用於背面接觸太陽能電池的具有高吸光層的防反射塗層的製作方法

2023-05-07 10:57:31 4

專利名稱：用於背面接觸太陽能電池的具有高吸光層的防反射塗層的製作方法
技術領域：
本發明總地來說涉及太陽能電池，更具體地但並非排他地涉及太陽能電池製造工 藝和結構。
背景技術：
太陽能電池是眾所周知的用於將太陽輻射轉化成電能的裝置。可以使用半導體處 理技術在半導體基底上製造太陽能電池。太陽能電池包括P型和N型擴散區。太陽輻射在 太陽能電池上的撞擊產生向擴散區遷移的電子和空穴，從而在擴散區之間產生電壓差。在 背面接觸太陽能電池中，擴散區及與其耦接的金屬接觸條均在太陽能電池的背面上。接觸 條使得外部電路能夠耦接到太陽能電池並由其供電。現有技術中背面接觸太陽能電池通常是公知的。在美國專利No. 5，053，083和 No. 4, 927, 770中公開了背面接觸太陽能電池的例子，兩者均通過引用整體上結合於此。圖 1示意性示出傳統背面接觸太陽能電池的另一示例。在圖1的示例中，傳統背面接觸太陽能電池100包括N型矽基底102。太陽能電 池100的正面總地標註為120，而與正面相對的背面總地標註為121。太陽能電池的正面在 正常操作期間面對太陽以收集太陽輻射。正面被形成隨機的紋理以減小反射從而增加基底 102中收集的太陽輻射量。在有紋理的矽表面上形成了包括熱生長二氧化矽(Si02)層122 和氮化矽層103的多層防反射結構110。太陽能電池100的背面包括P型擴散區105和N型擴散區106。可通過從背面擴 散適當的摻雜劑來形成擴散區105和106。金屬條109與P型擴散區105電連接，而金屬條 110與N型擴散區106電連接。金屬條109和110使太陽能電池100中產生的電子能夠被 外部電路所用。層107提供隔離以防止電短路。背面接觸太陽能電池的性能隨著Si02與Si之間的界面狀態密度減小而提高。因 此對二氧化矽層122與基底102表面之間的界面進行設計來減小它們之間的界面狀態密 度。氮化矽層103還可以進一步減小Si02/Si界面狀態對太陽能電池100的性能的影響。 減小Si02/Si界面狀態密度及其對太陽能電池性能的影響的工藝也被稱為「鈍化」。本發明的實施例有助於防止背面接觸太陽能電池的正面鈍化發生劣化。

發明內容
在一個實施例中，在太陽能電池的正面形成用於背面接觸太陽能電池的防反射結 構。該防反射結構包括鈍化層、鈍化層上的高吸光層、以及高吸光層上的低吸光層。鈍化層 可以包括在太陽能電池基底的有紋理的表面上熱生長的二氧化矽，該太陽能電池基底可以是N型矽基底。高吸光層可以被配置來阻擋至少10%的UV輻射進入基底。高吸光層可以 包括高k氮化矽，低吸光層可以包括低k氮化矽。本領域技術人員在閱讀完包括所附附圖和權利要求的本公開之後將明了本發明 的這些以及其它特徵。


圖1示意性示出傳統背面接觸太陽能電池。圖2示出傳統背面接觸太陽能電池的正面的導帶(band)的示圖，其說明導致正面 鈍化發生劣化的機制。圖3示意性示出根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池。圖4示意性示出根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池。圖5示出作為光波長的函數的非晶矽消光係數(k)的曲線圖。圖6示出作為光波長的函數的氮化矽消光係數(k)的曲線圖。圖7示出非晶矽和氮化矽的光特性和對光強的影響的表。圖8示出用於說明當在背面接觸太陽能電池的多層防反射結構中使用非晶矽時 UV穩定性得到改善的曲線圖。圖9示出非晶矽對量子效率的影響的曲線圖。圖10示出根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池的示意性示圖。圖11示出針對高k和低k氮化矽層的作為光波長的函數的消光係數的曲線圖。圖12示出低k和高k氮化矽的光特性和對光強的影響的表。圖13示出說明高k氮化矽的使用對背面接觸太陽能電池的效率的影響的實驗結^ o圖14示出說明高k氮化矽的使用對背面接觸太陽能電池的UV可靠性的影響的實
驗結果。圖15示出在根據本發明一個實施例的太陽能電池上形成多層防反射結構的方法 的流程圖。不同附圖中使用的相同參考符號表示相同或相似的部件。附圖未按照比例繪製。
具體實施例方式在本公開中，提供了許多具體細節，比如材料、工藝參數、工藝步驟和結構的例子 以供徹底理解本發明的實施例。然而，本領域技術人員將會理解，可以在沒有一個或多個這 些具體細節的情況下實施本發明。在另外一些示例中，沒有示出或描述公知的細節以避免 模糊了本發明的各個方面。不局限於理論，本發明人認為可以基於以下分析來改進當前可獲得的背面接觸太 陽能電池。正面有紋理的表面的鈍化對於製造高效的背面接觸太陽能電池而言十分重要，因 為從收集的太陽輻射產生的電子和空穴密度集中在矽基底的正面。光強以及矽基底中的光 生電子和空穴密度從基底正面到背面按指數下降。在正面上沒有良好的鈍化的情況下，大 量電子和空穴將會在Si02/Si界面處重新結合，導致降低太陽能電池效率。
UV輻射會使背面接觸太陽能電池的正面鈍化劣化，從而降低了效率並產生可靠性 問題。圖2示出傳統背面接觸太陽能電池的正面的導帶示圖，其說明導致正面鈍化發生劣 化的機制。二氧化矽的導帶與矽的導帶之間的能量差是3. leV。這個能量對應于波長為 400nm的光子的能量。波長比400nm短的UV輻射將會具有足夠能量激勵電子從矽導帶到達 二氧化矽導帶，從而提高了 Si02/Si缺陷狀態的密度。因此該過程導致電子和空穴在正面 的重新結合增加，降低了太陽能電池的效率。參見P. E. Gruenbaum、R. R. King、R. M. Swanson 的論文"Photoinjected hot-electron damage in silicon point-contact solarcells，，， Journal of Applied Physics, vol. 66,p.6110—6114,1989。圖3示意性示出根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池300。太陽能電池 300除了使用防反射結構310而不是110以外，都與圖1的太陽能電池100相同。太陽能電 池100和300相同的部件之前已經參考圖1作了描述。在一個實施例中，防反射結構310包括鈍化層312、形成於鈍化層312上的高吸光 層313、和形成於高吸光層313上的低吸光層314。在一個實施例中，鈍化層312包括熱生 長到大約0. 5nm至lOOnm厚的二氧化矽，低吸光層314包括通過等離子增強化學汽相沉積 或反應濺射法沉積到大約5nm至lOOnm厚的氮化矽。高吸光層313如此命名的原因是其相對於低吸光層314吸收了大部分穿過它的光 線。在一個實施例中，高吸光層313配置來阻擋波長為400nm或更短的光的至少10%。通 常，在大多數太陽能電池設計中沒有推薦在太陽能電池的正面上使用高吸光層，因此這不 是太陽能電池行業中的一般做法，這是因為高吸光層會減小到達太陽能電池基底的光量。 換句話說，高吸光層會對太陽能電池效率造成負面影響。這就是在太陽能電池正面上通常 優選使用低吸光層的原因。然而，如下文中將會更加明顯那樣，當用於背面接觸太陽能電池 時在正面上使用高吸光層具有意想不到的好處，即高吸光層能夠提高太陽能電池的穩定性 而不會損害其效率。實際上，發明人進行的研究表明在背面接觸太陽能電池的正面上的高 吸光層在某些情況下反而能夠有助於提高效率。為了提高UV穩定性並實現最小限度的隨時間的性能劣化，高吸光層313被配置 來以對可見光的最小濾光影響來減小衝擊到太陽能電池300的Si02/Si界面(一般地標為 「104」)的UV輻射量。例如，高吸光層313可以包括對可見光相對透明而對UV輻射(即波 長在400nm或更短範圍內的光)具有高吸收率的材料。高吸光層313減小了 UV輻射對二 氧化矽鈍化層312與矽基底102之間的界面的損傷，在一個實施例中該矽基底102包括N 型矽。圖4示意性示出根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池300A。太陽能電池 300A是太陽能電池300(見圖3)的一個特定實施例，其中高吸光層包括非晶矽層413，低吸 光層包括氮化矽層414。太陽能電池300A的多層防反射結構一起被標為「310A」。太陽能 電池300A和300其餘均相同。圖5和圖6分別示出作為光波長的函數的非晶矽和氮化矽的消光係數(k)的曲線 圖。在太陽能電池的領域，消光係數是一種材料吸收光能力如何的度量。當在防反射塗層 310A中使用非晶矽或氮化矽時到達背面接觸太陽能電池300A的Si02/Si界面104的光的 強度因此可以通過利用這兩種材料的消光係數來進行評價。圖7示出非晶矽和氮化矽的光特性和對光強的影響的表。圖7的表具有光波長、
6消光係數(k)、計算出的吸收係數(α)、每種材料將光強下降64% (即Ι/e)所需的厚度、以 及非晶矽(a-Si)和氮化矽將光強下降10%所需的厚度等條目。由於非晶矽的消光係數和吸收係數更大，因此非晶矽使光失去大部分強度所需的 厚度與氮化矽相比相對更薄。考慮具有400nm波長的光，該波長是UV頻譜中顯著破壞SiO2/ Si界面的最長波長，採用了大約Ilnm厚的非晶矽濾去10%的光。對於350nm的波長，僅採 用大約Inm厚的非晶矽濾去10%的光。這些厚度顯著不同於氮化矽的厚度。在400nm，採 用大約1545nm的氮化矽濾去10%的光。在太陽能電池的典型防反射結構中，氮化矽的該 厚度通常小於該值的十分之一。因此具有小於400nm的波長的UV輻射將會基本不被濾去 地通過氮化矽。當在多層防反射結構中的氮化矽和二氧化矽之間形成大於Ilnm的非晶矽 時，如在防反射結構310A中，小於90%的UV輻射將會通過非晶矽。因此，可以使用非晶矽 作為用於保護背面接觸太陽能電池的Si02/Si界面的優良UV濾光裝置。當採用非晶矽作 為背面接觸電池的多層防反射結構中的高吸光層時，優選地形成非晶矽來濾去或阻擋從太 陽能電池正面進入的太陽輻射的至少25%。圖8示出說明當在背面接觸太陽能電池(比如在圖4的太陽能電池300A中)的多 層防反射結構中使用非晶矽時UV穩定性提高的曲線圖。圖8的曲線從涉及背面接觸太陽 能電池的實驗中得到。在圖8中，垂直軸代表該實驗涉及的背面接觸太陽能電池的開路電 壓(Voc)的百分比變化，而水平軸代表太陽能電池處於UV輻射下的以小時計數的時間量。 曲線801僅用於參考，並示出當太陽能電池沒有暴露於任何UV輻射下時開路電壓隨時間的 百分比變化。曲線802針對的是如具有IOOnm厚的氮化矽層414和60nm厚的非晶矽層413 的太陽能電池300A這樣的背面接觸太陽能電池，曲線803針對的是如具有IOOnm厚的氮化 矽層414和30nm厚的非晶矽層413的太陽能電池300A這樣的背面接觸太陽能電池。曲線 804針對的是如太陽能電池100 (見圖1)這樣的背面接觸太陽能電池。即，曲線804針對的 是在其防反射結構上沒有非晶矽層的傳統背面接觸太陽能電池。從圖8可明顯地得知，在防反射層結構中僅僅使用氮化矽的情況下(曲線804)，在 暴露於UV輻射80小時後，太陽能電池的開路電壓降低了超過1.2%。當對防反射結構添 加30nm厚(大於llnm)的非晶矽時(曲線803)，太陽能電池變得魯棒而耐UV損害。採用 30nm厚的非晶娃，太陽能電池的開路電壓在相同的80小時時間段裡下降少於0. 1%。當使 用60nm厚的非晶矽時，所顯示的開路電壓下降甚至更少(曲線802)，其具有與太陽能電池 沒有暴露於UV輻射的曲線(曲線801)相類似的輪廓。因此，對背面接觸太陽能電池的防 反射結構添加非晶矽是一種提高太陽能電池的UV穩定性、使隨時間發生的鈍化層劣化最 小化的有效方式。雖然非晶矽提高了背面接觸太陽能電池的UV穩定性，但也產生了一個問題，即非 晶矽具有可見光範圍內的高吸收率。這意味著正面防反射結構中的非晶矽會降低太陽能電 池的效率。參考圖9來說明這種現象。圖9示出非晶矽對量子效率的影響的曲線。在太陽能電池的領域中，量子效率 是撞擊太陽能電池表面的光子中將會產生電子_空穴對的百分比。還可參見S. M. Sze的 Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed. 1981。在圖9的示例中，水平軸代表光的波長， 垂直軸代表以百分比表示的等效量子效率。曲線902針對的是如具有IOOnm厚的氮化矽層 414和60nm厚的非晶矽層413的太陽能電池300A這樣的背面接觸太陽能電池，曲線903針
7對的是如具有IOOnm厚的氮化矽層414和30nm厚的非晶矽層413的太陽能電池300A這樣 的背面接觸太陽能電池。曲線904針對的是如太陽能電池100 (見圖1)這樣在其防反射結 構中沒有非晶矽層的背面接觸太陽能電池。將曲線904與曲線902和903相比較，顯然對 背面接觸太陽能電池的正面添加非晶矽降低了等效量子效率。添加的非晶矽越厚，效率降 低得越大。現在參考圖10，其示出了根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池300B的 示意圖。太陽能電池300B是太陽能電池300 (見圖3)的一個特定實施例，其中高吸光層包 括高k氮化矽層513，低吸光層包括低k氮化矽層514。太陽能電池300B的多層防反射結 構總的標註為「310B」。太陽能電池300B和300A其它方面相同。「高k氮化矽」和「低k氮化矽」分別指的是具有高消光係數和低消光係數的氮化 矽。高k氮化矽包括在400nm以及更小波長的光處具有至少為0. 03的消光係數的氮化矽。 在一個實施例中，高k氮化矽可以通過等離子增強化學汽相沉積或反應濺射來形成。低k 氮化矽包括在400nm以及更大波長的光處具有至多為0. 03的消光係數的氮化矽。在一個 實施例中，低k氮化矽可以通過等離子增強化學汽相沉積或反應濺射來形成。圖11示出針對高k和低k氮化矽層的作為光波長的函數的消光係數的曲線圖。在 圖11的示例中，水平軸代表光的波長，垂直軸代表消光係數。曲線921針對高k氮化矽，曲 線922針對低k氮化矽。從圖11可以明顯看出，在400nm以及更小波長處，高k氮化矽的 消光係數比低k氮化矽的消光係數高好幾個數量級。圖12示出低k和高k氮化矽的光特性和對光強的影響的表。根據圖12，低k氮 化矽對UV輻射實質是透明的。另一方面，高k氮化矽在UV範圍內具有很大的吸收率(見 α)。在400nm時，採用大約IOnm厚度的高k氮化矽來去除10%的光。在350nm時，僅採用 6nm厚的高k氮化矽就能去除10%的光。因此，高k氮化矽是非常好的UV輻射濾光裝置， 可以用來提高太陽能電池的UV穩定性。除了作為良好的UV輻射濾光裝置，高k氮化矽在可見光範圍內也相對透明。這使 得高k氮化矽比非晶矽更適合作為多層防反射結構中的高吸光層。根據圖12，在535nm波 長處，採用了大約668nm厚的高k氮化矽以去除10 %的光，而非晶矽僅需要151nm的厚度 (見圖7)。因此，高k氮化矽可以在仍允許大多數可見光進入太陽能電池的矽基底以轉換 成電能的同時被用作相對良好的UV濾光裝置。優選地，使得防反射結構中的高k氮化矽的厚度在提高UV穩定性的同時會至少維 持太陽能電池的效率。高k氮化矽的厚度可以根據背面接觸太陽能電池的特點而變化。一 般而言，可以根據公式1確定高k氮化矽的厚度高吸光層的厚度> In (0. 9) λ / (-4 π k)(公式1)這裡λ是光的波長並且為400nm或更小，k是消光係數。優選地，高k氮化矽被 配置來濾去將太陽能電池暴露於其下的UV輻射(波長為400nm或更小)的至少10%。注 意，公式1可以用來一般地確定高吸光層的厚度，而不僅僅是高k氮化矽高吸光層的厚度。圖13示出說明使用高k氮化矽對背面接觸太陽能電池的總效率的影響的實驗結 果。在圖13中，標註為「採用高k的SiN」的列針對的是如在背面接觸太陽能電池300B(圖 10)中的那樣具有高k氮化矽的背面接觸太陽能電池，標註為「僅僅低k的SiN」的列針對的 是如在背面接觸太陽能電池100(圖1)中的那樣沒有高k氮化矽的背面接觸太陽能電池。
8從圖13可以明顯看出，高k氮化矽對效率具有最小影響並且在一些採樣中甚至導致更高效 率。在多層防反射結構中具有高k氮化矽不會對效率造成不利影響。圖14示出說明使用高k氮化矽對背面接觸太陽能電池的開路電壓的百分比變化 的影響的實驗結果。在圖14中，標註為「採用高k的SiN」的列針對的是如在背面接觸太陽 能電池300B(圖10)中的那樣具有高k氮化矽的背面接觸太陽能電池，標註為「僅僅低k的 SiN」的列針對的是如在背面接觸太陽能電池100(圖1)中的那樣沒有高k氮化矽的背面接 觸太陽能電池。標註為「參考」的列僅用於參考並且針對的是沒有暴露於UV輻射的背面接 觸太陽能電池100。這些列指示太陽能電池暴露於UV輻射下的以小時(零和189. 7小時) 表示的時間量。根據圖14，可以看出在多層防反射結構中具有高k氮化矽可以通過使由於 暴露於UV而導致的開路電壓下降最小化來使得太陽能電池穩定。因此，高k氮化矽的使用 提高了背面接觸太陽能電池的UV穩定性而沒有對效率造成不利影響。參考圖15，示出了在根據本發明一個實施例的背面接觸太陽能電池上形成多層防 反射結構的方法500的流程圖。背面接觸太陽能電池包括在正常操作期間面對太陽的正面 和與正面相對的背面。擴散區和與它們接觸的金屬觸點全部形成在太陽能電池的背面上。在步驟501中，對太陽能電池的正面隨機地形成紋理。隨機紋理可以形成在N型 矽基底的正面表面上。可以使用例如包括氫氧化鉀、水和異丙醇的溼式蝕刻工藝來使基底 的正面表面形成紋理。溼式蝕刻工藝使正面形成隨機角錐形紋理，從而有利地提高了太陽 輻射的收集效率。在步驟502中，在有紋理的正面表面上形成鈍化層。在一個實施例中，鈍化層包括 在有紋理的正面表面上熱生長的厚度為大約0. 5nm到IOOnm(優選厚度為大約50歷)的二
氧化矽層。在步驟503中，在鈍化層上形成被配置來阻擋UV輻射的高吸光層。優選地，高吸 光層被配置來阻擋從正面進入矽基底的波長為400nm以及更小的光的至少10%。高吸光層 的厚度可以根據應用而變化。上面針對高k氮化矽討論的公式1也可以用來計算針對其它 材料的高吸光層的厚度。高吸光層可以包括通過等離子增強化學汽相沉積或反應濺射而形 成為厚度大約Inm到IOOnm(優選地厚度大約12nm)的高k氮化矽。在步驟504中，在高吸光層上形成低吸光層。低吸光層可以包括通過等離子增強 化學汽相沉積、反應濺射或其它適當工藝而沉積為厚度20nm到IOOnm(優選地厚度大約 60nm)的低k氮化矽。已經公開了背面接觸太陽能電池的一種改進的多層防反射結構及其製造工藝。雖 然提供了本發明的具體實施例，然而要理解的是這些實施例用於說明目的而不是限制。本 領域技術人員閱讀本公開後將會明了許多其它的實施例。
權利要求
一種製造背面接觸太陽能電池的方法，所述方法包括使背面接觸太陽能電池的正面上的矽基底的表面形成紋理以產生有紋理的正面表面，所述背面接觸太陽能電池具有位於與正面相對的背面上的擴散區和與所述擴散區電耦接的金屬觸點，所述正面在正常操作期間面對太陽以收集太陽輻射；在有紋理的正面表面上形成包括二氧化矽的鈍化層；在鈍化層上形成高k氮化矽層，所述高k氮化矽層被配置來阻擋從正面進入矽基底的UV輻射的至少10％；和在高k氮化矽層上形成低k氮化矽層。
2.如權利要求1所述的方法，其中高k氮化矽層對波長為400nm以及更短的光具有至 少0. 03的消光係數，而低k氮化矽層對波長為400nm以及更長的光具有最大0. 03的消光係數。
3.如權利要求1所述的方法，其中矽基底包括N型矽基底。
4.如權利要求1所述的方法，其中鈍化層包括熱生長的二氧化矽。
5.如權利要求1所述的方法，其中高k氮化矽層具有在從Inm到IOOnm範圍內的厚度。
6.一種背面接觸太陽能電池，包括在背面接觸太陽能電池的正面矽基底上的有紋理的表面，所述正面在正常操作期間面 對太陽以收集太陽輻射；形成在有紋理的表面上的鈍化層；形成在鈍化層上的高吸光層，所述高吸光層被配置來阻擋從正面進入矽基底的UV輻 射的至少10% ；和形成在高吸光層上的低吸光層。
7.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層對波長為400nm以及更短 的光具有至少0. 03的消光係數，而低吸光層對波長為400nm以及更長的光具有最大0. 03 的消光係數。
8.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層包括高k氮化矽。
9.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中低吸光層包括低k氮化矽並且高吸 光層包括高k氮化矽。
10.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中鈍化層包括二氧化矽。
11.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中矽基底包括N型矽。
12.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層包括對波長為400nm或更 短的光具有至少為0. 03的消光係數的高k氮化矽。
13.如權利要求6所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層包括形成為厚度在Inm到 IOOnm範圍內的高k氮化矽。
14.一種製造背面接觸太陽能電池的方法，所述方法包括使背面接觸太陽能電池的太陽能電池基底的正面的表面形成紋理以產生有紋理的正 面表面，所述正面在正常操作期間面對太陽以收集太陽輻射；在有紋理的正面表面上形成鈍化層；在鈍化層上 成高吸光層，所述高吸光層被配置來阻擋從正面進入基底的UV輻射的 至少10% ；和在高吸光層上形成低吸光層。
15.如權利要求14所述的方法，其中鈍化層包括熱生長的二氧化矽。
16.如權利要求14所述的方法，其中低吸光層包括對波長為400nm或更短的光具有最 大0. 03的消光係數的低k氮化矽。
17.如權利要求14所述的方法，其中高吸光層包括對波長為400nm或更短的光具有至 少0. 03的消光係數的高k氮化矽。
18.如權利要求14所述的方法，其中基底包括N型矽。
19.如權利要求14所述的方法，其中基底包括N型矽並且鈍化層包括在N型矽的表面 上熱生長的二氧化矽。
20.如權利要求14所述的方法，其中高吸光層包括形成為厚度在Inm到IOOnm範圍內 的高k氮化矽。
21.一種背面接觸太陽能電池，包括形成在背面接觸太陽能電池的基底的正面上的鈍化層；形成在鈍化層上的高吸光層，所述高吸光層被配置來阻擋從正面進入基底的UV輻射；和形成在高吸光層上的低吸光層，並以高吸光層和鈍化層形成多層防反射結構。
22.如權利要求21所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層對波長為400nm以及更 短的光具有至少為0. 03的消光係數。
23.如權利要求21所述的背面接觸太陽能電池，其中高吸光層包括高k氮化矽。
24.如權利要求21所述的背面接觸太陽能電池，其中鈍化層形成在基底的有紋理的表 面上。
25.如權利要求21所述的背面接觸太陽能電池，其中鈍化層包括二氧化矽。
全文摘要
一種用於背面接觸太陽能電池(300)的多層防反射結構(310)。在背面接觸太陽能電池(300)的正面上可以形成防反射結構(310)。防反射結構(310)可以包括鈍化層(312)、在鈍化層上的高吸光層(313)、在高吸光層(313)上的低吸光層(314)。鈍化層(312)可包括在太陽能電池基底(102)的有紋理的表面上熱生長的二氧化矽，該基底可以是N型矽基底。高吸光層(313)可以被配置來阻擋進入基底的UV輻射的至少10％。高吸光層(313)可以包括高k氮化矽，低吸光層(314)可以包括低k氮化矽。
文檔編號H01L31/00GK101897032SQ200880120502
公開日2010年11月24日 申請日期2008年12月2日 優先權日2007年12月14日
發明者丹尼斯·德塞斯特, 阮信曉 申請人:太陽能公司