靜電放電電路及使靜電電流耗散的方法

2023-05-07 09:07:11 1

專利名稱：靜電放電電路及使靜電電流耗散的方法
技術領域：
本發明涉及一種靜電放電電路及使靜電電流耗散的方法。
背景技術：
電氣過應力或EOS是指由於過量電壓、電流和/或功率而引起的電路毀壞。
製造線上被測試或其已經投入使用。簡單的承插違反動作、例如電路定向 錯誤和移位能引起EOS損壞，尤其是在要用於電源管腳的電壓將施加給應 力敏感的或功率受限的管腳的條件下。在激勵源中不適當的激勵設置或電 壓尖脈衝也是EOS損壞的常見原因。
EOS損壞不總是明顯的。 一些EOS事件根本就沒有留下明顯的物理現 象。即使沒有觀察到物理異常，這類EOS事件也仍然能反映出受影響的元 件功能喪失。微弱的EOS事件也可能出現，僅僅改變了受影響元件的參數 性能，但是仍然影響了電路的整體性能。
靜電放電(ESD)和閉鎖是EOS的兩種特殊情況。
靜電放電(ESD)是通過一般為絕緣體的材料的電流瞬時流動。絕緣 體兩端的大電勢差可以產生一強電場，其把材料的原子轉變成使傳導電流 的離子。
相互接觸時通常所導致的在兩個物體之間靜電電荷的單次發生的快速轉移。
因為集成電路由例如矽的絕緣材料製成，其如果暴露於高壓下能被擊 穿，所以ESD是在半導體工業中器件失效的主要原因。集成電路的製造商
和用戶必須採取預防措施來避免和/或解決ESD。
當充電的器件得以接觸其它器件、例如集成電路時，尤其是當集成電 路的部分連接至含有地的電源時，累積的靜電電荷可以迅速釋放。靜電放 電通過引起集成電路內氧化物或其它薄膜的電介質擊穿而可以造成對集成 電路的損壞。
電介質擊穿是指電介質層的破壞，通常是由跨接電介質層的過度電勢 差或電壓所引起的。電介質擊穿可以表現為在擊穿點處的短路或漏電。
Si02擊穿被認為是由電荷注入引起的，並可以分解成兩個階段。在第 一階段期間，由於外加跨接其的電壓的結果,電流開始流過氧化物。由於電 荷被捕獲在氧化物中，那麼就形成了高電場/高電流區。最終，這些異常區 達到第二階段、即氧化物加熱並使更大的電流流動的臨界點。這產生了快
速導致氧化物物理毀壞的電和熱失控。
由集成電路中p-n結的反向擊穿引起的、高於導通集成電路的相對小 的面積的正常水平也可以造成集成電路損壞。
閉鎖屬於失效機理，其中寄生閘流電晶體(例如寄生矽可控整流器， 或SCR)無意地產生在電路內， 一旦電流被意外地觸發或導通，引起大電 流量連續流過電路。取決於所包含的電路，由該機理產生的電流流動的量 可能足夠大到足以造成器件由於電氣過應力(EOS)而永久損壞。
SCR是三端、四層的p-n-p-n器件，其基本上包括PNP電晶體和NPN 電晶體。在正常狀態下SCR截止，但一旦在其柵極處被觸發，將按一個方 向(從陽極到陰極)導通電流，而且只要通過其的電流停留在保持電平以 上就將這樣連續地導通電流。觸發PNP電晶體的發射極導通使電流注入進 NPN電晶體的基極。這樣驅動了 PNP電晶體導通，其進一步使NPN晶體 管的發射極-基極結正向偏置，使NPN電晶體把更多的電流饋送進PNP晶 體管的基極。從而，NPN電晶體和PNP電晶體相互饋送電流使它們都保持
能使寄生閘流電晶體觸發成閉鎖狀態的事件包括過量的電源電壓、I/O 管腳處的電壓超過電壓幹線一個以上的二極體壓降、多電源電壓的不適當 的排序、以及各種尖峰脈衝和瞬變現象。 一旦觸發導通，那麼產生的電流 流量可以取決於沿電流路徑的電流限制因素。在不能充分限制電流的情況 下，可能出現EOS損壞、例如金屬燒斷(metal bum-out)。
圖1示例了用於控制ESD的傳統的SCR。如圖1中所示例的，傳統的 SCR可以包括例如n型的第一擴散層2、例如p型的第二擴散層4、例如n 型的第三擴散層6和例如p型的第四擴散層8。傳統的SCR還可以包括n 阱10、p阱12、例如VDD焊盤的第一焊盤13和例如Vss焊盤的第二焊盤14。
如圖1中所示，pnpn SCR有效地連接在被保護線和電源、即VDD和 Vss的每個端子之間。SCR基本上包括第一 pnp雙極電晶體Ql和第二 npn 雙極電晶體Q2。如圖1中所示，pnp雙極電晶體Ql的發射極(例如，第二 擴散層4 )和npn雙極電晶體Q2的集電極(例如，第一擴散層2 )連接端 子之一，例如第一焊盤13。 npn雙極電晶體Q2的發射極(例如，第三擴散 層6 )和p叩雙極電晶體Ql的集電極(例如，第四擴散層8 )可以連接另 一端子，例如第二焊盤14。如圖1中所示，叩n雙極電晶體Q2的基極可以 具有與pnp雙極電晶體Ql的集電極相同的擴散(例如，p阱12),而p叩 雙極電晶體Ql的基極可以具有與叩n雙極電晶體Q2的集電極相同的擴散 (例如，n阱10)。
如上所述，傳統的SCR是一常閉狀態器件，處於"閉塞狀態(blocking state)",其中可忽略不計的電流在其中流動。在其常閉狀態下，傳統的SCR 阻止了電源之間的高阻抗路徑。
在ESD事件期間，例如，當第一焊盤13處於高電壓而第二焊盤M接 地時，用於ESD電流的電路路徑可以通過構成SCR的兩個雙極電晶體Ql 、 Q2沿分離的路徑、例如p叩路徑和npn路徑形成從VDD至VSS的軌跡。 電流注入叩n雙極電晶體Q2的基極，其引起p叩雙極電晶體Ql的基極-發射極結中的電流流動。這種電流流動使pnp雙極電晶體Ql導通，使進一 步電流注入npn雙極電晶體Q2的基極。這種現象稱為"正向反饋狀態"， 其從低阻抗放電通道推動SCR進入正反饋模式以安全地分流ESD電流。
圖2示例了兩種傳統的ESD保護器件的一個範例ESD特性曲線，這兩 種傳統的ESD保護器件包括如曲線A所示例的在圖1中描述的傳統SCR 和如曲線B所示例的傳統pn 二極體。如圖2A中所示，用於傳統的SCR 的ESD特性曲線包括三個明顯不同的部分1-3。在部分l中，在ESD應力 狀態下，電壓V小於端子電壓V「，其導致高阻抗狀態，其中增加了n阱0 的電勢。
在部分2的起始處，V=VT，結擊穿(或雪崩擊穿)出現在共用集電極
-基極結處。雪崩產生的空穴升高了 p阱12電勢，而雪崩產生的電子升高了
n阱10的電勢，其導通了 npn和pnp雙極電晶體。
npn和pnp電晶體中的那一個首先導通取決於電阻器Rl和R2的值和 兩個雙極電晶體的電流增益。當電壓尖脈沖激活 一對雙極電晶體中的 一 個 時，出現了閉鎖，其使電路和大正向反饋結合。結果，大電流可通過集電 極流出。隨著SCR換到"導通，，狀態，可以使I/O焊盤電壓箝位到安全的 保持電壓。這導致電壓急劇減少到保持電壓、即電壓VH，如圖2的曲線A 的部分2中所示。
在部分3中，如果電流流入持續或施加高於V,的電壓在焊盤上，這樣 就產生了低阻抗狀態。由於觸發的結果，閉鎖可以限定為電源線之間低阻 抗路徑的產生。在這種狀態下，可能存在過量電流流動並且器件可以進入 熱擊穿。器件溫度可以增加到一種程度，使得熱載流子產生足夠高以支配 導通過程。因為在部分3中的電流太高，所以在半導體器件中可以出現局 部熱損壞。曲線A的部分3中所示的不可控的電流增加是伴隨傳統的SCR 器件的問題。
曲線B示例了傳統的pn 二極體的ESD特性曲線。如曲線B的部分
中所示，電流增加很慢；結果，傳統的pn二極體不適合於大電流的瞬時放電。

發明內容
本發明的範例實施例針對一種靜電放電電路，包括連接第 一焊盤的第 一導電類型的第一阱、連接第二焊盤的第一導電類型的第二阱和連接第一 焊盤的第二導電類型的第三阱、以及形成在第三阱中並連接第一阱和第二
阱的第一導電類型的開關路徑。
本發明的其它範例實施例針對一種在第 一焊盤和第二焊盤之間的包括 靜電放電電路元件的靜電放電電路，該靜電放電電路元件包括雙極電晶體 路徑和電阻器路徑，靜電放電電路元件通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑 交替地使靜電電流放電。
本發明的其它範例實施例針對一種使由靜電放電事件引起的靜電電流 耗散的方法，包括通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑交替地使靜電電流放 電。
本發明的其它範例實施例針對一種靜電放電電路，包括第一焊盤和第 二焊盤、以及連接在第一焊盤和第二焊盤之間的靜電放電電路元件，靜電 放電電路元件包括用於通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑交替地使靜電電 流放電的裝置。
本發明的其它範例實施例針對一種靜電放電電路，包括第一焊盤和第 二焊盤、以及連接在第一焊盤和第二焊盤之間的靜電放電電路元件，靜電 放電電路元件包括用於控制跨過靜電放電電路元件的電壓在觸發電壓和保 持電壓之間以使靜電電流放電的裝置。
在本發明的範例實施例中，第一導電類型是正的，而第二導電類型是 負的。
在本發明的範例實施例中，第一焊盤連接驅動電壓，而第二焊盤連接 地電壓。
在本發明的範例實施例中，開關路徑形成電阻器路徑來使靜電電流放電。
在本發明的範例實施例中，第一阱、第二阱和第三阱形成雙極電晶體 路徑來使靜電電流放電。
在本發明的範例實施例中，電阻器路徑和雙極電晶體路徑交替地使靜 電電;虎》丈電。
在本發明的範例實施例中，通過雙極電晶體路徑交替地使靜電電流放 電包括引導電流流過至少兩個雙極電晶體，以產生正向反饋條件來形成低 阻抗放電通道，用於分流靜電電流。
在本發明的範例實施例中，通過電阻器路徑交替地使靜電電流放電包
括由於正向反饋條件在np結附近形成耗盡區，以使電流流過電阻器路徑的
至少一個開關路徑。
在本發明的範例實施例中，通過電阻器路徑交替地使靜電電流放電進
一步包括在叩結附近形成完全耗盡區，其切斷電流流過電阻器路徑的至少
一個開關i 各徑。
在本發明的範例實施例中，通過雙極電晶體路徑交替地使靜電電流放 電進一步包括響應切斷流過電阻器路徑的至少一個開關路徑的電流，引 導電流再次流過至少兩個雙極電晶體。
在本發明的範例實施例中，電阻器路徑包括一開關路徑。 在本發明的範例實施例中，開關路徑位於相鄰的接觸孔之間。 在本發明的範例實施例中，開關路徑具有足以形成跨過開關路徑的完 全耗盡區的寬度(W)。
在本發明的範例實施例中，雙極電晶體路徑包括矽可控整流器。
在本發明的範例實施例中，矽可控整流器包括pnp雙極電晶體和叩n 雙極電晶體。
在本發明的範例實施例中，矽可控整流器進一步包括對應npn雙極晶 體管的第 一 電阻器和對應p叩雙極電晶體的第二電阻器。
在本發明的範例實施例中，p叩雙極電晶體和npn雙極電晶體在正向反 饋條件下工作以推動矽可控整流器到再生模式，以形成低阻抗放電通道，
來分流靜電電流。
在本發明的範例實施例中，靜電放電電路進一步包括限定含有開關路 徑的有源區的絕緣層和/或第二導電類型的保護環，用於限定較低的電壓區 和用於使電源支配給第一阱、第二阱和第三阱中的至少一個。
在本發明的範例實施例中，第 一 阱和第二阱中的至少 一 個形成在第三阱中。
在本發明的範例實施例中，第一阱形成在第三阱中，而第二阱形成在 第一導電類型的襯底中。


通過下面給出的詳細說明和附圖將會更充分地理解本發明，給出詳細 說明和附圖僅用於解釋發明而不用於限制本發明。 圖1示例了用於控制ESD的傳統的SCR;
圖2示例了兩種傳統的ESD保護器件的一個範例ESD特性曲線，這兩 種傳統的ESD保護器件包括如曲線A所示例的在圖1中描述的傳統SCR
和如曲線B所示例的傳統pn 二極體；
圖3A-3D示例了根據本發明一個範例實施例的靜電放電電路；
圖4A-4C示例了根據本發明 一個範例實施例的圖3A-3D的範例靜電放
電電路的範例正常工作；
圖5A-5C示例了根據本發明一個範例實施例的圖3A-3D的範例靜電放
電電路在ESD事件期間的範例工作；
圖6示例了在本發明圖3A-3D中所示例的範例靜電放電電路與圖2的
兩種傳統器件的ESD特性曲線的比較；
圖7A-7D示例了根據本發明另一範例實施例的靜電放電電路； 圖8A-8C示例了根據本發明另 一範例實施例的靜電放電電路。 應該注意，這些圖想要示例本發明範例實施例的方法和器件的 一般特
性，以為了說明此處的這些範例實施例。然而，這些圖不必按照一定比例
描繪並可以不精確地反映任何所給出實施例的特性，並不應解釋為限定或
限制在本發明範圍內的範例實施例的值或特性的範圍。
具體實施例方式
圖3A-3D示例了根據本發明一個範例實施例的靜電放電電路。如圖3A 中所示，靜電放電電路可以包括第一導電類型的阱50、例如n型阱和第二 導電類型例如p型的阱52。
阱52可以進一步包括至少一個第二導電類型、例如p型的開關路徑 52a,第二導電類型、例如p型的阱52b以及同樣為第二導電類型、例如p 型的阱52c。
阱50可以包括例如n型的第一擴散層54。阱52b可以包括例如p型的 第三擴散層58。阱52c可以包括例如n型的第二擴散層56和例如p型的第 四擴-牧層60。
第一擴散層54可以連接第一焊盤64 (如圖3B-3D中所示)，例如連接 驅動電壓的VoD焊盤。第三擴散層58也可以連接第一焊盤64。
第二擴散層56和第四擴散層60可以連接第二焊盤66 (如圖3B-3D中 所示)，例如連接地電壓的Vss焊盤。第一至第四擴散層54、 56、 58和60 中的每一個可以包括至少一個接觸孔62。
圖3B-3D分別示例了圖3A的靜電放電電路沿i-r、 II-n'和m-m'處的
截面圖。如圖3A和3D中所示，除阱52b和52c以外，第二導電類型的阱 52還可以包括開關路徑52a。每個開關路徑52a可以具有寬度W，如圖3A 和3D中所示例的。
圖4A-4C示例了在本發明一個範例實施例中圖3A-3D的範例靜電放電 電3各的工作。
圖4A示例了圖3A-3D中所示例的布局的正常工作。如圖4A中所示，
在正常工作時，n型阱50和p型阱52的叩結處產生反向偏置電壓，其在 靠近開關路徑52a的p型阱52中產生耗盡區70 (以及n型阱50中的耗盡 區)。
在一個範例實施例中，可以判定開關路徑52a的寬度W，使得可以開 啟或關閉開關路徑52a。在一個範例實施例中，可以控制開關路徑52a的摻 雜濃度和/或外加電壓，以便控制開關路徑52a開啟或關閉。
在一個範例實施例中，可以控制開關路徑52a的寬度W，使得在開關 路徑52a的每一側上的耗盡區70接觸並在每個開關路徑52a中形成完全耗 盡區。完全耗盡區70將切斷連接第一焊盤64的第二導電類型的阱52b與 連接第二焊盤66的第二導電類型的阱52c之間的電流路徑。結果，將沒有 電流從第一焊盤64 (例如，Vro焊盤)流向第二焊盤66 (例如，V^焊盤)。 如上所闡述的，這是圖3A-3D的靜電放電電路的正常工作。
圖5A-5C示例了圖3A-3D的靜電放電電路在ESD事件期間的範例工作。
在n型阱50和p型阱52之間的NP結擊穿的點處，圖5B中所示例的 PNP雙極電晶體Q3和NPN雙極電晶體Q4導通。結果，使來自第一焊盤 64的電流通過p叩n連接58、 52b、 50、 52c、 56流入第二焊盤66，並且靠 近NP結的耗盡區70由於正反饋現象而變得更窄。在此周期期間，開關路 徑52a開啟，使電流從第一焊盤64通過開關路徑52a流入第二焊盤66,並 且開關路徑52a的電勢增加。隨著開關路徑52a的電勢增加，最終，完全耗 盡區70再次形成在開關路徑52a中。如上所述，與靜電放電電路的正常工 作一起，完全耗盡區70切斷了通過開關路徑52a的電流路徑。以這種方式， 形成了循環，其中開關路徑52a交替開啟和關閉，以及通過電阻器路徑形式 的開關路徑52a和雙極電晶體路徑形式的傳統pnpn SCR交替耗散ESD電 流，直到耗散了 ESD電流。
圖6示例了在本申請的圖3A-3D中所示例的範例靜電放電電路、傳統 的SCR和pn 二極體的ESD特性曲線的比較。如圖6中所示例的，傳統的 SCR和pn二極體的曲線A和B分別基本上與圖2中所示的曲線相同。曲 線C示出了圖3A-3D中所示例的本發明範例實施例的ESD特性曲線。
如在曲線A的部分1中所示，在ESD應力條件下，電壓V小於端子電 壓Vr，其導致高阻抗條件，其中n阱10的電勢增加。 在曲線A的部分2的起始處，其中V二Vt，結擊穿(或雪崩擊穿)出現 在共用集電極-基極結處。雪崩產生的空穴增加了 p阱12電勢，而電子增加 了n阱10電勢，其導通了 npn和pnp雙極電晶體。
類似於在部分1和2中傳統的SCR的ESD特性曲線。這是所希望的，因為 圖3A-3D的ESD電路包括傳統SCR的p叩n排列。
然而，圖3A-3D中所示例的本發明的範例實施例的ESD特性曲線不同 於部分3中傳統SCR的ESD特性曲線。
在傳統SCR的ESD特性曲線的部分3中，如果電流流入持續或超過 V,,的電壓施加在焊盤上的話，這就產生了低阻抗條件。在該條件下，過電 流是可能存在的並且器件成為熱擊穿，如在曲線A的部分3中不受控電流 增力口所示例的。
相反，在本發明的範例實施例的ESD電路的ESD特性曲線C的部分3 中，開關^各徑52a用於防止不受控的電流增加。
如圖所示，曲線3C基本上在兩種位置、即電流增加的急速返回位置(部 分2)和電壓增加的開關部分(部分3)之間交替。如曲線C所示例的，這 些現象中的每一種交替出現並示例了電流流動的路徑在傳統p叩n SCR和開 關路徑之間交替。通過分開EDS或EOS電流的路徑，這種交替防止電流擁 擠(crowding)和半導體器件中局部的熱損壞。
圖7A-7D示例了根據本發明另一範例實施例的靜電放電電路。如圖7A 中所示例的，靜電放電電路可以包括第一導電類型的阱110、例如n型阱和 第二導電類型、例如p型的阱112。
阱112可以進一步包括至少一個第二導電類型、例如p型的開關路徑 112a，第二導電類型、例如p型的阱112b以及同樣為第二導電類型、例如 p型的阱112c。
阱110可以包括例如n型的第一擴散層114。阱112b可以包括例如p 型的第三擴散層118。阱112c可以包括例如n型的第二擴散層1M和例如p 型的第四擴散層120。
第一擴散層114可以連接第一焊盤124 (如圖7B-7D中所示)，例如連 接驅動電壓的VoD焊盤。第三擴散層118也可以連接第一焊盤124。
第二擴散層116和第四擴散層120可以連接第二焊盤126(如圖7B-7D
中所示)，例如，連接地電壓的Vss焊盤。第一至第四擴散層114、 116、 118 和120中的每一個可以包括至少一個接觸孔125。
圖7B-7D分別示例了圖7A的靜電放電電路沿i-r、 n-n'和in-nr處的
截面圖。如圖7A和7D所示，除阱112b和112c以外，第二導電類型的阱 112還可以包括開關路徑112a。每個開關路徑112a可以具有寬度W，如圖 7A和7D中所示例的。
如圖7A-7D中所示，靜電放電電路可以進一步包括絕緣層105和/或保 護環122。在一個範例實施例中，絕緣層105限定了含有開關路徑112a的 有源區。在一個範例實施例中，保護環122為第二導電類型並限定了較低 的電壓區，用於把電源引導給第一導電類型的阱110、第二導電類型的阱 U2b和同樣為第二導電類型的阱112c中的至少一個。在一個範例實施例中， 較低的電壓區有助於保持電壓均勻性。
圖8A-8C示例了根據本發明另 一範例實施例的靜電放電電路。 如圖8A中所示例的，靜電放電電路可以包括第一導電類型的阱210、 例如n型阱，第二導電類型、例如p型的阱211和第二導電類型、例如p 型的阱212。
阱210可以包括例如n型的第一擴散層214和例如p型的第三擴散層 218。阱212可以包括例如n型的第二擴散層216和例如p型的第四擴散層 220。
第一擴散層214可以連接第一焊盤224 (如圖8B-SC中所示)，例如連 接驅動電壓的VDD焊盤。第三擴散層218也可以連接第 一焊盤224 。
第二擴散層216和第四擴散層220可以連接第二焊盤226(如圖8B-SC 中所示)，例如連接地電壓的Vss焊盤。第一至第四擴散層214、 "6、 218 和220中的每一個可以包括至少一個接觸孔225。
圖8B-8c分別示例了圖8A的靜電放電電路沿i-r和n-n'處的截面圖。
如圖8A和8C中所示，第二導電類型的阱212可以包括至少 一個開關路徑 212a。每個開關路徑212a可以具有寬度W，如圖8A和8C中所示例的。
如圖8A-8C中所示，靜電放電電路可以進一步包括絕緣層205和/或保 護環222。在一個範例實施例中，絕緣層205限定了含有開關路徑2]2a的 有源區。在一個範例實施例中，保護環222為第二導電類型並限定了較低 的電壓區，用於把電源支配給第一導電類型的阱210和第二導電類型的阱
212中的至少一個。
儘管已說明本發明範例實施例的各種元件具有給定的導電性，但應認 識到，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以使任何元件的導電性 相反。
結之間切換，但應認識到，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以 進行在至少兩個其它路徑之間進行切換。
本領域那些技術人員應明白，在不脫離此處本發明的範圍的情況下， 可以對上述的示例性實施例作出其它變化和修改，並且意圖使包含在上述 說明書中的全部內容將解釋為示例性的而非限制意義。
本美國非臨時申請要求在35U.S.C. § 119下於2005年2月7日申請的 韓國專利申請號No. 2005-0011296的優先權，這裡引入其全部內容供參考。
權利要求
1、一種使由靜電放電事件引起的靜電電流耗散的方法，包括通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑交替地使靜電電流放電。
2.如權利要求l的方法，其中通過雙極電晶體路徑交替地使靜電電流 放電包括，引導電流流過至少兩個雙極電晶體，以產生正向反饋條件來形成低阻 抗放電通道，用於分流靜電電流。
3.如權利要求2的方法，其中通過電阻器路徑交替地使靜電電流放電 包括，由於正向反饋條件在叩結附近形成耗盡區，以使電流流過電阻器路徑 的至少一個開關路徑。
4.如權利要求3的方法，其中通過電阻器路徑交替地使靜電電流放電 進一步包括，在叩結附近形成完全耗盡區，其切斷電流流過電阻器路徑的至少 一個 開關路徑。
5.如權利要求4的方法，其中通過雙極電晶體路徑交替地使靜電電流 放電進一步包括，響應切斷流過電阻器路徑的至少 一個開關路徑的電流，引導電流再次 流過至少兩個雙極電晶體。
全文摘要
一種在第一焊盤和第二焊盤之間的靜電放電電路，包括一靜電放電電路元件，包括雙極電晶體路徑和電阻器路徑，該靜電放電電路元件通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑交替地使靜電電流放電。本發明還涉及一種使由靜電放電事件引起的靜電電流耗散的方法，包括通過雙極電晶體路徑和電阻器路徑交替地使靜電電流放電。
文檔編號H02H9/00GK101350348SQ200810108758
公開日2009年1月21日 申請日期2006年1月6日 優先權日2005年2月7日
發明者全燦熙, 張成必, 金漢求 申請人:三星電子株式會社