製造光波導的製作方法
2023-11-11 04:00:52
專利名稱：製造光波導的製作方法
技術領域：
本申請案一般涉及光波導，且具體來說，涉及光波導的製造。
背景技術：
光波導為導引電磁波的結構。常見類型的光波導包括光纖和矩形波導。可以各種方式對光波導進行分類，例如，根據幾何形狀(例如，平面、條帶或纖維波導)、模式結構(單模式、多模式)、折射率分布(步長或梯度指數)或材料(例如，玻璃、聚合物、半導體)。
光波導可用作包括集成式光學電路、光通信系統、雷射二極體、幹涉儀、分波長多路復用器和顯示裝置的各種類型的裝置中的組件。雖然製造光波導的現有方法大體上令人滿意，但需要使用更低成本的工藝來生產光波導。
發明內容
本發明提供用於製造波導的改進的方法和裝置。一些所述方法涉及使用用於將襯底和/或其它組件成形的壓印工藝來形成所述波導的至少一部分。一些實施方案提供用於通過省略先前可能被視為經由半導體製造工藝形成波導所必需的步驟的步驟來製成波導特徵的工藝。此外，一些實施方案提供通過有意引起迄今為止被視為半導體製造工藝中的缺陷的缺陷來形成波導特徵的工藝。一些所述方法和裝置可以實質上比迄今為止所可能的成本低的成本來生產波導。
—些實施方案提供一種形成波導的方法，其包括以下步驟將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；將所述第一層粘貼到具有比所述第一層低的折射率的第二層；以及使用具有比所述第一層低的折射率的第三層包覆所述波導特徵。一些實施例提供一種根據所述方法形成的波導。
所述按壓工藝可涉及壓印和/或衝壓。可將所述按壓、粘貼和/或包覆執行為卷到卷工藝的部分。
所述粘貼工藝可涉及使用壓敏粘合劑將一層粘貼到另一層(例如，將所述第一層粘貼到所述第二層)。在一些所述實施方案中，所述壓敏粘合劑可具有比所述第一層的折射率低的折射率。
所述方法可涉及在所述包覆之前移除所述第一層的至少一些的工藝。舉例來說， 所述移除工藝可涉及等離子體灰化工藝和/或溶劑處理。視實施方案而定，所述波導特徵在所述移除工藝期間可受到或可不受到保護。
形成波導的替代方法包括以下步驟將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；在所述第一層上形成第二層；在所述第二層上濺鍍不連續的第三層，所述第三層具有比所述第二層高的折射率；以及在所述第三層上形成第四層。所述第四層可具有比所述第三層低的折射率。一些實施例提供一種根據所述方法形成的波導。
根據一些實施方案，所述形成工藝可涉及濺鍍。替代地或另外，所述形成工藝可涉及旋塗、化學氣相沉積和/或原子層沉積。所述按壓工藝可能需要壓印和/或衝壓。可將所述按壓、形成和/或濺鍍執行為卷到卷工藝的部分。
所述方法可進一步涉及在形成所述第四層之前移除所述第二層和/或所述第三層的至少一些的工藝。所述移除工藝可包含等離子體灰化工藝和/或溶劑處理。所述波導特徵在所述移除工藝期間可受到或可不受到保護。
本文提供形成波導的其它方法。一些所述方法包括以下步驟將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；在所述第一層上濺鍍第二層，所述第二層具有比所述第一層高的折射率； 以及在所述第二層上形成第三層。所述第三層可具有比所述第二層低的折射率。在一些實施方案中，所述形成工藝可包含濺鍍。一些實施例提供一種根據所述方法形成的波導。
所述方法還可涉及在形成所述第三層之前移除所述第二層的至少一些的工藝。所述移除工藝可包含等離子體灰化和/或溶劑處理工藝。所述波導特徵在所述移除工藝期間可受到或可不受到保護。
本文還提供用於製造波導的系統。一種所述系統包括以下元件壓印設備，其經配置以用於將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；第一沉積設備，其經配置以在所述第一層上形成第二層；濺鍍設備，其經配置以在所述第二層上濺鍍第三層，所述第三層具有比所述第二層高的折射率；以及第二沉積設備，其經配置以在所述第三層上形成第四層，所述第四層具有比所述第三層低的折射率。
所述第一沉積設備可經配置以在所述第一層上濺鍍所述第二層。替代地或另外， 所述第一沉積設備可經配置以通過旋塗、化學氣相沉積和/或原子層沉積在所述第一層上形成所述第二層。
一種用於形成波導的替代系統包括以下元件用於將波導特徵的輪廓按壓到第一層中的設備；用於在所述第一層上濺鍍第二層的設備，所述第二層具有比所述第一層高的折射率；以及用於在所述第二層上形成第三層的設備。所述第三層可具有比所述第二層低的折射率。
所述形成設備可包含(例如)濺鍍裝置。所述系統還可包括用於在形成所述第三層之前移除所述第二層的至少一些的設備。
本發明的這些和其它方法可由各種類型的硬體、軟體、固件等實施。舉例來說，本發明的一些特徵可至少部分由包含於機器可讀媒體中的電腦程式實施。所述電腦程式可包括用於控制一個或一個以上裝置(例如，用於製造波導的裝置)執行本文所描述的方法的指令。
圖IA為概括製造光波導的一些方法的流程圖。
圖IB為根據本文所描述的一些實施方案的用於製造光波導的卷到卷工藝中的壓印步驟的一個實例的示意描繪。
圖2A到圖2D提供根據本文所描述的一些實施方案(例如，參考圖1A)的光波導的製造中的各種步驟的實例。
圖2E和圖2F提供根據本文所描述的一些替代實施方案(例如，參考圖1A)的光波導的製造中的各種步驟的實例。
圖3為概括製造光波導的一些替代方法的流程圖。
圖4說明根據本文所描述的一些實施方案(例如，參考圖3)的光波導的製造中的一個步驟。
圖5為根據本文所描述的一些實施方案的用於製造光波導的「卷到卷」工藝的一實例的示意描繪。
具體實施例方式雖然將參考少數特定實施例描述本發明，但描述僅說明本發明且不應解釋為限制本發明。在不脫離如由所附權利要求書界定的本發明的真實精神和範圍的情況下，可對優選實施例作出對本發明的各種修改。舉例來說，不必按所指示的次序執行本文所展示和描述的方法的步驟。還應理解，本發明的方法可包括比所指示的步驟多或少的步驟。在一些實施方案中，可組合本文描述為單獨步驟的步驟。相反地，可以多個步驟實施本文描述為單個步驟的步驟。
類似地，可通過以任何便利的方式分組或劃分任務來分派裝置功能性。舉例來說， 當本文將步驟描述為由單個裝置(例如，由單個壓印裝置)執行時，所述步驟可替代地由多個裝置執行，且反之亦然。
本文常使用術語「低折射率」、「高折射率」等。這些術語通常意指與本文所描述的其它材料的折射率相比相對高或低的折射率。舉例來說，本文所描述的波導將通常包括安置於具有相對較低的折射率的「低折射率」材料之間的具有相對較高的折射率的「高折射率」材料。所述術語不一定意味著(例如)「高折射率」材料具有高於預定閾值水平的折射率。
現將參考圖IA的方法100描述製造波導的一些方法。在步驟105中，將製備高折射率層用於壓印。高折射率材料可包含(例如)聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯 (「PET」)、聚醯亞胺或光致抗蝕劑材料。
製備步驟(至少在某種程度上)可視實施方案而定。製備步驟可涉及(例如)將高折射率材料的一區段定位於印模下方或對置的印模之間，將高折射率材料的薄片饋入到壓印裝置中等。在其它實施方案中，步驟105可涉及切割或以其它方式將高折射率材料成形，且將其放置於待壓印的位置中。在一些實施方案中，步驟105或步驟110可涉及加熱高折射率層。
在步驟110中，壓印高折射率層。步驟110將涉及將壓力施加到高折射率層，且可涉及加熱與按壓的組合。傳統上，壓印工藝將通常涉及按壓經圖案化的「陽(male)」模(或類似物)與對置的「陰(female)」模之間的材料。然而，本文將使用術語「壓印」以包括類似工藝，例如，可視為「衝壓」的工藝。在一些所述工藝中，將材料按壓於經圖案化的表面與未經圖案化的表面之間。
在一些實施方案中，步驟105和110涉及將高折射率材料的薄片饋入到一對經圖案化的輥中或單個經圖案化的輥下方。所述實施方案對於「卷到卷」製造工藝可為有利的。
圖IB中描繪一個所述實例。此處，層150被饋入到輥155和160之間，且由輥155 和160壓印。輥155和160可由任何合適的材料，優選為相對耐用的材料(例如金屬)形成。舉例來說，在一些實施方案中，輥155和160可由黃銅製成。在方法100的實例中，層 150可為高折射率層。在替代實施方案(例如，下文參考圖3所描述的方法300的實施方案)中，層150可為襯底，例如低折射率襯底。在壓印工藝期間，層150在陽區段165與對置的陰區段170之間經擠壓以產生結構175和溝槽180。
圖2A和圖2B提供壓印步驟之前和之後的材料(此處為高折射率材料205)的另一實例。在壓印步驟之前，如在圖2A中所描繪的時間，高折射率材料205具有相對均勻的厚度。在壓印步驟之後(例如，步驟110)，高折射率材料205包括結構175和溝槽180。僅以實例的方式提供結構175和溝槽180的高度、寬度、形狀、間距等。舉例來說，在一些實施方案中，結構175的寬度和/或厚度可大約為數毫米、數百微米、數十微米、數微米等。
在步驟115中，製備低折射率層。此步驟至少在某種程度上可視實施方案和/或用於低折射率層的材料的類型而定。舉例來說，低折射率層可包含玻璃、塑料、聚合物(例如，聚碳酸酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(「PMMA」)等。
步驟115可涉及(例如)將低折射率材料的一區段定位成鄰近於高折射率材料的對應區段。步驟115還可涉及將粘附材料施加於低折射率層和/或高折射率層。舉例來說， 步驟115可涉及將壓敏粘附材料(例如，低折射率壓敏粘附材料)施加於低折射率層。在卷到卷製造工藝中，步驟115可涉及(例如)使低折射率層與高折射率層對準以用於進一步的卷到卷處理。在其它實施方案中，步驟115可涉及切割低折射率材料的薄片的一部分， 且將其放置於待粘貼到高折射率層的位置。
在步驟120中，將高折射率層附接到低折射率層。步驟120可涉及(例如)使用輥、壓機、印模等將低折射率層與高折射率層按壓在一起。在替代實施方案中，高折射率層經由低折射率壓敏粘合劑而附接到具有任意光學特性的襯底。根據所述實施方案，襯底可由或可不由低折射率材料形成。在卷到卷製造工藝中，步驟120可涉及(例如)將低折射率材料的薄片和高折射率材料的薄片饋入到一對輥中或單個輥下方等等。在一些實施方案中，步驟115和/或步驟120可涉及加熱低折射率層和/或高折射率層。
圖2C中提供將經壓印的高折射率層205粘貼到低折射率層210的一個實例。由此，圖2C提供圖IA的步驟120的結果的一個實例。如同本文所提供的其它說明，高折射率層205和低折射率層210的相對尺寸未必按比例，且僅僅以說明的方式而製作。
在施加低折射率材料的第二層(步驟130)之前可或可不部分移除溝槽180和/ 或結構175 (任選步驟125)。在本發明的一些波導製造工藝中，在不從溝槽180或結構175 中移除材料的情況下施加低折射率材料的第二層。舉例來說，可通過濺鍍、旋塗、噴塗或任何其它便利的工藝來施加低折射率材料(例如聚合物、塑料等)的第二層。
圖2D提供一個所述工藝的結果的實例。此處，高折射率層205的結構175和溝槽 180已被包覆於第二低折射率材料215中。在此實例中，低折射率材料215包含低折射率聚合物。然而，低折射率材料215的類型和厚度可根據實施方案而變化。
然而，對於一些應用，可能需要結構175彼此之間較完全地去耦。移除一些或所有溝槽180 (例如)可減少鄰近的高折射率區域175之間的光的「洩漏」。因此，在替代實施方案中，將移除一些或所有溝槽180。步驟125可涉及(例如)溶劑處理、等離子體灰化工藝等。在等離子體灰化工藝的一個實例中，使用等離子體源產生(例如，氧或氟的)單原子反應性物質。反應性物質與高折射率層組合以形成灰，可使用真空泵等移除灰。
圖2E提供一個所述工藝的結果的實例。此處，已移除高折射率層205的溝槽180， 留下結構175。在圖2F中描繪的隨後時間，已執行步驟130。結構175和低折射率層210 的部分已被包覆於第二低折射率材料215中。
在工藝100結束之前，可執行一個或一個以上最終處理步驟。舉例來說，可加熱、 乾燥或以其它方式固化所述結構。波導可經切割或經切塊為較小的部分、經封裝等。
現將了解，本文所描述的一些實施方案省略了先前一直被視為經由半導體製造工藝形成光波導所必需的步驟的步驟。與經由常規光刻工藝製造波導相比，可根據本文中所提供的許多實施方案在不製備和應用光罩或使用類似的圖案化工藝的情況下製造波導。當根據方法100等製造波導時，無需用光致抗蝕劑塗覆襯底，定位光罩，將光罩暴露於光等。 類似地，無需移除襯底的未暴露區域。因此，本文所描述的方法可允許以與經由現有技術方法製成的光波導相比實質上更低的成本製成光波導。
現將參考圖3和圖4描述一些替代實施方案。首先參考圖3，現將描述方法300的一些步驟。如同方法100，方法300也提供用於通過省略先前被視為經由半導體製造工藝形成波導所必需的步驟的步驟(例如，光罩遮蔽、使用光致抗蝕劑、移除襯底的未暴露部分等)來製成光波導的工藝。此外，方法300的一些實施方案涉及用於通過有意引起迄今為止一直被視為半導體製造工藝中的缺陷的缺陷來製成光波導的工藝。
在步驟305中，製備襯底以用於壓印。在一些實施方案中，襯底可由例如塑料、聚合物(例如，聚碳酸酯)等低折射率材料形成。然而，在替代實施方案中，襯底可不包含低折射率材料。製備步驟可視實施方案而定。對於「卷到卷」製造工藝，製備步驟可涉及(例如)將襯底的一區段定位於印模下方或對置的印模之間，定位襯底以供饋入到輥中等。在其它實施方案中，步驟305可涉及切割襯底薄片的一部分，且將其放置於待壓印的位置中。 在一些實施方案中，步驟305或步驟310可涉及加熱襯底。
在步驟310中，壓印襯底。步驟310可涉及按壓經圖案化的「陽」模與對置的「陰」 模之間的襯底，按壓經圖案化的表面與未經圖案化的表面之間的襯底，將襯底薄片饋入到一對經圖案化的輥中或單個經圖案化的輥下方等。
在一些實施方案中，如此處，在襯底上沉積第一低折射率層(步驟315)。所述低折射率層可由任何適當的材料製成且以任何便利的方式沉積。在一些實施方案中，如圖4中所描繪，低折射率層410沉積於襯底405上作為相對保形層。舉例來說，可經由化學氣相沉積(「CVD」)、原子層沉積(「ALD」)、旋塗、噴塗等沉積低折射率層。
在此實例中，高折射率層415經濺鍍到相對保形低折射率層410上。高折射率層 415的濺鍍沉積將趨於使高折射率層415的大部分形成於結構175和溝槽180上，而很少沉積於壁413上。雖然通常將所述不均勻的沉積視為問題，但高折射率層415的濺鍍沉積將允許高折射率材料選擇性地累積於結構175和溝槽180上，藉此隔離波導的高折射率部分。 因此，所述實施方案涉及用於通過有意引起迄今為止被視為半導體製造工藝中的缺陷的缺陷來製成光波導的工藝。
圖4中的元件未按比例繪製。在一些優選實施方案中，高折射率層415的厚度、 將實質上大於結構175相對於溝槽180的高度t2。舉例來說，在一些實施方案中，t2將大於 、至少五倍，在其它實施方案中，t2將大於、至少十倍，而在其它實施方案中，t2將大於、 至少20倍。
將低折射率層410施加於保形層中並非必需的。因此，在替代實施方案中，高折射率層415和低折射率層410兩者均可經由濺鍍或另一較不保形的工藝沉積。
在襯底由低折射率材料形成的其它實施方案中，可省略步驟315。舉例來說，可直接將高折射率層415濺鍍到低折射率襯底405上。所述實施方案可進一步簡化製造工藝。
濺鍍可引起(例如)高折射率層415中的不規則邊緣、團塊或其它不合意的特徵。 因此，在任選擇步驟325中，實施某一類型的平滑工藝。舉例來說，步驟325可涉及後沉積蝕刻工藝、溶劑清洗等。
在本實例中，在步驟330中沉積第二低折射率層420。此處，可通過噴塗、旋塗、 ALD、CVD或任何其它便利的方式施加第二低折射率層420。對於將高折射率層415直接濺鍍到低折射率襯底405上的實施方案，低折射率層420可實際上為第一且唯一的經沉積的低折射率層。
在步驟335中，發生最終處理。步驟335可涉及一個或一個以上程序，例如加熱、 乾燥或以其它方式固化波導。波導可被切割或切塊為較小的部分、經封裝等。所述工藝在步驟340中結束。
圖5為描繪可用於實施本發明的一些卷到卷光波導製造工藝的設備的示意圖。以下實例將解釋可如何使用所述裝置來實施上文參考圖3所描述的一些工藝。
在此實例中，襯底501為聚合物、塑料等薄片。將襯底501從卷505展開，且饋入到壓印設備510中(參看圖3的步驟305和310)。壓印設備510可為任何便利類型的壓印設備，例如，如上文所描述的輥類型的壓印設備。壓印設備510還可包括經配置以(例如) 在壓印工藝之前和/或在壓印工藝期間將熱量賦予襯底501的加熱裝置。在一些實施方案中，可(例如)經由嵌入式電阻器，通過在壓印設備中循環熱流體等來加熱壓印設備的表面 (例如，印模、輥等的表面)。襯底501的經壓印的表面515在離開壓印設備510之後即展示出。
設備520經配置以在襯底501的經壓印的表面515上沉積第一低折射率層。(參看圖3的步驟315)。在一些實施方案中，設備520可包含經配置以用於CVD工藝、用於ALD 工藝、用於在低折射率材料的薄膜上進行噴塗等的腔室。在替代實施方案中，設備520可包含經配置以用於低折射率材料的濺鍍沉積的腔室。
設備525經配置以在低折射率層的至少部分上沉積高折射率層。(參看圖3的步驟320)。在一些優選實施方案中，設備520可包含經配置以用於高折射率材料的濺鍍沉積的腔室。如本文其它地方所論述，濺鍍沉積工藝將趨於實質上在溝槽和凸起結構中比在結構的垂直或近似垂直的側面上沉積更多的材料。因此，高折射率材料的濺鍍沉積具有趨於隔離將用於在光波導中傳輸光的高折射率材料的沉積物的有利效應。然而，在替代實施方案中，設備520可包含經配置以用於在高折射率材料的薄膜上進行噴塗，或經配置以用於一些其它沉積工藝的腔室。
設備530經配置以在高折射率材料和其它表面上(例如，在其上未沉積高折射率
9材料的低折射率材料的第一層的表面上)沉積第二低折射率層。(參看圖3的步驟330)。 視實施方案而定，設備530可包含經配置以用於CVD工藝、用於ALD工藝、用於在低折射率材料的薄膜上進行噴塗、用於低折射率材料的濺鍍沉積等的腔室。根據所要的實施方案，所得波導材料535可經固化、經切割、經封裝等。(參看圖3的步驟335)。雖然未在圖5中展示，但可存在安置於設備525與設備530之間的設備，其經配置以執行平滑工藝(例如，如上文參考圖3的步驟325所描述的工藝)。
雖然本文已展示和描述本發明的說明性實施例和應用，但仍在本發明的概念、範圍和精神內的許多變化和修改是可能的，且這些變化應在細讀本申請案之後變得清楚。因此，本發明的實施例將被視為說明性而非限制性的，且本發明不限於本文中所給出的細節， 而可在所附權利要求書的範圍和等效物內進行修改。
權利要求
1.一種形成波導的方法，其包含 將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；將所述第一層粘貼到具有比所述第一層低的折射率的第二層；以及使用具有比所述第一層低的折射率的第三層包覆所述波導特徵。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述按壓包含壓印。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中所述按壓包含衝壓。
4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的方法，其中將所述按壓、粘貼或包覆中的至少一者作為卷到卷工藝的部分來執行。
5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述粘貼包含使用壓敏粘合劑將所述第一層粘貼到所述第二層。
6.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的方法，其進一步包含在所述包覆之前移除所述第一層的至少一些的工藝。
7.一種根據權利要求1到6中任一權利要求所述的方法形成的波導。
8.根據權利要求5所述的方法，其中所述壓敏粘合劑具有比所述第一層的折射率低的折射率。
9.根據權利要求6所述的方法，其中所述移除工藝包含等離子體灰化工藝或溶劑處理中的至少一者。
10.根據權利要求6所述的方法，其中在所述移除工藝期間不保護所述波導特徵。
11.一種形成波導的方法，其包含 將波導特徵的輪廓按壓到第一層中； 在所述第一層上形成第二層；在所述第二層上濺鍍不連續的第三層，所述第三層具有比所述第二層高的折射率；以及在所述第三層上形成第四層，所述第四層具有比所述第三層低的折射率。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述形成包含濺鍍。
13.根據權利要求11或權利要求12所述的方法，其中所述形成包含旋塗、化學氣相沉積或原子層沉積中的至少一者。
14.根據權利要求11到13中任一權利要求所述的方法，其中所述按壓包含壓印或衝壓。
15.根據權利要求11到14中任一權利要求所述的方法，其中將所述按壓、形成或濺鍍中的至少一者作為卷到卷工藝的部分來執行。
16.根據權利要求11到15中任一權利要求所述的方法，其進一步包含在形成所述第四層之前移除所述第二層或所述第三層的至少一些的工藝。
17.一種根據權利要求11到16中任一權利要求所述的方法形成的波導。
18.根據權利要求16所述的方法，其中所述移除工藝包含等離子體灰化工藝或溶劑處理中的至少一者。
19.根據權利要求16所述的方法，其中在所述移除工藝期間不保護所述波導特徵。
20.一種形成波導的方法，其包含 將波導特徵的輪廓按壓到第一層中；在所述第一層上濺鍍第二層，所述第二層具有比所述第一層高的折射率；以及在所述第二層上形成第三層，所述第三層具有比所述第二層低的折射率。
21.根據權利要求20所述的方法，其中所述形成包含濺鍍。
22.根據權利要求20或權利要求21所述的方法，其進一步包含在形成所述第三層之前移除所述第二層的至少一些的工藝。
23.一種根據權利要求20到22中任一權利要求所述的方法形成的波導。
24.根據權利要求22所述的方法，其中所述移除工藝包含等離子體灰化或溶劑處理。
25.根據權利要求22所述的方法，其中在所述移除工藝期間不保護所述波導特徵。
26.一種用於製造波導的系統，其包含壓印設備，其經配置以用於將波導特徵的輪廓按壓到第一層中； 第一沉積設備，其經配置以在所述第一層上形成第二層；濺鍍設備，其經配置以在所述第二層上濺鍍第三層，所述第三層具有比所述第二層高的折射率；以及第二沉積設備，其經配置以在所述第三層上形成第四層，所述第四層具有比所述第三層低的折射率。
27.根據權利要求26所述的系統，其中所述第一沉積設備經配置以在所述第一層上濺鍍所述第二層。
28.根據權利要求26或權利要求27所述的系統，其中所述第一沉積設備經配置以通過旋塗、化學氣相沉積或原子層沉積中的至少一者在所述第一層上形成所述第二層。
29.一種用於形成波導的系統，其包含用於將波導特徵的輪廓按壓到第一層中的構件；用於在所述第一層上濺鍍第二層的構件，所述第二層具有比所述第一層高的折射率；以及用於在所述第二層上形成第三層的構件，所述第三層具有比所述第二層低的折射率。
30.根據權利要求29所述的系統，其中所述用於形成的構件包含濺鍍裝置。
31.根據權利要求29或權利要求30所述的系統，其進一步包含用於在形成所述第三層之前移除所述第二層的至少一些的構件。
全文摘要
本發明提供用於製造波導的方法和裝置。一些所述方法涉及使用用於將襯底和/或其它組件成形的壓印工藝來形成所述波導的至少一部分。一些實施方案提供用於通過省略先前可能被視為經由半導體製造工藝形成波導所必需的步驟的步驟來製成波導特徵的工藝。一些實施方案提供通過有意引起迄今為止一直被視為半導體製造工藝中的缺陷的缺陷來形成波導特徵的工藝。一些所述方法和裝置可以實質上比迄今為止可能的成本低的成本來生產波導。
文檔編號G02B6/122GK102187257SQ200980141775
公開日2011年9月14日 申請日期2009年10月20日 優先權日2008年10月21日
發明者克拉倫斯·徐 申請人:高通Mems科技公司