一種抗靜電瓷磚及其製造方法
2023-11-03 00:59:42 2
專利名稱：一種抗靜電瓷磚及其製造方法
技術領域：
本發明屬於建築材料科學技術領域，具體涉及一種抗靜電瓷磚及 5 其製造方法。
背景技術：
靜電會降低產品可靠性，引起電子設備失靈甚至損壞，而且威脅 人身安全。改善工作環境，消除靜電危害，採取有效的靜電防護措施， 已在相關各行業得到了廣泛重視和實施。 10 抗靜電材料有抗靜電塑料地膠板、抗靜電塗料、抗靜電瓷磚等，
其中，抗靜電瓷磚以其不燃、持效性好、不變形、易清理等優點，在 一些場合使用具有其優越性，近幾年來得到了很大的發展。目前市場
上的抗靜電瓷磚及其製造方法有如下幾類
1) 瓷磚整體導靜電這類瓷磚有兩種，第一種是在氣孔率較大 15的瓷磚表面施半導體釉，然後通過浸泡-烘乾的方式在坯體氣孔內注
入成本較低的吸潮性材料。但這導致瓷磚的坯體吸水率較高，降低了 資磚的品位和使用性能，同時在鋪貼和使用過程中坯體孔中的吸潮性 材料會溶出，而影響整個抗靜電系統的性能穩定性，並且由於氣孔的 存在，瓷磚表面耐汙性及瓷磚強度下降，瓷磚綜合性能受到影響。第 20 二種是在資磚坯體表面和內部均加入錫銻半導體粉末材料，但因錫銻
半導體粉末價格較高，而導致瓷磚製造成本較高。
2) 瓷磚表面導靜電該類瓷磚僅表面有導電釉層，低成本，但在燒成過程中瓷磚往往產生邊部變形，因而大部分大規格成品瓷磚需 經過切割，以保證在鋪貼過程中資磚排列整齊，而坯體上表面的釉層
25 很薄，只有零點幾毫米，並且坯體上表面邊緣存在向內的倒角，這使 釉層和側面導電材料不易連通，因而抗靜電瓷磚鋪貼和使用過程中上 表面導靜電釉和側面導靜電材料的連接穩定性差。目前市場上也有部 分產品是將導電膠附著在瓷磚坯體四周邊緣，通過導電膠將瓷磚坯體 上表面的導靜電釉與鋪設瓷磚的導靜電材料連通，但這種處理方式影
30 響抗靜電資磚系統的外觀和系統的導靜電穩定性，為了解決該問題，
中國專利ZL200720103943. 2提供了一種在f:磚坯體上表面、側面和 下表面分別覆蓋有防靜電釉層的耐久性防靜電乾磚，但因在下表面施 釉，難以在輥道窯中大規模生產。
發明內容
35 本發明的目的在於克服現有技術的缺陷，而提供一種製造成本
低、導電通路良好，適用於大規模生產的抗靜電資磚及其製造方法。 本發明所提供的抗靜電瓷磚的結構如圖1所示，包括有半導體釉
和覺磚坯體，半導體釉覆蓋在瓷磚坯體的上表面，還包括有導電顆粒； 其中，導電顆粒分布在瓷磚坯體的上部，並與半導體釉相連通，導電 40 顆粒的尺寸為4~16目。
作為本發明優選的技術方案，所述的導電顆粒以1 4個/cm2的 密度分布在瓷磚坯體的上部，並與半導體釉相連通。
本發明所提供的抗靜電瓷磚的製造方法，包括以下步驟
1)將導電材料粉末和瓷磚坯體原料按重量比1: 2 ~ 4混合後，45於20~ 30MPa的壓力下壓塊、破碎、篩分，得到尺寸為4 16目的導 電顆4立坯泮+;
2) 將導電顆粒坯料播撒於瓷磚模具底部後，布入瓷磚坯體原料 壓製成型，烘乾，得到瓷磚生坯；
3) 在瓷磚生坯的上表面施半導體釉，並烘乾後，於1180~1230 50。C,燒成8 15分鐘，切邊，製得抗靜電瓷磚。
其中，步驟l)中所述的導電材料粉末為錫銻半導體粉末。 步驟2 )中優選將導電顆粒坯料以1 ~ 4個/cm2的密度播撒於瓷磚 模具底部。
步驟3)中所述的半導體釉的釉漿幹基中含有10~ 50wty。的錫銻 55 半導體粉末。
與現有技術相比較，本發明具有以下有益效果 1 )資磚坯體上表面的半導體釉與瓷磚坯體上部的導電顆粒相連 通，瓷磚被切割使用時，暴露在瓷磚側表面的被切割的導電顆粒由於 具有一定截面積，可將半導體釉的導電通路延伸到距離瓷磚表面一定 60深度的部位，增大導電深度。
2) 將導電材料集中在瓷磚坯體的上部，而不是分散在整個瓷磚 坯體中，減少導電顆粒用量，降低成本的同時，提高了瓷磚的抗靜電 性能，適用於大規^莫工業化生產。
3) 瓷磚的耐汙性和強度等綜合性能得到了提高。
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圖1、本發明所製造的抗靜電瓷磚的結構示意圖。圖2、本發明所製造的抗靜電瓷磚生坯的結構示意圖。
圖3、本發明所製造的抗靜電瓷磚在使用時組成的導靜電通路示意圖。
70 圖中，l為半導體釉、2為瓷磚坯體、3為導電顆粒、4為導靜電砂漿。
以下結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步說明。
具體實施例方式
下述實施例中所使用的半導體釉的釉漿幹基中含有10~ 50wt。/。的
75 錫銻半導體粉末。
實施例1
1)將導電材料粉末和瓷磚坯體原料按重量比1: 2混合後，於 2畫Pa的壓力下壓塊、破碎、篩分，得到尺寸為8~16目的導電顆粒 坯料；
so 2 )將導電顆粒坯料以3 ~ 4個/cm2的密度均勻播撒於瓷磚模具底
部後，布入資磚坯體原料壓製成型，烘乾，得到瓷磚生坯(見圖2);
3)在瓷磚生坯的上表面施半導體釉，並供幹後，於118(TC燒成 15分鐘，切邊，製得抗靜電瓷磚(見圖1)。
實施例2
85 1 )將導電材料粉末和瓷磚坯體原料按重量比1: 3混合後，於
25MPa的壓力下壓塊、破碎、篩分，得到尺寸為4~8目的導電顆粒 坯料；
2 )將導電顆粒坯料以1 ~ 3個/cr^的密度均勻播撒於瓷磚模具底部後，布入資磚坯體原料壓製成型，烘乾，得到資磚生坯(見圖2); 90 3 )在瓷磚生坯的上表面施半導體釉，烘乾後，於120(TC燒成15
分鐘，切邊，製得抗靜電瓷磚(見圖1)。 實施例3
1) 將導電材料粉末和瓷磚坯體原料按重量比1: 4混合後，於 3謹Pa的壓力下壓塊、破碎、篩分，得到尺寸為4-8目的導電顆粒
95 坯料；
2) 將導電顆粒坯料以1個/cn^的密度均勻播撒於瓷磚模具底部 後，布入瓷磚坯體原料壓製成型，烘乾，得到瓷磚生坯(見圖2);
3) 在瓷磚生坯的上表面施半導體釉並烘乾後，於123(TC燒成15 分鐘，切邊，製得抗靜電瓷磚(見圖1)。
oo 根據以上實施例所製造的抗靜電瓷磚用導靜電砂漿鋪貼使用時
(見圖3)，裡面被切割而暴露在瓷磚側表面的導電顆粒3,將半導體 釉層1的導電通路延伸到距離瓷磚表面一定深度的部位，並與導靜電 砂漿4充分接觸，將瓷磚釉面的靜電耗散到導靜電砂漿中，達到消除 靜電的目的。
權利要求
1、一種抗靜電瓷磚，包括有半導體釉(1)和瓷磚坯體(2)，半導體釉(1)覆蓋在瓷磚坯體(2)的上表面，其特徵在於，還包括有導電顆粒(3)；其中，導電顆粒(3)分布在瓷磚坯體(2)的上部，並與半導體釉(1)相連通，導電顆粒(3)的尺寸為4～16目。
2、根據權利要求1所述的一種抗靜電瓷磚，其特徵在於，所述的導 電顆粒(3)以1~4個/cn^的密度分布在瓷磚坯體(2)的上部，並 與半導體釉(1)相連通。
3、 根據權利要求1所述的一種抗靜電瓷磚製造方法，其特徵在於， 包括以下步驟io 1 )將導電材料粉末和瓷磚坯體原料按重量比1:2-4混合後，於20~ 3謹Pa的壓力下壓塊、破碎、篩分，得到尺寸為4 16目的導 電顆粒坯泮十；2)將導電顆粒坯料播撒於瓷磚模具底部後，布入瓷磚坯體原料 壓製成型，烘乾，得到瓷磚生坯； 15 3)在瓷磚生坯的上表面施半導體釉，並烘乾後，於1180 - 1230。C,燒成8 15分鐘，切邊，製得抗靜電瓷磚。
4、 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，步驟1)中所述的導 電材料粉末為錫銻半導體粉末。
5、 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，步驟2)中將導電顆 20 粒坯料以1 ~ 4個/cm2的密度播撒於瓷磚模具底部。
6、 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，步驟3)中所述的半 導體釉的釉漿幹基中含有10 ~ 50wty。的錫銻半導體粉末。
全文摘要
一種抗靜電瓷磚及其製造方法屬於建築材料技術領域。現有抗靜電瓷磚存在施工不方便、施工後性能穩定性差及綜合性能較差的缺點。本發明所提供的瓷磚包括有半導體釉和瓷磚坯體，半導體釉覆蓋在瓷磚坯體的上表面，還包括有導電顆粒；其中，導電顆粒分布在瓷磚坯體的上部，並與半導體釉相連通，導電顆粒尺寸為4～16目。本發明通過將導電材料粉末和瓷磚坯體原料混合得到導電顆粒坯料後，將其播撒於瓷磚模具底部，布入瓷磚坯體原料成型得到瓷磚生坯，而後在瓷磚生坯的上表面施半導體釉、烘乾、燒成、切邊，得到抗靜電瓷磚。本發明抗靜電瓷磚具有施工性能良好，製造成本低，適用於大規模生產的特點。
文檔編號E04F15/02GK101463645SQ20081023923
公開日2009年6月24日 申請日期2008年12月5日 優先權日2008年12月5日
發明者嚴建華, 崔素萍, 翔 張, 李智豐, 李質斌, 群 王, 凱 肖, 鄒玉林, 郭紅霞, 沫 陳, 韓國豔 申請人:北京工業大學