一種主控電路用外圍電路的製作方法
2023-11-11 13:52:12
一種主控電路用外圍電路的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了集成電路領域的一種主控電路用外圍電路，主控電路上設有L1埠、L2埠、GND埠、I/O埠、VCC埠和CLK埠，其中GND埠接地，L1埠通過第一限流電阻R1連接第一支路M1，L2埠通過第二限流電阻R2連接第二支路M2，VCC埠同時連接第一支路M1和第二支路M2；該外圍電路包括：放電電容C1、直流電壓源Vs、限流電阻R4、二極體D1和放電電阻R3，放電電容C1的負極接地，正極接主控電路的VCC埠，直流電壓源Vs負極接地，正極經過開關K接二極體D1的正極，二極體D1的負極接主控電路的VCC埠，限流電阻R4的一端接二極體D1的正極，另外一端接主控電路的CLK埠，放電電阻R3一端與主控電路的I/O埠連接，另一端接地。
【專利說明】—種主控電路用外圍電路
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及集成電路領域的一種主控電路用外圍電路。
【背景技術】
[0002]集成電路中，主控電路的直流電壓源Vs通過外圍電路給主控電路以及主控電路所控制的兩個支路上的後段PMOS管供電。外圍電路通過給主控電路斷電後再上電來切換主控電路所控制的兩個支路的工作狀態。
[0003]請參閱圖1，現有技術中主控電路至少包括下列埠:L1埠、L2埠、GND埠、I/O埠、VCC埠和CLK埠。GND埠接地，主控電路所控制的第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的柵極通過第一限流電阻Rl與主控電路的LI埠連接，第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的柵極通過第二限流電阻R2與主控電路的L2埠連接。第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的源極以及第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的源極同時連接主控電路的VCC埠，從而實現第一支路Ml同時與主控電路的LI埠及VCC埠的連接，以及第二支路M2同時與主控電路的L2埠及VCC埠的連接。第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的漏極，以及第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的漏極對應連接各自的後續電路。常規設計的主控電路中，I/O埠可連接並控制第三支路(圖1中未顯示)，當LI埠或L2埠中的任意一個處於高電平狀態時，I/O埠處於高電平狀態，而當LI埠和L2埠同時處於低電平或同處於高電平狀態時，I/O埠處於低電平狀態。
[0004]主控電路用外圍電路包括:放電電容Cl、直流電壓源Ns、限流電阻R4、二極體Dl和開關K，其中，放電電容Cl負極接地，正極接主控電路的VCC埠，直流電壓源Vs負極接地，正極通過開關K連接二極體Dl的正極，二極體Dl的負極接主控電路的VCC埠，限流電阻R4的一端連接主控電路的CLK埠，另外一端連接二極體Dl的正極，使直流電壓源Vs能夠通過開關K對限流電阻R4和二極體Dl的正極供電。
[0005]主控電路切換主控電路所控制的第一支路Ml和第二支路M2的工作狀態的原理如下:開關K閉合即第一次上電時，主控電路通過上升沿檢測來切換第一支路Ml的狀態，第一後段PMOS管Ql導通，第一支路Ml工作，第二支路M2不工作，LI埠處於低電平狀態而L2埠處於高電平狀態。當開關K斷開後再閉合時，切換第二支路M2的狀態，第二後段PMOS管Q2導通，第二支路M2工作，第一支路Ml不工作，L2埠處於低電平狀態而LI埠處於高電平狀態。開關K第三次斷開後閉合，第一後段PMOS管Ql和第二後段PMOS管Q2同時導通，第一支路Ml和第二支路M2同時工作，即LI埠和L2埠同時處於低電平狀態。再一次斷開閉合開關K，則回到第一種狀態，即第一支路Ml工作，第二支路M2不工作，LI埠處於低電平狀態而L2埠處於高電平狀態，依次循環。圖1中，主控電路的I/O端懸空，即未連接第三支路。
[0006]第一支路Ml和第二支路M2均由直流電壓源Vs供電，主控電路的記憶時間由放電電容Cl的放電時間決定，第一支路Ml或第二支路M2單獨工作時，典型的容量為220uF的放電電容Cl的放電時間為3s。當開關K斷開後，第一支路Ml或/和第二支路M2的供電及主控電路的記憶時間T必須依靠放電電容Cl維持，主控電路的記憶時間T為放電電容Cl的放電時間。第一支路Ml或第二支路M2單獨工作時，放電電容Cl的放電時間一致。當第一支路Ml和第二支路M2同時工作時，放電電容Cl的放電過快導致主控電路記憶時間變短，開關K斷開後，放電電容Cl的放電時間只有第一支路Ml或第二支路M2單獨工作時的一半左右。引起主控電路同等時間切換狀態無法記憶。
實用新型內容
[0007]本方法目的在於提供一種主控電路用外圍電路，其可以保證主控電路控制的兩個支路無論是單獨工作還是同時工作，主控電路都能在斷電後，保持記憶時間的一致。
[0008]實現上述目的的一種技術方案是:一種主控電路用外圍電路，所述主控電路上設有LI埠、L2埠、GND埠、I/O埠、VCC埠和CLK埠，其中所述GND埠接地，所述LI埠通過第一限流電阻Rl連接第一支路M1，所述L2埠通過第二限流電阻R2連接第二支路M2，所述VCC埠同時連接所述第一支路Ml和所述第二支路M2 ；
[0009]該外圍電路包括:放電電容Cl、直流電壓源Vs、開關K、限流電阻R4和二極體D1，所述放電電容Cl的負極接地，正極接所述主控電路的VCC埠，所述直流電壓源Vs負極接地，正極經過所述開關K接所述二極體Dl的正極，所述二極體Dl的負極接所述主控電路的VCC埠，所述限流電阻R4的一端接所述二極體Dl的正極，另外一端接所述主控電路的CLK 埠，
[0010]該外圍電路其還包括一端與所述主控電路的i/o埠連接，另一端接地的放電電阻R3。
[0011]進一步的，所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為I?1KΩ，所述放電電阻R3的阻值為10?100KΩ，所述放電電容Cl的容量為100?1000 μ F。
[0012]進一步的，該外圍電路還包括第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R8，所述第一分壓電阻R7和所述開關K串聯，連接所述限流電阻R4與所述直流電壓源Vs的正極，以及所述直流電壓源Vs的正極與所述二極體Dl的正極，所述第二分壓電阻R8的一端連接所述限流電阻R4以及所述二極體Dl的正極，另外一端接地，所述第一分壓電阻R7和所述第二分壓電阻R8均為可變電阻。
[0013]再進一步的，所述第二分壓電阻R8並聯有一個5V的穩壓二極體Ζ1。
[0014]更進一步的，該外圍電路還包括一個一端連接所述主控電路的CLK埠，另外一端接地的濾波電容C2。
[0015]還要進一步的，所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為I?1K Ω，所述放電電阻R3的阻值為10?100Κ Ω，所述放電電容的容量為100?1000 μ F，所述濾波電容C2的容量為I?1000nF。
[0016]再進一步的，所述主控電路為BL22P02型主控晶片。
[0017]進一步的，所述第一支路Ml包括一個源極連接所述主控電路的VCC埠，柵極連接所述第一限流電阻Rl的第一後段PMOS管Ql，所述第二支路M2包括一個源極連接所述主控電路的VCC埠，柵極連接所述第二限流電阻R2的第二後段PMOS管Q2。
[0018]再進一步的，所述第一支路Ml還包括一個連接所述第一後段PMOS管Ql的源極和柵極的第一偏置電阻R5，所述第二支路M2還包括一個連接所述第二後段PMOS管Q2的源極和柵極的第二偏置電阻R6。
[0019]採用了本實用新型的一種主控電路用外圍電路的技術方案，即在主控電路的VCC埠增加一個接地的放電電阻R3的技術方案。其技術效果是:其可以保證主控電路控制的兩個支路無論是單獨工作還是同時工作，主控電路都能在斷電後，保持記憶時間的一致。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1為現有技術的主控電路用外圍電路的電路示意圖。
[0021]圖2為本實用新型的一種主控電路用外圍電路的第一實施例電路示意圖。
[0022]圖3為本實用新型的一種主控電路用外圍電路的第二實施例電路示意圖。
【具體實施方式】
[0023]請參閱圖1，本實用新型的發明人為了能更好地對本實用新型的技術方案進行理解，下面通過具體地實施例，並結合附圖進行詳細地說明:
[0024]第一實施例:
[0025]請參閱圖2，本實用新型的一種主控電路用外圍電路用於一種可同時控制兩個支路工作狀態的主控電路，該主控電路至少包括下列埠 =Ll埠、L2埠、GND埠、I/O埠、VCC埠和CLK埠，當LI埠或L2埠中的任意一個處於高電平狀態時，I/O埠處於高電平狀態，而當LI埠和L2埠同時處於低電平或同處於高電平狀態時，I/O埠處於低電平狀態。主控電路的GND埠接地，主控電路所控制的第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的柵極通過第一限流電阻Rl與主控電路的LI埠連接，第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的柵極通過第二限流電阻R2與主控電路的L2埠連接。第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的源極以及第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的源極同時連接主控電路的VCC埠，從而實現第一支路Ml同時與主控電路的LI埠及VCC埠的連接，第二支路M2同時與主控電路的L2埠及VCC埠的連接。第一支路Ml上的第一後段PMOS管Ql的漏極，以及第二支路M2上的第二後段PMOS管Q2的漏極對應連接各自的後續電路。
[0026]本實用新型的主控電路用外圍電路包括:放電電容Cl、直流電壓源Vs、開關K、限流電阻R4、二極體Dl和放電電阻R3。其中放電電容Cl的負極接地，正極接主控電路的VCC埠。直流電壓源Vs負極接地，正極通過開關K接二極體Dl的正極，二極體Dl的負極接主控電路的VCC埠，限流電阻R4的一端接二極體Dl的正極，另外一端接主控電路的CLK埠，從而直流電壓源Vs可通過開關K向限流電阻R4和二極體Dl供電。主控電路的I/O埠通過放電電阻R3接地。該主控電路用外圍電路的最大改進點就在於增加了一端與主控電路的I/0埠連接，另一端接地的放電電阻R3。
[0027]本實用新型的一種主控電路用外圍電路中增加放電電阻R3的目的在於:當，第一支路Ml或第二支路M2中有任意一個支路處於工作狀態，即LI埠或者L2埠中，有任意一個埠處於低電平狀態，而另外一個埠處於高電平狀態時，I/O埠處於高電平狀態，主控電路可通過放電電阻R3對地放電。第一支路Ml或第二支路M2同時工作，即LI埠和L2埠同時處於低電平狀態時，I/O埠處於低電平狀態，主控電路無法通過放電電阻R3對地放電。由於在LI埠所連接的第一支路Ml或L2埠所連接的第二支路M2無論是同時工作還是單獨工作，放電電容Cl都同時進行兩路放電。保證無論在第一支路Ml或第二支路M2單獨工作時，還是在第一支路Ml和第二支路M2同時工作時，主控電路都能保證記憶時間一致。
[0028]本實施例中，放電電容Cl的容量為10-1OOOuF，第一限流電阻Rl的阻值為1-10ΚΩ,第二限流電阻R2的阻值為1-10ΚΩ，放電電阻R3的阻值為10-100ΚΩ，限流電阻R4的阻值為1-10ΚΩ。在第一支路Ml和第二支路M2同時工作時，還是第一支路Ml或第二支路M2單獨工作時，放電電容Cl的放電時間主要由放電電容Cl的容量及放電電阻R3的阻值決定。
[0029]第二實施例:
[0030]請參閱圖3，在本實用新型的一種主控電路用外圍電路，可用於如BL22P02主控晶片等主控電路。主控電路的GND埠接地。主控電路所控制的第一支路Ml和第二支路M2通過第一限流電阻R1、第二限流電阻R2對應與主控電路的LI埠和L2埠連接。在第一實施例的基礎上，第一支路Ml上增加了一個連接第一後段PMOS管Ql的源極和柵極的第一偏置電阻R5。第二支路M2上增加了一個連接第二後段PMOS管Q2的源極和柵極的第二偏置電阻R6。主控電路通過控制第一後段PMOS管Ql和第二後段PMOS管Q2來切換第一支路Ml和第二支路M2的工作狀態。
[0031]本實用新型的主控電路用外圍電路包括:放電電容Cl、直流電壓源Vs、開關K、限流電阻R4、二極體Dl和放電電阻R3。其中放電電容Cl的負極接地，正極接主控電路的VCC埠。直流電壓源Vs負極接地，正極通過開關K接二極體Dl的正極，二極體Dl的負極接主控電路的VCC埠，限流電阻R4的一端接二極體Dl的正極，另外一端接主控電路的CLK埠，從而直流電壓源Vs可通過開關K向限流電阻R4和二極體Dl供電。主控電路的1/0埠通過放電電阻R3接地。該主控電路用外圍電路的最大改進點就在於增加了一端與主控電路的I/0埠連接，另一端接地的放電電阻R3。
[0032]本實用新型的一種外圍電路用主控電路，還增加了第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R8。第一分壓電阻R7的一端連接開關K，另外一端連接限流電阻R4以及二極體Dl的正極，從而使直流電壓源Vs必須通過第一分壓電阻R7和開關K向限流電阻R4和二極體Dl供電。第二分壓電阻R8的一端接地，另外一端連接限流電阻R4以及二極體Dl的正極。其中第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R8均為可變電阻，其作用在於使限流電阻R4通過分壓得到一個5V的穩定電壓。其中,第二分壓電阻R8還與一個5V的穩壓二極體Zl並聯,該穩壓二極體Zl用來鉗位分壓後，主控電路的VCC埠的電壓值，起到對主控電路的保護作用。該主控電路用外圍電路中，二極體Dl的作用在於:防止開關K關斷後，放電電容Cl上的電壓受第二分壓電阻R8同時放電的影響，而影響主控電路的記憶時間。
[0033]此外，本實用新型的一種主控電路用外圍電路，還包括一個一端連接主控電路的CLK埠，另外一端接地的濾波電容C2。濾波電容C2的作用主要是濾波作用，防止幹擾信號引起主控電路的CLK埠的誤觸發。
[0034]本實施例中，放電電容Cl的容量為10-1OOOuF，第一限流電阻Rl的阻值為10-10ΚΩ,第二限流電阻R2的阻值為10-10ΚΩ，放電電阻R3的阻值為10-100ΚΩ，限流電阻R4的阻值為1-10ΚΩ。濾波電容C2的容量一般為l-1000nF。
[0035]本【技術領域】中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本實用新型，而並非用作為對本實用新型的限定，只要在本實用新型的實質精神範圍內，對以上實施例的變化、變型都將落在本實用新型的權利要求書範圍內。
【權利要求】
1.一種主控電路用外圍電路，所述主控電路上設有LI埠、L2埠、GND埠、I/O埠、VCC埠和CLK埠，其中所述GND埠接地，所述LI埠通過第一限流電阻Rl連接第一支路M1，所述L2埠通過第二限流電阻R2連接第二支路M2，所述VCC埠同時連接所述第一支路Ml和所述第二支路M2 ； 該外圍電路包括:放電電容Cl、直流電壓源Vs、開關K、限流電阻R4和二極體D1，所述放電電容Cl的負極接地，正極接所述主控電路的VCC埠，所述直流電壓源Vs負極接地，正極經過所述開關K接所述二極體Dl的正極，所述二極體Dl的負極接所述主控電路的VCC埠，所述限流電阻R4的一端接所述二極體Dl的正極，另外一端接所述主控電路的CLK埠，其特徵在於: 其還包括一端與所述主控電路的I/O埠連接，另一端接地的放電電阻R3。
2.根據權利要求2所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為I?10ΚΩ，所述放電電阻R3的阻值為10?100K Ω，所述放電電容Cl的容量為100?1000 μ F。
3.根據權利要求1所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:該外圍電路還包括第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R8，所述第一分壓電阻R7和所述開關K串聯，連接所述限流電阻R4與所述直流電壓源Vs的正極，以及所述直流電壓源Vs的正極與所述二極體Dl的正極，所述第二分壓電阻R8的一端連接所述限流電阻R4以及所述二極體Dl的正極，另外一端接地，所述第一分壓電阻R7和所述第二分壓電阻R8均為可變電阻。
4.根據權利要求3所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述第二分壓電阻R8並聯有一個5V的穩壓二極體Zl。
5.根據權利要求4所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:該外圍電路還包括一個一端連接所述主控電路的CLK埠，另外一端接地的濾波電容C2。
6.根據權利要求5所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為I?10ΚΩ，所述放電電阻R3的阻值為10?100Κ Ω，所述放電電容的容量為100?1000 μ F，所述濾波電容C2的容量為I?100nF0
7.根據權利要求3?6所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述主控電路為BL22P02型主控晶片。
8.根據權利要求1?6中任意一項所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述第一支路Ml包括一個源極連接所述主控電路的VCC埠，柵極連接所述第一限流電阻Rl的第一後段PMOS管Ql，所述第二支路M2包括一個源極連接所述主控電路的VCC埠，柵極連接所述第二限流電阻R2的第二後段PMOS管Q2。
9.根據權利要求8所述的一種主控電路用外圍電路，其特徵在於:所述第一支路Ml還包括一個連接所述第一後段PMOS管Ql的源極和柵極的第一偏置電阻R5，所述第二支路M2還包括一個連接所述第二後段PMOS管Q2的源極和柵極的第二偏置電阻R6。
【文檔編號】H03K19/0185GK203840320SQ201420261457
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年5月20日 優先權日:2014年5月20日
【發明者】姜婷 申請人:上海貝嶺股份有限公司