直拉八英寸矽單晶熱場及八英寸矽單晶的生產工藝方法
2023-08-13 06:02:41 1
專利名稱：直拉八英寸矽單晶熱場及八英寸矽單晶的生產工藝方法
技術領域：
本發明涉及一種直拉八英寸矽單晶熱場及八英寸矽單晶的生產工藝方法，屬於矽單晶熱場及矽單晶生產工藝方法的技術領域。
背景技術：
太陽能是未來最清潔、安全和可靠的能源，矽單晶太陽能電池是今後人類最重要的綠色能源之一。在現有工藝和條件下以及從電池性能上講，矽單晶是製造太陽電池比較理想的材料，而優質參數的矽單晶是生產製作高效率太陽能電池的基本條件。國際上直拉矽單晶主流產品是Φ200πιπι，逐漸向Φ300mm過渡，研製水平已經達到 Φ400πιπι 450mm。在中國太陽能光伏領域，市場對八英寸矽片的需求增長非常大，尤其是近年來，八英寸矽單晶成為主流產品。目前，國內生產八英寸矽單晶所使用的主要還是以20英寸熱場為主，按照現有技術，拉制矽單晶所使用的常規20英寸熱場存在功耗高、拉速低、石墨坩堝損耗大的問題。如附圖1所示現有20英寸的導流筒式熱場中，熱場部件包括石墨氈1-1、石墨壓片1-2、排氣口 1-3、下石墨保溫筒1-4、下石墨支撐環1-5、中軸加長軸1-6、主石墨保溫筒1-7、加熱器 1-8、上支撐環1-9、中軸護套1-10、電極護套1-11、電極石英護套1-12、石墨中軸1_13、堝託 1-14、石墨坩堝1-15、石英坩堝1-16、上部保溫蓋板1-17、熔矽1_18、頂部蓋板1_21、外導流筒1-22、導流筒墊高環1-23、導流筒支撐環1-24、上石墨保溫筒1_25、內導流筒H6和定位環1-27。其具體結構為在爐膛內徑為850mm的單晶爐內安裝以加熱器1_8為核心的複合式熱裝置，籽晶1-20和矽單晶棒1-19置於石英坩堝1-16中，放入加熱器1-8外圍安裝主石墨保溫筒1-7，主石墨保溫筒1-7外面裹上石墨氈1-1。主石墨保溫筒1-7位於下石墨支撐環1-5上的子口內，下石墨支撐環1-5位於下石墨保溫筒1-4上，下石墨保溫筒1-4的外面也包覆石墨氈1-1，下石墨保溫筒1-4位於石墨壓片1-2上的子口內，石墨壓片1-2下墊上石墨氈1-1，主石墨保溫筒1-7上沿蓋有上支撐環1-9，上支撐環1-9下面的子口卡在主石墨保溫筒1-7上，在上支撐環1-9上墊石墨氈1-1再在上面壓上上部保溫蓋板1-17，上上石墨保溫筒1-25放在上支撐環1-9的上並卡在子口內，在上上石墨保溫筒1-25外包覆石墨氈1-1，導流筒支撐環I-M卡在上上石墨保溫筒1-25上，導流筒支撐環I-M上墊導流筒墊高環1-23，外導流筒1-22上沿放在導流筒墊高環1-23上，定位環1_27緊貼導流筒墊高環1-23外沿放在導流筒支撐環I-M上，頂部蓋板1-21下墊石墨氈1-1。石墨下軸1-13 上放中軸加長軸1-6，中軸加長軸1-6支撐放堝託1-14。該導流筒式熱場存在以下一些不足
1、熱場整體不夠緊湊、保溫效果差、能耗較高；
2、熱場導流筒結構設計不合理導致氬氣流動不暢、隔熱效果不佳、外導流筒上沿外部易大量附著氧化矽揮發物、成晶不穩定；
3、單晶頭部尾部的縱向溫度梯度變化大，整體拉速較低；
4、石墨坩堝結構不合理，使用壽命低。
另外，現有矽單晶多採用直拉法工藝生產，其具體工藝流程為將多晶矽原料放入石英坩堝，加熱熔化，調整溫度到矽的凝固點，將籽晶長大到目標直徑，提高拉速使晶體保持等直徑生長。坩堝中的熔矽快用完時，調整溫度和拉速，使晶體直徑逐漸縮小，直至成為錐形。最後提升晶體使之脫離熔矽液面，完成一次晶體生長過程。採用上述生產工藝方法生產矽單晶由於使用的是原有熱場，因此，生產的矽單晶能耗較高、系統的使用壽命較短、堝託的使用壽命也較短，導致生產成本增高，成品率和拉晶速度不高，一般成品率不到54. 18%。
發明內容
本發明的目的在於提供一種結構更加緊湊、保溫性能更好、等徑平均拉速提高、 等徑功耗得以降低的直拉八英寸矽單晶熱場及通過使用該熱場生產八英寸矽單晶的工藝方法，從而能有效的解決上述現有技術中存在的問題。本發明目的通過下述技術方案來實現一種直拉八英寸矽單晶熱場，包括石墨氈、 爐底支撐環、電極護套、下護盤壓片、石墨電極、下保溫筒、堝託、石墨坩堝、加熱器、主保溫筒、上支撐環、上保溫蓋、電極螺栓、石墨中軸、中軸加長軸、上保溫筒、外導流筒、導流筒支撐環、內導流筒、護盤壓片和石英坩堝，主保溫筒設於加熱器外圍，加熱器設於石墨電極上； 加熱器中間設石墨中軸，石墨中軸上設中軸加長軸，中軸加長軸支撐堝託；所述護盤壓片設於下護盤壓片之上，下護盤壓片和護盤壓片之間填充有石墨氈；主保溫筒的底部與下保溫筒卡接，下保溫筒底部與下護盤壓片卡接，下護盤壓片底部與爐底支撐環卡接；所述外導流筒置於導流筒支撐環上，內導流筒卡在外導流筒上，且內導流筒和外導流筒之間的間隙填充有石墨氈；所述堝託支撐石墨坩堝，石英坩堝設於石墨坩堝內，且石英坩堝上沿高出石墨坩堝上沿。作為優選，主保溫筒上部與上支撐環卡接，上支撐環的上部與上保溫筒下部卡接， 上保溫筒的上部與導流筒支撐環卡接。作為進一步優選，所述主保溫筒、下保溫筒和上保溫筒外均包覆有石墨氈。作為進一步優選，導流筒支撐環上墊有石墨氈，石墨氈上方放上保溫蓋。作為進一步優選，所述爐底支撐環內墊有石墨氈。所述內、外導流筒之間的間隙加大，填充更多的石墨氈；石墨坩堝與石墨堝託之間的接觸面積也增大。一種八英寸矽單晶的生產工藝方法，包括以下生產工藝步驟
第一步將單晶爐拆爐、清爐、裝爐、抽空檢漏充氬氣，要求真空度< 25mT0rr，真空洩漏率< SOmiTorr/hr、通氣壓力0. 15 0. 3Mpa、氬氣流量40 50slpm、爐壓10 15Torr ； 第二步熔化料從放上導流筒後的坩堝位置開始熔料，第一次加25 KW功率，以後每 15分鐘加15V電壓，直到95KW ；
第三步待熔矽全部熔化後，開啟晶轉、堝轉，並將晶轉調到10 12 rpm、堝轉調到6 Srpm，調坩堝位置到引晶堝位；待熔矽溫度穩定30 35min後，將籽晶下降至距熔矽液面 90 IOOmm處預熱25 30min，開始緩慢下降籽晶，使籽晶與熔矽接觸進行熔接；
第四步熔接完成後開始自動生長，引晶長度達到「目標細頸長」時，開始自動放肩；第五步、放肩速度設定為30 40mm/hr，當肩部放到小於要求直徑5mm時，開始轉肩，轉肩速度為120 180mm/hr，轉肩1/2後跟上堝升，當肩部達到要求直徑時，轉肩完成，進入自動等徑拉制；
第六步等徑生長時，控制爐室氬氣流量40 50slpm、爐壓10 15Torr、拉速60 40 mm / hr、晶轉10 12 rpm、堝轉6 Srpm，調節堝位保持導流筒下沿與液面之間的距離為 20 25mm ；
第七步石英坩堝內餘料重量為8 kg時，自動進入收尾狀態，完成收尾、停爐、冷卻。作為進一步優選，在第三步中，設置引晶堝位為導流筒下沿距液面30 35mm處。作為進一步優選，在第四步中，設置SOP文件單晶爐引晶參數選項「熱場設定值只減少」為開啟，「頸部直徑設定點」為4. 5 4. 8mm，「目標細頸長」為100 150mm，「頸部生長設定點」為100mm/hr。作為進一步優選，在第六步中，設置SOP文件(SOP是標準操作程序Mandard Operating Process的英文首字母縮寫)等徑斜率表「溫度改變值」為由0增大到40，堝升/晶升比率表堝升/晶升比率為0. 152 0. 200，通過調高等徑開始階段堝升/晶升比率，成晶堝位由導流筒下沿距液面30 35mm之間，恢復到導流筒下沿距液面20_30mm處的成晶堝位。作為進一步優選，在第七步中，設置收尾工藝參數為收尾開始階段，晶升保持收尾開始速度40mm/min，緩慢降低晶升速度至20 mm/min，堝升速度降為零，最後在中後部通過逐步提升晶升速度的方式完成由20mm/min增大至250mm/min的收尾。所述的引晶、縮徑、放肩、等直徑生長等步驟中，利用導流筒的角度將爐內氬氣流直吹晶錠外徑與熔矽接觸處，即結晶前沿；可迅速帶走晶體生長中產生的熱量，加快晶體的冷卻，提高晶體的縱向溫度梯度，提高晶體的生長速度。通過使用該熱場生產八英寸矽單晶的工藝方法，可以得出以下的實驗結果投料量85kg的20英寸導流筒式熱場下生長的直徑206mm的太陽能級矽單晶，長度960mm，P型 晶向，矽單晶棒的縱向電阻率2. 5 1.6 Ω ·αιι，矽單晶的間隙氧含量彡1.0Χ IO18 at / cm3，替位碳含量< 5X IO16 at / cm3，位錯密度< 100/cm2即無位錯，少數載流子壽命大於10us。因此，八英寸太陽能級直拉矽單晶各項檢測指標符合要求。與現有技術相比，本發明的有益效果本發明直拉八英寸矽單晶熱場中，導流筒隔熱效果好、大量減少了熱量的散失，解決了外導流筒上沿外部大量附著氧化矽揮發物的現象；加強了熱場保溫、增大了晶體內部的縱向溫度梯度、提高了整體拉速，更好的保證了成晶的穩定性，石墨坩堝的結構大幅延長了其使用壽命；因此，本發明直拉八英寸矽單晶熱場整體結構更加緊湊、保溫性能更好、等徑平均拉速提高，降低了等徑功耗，節約了生產成本， 提高生產效率；另外，採用本發明八英寸矽單晶的生產工藝方法生產的矽單晶，能耗較原熱場降低30%左右，提高系統的使用壽命、堝託的使用壽命平均提高一倍以上、降低了生產成本、同時提高了成品率和拉晶速度、縮短生長周期、提高了效率；成品率可達68%以上。
圖1是現有技術中熱場的結構示意圖。圖2是本發明中熱場的結構示意圖；圖3為圖2中石墨坩堝的結構示意圖； 圖4為圖2中導流筒的結構示意圖。現有技術圖1中1-1是石墨氈，1-2是石墨壓片，1-3是排氣口，1-4是下石墨保溫筒，1-5是下石墨支撐環，1-6是中軸加長軸，1-7是主石墨保溫筒，1-8是加熱器，1-9是上支撐環，1-10是中軸護套，1-11是電極護套，1-12是電極石英護套，1-13是石墨中軸，1-14是堝託，1-15是石墨坩堝，1-16是石英坩堝，1-17是上部保溫蓋板，1-18是熔矽，1-19是矽單晶棒，1-20是籽晶，1-21是頂部蓋板，1-22是外導流筒，1-23是導流筒墊高環，1-24是導流筒支撐環，1-25是上石墨保溫筒，1-26是內導流筒，1-27是定位環。本發明圖2中1是石墨氈，2是爐底支撐環，3是電極護套，4是下護盤壓片，5是石墨電極，6是下保溫筒，7是堝託，8是石墨坩堝，9是加熱器，10是主保溫筒，11是上支撐環，12是矽單晶棒，13是上保溫蓋，14是爐筒排氣口，15是電極螺栓，16是石墨中軸，17是中軸加長軸，18是熔矽，19是上保溫筒，20是外導流筒，21是導流筒支撐環，22是內導流筒， 23是籽晶，對是護盤壓片，25是石英坩堝。
具體實施例方式為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。本說明書中公開的所有特徵，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了相互排斥的特質和/或步驟以外，均可以以任何方式組合，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特徵加以替換，即，除非特別敘述，每個特徵之一系列等效或類似特徵中的一個實施例而已。實施例1
一種直拉八英寸矽單晶熱場，如圖2、圖3、圖4所示，熱場包括石墨氈1、爐底支撐環2、 電極護套3、下護盤壓片4、石墨電極5、下保溫筒6、堝託7、石墨坩堝8、加熱器9、主保溫筒 10、上支撐環11、上保溫蓋13、電極螺栓15、石墨中軸16、中軸加長軸17、上保溫筒19、外導流筒20、導流筒支撐環21、內導流筒22、護盤壓片M和石英坩堝25，主保溫筒10設於加熱器9外圍，加熱器9設於石墨電極5上；加熱器9中間設石墨中軸16，石墨中軸16上設中軸加長軸17，中軸加長軸17支撐堝託7，所述護盤壓片M設於下護盤壓片4之上，下護盤壓片4和護盤壓片M之間填充有石墨氈1 ；主保溫筒10的底部與下保溫筒6卡接，下保溫筒 6底部與下護盤壓片4卡接，下護盤壓片4底部與爐底支撐環2卡接；所述外導流筒20置於導流筒支撐環21上，內導流筒22卡在外導流筒20上，且內導流筒22和外導流筒20之間填充有石墨氈1 ；所述堝託7支撐石墨坩堝8，石英坩堝25設於石墨坩堝8內，且石英坩堝25上沿高出石墨坩堝8上沿。主保溫筒10上部與上支撐環11卡接，上支撐環11的上部與上保溫筒19下部卡接，上保溫筒19的上部與導流筒支撐環21卡接；導流筒支撐環21上墊有石墨氈1，石墨氈 1上設上保溫蓋13 ；所述主保溫筒10、下保溫筒6和上保溫筒19外均包覆有石墨氈1 ；所述爐底支撐環2內墊有石墨氈1。具體來說本發明直拉八英寸矽單晶熱場是在爐膛內徑Φ = 850mm單晶爐內安裝以加熱器9為核心的複合式熱裝置，加熱器9外圍安裝主保溫筒10，主保溫筒10外面裹上石墨氈1。主保溫筒10座落在下保溫筒6上的止口內，下保溫筒6座落在下護盤壓片4上的止口內，下護盤壓片4下止口卡在爐底支撐環2上，爐底支撐環內墊上石墨氈1，主保溫筒 10上沿放上上支撐環11，上支撐環11下面的止口要卡在主保溫筒10上，在上支撐環11上裝上上保溫筒19，上保溫筒19卡在上支撐環11的上止口內，並在上保溫筒19外裹上石墨氈1，導流筒支撐環21卡在上保溫筒19上，外導流筒20下沿放在導流筒支撐環21上，內導流筒22卡在外導流筒20上，導流筒支撐環21上墊石墨氈1，石墨氈上蓋上保溫蓋13。石墨中軸16上放中軸加長軸17，中軸加長軸17支撐放堝託7，堝託7支撐石墨坩堝8，石英坩堝25座落在石墨坩堝8內，石英坩堝25上沿需高出石墨坩堝8上沿。加熱器9是坐在石墨電極5上的，石墨電極5通過螺紋緊固在通電金屬電極上。如圖3所示此石墨坩堝為三瓣坩堝本體配合而成，坩堝本體呈圓筒狀，坩堝本體外表面內外圈具有間隔均勻且高度相同的小凸臺。本發明熱場中的石墨坩堝A處較原石墨坩堝厚3mm，石墨坩堝B處是易斷裂處也加厚10_15mm，另外，增加了石墨坩堝C處，石墨坩堝D處直徑縮小70-80mm，增加了石墨坩堝與堝託的接觸面。如圖4所示本發明熱場中的導流筒是由內導流筒22與外導流筒20配合而成，所述外導流筒20的形狀分為上、下兩段，上段為垂直段、下端往內傾斜，內導流筒22的下法蘭面平放在外導流筒20的上法蘭面上，內導流筒22的下止口卡在外導流筒20的下止口上， 內外導流筒配合好後內部留有一定空間，此處填充石墨氈1。
一種八英寸矽單晶的生產工藝方法，包括以下生產工藝步驟 第一步按常規方法將單晶爐拆爐、清爐、裝爐、抽空檢漏充氬氣，SOP文件中的參數設置真空度< 25mTorr，真空洩漏率< 50mTorr/hr、通氣壓力0. 2Mpa、氬氣流量40slpm、爐壓 IOTorr ；
第二步熔化料投料量85kg，從放上導流筒後的坩堝位置開始熔料，第一次加25kw功率，待料紅透時，以後每15分鐘加15V電壓，直到化料所需的最高化料功率95kw ；儘量以 IRPM的速度轉動坩堝以便受熱均勻，當堝內多晶垮塌後根據堝內情況適當升高堝位，熔料完成之前，檢查計算機內參數是否正確。第三步待料熔化完後，降加熱功率到熔接功率，開啟晶轉、堝轉，並將晶轉調到 IOrpm、堝轉調到Srpm ；調坩堝位置到引晶堝位，以坩堝平口和加熱器平口水平時為零計算，引晶堝位以導流筒下沿距液面30mm之間為準。待熔矽溫度穩定30min後，將籽晶下降至距熔矽液面90mm處預熱25min，開始緩慢下降籽晶，使籽晶與熔矽接觸進行熔接；
第四步熔接完成後開始自動生長，引晶長度達到「目標細頸長」時，開始自動放肩； 設置SOP文件單晶爐引晶參數選項「熱場設定值只減少」為開啟，「頸部直徑設定點」為 4. 5mm, 「目標細頸長」為100mm，「頸部生長設定點」為100mm/hr。第五步設備自動按照SOP文件中的參數設置進行放肩，具體放肩表如表一所示，當肩部放到小於要求直徑5mm時，開始轉肩，轉肩速度為120mm/hr，轉肩1/2後跟上堝升，當肩部達到要求直徑時，轉肩完成，進入自動等徑拉制。
權利要求
1.一種直拉八英寸矽單晶熱場，包括石墨氈(1)、爐底支撐環(2)、電極護套(3)、下護盤壓片(4)、石墨電極(5)、下保溫筒(6)、堝託(7)、石墨坩堝(8)、加熱器(9)、主保溫筒 (10)、上支撐環(11)、上保溫蓋(13)、電極螺栓(15)、石墨中軸(16)、中軸加長軸(17)、上保溫筒(19)、外導流筒(20)、導流筒支撐環(21)、內導流筒(22)和石英坩堝(25)，主保溫筒 (10)設於加熱器(9)外圍，加熱器(9)設於石墨電極(5)上；加熱器(9)中間設石墨中軸 (16)，石墨中軸(16)上設中軸加長軸(17)，中軸加長軸(17)支撐堝託(7);其特徵在於還包括護盤壓片(24)，所述護盤壓片(24)設於下護盤壓片(4)之上，下護盤壓片(4)和護盤壓片(24)之間填充有石墨氈(1);主保溫筒(10)的底部與下保溫筒(6)卡接，下保溫筒(6)底部與下護盤壓片(4)卡接，下護盤壓片(4)底部與爐底支撐環(2)卡接；所述外導流筒(20) 置於導流筒支撐環(21)上，內導流筒(22)卡在外導流筒(20)上，且內導流筒(22)和外導流筒(20)之間的間隙填充有石墨氈(1);所述堝託(7)支撐石墨坩堝(8)，石英坩堝(25)設於石墨坩堝(8)內，且石英坩堝(25)上沿高出石墨坩堝(8)上沿。
2.根據權利要求1所述的直拉八英寸矽單晶熱場，其特徵在於主保溫筒(10)上部與上支撐環(11)卡接，上支撐環(11)的上部與上保溫筒(13)下部卡接，上保溫筒(13)的上部與導流筒支撐環(21)卡接。
3.根據權利要求2所述的直拉八英寸矽單晶熱場，其特徵在於所述主保溫筒(10)、下保溫筒(6 )和上保溫筒(13)外均包覆有石墨氈(1)。
4.根據權利要求3所述的直拉八英寸矽單晶熱場，其特徵在於導流筒支撐環(21)上墊有石墨氈(1)，石墨氈(1)上方放上保溫蓋(13)。
5.根據權利要求1或4中任一權利要求所述的直拉八英寸矽單晶熱場，其特徵在於 所述爐底支撐環(2)內墊有石墨氈(1)。
6.一種八英寸矽單晶的生產工藝方法，其特徵在於包括以下生產工藝步驟第一步將單晶爐拆爐、清爐、裝爐、抽空檢漏充氬氣，要求真空度< 25mT0rr，真空洩漏率< SOmiTorr/hr、通氣壓力0. 15 0. 3Mpa、氬氣流量40 50slpm、爐壓10 15Torr ；第二步熔化料從放上導流筒後的坩堝位置開始熔料，第一次加25 KW功率，以後每 15分鐘加15V電壓，直到95KW ；第三步待熔矽全部熔化後，開啟晶轉、堝轉，並將晶轉調到10 12 rpm、堝轉調到6 Srpm，調坩堝位置到引晶堝位；待熔矽溫度穩定30 35min後，將籽晶下降至距熔矽液面 90 IOOmm處預熱25 30min，開始緩慢下降籽晶，使籽晶與熔矽接觸進行熔接；第四步熔接完成後開始自動生長，引晶長度達到「目標細頸長」時，開始自動放肩；第五步、放肩速度設定為30 40mm/hr，當肩部放到小於要求直徑5mm時，開始轉肩，轉肩速度為120 180mm/hr，轉肩1/2後跟上堝升，當肩部達到要求直徑時，轉肩完成，進入自動等徑拉制；第六步等徑生長時，控制爐室氬氣流量40 50slpm、爐壓10 15Torr、拉速60 40 mm / hr、晶轉10 12 rpm、堝轉6 Srpm，調節堝位保持導流筒下沿與液面之間的距離為 20 25mm ；第七步石英坩堝內餘料重量為8 kg時，自動進入收尾狀態，完成收尾、停爐、冷卻。
7.根據權利要求6所述的八英寸矽單晶的生產工藝方法，其特徵在於在第三步中，設置引晶堝位為導流筒下沿距液面30 35mm處。
8.根據權利要求6所述的八英寸矽單晶的生產工藝方法，其特徵在於在第四步中，設置SOP文件單晶爐引晶參數選項「熱場設定值只減少」為開啟，「頸部直徑設定點」為4. 5 4. 8mm, 「目標細頸長」為100 150mm，「頸部生長設定點」為100mm/hr。
9.根據權利要求6所述的八英寸矽單晶的生產工藝方法，其特徵在於在第六步中，設置SOP文件等徑斜率表「溫度改變值」為由O增大到40，堝升/晶升比率表堝升/晶升比率為0. 152 0. 200，通過調高等徑開始階段堝升/晶升比率，成晶堝位由導流筒下沿距液面30 35mm之間，恢復到導流筒下沿距液面20_30mm處的成晶堝位。
10.根據權利要求6所述的八英寸矽單晶的生產工藝方法，其特徵在於在第七步中，設置收尾工藝參數為收尾開始階段，晶升保持收尾開始速度40mm/min，緩慢降低晶升速度至20 mm/min，堝升速度降為零，最後在中後部通過逐步提升晶升速度的方式完成由 20mm/min增大至250mm/min的收尾。
全文摘要
本發明公開了一種直拉八英寸矽單晶熱場及八英寸矽單晶的生產工藝方法，所述護盤壓片設於下護盤壓片之上，下護盤壓片和護盤壓片之間填充有石墨氈；主保溫筒的底部與下保溫筒卡接，下保溫筒底部與下護盤壓片卡接，下護盤壓片底部與爐底支撐環卡接；所述外導流筒置於導流筒支撐環上，內導流筒卡在外導流筒上，且內導流筒和外導流筒之間的間隙填充有石墨氈；本熱場結構緊湊、保溫性能更好、等徑平均拉速提高，降低了等徑功耗，節約了生產成本，提高生產效率；本發明所述八英寸矽單晶的生產工藝方法包括單晶爐清爐、裝爐、抽真空，熔化料，熔接，自動引晶、放肩、等徑生長及收尾，利用該方法提高了生產效率和產品成品率。
文檔編號C30B29/06GK102367588SQ20111034699
公開日2012年3月7日 申請日期2011年11月7日 優先權日2011年11月7日
發明者吳雪霆, 楊帆, 謝江帆, 陳軍, 雷世俊 申請人:東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司