Led驅動晶片的電流源電路的製作方法

2023-10-31 22:14:12

專利名稱：Led驅動晶片的電流源電路的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種LED驅動晶片的電流源電路，屬於LED電路技術領域。
技術背景電流源電路在模擬電路中是非常常見的電路，它不隨電壓和溫度的變化而變化，用於為電路中其他模塊產生電流基準，如放大器，振蕩器，PLL等。現有技術中存在兩種不同的電流源電路，ー種不受電源電壓的影響，但是精確度有限、易受溫度影響。另ー種精確度很高，不受電源電壓的影響，但是需要bandgap核和額外的運放，受到電阻和Vref溫度特性影響。上述兩種結構有ー個共同的缺點片內電阻的關鍵參數通常會因為エ藝漲落髮生偏離。電流基準電路易受到エ藝、電壓、溫度(PVT)變化的影響，這就導致輸出電流會有相當大的變化，難以為後續電路提供性能優越的電流源。如振蕩器的輸出頻率不能得到很好的控制。所以，設計高性能的基準電流電路就要克服以上的困難。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供ー種不受電壓、溫度和エ藝影響的LED驅動晶片的電流源電路。為了解決上述的技術問題，本實用新型的技術方案是ー種LED驅動晶片的電流源電路，其特徵在於包括放大器電路、溫度補償級電路和エ藝補償級電路，所述放大器電路、溫度補償級電路和エ藝補償級電路串聯。所述エ藝補償級通過用陣列疊加式MOSエ藝進行補償實現。本實用新型電路採用エ藝補償級和溫度補償級級聯的思想。エ藝補償的實現，用陣列疊加式MOSエ藝進行補償，其具有較大負溫度特性。傳統的帶隙結構電路能夠產生正溫度係數的電流，但是要使二者實現溫度的補償，需要專門為其設計ー個溫度係數。對於較大負溫度係數的MOSFET組合電路，需要相當數量的三極體才能實現。一般的模擬電路中都會有帶隙基準，是否能夠不改變原有的帶隙電路僅外加一部分電路，而進行PTAT特性調節，針對這種想法設計ー種可靈活調節提高電路的正溫度係數，抵消エ藝補償電路負溫度特性，產生具有低溫漂的電流源電路。

附圖I為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如附圖所示，本實用新型LED驅動晶片的電流源電路應用於背光的Boost型白光LED驅動晶片上，其將放大器電路、溫度補償級電路和エ藝補償級電路電路串聯，エ藝補償級通過用陣列疊加式MOSエ藝進行補償實現。[0012]本實用新型為振蕩器等電路提供精確的偏置電流，其具有輸出阻抗高，輸出電流及溫度特性調整簡單方便的特點。解決了以往只針對PVT中一到兩個方面設計的弊端，具有優越的性能。[0013]上述實施例不以任何方式限制本實用新型，凡是採用等同替換或等效變換的方式獲得的技術方案均落在本實用新型的保護範圍內。
權利要求1.一種LED驅動晶片的電流源電路，其特徵在於包括放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路，所述放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路串聯。
2.根據權利要求I所述的LED驅動晶片的電流源電路，其特徵在於所述工藝補償級通過用陣列疊加式MOS工藝進行補償實現。
專利摘要本實用新型公開了一種LED驅動晶片的電流源電路，其包括放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路，所述放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路串聯，本實用新型電路可靈活調節提高電路的正溫度係數，抵消工藝補償電路負溫度特性，產生具有低溫漂的電流源電路。
文檔編號H05B37/02GK202396049SQ201120534328
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月20日 優先權日2011年12月20日
發明者楊耀武, 蘇怡, 蘇曉燕 申請人:常熟卓輝光電科技有限公司