電子器件的製造方法
2023-04-22 18:24:26 3
專利名稱：電子器件的製造方法
技術領域：
本發明涉及電子器件的製造技術，並且特別地涉及在應用於非接觸式電子標籤的引入線(inlet)的製造過程時的有效技術。
背景技術：
在日本未審專利公開No.2005-149352(專利文獻1)中，公開了這種裝置，它在對相對於繞組線圈將保護IC晶片的保護板布置到指定位置中的片狀IC模塊進行切割之前，通過探測裝置對保護板的位置進行探測，以足夠精度探測IC模塊的位置，並且通過控制裝置來控制輸送帶運送裝置的致動，使片狀IC模塊定位，從而正確地進行切割，而且確切地防止不同形式混合。
日本未審專利公開No.2005-149352發明內容非接觸式電子標籤是一種使半導體晶片中的存儲電路存儲希望數據，並且使用微波讀出這個數據的標籤，而且具有將半導體晶片安裝在從引線框架形成的天線中的結構。
因為電子標籤使半導體晶片中的存儲電路存儲數據，所以與使用條形碼等的標籤比較，它具有可存儲大量數據的優點。與條形碼存儲的數據比較，存儲電路存儲的數據還具有難以不正當地改變的優點。
在電子標籤的引入線的生產線中，連續引入線帶用作材料，並且各製造設備中的傳送組成一個帶運送系統。帶運送系統包括鏈齒運送系統和輥運送系統。
鏈齒運送系統是這樣一種方法它使用一個具有鉤住孔的突起並且稱為鏈齒的齒輪，鉤住沿突起上傳送方向在連續引入線帶的端部形成的孔(鏈齒孔)，並且通過鏈齒的旋轉來傳送連續引入線帶。因為這種方法在以相等間隔具有開口的孔上鉤住突起，並且通過鏈齒的旋轉來傳送連續引入線帶，所以具有少量的傳送距離的累積誤差。當以固定步進角操作的步進電動機用作鏈齒的驅動源時，能以相等間隔一個接一個傳送連續引入線帶。然而，存在這樣的問題因為鏈齒的突起被鉤掛在連續引入線帶的孔中，所以容易損壞孔，而且因為孔本身可能從開始由於損壞而變形，所以與孔的變形相應地將會發生位置精度的變化。在傳送的中途，鏈齒的突起可能與孔分開，並且存在連續引入線帶將會脫軌的問題。
另一方面，輥運送系統是這樣一種方法它用兩個輥將連續引入線帶夾在中間，並且通過摩擦力傳送它。也能處理薄連續引入線帶，而且這種方法對連續引入線帶造成很少損壞，並且能進行連續引入線帶的高速傳送。然而，當連續引入線帶隨著摩擦力的變化而光滑時，或存在諸如形成輥的圓的幾何誤差、包括設備或環境的機器主體的剛性和導軌的形成精度之類的傳送誤差的原因時，則存在連續引入線帶的輸送精度不穩定的問題。
本申請公開的一個典型發明的一個目的是提供能夠改善電子標籤的引入線的生產線中連續引入線帶的輸送精度的技術。
接下來將簡短地概括在本申請公開的發明中的典型發明。
根據本發明的電子器件的製造方法，其中該電子器件具有天線，該天線包括在絕緣膜的主表面中形成的導電膜；切口，其在天線的部分中形成，並且其端部延伸並存在於天線的外緣；半導體晶片，其經由多個凸點電極與天線電連接；和樹脂，其密封半導體晶片，該製造方法包括以下步驟
(a)製備連續帶狀的絕緣膜，利用該絕緣膜形成多個結構體，該結構體在主表面上方將半導體晶片與多個天線的每一個電連接；(b)利用兩個輥將連續帶狀的絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將結構體中的第一結構體移到第一位置；(c)在第一結構體移到第一位置的情況下，對第一結構體執行第一處理；(d)在第一結構體移到第一位置的情況下，獲得第一結構體的第一圖像，從該第一圖像測量第一結構體與第一實際位置之間的第一偏移量；和(e)利用兩個輥將連續帶狀的絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將結構體中與第一結構體按第一間距連續布置的第二結構體向第一位置僅移動第一距離，該第一距離為第一間距加上第一偏移量。
當將本申請公開的其他概要分成項並且簡短說明時，將為如下。
項1.一種用於製造電子器件的製造裝置，該電子器件具有天線，其包括在絕緣膜的主表面中形成的導電膜；切口，其在天線的部分中形成，並且其端部延伸並存在於天線的外緣；半導體晶片，其經由多個凸點電極與天線電連接；和樹脂，其密封該半導體晶片，該製造裝置包括以下步驟(a)製備連續帶狀的絕緣膜，利用該絕緣膜形成多個結構體，該結構體在主表面上方將半導體晶片與多個天線的每一個電連接；(b)利用兩個輥將連續帶狀的絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將結構體中的第一結構體移到第一位置；(c)在第一結構體移到第一位置的情況下，對第一結構體執行第一處理；(d)在第一結構體移到第一位置的情況下，獲取第一結構體的第一圖像，從第一圖像測量第一結構體與第一實際位置之間的第一偏移量；和(e)利用兩個輥將連續帶狀的絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將結構體中與第一結構體以第一間距連續布置的第二結構體向第一位置僅移動第一距離，該第一距離為第一間距加上第一偏移量。
項2.根據項1的製造裝置，其中通過在步驟(d)之後將第二結構體作為第一結構體來對待，重複步驟(c)和步驟(d)，對全部結構體執行步驟(c)和步驟(d)。
項3.根據項1的製造裝置，其中沿絕緣膜的傳送方向的方向來確定第一偏移量。
項4.根據項1的製造裝置，其中第一處理是對第一結構體的電波特性測試；和當通過電波特性測試探測到缺陷時，將半導體晶片從第一結構體中除去。
項5.根據項4的製造裝置，其中將結構體的每一個與相鄰的結構體以第一間距連續地布置；和在沿絕緣膜的傳送方向與第一位置隔開第一間距的整數倍的第二位置中，通過布置在第二位置上方的除去裝置，從通過電波特性測試探測到缺陷的第一結構體中除去半導體晶片。
項6.根據項2的製造裝置，其中將結構體的每一個與相鄰的結構體以第一間距連續地布置；第一處理是對第一結構體的電波特性測試；當通過電波特性測試探測到缺陷時，從第一結構體中除去半導體晶片；和在沿絕緣膜的傳送方向與第一位置隔開第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置來探測在第一結構體中半導體晶片的存在，並且分別地調查包括半導體晶片的第一結構體的第一數目，和不包括半導體晶片的第一結構體的第二數目。
項7.根據項6的製造裝置，其中第一光探測裝置通過圖片處理來探測在第一結構體中半導體晶片的存在。
項8.根據項1的製造裝置，其中在第一處理之前，預先對結構體執行第一測試；從結構體中的在第一處理之前由第一測試探測到缺陷的那個結構體中，預先除去半導體晶片；和在第一處理中，從第一圖像來區別在第一結構體中半導體晶片的存在，並且分別地調查包括半導體晶片的第一結構體的第一數目，和不包括半導體晶片的第一結構體的第二數目。
項9.根據項8的製造裝置，其中將結構體的每一個與相鄰的結構體以第一間距連續地布置；和在沿絕緣膜的傳送方向與第一位置隔開第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置使用雷射的光處理來探測在第一結構體中半導體晶片的存在，並且分別地調查包括半導體晶片的第一結構體的第一數目，和不包括半導體晶片的第一結構體的第二數目。
項10.根據項8的製造裝置，其中第一測試是對結構體的電特性檢查和對結構體的視覺檢查中的一種或多種。
項11.根據項10的製造裝置，其中在第一測試包括對結構體的視覺檢查的情況下，缺陷包括以下情況中的一種或多種碎屑對第一結構體的粘附、在第一結構體中產生的玷汙、樹脂的密封不良、半導體晶片的破損、第一結構體的變形和對在第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
項12.根據項1的製造裝置，其中在第一處理之前，預先對結構體執行第一測試，該第一測試包括電波特性測試和視覺檢查中的一種或多種；從結構體中的在第一處理之前由第一測試探測到缺陷的那個結構體中，預先除去半導體晶片；在第一處理中，從第一圖像來區別在第一結構體中半導體晶片的存在；在第一處理中，當確認在第一結構體中存在半導體晶片時，在將第一保持裝置移到接收第一結構體的第四位置之後，切割絕緣膜，並且使第一結構體單個地分離並容納在第一保持裝置中；和在第一處理中，當確認在第一結構體中不存在半導體晶片時，在從第四位置撤走第一保持裝置之後，切割絕緣膜，並且使第一結構體單個地分離。
項13.根據項12的製造裝置，其中當在第一處理中確認在第一結構體中不存在半導體晶片時，從第四位置撤走第一保持裝置，在將第二保持裝置移到第四位置之後，切割絕緣膜，並且使第一結構體單個地分離並容納在第二保持裝置中；和通過切割裝置，切割絕緣膜，並且使第一結構體單個地分離，該切割裝置通過探測到在第四位置中存在第一保持裝置和第二保持裝置而操作。
項14.根據項12的製造裝置，其中在第一測試包括對結構體的視覺檢查的情況下，缺陷包括以下情況中的一種或多種碎屑對第一結構體的粘附、在第一結構體中產生的玷汙、樹脂的密封不良、半導體晶片的破損、第一結構體的變形和對在第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
項15.根據項1的製造裝置，其中在第一處理中，在與傳送方向垂直相交的絕緣膜的寬度方向的兩端中，形成一個或多個第一孔；和以沿傳送方向的第二偏移量和沿絕緣膜的寬度方向的第三偏移量來確定第一偏移量。
項16.根據項15的製造裝置，其中將形成第一孔的開口裝置沿寬度方向僅移動第三偏移量，通過改變開口裝置和絕緣膜的相對位置，執行在步驟(e)移動第二結構體時對形成第一距離的第一偏移量中與第三偏移量相對應的部分的移動。
項17.根據項16的製造裝置，其中
將結構體的每一個與相鄰的結構體以第一間距連續地布置；和在沿絕緣膜的傳送方向與第一位置隔開第一間距的整數倍的第三位置中，獲取在第三位置下方的結構體的第二圖像，並且從第二圖像測量第三偏移量。
項18.根據項1的製造裝置，其中結構體形成一個或多個產品組；連續地布置形成一個產品組的結構體；在第一處理之前，在向絕緣膜延伸和存在的方向與第一位置隔開的第二位置中，對形成一個產品組的結構體的開始和末尾的結構體，給定一個識別產品組的第一標記；而且在第一處理之前，將一個產品組移到第五位置，通過操作員的視覺觀察來測試該一個產品組中所包括的結構體的外觀，將探測到外觀不良的結構體移到第二位置，並且在結構體移到第二位置的情況下，從結構體中除去半導體晶片；和在第一處理中，從第一圖像來區別在結構體中半導體晶片的存在，並且分別地調查包括半導體晶片的結構體的第一數目，和不包括半導體晶片的結構體的第二數目。
項19.根據項18的製造裝置，其中當探測到外觀不良的結構體在絕緣膜的傳送方向側上偏離第二位置時，通過沿與傳送方向相反的方向移動，將探測到外觀不良的結構體移到第二位置；和分別從第一數目和第二數目減去當探測到外觀不良的結構體移到第二位置時，經過第一位置的包括半導體晶片的結構體的第三數目和不包括半導體晶片的結構體的第四數目。
項20.根據項19的製造裝置，其中將結構體的每一個與相鄰的結構體以第一間距連續地布置；和在沿絕緣膜的傳送方向與第一位置隔開第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置使用雷射的光處理，探測在結構體中半導體晶片的存在，並且分別地調查包括半導體晶片的結構體的第五數目和不包括半導體晶片的結構體的第六數目。
項21.根據項20的製造裝置，其中分別從第五數目和第六數目減去當探測到外觀不良的結構體移到第二位置時，經過第三位置的包括半導體晶片的結構體的第七數目和不包括半導體晶片的結構體的第八數目。
項22.根據項18的製造裝置，其中外觀不良包括以下情況中的一種或多種碎屑對第一結構體的粘附、在第一結構體中產生的玷汙、樹脂的密封不良、半導體晶片的破損、第一結構體的變形和對在第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
以下將簡短地描述本申請公開的發明的最典型方面中的一些所實現的優點。
也就是，能夠改善電子標籤的引入線的生產線中連續引入線帶(絕緣膜)的輸送精度。
圖1是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的平面圖(前表面側)；圖2是放大和表示圖1的部分的平面圖；圖3是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的側視圖；圖4是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的平面圖(背表面側)；圖5是放大和表示圖4的部分的平面圖；圖6是作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的主要部分放大平面圖(前表面側)；圖7是作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的主要部分放大平面圖(背表面側)；圖8是作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線中安裝的半導體晶片的平面圖；圖9是圖8所示的半導體晶片的主表面上形成的凸點電極及其鄰近的橫截面圖；圖10是圖8所示的半導體晶片的主表面上形成的虛凸點電極及其鄰近的橫截面圖；圖11是圖8所示的半導體晶片的主表面中形成的電路的方塊圖；圖12是沿著用於電子標籤的引入線的製造過程，根據順序安置並示出各種設備的說明圖，這些各種設備用於製造作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線；圖13是說明作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程的流程圖；圖14是表示用於製造作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的長絕緣膜的部分的平面圖；圖15是放大和表示圖14所示的絕緣膜的部分的平面圖；圖16是內引線鍵合機的示意圖，表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程的部分(半導體晶片和天線的連接步驟)；圖17是放大和表示圖16所示的內部引線鍵合機的主要部分的示意圖；圖18和圖19是絕緣膜的主要部分放大平面圖，表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程的部分(半導體晶片和天線的連接步驟)；圖20是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程的部分(半導體晶片的樹脂密封步驟)的示意圖；圖21是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程的部分(半導體晶片的樹脂密封步驟)的絕緣膜的主要部分放大平面圖；圖22是表示製造作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線所使用的絕緣膜卷繞到捲軸上的狀態的側視圖；圖23是表示製造作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線所使用的長絕緣膜的部分的平面圖；圖24是表示在作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在通信特性測試中各步驟的流程的說明圖；圖25是表示作為本發明的實施例1的電子器件的電子標籤的引入線的製造過程中，在通信特性測試時的主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖；圖26是放大和表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中絕緣膜的主要部分的平面圖；圖27是表示作為本發明的實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中所使用的脈衝電動機單元的結構的說明圖；圖28是表示作為本發明的實施例2的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在非缺陷單元篩選步驟中各步驟的流程的說明圖；圖29是表示作為本發明的實施例2的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在非缺陷單元篩選步驟時主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖；圖30是放大和表示作為本發明的實施例2的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中的絕緣膜的主要部分的平面圖；圖31是表示作為本發明的實施例3的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在引入線的單個分離步驟中各步驟的流程的說明圖；圖32是表示作為本發明的實施例3的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在引入線的單個分離步驟時主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖；圖33是表示作為本發明的實施例3的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在引入線的單個分離步驟時主要部分中各儀器和部件的運動的主要部分橫截面圖；圖34是表示作為本發明的實施例4的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在鏈齒孔加工過程中各步驟的流程的說明圖；圖35是表示作為本發明的實施例4的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在鏈齒孔加工過程時主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖；圖36是表示作為本發明的實施例5的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在視覺檢查步驟中各步驟的流程的說明圖；和圖37是表示作為本發明的實施例5的電子器件的用於電子標籤的引入線的製造過程中，在視覺檢查步驟時主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖。
具體實施例方式
接下來在對根據本申請的發明進行詳細描述之前，將描述這裡使用的術語的含義。
術語「電子標籤」意指RFID(無線電頻率識別)系統或EPC(電子產品代碼)系統的中央電子部分，意指一般向幾毫米或更小(包括大於它的情況)的晶片賦予電子智能、通信功能和數據重寫功能，並且它通過電波或電磁波與一臺讀出機器通信。它也被稱為無線電標籤或IC標籤，並且通過附加到商品上而比條形碼高級地實現複雜信息處理。利用從天線側(晶片的外側或內側)的非接觸功率轉移技術，還存在一種不用電池而半永久可用的標籤。標籤具有各種構型，例如籤條型、卡狀、硬幣型和棒型，並且根據應用來選擇。關於通信範圍，有大約幾毫米至幾米的情況，並且這也根據應用適當地使用。
術語「引入線(一般它是RFID晶片和天線的綜合體。然而，也有一種沒有天線的情況和一種在晶片上疊置天線的情況。因此，引入線也可能包括沒有天線的情況。)」意指在金屬線圈(天線)中安裝了IC晶片的狀態下的基本類型的產品，而且雖然金屬線圈和IC晶片一般地將為裸狀態，但它們可以被密封。
術語「控制孔」意指在帶狀絕緣膜上形成的多個引入線中，在形成一個產品組(批)的多個引入線的第一個和最後一個中所形成的孔，並且表示一個產品組的起始和終止。
術語「脈衝電動機」意指通過輸入脈衝信號而可以進行運動控制的裝置，當輸入脈衝信號時它按一定角度旋轉，並且旋轉速度由脈衝信號的頻率來控制。
在下述實施例中，為了方便起見，必要時將在分成多個部分之後或以多個實施例進行描述。這些多個部分或實施例不是相互獨立的，而是相關的，其中一個是另一個的部分或全部的修改示例、細節或補充描述，除非另外特別地說明。
此外，在下述實施例中，當提及元件數(包括數目、數值、數量和範圍)時，該數不限於一個特定數，而可以等於或大於或小於該特定數，除非另外特別地說明或原理上明顯地該數限於該特定數。
而且，在下述實施例中，不用說組成元件(包括要素步驟)不總是必要的，除非另外特別地說明或原理上明顯地它們是必要的。此外，關於組成元件等，除指定它僅是該元件的情況外，自然不排除其他元件，特別當在一個實施例等中說「它由A組成」等時。
類似地，在下述實施例中，當提及組成元件的形狀或位置關係時，也包含與其大體上相似或類似的情況，除非另外特別地說明或原理上明顯地它不是。這也適用於上述數值和範圍。
此外，在用於描述實施例的全部附圖中，相同標號將標識相同功能的部件，並且將省略重複描述。
此外，在下述實施例中所使用的附圖中，即使平面圖有時也部分地畫上陰影線，以使其理解容易。
此後，基於附圖詳細地說明本發明的實施例。
(實施例1)
圖1是表示作為實施例1的電子器件的用於電子標籤的引入線的平面圖(前表面側)，圖2是放大和表示圖1的部分的平面圖，圖3是表示實施例1的用於電子標籤的引入線的側視圖，圖4是表示實施例1的用於電子標籤的引入線的平面圖(背表面側)，以及圖5是放大和表示圖4的部分的平面圖。如上所述，本實施例(例子)的一些或全部是一個連貫實施例(例子)的一些或全部。因此，關於重複部分，原則上省略說明。
實施例1的用於電子標籤的引入線1(此後僅稱為引入線)形成設有用於微波接收的天線的非接觸式電子標籤的主要部分。這個引入線1設有天線3和連接到天線3的晶片5，該天線3包括粘附在一個長條矩形的絕緣膜2的一側上的Al箔(導電膜)，而該晶片5其中通過填充樹脂4密封前表面和側面。在絕緣膜2的一個表面(其中形成天線3的表面)上，根據需要層壓覆蓋膜6，用於保護天線3和晶片5。
天線3沿上述絕緣膜2的長邊方向的長度例如是56mm，並且使其優化，以便能有效地接收2.45GHz頻率的微波。天線3的寬度是3mm，並且使其優化，以便使引入線1的小型化和強度的確保可兼容。
在天線3的幾乎中央部分中形成一個「L」字符形狀的切口7，其端部達到天線3的外緣，並且在這個切口7的中途部分中安裝由填充樹脂4密封的晶片5。
圖6和圖7是放大和表示形成有上述切口7的天線3的中央部分附近的平面圖，分別地，圖6表示引入線1的前表面側，以及圖7表示背表面側。在這些圖中，省略了對密封晶片5的填充樹脂4以及覆蓋膜6的圖示。
同樣的圖示，在切口7的中途部分中形成器件孔8，它是通過對絕緣膜2的部分進行衝孔而形成，並且在這個器件孔8的中央部分中布置晶片5。例如，器件孔8的尺寸是垂直×水平＝0.8mm×0.8mm，以及晶片5的尺寸是垂直×水平＝0.48mm×0.48mm。
如圖6所示，在晶片5的主表面上，例如形成四個Au(金)凸點9a、9b、9c和9d。在這些Au凸點9a、9b、9c和9d的每一個上連接引線10，引線10和天線3一體形成，並且其端部延伸並存在於器件孔8內部。
在上述四條引線10中，兩條引線10從由切口7分成兩側的天線3的一側延伸並存在於器件孔8內部，並且與晶片5的Au凸點9a和9c電連接。剩餘兩條引線10從天線3的另一側延伸並存在於器件孔8的內部，並且與晶片5的Au凸點9b和9d電連接。
圖8是表示在上述晶片5的主表面中形成的四個Au凸點9a、9b、9c和9d的布局的平面圖，圖9是Au凸點9a附近的放大截面圖，圖10是Au凸點9c附近的放大截面圖，以及圖11是在晶片5中形成的電路的方塊圖。
晶片5包括一個厚度約為0.15mm的單晶矽襯底，並且如圖11所示，在主表面中形成包括整流和傳送、時鐘提取、選擇器、計數器、ROM等的電路。ROM具有128比特的存儲容量，並且與諸如條形碼之類的存儲介質相比能存儲大量數據。有一個優點是與用條形碼進行存儲的數據相比，用ROM進行存儲的數據難以不正當地改變。
在形成有上述電路的晶片5的主表面上，形成四個Au凸點9a、9b、9c和9d。這四個Au凸點9a、9b、9c和9d位於圖8雙點鏈線所示的一對假想對角線上，並且它們布置成使得與這些對角線的交叉點(晶片5的主表面的中央)的距離可以幾乎相等。這些Au凸點9a、9b、9c和9d例如使用電解電鍍方法而形成，並且高度例如約為15μm。
雖然這些Au凸點9a、9b、9c和9d的布局不局限於圖8所示的布局，但是優先地它是在晶片連接時容易保持負載平衡的布局。例如，優先地布置為Au凸點的切線所形成的多邊形可以在平面布局中圍繞晶片的中央。
在上述四個Au凸點9a、9b、9c和9d中，Au凸點9a形成圖11所示的電路的輸入端子，以及Au凸點9b形成GND端子。剩餘兩個Au凸點9c和9d形成不與上述電路連接的虛凸點。
如圖9所示，對覆蓋晶片5的主表面的鈍化膜20和聚醯亞胺樹脂21進行蝕刻，在暴露的頂層金屬布線22上形成Au凸點9a，它形成電路的輸入端子。在Au凸點9a與頂層金屬布線22之間，形成用於提高二者粘附力的阻擋金屬膜23。鈍化膜20包括例如氧化矽膜和氮化矽膜的層壓膜，以及頂層金屬布線22例如包括鋁合金膜。阻擋金屬膜23例如包括Ti膜和Pd膜的層壓膜，Ti膜在鋁合金膜上方具有強粘附力，Pd膜對Au凸點9a具有強粘附力。雖然省略圖示，但形成電路的GND端子的Au凸點9b和頂層金屬布線22的連接部分也具有與上述相同的結構。另一方面，如圖10所示，形成虛凸點的Au凸點9c(和9d)連接到在與上述頂層金屬布線22相同布線層中形成的金屬層24，但是這個金屬層24不與電路連接。
因而，關於實施例1的引入線1，在絕緣膜2的一側中形成的天線3的部分中，形成其端部達到天線3的外緣的切口7，將晶片5的輸入端子(Au凸點9a)與由這個切口7分成兩側的天線3的一側連接，並且將晶片5的GND端子(Au凸點9b)與另一側連接。因為能夠加長天線3的有效長度，所以通過這種結構確保所需的天線長度，能夠實現引入線1的小型化的目標。
在實施例1的引入線1中，形成電路的端子的凸點9a和9b以及虛凸點9c和9d在晶片5的主表面上形成，並且這四個Au凸點9a、9b、9c和9d與天線3的引線10連接。因為與僅有兩個連接到電路的凸點9a和9b與引線10連接的情況比較，這種結構使Au凸點和引線10的有效接觸面積變大，所以改善了Au凸點和引線10的粘附強度，即兩者的連接可靠性。通過利用如圖8所示的布局，在晶片5的主表面上布置四個Au凸點9a、9b、9c和9d，當引線10與Au凸點9a、9b、9c和9d連接時，晶片5不會向絕緣膜2傾斜。因此，由於晶片5能由填充樹脂4確實地密封，所以引入線1的製造產量得到改善。
其次，使用圖12至圖25說明如上所述形成的引入線1的製造方法。
圖12是沿著引入線1的製造過程，布置和示出用於製造上述引入線1的各種設備的說明圖，以及圖13是說明上述引入線1的製造過程的流程圖。
首先，執行晶片處理(步驟P1)，其中在一個晶片狀半導體襯底(此後僅稱為襯底)的主表面上，形成半導體元件、集成電路、上述凸點電極9a至9d等。然後，通過劃片將晶片狀襯底分成晶片，形成上述晶片5(步驟P2)。
圖14是表示用於製造引入線1的絕緣膜2的平面圖，以及圖15是放大和表示圖14的部分的平面圖。
如圖14所示，連續帶狀的絕緣膜2在由捲軸25卷繞之後，運送到引入線1的製造過程。預先在這個絕緣膜2的一側按預定間隔形成許多天線3。為了形成這些天線3，例如在絕緣膜2的一側上粘附約20μm厚的Al箔，並且將這個Al箔蝕刻成天線3的構型。此時，在每個天線3處形成上述切口7和引線10。絕緣膜2是根據膜運送帶的標準的膜，並且包括一個例如50mm或70mm寬和25μm厚的由聚對苯二甲酸乙二醇酯(polythylene terephthalate)製成的膜。因而，通過由Al箔形成天線3和由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成絕緣膜2，與例如由Cu箔形成天線3和由聚醯亞胺樹脂形成絕緣膜2的情況比較，能減小引入線1的材料成本。
隨後，對天線3的其中安裝了晶片5的表面，給定用於識別諸如引入線1的產品號碼之類的種類的區別標記。這個區別標記例如能通過使用雷射的標記方法而形成。
其次，如圖16所示，包括在連貫裝配機器KIK中的設有鍵合臺31和鍵合工具32的內引線鍵合機30裝備有捲軸25，並且使絕緣膜2沿鍵合臺31的上表面移動，將晶片5與天線3連接(步驟P3)。
將尺寸和旋轉速度的操作等相同的標準件用於驅動輥KRL1，通過以兩個為一組，使絕緣膜2移動，兩個驅動輥KRL1將絕緣膜2夾在中間，並且它們通過摩擦力使絕緣膜2移動。圖16所示的四個驅動輥KRL1全部是相同標準的物件(thing)。在移動絕緣膜2時，通過應用這種方法，也能處理薄絕緣膜2，並且對絕緣膜2很少有損壞，而且它們能進行絕緣膜2的高速傳送。驅動輥KRL1從脈衝電動機(圖16中未示出)獲得功率，並且使其操作。
如圖17所示(圖16的主要部分放大圖)，為了將晶片5與天線3連接，在將晶片5安裝在加熱至約80℃的鍵合臺31上並且使絕緣膜2的器件孔8定位在這個晶片5正上方之後，將加熱至約350℃的鍵合工具32壓在向器件孔8內部突出的引線10的上表面上，並且使引線10與Au凸點(9a至9d)接觸。此時，通過對鍵合工具32施加約0.1秒的預定超聲波和預定負載，在引線10和Au凸點(9a至9d)的界面中形成Au/Al接合，並且Au凸點(9a至9d)和引線10相互粘附。
接下來，在將新晶片5安裝在鍵合臺31上並且使絕緣膜2連續移動天線3的一個間距之後，通過執行與上述相同的操作，將這個晶片5與天線3連接。此後，通過重複與上述相同的操作，將晶片5與絕緣膜2中形成的全部天線3連接。在通過捲軸25卷繞之後，將對其完成了晶片5和天線3的連接加工的絕緣膜2傳送到後續的樹脂密封步驟。
如圖18所示，為了改善Au凸點(9a至9d)和引線10的連接可靠性，最好使四條引線10在與天線3的長邊方向垂直相交的方向上延伸和存在。如圖19所示，由於當使四條引線10與天線3的長邊方向平行地延伸和存在時，對Au凸點(9a至9d)和引線10的接合處具有強拉應力作用，並且使完成的引入線1彎曲，所以存在兩者的連接可靠性會降低的可能性。
如圖20和圖21所示，在晶片5的樹脂密封步驟，使用包括在連貫裝配機器KIK中的灌封機(dispenser)33，對安裝在器件孔8內部的晶片5的上表面和側面供給填充樹脂4(步驟P4)。隨後，在連貫裝配機器KIK中形成的加熱爐中，通過約120℃對填充樹脂4執行暫時烘焙處理(步驟P5)。雖然省略圖示，但同樣在這個樹脂密封步驟中，使絕緣膜2移動，執行填充樹脂4的送給和暫時烘焙處理。如圖22所示，在通過捲軸25卷繞之後，將對其完成了填充樹脂4的送給和暫時烘焙處理的絕緣膜2傳送到加熱爐KNR(利用它執行接下來的烘焙處理)，並且通過約120℃執行烘焙處理(步驟P6)。
在用捲軸25卷繞之後，將對其完成了上述烘焙處理的絕緣膜2傳送到半自動視覺檢查設備HGK1。這裡，對其中在天線3中安裝了晶片5並用填充樹脂4密封了晶片5的結構體實行抽樣視覺檢查。這裡，不是對全部結構體實行視覺檢查，而是對進行了隨機抽樣的預定數的結構體實行視覺檢查(步驟P7)。也就是，當發現外觀不良時，通過步驟P6所使用的製造設備、材料等，準確指出在引入線1的製造中具有故障的部分，並且通過向回反饋給隨後引入線1的製造，防止由外觀不良的產生條件引起故障的產生。這裡所述的外觀不良包括以下情況中的一種或多種碎屑對結構體的粘附、在結構體中產生的玷汙、填充樹脂4的密封不良(溼度不足)、晶片5的諸如碎裂之類的破損、結構體的非優選的變形和在天線3中形成(標記)的上述區別標記的識別不良。在本步驟P7的抽樣視覺檢查中，可以適當地選擇通過半自動視覺檢查設備HGK1的圖片處理來探測外觀不良，通過操作員在檢驗監視顯示器上對進行了放大投影的圖像進行觀察來探測外觀不良，或這兩者。
隨後，當有用戶要求時，利用鏈齒孔開口機器SHK，在絕緣膜2的兩側部分中以預定間隔形成如圖23所示的用於傳送絕緣膜2的鏈齒孔36(步驟P8)。鏈齒孔36可以通過用衝孔機對絕緣膜2的部分進行衝孔而形成。另一方面，當不形成這樣的鏈齒孔36時，能減小形成鏈齒孔36所需的成本(對絕緣膜2的端部完成一批(兩件)鏈齒孔36的形成約1日元)。
隨後，通過通信特性測試設備TTK，對用作引入線1的上述結構體的每一個進行通信特性測試(步驟P9)。這裡，圖24是表示在通信特性測試時的各步驟的流程的說明圖，以及圖25是表示在通信特性測試時在通信特性測試設備TTK的主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖。
在通信特性測試時，首先，將上述結構體的第一物件(第一結構體)移到執行上述通信特性測試的位置(第一位置(此後稱為檢查位置))，並且執行通信特性測試(第一處理)。在實施例1中，使用所謂的粘附處理機進行通信特性測試，並且在使要檢查的結構體和輔助天線SANT的距離保持恆定的情況下，測量通信特性。對其執行通信特性測試的結構體通過屏蔽電波的切口等而在相鄰結構體之間被屏蔽，並且試圖使得相鄰結構體不會意外地接收從輔助天線SANT發射的用於測試的電波。包括計算機等的測試系統TSYS經由輔助天線SANT和RF(無線電頻率)讀出器RFR，分析結構體之間的通信結果，對執行了通信特性測試的結構體的通信特性執行質量判斷，並且將結果傳送到可編程控制器PLC。
在上述檢查位置中，CCD(電荷耦合裝置)照相機CAM1對該位置的結構體的平面圖像(第一圖像)照相，並且它將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC。圖像傳感器控制器PSC分析從CCD照相機CAM1傳送的圖像數據。測量作為受控對象(通信特性測試的對象)的結構體的參考位置已經停止處的坐標LCT1(參考圖26)與參考位置實質上應當停止處的坐標LCT2(參考圖26)之間的距離L1(參考圖26)(第一偏移量)。在實施例1中，關於作為受控對象(通信特性測試的對象)的結構體的參考位置和坐標LCT2，可以任意地建立，並且還可以瞬時響應精確定位。圖像傳感器控制器PSC通過將這個距離L1作為校正值來傳送給可編程控制器PLC。將校正值調整為標準的移動量(間距移動量(參考位置命令值))L2(參考圖26)，以使與上述受控對象的結構體具有預定間隔(第一間距)的當前連續形成的後續結構體(第二結構體)移到檢查位置，可編程控制器PLC作為實際移動量(位移位置命令值(第一距離))L3(參考圖26)傳送到定位單元LDU。這個定位單元LDU是一個脈衝發生器，它發送驅動脈衝電動機單元PMU的脈衝波，該脈衝電動機單元PMU用作傳送絕緣膜2(結構體)的驅動輥KRL1的驅動源。發送與驅動量相對應的脈衝序列，其中驅動輥KRL1僅將絕緣膜2傳送實際移動量。如圖示脈衝電動機單元PMU的結構的圖27所示，脈衝電動機單元PMU包括伺服電動機SMT和驅動單元DUN，該伺服電動機SMT具有電動機MT1和脈衝發生器PG1，該驅動單元DUN具有偏差計數器HCT、D/A(數字/模擬)轉換器DAC和伺服放大器SAMP。脈衝發生器PG1發送與電動機MT1的轉數成比例的反饋脈衝。偏差計數器HCT保持從定位單元LDU傳送的脈衝序列和從反饋脈衝計算的累積脈衝，並且通過這個累積脈衝確定電動機MT1的旋轉速度。通過保持固定累積脈衝，在D/A轉換器DAC中將累積脈衝轉換成模擬數據，以及經由伺服放大器SAMP傳送給電動機MT1，使電動機MT1的旋轉繼續。任何時候都從累積脈衝減去反饋脈衝。當從定位單元LDU傳送的脈衝序列停止並且累積脈衝將減小時，電動機MT1的旋轉速度將變低，並且當累積脈衝設置為0時，電動機MT1將停止。也就是，通過累積脈衝值和累積脈衝值的變化，能任意地設置電動機MT1的加速度和減速度，以及加速度和減速度時間等。當驅動輥KRL1在與從定位單元LDU所發送的脈衝序列相對應的這樣結構下傳送絕緣膜2時，能將要檢查的後續結構體傳送到檢查位置，消除先前檢查的結構體在檢查位置的位置偏移的影響。因此，能防止與要檢查的結構體相鄰的結構體將會前進到檢查位置，而且將會對相鄰結構體進行通信特性測試的故障。因為針對要檢查的每個結構體在檢查位置處測量位置偏移，在將後續結構體傳送到檢查位置時進行了反映和修正，所以能防止當檢查位置處的位置偏移累積時，檢查位置處的位置偏移將隨它成為後面結構體而變大的故障。
根據以上實施例1，由於利用使用驅動輥KRL1的輥運送系統來傳送其中形成了用作引入線1的結構體的絕緣膜2，例如，與鏈齒運送系統比較，能實現高速傳送，而且，能將對其執行通信特性測試的結構體以足夠精度移到檢查位置。
順便地，因為在使用一個絕緣膜2形成標準不同的引入線1時，對於每個引入線而言，天線3的寬度不同，所以使其移到上述檢查位置的標準的移動量(間距移動量(參考位置命令值))L2(參考圖26)對於在絕緣膜2上形成的每個上述結構體不同。在實施例1中，可以對每個結構體設置間距移動量L2。基於距離L1(參考圖26)建立的上述校正值每次都能被向回反饋給間距移動量L2，並且能確定實際移動量(位移位置命令值)L3(參考圖26)。也就是，即使當使用一個絕緣膜2形成標準不同的引入線1時，也能容易地應用實施例1。因此，能減小實施例1的引入線1的製造成本。
如圖25所示，它還能具有這樣的結構，關於在上述通信特性測試中判斷為缺陷單元的上述結構體，其利用通信特性測試設備TTK具有的金屬模(除去裝置)KGT對具有天線3的晶片5進行衝孔，從結構體中除去晶片5。此時在判斷為缺陷單元的結構體中形成預定直徑的開口。在這種情況下，設置上述間距移動量(參考位置命令值)L2，使得在絕緣膜2上形成的全部上述結構體可以按相等間距布置。金屬模KGT布置在沿絕緣膜2的傳送方向與上述檢查位置隔開間距移動量L2的整數倍(n倍)的位置處。在結構體被判斷為缺陷單元之後，通過進行n次的絕緣膜2的間距傳送(間距送給)，將判斷為缺陷單元的結構體傳送到金屬模KGT下方。同時，關於判斷為缺陷單元的該結構體後續的結構體，在檢查位置一個接一個地進行通信特性測試。當判斷為缺陷單元的結構體移到布置了金屬模KGT的位置時，可編程控制器PLC將向電磁控制閥DJB發送一個輸出信號，並且將打開電磁控制閥DJB。因此，使氣壓上升，作為空氣驅動器的金屬模氣缸KGS操作，使金屬模KGT下降，並且對晶片5與天線3衝孔。當傳感器探測到金屬模氣缸KGS的活動位置下限時，將從傳感器向可編程控制器PLC傳送一個探測信號。接收到探測信號的可編程控制器PLC斷開至電磁控制閥DJB的輸出信號，並且關閉電磁控制閥DJB。因此，氣壓下降，並且金屬模KGT上升。因而，通過具有從在通信特性測試中判斷為缺陷單元的結構體中除去晶片5的結構，變得可以以極其精確的位置對晶片5衝孔，抑制在金屬模KGT下方的位置偏移。
同樣可以優良地採用這樣的結構其通過在沿絕緣膜2的傳送方向與布置上述金屬模KGT的位置隔開間距移動量L2的整數倍(m倍)的位置(第三位置)處布置CCD照相機(第一光學探測裝置)CAM2，用CCD照相機CAM2對結構體的平面圖像照相，並且自動地區別在結構體中上述開口的存在，對非缺陷單元和缺陷單元的結構體的各自數目(第一數目，第二數目)進行計數。由此，抑制由CCD照相機CAM2在照相位置引起的結構體的位置偏移，並且能區別結構體中形成的開口，而不會發生錯誤識別。也就是，變得可以對非缺陷單元和缺陷單元的結構體的各自數目正確地計數。可以通過使用雷射束的裝置代替CCD照相機CAM2，對非缺陷單元和缺陷單元的結構體的各自數目進行計數。
其次，連貫篩選處理機SIH執行填充樹脂4(參考圖21)的視覺檢查(步驟P10)，對天線3給定的區別標記的視覺檢查(步驟P11)，和逐一通過步驟P10和步驟P11之後的非缺陷單元篩選(步驟P12)。
然後，在半自動視覺檢查設備HGK2中，對全部上述結構體進行視覺檢查(步驟P13)。這裡所述的外觀不良與使用半自動視覺檢查設備HGK1的步驟P7的相同。在本步驟P13的視覺檢查中，能適當地選擇通過半自動視覺檢查設備HGK2的圖片處理來進行外觀不良的探測，通過操作員在檢驗監視顯示器上對進行了放大投影的圖像進行觀察來探測外觀不良，或這兩者。
隨後，分別地調查最終在數量計數端子SCS處的上述非缺陷單元和缺陷單元的結構體的數目(步驟P14)。然後，執行由捲軸25卷繞的絕緣膜2的封裝和輸出(步驟P15)，並且在此之後裝運給用戶方(步驟P16)。在這種情況下，用戶方通過切割天線3之間的絕緣膜2，能獲得各引入線1。根據用戶的要求，可以在製造方(裝運方)將其切割成各引入線1的狀態下進行裝運。在裝運之前，可以在絕緣膜2的封裝和輸出之後進行預定數的絕緣膜2的隨機抽樣，並且可以通過用於檢驗的處理機CKH進行與步驟P9相同的通信特性測試。
(實施例2)在實施例2中，在步驟P12(參考圖13)的非缺陷單元篩選步驟中，應用在實施例1中步驟P9(參考圖13，圖24和圖25)所應用的絕緣膜2的傳送方法。
圖28是表示在步驟P12的非缺陷單元篩選步驟時各步驟的流程的說明圖，以及圖29是表示在非缺陷單元篩選步驟時連貫篩選處理機SIH的主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖。
在非缺陷單元篩選步驟時，首先將在絕緣膜2上形成並且後來構成引入線1(參考圖1至圖7)的結構體的第一物件移到執行非缺陷單元篩選的位置(此後稱為第一篩選實現位置)，並且執行非缺陷單元篩選。在第一篩選實現位置上布置CCD照相機CAM3，對在第一篩選實現位置的結構體的平面圖像照相，並且將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC。圖像傳感器控制器PSC分析從照相機CAM3傳送的圖像數據，並且區別作為受控對象(非缺陷單元篩選的對象)的結構體是否為非缺陷單元。也就是，因為在步驟P9對晶片5與天線3衝孔(參考圖13)，並且例如當它是一個缺陷單元時，在結構體中形成其直徑約為2mm的開口41(參考圖30)，所以圖像傳感器控制器PSC在圖像數據的分析中通過區別這個開口41的存在，判斷它是否為一個非缺陷單元。將判斷結果傳送到可編程控制器PLC，並且可編程控制器PLC對非缺陷單元和缺陷單元的各自量計數。
在實施例2中，CCD照相機CAM3也起到與實施例1中的CCD照相機CAM1相同的作用。也就是，在上述非缺陷單元篩選步驟時所攝圖像的數據不僅用於上述結構體的非缺陷單元篩選，而且通過由圖像傳感器控制器PSC進行分析，測量作為受控對象(非缺陷單元篩選的對象)的結構體的參考位置已經停止處的坐標LCT1(參考圖26)與參考位置實質上應當停止處的坐標LCT2(參考圖26)之間的距離L1(參考圖26)。除此之外，圖像傳感器控制器PSC的操作、可編程控制器PLC的操作、定位單元LDU的操作、脈衝電動機單元PMU的操作和驅動輥KRL1的操作與實施例1的那些相同。當驅動輥KRL1在這樣結構下傳送絕緣膜2時，在非缺陷單元篩選處理對象後續的結構體能被傳送到第一篩選實現位置，消除先前非缺陷單元篩選處理的對象的結構體在第一篩選實現位置的位置偏移的影響。由此，能防止與非缺陷單元篩選處理的對象的結構體相鄰的結構體前進到第一篩選實現位置，CCD照相機CAM3對相鄰結構體照相，並且得到錯誤篩選結果的故障。因為針對非缺陷單元篩選處理的對象的每個結構體測量在第一篩選實現位置處的位置偏移，在向第一篩選實現位置傳送後續結構體時進行反映和調整，所以能防止當第一篩選實現位置的位置偏移累積時，在第一篩選實現位置的位置偏移將會隨它成為後面結構體而變大的故障。
在使用上述CCD照相機CAM3的非缺陷單元篩選處理之前或之後，通過進一步使用雷射傳感器LSS並且探測從雷射傳感器LSS發射的雷射束的反射，可以區別上述結構體的非缺陷單元或缺陷單元。在這種情況下，設置間距移動量(參考位置命令值)L2(參考圖26)，使得在絕緣膜2上形成的全部上述結構體可以按相等間距布置。布置雷射傳感器LSS，使得在沿絕緣膜2的延伸方向與上述篩選實現位置隔開間距移動量L2的整數倍(n倍)的第二篩選實現位置中，雷射束可以照在一個結構體上。雷射傳感器LSS經由傳感放大器SA1向可編程控制器PLC傳送非缺陷單元或缺陷單元的區別結果，並且可編程控制器PLC對非缺陷單元和缺陷單元的各自量進行計數。由此，抑制在雷射束照在一個結構體上的第二篩選實現位置處結構體的位置偏移，並且能區別在該結構體中形成的開口41，而不會發生錯誤識別。也就是，變得可以對非缺陷單元和缺陷單元的結構體的各自數目更正確地計數。
根據以上實施例2，能獲得與實施例1相同的效果。
(實施例3)在實施例3中，將絕緣膜2切割並且單個分離為各引入線1。在絕緣膜2的切割步驟中應用在實施例1中步驟P9(參考圖13，圖24和圖25)所應用的絕緣膜2的傳送方法。
圖31是表示在絕緣膜2的切割步驟時各步驟的流程的說明圖。圖32和圖33是分別表示在絕緣膜2的切割步驟時各儀器和部件的運動的說明圖和主要部分橫截面圖。
在絕緣膜2的切割步驟時，首先將在絕緣膜2上形成的並且稍後構成引入線1(參考圖1至圖7)的結構體的第一物件移到執行切割處理的位置(此後稱為切割處理實現位置)。此時，用作切割對象的結構體被保持，以便它可以沿幾乎垂直方向延伸和存在。在切割位置中，布置CCD照相機CAM4，使得用作切割對象的結構體可以幾乎水平地照相，它對在切割處理實現位置的結構體的平面(側面)圖像照相，並且將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC。圖像傳感器控制器PSC分析從CCD照相機CAM4傳送的圖像數據，並且區別作為受控對象(單個分離處理的對象)的結構體是否為非缺陷單元。也就是，由於在當它是一個缺陷單元時在步驟P9(參考圖13)對晶片5與天線3衝孔的情況下形成開口41(參考圖30)，所以圖像傳感器控制器PSC在圖像數據的分析中通過區別這個開口41的存在來判斷它是否為非缺陷單元。將判斷結果傳送給可編程控制器PLC。當判斷結構體是非缺陷單元時，可編程控制器PLC斷開電磁控制閥DJB2的輸出信號，並且關閉電磁控制閥DJB2。因此氣壓下降，並且作為空氣驅動器的用於容納箱移動的氣缸SBC操作，使得用於非缺陷單元容納的容納箱SB1(第一保持裝置)可以移到切割對象的結構體下方(第四位置)。另一方面，當判斷結構體是缺陷單元時，可編程控制器PLC向電磁控制閥DJB2傳送一個輸出信號，並且打開電磁控制閥DJB2。由此氣壓上升，並且用於容納箱移動的氣缸SBC操作，使得用於缺陷單元容納的容納箱SB2可以移到切割對象的結構體下方。在切割對象的結構體下方，形成探測容納箱SB1或容納箱SB2移到了切割對象的結構體下方的傳感器。這個傳感器在它探測到容納箱SB1或容納箱SB2移到了切割對象的結構體下方時，將傳送告知該情況的信號。可編程控制器PLC在接收到該信號時，將傳送操作保持器HJG的信號。保持器HJG保持並固定絕緣膜2，從背面和前面夾緊它。隨後，可編程控制器PLC向電磁控制閥DJB3傳送一個輸出信號，並且打開電磁控制閥DJB3。由此氣壓上升，作為空氣驅動器的用於切割刀片致動的氣缸CYL1操作切割刀片BLD1，切割刀片BLD1切割天線3之間的絕緣膜2，並且得到單個分離的引入線1。因為容納箱SB1或容納箱SB2布置在切割對象的結構體下方，所以分別地，當它是非缺陷單元時，能將單個分離的引入線1容納在容納箱SB1中，以及當它是缺陷單元時，能將它容納在容納箱SB2中。
在實施例3中，CCD照相機CAM4也起到與實施例1中的CCD照相機CAM1相同的作用。也就是，在上述引入線1的單個分離步驟時所攝圖像的數據不僅用於上述結構體的非缺陷單元篩選，而且通過由圖像傳感器控制器PSC進行分析，測量作為受控對象(切割(單個分離)處理的對象)的結構體的參考位置已經停止處的坐標LCT1(參考圖26)與參考位置實質上應當停止處的坐標LCT2(參考圖26)之間的距離L1(參考圖26)。除此之外，圖像傳感器控制器PSC的操作、可編程控制器PLC的操作、定位單元LDU的操作、脈衝電動機單元PMU的操作和驅動輥KRL1的操作與實施例1的那些相同。當驅動輥KRL1在這樣結構下傳送絕緣膜2時，能將下一個切割處理的對象的結構體傳送到切割位置，消除先前切割處理的對象的結構體在上述切割位置中的位置偏移的影響。由此，能防止與切割處理的對象的結構體相鄰的結構體前進到切割位置，CCD照相機CAM4對相鄰結構體照相，並且取得錯誤篩選結果的故障。因為針對切割處理的對象的每個結構體，測量切割位置的位置偏移，在向切割位置傳送後續結構體時進行反映和調整，所以能防止當切割位置的位置偏移累積時，在切割位置的位置偏移將會隨它成為後面結構體而變大的故障。
根據以上實施例3，能獲得與實施例1和實施例2相同的效果。
(實施例4)在實施例4中，對步驟P8(參考圖13)的鏈齒孔加工處理，應用在實施例1中步驟P9(參考圖13、圖24和圖25)所應用的絕緣膜2的傳送方法。
同樣如以上實施例1所述，當接收到來自用戶的要求時，在實施例4中用鏈齒孔開口機器SHK(參考圖12)形成鏈齒孔(第一孔)36(參考圖23)。形成鏈齒孔36，以便例如當在用戶方執行引入線1(參考圖1至圖7)的切割(單個分離)處理時，使用鏈齒傳送絕緣膜2。
圖34是表示在步驟P8的鏈齒孔加工處理時的各步驟的流程的說明圖，以及圖35是表示在鏈齒孔加工處理時在鏈齒孔開口機器SHK的主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖。
在鏈齒孔加工處理時，首先將在絕緣膜2上形成並且稍後構成引入線1的結構體的第一物件移到執行鏈齒孔36的處理的位置(此後稱為處理位置)，並且在絕緣膜2中形成鏈齒孔36。在處理位置上或在處理位置下方布置CCD照相機CAM5，對在處理位置的結構體的平面圖像照相，並且將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC。
CCD照相機CAM5也起到與實施例1中的CCD照相機CAM1相同的作用。也就是，關於由CCD照相機CAM5所攝的圖像，當通過圖像傳感器控制器PSC進行分析時，測量作為受控對象(鏈齒孔處理的對象)的結構體的參考位置已經停止處的坐標LCT1(參考圖26)與參考位置實質上應當停止處的坐標LCT2(參考圖26)之間的距離L1(參考圖26)。除此之外，圖像傳感器控制器PSC的操作、可編程控制器PLC的操作、定位單元LDU的操作、脈衝電動機單元PMU的操作和驅動輥KRL1的操作與實施例1的那些相同。當驅動輥KRL1在這樣結構下傳送絕緣膜2時，能將後續結構體傳送到處理位置，消除先前結構體在處理位置處的位置偏移的影響。
順便提及，在用輥運送系統傳送絕緣膜2時，存在傳送下的絕緣膜2沿Z字形方向移動的特性，並且有可能也會使曲折量和曲折方向改變。鏈齒孔36總需要在沿絕緣膜2的傳送方向(以下實施例4將其稱為X方向)和與X方向垂直相交的方向(以下實施例4將其稱為Y方向)的固定位置處開口。也就是，這是因為在鏈齒傳送時，鉤住在鏈齒的周圍以恆定間隔形成的突起上的鏈齒孔36，傳送絕緣膜2。當在鏈齒孔36的X方向和Y方向的兩側的開口位置不精確時，有可能發生由於突起和絕緣膜2的接觸而損壞絕緣膜2，或在傳送途中絕緣膜2脫軌的故障。
因此，在實施例4中，在絕緣膜2上進一步布置CCD照相機CAM6，以測量在絕緣膜2的Y方向的位置偏移(曲折量)。CCD照相機CAM6對在CCD照相機CAM6下方的上述結構體的平面圖像(第二圖像)照相，並且它將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC2。圖像傳感器控制器PSC2使用與圖像傳感器控制器PSC沿結構體的X方向的位置偏移量(第二偏移量)的測量方法相同的方法，測量沿CCD照相機CAM6下方的上述結構體的Y方向的位置偏移量(第三偏移量)L4。將這個位置偏移量L4作為Y方向的校正值傳送給可編程控制器PLC。接收到關於位置偏移量L4的信息的可編程控制器PLC向金屬模(開口裝置)KGT2傳送一個打開鏈齒孔36的信號，使得它可以向Y方向僅移動位置偏移量L4，並且它使金屬模KGT2向Y方向僅移動位置偏移量L4。隨後，可編程控制器PLC向電磁控制閥DJB4傳送一個輸出信號，並且打開電磁控制閥DJB4。由此氣壓上升，作為空氣驅動器的用於金屬模KGT2致動的氣缸CYL2操作金屬模KGT2，並且在絕緣膜2中形成鏈齒孔36。
通過在以上結構下方形成鏈齒孔36，鏈齒孔36能在X方向和Y方向兩側的精確位置中對絕緣膜2形成開口，消除沿傳送方向前進的絕緣膜2的X方向和Y方向兩側的位置偏移(曲折)的影響。因為每當它執行一次對鏈齒孔36的開口時，就測量絕緣膜2的X方向和Y方向兩側的位置偏移，以在形成後續鏈齒孔36時進行反映和調整，所以能防止當鏈齒孔36的開口位置的位置偏移累積時，開口位置的位置偏移將會隨它成為後面鏈齒孔36而變大的故障。
根據以上實施例4，能獲得與實施例1至3相同的效果。
(實施例5)在實施例5中，在步驟P13(參考圖13)的視覺檢查步驟中，應用在實施例1中步驟P9(參考圖13，圖14和圖25)所應用的絕緣膜2的傳送方法。
圖36是表示在步驟P13的視覺檢查步驟時各步驟的流程的說明圖，以及圖37是表示在視覺檢查步驟時半自動視覺檢查設備HGK2的主要部分中各儀器和部件的運動的說明圖。
在實施例5中，在視覺檢查步驟時通過塊送給方法傳送絕緣膜2。這裡，塊送給方法是一種根據每個預定數(例如，約40件至50件)將在絕緣膜2上形成的並且稍後構成引入線1的結構體移到進行視覺檢查的位置(第五位置(此後稱為視覺檢查位置))。通過實施例1說明的校正結構體的位置偏移來傳送絕緣膜2的方式也能一起被使用。
在將要檢查的結構體組移到視覺檢查位置之後，進行結構體組中所包括的結構體的視覺檢查。在這個視覺檢查中，也如實施例1所說明的，能適當地選擇通過半自動視覺檢查設備HGK2的圖片處理來探測外觀不良，通過操作員在檢驗監視顯示器上對進行了放大投影的圖像進行觀察來探測外觀不良，或這兩者。
其次，將從其通過視覺檢查探測到外觀不良的結構體移到一個指定位置，並且通過金屬模KGT3對晶片5與天線3衝孔，從該結構體中除去晶片5。在這種情況下，可應用通過實施例1說明的絕緣膜2的傳送方法。也就是，將從其通過視覺檢查探測到外觀不良的結構體中的一個移到用金屬模KGT3執行衝孔的位置(此後稱為衝孔位置)，並且用金屬模KGT3對晶片5與天線3衝孔。當目標結構體此時沿絕緣膜2的傳送方向比金屬模KGT3位置靠後時，將絕緣膜2沿與傳送方向相反的方向傳送。通過使脈衝電動機單元PMU的伺服電動機SMT所包括的電動機MT1做反向旋轉，執行這個反方向傳送。將CCD照相機CAM7布置在衝孔位置上或衝孔位置下方，對在衝孔位置的結構體的平面圖像照相，並且將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器PSC。關於通過CCD照相機CAM7所攝的圖像，當通過圖像傳感器控制器PSC進行分析時，測量作為受控對象(晶片5的衝孔處理的對象)的結構體的參考位置已經停止處的坐標LCT1(參考圖26)與參考位置實質上應當停止處的坐標LCT2(參考圖26)之間的距離L1(參考圖26)。除此之外，圖像傳感器控制器PSC的操作、可編程控制器PLC的操作、定位單元LDU2的操作、脈衝電動機單元PMU的操作和驅動輥KRL1的操作與實施例1的那些相同。當驅動輥KRL1在這樣結構下傳送絕緣膜2時，可以將後續結構體傳送到衝孔位置，消除先前結構體在衝孔位置中的位置偏差的影響。
當受控對象的結構體移到衝孔位置時，可編程控制器PLC將向定位單元LDU2傳送一個信號，使得可以將金屬模KGT3移到衝孔位置。這個定位單元LDU2是一個脈衝發生器，它發送脈衝波，驅動用作驅動源的步進電動機單元SMU，以將金屬膜KGT3移到衝孔位置。步進電動機單元SMU包括步進驅動器SD1和步進電動機SM1。步進電動機SM1是一種脈衝電動機。從定位單元LDU2發送的脈衝由控制步進電動機SM1的操作的步進驅動器SD1所接收。步進驅動器SD1使步進電動機SM1僅操作與接收的脈衝波相對應的量，並且將金屬模KGT3移到衝孔位置。隨後，可編程控制器PLC向電磁控制閥DJB5傳送一個輸出信號，並且打開電磁控制閥DJB5。由此氣壓上升，並且作為空氣驅動器的用於金屬模KGT3致動的氣缸CYL3操作金屬模KGT3，並且對晶片5衝孔。因此，在結構體中形成開口41(也見圖30)。
在以上結構下通過從探測到外觀不良的結構體中對晶片5衝孔，消除先前受控對象(晶片5的衝孔處理的對象)的結構體的位置偏移的影響，能在精確位置中對晶片5衝孔。因為每當它執行一次晶片5的衝孔時，就測量受控對象的結構體的位置偏移，以在對後續晶片5衝孔時進行反映和調整，所以能防止當開口41的開口位置的位置偏移累積時，開口位置的位置偏移將會隨它成為具有後面開口的開口41而變大的故障。
在絕緣膜2上，可以形成多批(產品組)的上述結構體。在這樣情況下，對用作一批的頭和尾的結構體，執行用於獲取一批的批控制孔(第一標記)42的多次開口。為了製作這個批控制孔42，可以使用上述金屬模KGT3。此時，金屬模KGT3一個接一個地製作批控制孔42。從定位單元LDU2發送脈衝波，使得可以將金屬模KGT3布置到開口位置(第五位置)。關於作為批控制孔42的開口的對象的結構體的移動，由於執行與作為晶片5的上述衝孔處理的對象的結構體的移動控制相同的控制，所以能抑制位置偏移。在與上述開口41相同的位置處製作批控制孔42中的一個。
通過來自操作員的命令來製作上述批控制孔42的結構也是可行的。例如，通過操作員將半自動視覺檢查設備HGK2中形成的開關旋至ON，將半自動視覺檢查設備HGK2變成用於對批控制孔42開口的狀態。當可編程控制器PLC此時探測到開關設為ON時，可編程控制器PLC將向定位單元LDU2傳送一個信號，使得可以將金屬模KGT3移到金屬模KGT3的開口位置。此後，直到製作批控制孔42的各儀器的操作都如以上所述那樣。
同樣可行的是這樣的結構它也使用可編程控制器PLC，並且對上述結構體的非缺陷單元數和缺陷單元數計數，其中在形成開口41和批控制孔42之後在該位置(第三位置)中布置通過實施例1說明的CCD照相機CAM2(參考圖25)、通過實施例2說明的雷射傳感器LSS或這兩者。當這裡有一個操作使上述絕緣膜2沿傳送方向相反的方向移動時，執行這樣的處理通過可編程控制器PLC，分別從到那時計數得到的非缺陷單元數和缺陷單元數中減去同時經過的非缺陷單元和缺陷單元的結構體的各自數(第三數，第四數)。
根據以上實施例5，能獲得與實施例1至4相同的效果。
在前述中，基於以上實施例具體地說明了由本發明人所完成的本發明，但是本發明不限於以上實施例，而是當然可以在不偏離本發明的精神的限制內，以各種方式作出改變和修改。
雖然在上述實施例中使用在包括聚對苯二甲酸乙二醇酯的絕緣膜上粘貼的Al箔來形成天線，但是例如可以使用在絕緣膜的一側上粘貼的Cu箔來形成天線，或絕緣膜可以包括聚醯亞胺樹脂。
本發明的電子器件的製造方法可應用於例如用於電子標籤的引入線的製造過程中。
權利要求
1.一種電子器件的製造方法，所述電子器件具有天線，其包括在絕緣膜的主表面中形成的導電膜；切口，其在所述天線的部分中形成，並且其端部延伸並存在於所述天線的外緣；半導體晶片，其經由多個凸點電極與所述天線電連接；和樹脂，其密封所述半導體晶片，所述製造方法包括以下步驟(a)製備連續帶狀的所述絕緣膜，利用所述絕緣膜形成多個結構體，所述結構體在所述主表面上方將所述半導體晶片與多個所述天線的每一個電連接；(b)利用兩個輥將連續帶狀的所述絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將所述結構體中的第一結構體移到第一位置；(c)在所述第一結構體移到所述第一位置的情況下，對所述第一結構體執行第一處理；(d)在所述第一結構體移到所述第一位置的情況下，獲取所述第一結構體的第一圖像，從所述第一圖像測量所述第一結構體與所述第一實際位置之間的第一偏移量；和(e)利用所述兩個輥將連續帶狀的所述絕緣膜的兩側夾緊，通過摩擦力傳送，將所述結構體中與所述第一結構體以第一間距連續布置的第二結構體向所述第一位置僅移動第一距離，所述第一距離為所述第一間距加上所述第一偏移量。
2.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中通過在所述步驟(d)之後將所述第二結構體作為所述第一結構體來對待，重複所述步驟(c)和所述步驟(d)，對全部所述結構體執行所述步驟(c)和所述步驟(d)。
3.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中沿所述絕緣膜的傳送方向的方向來確定所述第一偏移量。
4.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中所述第一處理是對所述第一結構體的電波特性測試；和當通過所述電波特性測試探測到缺陷時，將所述半導體晶片從所述第一結構體中除去。
5.根據權利要求4的電子器件的製造方法，其中將所述結構體的每一個與相鄰的所述結構體以所述第一間距連續地布置；和在沿所述絕緣膜的傳送方向與所述第一位置隔開所述第一間距的整數倍的第二位置中，通過布置在所述第二位置上方的除去裝置，從通過所述電波特性測試探測到缺陷的所述第一結構體中除去所述半導體晶片。
6.根據權利要求2的電子器件的製造方法，其中將所述結構體的每一個與相鄰的所述結構體以所述第一間距連續地布置；所述第一處理是對所述第一結構體的電波特性測試；當通過所述電波特性測試探測到缺陷時，從所述第一結構體中除去所述半導體晶片；和在沿所述絕緣膜的傳送方向與所述第一位置隔開所述第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置來探測在所述第一結構體中所述半導體晶片的存在，並且分別地調查包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第一數目，和不包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第二數目。
7.根據權利要求6的電子器件的製造方法，其中所述第一光探測裝置通過圖片處理來探測在所述第一結構體中所述半導體晶片的存在。
8.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中在所述第一處理之前，預先對所述結構體執行第一測試；從所述結構體中的在所述第一處理之前由所述第一測試探測到缺陷的那個結構體中，預先除去所述半導體晶片；和在所述第一處理中，從所述第一圖像來區別在所述第一結構體中所述半導體晶片的存在，並且分別地調查包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第一數目，和不包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第二數目。
9.根據權利要求8的電子器件的製造方法，其中將所述結構體的每一個與相鄰的所述結構體以所述第一間距連續地布置；和在沿所述絕緣膜的傳送方向與所述第一位置隔開所述第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置使用雷射的光處理來探測在所述第一結構體中所述半導體晶片的存在，並且分別地調查包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第一數目，和不包括所述半導體晶片的所述第一結構體的第二數目。
10.根據權利要求8的電子器件的製造方法，其中所述第一測試是對所述結構體的電特性檢查和對所述結構體的視覺檢查中的一種或多種。
11.根據權利要求10的電子器件的製造方法，其中在所述第一測試包括對所述結構體的所述視覺檢查的情況下，所述缺陷包括以下情況中的一種或多種碎屑對所述第一結構體的粘附、在所述第一結構體中產生的玷汙、所述樹脂的密封不良、所述半導體晶片的破損、所述第一結構體的變形和對在所述第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
12.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中在所述第一處理之前，預先對所述結構體執行第一測試，所述第一測試包括電波特性測試和視覺檢查中的一種或多種；從所述結構體中的在所述第一處理之前由所述第一測試探測到缺陷的那個結構體中，預先除去所述半導體晶片；在所述第一處理中，從所述第一圖像來區別在所述第一結構體中所述半導體晶片的存在；在所述第一處理中，當確認在所述第一結構體中存在所述半導體晶片時，在將第一保持裝置移到接收所述第一結構體的第四位置之後，切割所述絕緣膜，並且使所述第一結構體單個地分離並容納在所述第一保持裝置中；和在所述第一處理中，當確認在所述第一結構體中不存在所述半導體晶片時，在從所述第四位置撤走所述第一保持裝置之後，切割所述絕緣膜，並且使所述第一結構體單個地分離。
13.根據權利要求12的電子器件的製造方法，其中當在所述第一處理中確認在所述第一結構體中不存在所述半導體晶片時，從所述第四位置撤走所述第一保持裝置，在將第二保持裝置移到所述第四位置之後，切割所述絕緣膜，並且使所述第一結構體單個地分離並容納在所述第二保持裝置中；和通過切割裝置，切割所述絕緣膜，並且使所述第一結構體單個地分離，所述切割裝置通過探測到在所述第四位置中存在所述第一保持裝置和所述第二保持裝置而操作。
14.根據權利要求12的電子器件的製造方法，其中在所述第一測試包括對所述結構體的所述視覺檢查的情況下，所述缺陷包括以下情況中的一種或多種碎屑對所述第一結構體的粘附、在所述第一結構體中產生的玷汙、所述樹脂的密封不良、所述半導體晶片的破損、所述第一結構體的變形和對在所述第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
15.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中在所述第一處理中，在與傳送方向垂直相交的所述絕緣膜的寬度方向的兩端中，形成一個或多個第一孔；和以沿傳送方向的第二偏移量和沿所述絕緣膜的寬度方向的第三偏移量來確定所述第一偏移量。
16.根據權利要求15的電子器件的製造方法，其中將形成所述第一孔的開口裝置沿所述寬度方向僅移動所述第三偏移量，通過改變所述開口裝置和所述絕緣膜的相對位置，執行在所述步驟(e)移動所述第二結構體時對形成所述第一距離的所述第一偏移量中與所述第三偏移量相對應的部分的移動。
17.根據權利要求16的電子器件的製造方法，其中將所述結構體的每一個與相鄰的所述結構體以所述第一間距連續地布置；和在沿所述絕緣膜的傳送方向與所述第一位置隔開所述第一間距的整數倍的第三位置中，獲取在所述第三位置下方的所述結構體的第二圖像，並且從所述第二圖像測量所述第三偏移量。
18.根據權利要求1的電子器件的製造方法，其中所述結構體形成一個或多個產品組；連續地布置形成所述一個產品組的所述結構體；在所述第一處理之前，在向所述絕緣膜延伸和存在的方向與所述第一位置隔開的第二位置中，對形成所述一個產品組的所述結構體的開始和末尾的所述結構體，給定一個識別所述產品組的第一標記；而且在所述第一處理之前，將所述一個產品組移到第五位置，通過操作員的視覺觀察來測試所述一個產品組中所包括的所述結構體的外觀，將探測到外觀不良的所述結構體移到所述第二位置，並且在所述結構體移到所述第二位置的情況下，從所述結構體中除去所述半導體晶片；和在所述第一處理中，從所述第一圖像來區別在所述結構體中所述半導體晶片的存在，並且分別地調查包括所述半導體晶片的所述結構體的第一數目，和不包括所述半導體晶片的所述結構體的第二數目。
19.根據權利要求18的電子器件的製造方法，其中當探測到外觀不良的所述結構體在所述絕緣膜的傳送方向側上偏離所述第二位置時，通過沿與所述傳送方向相反的方向移動，將探測到外觀不良的所述結構體移到所述第二位置；和分別從所述第一數目和所述第二數目減去當探測到外觀不良的所述結構體移到所述第二位置時，經過所述第一位置的包括所述半導體晶片的所述結構體的第三數目和不包括所述半導體晶片的所述結構體的第四數目。
20.根據權利要求19的電子器件的製造方法，其中將所述結構體的每一個與相鄰的所述結構體以所述第一間距連續地布置；和在沿所述絕緣膜的傳送方向與所述第一位置隔開所述第一間距的整數倍的第三位置中，通過第一光探測裝置使用雷射的光處理，探測在所述結構體中所述半導體晶片的存在，並且分別地調查包括所述半導體晶片的所述結構體的第五數目和不包括所述半導體晶片的所述結構體的第六數目。
21.根據權利要求20的電子器件的製造方法，其中分別從所述第五數目和所述第六數目減去當探測到外觀不良的所述結構體移到所述第二位置時，經過所述第三位置的包括所述半導體晶片的所述結構體的第七數目和不包括所述半導體晶片的所述結構體的第八數目。
22.根據權利要求18的電子器件的製造方法，其中所述外觀不良包括以下情況中的一種或多種碎屑對所述第一結構體的粘附、在所述第一結構體中產生的玷汙、所述樹脂的密封不良、所述半導體晶片的破損、所述第一結構體的變形和對在所述第一結構體中形成的區別標記的識別不良。
全文摘要
使用於電子標籤的引入線的生產線中連續引入線帶的傳送精度得到改善。將用作引入線的結構體的第一部分移到檢查位置，在那裡進行通信特性測試，並且CCD照相機對在檢查位置的結構體的平面圖像照相，而且將圖像數據傳送到圖像傳感器控制器。圖像傳感器控制器通過分析從CCD照相機傳送的圖像數據，測量結構體的位置偏移量，並且作為校正值傳送給可編程控制器。將校正值調整為標準的移動量，將它作為實際移動量傳送給定位單元，並且根據所傳送的移動量來移動後續結構體。
文檔編號H01L21/677GK1929104SQ20061012890
公開日2007年3月14日 申請日期2006年9月1日 優先權日2005年9月8日
發明者石澤春彥, 神隆治 申請人:株式會社瑞薩科技