MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路的製作方法

2023-11-11 18:57:02

本實用新型涉及手機技術領域，尤其是涉及一種MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路。

背景技術：

基於MTK手機平臺系統，設計行業需求定製機項目，有需要發射40KHZ的頻率信號，且Vp-p振幅在15V以上，目前尚未相應的電路對其進行匹配。

技術實現要素：

本實用新型的目的就是為了解決上述問題，提供一種MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施方式提供了一種MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路，其包括：三極體Q3001、三極體Q3002、三極體Q3003、場效應管Q3004，所述場效應管Q3004的源極接地，場效應管Q3004的漏極接於發射器U3000的2腳，場效應管Q3004的漏極與發射器U3000的2腳之間連接有另一端接地的電容C3008，該場效應管Q3004的漏極通過電阻R3007而接於20V電源，且電阻R3007與20V電源之間通過線路而接於發射器U3000的1腳，且R3007與20V電源之間連接有另一端接地的電容C3007，場效應管Q3004的柵極與源極之間接有電容C1106，場效應管Q3004的柵極接於三極體Q3002和三極體Q3003的集電極，且在三極體Q3002的集電極連接有電阻R3005，三極體Q3003的發射極接地，三極體Q3003的基極接電阻R3004，該電阻R3004通過接口GPIO_PWM_40K而接於手機主控晶片，三極體Q3001的發射極通過電阻R3003而接於電阻R3004的接口GPIO_PWM_40K連接端，三極體Q3002的發射極接於4V電源，三極體Q3002的基極接於三極體Q3001的集電極，三極體Q3001的集電極與三極體Q3002的發射極之間接有電阻R3006，三極體Q3002的發射極與4V電源的連接線路上接有另一端接地的電容C3001，所述三極體Q3001的基極通過電阻R3002而接於接口GPIO_PWM_40K，且該三極體Q3001的基極通過電阻R3001而接於晶片6735，且電阻R3001的電源連接端接有另一端接地的電容C3002。

與現有技術相比，本實用新型提供的MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路可以發射40KHZ的頻率信號，且Vp-p振幅在15V以上。

進一步，所述發射器U3000為超聲波傳感器KS-A1040H07CT-R。

進一步，所述電阻R3001為0R電阻。

附圖說明

圖1為MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路原理圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合具體實施例，進一步闡述本實用新型。

本實用新型的實施方式提供了一種MT6735晶片上利用PWM信號驅動超聲頻率的電路，參見圖1，其包括：三極體Q3001(型號S9013)、三極體Q3002(型號S9012)、三極體Q3003(型號S9013)、場效應管Q3004(型號RTR020N05)，所述場效應管Q3004的源極S接地，場效應管Q3004的漏極D接於發射器U3000的2腳，該發射器U3000為超聲波傳感器KS-A1040H07CT-R，場效應管Q3004的漏極D與發射器U3000的2腳之間連接有另一端接地的電容C3008，該場效應管Q3004的漏極D通過電阻R3007而接於20V電源，且電阻R3007與20V電源之間通過線路而接於發射器U3000的1腳，R3007與20V電源之間連接有另一端接地的電容C3007，場效應管Q3004的柵極G與源極S之間接有電容C1106，場效應管Q3004的柵極G接於三極體Q3002和三極體Q3003的集電極C，且在三極體Q3002的集電極C連接有電阻R3005，三極體Q3003的發射極E接地，三極體Q3003的基極B接電阻R3004，該電阻R3004通過接口GPIO_PWM_40K而接於手機主控晶片，三極體Q3001的發射極E通過電阻R3003而接於電阻R3004的接口GPIO_PWM_40K連接端，三極體Q3002的發射極E接於4V電源，三極體Q3002的基極B接於三極體Q3001的集電極C，三極體Q3001的集電極C與三極體Q3002的發射極E之間接有電阻R3006，三極體Q3002的發射極E與4V電源的連接線路上接有另一端接地的電容C3001，所述三極體Q3001的基極B通過電阻R3002而接於接口GPIO_PWM_40K，且該三極體Q3001的基極B通過電阻R3001而接於晶片6735，且電阻R3001的電源連接端接有另一端接地的電容C3002。

本實施方式中，相關電阻和電容的參數如下：電容C3002、電容C3001＝1uF，電阻R3001採用0R電阻，電阻R3002＝2.2K，電阻R3003、電阻R3004、電阻R3006＝1K，電阻R3005採用68R電阻，電容C1106＝1nF，電阻R3007＝10K，電容C3007＝4.7uF，電容C3008＝10pF，相關參數可參見圖1所示。

本實施方式所提供的電路中，GPIO1_PWM_40K信號由手機平臺主晶片(主控晶片)產生，經過三極體Q3001、三極體Q3002、三極體Q3003、場效應管Q3004組成的推挽、去高頻後推動U3000發射器輸出，DC-DC_OUT_20V由DC-DC Boost器件產生。

本領域的普通技術人員可以理解，上述各實施方式是實現本實用新型的具體實施例，而在實際應用中，可以在形式上和細節上對其作各種改變，而不偏離本實用新型的精神和範圍。