一種用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置的製作方法
2023-11-06 06:17:32 1
專利名稱：一種用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種矽晶片的加工設備，特別是一種用於非電化 學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置。(二) 背景技術在微電子工業領域，半導體晶片的加工是一項重異的工藝，其中 非電化學金屬沉積法是一種經常採用的加工方法，用於^t矽晶片進行 金屬沉積或表面腐蝕。目前在非電化學金屬沉積法加工矽晶片的工藝 中，通常採用由承壓外套及聚四氟乙烯內套筒構成的壓力容器反應設 備，其承壓外套是由蓋、體兩部分組成的圓罐式結構，由鋁、碳鋼或 不鏽鋼製成。該反應設備存在的缺點是符合國家標準的承壓外套造 價高，使用不方便；承壓外套的蓋、體兩部分容易抱死而難以打開； 內套筒反應效率低，無法實現矽晶片加工的規模化生產。(三) 實用新型內容本實用新型的目的是針對上述問題，提供一種結構簡單、成本低、 操作簡便、使用安全可靠、可實現規模化生產的用於非電化學金屬沉 積法加工矽晶片的反應裝置。本實用新型的技術方案一種用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置，其特徵在於由外承壓密閉容器和內反應罐組成；內反應罐由罐蓋、罐體和擱 置架構成；罐體和罐蓋為螺紋連接的封閉容器，其中罐體為外螺紋； 擱置架為半園筒形結構，在半園筒的內壁開出間距相等的擱置槽，擱 置架的頂部設有可方便移動擱置架的卡入式橫梁。一種上述用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置，其特 徵在於內反應罐的罐蓋、罐體、擱置架和卡入式橫梁均由聚四氟乙 烯製成。一種上述用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置，其特 徵在於外承壓密閉容器為市售符合國家標準的鋁合金或不鏽鋼製炊 用壓力鍋。本實用新型的優點是1)用於加工矽晶片的該反應裝置結構簡 單、操作簡便、安全可靠；2)內反應罐的連接方式使其密封效果更好；3)外承壓密閉容器承壓要求較低，特別是可直接使用市售符合國家標準的鋁合金或不鏽鋼製炊用壓力鍋進行操作，使生產成本大幅度下降；4)採用該擱置架可大大提高反應效率，實現矽晶片加工的 規模化生產。(四)
圖i是所述反應裝置中內反應罐的結構示意圖。圖中1.罐蓋2.罐體 3.擱置架4.卡入式橫梁具體實施方式實施例參見圖1一種利用非電化學金屬沉積法加工直徑為2英寸的矽晶片的反應裝置，由外承壓密閉容器和內反應罐組成；外承壓密閉容器採用市售符合國家標準的不鏽鋼製炊用20 on壓力鍋；內反應罐由罐蓋1 (內 徑88鵬、高25mm、外徑115mm、螺紋15mm、螺紋間距lmm)、罐體2 (內徑80鵬、壁厚8mm、淨高go,、底厚8ram、螺紋15咖、螺紋間 距l腳)和擱置架3 (高40mm、直徑58mm、壁厚5咖)構成；罐蓋1 和罐體2為螺紋連接的封閉容器，其中罐體為外螺紋；擱置架為半園 筒形結構，在半園筒的內壁開出間距相等的擱置槽，擱置槽寬、深、 間距均為2mm，擱置架的頂部設有可方便移動擱置架的卡入式橫梁4; 內反應罐的罐蓋、罐體、擱置架和卡入式橫梁均由聚四氟乙烯製成。 使用方法如下將矽晶片依次放置在擱置架上，卡好橫梁；利用橫梁 將裝有矽晶片的擱置架放入盛有反應試劑(如氫氟酸)的內反應罐中，旋好罐蓋；將內反應罐放入壓力鍋中，蓋好鍋蓋即可迸行反應。該裝置操作簡單、反應效率高、安全可靠，經試驗驗證效果良好。
權利要求1.一種用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置，其特徵在於由外承壓密閉容器和內反應罐組成；內反應罐由罐蓋、罐體和擱置架構成；罐體和罐蓋為螺紋連接的封閉容器，其中罐體為外螺紋；擱置架為半園筒形結構，在半園筒的內壁開出間距相等的擱置槽，擱置架的頂部設有可方便移動擱置架的卡入式橫梁。
2. 根據權利要求1所述的用於非電化學金屬沉積法^加工矽晶片的 反應裝置，其特徵在於內反應罐的罐蓋、罐體、擱置架和卡入式橫 梁均由聚四氟乙烯製成。
3. 根據權利要求1所述的用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的 反應裝置，其特徵在於外承壓密閉容器為市售符合國家標準的鋁合 金或不鏽鋼製炊用壓力鍋。
專利摘要一種用於非電化學金屬沉積法加工矽晶片的反應裝置，由外承壓密閉容器和內反應罐組成；內反應罐由罐蓋、罐體和擱置架構成；罐體和罐蓋為螺紋連接的封閉容器；擱置架為半圓筒形結構，在半圓筒的內壁開出間距相等的擱置槽，擱置架的頂部設有可方便移動擱置架的卡入式橫梁；內反應罐的所有部件均由聚四氟乙烯製成；外承壓密閉容器可使用市售符合國家標準的炊用壓力鍋。本實用新型的優點是結構簡單、操作簡便、安全可靠；內反應罐的連接方式使其密封效果更好；外承壓密閉容器承壓要求較低，可直接使用市售符合國家標準的炊用壓力鍋進行操作，大大降低生產成本；採用該擱置架可大大提高反應效率，實現矽晶片加工的規模化生產。
文檔編號C23C16/44GK201151741SQ200720305900
公開日2008年11月19日 申請日期2007年11月23日 優先權日2006年11月28日
發明者趙嘉昊, 飛 鄧 申請人:國家納米技術與工程研究院