一種微型耐壓高散熱的晶片的製作方法
2023-12-07 09:34:51 1
一種微型耐壓高散熱的晶片的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種微型耐壓高散熱的晶片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用於散熱。本實用新型的有益效果在於：本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，增加了使用壽命。
【專利說明】一種微型耐壓高散熱的晶片
【技術領域】
[0001]本實用新型屬於半導體【技術領域】，涉及一種微型耐壓高散熱的晶片。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，現有的很多晶片的第一外延片22，第二外延片23二者是一體設置的，然後封裝體21封裝，這樣設置的目的是散熱，但是實際效果很差，由於第一外延片，第二外延片的散熱面積有限，導致散熱不暢，另外第一外延片，第二外延片二者是一體設置很容易造成短路。現有的晶片對耐壓程度也不高，不能承受特殊環境狀態下使用。
[0003]所以現有技術有缺陷，需要改進。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種微型耐壓高散熱的晶片，能夠提高微型耐壓提聞聞散熱效果的晶片。
[0005]為解決上述技術問題，本實用新型採用如下技術方案:
[0006]一種微型耐壓高散熱的晶片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用於散熱。
[0007]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，第一外延片與外殼是一體設置。
[0008]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。
[0009]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的左側。
[0010]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的右側。
[0011]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的前端。
[0012]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的後端。
[0013]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，在封裝體內設置一矽片，設置在矽片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全晶片內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接於處理器模塊和管腳模塊之間，在矽片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在矽片背面位於矽片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.01?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈波紋不平狀。
[0014]本實用新型的有益效果在於:本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，
[0015]微型耐壓高散熱的晶片，通過將微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁設計成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的晶片的出光效率。優點是:通過在矽片背面設高純鋁層，使晶片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬複合結構，鈦、鎳作為緩衝層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控矽晶片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為現有晶片的結構不意圖；
[0017]圖2為本實用微型耐壓高散熱的晶片的結構示意圖之一；
[0018]圖3為本實用微型耐壓高散熱的晶片的結構示意圖之二 ；
[0019]圖4為本實用微型耐壓高散熱的晶片的結構示意圖之三。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖詳細說明本實用新型的優選實施例。
[0021]實施例一
[0022]請參閱圖2、圖3所示，本實用新型揭示了一種微型耐壓高散熱的晶片，包括一第一外延片26,—第二外延片25,第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體21封裝，在第一外延片的第一段的側部連接一外殼27，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用於散熱。本實用新型最大的創意就是把第一外延片26，一第二外延片25分離開，避免產生短路現象，把第一外延片26與外殼27 —體設置,第一外延片與外殼是一體設置。第一外延片26在晶片內部產生的熱量通過第一外延片26直接擴散到外殼上,能夠很好散熱；第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。這樣外殼就形成一個保護外殼，增加了本晶片的堅固性。
[0023]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的左側。
[0024]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的右側。
[0025]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的前端。
[0026]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，外殼設置在第一外延片第一端的後端。
[0027]所述的微型耐壓高散熱的晶片，其中，在封裝體內設置一矽片，設置在矽片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全晶片內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接於處理器模塊和管腳模塊之間，在矽片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在矽片背面位於矽片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.01?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈波紋不平狀。
[0028]本實用新型的有益效果在於:本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，
[0029]微型耐壓高散熱的晶片，通過將微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁設計成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的晶片的出光效率。優點是:通過在矽片背面設高純鋁層，使晶片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬複合結構，鈦、鎳作為緩衝層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控矽晶片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
[0030]參考圖4所示，一種微型耐壓高散熱的晶片，包括矽片，設置在矽片上面處理器模塊、加解密模塊9，存儲模塊10，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全晶片內部的總線相互連接，管腳控制模塊8連接於處理器模塊6和管腳模塊7之間，在矽片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在矽片背面位於矽片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.1?2.5μπι，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈凹凸不平狀。
[0031]在矽片背面依次設置的鈦層3、鎳層4、銀層5，在矽片I背面位於矽片I和鈦層3之間設有高純鋁層2，所述的高純鋁層2的厚度為0.1?2.5 μ m，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈凹凸不平狀。作為本實用新型的一種優選方案，所述微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈波紋狀。優選地，ICP刻蝕後的微型耐壓高散熱的晶片周圍的所有側壁呈波紋狀。
[0032]作為本實用新型的一種優選方案，所述微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優選地，所述微型耐壓高散熱的晶片的所有側壁呈鋸齒狀。
[0033]本實用新型的有益效果在於:本實用新型提出的微型耐壓高散熱的晶片，通過將微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁設計成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的晶片的出光效率。優點是:通過在矽片背面設高純鋁層，使晶片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬複合結構，鈦、鎳作為緩衝層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控矽晶片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
[0034]實施例二
[0035]本實施例中，所述微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優選地，所述微型耐壓高散熱的晶片的所有側壁呈鋸齒狀。
[0036]本實施例中微型耐壓高散熱的晶片的這種側壁結構也可以增加側向光源的出光面積，使晶片獲得更多的出光。
[0037]此外，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁還可以呈現其他凹凸不平狀，如不規則的凹凸不平狀，只要可以增加晶片側面的出光面積即可。
[0038]這裡本實用新型的描述和應用是說明性的，並非想將本實用新型的範圍限制在上述實施例中。這裡所披露的實施例的變形和改變是可能的，對於那些本領域的普通技術人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領域技術人員應該清楚的是，在不脫離本實用新型的精神或本質特徵的情況下，本實用新型可以以其它形式、結構、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實現。在不脫離本實用新型範圍和精神的情況下，可以對這裡所披露的實施例進行其它變形和改變。在矽片背面設高純鋁層，使晶片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬複合結構，鈦、鎳作為緩衝層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控矽晶片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
【權利要求】
1.一種微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用於散熱。
2.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:第一外延片與外殼是一體設置。
3.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。
4.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:外殼設置在第一外延片第一端的左側。
5.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:外殼設置在第一外延片第一端的右側。
6.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:外殼設置在第一外延片第一端的前端。
7.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:外殼設置在第一外延片弟一端的後端。
8.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的晶片，其特徵在於:在封裝體內設置一矽片，設置在娃片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全晶片內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接於處理器模塊和管腳模塊之間，在矽片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在矽片背面位於矽片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.0l?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的晶片的部分側壁或全部側壁呈波紋不平狀。
【文檔編號】H01L23/04GK204130518SQ201420586140
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月11日 優先權日:2014年10月11日
【發明者】孔妍 申請人:孔妍