一種mems壓阻諧振器的製造方法
2023-05-01 12:08:06 2
一種mems壓阻諧振器的製造方法
【專利摘要】本發明提供一種MEMS壓阻諧振器，包括：襯底；輸入電極，用於為振子提供交流電壓信號以使振子振動；輸入偏置電壓電極，形成在襯底上並位于振動的波節處，用於為振子提供直流偏置電壓信號，以使得響應交流電壓信號所導致的振子的電阻變化而產生的感測電流流經振子；輸出電極，位于振動的波節處，並與輸入偏置電壓電極相對設置，用於響應所述感測電流，輸出頻率信號；第一錨結構，用於將直流偏置電壓信號傳送到振子；第二錨結構，用於將感測電流傳送到輸出電極；振子，設置於輸入電極之間，並通過第一和第二錨結構懸置於襯底上方，振子包括：流過所述感測電流的第一區域以及不流過所述感測電流的第二區域，以減小自發熱產生的頻率不穩定性。
【專利說明】—種MEMS壓阻諧振器
【技術領域】
[0001]本發明實施例涉及振蕩器【技術領域】，尤其涉及一種MEMS壓阻諧振器。
【背景技術】
[0002]在時鐘和頻率控制領域一般採用石英振蕩器，其具有優越的溫度穩定性和相位噪聲特性，然而隨著當前的時鐘產品越來越趨向微型化，石英振蕩器的缺點日益突出，石英振蕩器為片外組元、體積難以縮小、與矽工藝不兼容、不易於集成以及非工業標準的封裝等，使得各廠家在提供薄型化產品的同時將面臨高成本及低成品率的問題。
[0003]微機電系統(Micro Electro Mechanical System, MEMS)諧振器是近年來迅猛發展的一種諧振器，被廣泛用於製作射頻濾波器、振蕩器、頻率計和放大器。MEMS諧振器以其微型化和與互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)兼容的特點，正顯示替代石英振蕩器的強勁勢頭。然而，對於低成本，高質量，全集成的MEMS諧振器也有不少難題，包括矽30ppm/0C的溫度係數，多晶疲勞所導致的老化，封裝汙染導致的頻率漂移。其中頻率漂移是最主要的問題，因為MEMS諧振器尺寸達到幾十微米，對表面汙染十分敏感。通過MEMS-first?和EpiSeal?的矽封裝的發明和非矽諧振器的進步，允許矽諧振器封裝於工業標準的低成本塑料封裝，解決了維持真空封裝的問題，實際上消除了空腔汙染物和老化現象，減輕了溫度補償和漂移的複雜性。阻礙早期MEMS諧振器的成本問題和技術障礙均被順利清除。
[0004]通過真空塑料封裝雖然能解決MEMS諧振器的關鍵問題，但成本和製作的複雜性要求MEMS諧振器能在非真空下也具有良好的性能。MEMS諧振器具有高Q值、低功耗、易集成的優點，但是也有需要克服的問題，包括動態電阻很高以及頻率穩定性差。
[0005]傳統的電容式諧振器的機電轉換是通過振子和電極之間的電容進行，動態電阻高達幾千歐，不適用與外電路連接。
[0006]現有技術中採用壓阻諧振器來解決高電阻的問題。所謂壓阻效應，是指當半導體受到應力作用時，由於載流子遷移率的變化，使其電阻率發生變化的現象。圖1所示為現有技術中一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖，如圖1所示，所述諧振器包括:襯底(未示出)；振子11 ;輸入電極(未示出)，形成在所述襯底上並位於所述振子11的兩短邊側，用於為所述振子11提供交流電壓信號；輸入偏置電壓電極，形成在所述襯底上，用於為所述振子11提供直流偏置電壓信號；輸出電極，形成在所述襯底上並與所述輸入偏置電壓電極相對設置，用於響應所述交流信號所導致的振子11的電阻變化而輸出頻率信號；第一錨結構12和第二錨結構13用於將所述振子11懸置於所述襯底上。當施加直流偏置電壓信號並輸入交流電壓信號產生靜電激勵時，該壓阻諧振器利用振子11的壓阻效應在振子11中產生感測電流，其中所述感測電流的近似路徑如圖1中箭頭所示，同時靜電激勵使振子11產生振動，振子11的伸縮振動導致振子11電阻的變化，通過檢測從流經振子11的感測電流的變化可以輸出頻率信號。
[0007]現有技術中的壓阻諧振器的動態電阻僅為幾十歐，相比於電容式諧振器有很大優勢，但是由於感測電流流經振子，振子會自發熱而影響頻率的穩定性，相比於電容式諧振器的頻率穩定性更差。
【發明內容】
[0008]本發明提供一種MEMS壓阻諧振器，以在保持低動態電阻特性的同時減小自發熱產生的頻率不穩定性。
[0009]本發明提供一種MEMS壓阻諧振器，包括:
[0010]襯底；
[0011]至少一對輸入電極，形成在所述襯底上，用於為振子提供交流電壓信號，以使所述振子振動；
[0012]輸入偏置電壓電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，用於為所述振子提供直流偏置電壓信號，以使得響應所述交流電壓信號所導致的振子的電阻變化而產生的感測電流流經所述振子；
[0013]輸出電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，並與所述輸入偏置電壓電極相對設置，用於響應所述感測電流，從而輸出頻率信號；
[0014]第一錨結構,用於將所述振子支撐於輸入偏置電壓電極上並將直流偏置電壓信號傳送到振子；
[0015]第二錨結構，用於將所述振子支撐於輸出電極上並將所述感測電流傳送到輸出電極；
[0016]振子，設置於所述輸入電極之間，並且通過第一錨結構和第二錨結構懸置於所述襯底上方，其中所述振子包括:流過所述感測電流的第一區域以及不流過所述感測電流的
第二區域。
[0017]其中，所述第一區域、所述第一錨結構和所述第二錨結構的材質為摻雜單晶矽，其中，所述第一錨結構和第二錨結構的摻雜濃度相同，且高於所述第一區域的摻雜濃度，所述第二區域的材質為不摻雜的單晶矽。
[0018]其中，所述摻雜單晶矽的摻雜類型為η型摻雜或P型摻雜。
[0019]其中，當所述摻雜類型為η型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈100〉晶向；或
[0020]當所述摻雜類型為P型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈110〉晶向。
[0021]其中，所述振子還包括挖空區域，所述挖空區域位於所述第一區域和第二區域之間。
[0022]其中，所述挖空區域的形狀為長方形、多邊形、圓形、橢圓形、跑道形狀或扇形。
[0023]其中，所述振子呈對稱結構，其中所述挖空區域為一對對稱的挖空區域，所述第二區域位於所述對稱的挖空區域之間，所述第一區域與所述對稱的挖空區域配對設置。
[0024]其中，所述振子還包括不流過感測電流的第三區域，所述第三區域位於所述流過感測電流的第一區域和挖空區域之間。
[0025]其中，所述振子的尺寸範圍為10nm-3000ym，厚度為10nm_90 μ m。
[0026]其中，當所述輸入電極為多對時，所述輸入電極在所述振子的側面呈周向均勻分布。[0027]本發明提供一種MEMS壓阻諧振器，根據輸入電極提供的交流電壓信號產生的靜電力的激勵而使振子產生振動，當靜電力的頻率接近於諧振器的特徵頻率時發生諧振，其中，振子中不流過所述感測電流的第二區域決定諧振器的特徵頻率，振子中流過所述感測電流的第一區域實現壓阻讀出，即振子振動導致所述第一區域的電阻變化，並通過輸入偏置電壓電極施加的直流偏置電壓信號產生流經所述第一區域的感測電流，輸出電極響應所述感測電流，從而輸出頻率信號，以在保持低動態電阻特性的同時減小振子自發熱產生的頻率不穩定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發明，下面將對本發明中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為現有技術中一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖；
[0030]圖2為本發明實施例提供的一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖；
[0031]圖2a為本發明實施例提供的另一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖；
[0032]圖3為本發明實施例提供的一種具體的振動模態；
[0033]圖4為本發明實施例提供的一種具體的挖空區域和對應的振動模態；
[0034]圖5為本發明實施例提供的另一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖；
[0035]圖6為本發明實施例提供的另一種具體的挖空區域和對應的振動模態；
[0036]圖7為本發明實施例提供的再一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖；
[0037]圖8為圖7所示的MEMS壓阻諧振器的振動模態。
【具體實施方式】
[0038]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施例中的技術方案作進一步詳細描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅用於解釋本發明，而非對本發明的限定，基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。另外還需要說明的是，為了便於描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。
[0039]實施例一
[0040]本實施例提供一種MEMS壓阻諧振器，包括:襯底；至少一對輸入電極，形成在所述襯底上，用於為振子提供交流電壓信號，以使所述振子振動；輸入偏置電壓電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，用於為所述振子提供直流偏置電壓信號，以使得響應所述交流電壓信號所導致的振子的電阻變化而產生的感測電流流經所述振子；輸出電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，並與所述輸入偏置電壓電極相對設置，用於響應所述感測電流，從而輸出頻率信號；第一錨結構，用於將所述振子支撐於輸入偏置電壓電極上並將直流偏置電壓信號傳送到振子；第二錨結構，用於將所述振子支撐於輸出電極上並將所述感測電流傳送到輸出電極；振子，設置於所述輸入電極之間，並且通過第一錨結構和第二錨結構懸置於所述襯底上方，其中所述振子包括:流過所述感測電流的第一區域以及不流過所述感測電流的第二區域。
[0041]需要說明的是，所述輸入電極通過第一錨結構為振子提供交流電壓信號，所述振子在交流電壓信號產生的靜電力的激勵下振動，即使所述第一區域和第二區域產生振動，其中所述第二區域決定諧振器的特徵頻率，當所述靜電力的頻率接近於諧振器的特徵頻率時發生諧振，所述第一區域實現壓阻讀出，即由於壓阻效應振子振動導致所述第一區域的電阻變化，並通過輸入偏置電壓電極施加的直流偏置電壓信號產生流經所述第一區域的感測電流，輸出電極響應所述感測電流，從而輸出頻率信號。
[0042]其中，所述第一區域由於流過所述感測電流而自發熱，所述第二區域由於不流過所述感測電流而不發熱，以減小振子自發熱產生的頻率不穩定性。
[0043]作為本實施例的一種優選的實施方式，所述第一區域、所述第一錨結構和所述第二錨結構的材質為摻雜單晶矽，其中，所述第一錨結構和第二錨結構的摻雜濃度相同，且高於所述第一區域的摻雜濃度，所述第二區域的材質為不摻雜的單晶矽。
[0044]需要說明的是，所述諧振器上的不同的摻雜區域，對應於不同的電阻率，即所述第一錨結構和第二錨結構的電阻率相同，所述第一區域的電阻率高於所述第一錨結構和第二錨結構的電阻率。所述第二區域的電阻率高於所述第一區域的電阻率。其中，流過感測電流的第一區域的壓阻係數高，壓阻效應明顯，作為壓阻讀出區域。
[0045]優選地，所述第一錨結構和第二錨結構的電阻率比所述第一區域的電阻率小一個 數量級。
[0046]示例性地，以一個實例說明。所述第一錨結構和第二錨結構的摻雜濃度為
4.5X IO1Vcm3，相應地，所述第一錨結構和第二錨結構的電阻率為0.01 Ω.cm ;所述第一區域的摻雜濃度為7.8父1016/(^3，相應地，所述第一區域的電阻率為0.10.cm;所述第二區域為不摻雜的單晶矽，在室溫20°C時，所述第二區域的電阻大於Ik Ω。
[0047]需要進一步說明的是，所述諧振器上的不同的摻雜區域，具有不同的作用。所述第一錨結構和第二錨結構用於連接電極，即所述第一錨結構與所述輸入偏置電壓電極連接，用於將所述感測電流引入所述第一區域，所述第二錨結構與所述輸出電極連接，用於讀出所述感測電流，並將所述感測電流傳送到輸出電極，所述輸出電極響應所述感測電流，從而輸出頻率信號。所述第一區域用作壓阻區域，由於本發明諧振器特有結構使所述第一區域的應力大於所述第一錨結構和所述第二錨結構的應力，所述應力可以為壓應力或張應力。所述第二區域主要決定諧振器的特徵頻率。
[0048]可選地，所述摻雜單晶矽的摻雜類型為η型摻雜或P型摻雜。
[0049]進一步地，當所述摻雜類型為η型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈100〉晶向；或當所述摻雜類型為P型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈110〉晶向，以使所述感測電流流經所述第一區域的壓阻係數最大的方向，從而使所述諧振器具有更好的壓阻效應。
[0050]其中，輸入偏置電壓電極和輸出電極位於所述振子振動的波節處，從而使振動能
量損失最小化。
[0051]其中，所述振動包括酒杯型振動或回音壁模式(Whispering Gallery Mode, WGM)振動。
[0052]示例性地，以兩對輸入電極為例說明。當第一對輸入電極和第二對輸入電極提供的交流電壓信號振幅不同、頻率相同、相位相反，即相差H時，所述振子產生酒杯型振動；當第一對輸入電極和第二對輸入電極提供的交流電壓信號振幅相同、頻率相同、相位相同時，所述振子產生四階WGM振動。
[0053]可選地，所述振子的形狀為圓形或方形。
[0054]本實施例提供一種MEMS壓阻諧振器，根據輸入電極提供的交流電壓信號產生的靜電力的激勵而使振子產生振動，當靜電力的頻率接近於諧振器的特徵頻率時發生諧振，其中，振子中不流過所述感測電流的第二區域決定諧振器的特徵頻率，振子中流過所述感測電流的第一區域實現壓阻讀出，即振子振動導致所述第一區域的電阻變化，並通過輸入偏置電壓電極施加的直流偏置電壓信號產生流經所述第一區域的感測電流，輸出電極響應所述感測電流，從而輸出頻率信號，以在保持低動態電阻特性的同時減小振子自發熱產生的頻率不穩定性。
[0055]可選地,所述振子的尺寸範圍為10nm-3000 μ m,厚度為10nm-90 μ m。需要說明的
是，不同的尺寸和不同的厚度的振子對應於不同的諧振器的特徵頻率。
[0056]可選地，當所述輸入電極為多對時，所述輸入電極在所述振子的側面呈周向均勻分布，通過增大與振子的交疊面積，以增大所述振子的靜電力激勵，進一步增大輸入機電耦合係數，增強所述振子的振動幅度，從而增大輸出的頻率信號。
[0057]可選地，所述第一錨結構和第二錨結構形狀相同，為錨點或支撐梁。當所述第一錨結構和第二錨結構的形狀為支撐梁時，優選地，所述支撐梁的寬度為0.1μπι-2μπι。
[0058]實施例二
[0059]請參閱圖2，為本發明實施例提供的一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖。如圖2所不，所述諧振器包括:襯底、第一對輸入電極21a、第二對輸入電極21b、輸入偏置電壓電極、輸出電極、第一錨結構22、第二錨結構23和振子24，其中所述振子24包括:流過感測電流的第一區域241以及不流過感測電流的第二區域242。
[0060]本實施例與上述實施例的相似之處不再贅述。區別在於，所述振子24還包括挖空區域243，所述挖空區域243位於所述第一區域241和第二區域242之間。所述第一對輸入電極21a和第二對輸入電極21b在所述振子24的側面呈周向均勻分布，以增大所述振子的靜電力激勵，進一步增大輸入機電耦合係數，增強所述振子的振動幅度，從而增大輸出的頻率信號。需要說明的是，本實施例中兩對輸入電極並不用於構成對本發明的限定，所述輸入電極可以為多對，優選地，所述輸入電極在所述振動盤的側面呈周向分布。
[0061]進一步具體地，當第一對輸入電極21a和第二對輸入電極21b提供的交流電壓信號振幅不同、頻率相同、相位相反，即相差η時，所述振子24產生酒杯型振動；當第一對輸入電極21a和第二對輸入電極21b提供的交流電壓信號振幅相同、頻率相同、相位相同時，所述振子24產生四階WGM振動。
[0062]需要說明的是，可以通過反應離子刻蝕工藝形成所述挖空區域243。
[0063]優選地，所述第一區域241、所述第一錨結構22和所述第二錨結構23的材質為摻雜單晶娃，其中，所述第一錨結構22和第二錨結構23的摻雜濃度相同,且高於所述第一區域241的摻雜濃度，所述第二區域242的材質為不摻雜的單晶矽。
[0064]可選地，所述摻雜單晶矽的摻雜類型為η型摻雜或P型摻雜。
[0065]進一步地，當所述摻雜類型為η型摻雜時，所述第一區域241沿摻雜單晶矽的〈100〉晶向；或當所述摻雜類型為P型摻雜時，所述第一區域241沿摻雜單晶矽的〈110〉晶向，以使所述感測電流流經所述第一區域的壓阻係數最大的方向，從而使所述諧振器具有更好的壓阻效應。
[0066]也就是說，η型摻雜單晶矽的最大的壓阻係數的晶向為〈100〉晶向，ρ型摻雜單晶矽的最大的壓阻係數的晶向為〈110〉晶向。
[0067]所述振子24可以呈對稱結構，其中所述挖空區域243為一對對稱的挖空區域，所述第二區域242位於所述對稱的挖空區域243之間，所述第一區域241與所述對稱的挖空區域243配對設置。
[0068]可選地，所述振子24的形狀為圓形或方形。
[0069]示例性地，以圖2中所述振子24的形狀為圓形的情況來說明。請同時參閱圖3、圖4，圖3為本發明實施例提供的一種具體的振動模態，圖4為本發明實施例提供的一種具體的挖空區域和對應的振動模態。在輸入電極21a和21b為振子24施加相同激勵的情況下，當圖2中所述振子24不包括挖空區域243時，相應的振子24的振動模態如圖3所述；當圖2中所述振子24包括挖空區域243時，相應的振子24的振動模態如圖4所述。圖3和圖4中實線代表所述振子24，虛線代表所述振子24的振動位移，其中實線與虛線的交點為振動的波節。
[0070]由此可知，在輸入電極為振子施加相同激勵的情況下，包含有挖空區域的振子的振動位移大於不包含挖空區域的振子的振動位移，也就是說，前者的輸出的頻率信號大於後者的輸出的頻率信號。
[0071]需要說明的是，呈對稱結構的振子並不用於構成對本實施例的限定。
[0072]本實施例提供一種MEMS壓阻諧振器，根據輸入電極提供的交流電壓信號產生的靜電力的激勵而使振子產生振動，當靜電力的頻率接近於諧振器的特徵頻率時發生諧振，其中，振子中不流過所述感測電流的第二區域決定諧振器的特徵頻率，振子中流過所述感測電流的第一區域實現壓阻讀出，即振子振動導致所述第一區域的電阻變化，並通過輸入偏置電壓電極施加的直流偏置電壓信號產生流經所述第一區域的感測電流，輸出電極響應所述感測電流，從而輸出頻率信號；並通過在所述第一區域和第二區域之間形成挖空區域，以隔離所述第一區域和第二區域之間的熱傳導，從而進一步減小振子自發熱產生的頻率不穩定性，此外還可以增大振子振動的位移，從而增大輸出的頻率信號。
[0073]在上述技術方案的基礎上，優選地，請參閱圖2a，所述振子24還可以包括不流過感測電流的第三區域244，所述第三區域244位於所述流過感測電流的第一區域241和挖空區域243之間。
[0074]其中，所述不流過感測電流的第三區域244的材質可以與所述第二區域242的材質相同。
[0075]本優選的實施方式不僅能夠達到減小振子自發熱產生的頻率不穩定性，而且通過在流過感測電流的第一區域和挖空區域之間設置不流過感測電流的第三區域，使得在輸入電極提供相同靜電力和輸入偏置電壓電極提供相同偏置電壓的情況下，增大流過感測電流的第一區域的振動位移所產生的應力，即增大流過感測電流的第一區域的張應力和壓應力的差異，由於壓阻效應，從而增大感測電流的第一區域的電阻的變化，進而增大產生的感測電流的變化，以增大輸出的頻率信號。[0076]可選地，所述挖空區域的形狀為長方形、多邊形、圓形、橢圓形、跑道形狀或扇形，本實施例對此不進行限定。
[0077]示例性地，可以為如圖5所示的挖空區域243 ^，其中所述挖空區域243 ^為跑道形狀。需要說明的是，不同形狀的挖空區域對應於不同的諧振器的特徵頻率。
[0078]示例性地，請參閱圖6，為本發明實施例提供的另一種具體的挖空區域和對應的振動模態，挖空區域如圖中643所示，數量為4個，虛線代表所述振子64的振動位移。
[0079]實施例三
[0080]請參閱圖7，為本發明實施例提供的再一種MEMS壓阻諧振器的結構示意圖。如圖7所不，所述諧振器包括:襯底、至少一對輸入電極、輸入偏置電壓電極、輸出電極、第一錨結構72、第二錨結構73和振子74，其中所述振子74包括:流過感測電流的第一區域741以及不流過感測電流的第二區域742。所述振子74還包括挖空區域743，所述挖空區域743位於所述第一區域741和第二區域742之間。[0081]可選地，所述振子74呈對稱結構，其中所述挖空區域743為一對對稱的挖空區域，所述第二區域742位於所述對稱的挖空區域743之間，所述第一區域741與所述對稱的挖空區域743配對設置。
[0082]進一步優選地，所述振子74還可以包括不流過感測電流的第三區域744，所述第三區域744位於所述流過感測電流的第一區域741和挖空區域743之間。
[0083]其中，所述不流過感測電流的第三區域744的材質可以與所述第二區域742的材質相同。
[0084]本實施例與上述實施例的相似之處不再贅述。區別在於，所述振子74的形狀為方形，所述挖空區域743的形狀為長方形，圖8為圖7所示的MEMS壓阻諧振器的振動模態，其中，實線代表所述振子74，虛線代表所述振子74的振動位移。
[0085]最後應說明的是:以上各實施例僅用於說明本發明的技術方案，而非對其進行限制；實施例中優選的實施方式，並非對其進行限制，對於本領域技術人員而言，本發明可以有各種改動和變化。凡在本發明的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種MEMS壓阻諧振器，其特徵在於，包括: 襯底； 至少一對輸入電極，形成在所述襯底上，用於為振子提供交流電壓信號，以使所述振子振動； 輸入偏置電壓電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，用於為所述振子提供直流偏置電壓信號，以使得響應所述交流電壓信號所導致的振子的電阻變化而產生的感測電流流經所述振子； 輸出電極，形成在所述襯底上並位於所述振子振動的波節處，並與所述輸入偏置電壓電極相對設置，用於響應所述感測電流，從而輸出頻率信號； 第一錨結構，用於將所述振子支撐於輸入偏置電壓電極上並將直流偏置電壓信號傳送到振子； 第二錨結構，用於將所述振子支撐於輸出電極上並將所述感測電流傳送到輸出電極； 振子，設置於所述輸入電極之間，並且通過第一錨結構和第二錨結構懸置於所述襯底上方，其中所述振子包括:流過所述感測電流的第一區域以及不流過所述感測電流的第二區域。
2.根據權利要求1所述的諧振器，其特徵在於，所述第一區域、所述第一錨結構和所述第二錨結構的材質為摻雜單晶矽，其中，所述第一錨結構和第二錨結構的摻雜濃度相同，且高於所述第一區域的摻雜濃度，所述第二區域的材質為不摻雜的單晶矽。
3.根據權利要求2所述的諧振器，其特徵在於，所述摻雜單晶矽的摻雜類型為η型摻雜或P型摻雜。
4.根據權利要求3所述的諧振器，其特徵在於，當所述摻雜類型為η型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈100〉晶向；或 當所述摻雜類型為P型摻雜時，所述第一區域沿摻雜單晶矽的〈110〉晶向。
5.根據權利要求1-4任一項所述的諧振器，其特徵在於，所述振子還包括挖空區域，所述挖空區域位於所述第一區域和第二區域之間。
6.根據權利要求5所述的諧振器，其特徵在於，所述挖空區域的形狀為長方形、多邊形、圓形、橢圓形、跑道形狀或扇形。
7.根據權利要求5所述的諧振器，其特徵在於，所述振子呈對稱結構，其中所述挖空區域為一對對稱的挖空區域，所述第二區域位於所述對稱的挖空區域之間，所述第一區域與所述對稱的挖空區域配對設置。
8.根據權利要求7所述的諧振器，其特徵在於，所述振子還包括不流過感測電流的第三區域，所述第三區域位於所述流過感測電流的第一區域和挖空區域之間。
9.根據權利要求1所述的諧振器，其特徵在於，所述振子的尺寸範圍為10nm-3000ym，厚度為 10nm-90 μ m。
10.根據權利要求1所述的諧振器，其特徵在於，當所述輸入電極為多對時，所述輸入電極在所述振子的側面呈周向均勻分布。
【文檔編號】H03H9/02GK103873012SQ201410116728
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月26日 優先權日:2014年3月26日
【發明者】張樂, 歐文, 明安傑 申請人:江蘇物聯網研究發展中心