電子器件以及操作電子器件的方法

2023-04-26 20:42:31

專利名稱：電子器件以及操作電子器件的方法
技術領域：
本發明涉及一種電子器件。
而且，本發明涉及操作一種電子器件的方法。
背景技術：
在非易失性存儲器領域，45nm節點以下尺寸的閃速存儲器已經 成為已經真實的問題。面對這項挑戰的技術有鐵電體、磁性和相變存 儲器，後者很有可能取代快閃記憶體，並示出了可以允許可能取代諸如 DRAM之類的其他類型存儲器的特徵。作為，相變存儲器是電子技 術領域中統一存儲器的重要步驟的可能解決方案。OTP (One Time Programmable ， 可 一 次編程)禾卩MTP ( Multiple Times Programmable ， 可多次編程)存儲器開啟了一個為相變存儲器提供了大好機會的領 域。
相變存儲器是基於採用(例如硫族化合物材料)的可轉換存儲 器開關。從而，相變材料可以被用來存儲信息。這些材料的工作原理 是相位的改變。晶態的材料結構(並因此其性質)與非晶態的不同。
在基於矽的存儲器中，對相變材料的編程基於這種材料在其非 晶態和晶態的電阻率之間的差異。電流可以被用來感測這種差異。通 過對這個電流進行調諧，還可以寫。
在這些相之間進行切換，需要升高溫度。從非常高的溫度快速 冷卻會產生非晶態。溫度的小幅增大或緩慢冷卻會導致晶態。
在基於矽的存儲器中，原理是通過向存儲器單元施加電脈衝可 以獲得溫度的升高。高電流密度會導致局部溫度的升高。取決於脈衝 的形狀，溫度曲線是不同的，會導致一種相或另一種相。
圖2示出了曲線圖200，其具有繪製了時間的橫坐標201。沿縱 坐標202，繪製了溫度。圖2示出了通過向傳統的基於硫族化合物的相變材料存儲器施 加電脈衝以使存儲器在兩種相之間進行切換所獲得的溫度曲線。可以
將第一脈衝203施加為RESET脈衝，以使這種硫族化合物材料處於 非晶態。第二脈衝204可以被表示為SET脈衝，可以被用來使基於 硫族化合物的存儲器處於結晶態。時間ti表示第一脈衝203在溫度 Tm和溫度Tx之間變化時的時間間隔。第二時間間隔t2表示第二脈衝 204從Tx變化到實質上恆定的漸進值所需的時間間隔。
圖2示出的SET和RESET溫度曲線可以被施加到圖3中所示的 通常的相變材料存儲器300中。
在圖3所示的相變材料存儲器300中，具有可變電阻率的電阻 301 (被實現為相變材料)被布置在開關電晶體302的供電電壓基準 Vdd和漏極電壓VD之間。開關電晶體302的源極連接至基準電勢 Vs=0。而且，可以將柵極電壓Vc施加到開關電晶體302的柵極，以 選擇性地使開關電晶體302導通或不導通。
相變單元300的溫度的升高與施加到存儲器單元300上的功率 成正比。驅動存儲器元件301的電晶體302被設計為承受與施加到相 變元件301上的功率級別成正比的功率級別(因為電晶體302與相變 元件301串聯)。這意味著當相變元件301有更高的功率要求時，晶 體管302應當承受更大的功率。
如圖4所示，非晶態脈衝203是需要比結晶脈衝204消耗更多 功率的電子脈衝。
在圖4中，曲線圖400被示出沿橫軸401繪製出了以納秒表示 的脈衝寬度。沿曲線圖400的縱軸402，繪製出了以瓦表示的功率。 圖4示出了線性相變元件中的與結晶功率204相對的最小非結晶功率 203。可以看到，結晶功率204小於非結晶功率204。
這裡，當對非晶態進行編程時，電晶體302會需要更多的驅動 功率。另一方面，電晶體302的大小取決於它需要承受的功率。總之， 由非晶態脈衝203的功率需求給出電晶體302尺寸。
圖5示出了曲線圖500，曲線圖500具有以納秒繪製了脈衝寬度 的橫軸501和以任意單位繪製了電流的縱軸502。對於示範性單元，
7第一曲線503示出了 RESET電流，第二曲線504示出了 SET電流。 從而，圖5示出了在示範性單元的相變線中的不同脈衝寬度的 SET (結晶)504禾卩RESET (非結晶)503的編程電流。用低於閾值 的電流可以實現SET狀態。在RESET脈衝情況下，需要大於閾值的 電流。
圖6示出了曲線圖600，該曲線圖600具有在其上繪製了以nm 表示的溝道寬度的橫軸601和具有在其上繪製了以mA表示的漏極電 流的縱軸。用參考標號603表示漏極飽和電流。
從而，圖6示出了在相變存儲器陣列設計中所採用的NMOSIds 電流。換句話說，圖6示出了相變存儲器中所採用的200nm長的 NMOS電晶體的數據。根據圖5，小於閾值的100ns脈衝可以SET 一個單元。為了用100ns來RESET—個單元，需要一定的電流。為 了得到SET電流，可以採用200nm長、400nm寬的電晶體。可以提 供RESET電流的最小電晶體是200nm長、800nm寬。這意味著RESET 電流需要一個兩倍於用來驅動SET電流的電晶體大小的電晶體。
因此，相變存儲器中所用的空間主要由RESET電流和操作這些 電流所需要的電晶體所確定。從而，通常操作的相變存儲器單元由於 需要大的電晶體而變大，並由於需要較大的編程電流而容易出現故 障。
EP 1，233，418 Al公開了一種超高密度數據存儲介質，其中採用 銦硫族化合物、鍺硫族化合物以及銦-鍺硫族化合物薄膜來形成作為 光電導的、光電壓的或光致發光的半導體器件的位存儲區域，這些半 導體器件在暴露於電磁輻射時會產生電信號，或者來形成作為陰極電 導的、陰極電壓的或陰極發光的半導體器件的位存儲區域，這些半導 體器件在暴露於電磁輻射時會產生電信號。用數據存儲介質的兩種固 相(結晶相和非結晶相)表示位的兩個值，通過加熱位存儲區域實現 兩種相之間的轉換。
不過，根據EP 1，233，418 Al的電加熱過程的高功率需求是有問 題的。

發明內容
本發明的一個目的是提供一種具有可轉換結構的電子部件，不 需要高的電功率就可以對這種可轉換結構進行加熱。
為了實現上述的目的，提供了根據獨立權利要求的電子器件和 操作電子器件的方法。從而，提供了一種加熱過程，這種加熱過程允 許用低焦耳加熱部件和/或輔助熱源進行加熱，輔助熱源減小或消除 了焦耳加熱的需要。
根據本發明的示範性實施例，提供了一種電子器件，該電子器 件包括導熱結構(例如，用於將熱或熱能傳導到熱耦合至導熱結構的 部件)和通過加熱可以在兩種(或更多)狀態(例如相態)之間轉換 的可轉換結構(例如相變結構)，其中，該可轉換結構在至少兩種狀 態中的不同狀態具有不同的電氣性能(例如，電導率、介電常數、磁 導率、電容、電感等)，其中，導熱結構被布置得(選擇性地)與入
射(impinging)在該導熱結構上的輻射相互作用(特別是被其加熱)， 其中，以在輻射入射在該導熱結構上時該可轉換結構可以在兩個(或 更多)狀態(的不同狀態)之間轉換的方式，將該可轉換結構耦合(例 如，熱耦合和/或電耦合，使得該可轉換結構可以從該導熱結構得到 額外的熱)至該導熱結構。例如，該可轉換結構的一部分或整個結構 在至少兩種相態的至少一種相態下是導電的。
根據本發明的另一個示範性實施例，提供了操作一種電子器件 的方法，該方法包括在該電子器件的導熱結構上入射輻射(impinging radiation)(或用輻射照射導熱結構)，以實現該導熱結構與入射輻 射之間的相互作用並對該電子器件的可轉換結構(例如，相變結構) 進行加熱，在入射到該導熱結構的輻射作用下，該可轉換結構耦合至 該導熱結構，從而使該可轉換結構在兩種相態之間進行轉換(採用間 接加熱方式)，其中，該可轉換結構在至少兩種相態的不同相態具有 不同的電氣性能。例如，該可轉換結構的一部分或整體在至少兩種相 態中的至少一種相態中是導電的。
術語"電子器件"具體可以指實現了任何電、磁和/或電子功能的 任何部件、構件或設備。這意味著，在正常使用中，可以對該電子器
9件應用或者由其產生電、磁和/或電子信號。
術語"導熱結構(或可加熱結構)"具體可以指任何明確適用於 與輻射相互作用，而且可以特別地作為間接加熱劑以加熱諸如相變材 料之類的熱耦合結構的任何物理部件。特別地，該導熱結構可以是能 由入射輻射加熱的電極。該導熱結構可以被表示為真正的加熱劑(輻 射)與要被加熱的結構(相變材料)之間的熱接口。從而，該導熱結 構可以被特別地設計為以合適的方式(例如通過吸收)與輻射進行相 互作用以及有效地將熱能傳導到相變材料。
術語"可轉換結構"具體可以指任何具有可轉換的性能的物理結 構。這樣的例子有相變結構或性能隨熱變化的結構。相變材料不但可 以具有兩種相，還可以具有多於兩種的相，例如，晶態、非晶態、元
-非晶態、元晶態、具有不同晶格定向的晶態等。
術語"相變結構"具體可以指具有在入射輻射的作用下會改變任 何物理參數或材料性能的性能的任何物理結構。這可能特別意味著諸 如硫族化合物在非晶結構和晶態結構之間的轉換，伴隨著電導率的顯 著變化。不過，可以用這個術語涵蓋任何其他的諸如從固相到液相的 改變的相變，這些相變與物理性質的改變有關。
術語"熱耦合"具體指的是導熱結構和相變材料以可以在這兩種 結構之間進行有效的熱傳導、熱輻射或熱對流的方式連接。換句話說， 對導熱結構進行加熱會導致對相變結構的加熱。
術語"輻射"具體指的是光子或粒子束(例如，a射線或(3射線)。
具體來講，術語"電磁輻射"可以表示任何合適的波長的光子束。這可
以包括光譜(例如，400nm至800nm的範圍)，但還可以包括其他 波長的電磁輻射，例如紫外線、紅外線或者甚至是X射線。
術語"存儲器單元"具體指的是允許以電子方式存儲信息的物理 結構，諸如(例如)單片集成在諸如矽襯底之類的襯底中的層序。存 儲在存儲器單元中的信息量可以是1比特(具體是在相變材料在兩種 相之間進行切換時)或者可以是幾比特(具體是在相變材料在至少三 種相之間進行切換時)。可以在一種襯底上和/或中形成這種存儲器 單元，這種襯底可以表示任何合適的材料，諸如半導體、玻璃、塑料等。根據示範性實施例，術語"襯底"可以通常被用來定義作為位於感 興趣的層或部分上和/或下的層的元件。而且，襯底可以是在其上形 成了層的任何其他的基底，例如，諸如矽晶片或矽晶片之類的半導體 曰曰斤o
根據本發明的示範性實施例，電子器件被提供了輻射束，其中， 導熱結構被輻射激活。這種對導熱結構的照射會自動地將熱耦合到導 熱結構的相變結構加熱到相變結構根據加熱模式改變它的相的程度， 該加熱模式是通過導熱結構從輻射間接地施加到相變結構上的。從 而，相變結構可以在關於該相變結構的電導率不同的兩種模式之間進 行切換，從而允許採用這種相變結構作為電子開關元件。這可以應用 於存儲器、執行器、開關等領域。與通過用輻射直接照射相變結構實 現對相變結構的完全直接加熱的傳統方法相比，本發明的實施例選擇 性地照射專用導熱結構(因此，其可以被具體設計用於有效地進行能 量轉換和能量傳遞)，這反過來向這種能量轉換結構提供了熱功率。
在DVD/CD中需要反射層和特別的鈍化，罩材料對光源必須是 透明的，從而，出於同樣的原因，它不能被集成在晶片中。根據本發 明的示範性實施例，由於輻射不需要是光，不需要特別的鈍化塗層， 那麼，可以採用標準的CMOS鈍化。
從而，根據本發明的示範性實施例，可以提供採用入射輻射的 相變可編程方案。相變材料具有響應於特定的溫度曲線將它們的結構 從晶態改變到非晶態的能力。這種結構特性的改變需要高溫才能發 生。根據本發明的示範性實施例，採用(電磁)輻射來對電極進行加 熱，可以對相變材料進行編程。這個電極可以採用吸收的電磁輻射來 升溫。鄰近相變材料元件放置的電極的溫度曲線會被耦合到該相變材 料。可以用電極的溫度曲線並從而用入射的輻射來控制相變溫度曲線 (例如，見圖12的實施例)。用成對電極構件存儲器，相變材料會 對這些存儲器帶來新的價值。由於可以省去用大電子信號進行編程， 可以將實施這種相變材料系統的存儲器單元的開關電晶體做的非常 小。
根據本發明的示範性實施例，提供了一種存儲器單元，該存儲器單元包括由相變材料所組成的存儲器元件。可以提供一種電晶體元 件，用於提供將相變材料設置為結晶相的編程電流。還可以被表示為 導熱結構的控制元件可以適用於接受輻射能並將其轉變成溫度，其 中，可以定位該控制元件，使得在該控制元件與相變材料之間可以出 現熱傳輸。本發明的實施例涉及用入射輻射進行相變編程，這可以實 施被用來存儲信息的相變材料。材料結構在結晶相和在非晶相不同， 因此性能也不同。為了在這兩種相之間進行轉換，需要溫度的升高。 高溫快速冷卻會產生非晶相，而溫度的小幅升高或緩慢冷卻會產生晶 相。通過向基於矽的存儲器單元施加諸如電磁輻射之類的輻射，會導 致該單元中的溫度局部升高。取決於脈衝的形狀和參數，溫度曲線不
同，會產生一種相或另一種相。
根據本發明的示範性實施例，小的電晶體可以SET該存儲器。
通過向相變線傳送SET脈衝(例如通過施加電信號)並同時傳送額 外的功率，可以實現RESET狀態。電磁輻射束可以提供這種需要的 額外功率，來達到RESET溫度。從而，電磁輻射還可以被用來將相 變材料加熱到所需的溫度。
一般來說，本發明的實施例可以利用溫度來利用材料的性能的 改變(例如，相變材料的結構)，其中，通過採用外部入射輻射(例 如，電磁輻射)加熱元件(例如，鄰近的電極)，可以提供這個溫度。
通過可以採用的輻射來升高電極的溫度可以實現很多效果。一 種適當的效果是在下文要解釋的感應加熱。
感應加熱是一種非接觸加熱過程。它可以採用高頻電來對導電
材料進行加熱。由於相應的加熱過程是非接觸過程，這種加熱過程不
會汙染被加熱的材料。由於熱實際上是在工件內部產生的，這種加熱
過程也非常有效。
由於法拉第電磁感應定律而產生的渦電流為 em/ = —dO / &
在這個等式中，em/是物體中的時變磁通量所產生的電動勢。物 體內的電流可以產生焦耳熱，升高材料的溫度。
交變磁場在導電工件中感生電流。取決於工件材料的性質，會產生多種效果。
可以將該系統想像為變壓器，其中，電磁輻射可以被認為是在 初級線圈和次級線圈之間流動。工件可以是例如短路的單匪次級線 圈。這會使大量的電流流過工件。這被已知為渦電流。除此之外，在 感應加熱應用中所採用的高頻會產生叫做趨膚效應的現象。這種趨膚 效應使交變電流在趨近工件表面的薄層中流動。這種趨膚效應增大了 金屬到大電流通路的有效電阻。從而，它極大地增大了在工件中感生 出的電流所產生的加熱效果。
對於永磁材料，特別是鐵和一些種類的鋼之類的含鐵材料，在 出現渦電流的同時，還會出現其他的加熱機構，加熱電感器中的強度 交變磁場會重複地使鐵晶體重複地磁化和消磁。這種磁疇的快速翻轉 會導致大量的摩擦，並在材料內部產生熱。由於這種方法而導致的加 熱已知為磁滯損耗，是由在其B-H曲線內具有大面積的材料產生的。 這對於感應加熱過程中所產生的熱是一個巨大的促進因素，但只出現 在含鐵材料內部。出於這個原因，含鐵材料使它們比非鐵材料更容易 被感應加熱。
當被加熱到大約70(TC以上時，鋼會失去它的磁性。這個溫度已 知為居裡溫度。這意味這在70(TC以上不能用磁滯損耗對材料進行加 熱。對材料的任何進一步加熱都只是因為所感應的渦電流。銅和鋁都 沒有磁性而且是電的良導體的事實使這些材料面臨有效加熱的挑戰。 用於這些材料的適當對策取決於由於趨膚效應而使損耗擴大的頻率。 銅和鋁的這種性質產生了根據本發明的示範性實施例可以獲得的另 一種優勢。較差的加熱效率、天線規則和設計以及缺少趨膚效應(由 於銅線或鋁線的尺寸)可以確保晶片上的銅在加熱器顯著地升高溫度 時保持較低的溫度。
將相變材料編程到它的非晶相(熔化溫度)所需的溫度可能取 決於這種相變材料的成分。通常的溶化溫度在60(TC左右，但可能小 於56(TC。由於感應加熱可以得到這些溫度，這些值證明本發明的這 些實施例在溫度方面的可行性。另外， 一般趨勢是降低編程溫度來減 小功耗和電晶體要求。由於這些材料可以利用磁感應加熱到很高的溫
13度，在不需要其他電子脈衝的情況下，只採用輻射就可以達到非結晶 和結晶溫度。
另一個問題是淬火率。為了能夠使這種物質處於非晶態，在加
熱之後需要快速冷卻。1HK/s可能是可行的冷卻速度。
用光可以形成對物體進行加熱的不同種類的輻射。NIR(近紅外)
光可以被用來加熱納米殼、摧毀癌細胞，還可以被用來觸發相變材料 的切換。
根據本發明的示範性實施例，可以顯著縮小的空間(更小的晶
體管)來構建存儲器(RAM、 MTP、 OTP等)。這些存儲器可以電 可編程為SET狀態，並可以電磁擦除(在單個操作中將整個存儲器 擦除)為RESET狀態。與此類似，較小的電晶體足以使得存儲器的 尺寸可以被減小。
在相變材料和存儲器領域中可以實施本發明的示範性實施例， 其中，並行編程允許在同一時間對大量存儲器進行大量編程。由於可 以避免大電晶體，它允許生產尺寸大大降低的嵌入OTP,這種嵌入 OTP可以由最終客戶甚至用戶編程。另外，本發明的實施例還可以 被用來進行對相變存儲器的整塊擦除。
為了擦除(RESET)存儲器，用電子SET脈衝可以對入射輻射 所產生的熱進行增強。不過，如果加熱器和入射輻射調諧得足夠好， 用入射輻射達到的溫度就足夠，而不同其他的電子SET脈衝。
在同一時間可以對很多存儲器進行擦除(非晶態或RESET)， 這可以節省時間和金錢。例如，通過加熱腔或加熱爐可以實現這種操 作，將所有要被編程的存儲器放入加熱腔或加熱爐中。在這種加熱腔 中，可以產生電磁輻射(例如紅外輻射)。
可替換地，還可以獨立於其他的存儲器單元對單個存儲器單元 進行擦除或編程。通過能夠產生束的電磁輻射源可以實現這種操作， 該束在空間上被限制在非常小的尺寸上。出於這個目的，可以採用激 光束或者與要被編程/擦除的結構具有同一量級的尺寸的光源。從而， 可以進行單個或整體編程/擦除。
在產品(例如電子晶片)包含嵌入存儲器的情況下，可以用幾個編程循環對這些存儲器進行測試，之後，以通常的編程狀態(通常
所有的存儲器處於非晶態/RESET/擦除狀態)將這些存儲器送往第三 方。只通過對想要的SET/結晶模式進行編程以及通過這種方式按照 用戶特定的需要對產品進行配置，用戶就能夠對自己的數據進行編 程。
從集成的角度來看，非常感興趣的另一個優點是簡單。由於加 熱器結構具有很大程度的靈活性，生產相應的集成電路不需要額外的掩模。
取決於外部電磁輻射或對外部電磁輻射敏感，本發明的其他功 能與致動器、控制器或磁放大器一樣也是有用的。
採用這種方法還可以構建電磁輻射傳感器和/或致動器。這可以 允許包括很多其他的應用，例如，增益控制器、輻射檢測器等。
根據本發明的示範性實施例，當通過用外部入射輻射(例如電 磁輻射)可以加熱的元件(例如鄰近的電極)來提供溫度時，採用這 個溫度能夠進行材料性質(例如相變材料的結構)的變化。
很多實施例可以應用於所述的概念涉及形狀和加熱器電極的
相關位置、關於相變材料結構和成分的實施例、加熱器電極結構和成 分、二者之間的關係、尺寸、入射輻射的性質和形狀以及裝置的最終 應用。
例如，可以放置加熱器電極，使其與隨溫度變化的元件呈如下
位置關係平行、垂直、形成夾角、在其上、在其下、接觸或隔離。 入射輻射使該電極變熱、將一部分熱耦合到隨溫度變化的材料，並使 這種溫度材料的性質發生變化。
加熱器元件可以是(涉及在其中或其上形成了該系統的襯底的) 水平或垂直結構，可以包括一個或幾個級別。
加熱器可以由任何材料、元素、合金或者前述的組合所製成， 由於入射的電磁輻射而升高它的溫度。
隨溫度變化的材料(例如相變材料)可以是瞬時地改變或在較 長時間內改變，這些改變可以是可逆的，或者是不可逆的。
根據本發明的示範性實施例，提供了輻射傳感器(和/或致動器和/或增益控制器)。在電磁輻射傳感器的情況下，鄰近隨溫度變化 的材料(例如，NTC電阻， 一種具有負溫度係數的電阻)放置加熱 器電極，場的變化可能引起電流和加熱器電極的改變。這種溫度改變 可能使隨熱變化的材料的值改變，用它來控制它所嵌入的器件(例如， 電晶體的極化點)。以這種方式，可以製造基於入射輻射的自動增益 控制器、自動開關。
根據本發明的示範性實施例，沒有直接向相變材料提供能量， 而是向(並行)加熱器提供能量，該加熱器可以更好地利用這些能量 (由於可以特別地調諧這種可加熱元件，來吸收一個頻率或另一個頻 率的輻射等)。在上下文中，可以採用諧振吸收效應。在上下文中， 導熱結構和輻射可以根據另一個調整。可以用入射輻射的功率和/或 頻率來調諧用於影響可加熱元件的輻射脈衝，而且可以處理不同的加
熱器(吸收輻射，產生熱量)。
從而，輻射可以被用來升高加熱器的溫度，這個溫度可以改變 相變材料的溫度。
根據本發明的示範性實施例要採用的輻射(特別是電磁輻射) 可以被用來加熱電極並間接地改變相變材料的電阻。所採用的輻射可 以是任何種類的電磁輻射。根據本發明的示範性實施例的處理是完全
可逆的，因此，可以操作存儲器單元來RESET或SET，而且可以進 行很多(無限)次。
根據輻射的特性(波長、強度等)和電極的特性(對電磁頻譜 的特定吸收、鐵磁等)，可以使它可以感應到期望的輻射。例如，可 以選擇適當的電極(方便集成，具有鐵磁性以利用鐵磁疇的加熱效應 等)，然後配置所採用的最適合的輻射來進行加熱。
接下來，解釋了該電子器件的其他示範性實施例。不過，這些 實施例也適用於操作該電子器件的方法。
導熱結構可以被布置得由入射在該導熱結構上的電磁輻射加 熱。換句話說，當具有特定頻率、帶寬、強度、極化、相干和/或幅 度特性的電磁束對準諸如電極之類的導熱結構時，電磁輻射和導熱結 構的材料之間出現相互作用，這導致在導熱結構和/或熱耦合到該導熱結構的相變材料(例如，以可以在這兩種結構之間進行熱傳導、熱 輻射或熱對流)中產生熱量。從而，可以用非直接加熱方案進行有效 的導熱，非直接加熱方案允許分別對導熱結構進行優化，以實現電磁 輻射與相變材料的適當的相互作用，實現合適的相變特性。
可以調整該相變結構，使得導電率的值在兩種相態之間不同。 在至少兩種相態的一種相態中，該相變結構是導電的(例如，基本上 是金屬性質的導電)。在另一種相態中，電導率可能比第一種相態的 電導率高或低，例如，該相變結構可以是超導體的、或者是半導體、 或者是絕緣體、或者也是導體但具有改變了的電導率。在該電子器件 的正常工作中，該電子器件的功能會被影響、會被定義或者取決於該 相變結構的電導率的當前值。這允許採用該相變結構在不同相模式下 的不同電導率值來製造存儲器單元、開關、致動器、傳感器等。
可以調整該相變結構，使得這兩種相態中的一種相態涉及晶相 而這兩種相態中的另一種相態涉及該相變結構的非晶相。在硫族化合 物材料中可以發現這種材料性質。可以採用硫族化合物玻璃， 一種包 含硫族元素(硫、硒或碲)化合物作為主要成分的玻璃。相變材料的
例子有GeSbTe、 AglnSbTe、 InSe、 SbSe、 SbTe、 InSbSe、 InSbTe、 GeSbSe、 GeSbTeSe或AglnSbSeTe。
該電子器件可以包含適用於產生入射在該導熱結構上的輻射的 輻射源。特別地，該電子器件可以包括適用於產生入射在該導熱結構 上的電磁輻射的輻射源。這種輻射源可以是諸如雷射或光電二極體之 類的單獨的電磁輻射源。不過，輻射源是其中防止了該導熱結構和相 變材料的爐也是可以的，其中，在爐中產生輻射表示可以被導熱結構 吸收並被熱傳輸到該相變材料以進行相變。這種爐可以是傳統的爐， 或者可以是可以在其中產生任何電磁輻射(例如微波等)的加熱腔。
這種輻射源適於產生根據至少一種預定的輻射脈衝模式的輻 射。例如，可以調整脈衝的強度、持續時間和形狀，來允許設計用於 將相變材料從非靜態改變到晶態的第一脈衝。可以對第二脈衝進行整 形，以將該相變材料從結晶形狀改變成非結晶形狀。從而，通過特別 地設計這些脈衝模式，可以對相變材料進行編程或設置。作用在相變結構上的隨時間改變的熱衝擊可以影響隨時間改變的激勵電磁輻射 源。
至少一種預定的輻射脈衝模式可以包括適於將該相變結構從兩 種相中的第一種相改變成兩種相中的第二種相的第一輻射脈衝模式， 還包括適用於將該相變結構從兩種相中的第二種相改變成兩種相中 的第一種相的第二輻射脈衝模式。第一輻射脈衝模式可以在第一時間 間隔上延伸，可以適用於將該相變結構加熱到第一溫度值。第二輻射 脈衝模式可以在第二時間間隔上延伸，可以適用於將該相變結構加熱 到第二溫度值。可選地，第一時間間隔可以比第二時間間隔長，第一 溫度值低於第二溫度值。而且，第一時間間隔的幅度可以大於第二時 間間隔的幅度。在這種情況下，第一輻射脈衝模式和第二輻射脈衝模 式均可以包括向右彎曲(即上凸)的上升沿和向左彎曲(即下凹)的 下降沿。在圖11中示出了這種模式的示例。這允許將相變材料從結 晶狀態可逆地轉換到非結晶狀態，反之亦然。精確的形狀可以在寬的
範圍被調整，而且變化很大。有利地，RESET脈衝採用比SET脈衝 高的幅度。而且，RESET可以具有陡的下降沿。SET通常具有緩和 的下降沿，但它還取決於材料。
不過，這些脈衝的下降沿也可以是不同的。這些形狀可以在很 大的範圍內被改變。甚至可以是脈衝串而不是一個脈衝(這會導致 SET模式而不是SET脈衝)。
通過對輻射脈衝(特別是電磁輻射脈衝)進行特別地整形，系 統仍然可以一方面識別當前的背景輻射(例如宇宙輻射或日光)，另 一方面可以識別為控制相變材料所特地產生的輻射。換句話說，輻射 模式可以作為用本發明所產生的來觸發相變的輻射脈衝的某種特徵。
配置導熱結構，使其由入射的電磁輻射以由感應加熱導熱結構 並以交替地對導熱結構磁化和消磁所組成的組的方式所加熱。對於這 種感應加熱過程，可以採用法拉第感應定律，也就是說，在可以採用 由高頻電磁場照射的感應材料中所產生的渦電流。那麼，通過電阻損 耗抑制渦電流可以作為加熱方法。可替換地，當該導熱結構具有磁性 時，特別是具有順磁性、鐵磁性、鐵淦氧磁性、反鐵磁性時，可以實
18現通過時變磁場對導熱結構進行磁化和消磁(的交錯順序)。在這種 情況下，在時變磁場的影響下，磁矩會重新定向，這還會在材料中產 生摩擦損耗，摩擦損耗會被轉換成熱量，對相變結構進行加熱。
導熱結構可以是電極。電極可以是特別地被設計為易於吸收特 定電磁輻射的導電構件。這可以包括以通過照射可以在電極中激發準 粒子或諧振的方式設計電極。而且，可以在該電極中包括添加劑，來 增強與輻射(特別是電磁輻射)的相互作用。
通過單個或多個結構可以形成導熱結構，例如，本發明的一個 可能的實施例可以是環繞可轉換結構的一個或多個環(見圖14)。 導熱結構可以具有相對於可轉換結構的相對位置或距離。用作導熱結 構的材料可能是由輻射的電磁輻射加熱的任何材料。特別地， 一個實 施例可以將鐵磁材料用作加熱器，其中，適當的鐵磁材料是鋼、鎳、 鈷和錳或者它們的混合物，而且，很多類型的鋼示出了非常好的鐵磁 性。
該電子器件可以包括電耦合到相變結構的開關(特別是場效應 電晶體或二極體)。在這種結構中，場效應電晶體可以用作開關來允 許接通相變結構，或者阻止這種接通。不過，與傳統的系統相反，這 些相變結構不必然只能電編程，也就是說，只能通過向場效應電晶體 並隨後向相變結構施加電學編程信號。與此相反，可以用非常小的信 號來控制場效應電晶體，並可以通過電磁輻射使相變結構在不同的相 模式之間轉換。這還允許採用成本非常低的場效應電晶體，這些晶體 管不必須具有承受高電壓的能力來轉換相變結構。
該電子器件可以包括附加的加熱機構以選擇性地對相變結構進 行加熱，特別是通過向相變結構施加電子加熱信號進行附加的加熱。
例如，當存儲器要被編程時，SET脈衝和RESET脈衝均以電磁方式 產生。可替換地，還可以提供結晶脈衝，和/或以電學方式提供一部 分RESET脈衝(以有線方式)，並增加以電磁方式提供RESET脈衝 特別需要的另一部件(以無線方式)。從而，由於只需要施加低能量 的電子信號，可以實施低成本電晶體。
該電子器件可以適用於存儲器器件。在這種存儲器器件中，具體根據相變結構的兩種或更多相態的當前相態，可以將1比特或多比 特信息存儲在相變結構的當前狀態。
該電子器件還適用於存儲器陣列，這是多個(大量)前述類型 的存儲器器件的配置。在這種存儲器陣列中，可以以類似矩陣的方式 安排這些存儲器單元，通過位線和字線對這些存儲器單元進行控制， 所述位線和字線具有用於切換來接通想要的獨立的存儲器單元或存 儲器器件的電晶體。特別地，通過將存儲器陣列放置在爐(可以採用 通常的爐或在其中產生電磁輻射的專用腔)中，可以對存儲在所有這 些存儲器器件上的信息進行整塊擦除。可以在一個共用襯底上集成多 個存儲器單元。
該電子器件還適用於增益控制器。通過發射與導熱結構相互作
用的電磁增益控制信號，有意地觸發相變結構(或NTC)的相變，
由於與負載串聯連結的相變結構的電導率會被調整，相變結構的相變 會對施加在負載上的增益有直接影響(負載還可以是相變材料，而控 制結構可以是性質隨熱量變化的材料)。在這種情況下，不但相變可 以被觸發，而且性質隨溫度變化的任何其他元素的屬性也可以變化。
該電子器件還適用於電磁輻射傳感器。當出現要被檢測的電磁 輻射時，它會與導熱結構相互作用，會產生相變結構的相態的改變。 從而，相變結構的電導率會根據檢測到的電磁輻射而改變，可以以電 學方式對這種改變進行採樣。
該電子器件還可以作為致動器，這是因為相變結構的電導率的 改變會導致驅動信號的變化。
將該電子器件適用為微機電機構(MEMS)也是可行的。由入 射的電磁控制信號引起的相變結構的相變所改變的電子信號可使該 微機電機構(MEMS)的可移動部件進行特定運動。
很明顯，相變材料的改變以及(因此)它的電導率的改變可以 被用來構建控制器、開關和磁放大器等。
輻射(特別是電磁輻射脈衝)可以被用來對被配置為存儲器單 元的電子部件中的信息進行編程(存儲)和/或從電子部件中將這些 信息擦除。
20對於很多方法步驟，可以實施半導體技術中的已知的任何傳統
的步驟。形成層或部件可以包括類似與CVD (chemical vapour deposition, 化學氣相沉禾只)、PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition,等離子體增強化學氣相沉積)、ALD (atomic layer deposition,原子層沉積)或濺射之類的沉積技術。去除層或部件可以 包括溼法蝕刻、蒸氣蝕刻等之類的蝕刻技術以及光刻技術、UV光刻 技術、電子束光刻技術等之類的圖案成型技術。
本發明的實施例不局限於特定的材料，使得可以採用很多不同 的材料。對於導電結構，可以採用金屬化結構、矽化物結構或多晶矽 結構。對於半導體區域或部件，可以採用晶體矽。對於絕緣部分，可 以採用氧化矽或氮化矽。
在純粹的晶體矽晶片上或在絕緣體上矽晶片(SOI, Silicon On Insulator)上形成這種結構。
可以實施類似於CMOS、BIPOLAR或BICMOS技術之類的其他 處理工藝。
本發明的上述定義的方面和其他方面從下文說明的實施例的示 例中變得清楚，並參照實施例的這些示例得到解釋。


參照本發明的不限制本發明的實施例的示例，下文詳細地說明 了本發明。
圖l示出了根據本發明的示範性實施例的電子存儲器單元器件。 圖2示出了傳統的存儲器單元的SET和RESET溫度曲線圖。 圖3示出了通常的相變存儲器單元。
圖4示出了通常相變單元中的最小非結晶功率/結晶功率。 圖5示出了施加在通常存儲器單元中的SET和RESET電流。 圖6示出了用在通常相變存儲器陣列設計上的電晶體電流。 圖7示出了根據本發明的示範性實施例的電子器件。 圖8示出了集成存儲器單元的圖像。
圖9示出了根據本發明的示範性實施例的改進的集成存儲器單元的圖像。
圖IO示出了根據本發明的示範性實施例的改進的存儲器單元的圖像。
圖ll示出了根據本發明的示範性實施例的相變元件的編程溫度 曲線圖。
圖12示出了根據本發明的示範性實施例的自動增益控制器。
圖13示出了根據本發明的示範性實施例的電子存儲器單元器件。
圖14示出了根據本發明的示範性實施例的電子器件的加熱器布 置和可轉換材料。
圖15至圖27示出了在執行生產根據本發明的示範性實施例的 電子器件的方法時所獲得的層序。
具體實施例方式
附圖中的示圖是示意性的。在不同的附圖中，對相同或相似的 元件提供了相同的參考標號。
在下文中，參照圖1解釋了作為根據本發明示範性實施例的電 子器件的示例的存儲器單元100。
存儲器單元100包括第一電接觸101 (其可以成為參考電勢)和 第二電接觸102。提供了電極103作為導熱結構。由硫族化合物製成 的相變結構104連接在第一電接觸101和第二電接觸102之間。通過 加熱，硫族化合物104可以在晶相和非晶相之間轉換。相變結構104 的電導率在這兩種狀態不同。
第二電接觸102耦合至開關電晶體120的漏極。由於在開關晶 體管120的源極和漏極之間流動的電流值取決於電導率並因此取決 於相變結構104的當前相位，通過向開關電晶體120的柵極施加合適 的電壓，可以對存儲在相變結構104中的信息進行採樣/編程。
從圖1中可以看出，導熱結構103被布置成由入射在電極103 上的電磁輻射106所加熱。相變結構104熱耦合至導熱結構103，使 得在輻射106入射在導熱結構103上時，相變結構104可以在晶相和
22非晶相之間轉換。通過嚮導熱結構103施加相應的輻射106模式，產
生熱105，對熱耦合的相變結構104進行加熱，可以調整相變結構104 的所選擇的相位模式。
在本實施例中，由諸如激活或光電二極體之類的電磁輻射源107 發出的電磁輻射106是紅外輻射。可替換地，可以簡單地將單元IOO 放置在其中產生電磁輻射的爐中，從而消除對光源107的需求。提供 孔108並以使得輻射106隻入射在導熱結構103上的方式布置了孔 108，從而直接對硫族化合物結構104進行加熱。
用於根據本發明的其他示範性實施例的應用的電磁輻射可以是 MHz量級的。在這種實施例中，光和孔不是必要的。感應電爐可以 被用於類似的應用中(加熱金屬)。
由於硫族化合物104的電導率在晶相和非晶相狀態是不同的， 在部件101和102之間流動的電流(作為施加在結構101和102之間 的恆定電壓的結果)取決於當前相位，使得單元IOO可以被用作存儲 器。例如，硫族化合物104的較大的電導率可以被解釋為邏輯值"l"， 硫族化合物104的較小的電導率可以被解釋為邏輯值"O"。
下文要詳細說明的是，在控制單元110的控制下，電磁輻射源 107所產生的電磁輻射106的脈衝模式允許精確設計是否將硫族化合 物結構104從晶相轉換成非晶相或者相反(見圖ll)。
圖7示出了作為如何構建本發明的實施例的一般說明的示例的 電子器件700。
起始點是諸如相變材料或可變元件之類的具有隨溫度變化的特 性的材料104。緊靠這種材料，嵌入在其中或者甚至與其隔離地放置 加熱器103。加熱器103可以由能夠用外部入射輻射106加熱的材料 所製成。來自加熱器103的熱流701會直接或間接地到達隨溫度變化 的材料104。如果這種熱流701足夠，或者如果用其他附加的熱源(例 如焦耳加熱元件、雷射等)對這種熱流進行增強，隨溫度變化的材料 104會改變它的特性。
圖8示出了相變存儲器單元的單片集成半導體結構800的圖像。 一起示出了部件101、 102和104與電絕緣結構801。圖9示出了根據本發明的示範性實施例的存儲器單元900，其基
於圖8中所示的結構800。
另外，與相變材料104並行地提供了加熱器103。
在圖10所示的實施例1000中，垂直於相變材料104的延長部
分放置加熱器103。
圖11示出了曲線圖IIOO，該圖示出了根據本發明的示範性實施
例的諸如圖l或圖7所示的相變元件之類的相變元件104的編程溫度
曲線圖。
沿曲線圖1100的橫坐標1101繪製了時間。沿曲線圖1100的縱 坐標1102繪製了溫度。圖11示出了非晶態RESET脈衝1103,該脈 衝1103使硫族化合物104從晶相轉換成非晶相。而且，在圖11中示 出了結晶SET脈衝U04，可以施加該脈衝1104，來使硫族化合物104 從非晶相轉換成晶相。圖11所示的脈衝只是示範性的，可以具有不 同的形狀。
在相變存儲器100的情況下，可以向加熱器103施加電磁輻射 束106，以直接或間接地對相變材料104進行編程。電磁輻射106應 當具有短脈衝的形狀，來產生可以對鄰近的相變材料104進行編程的 適當溫度曲線。在圖11中示出了所需的溫度曲線。
從中可以看出，在本實施例中，非晶態RESET脈衝1103和結 晶SET脈衝1104均具有凸的上升沿和凹的下降沿。從圖11中可以 看出，非晶態RESET電磁輻射脈衝1103比結晶電磁SET脈衝1104 包括更高的溫度，但持續時間可能較短。
構建加熱器元件103有很多方式。通過自對準工藝、用鑲嵌技 術、通過生長等可以沉積、形成圖案和生成。
加熱器103的工作原理可以是基於產生於磁化加熱時一起產生 的渦電流。在US 6,884,328 B2中公開了這種加熱過程的例子，通過 引用這些相關的加熱過程，將該專利申請併入本文。
在下文中，參照圖12解釋了根據本發明的示範性實施例的自動 增益控制器1200。
入射輻射106的能級控制圖12所示的自動增益控制器1200。將電壓Vin施加到熱電阻104的第一連接。當輻射106照射加熱器電極 103時產生熱，使熱電阻104的電阻率值發生變化。這改變了施加到 場效應電晶體1201的柵極的電壓Vg。示出了連接在Vg和參考電壓 1203之間的輔助電阻1202。而且，柵極電壓Vg控制了 MOSFET 1201 的電導率，使得通過入射的輻射106可以調整施加到連接在MOSFET 1201的源極區域或漏極區域中的一個和參考電勢1203之間的負載 1203上的增益。
本文所述的系統的優點是可以將它用在集成電路中。這裡，可 以對電磁輻射進行測量並採取相應的行動。可以將這些部件的每一個 或一部分集成在小的集成電路(IC)中。
一個可能的應用是針對噪聲或電磁兼容的保護。它可以作為開 關來打開或關閉系統、或在出現電磁場的情況下根據電磁場的強度來 調諧增益
在下文中，參照圖13解釋了作為根據本發明的示範性實施例的 電子器件的實例的存儲器單元1300。
在圖13的實施例中，相變材料104作為可控電容，與夾在第一 電極101和相變材料104之間的第一電介質結構1301連接，並與夾 在第二電極102和相變材料104之間的第二電介質結構1302連接。 當通過入射輻射加熱導熱結構103時，改變了相變材料104的結構， 並改變了布置1300的電容。
圖13的實施例允許選擇性地改變單元1300的電容，而不是只 改變電導率。當然，還可以改變相變結構的電導率，也可以特別地只 對單元1300的電容的改變進行採樣或感測。
圖14示出了根據本發明的示範性實施例的環形加熱器103和可 轉換材料104的布置1400。
在下文中，參照圖15至圖27解釋了生產根據本發明的示範性 實施例的電子器件的方法。
圖15示出了作為起始點的電介質襯底1500。
為了獲得圖16中所示的層序1600，在電介質襯底1500上沉積 鐵磁體層1601。200880010971.7
在層序2000上沉積電介質層
對相變材料2201形成圖案。 在層序2300上沉積另一個電
為了獲得圖17中所示的層序1600，在鐵磁體層1601上沉積光 致抗蝕劑層1701。隨後，用輻射束對光致抗蝕劑層1701進行曝光。
為了獲得圖18所示的層序1800，對光致抗蝕劑層1701形成圖 案，產生結構1801。
為了獲得圖19所示的層序1900，將結構1801用作掩模，對鐵 磁體層1601形成圖案。
為了獲得圖20所示的層序2000
為了獲得圖21所示的層序2100 2101。
為了獲得圖22所示的層序2200，在層序2100上沉積相變材料 2201。
為了獲得圖23所示的層序2300
為了獲得圖24所示的層序2400 介質層2401，並對其進行曝光。
為了獲得圖25所示的層序2500，例如，通過蝕刻對另一個電介 質層2401形成圖案，產生溝槽2501。
為了獲得圖26所示的層序2600，通過在層序2500上沉積材料， 形成導電電極結構2601。
為了獲得圖27所示的層序2700，對電極結構2601形成圖案。
最後，應當注意的是，上述實施例是對本發明的說明而不是對 本發明的限制，在不脫離由所附權利要求所限定的本發明的範圍的情 況下，本領域技術人員能夠設計出很多可替換的變型。在權利要求書 中，放置在括弧中的任何參考標記不應當被解釋為對本發明的限制。 所用詞"包括"或"包含"以及類似的用語不應當排除那些沒有在作為 整體的任何權利要求項或說明書中列出的元件或步驟的出現。元件的 單數引用並不排除這些元件的複數引用，反之亦然。在列舉了幾項裝 置的裝置權利要求中，可以將這些裝置中的幾項實現為一個裝置或者 軟體或硬體的同一項目。在互相不同的從屬權利要求中引用的某些措 施的簡單事實並不表示不能採用這些措施的組合來獲得優勢。
權利要求
1.一種電子器件(100)，所述電子器件(100)包括導熱結構(103)；可轉換結構(104)，通過加熱，所述可轉換結構(104)在至少兩種狀態之間轉換，其中，所述可轉換結構(104)在所述至少兩種狀態中的不同狀態具有不同的電氣性能；其中，所述導熱結構(103)被布置得與入射在所述導熱結構(103)上的輻射(106)相互作用；其中，所述可轉換結構(104)耦合到所述導熱結構(103)，使得當所述輻射(106)入射在所述導熱結構(103)上時，所述可轉換結構(104)在所述至少兩種狀態的不同狀態之間轉換。
2. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述可轉換 結構(104)是隨熱變化的結構，特別是在至少兩種相態之間轉換的 相變結構。
3. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述可轉換 結構(104)在所述至少兩種狀態的至少一種狀態是導電的。
4. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述不同的 電氣性能是組成所述可轉換結構(104)的或包含所述可轉換結構(104) 的構件的不同的電導率值、不同電容率值、不同磁導率值、 不同電容值和不同電感值的組中的至少一個。
5. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其包括電子檢測電 路(101、 102、 120)，所述電子檢測電路適於檢測所述可轉換結構(104)在所述至少兩種狀態的不同狀態下的不同電氣性能。
6. 根據權利要求l所述的電子器件(100)，其中，所述導熱結構(103)被布置為由入射在所述導熱結構(103)上的電磁輻射(106) 加熱。
7. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，以所述電導 率的值在所述至少兩種狀態下不同的方式調整所述可轉換結構(104)。
8. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述可轉換 結構(104)適於使所述至少兩種狀態中的一種涉及所述可轉換結構(104)的晶相，而所述至少兩種狀態中的另一種涉及所述可轉換結 構(104)的非晶相。
9. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其包括輻射源(107), 特別是電磁輻射源，所述輻射源(107)適於產生所述輻射(106)， 特別是適於產生入射在所述導熱結構(103)上的電磁輻射。
10. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述輻射 源(107)適於根據至少一種預定的輻射脈衝模式(1103， 1104)產 生所述輻射(106)。
11. 根據權利要求IO所述的電子器件(100)，其中，所述至少 一種預定的輻射脈衝模式(1103， 1104)包括第一輻射脈衝模式(1104) 和第二輻射脈衝模式(1103)，第一輻射脈衝模式(1104)適於將所 述可轉換結構(104)從所述至少兩種狀態的第一種狀態轉換到所述 至少兩種狀態的第二種狀態，第二輻射脈衝模式(1103)適於將所述 可轉換結構(104)從所述至少兩種狀態的第二種狀態轉換到所述至 少兩種狀態的第一種狀態。
12. 根據權利要求11所述的電子器件(100)， 其中，第一輻射脈衝模式(1104)適用於將所述可轉換結構(104)加熱到第一溫度值；其中，第二輻射脈衝模式(1103)適用於將所述可轉換結構(104) 加熱到第二溫度值；其中，第一溫度值低於第二溫度值。
13. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述導熱結構(103)被配置成以如下方式由入射電磁輻射(106)加熱，其中 由感應加熱所述導熱結構(103)和通過交替地對所述導熱結構(103) 進行磁化和消磁來加熱所述導熱結構(103)的所構成的組的方式加執o"、、0
14. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其中，所述導熱 結構(103)是電極。
15. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其包括電耦合到 所述可轉換結構(104)的開關(120)，特別是場效應電晶體。
16. 根據權利要求1所述的電子器件(100)，其包括補充加熱 機構，用於對所述可轉換結構(104)進行選擇性加熱，特別是補充 加熱機構通過向所述可轉換結構(104)施加電子加熱信號加熱來加 熱。
17. 根據權利要求1所述的電子器件，其適於作為組成電子器件 (100)、存儲器陣列、增益控制器(1200)、電磁輻射傳感器、輻射傳感器、致動器、微機電結構、控制器、開關和磁放大器的組中的一種。
18. —種操作電子器件(100)的方法，所述方法包括步驟在所述電子器件(100)的導熱結構(103)上進行入射輻射(106)， 以進行所述導熱結構(103)和所述入射輻射(106)之間的相互作用；加熱所述電子器件(100)的可轉換結構(104)，所述可轉換 結構(104)耦合到所述導熱結構(103)，在入射到所述導熱結構(103) 的輻射(106)的影響下，使所述可轉換結構(104)在至少兩種狀態 中的兩種狀態之間轉換，其中，所述可轉換結構(104)在至少兩種 相態的不同相態下具有不同的電氣性能。
19.根據權利要求18所述的方法，其中，轉換步驟包括對配置 為存儲器單元的所述電子器件(100)進行信息編程和從所述電子器 件(100)中擦除信息組成的組中的至少一種。
全文摘要
電子器件(100)包括導熱結構(103)和相變結構(104)，通過加熱，該相變結構(104)可以在兩種相態之間轉換，其中，該相變結構(104)在兩種相態中的至少一種相態是導電的，其中，該導熱結構(103)被布置成由入射在導熱結構上的輻射(106)加熱，其中，該相變結構(104)熱耦合到該導熱結構(103)，使得該相變結構(104)在輻射(106)入射在該導熱結構(103)上時在這兩種相態之間轉換。
文檔編號H01L45/00GK101652874SQ200880010971
公開日2010年2月17日 申請日期2008年3月19日 優先權日2007年3月30日
發明者卡倫·阿滕伯勒, 戴維·蒂奧·卡斯楚 申請人:Nxp股份有限公司