開口 211並且從第一出口 206進入第 二入口 207。靜電漂移管213可以包括抑制的離子光學器件，諸如具有數個電極以及它們之 間的加速電勢差的普通的漂移光學器件。第一離子漏鬥203是包括多個電極214的示意性的分段離子漏鬥。類似地，第二離 子漏鬥203示意性地是包括多個電極215的分段離子漏鬥。包括多個電極的分段離子漏鬥 的許多細節可以在Smith等人的美國專利6，107，628 ；Smith等人的美國專利6，583，408 ； 以及Kim等人的美國專利7，495，212中找到。通過引用特別將Smith等人的專利以及Kim 等人的專利結合到這裡。也可以採用其他已知的離子漏鬥。電極214、215示意性地基本上是環形截面；然而，電極的截面可以是其他的，諸如 橢圓形截面。在實施例中，第一離子漏鬥203和第二離子漏鬥204都包括基本圓柱形的、最 靠近它們各自的入口 205、207的區域以及基本圓錐形的、最靠近它們各自的出口的區域。 例如，第一離子漏鬥203包括區域216，其為鄰近第一入口 205的大致圓柱形；並且第二離 子漏鬥204包括區域217，其為鄰近第二入口 207的大致圓柱形。此外，第一離子漏鬥203 包括區域218，其為鄰近第一出口 206的大致圓錐形；第二離子漏鬥204包括區域219，其為 鄰近第二出口 208的大致圓錐形。因此，在某些實施例中，電極214、215在區域216、217中 大致是具有大致恆定半徑的圓形；並且電極214、215在區域218、219中大致是具有逐漸減 小半徑的環形，在最接近各自出口 206、208處具有最小的半徑。需要強調，圖中示出並結合 第一和第二離子漏鬥203、204描述的電極215、216的構造是示意性的並且不是為了限制本 教導。可以預料到其他構造。例如，電極215、216可以沿著各自的長度從各自的入口 205、 207到各自的出口 206、208連續地會聚。RF和DC場產生在第一離子漏鬥203和第二離子 漏鬥204中。建立這些場以在第一離子漏鬥203中沿著平行於第一軸線209的軌跡引導離 子，並且在第二離子漏鬥204中沿著平行於第二軸線210的軌跡引導離子。在某些實施例 中，第一離子漏鬥203基本延其長度繞第一軸線209對稱，並且第二離子漏鬥204基本延其 長度繞第二軸線210對稱。轉向圖2B，示出了接口 103的簡化的示意圖，以示出了實施例的第一離子漏鬥203 與第二離子漏鬥204之間的角度關係。第一離子漏鬥203以相對於第二離子漏鬥204的角 度偏移，使得第一軸線209相對於第二軸線210成角度219。根據某些實施例，角度219被選擇為在從約2°到約30°之間的範圍內。需要強調，角度219的範圍是示意性的，並且角 度可以是選擇為改善離子的產量的範圍內的角度，並且減小了從第一入口 205到第二出口 208輸出的中性體。傳輸通過第一離子漏鬥203的離子將會沿著平行於第一軸線209的軌跡由電勢場 引導。也通過第一室201與第二室202之間產生的壓力差來沿著平行於第一軸線209的軌 跡引導中性體。類似地，穿過分區211中的開口 212的離子進入第二離子漏鬥204並且被 沿著第二軸線210引導。然而，中性體不受到第一漏鬥203或第二漏鬥204的電場的影響， 而是僅由於在第一室201與第二室202之間產生的壓力差而被推動。因此，中性體沒有被 從它們沿著第一軸線209的軌跡重新引導到沿著第二軸線210的軌跡，而是傳輸通過分區 211並且沿著平行於第一軸線209的軌跡進入第二離子漏鬥。此外，中性體沿著由第二離子 漏鬥204的電極215形成的內表面入射到區域220。注意，中性體以不對稱的方式沿著區域 220中的電極215設置(沿著由分段電極215形成的圓柱體或圓錐或以上二者的側面)，並 且一般不沿著電極均勻分布。在區域220處的中性體的不對稱收集在區域220中的電極215上產生了絕緣體或 者電介質層。如應當理解的，傳輸通過區域220附近的第二離子漏鬥的小部分離子也將會 沿著區域220入射。由於產生在區域220中的電介質或絕緣層，這些離子將會將主離子布 居從被汙染的區域220排斥出去，並且因此將會更充足地將主離子布居傳輸到第二離子漏 鬥204的第二出口 208。最終，這改善了到質量分析儀104的離子產量的穩定性，並且使得 質量分析儀104對於汙染物更不敏感。這裡強調本教導不限於使用兩個離子漏鬥(例如，第一離子漏鬥203和第二離子 漏鬥204)或者每個室中一個離子漏鬥。例如，可以預料到設置在第三室(未示出)中的第 三離子漏鬥。第三室可以設置為鄰近第二室202，並且與第二室202以及第一室201前後 設置。第三室的軸線的偏移相對於第二軸線210成角度或成橫向。在這種布置中，第三室 被保持在比第二壓力P2更低的第三壓力(P3)。可選擇地，第三室可以設置為鄰近第一漏鬥 203並且與第一離子漏鬥203和第二離子漏鬥204前後設置。在這種布置中，第三室被保持 在比第二壓力P2更高的第三壓力(P3)。第三室的軸線的偏移將會相對於第一軸線209成 角度或成橫向。圖3示出了用於根據實施例的MS裝置的接口 103的截面圖。結合圖3描述的接 口 103的細節與在圖1和圖2A中提供的哪些相同，並且不再重複，以避免方案當前描述的 實施例的說明。接口 103包括第一室301和第二室302。示意性地，室301、302是被差動地抽氣的 真空室。如在在先描述的實施例中那樣，第一室301被保持在第一壓力P1並且第二室302 被保持在第二壓力P2,其中P1 > P2。第一離子漏鬥303設置在第一室301中，並且第二離 子漏鬥304設置在第二室302中。第一和第二離子漏鬥303、304是包括多個電極的分段離 子漏鬥，諸如上文中結合圖2A描述的。此外，離子漏鬥303和304可以包括圓柱形部分和 圓錐形部分，或者如上所述的圓錐形部分。第一離子漏鬥303包括第一入口 305和第一出口 306，並且第二離子漏鬥304包括 第二入口 307和第二出口 308。第一軸線309從第一入口 305延伸到第一出口 306，並且第 二軸線310從第二入口 307延伸到第二出口 308。第一出口 306設置為與第一室301與第二室302之間的分區312中的開口 311相鄰；第二入口 307設置在與分區312中的開口 311 相鄰的相反側上。第一出口 306和開口 311基本是圓形截面。第一出口 306或開口 311中 更小的一者作為室301與302之間的傳導限制部。傳導限制部的半徑被限定為IV在實施 例中，第二入口 307基本是圓形的並且具有半徑r2。第二出口 308被設置為與分區314相 鄰，並且基本與其中的開口 315對準。在實施例中，分區板312具有被設置為在第一離子漏 鬥303的出口 306的DC電勢與第二離子漏鬥304的入口 307之間的DC電勢，以沿著朝向 第二離子漏鬥的入口 307的方向使得離子加速。RF和DC場產生在第一離子漏鬥303和第二離子漏鬥304中。建立這些場以在第 一離子漏鬥303中沿著平行於第一軸線309的軌跡引導離子，並且在第二離子漏鬥304中 沿著平行於第二軸線310的軌跡引導離子。在某些實施例中，第一離子漏鬥303基本延其 長度繞第一軸線309對稱，並且第二離子漏鬥304基本延其長度繞第二軸線310對稱。第一離子漏鬥303相對於第二離子漏鬥304橫向偏移，使得第一軸線309基本平 行於第二軸線310並且偏移距離316。第二離子漏鬥304與第一離子漏鬥303之間的偏移 是按照圖3中示出的坐標系統的負的y軸方向。通常，偏移距離316大於半徑Γι並且小於 半徑r2。特別低，偏移距離316可以是從第一軸線309的任何徑向方向。應當明白，利用橫 向偏移，第一軸線309沒有必要基本平行於第二軸線310。傳輸通過第一離子漏鬥303的離子將會由電勢場沿著平行於第一軸線309的軌跡 引導。也通過第一室301與第二室302之間產生的壓力差來沿著平行於第一軸線309的軌 跡引導中性體。類似地，穿過分區311中的開口 312的離子進入第二離子漏鬥304並且被沿 著第二軸線310引導。因此，由於第二離子漏鬥304的電場相對於第一離子漏鬥303的電 場的相對偏移，離子的軌跡偏移距離316。然而，中性體不受第一漏鬥303或第二漏鬥304 的電場影響，而是僅由於在第一室301與第二室302之間產生的壓力差而被推動。因此，中 性體沒有被從它們沿著第一軸線309的軌跡重新引導到沿著第二軸線310的軌跡，而是傳 輸通過分區312並且進入第二離子漏鬥304並相對於第二軸線310橫向偏移。此外，如圖3 所示，中性體沿著軌跡317傳輸並且沿著由第二離子漏鬥304的電極形成的內表面318入 射。注意，中性體以不對稱的方式沿著區域318中的電極設置(沿著由第二離子漏鬥304 的分段電極形成的圓柱體或圓錐或以上二者的側面)，並且一般不沿著電極均勻分布。在區域318處的中性體的不對稱收集在區域318中的第二離子漏鬥304的電極上 產生了絕緣體或者電介質層。如應當理解的，傳輸通過第二離子漏鬥附近區域318的小部 分離子也將會沿著區域318入射。由於產生在區域318中的電介質或絕緣層，這些離子將 會將主離子布居從被汙染的區域318排斥出去，並且因此將會更充足地將主離子布居傳輸 到第二離子漏鬥出口 308。最終，這改善了到質量分析儀的離子產量的穩定性，並且使得質 量分析儀104對於汙染物更不敏感。圖4示出了根據實施例的、分離離子和中性粒子的方法400的流程圖。方法可以 利用上述接口 103來實施。在401處，方法包括將離子和中性粒子提供給接口。接口包括 第一離子漏鬥，其中第一離子漏鬥包括第一入口和第一出口 ；以及與第一漏鬥前後設置的 第二離子漏鬥，其中第二離子漏鬥包括第二入口和第二出口。如結合上述實施例描述的，第 一離子漏鬥的軸線和第二離子漏鬥的軸線偏移。在步驟402處，方法包括沿著第一入口與 第二出口之間的第一軸線引導離子。在403處，方法包括第二入口與第二出口之間的第二軸線引導離子但是不引導中性粒子。 考慮到以上公開，注意可以在保持本教導的同時實施方法和裝置。如結合上述實 施例描述的，第一離子漏鬥的軸線和第二離子漏鬥的軸線偏移，並且這種偏移可以是角度 偏移和橫向偏移。僅通過示意和示例的方式而沒有任何限制的含義，來包括各種組件、材 料、結構和參數。考慮到這種公開，本領域技術人員可以在保持在權利要求範圍內的狀態 下，實施本教導來確定它們的應用以及所需的組件、材料、結構和設備來實施這些應用。
權利要求
1.一種用在質譜儀中的接口，所述接口包括第一離子漏鬥，其包括第一入口和第一出口以及在所述第一入口與所述第一出口之間 的第一軸線；以及第二離子漏鬥，其與所述第一離子漏鬥前後設置，所述第二離子漏鬥包括第二入口和 第二出口以及在所述第二入口與所述第二出口之間的第二軸線，其中所述第一軸線與所述 第二軸線彼此相對偏移。
2.根據權利要求1所述的接口，其中，所述偏移包括角度偏移。
3.根據權利要求1所述的接口，其中，所述偏移包括橫向偏移。
4.根據權利要求2所述的接口，其中，所述角度偏移的角度最小約2°並且最大約 30°。
5.根據權利要求1所述的接口，還包括構造以保持第一壓力的第一室以及構造以保持第二壓力的第二室。
6.根據權利要求5所述的接口，其中，所述第一離子漏鬥設置在所述第一室中並且所 述第二離子漏鬥設置在所述第二室中。
7.根據權利要求6所述的接口，其中，所述第一壓力大於所述第二壓力。
8.根據權利要求1所述的接口，還包括設置在所述第一出口與所述第二入口之間的離 子光學器件。
9.根據權利要求3所述的接口，其中，所述第一軸線與所述第二軸線基本平行，並且所 述橫向偏移大於所述第一室與所述第二室之間的傳導限制部的半徑並小於所述第二離子 漏鬥的所述第二入口的半徑。
10.一種質譜儀，包括離子源；質量分析儀；以及用於所述質譜儀的接口，其設置在所述離子源與所述質量分析儀之間，其中所述接口 包括第一離子漏鬥，其包括第一入口和第一出口以及在所述第一入口與所述第一出口之 間的第一軸線；以及第二離子漏鬥，其與所述第一離子漏鬥前後設置，所述第二離子漏鬥包 括第二入口和第二出口以及在所述第二入口與所述第二出口之間的第二軸線，其中所述第 一軸線與所述第二軸線彼此相對偏移。
11.根據權利要求10所述的質譜儀，其中，所述偏移包括角度偏移。
12.根據權利要求10所述的質譜儀，其中，所述偏移包括橫向偏移。
13.根據權利要求11所述的質譜儀，其中，所述角度偏移的角度最小約2°並且最大約 30°。
14.根據權利要求12所述的質譜儀，其中，所述第一軸線與所述第二軸線基本平行，並 且所述橫向偏移大於所述第一室與所述第二室之間的傳導限制部的半徑並小於所述第二 離子漏鬥的所述第二入口的半徑。
15.根據權利要求10所述的質譜儀，還包括構造以保持第一壓力的第一室以及構造以 保持第二壓力的第二室。
16.根據權利要求15所述的質譜儀，其中，所述第一離子漏鬥設置在所述第一室中並 且所述第二離子漏鬥設置在所述第二室中。
17.根據權利要求16所述的質譜儀，其中，所述第一壓力大於所述第二壓力。
18.一種在質譜儀中分離離子與中性粒子的方法，所述方法包括將所述離子和所述中性粒子提供給接口，所述接口包括第一離子漏鬥，其包括第一入 口和第一出口以及在所述第一入口與所述第一出口之間的第一軸線；以及第二離子漏鬥， 其與所述第一離子漏鬥前後設置，所述第二離子漏鬥包括第二入口和第二出口以及在所述 第二入口與所述第二出口之間的第二軸線，其中所述第一軸線與所述第二軸線彼此相對偏 移；沿著所述第一入口與所述第一出口之間的第一軸線引導所述離子； 沿著所述第二入口與所述第二出口之間的第二軸線引導所述離子而不引導所述中性 粒子。
19.如權利要求18所述的方法，其中，所述偏移是角度偏移。
20.如權利要求18所述的方法，其中，所述偏移是橫向偏移。
全文摘要
本發明提供了一種用於質譜分析的離子漏鬥。公開了一種用與質譜儀中的接口。該接口包括第一離子漏鬥，第一離子漏鬥包括第一入口和第一出口以及在第一入口與第一出口之間的第一軸線。該接口還包括第二離子漏鬥，第二離子漏鬥與第一離子漏鬥前後設置，包括第二入口和第二出口以及在第二入口與第二出口之間的第二軸線。其中第一軸線與第二軸線彼此相對偏移。也公開了包括該接口的質譜儀以及方法。
文檔編號H01J49/06GK102103969SQ20101055168
公開日2011年6月22日 申請日期2010年11月17日 優先權日2009年12月17日
發明者亞歷山大·莫迪凱, 馬克·H·韋爾利赫 申請人:安捷倫科技有限公司