光致抗蝕用化合物、光致抗蝕液及使用其的蝕刻方法

2023-08-02 02:03:16 1

專利名稱：：光致抗蝕用化合物、光致抗蝕液及使用其的蝕刻方法
技術領域：
：本發明涉及可以形成微細圖案的光致抗蝕用化合物和光致抗蝕液。本發明還涉及使用上述光致抗蝕液的被加工表面的蝕刻方法。
背景技術：
：在製造半導體元件、磁泡存儲器、集成電路等電子部件的工序中，形成微細圖案將其作為蝕刻掩模，將位於其下層的表面蝕刻的技術正被廣泛使用。另外，近年來LED之類的發光元件被靈活應用於各種用途。該LED中，利用樹脂等將在基板上層疊了含有發光層的半導體多層膜的半導體元件(以下，也將其稱為"晶片")封裝，但由於該晶片的光取出口的最上層(或最外層)與封裝的樹脂之間的折射率不同，因此在兩者的界面引起反射而導致發光效率下降。由此，以防止該界面處的反射、改善其發光效率為目的，提出了在上述晶片的光取出口的表面設置微細凹凸結構的方案(參考例如日本特開2003-174191號公報或其英文專利族成員US2002/0195609A1以及曰本特開2003-209283號公報或其英文專利族成員US2003/0132445Al，它們的所用記載特別作為公開內容在此引用)。日本特開2003-174191號公報中，其第5實施方式公開了以下的方法:設置防反射膜作為構成上述發光二極體的光取出口的最上層，為了在該防反射膜的表面形成微細的凹凸形狀，事先製造形成有微細凹凸形狀的模具，利用該模具將上述防反射膜的表面擠壓成形，在光取出口的表面形成凹凸形狀的方法；或者，作為其變形例的用研磨機在任意方向將防反射膜的表面弄粗糙來代替使用模具的擠壓成形的方法。但是，前者的方法除了必須製作模具這樣的複雜工序之外，還存在花費模具製作成本的缺點，後者的方法中，通常難以製作均勻的粗面，存在制品中出現性能上的離差的問題。另一方面，日本特開2003-209283號公報中公開了以下的方法利用葉片加工，在構成半導體元件的光取出口的最上層的電流擴散層，形成截面三角形狀的線與空間(lineandspace)圖案，再進行高溫鹽酸處理，在電流擴散層的表面形成亞微細的凹凸的方法；使用光致抗蝕劑在電流擴散層上形成線與空間圖案，再通過反應'離子'蝕刻(RIE)，在電流擴散層的表面形成與上述同樣的微小的凹凸的方法。但是，這些方法均存在需要複雜工序的問題。作為微細的凹凸結構的製作、半導體裝置的製作等使用的技術，一直以來已知有光刻蝕法。光刻蝕法中，將含有感光性化合物的抗蝕組合物塗布到基板等的表面之後，隔著光致掩模進行圖案曝光，接著通過進行顯影來選擇性除去曝光部或非曝光部的任一者，從而形成抗蝕圖案。之後，將該抗蝕圖案作為蝕刻掩模使用，可以在基板等的表面形成微細的凹凸圖案或半導體元件。但是，使用了以往的含有感光性化合物的光致抗蝕液的光刻蝕法中，在圖案曝光後必須有顯影工序，結果增加了僅此部分的工序。
發明內容本發明的目的在於，提供一種為進行利用光刻蝕法的微細加工而使用的新光致抗蝕用化合物，更詳細地講，提供一種可以省略圖案曝光後的顯影工序的新光致抗蝕用化合物。本發明的另一目的在於，提供使用了上述光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液。本發明的又一目的在於，提供使用上述光致抗蝕液，將希望的表面蝕刻的蝕刻方法。本發明人為了完成上述目的進行了認真的研究，結果發現如對含有從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物中選擇的色素化合物的色素膜進行圖案曝光，則色素經發熱在光照射部分發生化學及/或物理的物性變化，可以將該圖案曝光後的色素膜作為蝕刻用掩模使用，於是完成了本發明。本發明涉及從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物中選擇的光致抗蝕用化合物。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(I)所示的具有氧雜菁色素骨架的化合物(以下，也稱為"氧雜菁色素(oxonoldye)")。formulaseeoriginaldocumentpage10上述氧雜菁色素優選選自熱分解溫度為IO(TC以上、50(TC以下的色素。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(iv)所示的花青色素(cyaninedye)。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(V)所示的苯乙烯基色素(styryldye)。通式(V)>15R16X上述花青色素或苯乙烯基色素優選選自熱分解溫度為IO(TC以上、600ii'C以下的色素。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(VI)所示的具有部花青色素骨架的化合物(以下，也稱為"部花青色素(merocyanine)")。上述部花青色素優選選自熱分解溫度為150'C以上、50(TC以下的色素。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(vn)所示的具有酞菁色素骨架的化合物(以下，也稱為"酞菁色素(phthalocyaninedye)")。通式(VII)formulaseeoriginaldocumentpage12通式(VII)所示的酞菁色素優選選自下述通式(VIII)所示的化合物。通式(VIII)通式(VI)[通式(Vm沖，R"lTS和R"Res分別獨立地表示氫原子、滷原子、氰基、硝基、甲醯基、羧基、磺基、碳數120的取代或無取代的烷基、碳數614的取代或無取代的芳基、碳數110的取代或無取代的雜環基、碳數120的取代或無取代的烷氧基、碳數614的取代或無取代的芳氧基、碳數221的取代或無取代的醯基、碳數120的取代或無取代的垸基磺醯基、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基、碳數110的雜原子鍵合(Heteryl)磺醯基、碳數125的取代或無取代的氨基甲醯基、碳數032的取代或無取代的氨磺醯基、碳數220的取代或無取代的烷氧基羰基、碳數715的取代或無取代的芳氧基羰基、碳數221的取代或無取代的醯基氨基、碳數120的取代或無取代的磺醯基氨基或碳數036的取代或無取代的氨基，R"R"和R"R^中的至少8個為氫原子，R"R"不全為氫原子。M與通式(VII)中的定義相同]根據方式之一，通式(VIII)中，R"和R"的任一方、R"和R"的任一方、Ra5和Ra6的任一方以及R°7和R°8的任一方不是氫原子。上述酞菁色素優選選自熱分解溫度為150'C以上、50(TC以下的色素。根據方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(IX)所示的偶氮化合物或者該偶氮化合物與金屬離子的絡合物。通式(IX)Q1—N=N—Q2通式(IX)所示的化合物中，特別優選的一組為下述通式(X-1)所示的偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬離子的絡合物。通式(X-1)(、a1^~N=N—Q3、N通式(IX)所示的化合物中，特別優選的一組為下述通式(X-2)所示的偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬粒子的絡合物。通式(X-2)(A2/^_N,—Q4、N上述偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬粒子的絡合物優選選自熱分解溫度為15(TC以上、50(TC以下的化合物和絡合物。本發明的其他方式涉及至少含有一種本發明的光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液。根據方式之一，以上述光致抗蝕液中所含全部固態組分為基準，上述光致抗蝕液中含有50質量％以上的上述光致抗蝕用化合物。本發明的其他方式涉及一種被加工表面的蝕刻方法，其中包括將本發明的光致抗蝕液塗布到被加工表面形成光致抗蝕膜的工序；對上述光致抗蝕膜進行圖案曝光的工序；以及對具有上述圖案曝光後的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分施加蝕刻處理，將與在上述圖案曝光中被曝光的部分相對應的區域中的被加工表面的至少一部分蝕刻的工序。根據方式之一，上述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長的雷射，上述光致抗蝕膜中含有的光致抗蝕用化合物是選自氧雜菁色素、花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素、偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物的化合物，該化合物的最大吸收波長Amax在入土150nm的範圍。根據方式之一，上述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長的雷射，上述光致抗蝕膜中含有的光致抗蝕用化合物為酞菁色素，且該酞菁色素在入土150nm的範圍內具有最大吸收。根據本發明，僅進行圖案曝光就可以形成蝕刻用掩模，換而言之，不用經過利用顯影液的顯影工序，因此，可以將各種製造半導體裝置工序中多次進行的光刻蝕法工序的各顯影工序省略，這樣可以實現大幅的簡便化。另外，根據本發明可以在被加工表面形成微細凹凸。具體實施方式[光致抗蝕用化合物]本發明的光致抗蝕用化合物為從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物中選擇的化合物。本發明人發現，含有從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物中選擇的化合物(以下，也稱為"色素化合物")的色素膜若局部奪光照射，則光照射部分發生局部物性變化，與光照射前的色素膜相比，耐蝕刻性下降，另外，新發現該色素膜可以發揮作為蝕刻用掩模的功能。對於該現象，本發明人進行如下的推定。認為如對含有上述色素化合物的色素膜用例如雷射束照射點狀光，則光照射部分中，色素化合物發熱。因該發熱，色素化合物發生熱分解等引起物性變化，結果，色素膜中光照射部分發生局部物理及/或化學變化，形成凹坑(開口)或局部耐久性下降的部分(低耐久性部)。形成了凹坑的色素膜的作為蝕刻用掩模的功能自不必說，低耐久性部在蝕刻工序中更容易被蝕刻，因此經圖案曝光形成了低耐久性部的色素膜也可以作為蝕刻用掩模起作用。另外也明確了，含有氧雜菁色素的色素膜自身的耐蝕刻性優良，可以作為對蝕刻的耐久性膜而發揮良好作用。在此，蝕刻的方法可以是幹蝕刻或溼蝕刻。特別是採用幹蝕刻時，由於不需要溼蝕刻液的洗浄工序，因此優選。特別是，本發明人觀察了含有上述色素化合物的色素膜在雷射照射中的行為，結果確認了，在雷射束的光照射部分的中心部的溫度上升、在周邊部分溫度低下的現象。雖不清楚該周邊部分的溫度下降的理由，但認為通過該周邊部分的溫度下降，可以抑制雷射照射部的中心部中因熱分解引起的凹坑形成或低耐久性部形成的情況向周邊部的物性變化的擴大，用雷射進行圖案曝光，可以在色素膜形成比雷射束的光束徑更小徑的圖案。因此，通過利用雷射對色素膜進行圖案曝光，僅在比該雷射束徑照射的區域更狹小一段的小徑的曝光區域成為低耐久性部，結果可以實現與以雷射束徑比雷射更小的光束進行圖案曝光的情況相同的微細的圖案曝光。另外，含有上述色素化合物的色素膜通過圖案曝光在其照射部形成凹坑或低耐久性部，因此，不需要圖案曝光後的顯影處理，可以在圖案曝光之後進行蝕刻工序。本發明中"光致抗蝕"包括利用該圖案曝光產生的熱形成抗蝕圖案的方式。以下進一步詳細地說明本發明的光致抗蝕用化合物。本發明的光致抗蝕用化合物可以是具有氧雜菁色素骨架的化合物。本發明中，"具有氧雜菁色素骨架的化合物"是指一種次甲基色素，其中，構成發色團的交互共軛系被具有負電荷的雜原子或碳原子終端，由此，使負電荷在共軛系整體中非局部化。具有氧雜菁色素骨架的化合物中，從吸光特性、熱分解特性等的觀點出發，可列舉如下述通式(I)所示的氧雜菁色素。通式(I)16通式(I)中，A、B、C和D分別獨立地表示吸電子性基團，A所示的吸電子性基團與B所示的吸電子性基團的哈米特op值的合計為0.6以上，C所示的吸電子性基團與D所示的吸電子性基團的哈米特op值的合計為0.6以上，A與B可相互連結形成環，C與D可相互連結形成環，R表示次甲基碳上的取代基，m表示0以上、3以下的整數，n表示0以上、(2m+1)以下的整數，n為2以上的整數時，多個存在的R可以分別相同或不同，也可以相互連結形成環，X表示將通式(I)所示化合物的電荷中和的平衡離子。以下，對通式(I)所示的氧雜菁色素進行說明。通式(I)中，A、B、C和D分別獨立地表示吸電子性基團。A所示的吸電子性基團與B所示的吸電子性基團的哈米特取代基常數op值(以下，稱為op值)的合計為0.6以上，C所示的吸電子性基團與D所示的吸電子性基團的哈米特op值的合計為0.6以上。上述哈米特op值的合計如為0.6以上，則可以實現作為光致抗蝕用化合物的適合的吸收特性和熱分解性。A、B、C和D可以分別相同或不同。另夕卜，A與B或者C與D也可以連結形成環。A所示的吸電子性基團與B所示的吸電子性基團的哈米特op值的合計以及C所示的吸電子性基團與D所示的吸電子性基團的哈米特op值的合計分別優選為0.61.7，更優選為0.71.6。另夕卜，A、B、C以及D所示的吸電子性基團的哈米特op值優選分別獨立地在0.300.85的範圍，更優選在0.350.80的範圍。哈米特op值已記載在例如Chem.Rev.91，165(1991)以及其引用的參考文獻中，沒有記載的內容也可以通過該文獻記載的方法求得。A與B(或者C與D)連結形成環時，A(或C)的op值表示-A-B-H(或-C-D-H)基的op值，B(或D)的op值表示-B-A-H(或-D-C-H)基的op值。此時，由於兩者的結合的方向不同，因此op值不同。作為A、B、C和D所示的吸電子性基團的優選具體示例，可例如氰基、硝基、碳數110的醯基(例如乙醯基、丙醯基、丁醯基、三甲基乙醯基、苯甲醯基)、碳數212的垸氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、癸氧基羰基)、碳數711的芳氧17基羰基(例如，苯氧基羰基)、碳數110的氨基甲醯基(例如，甲基氨基甲醯基、乙基氨基甲醯基、苯基氨基甲醯基)、碳數110的烷基磺醯基(例如，甲烷磺醯基)、碳數610的芳基磺醯基(例如，苯磺醯基)、碳數110的垸氧基磺醯基(例如，甲氧基磺醯基)、碳數110的氨磺醯基(例如，乙基氨磺醯基、苯基氨磺醯基)、碳數110的烷基亞硫醯基(例如，甲垸亞硫醯基、乙烷亞硫醯基)、碳數610的芳基亞硫醯基(例如，苯亞硫醯基)、碳數110的烷基亞氧硫基(alkylsulfenyl)(例如，甲亞氧硫基、乙亞氧硫基)、碳數610的芳亞氧硫基(例如，苯亞氧硫基)、滷原子、碳數210的炔基(例如，乙炔基),、碳數210的二醯基氨基(例如，二乙醯基氨基)、磷醯基、羧基、5元或6元的雜環基(例如，2-苯並噻唑啉基、2-苯並噻唑啉基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、4-嘧啶基)。通式(I)中，作為R所示的次甲基碳上的取代基，可列舉如以下記載的取代基。碳數120的鏈狀或環狀的垸基(例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基)、碳數618的取代或無取代的芳基(例如，苯基、氯苯基、茴香基、甲苯醯基、2，4-二-t-戊基、l-萘基)、烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)、炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、滷原子(例如F、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、醯基(例如，乙醯基、苯甲醯基、水楊醯基、三甲基乙醯基)、烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環己基氧基)、芳氧基(例如，苯氧基、l-萘氧基)、烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、苄硫基、3-甲氧基丙基硫基)、芳硫基(例如，苯硫基、4-氯苯硫基)、烷基磺醯基(例如，甲烷磺醯基、丁烷磺醯基)、芳基磺醯基(例如，苯磺醯基、對甲苯磺醯基)、碳數110的氨基甲醯基、碳數110的醯胺基、碳數212的醯亞胺基、碳數210的醯氧基、碳數210的烷氧基羰基、雜環基(例如，吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑啉基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環，吡咯烷環、哌啶環、嗎啉環、吡喃環、硫代吡喃環、二噁垸環、二硫雜環戊垸環等脂肪族雜環)。作為R，可列舉如滷原子、碳數18的鏈狀或環狀的垸基、碳數6IO的芳基、碳數18的烷氧基、碳數610的芳氧基、碳數310的雜環基，特別優選氯原子、碳數14的烷基(例甲基、乙基、異丙基)、18苯基、碳數14的垸氧基(例甲氧基、乙氧基)、苯氧基、碳數48的含氮雜環基(例如，4-吡啶基、苯並噁唑-2-基、苯並噻唑-2-基)。n表示0以上、(2m+l)以下的整數。另夕卜，m的詳細情況如後所述。N為2以上的整數時，多個存在的R可以分別相同或不同，也可以相互連結形成環。此時環元數優選48，特別優選5或6，環的構成原子優選碳原子、氧原子及/或氮原子，特別優選碳原子。A、B、C、D以及R還可以具有取代基，作為取代基的示例，可以例舉與之前作為通式(I)中R所示的一價取代基的示例而例舉的相同示例。另外，本發明中，對於某些基而言，"碳數"在具有取代基的基中是指不包括該取代基的部分的碳數。作為通式(I)所示的氧雜菁色素，從熱分解性的觀點考慮，優選的是A與B、及/或C與D連結形成環，作為該環的示例可列舉如下的環。另外，例示中，Ra、Rb與Rc各自獨立地表示氫原子或取代基。Ra、Rb以及Rc表示的取代基的詳細情況分別與對R的之前的記載相同。另外Ra、Rb以及Rc也可以分別相互連結形成碳環或雜環。作為碳環，例如環己垸、環戊垸、環己烯以及苯環等飽和或不飽和的47元的碳環。作為雜環，可列舉如哌啶環、哌嗪環、嗎啉環、四氫呋喃環、呋喃環、噻吩環、吡啶環、以及吡嗪環等飽和或不飽和的47元的雜環。這些碳環或雜環還可以被取代。作為還可以取代的基團，可以例舉與作為上述R表示的取代基而例舉的基團。A-1A-2A-3A-4formulaseeoriginaldocumentpage20formulaseeoriginaldocumentpage21formulaseeoriginaldocumentpage22A-63A-64Po上述中，優選的環為A-8、A-9、A-IO、A-ll、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17，A-36、A-39、A-41、A-54以及A-57所示的環。更優選的環為A-8、A-9、A-IO、A-13、A-14、A-16、A-17以及A-57所示的環。最優選的環狀為A-9、A誦IO、A-13、A-17以及A-57所示的環。通式(I)中，m表示0以上、3以下的整數。根據該m的值的不同，通式(I)所示的氧雜菁色素的吸收波長大幅變化。優選選擇m的值使其具有相應於抗蝕加工中所用的雷射的振蕩波長(oscillatorlength)的最適吸收波長。詳細情況如後所述，使用本發明的光致抗蝕用化合物進行抗蝕加工時，作為抗蝕加工中所用的光，可以使用被用於光記錄的雷射。例如，抗蝕加工中所用的雷射的中心振蕩波長為780nm時(CD-R記錄用的半導體雷射)，通式(I)中，m優選為2或3，中心振蕩波長為635nm或650nm時(DVD-R記錄用的半導體雷射)，m優選為1或2，中心振蕩波長為550nm以下時(例如，中心振蕩波長405nm的青紫色半導體雷射)，m優選為0或1，特別優選為0。通式(I)中，X所示的平衡離子是將通式(I)所示的化合物的電荷中和的離子，可以是陰離子或陽離子，另外可以是單獨的離子性種，也可以是多個離子性種的組合。通常為陽離子，可以是無機陽離子也可以是有機陽離子。作為無機的陽離子，可列舉如氫離子、金屬離子、銨離子(NH4+)，優選金屬離子，特別優選鹼金屬離子(例Li+、Na+、K+)或者過渡金屬離子(例Cu2+、C02+)。另外，過渡金屬離子中也可以配位有有機配位基。作為X所示的有機的陽離子，優選鐵離子，特別優選下述通式(III)所示的陽離子。這些化合物通過對應的二吡啶基與具有目的取代基的滷化物的門舒特金反應(例如，參考日本特開昭61-148162號公報參照)，或者以日本特開昭51-16675號公報以及日本特開平1-96171號公報中記載的方法為基準的芳基化反應，來容易獲得。通式(III)通式(m)中，R"和R^分別獨立地表示垸基、烯基、炔基、芳基或雜環基，.R"表示取代基，.s表示08範圍的整數。s為2以上的整數時，多個存在的R"可以分別相同或不同，也可以相互連結形成環。—通式(III)中，R"或R"所示的垸基可以是直鏈、支鏈或環狀的任一種。優選為碳數118的烷基，更優選為碳數18的烷基。作為上述垸基的具體例，可列舉如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、異戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正辛基。通式(m)中，R"或R"所示的烯基優選為碳數218的烯基，更優選為碳數28的烯基。作為具體示例，可列舉如乙烯基、2-丙烯基、2-甲基丙烯基、1,3-丁二烯基。通式(III)中，R"或R"所示的炔基優選為碳數218的炔基，更優選為碳數28的炔基。作為具體示例，可列舉如乙炔基、丙炔基、3,3-二甲24基丁炔基。通式(m)中，R"或R^所示的芳基優選為碳數618的芳基，更優選為碳數610的芳基。作為具體示例，可列舉如苯基、l-萘基、2-萘基。通式(III)中，R"或R"所示的雜環基優選為碳數47的飽和或不飽和的雜環基，作為含有的雜原子，優選氮原子、氧原子、硫原子。作為具體示例可列舉如4-吡啶基、2-吡啶基、2-吡嗪基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、2_咪唑基、2-呋喃基、2-硫苯基、2-苯並噁唑基、2-苯並噻唑基。通式(III)中，R"或R^所示的烷基、烯基、炔基、芳基或雜環基還可以具有取代基，取代基可以例舉與作為通式(I)中的R表示的取代基而舉例的示例相同的例子。通式(III)中，R"表示取代基。R33表示的取代基的詳細情況與對通式(I)中的R表示的取代基而描述的內容相同，優選碳數118的取代或無取代的烷基，更優選碳數18的無取代烷基。通式(III)中，s表示08範圍的整數，優選04範圍的整數，更優選02範圍的整數，特別優選O。s為2以上的整數時，多個存在的R"分別相同或不同，也可相互連結形成環。另外，通式(III)中，兩個吡啶環可以在任意位置連結，優選在吡啶環的2位或4位連結，特別優選在兩吡啶環的4位之間連結。通式(I)所示的氧雜菁色素可以在任意位置結合形成多聚體，此時的各單元可以分別相同或不同，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結合。.通式(I)中，根據陰離子的局部存在位置的表記不同而包括多個互變異構體，特別是，當A、B、C、D的任一個為-CO-E(E為取代基)時，一般使負電荷局部存在於氧原子上來進行表記。例如，當D為-CO-E時，作為表記一般為下述通式(II)，該表記的通式也包含於通式(I)中。通式(II)25formulaseeoriginaldocumentpage26通式(II)中，A、B、C、R、m、n、x的定義與通式(I)中的相同。作為通式(I)所示的氧雜菁色素的具體例，可列舉如在日本特開昭63-209995號公報或其英文專利族成員美國專利第4968593號、日本特開平10-297103號公報或其英文專利族成員美國專利第6670475號、日本特開平11-348420號公報、日本特開2000-52658號公報或其英文專利族成員美國專利第6225024號、日本特開2000-272241號公報中記載的氧雜菁色素的具體例。以下例舉其一部分化合物。formulaseeoriginaldocumentpage26formulaseeoriginaldocumentpage27formulaseeoriginaldocumentpage28formulaseeoriginaldocumentpage29從利用雷射進行圖案曝光時的靈敏度的角度出發，作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有氧雜菁色素骨架的化合物的熱分解溫度優選為100°C以上、60(TC以下，更優選為IO(TC以上、50(TC以下，更優選為120"C以上、400。C以下，最優選為15(TC以上、300。C以下。本發明中的熱分解溫度是經TG/DTA測定而求得的值。具體可以使用例如SeikoInstrumentsInc.制EXSTAR6000，在&氣流下(流量200ml/min)、在30"C55(TC的範圍內以10°C/min的速度進行升溫，作為質量減少率達到10%時的溫度求得熱分解溫度。作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有氧雜菁色素骨架的化合物可以通過公知的方法合成，或可以作為市售品得到。對於合成方法可以參考作為之前記載了氧雜菁色素的具體例的參考文獻而列舉的文獻。本發明的光致抗蝕用化合物可以為選自花青色素和苯乙烯基色素的化合物。本發明中，"花青色素"是指一種次甲基色素，其中，構成發色團的交互共軛系被具有正電荷的雜原子終端，由此，使正電荷在共軛系整體中非局部化。"苯乙烯基色素"是指具有正電荷的雜原子與碳環式芳香環經二次曱基鏈或多次甲基鏈結合了的結構的色素。選自花青色素和苯乙烯基色素的化合物中，作為本發明的光致抗蝕劑化合物的優選示例，從吸光特性、熱分解特性等角度出發，可列舉如下述通式(IV)所示的花青色素和下述通式(V)所示的苯乙烯基色素。通式(iv)一formulaseeoriginaldocumentpage31[通式(IV)中，Z1和Z2分別獨立地表示形成可稠環的5元或6元含氮雜環所必要的非金屬原子組，L1、I以及y分別獨立地表示次甲基鏈，!^表示02範圍的整數，Ri以及W分別獨立地表示取代基，r^表示2時，多個存在的l2、lS可以相同或不同。p和q分別獨立地表示o或l，R11、R12、R"和R"分別獨立地表示氫原子或取代基。^表示將通式(IV)所示的化合物的電荷中和的平衡離子。.]通式(V)r3—以下，對通式(IV)和(V)所示的化合物進行說明。通式av)通式(IV)中，Z1和Z2分別獨立地表示形成可稠環的5元或6元含氮雜環所必要的非金屬原子組，p和q分別獨立地表示O或l。由Zi和ZZ形成的含氮雜環可以是無取代的，也可以有取代基。對上述取代基沒有特別的限定，作為其具有示例，可以例舉後述的R1、RZ表示的取代基的示例。作為上述含氮雜環的具體例，p或q為0時，可以舉出苯並噻唑、苯並噁唑、苯並咪唑、假噴哚、噻唑、噻唑啉、噁唑、噁唑啉、咪唑、咪唑啉、2-吡啶鑰、2-喹啉鑰、以及稠環形成它們的化合物，當p或q為1時，可列舉如4-吡啶鐵、4-喹啉鐵、以及稠環形成它們的化合物。優選苯並噻唑、苯並噁唑、苯並咪唑、假剛哚，再優選苯並噁唑、假巧l哚，最優選假剛哚。R'和RS分別獨立地表示取代基。作為取代基，可列舉如以下的示例。碳數11S(優選為碳數18)的取代或無取代的直鏈狀、分支鏈狀或環狀的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環己基、甲氧基乙基、乙氧基羰基乙基、氰基乙基、二乙基氨基乙基、羥乙基、氯乙基、乙酸基乙基、三氟甲基等)；碳數21S(優選為碳數28)的烯基(例如，乙烯基等)；碳數218(優選為碳數28)的炔基(例如，乙炔基等)；碳數61S(優選為碳數610)的取代或無取代的芳基(例如，苯基、4-甲基苯酚基、4-甲氧基苯基、4-羧基苯基、3，5-二羧基苯基等)；碳數71S(優選為碳數712)的取代或無取代的芳烷基(例如，節基、羧基苄基等)；碳數218(優選為碳數28)的取代或無取代的醯基(例如，乙醯基、丙醯基、丁醯基、氯乙醯基等)；碳數11S(優選為碳數18)的取代或無取代的烷基或芳基磺醯基(例如，甲垸磺醯基、p-甲苯磺醯基等)；碳數118(優選為碳數18)的烷基亞硫醯基(例如，甲垸亞硫醯基、乙烷亞硫醯基、辛垸亞硫醯基等)；碳數218(優選為碳數28)的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等)；碳數718(優選為碳數712)的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-甲氧基苯基羰基等)；碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、正丁氧基、甲氧基乙氧基等)；碳數61S(優選為碳數610)的取代或無取代的芳氧基(例如，苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)；碳數11S(優選為碳數18)的垸硫基(例如，甲硫基、乙硫32基等)；碳數610(優選為碳數18)的芳硫基(例如，苯硫基等)；碳數21S(優選為碳數28)的取代或無取代的醯氧基(例如，乙酸基、乙基羰基氧基、環己基羰基氧基、苄氧基、氯乙醯基氧基等)；碳數l18(優選為碳數18)的取代或無取代的磺醯氧基(例如，甲垸磺醯氧基等)；碳數218(優選為碳數28)的取代或無取代的氨基甲醯氧基(例如，甲基氨基甲醯氧基、二乙基氨基甲醯氧基等)；無取代的氨基、或碳數118(優選為碳數18)的取代氨基(例如，甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、苯胺基、甲氧基苯基氨基、氯苯基氨基、吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、正丁氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、苯基氨基甲醯基氨基、乙基硫代氨基甲醯基氨基、甲基氨磺醯基氨基、苯基氨磺醯基氨基、乙基羰基氨基、乙基硫代羰基氨基、環己基羰基氨基、苄基氨基、氯乙醯基氨基、甲垸磺醯基氨基、苯磺醯基氨基等)；碳數118(優選為碳數18)的醯胺基(例如，乙醯胺基、乙醯基甲基醯胺基、乙醯基辛醯胺基等)；碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的脲基(例如，無取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基、二甲基脲基等)，碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的氨基甲醯基(例如，無取代的氨基甲醯基、甲基氨基甲醯基、乙基氨基甲醯基、正丁基氨基甲醯基、叔丁基氨基甲醯基、二甲基氨基甲醯基、嗎啡代氨基甲醯基、吡咯烷代氨基甲醯基等)；無取代的氨磺醯基或碳數118(優選為碳數18)的取代氨磺醯基(例如，甲基氨磺醯基、苯基氨磺醯基等)；滷原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子等)；羥基；巰基;硝基；氰基；羧基；磺基；膦醯基(例如，二乙氧基膦醯基等)；雜環基(例如，噁唑環、苯並噁唑環、噻唑環、苯並噻唑環、咪唑環、苯並咪唑環、假剛哚環、吡啶環、嗎啉環、哌啶環、吡咯烷環、環丁碸環、呋喃環、噻吩環、吡唑環、吡咯環、色滿環以及香豆素環等)。作為R1、R2，優選碳數118的烷基，最優選甲基。R11、R12、1113和1114分別獨立地表示氫原子或取代基。R11、R12、R13、R"為取代基時的取代基沒有特別的限定。作為上述取代基的示例，可列舉如作為R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。通式(IV)中，L1、1^和I^分別獨立地表示次甲基鏈。次甲基鏈可以具例而例舉的示例。優選沒有取代基。mi表示02範圍的整數。M表示2時，多個存在的L2、！^可以相同或不同。n^優選為0或l，最優選為O。X1表示將通式(IV)所示化合物的電荷中和的平衡離子。某些色素是否為陽離子、陰離子，或者是否具有帶正的離子電荷取決於其助色團和取代基。取代基具有解離性基時，可以解離而帶負電荷，此時分子整體的電荷被X'中和。典型的陽離子為無機或有機的銨離子(例如，四垸基銨離子、吡啶鎿離子)以及鹼金屬離子，另一方面，陰離子可以為無機陰離子或有機陰離子的任一種，例如，滷素陰離子(例如，氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子)、取代芳基磺酸離子(例如，p-甲苯磺酸離子、p-氯苯磺酸離子)、芳基二磺酸離子(例如，1，3-苯二磺酸離子、1，5-萘二磺酸離子、2，6-萘二磺酸離子)、烷基硫酸離子(例如，甲基硫酸離子)、硫酸離子、硫氰酸離子、高氯酸離子、四氟硼酸離子、古液酸離子、醋酸離子、三氟甲烷磺酸離子。另外，作為電荷均衡平衡離子，可以使用離子性聚合物，或者具有與色素相反電荷的其他色素，也可以使用金屬配位離子(例如，二苯-1，2-二硫醇鎳(m)、偶氮色素螯合物)。通式(V)通式(V)中，表示形成可以稠環的5元或6元的含氮雜環所必要的非金屬原子組。r表示0或1，與^一起形成的含氮雜環的具體例等的詳細情況與通式(IV)中的與Z1、ZZ—起形成的含氮雜環相同。R15以及R16分別獨立地表示氫原子或取代基。對於R15、R"為取代基時的取代基以及^具有取代基時的取代基沒有特別的限定。作為上述取代基的示例，可列舉如作為R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。R3、R4、RS以及W分別獨立地表示取代基。113116的具體例等的詳細情況與通式(IV)中的R1、f同樣。士表示04範圍的整數。！^為2以上時，多個存在的W可以相同也可以不同。士優選為0。通式(V)中，"和LS分別獨立地表示次甲基鏈。次甲基鏈也可以具有取代基作為取代基的示例，可列舉與通式(IV)中的R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。優選沒有取代基。XZ表示將通式(V)所示化合物的電荷中和的平衡離子。X2的具體例等的詳細情況與通式(IV)中的X^目同。作為本發明的光致抗蝕用化合物的花青色素和苯乙烯基色素的具體示例，可列舉如日本特開2001-232945號公報中記載的花青色素以及日本特開2002-74740號公報中記載的苯乙烯基色素。以下，示例了其一部分化合物。IV-lIV-65為花青色素的具體例，V-1V-10為苯乙烯基色素的具體例。formulaseeoriginaldocumentpage35formulaseeoriginaldocumentpage36formulaseeoriginaldocumentpage37formulaseeoriginaldocumentpage38tableseeoriginaldocumentpage38formulaseeoriginaldocumentpage39tableseeoriginaldocumentpage39tableseeoriginaldocumentpage40formulaseeoriginaldocumentpage41formulaseeoriginaldocumentpage42formulaseeoriginaldocumentpage43formulaseeoriginaldocumentpage44CICV從利用雷射進行圖案曝光時的靈敏度的角度出發，作為本發明的光致抗蝕用化合物的花青色素以及苯乙烯基色素的熱分解溫度優選ioo'c以上、600。C以下，更優選120。C以上、550。C以下，最優選150。C以上、500°。以下。作為本發明的光致抗蝕用化合物的花青色素以及苯乙烯基色素可以通過公知的方法合成，還可以作為市售品獲得。本發明的光致抗蝕用化合物可以為具有部花青色素骨架的化合物。本發明中，"部花青色素骨架"是指具有電中性的次甲基系發色團的色素骨架。具有部花青色素骨架的化合物中，作為從吸光特性、熱分解特性等角度出發優選的部花青色素，可列舉如下述通式(VI)所示的部花青色素。通式(VI)formulaseeoriginaldocumentpage45通式(VI)中，Z11表示與X11和X12—起形成5元或6元雜環的原子團，X"和X"分別獨立地表示碳原子或雜原子，Xn和X"中的至少一方表示雜原子。雜原子優選氮原子或硫原子。作為由Z11、xn和x"形成的雜環，可列舉如噻唑啉環、噁唑啉環、二噻茂環、咪唑啉環、或它們的苯並稠環體、或具有以下示例結構的雜環等。上述中，WRS分別獨立地表示取代基。對於取代基沒有特別的限定，例如，作為雜環可以具有的取代基，可列舉如後述的取代基。其中，上述雜環優選為噻唑啉環、噁唑啉環、二噻茂環、咪唑啉環、或它們的苯並稠環體，最優選為苯並噻唑啉環、苯並噁唑啉環、苯並二噻茂環或苯並咪唑啉環。它們也可以再經其他芳香環稠環。上述雜環也可以具有氫原子以外的取代基。作為優選的取代基的示例，可列舉如碳原子數120的烷基、碳原子數614的芳基、碳原子數715的芳垸基、碳原子數110的雜環基、碳原子數120的垸氧基、碳原子數614的芳氧基、碳原子數120的烷基亞氧硫基、碳原子數614的芳亞氧硫基、碳原子數120的烷基磺醯基、碳原子數614的芳基磺醯基、碳原子數221的醯基、碳原子數125的氨基甲醯基、碳原子數032的氨磺醯基、碳原子數120的垸氧基羰基、碳原子數715的芳氧基羰基、碳原子數221的醯基氨基、碳原子數120的磺醯基氨基、碳原子數032的氨基、氰基、硝基、羥基、羧基、磺基以及滷原子，更優選的示例可列舉如碳原子數316的烷基、碳原子數610的芳基、碳原子數316的烷氧基、碳原子數610的芳氧基。通式(VI)中，Yi和YS分別獨立地表示取代基，Yi和YS的至少一方表示氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺醯基、芳基磺醯基或氨基磺醯基。作為上述之外的取代基，可列舉如作為之前雜環可以具有的取代基而示例的取代基。Yi和yz優選兩者分別獨立地表示氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺醯基、芳基磺醯基或氨基磺醯基。Y1、￥2優選為氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基或氨基羰基。y1、yz為烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基或氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺醯基、芳基磺醯基或氨基磺醯基時，還可以具有取代基，作為該取代基的示例，可列舉如碳原子數120的烷基、碳原子數614的芳基、碳原子數715的芳烷基、碳原子數110的雜環基、碳原子數120的烷氧基、碳原子數614的芳氧基、碳原子數120的垸基亞氧硫基、碳原子數614的芳亞氧硫基、碳原子數120的烷基磺醯基、碳原子數614的芳基磺醯基、碳原子數221的醯基、碳原子數125的氨基甲醯基、碳原子數032的氨磺醯基、碳原子數120的垸氧基羰基、碳原子數715的芳氧基羰基、碳原子數221的醯基氨基、碳原子數120的磺醯基氨基、碳原子數032的氨基、氰基、硝基、羥基、羧基、磺基和滷原子，優選的示例為碳原子數316的烷基或碳原子數610的芳基。Yi與yz也可以結合形成環。作為形成的環可列舉如上述示例環結構A-1A-64。優選的環為A-8、A-9、A誦IO、A-ll、A國12、A-13、A-14、A-16、A-17,A-36、A-39、A-41、A-54以及A-57表示的環。更優選的環為A誦2、A-8、A-9、A-IO、A-13、A誦14、A扁16、A-17以及A-57所示的環。最優選的環為A-2、A-9所示的環。通式(VI)中，LH和L"分別獨立地表示次甲基。次甲基可以具有取代基，作為取代基的示例可列舉如作為雜環可以具有的取代基而示例的取代基。通式(VI)中，W表示02範圍的整數。從波長適應性的觀點出發，優選O或l,最優選O。通式(VI)所示的化合物可以在任意的位置結合形成多聚體，此時的各單元可以相同或不同，或者，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結合。通式(VI)所示的化合物可以具有電荷也可以為中性。通式(VI)所示的化合物是否為陽離子、陰離子，或者是否具有帶正的離子電荷取決於其助色團和取代基。取代基具有解離性基時，可以解離而帶負電荷，此時分子整體的電荷被任意的平衡離子中和。作為平衡離子的典型的陽離子為無機或有機的銨離子(例如四垸基銨離子、吡啶鑰離子)以及鹼金屬離子。另一方面，陰離子可以為無機陰離子、有機陰離子的任一種，例如，滷素陰離子(例如，氟化物離子、氯化物、溴化物離子、碘化物離子)、取代芳基磺酸離子(例如，p-甲苯磺酸離子、p-氯苯磺酸離子)、芳基二磺酸離子(例如，1，3-苯二磺酸離子、1，5-萘二磺酸離子、2，6-萘二磺酸離子)、烷基硫酸離子(例如，甲基硫酸離子)、硫酸離子、硫氰酸離子、高氯酸離子、四氟硼酸離子、古液酸離子、醋酸離子、三氟甲烷磺酸離子。另外，作為電荷均衡平衡離子，可以使用離子性聚合物，或者具有與色素相反電荷的其他色素，也可以使用金屬配位離子(例如，二苯-1，2-二硫醇鎳(III)、偶氮色素螯合物)。以下例舉了通式(VI)所示化合物的優選具體例，本發明不限於這些。47tableseeoriginaldocumentpage48formulaseeoriginaldocumentpage49化合物X2、Y2S-16SSCNCNS-17sN_GH2CH3GNG02CH2CH:S-180N-CH3C02CH3C02CH3S-19N-CH2GH3N-GH2CH3COCH2GH2CH3COCH3S-20SSCNCF349formulaseeoriginaldocumentpage50formulaseeoriginaldocumentpage51formulaseeoriginaldocumentpage52formulaseeoriginaldocumentpage53formulaseeoriginaldocumentpage54作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有部花青色素骨架的化合物可以通過公知的方法合成，或者可以作為市售品得到。例如，通式(VI)所示的化合物可以通過F.M.Harmer著"HeterocyclicCompounds-CyanineDyesandRelatedCompounds",JohnWiley&Sons公司紐約,倫敦，1964年刊；D.M.Sturmer著"HeterocyclicCompounds-Specialtopicsinheterocyclicchemistry",第18章,第14節,第482至515項，JohnWiley&Sons公司紐約,倫敦，1977年刊；"Rodd'sChemistryofCarbonCompounds"第2版，第IV巻，B部分,1977刊，第15章,第369至422項，ElsevierSciencePublishingCompanyInc.社刊，紐約；英國專利第1077611號等中全部的記載，特別是在此作為公開內容援引等記載、引用或其類似的方法來合成。從利用雷射進行圖案曝光時的靈敏度的角度出發，作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有部花青色素骨架的化合物的熱分解溫度優選為100°C以上、60(TC以下，更優選為IO(TC以上、60(TC以下，更優選為12(TC以上、55(TC以下，最優選15(TC以上、50(TC以下。本發明的光致抗蝕用化合物可以為具有酞菁色素骨架的化合物。具有酞菁色素骨架的化合物中，作為從吸光特性、熱分解特性等角度優選的酞菁色素，可列舉如下述通式(VII)所示的酞菁色素。通式(vn)formulaseeoriginaldocumentpage56通式(vn)中，r"表示取代基。作為上述取代基，例舉如作為後述通式(Vin)中的R°^R。8和R"R"而例舉的取代基。113表示18範圍的整數，優選為16、更優選為14。113為2以上的整數時，多個存在的R"可以相同或不同。M表示2個氫原子、24價的金屬原子、24價的氧代金屬原子、或具有配位基的24價的金屬原子。其具體例以及優選示例中針對通式(vm)如後所述。作為通式(vn)所示酞菁色素的優選方式，可列舉如下述通式(vm)所示的酞菁色素。通式(VIII)formulaseeoriginaldocumentpage57通式(Vm)中，R"R。s和R"Res分別獨立地表示氫原子、滷原子、氰基、硝基、甲醯基、羧基、磺基、碳數120的取代或無取代的垸基、碳數614的取代或無取代的芳基、碳數110的取代或無取代的雜環基、碳數120的取代或無取代的烷氧基、碳數614的取代或無取代的芳氧基、碳數221的取代或無取代的醯基、碳數120的取代或無取代的垸基磺醯基、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基、碳數110的雜原子鍵合磺醯基、碳數125的取代或無取代的氨基甲醯基、碳數032的取代或無取代的氨磺醯基、碳數220的取代或無取代的烷氧基羰基、碳數715的取代或無取代的芳氧基羰基、碳數221的取代或無取代的醯基氨基、碳數120的取代或無取代的磺醯基氨基、或碳數036的取代或無取代的氨基。在此，氨基中包括苯胺基。另外，從溶劑溶解性、吸收特性以及熱分解性的角度出發，R"R。s以及R"R^中的至少8個為氫原子，R"R"不全為氫原子。R"R。s以及R"Res優選分別獨立地表示氫原子、滷原子、羧基、磺基、碳數116的取代或無取代的垸基(例如，甲基、乙基、正丙基、i-丙基)、碳數614的取代或無取代的芳基(例如，苯基、p-甲氧基苯基、p-十八烷基苯基)、碳數116的取代或無取代的垸氧基(例如，甲氧基、乙氧基、正辛氧基)、碳數610的取代或無取代的芳氧基(例如，苯氧基、p-乙氧基苯氧基)、碳數120的取代或無取代的烷基磺醯基(例如，甲烷磺醯基、正丙基磺醯基、正辛基磺醯基)、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基(例如，甲苯磺醯基、苯磺醯基)、碳數020的取代或無取代的氨磺醯基(例如，甲基氨磺醯基、正丁基氨磺醯基)、碳數117的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、正丁氧基羰基)、碳數715的取代或無取代的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、m-氯苯基羰基)、碳數221的取代或無取代的醯基氨基(例如，乙醯氨基、三甲基乙醯氨基、正己基氨基)、或碳數118的磺醯基氨基(例如，甲烷磺醯基氨基、正丁烷磺醯基氨基)。R"R"以及R"R"更優選為氫原子、滷原子、羧基、磺基、碳數116的取代或無取代的烷基、碳數116的取代或無取代的烷氧基、碳數120取代或無取代的烷基磺醯基、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基、碳數220的取代或無取代的氨磺醯基、碳數113的烷氧基羰基、碳數221的取代或無取代的醯基氨基、或碳數118的磺醯基氨基。更優選的是，R"R"為氫原子、齒原子、磺基、碳數116的取代或無取代的垸氧基、碳數120的取代或無取代的烷基磺醯基、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基、碳數220的取代或無取代的氨磺醯基、碳數221的取代或無取代的醯基氨基、碳數118的磺醯基氨基，R"R"為氫原子或滷原子。特別優選的是，R"R"為氫原子、磺基、碳數120的無取代的烷基磺醯基、碳數614的無取代的芳基磺醯基、碳數720的無取代的氨磺醯基，R"R"為氫原子。通式(VIII)中，從溶劑溶解性、吸收特性以及熱分解性的角度出發，優選R"和R"中的任意一方、R"和R"中的任意一方、R"和R"中的任意一方以及R"和R°8中的任意一方這4個不同時為氫原子。通式(VIII)中，作為R"R"禾卩R"R"所示基團的上述各基具有取代基時，作為該取代基的示例可以例舉以下記載的取代基。碳數120的鏈狀或環狀的取代或無取代的烷基(例如，甲基、乙基、異丙基、環己基、節基、苯乙基)、碳數61S的取代或無取代的芳基(例如，苯基、氯苯基、2，4-二-叔戊基苯基、l-萘基)、碳數220的取代或無取代的烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)、碳數220的取代或無取代的炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、滷原子58(例如，F、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、碳數220的取代或無取代的醯基(例如，乙醯基、苯甲醯基、水楊醯基、三甲基乙醯基)、碳數120的取代或無取代的垸氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環己基氧基)、碳數620的取代或無取代的芳氧基(例如，苯氧基、l-萘氧基、p-甲氧基苯氧基)、碳數120的取代或無取代的烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、苄硫基、3-甲氧基丙基硫基)、碳數620的取代或無取代的芳硫基(例如，苯硫基、4-氯苯硫基)、碳數120的取代或無取代的烷基磺醯基(例如，甲垸磺醯基、丁烷磺醯基)、碳數620的取代或無取代的芳基磺醯基(例如，苯磺醯基、對甲苯磺醯基)、碳數117的取代或無取代的氨基甲醯基(例如，無取代的氨基甲醯基、甲基氨基甲醯基、乙基氨基甲醯基、正丁基氨基甲醯基、二甲基氨基甲醯基)、碳數116的取代或無取代的醯基氨基(例如，乙醯氨基、苄基氨基)、碳數210的取代或無取代的醯氧基(例如，乙酸基、苄氧基)、碳數210的取代或無取代的垸氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基)、5或6元的取代或無取代的雜環基(例如，吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑啉、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環基、吡咯烷環、哌啶環、嗎啉環、吡喃環、硫代吡喃環、二噁垸、二硫雜環戊烷環等非芳香族雜環基)。通式(Vin)中，取代作為R"R"和R"R"所示基團的上述各基的取代基的優選示例為碳數116的鏈狀或環狀的取代或無取代的垸基、碳數614的芳基、碳數116的烷氧基、碳數614的芳氧基、滷原子、碳數217的垸氧基羰基、碳數110的氨基甲醯基、碳數110的醯基氨基。其中，優選的示例為碳數110的鏈狀或環狀的垸基、碳數610的芳基、碳數110的垸氧基、碳數610的芳氧基、氯原子、碳數211的烷氧基羰基、碳數17的氨基甲醯基、碳數18的醯基氨基。其中，特別優選的示例為碳數18的鏈狀分支或環狀的無取代的垸基、碳數18的無取代的垸氧基、碳數39的無取代的烷氧基羰基、苯基以及氯原子。作為取代基最優選的示例為碳數16的無取代的烷氧基。M表示2個氫原子、24價的金屬原子、24價的氧代金屬原子、或具有配位基的24價的金屬原子。優選的是，M為24價的金屬原子,其中，優選銅原子、鋅原子、鎂原子、或鈀原子。另外，優選銅原子或鋅原子，最優選銅原子。通式(vn)或(vni)所示的化合物可以在任意位置結合形成多聚體，此時的各單元可以相同或不同，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結合。通式(vii)或(vin)所示的化合物可以單獨使用特定的化合物，也可以將多種結構不同的化合物混合使用。出於防止抗蝕膜的結晶化的目的，優選使用取代基的取代位置不同的異構體的混合物。以下，作為本發明的光致抗蝕用化合物，例舉了優選的酞菁色素的具體例，本發明不限於這些。下述表1中，例如R°1/Ra2的表記是指Ra1或R。2的任意一方的意思，因此，具有該表記的化合物是取代位置異構體的混合物。另外，無取代時，即氫原子取代時省略表記。formulaseeoriginaldocumentpage60酞菁色素的具體例No.(vn-i)(vn-2)(vn-3)(VII畫4)(vn-5)(VII-6)(vn誦7)(VII-8)(vn陽9)(vn-io)(VII畫ll)(VII-12)取代基位置和取代基r智2、r智4、r，6、r智8-SCbNCCsH"-^r智2、r智4、r，6、r,a8-S02NH(2+丁氧基-5-叔戊基苯基)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6畫S02NH(CH2)30(2,4-二-叔戊基-苯基)Ra7/Ra8-S03HRal/Ra2Ra3/Ra4Ra5/R016Ra7/Ra8-S02N(3-甲氧^丙基)2Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NMe(環己基)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02N(3-異丙氧基苯基)2Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NH(2-異戊氧基Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NH(2,4,6-三苯基Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-S02PhMCuCuCuZnZnZnPdPdCuZnH2Cu61(VII-13)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02C(CH3)3(vn-14)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8v=o-S02C(CH3)3(VII-15)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02C(CH3)2C02C2H5(VII-16)Rai/Ra2Ra3/Ra4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Mg-S02Ph(VII-17)Rdl^a:2Ra3/J^a4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Cu-S02(環己基)(vn畫i8)Ral/Ra2R"/Ra4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Zn-802{4-(2+丁氧基-苯甲醯氨基)苯基}(VII-19)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6H2-S02(2,6-二氯-4-甲氧基苯基)(VII-20)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6Mg-S02CH(Me)C02CH2-CH(C2H5)C4H9-"(vn-2i)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Zn-802{2-(2-乙氧基乙氧基)-苯基}Rpi/Rp2、Rp3/RP4、Rp5/Rp6、Rp7/Rp8-C2H5(VII-22)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02N(CH2CH2OMe)2(yn-23)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8H2-OCH2CH(C2H5)C4H9-"(VII-24)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Zn-OCHMe(苯基)(VII-25)RCtlRa2Ra3Ra5Ra6Ra7Ra8Cu-0(31^-丁基)2(VII-26)r(x1Ra2Rd3Ra4Ra5r(x6r(x7rCi8SiCl2-OCH2CH2OC3H7"(VII-27)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-叔戊基Rp'/Rp2、Rp3/Rp4、Rp5/Rp6、Rp7Rp8-CINi(vn陽28;)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-(2，6-二-乙氧基苯基)Zn(VII-29)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NHCH2CH2OC3H7-/Cu(VII-30)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-C02CH2CH2OC2H5Ra7/Ra8-C02HCu(vn-3i)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-C02CH(Me)C02C3H7々Co(VII-32)RaI/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-CONHCH2CH2OC3H7-/Cu0/11-33)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-CON(CH2CH2OC4H9-")2Ra7/Ra8-C02HPd(VII-34)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHCOCH(C2H5)C4H9-"Co(VII-35)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHCO(2-"-丁氧基羰基-苯基)Mg(VII-36)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHS02(2-異丙氧基苯基)Pd(VII-37)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-麗802(2-"-丁氧基-5-叔戊基-苯基)Zn(VII-38)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8_1102(11-丙基)Zn63formulaseeoriginaldocumentpage64formulaseeoriginaldocumentpage65作為本發明的光致抗蝕用化合物的酞菁色素可以通過例如白井-小林共著、(株)IPC發行「酞菁-化學與功能-」(P.l62)，C.C丄eznoff-A,B.P丄ever共著、VCH發行'Phthalocyanines-PropertiesandApplications，(P.l54)等中的全部記載，特別是在此作為公開內容援引等記載、引用或其類似的方法來合成，或者作為市售品獲得。從利用雷射進行圖案曝光時的靈敏度的角度出發，作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有酞菁色素骨架的化合物的熱分解溫度優選為100°C以上、60(TC以下，更優選為12(TC以上、55(TC以下，最優選為150。C以上、50(TC以下o本發明的光致抗蝕用化合物可以為偶氮化合物或該化合物與金屬離子的絡合物。本發明中，"偶氮化合物"是指通過偶氮基(-N=N-)連結有2個有機基(R和R，)的有機化合物的總稱。作為與偶氮化合物形成絡合物的金屬，可以使用能夠形成絡合物的各種金屬，從吸收光譜的形狀良好的方面出發，優選過渡金屬，特別優選Ni、Co、Cu、Fe、Zn、Pd。絡合物由於從抗蝕塗布液到形成抗蝕膜的成膜時的薄膜形成性優良，因此偶氮化合物優選與金屬離子形成絡合物。偶氮化合物中，從吸光特性、熱分解特性等的觀點出發，優選的偶氮化合物可列舉如下述通式(IX)所示的偶氮化合物。通式(IX)Q1-N=N—Q2通式(ix)中，(^表示芳基或雜環基，優選雜環。(^為芳基時，優選取代或無取代的碳數620的芳基，更優選為碳數620的取代或無取代的苯。Q1為雜環時，優選取代或無取代的5元雜環、或取代或無取代的6元雜環。更優選含有1個以上氮原子的碳數120的5元雜環。它們還可以經苯環、苯並呋喃環、吡啶環、吡咯環、吲哚、噻吩環等稠環。作為Q1，可列舉如碳數325的噁唑核(例如，2-3-甲基噁唑基)、碳數325的噻唑核(例如，2-3-甲基噻唑基)、碳數325的咪唑核(例如，2-1，3-二乙基咪唑基)、碳數1030的假吲哚核(例如，3，3-二甲基假吲哚)、碳數925的喹啉核(例如，2-1-甲基喹啉基)、碳數325的硒唑核(例如，2-3-甲基苯並硒唑基)、碳數525的吡啶核(例如，2-吡啶基)、噻唑啉核、噁唑啉核、硒唑啉核、碲唑啉核、碲唑核、苯並碲唑核、咪唑啉核、咪唑並[4,5-喹喔啉]核、噁二唑核、噻二唑核、四唑核、嘧啶核、吡咯核、吡唑核、吡唑啉酮核、吡啶核、異噁唑核、三唑核、巴比土酸、丙二酸亞異丙酯(meldrumacid)。它們還可以具有取代基。通式(IX)中，(52表示芳基、雜環基或CR"R"所示的基團。在此，R41和R"分別獨立地表示取代基，R"表示的取代基與1142表示的取代基的哈米特op值的合計值為0.6以上。上述哈米特op值的合計值如為0.6以上，則可以實現作為光致抗蝕用化合物的優良的吸收特性和熱分解性。哈米特取代基常數op值(以下，稱為op值)記載於例如Chem.Rev.91,165(1991)及其引用的參考文獻，沒有記載的內容也可以按照該文獻記載的方法求得。Q2為芳基時，優選取代或無取代的碳數620的芳基，更優選碳數620的取代或無取代的苯。(52為雜環時，優選取代或無取代的5元雜環、或取代或無取代的6元的雜環。另外，優選為含有1個以上氮原子的碳數120的5元雜環。02為CR"R"所示的基團時，R"表示的取代基與R"表示的取代基優選哈米特op值均為0.6以上。作為.該R41、R"的示例，可列舉如的氰基、硝基、碳數110的醯基(例如，乙醯基、丙醯基、丁醯基、三甲基乙醯基、苯甲醯基)、碳數212的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、癸氧基羰基)、碳數711的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基)、碳數110的氨基甲醯基(例如，甲基氨基甲醯基、乙基氨基甲醯基、苯基氨基甲醯基)、碳數110的垸基磺醯基(例如，甲烷磺醯基)、碳數610的芳基磺醯基(例如，苯磺醯基)、碳數110的烷氧基磺醯基(例如，甲氧基磺醯基)、碳數1^10的氨磺醯基(例如，乙基氨磺醯基、苯基氨磺醯基)、碳數110的垸基亞硫醯基(例如，甲烷亞硫醯基、乙烷亞硫醯基)、碳數610的芳基亞硫醯基(例如，67苯亞硫醯基)、碳數110的垸基亞氧硫基(例如，甲亞氧硫基、乙亞氧硫基)、碳數610的芳亞氧硫基(例如，苯亞氧硫基)、滷原子、碳數210的炔基(例如，乙炔基)、碳數210的二醯基氨基(例如，二乙醯氨基)、磷醯基、羧基、5元或6元的雜環基(例如，2-苯並噻唑啉基、2-苯並噻唑啉基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、4-嘧啶基)。R41、R"優選為氰基、碳數110的醯基、碳數212的垸氧基羰基、碳數110的氨基甲醯基、5元或6元的雜環基，更優選碳數110的醯基、碳數212的垸氧基羰基、碳數110的氨基甲醯基，最優選碳數212的垸氧基羰基、碳數110的氨基甲醯基。另外，通式(IX)包括共振結構的表記不同的多個互變異構體，特別是(52為CR"R"且R41、R"的任一個為-CO-E乂Ei為取代基)時，例如R"為-CO-E^f，下述通式(XI)為一般的表記，該表記的結構也包含於通式(IX)中。通式(XI)通式(IX)所示的化合物優選下述通式(X-1)或(X-2)所示的化合物。通式(X-1)(、、A1^~N=N—Q3、、N通式(X-2)R41formulaseeoriginaldocumentpage69通式(X-1)中，A1表示與其結合的碳原子和氮原子一起形成雜環的原子團。通式(X-2)中，A2表示與其結合的碳原子和氮原子一起形成雜芳香環的原子團。作為由A1、AS形成的雜芳香環，優選為噻唑環、噁唑環、吡唑環、咪唑環、噻二唑環、異噁唑環或三唑環，更優選噁唑環、吡唑環、噻二唑環、異噁唑環或三唑環，最優選為吡唑環、噻二唑環、異噁唑環。Q3、(^與通式(IX)的(52的含義相同，具體的示例以及優選範圍也相同。上述各基可以具有取代基。具有取代基時，作為取代基可列舉如碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的直鏈狀、分支鏈狀或環狀的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環己基、甲氧基乙基、乙氧基羰基乙基、氰基乙基、二乙基氨基乙基、羥乙基、氯乙基、乙酸基乙基、三氟甲基等)；碳數218(優選為碳數2S)的烯基(例如，乙烯基等)；碳數21S(優選為碳數28)的炔基(例如，乙炔基等)；碳數618(優選為碳數610)的取代或無取代的芳基(例如，苯基、4-甲基苯酚、4-甲氧基苯基、4-羧基苯基、3，5-二羧基苯基等)；碳數71S(優選為碳數712)的取代或無取代的芳烷基(例如，苄基、羧基苄基等)；碳數21S(優選為碳數28)的取代或無取代的醯基(例如，乙醯基、丙醯基、丁醯基、氯乙醯基等)；碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的垸基或芳基磺醯基(例如，甲烷磺醯基、p-甲苯磺醯基等)；碳數11S(優選為碳數18)的烷基亞硫醯基(例如，甲烷亞硫醯基、乙垸亞硫醯基、辛烷亞硫醯基等)，碳數218(優選為碳數28)的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等)；碳數718(優選為碳數712)的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-甲氧基苯基羰基等)；碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的垸氧基(例如，甲氧基、乙69氧基、正丁氧基、甲氧基乙氧基等)；碳數618(優選為碳數610)的取代或無取代的芳氧基(例如，苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)；碳數l18(優選為碳數18)的烷硫基(例如，甲硫基、乙硫基等)；碳數610(優選為碳數18)的芳硫基(例如，苯硫基等)；碳數218(優選為碳數28)的取代或無取代的醯氧基(例如，乙酸基、乙基羰基氧基、環己基羰基氧基、苄氧基、氯乙醯氧基等)；碳數118(優選為碳數l8)的取代或無取代的磺醯氧基(例如，甲垸磺醯氧基等)；碳數218(優選為碳數28)的取代或無取代的氨基甲醯氧基(例如，甲基氨基甲醯氧基、二乙基氨基甲醯氧基等)；無取代的氨基、或碳數118(優選為碳數18)的取代氨基(例如，甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、苯胺基、甲氧基苯基氨基、氯苯基氨基、吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、正丁氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、苯基氨基甲醯基氨基、乙基硫基氨基甲醯基氨基、甲基氨磺醯基氨基、苯基氨磺醯基氨基、乙基羰基氨基、乙基硫基羰基氨基、環己基羰基氨基、苄基氨基、氯乙醯基氨基、甲烷磺醯基氨基、苯磺醯基氨基等)；碳數11S(優選為碳數18)的醯胺基(例如，乙醯基氨基、乙醯基甲醯基氨基、乙醯基辛醯基氨基等)；碳數118(優選為碳數18)的取代或無取代的脲基(例如，無取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基、二甲基脲基等)；碳數11S(優選為碳數18)的取代或無取代的氨基甲醯基(例如，無取代的氨基甲醯基、甲基氨基甲醯基、乙基氨基甲醯基、正丁基氨基甲醯基、叔丁基氨基甲醯基、二甲基氨基甲醯基、嗎啡代氨基甲醯基、吡咯烷代氨基甲醯基等)；無取代的氨磺醯基或碳數118(優選為碳數18)的取代氨磺醯基(例如，甲基氨磺醯基、苯基氨磺醯基等)；滷原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子等)；羥基、巰基；硝基；氰基；羧基；磺基；膦醯基(例如，二乙氧基膦醯基等)；雜環基(例如，噁唑環、苯並噁唑環、噻唑環、苯並噻唑環、咪唑環、苯並咪唑環、假剛哚環、吡啶環、嗎啉環、哌啶環、吡咯烷環、環丁碸環、呋喃環、噻吩環、吡唑環、吡咯環、色滿環以及香豆素環等)。以下例舉了作為本發明的光致抗蝕用化合物的優選偶氮化合物的具體示例，本發明不限於此。formulaseeoriginaldocumentpage71formulaseeoriginaldocumentpage72formulaseeoriginaldocumentpage73formulaseeoriginaldocumentpage74formulaseeoriginaldocumentpage75formulaseeoriginaldocumentpage76formulaseeoriginaldocumentpage0以下。例舉了作為本發明的光致抗蝕用化合物的優選偶氮絡合物的具體例，本發明不限於此。另外，形成絡合物時，配位基可以使用能適當解離的氫原子解離從而形成解離體的配位基。tableseeoriginaldocumentpage78作為本發明的光致抗蝕用化合物的偶氮化合物和偶氮絡合物可以通過公知的方法合成，或者可以作為市售品獲得。從利用雷射進行圖案曝光時的靈敏度的角度出發，作為本發明的光致抗蝕用化合物的偶氮化合物和絡合物的熱分解溫度優選為10(TC以上、600。C以下，更優選為12(TC以上、55(TC以下，最優選為15(TC以上、500°C以下。本發明的光致抗蝕用化合物可以根據圖案曝光中使用的光的波長來選擇合適的。例如，對於最大吸收波長(入max)，作為一般性指標，使用的雷射的波長為入nm時，由於經圖案曝光的光致抗蝕膜有效分解或變性，因此可以從在A士150nm的範圍內具有Amax的中進行選擇，更優選從在入±100nm的範圍內具有Amax的中進行選擇。例如，使用波長為650nm的半導體雷射時，可以從最大吸收波長為500nm800nm範圍內的光致抗蝕用化合物中選擇，更優選從最大吸收波長為550nm750nm範圍內的光致抗蝕用化合物中選擇。另外，使用波長為405nm的半導體雷射時，可以從最大吸收波長為255nm555nm範圍內的光蝕抗使用化合物中選擇，更優選從最大吸收波長為305nm505nm範圍內的光致抗蝕用化合物中選擇。根據與上述相同的理由，作為本發明的光致抗蝕用化合物的具有酞菁色素骨架的化合物可以從為最大吸收波長(Amax)為A士150nm範圍內的化合物中選擇，優選從在入±100nm的範圍內具有入max的化合物中選擇。例如，使用波長為650nm的半導體雷射時，可以從最大吸收波長為500nm800nm範圍內的化合物中選擇，更優選從最大吸收波長為550nm750nm範圍內的化合物中選擇。另外，可以從最大吸收波長為255nm555nm範圍內的化合物中選擇，更優選從最大吸收波長為305nm505mn範圍內的化合物中選擇。另外，已知，酞菁色素一般具有被稱為Q帶吸收的600nm900nm的強主吸收和被稱為Soret帶吸收的300nm500nm的副吸收，上述最大吸收波長是指主吸收的吸收波長或副吸收的吸收波長的任意種。使用波長為405nm的半導體雷射時，300nm500nm的Soret帶吸收波長優選在上述優選範圍內。[光致抗蝕液]本發明的光致抗蝕液含有本發明的光致抗蝕用化合物，優選含有溶劑。本發明的光致抗蝕液可以含有l種本發明的光致抗蝕用化合物，也可以含有2種以上。作為溶劑，優選使用本發明的光致抗蝕用化合物的良溶媒。另外，本發明的光致抗蝕液中，除了上述成分還可含有任意的其他成分。為了形成加工性優良的抗蝕膜，以光致抗蝕液中含有的全部固態組分為基準，本發明的光致抗蝕液中的上述光致抗蝕用化合物的含量優選為50質量％以上，更優選為70質量％以上，特別優選90質量％以上。其上限值例如為100質量％。通過將本發明的光致抗蝕液塗布到成為處理對象的表面上，再使溶媒蒸發除去，從而可以形成光致抗蝕膜。塗布方法可列舉如噴射法、旋塗法、浸漬法、輥塗法、刮塗法、刀刮塗法、刮漿刀法、簾式塗布法、夾縫塗布法、絲網印刷法等。從容易控制生產性優良的膜厚出發，優選使用旋塗法。從被塗布的光致抗蝕液除去溶媒的方法可以使用以往已知的方法。例如，用旋塗法進行塗布時，可以直接使旋轉的旋轉數提高來使溶媒蒸發。此時，也可以從噴嘴向塗布面吹附氣體來促進溶媒的蒸發。另外，與以往的光致抗蝕劑的塗布工序相同，也可以將被旋塗了的光致抗蝕液膜加熱(烘焙)，即進行所謂的預烘焙。作為除去溶媒的方法，優選用旋塗法塗布光致抗蝕液，再直接使旋轉的旋轉數上升從而將溶媒除去的方法。此時，優選再進行加熱的退火處理。退火處理具有增強作為光致抗蝕膜的強度和穩定性的效果。其加熱溫度下限為例如55i:以上，優選為65。C以上，更優選為75'C以上，其加熱溫度上限為例如20(TC以下，優選為150'C以下，更優選為IO(TC以下。時間的下限例如5分以上、優選為15分以上、更優選為30分以上，上限為例如4小時以下，優選為2小時以下，更優選為1小時以下。通過在該範圍的條件下進行退火，可以不使生產性下降，可以使作為光致抗蝕膜的強度和穩定性提高。從塗布性(例如，塗布和溶媒除去後的膜厚處於希望的範圍內、該膜厚在被加工表面整體的均一性、被加工表面即使有若干凹凸也形成隨著該凹凸的均一厚度的塗膜等)等方面來考慮，本發明的光致抗蝕液中的全部固態組分的濃度優選為0.1質量％以上、10質量％以下，更優選為0.4質80量％以上、5質量％以下，再更優選為0.7質量％以上、2質量％以下。從可用旋塗法的塗布性方面考慮，本發明的光致抗蝕液中可以使用的溶媒優選為塗布時具有適度的揮發性的溶媒，在製造適應性上，更優選具有以下的物性。1.沸點優選為60。C以上、30(TC以下，更優選為70。C以上、250。C以下，最優選為8(TC以上、20(TC以下。2.粘度優選為O.lcP以上、100cP以下，更優選為0.5cP以上、50cP以下，最優選為lcP以上、10cP以下。3.閃燃點優選為25。C以上，更優選為3(TC以上，最優選為35。C以上。作為上述溶媒的具體示例，可列舉如烴類(環己垸、1，1-二甲基環己烷等)、醇類(丁醇、二丙酮醇、四氟丙醇等)、二醇醚類(甲基溶纖劑、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯等)、酯類(醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等)、酮類(甲基乙基酮、甲基異丁酮等)、腈類(丙腈、苯甲腈等)、醯胺(二甲基甲醯胺等)、碸類(二甲基亞碸等)羧酸類(醋酸等)、胺類(三乙胺等)、滷類(三氯甲烷、氫氟碳等)、芳香屬類(甲苯、二甲苯等)等。其中，由於其塗布性，特別優選醇類或二醇醚類。上述溶媒可以單獨使用也可以將兩種以上混合使用。本發明的光致抗蝕液中，至少作為固態組分含有上述光致抗蝕用化合物即可，也可以根據需要含有其他成分。其他成分的含量優選相對於上述光致抗蝕用化合物以質量比計為1倍量以下。作為其他成分的示例，可列舉如粘合劑'、退色防止劑、抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑、潤滑劑等。作為粘合劑的示例，可列舉如明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、橡膠等天然有機高分子物質；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯等烴系樹脂；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯氯醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系樹脂，聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂，聚乙烯醇、氯化聚乙烯、乙氧基樹脂、丁醛樹脂、橡膠衍生物、酚醛甲醛樹脂等熱固化性樹脂的初期縮合物等合成有機高分子。向本發明的光致抗蝕液中添加粘合劑時，粘合劑的添加量相對於本發明的光致抗蝕用化合物，以質量比計優選為0.01倍1倍量，更優選為0.1倍量0.5倍量。一般來講，本發明的光致抗蝕用化合物在通常的室內照明環境下，不會分解或變性，因此不必在以往的光致抗蝕劑之類的安全燈(例如，將紫外線或比其更短波長的光刪去後的照明)的條件下使用。但是，在該通常的室內環境的照明下使用時，為了形成耐光性優良的抗蝕膜，可以使光致抗蝕液中含有各種褪色防止劑。褪色防止劑一般使用單態氧猝滅劑。作為單態氧猝滅劑可以利用已經在公知的專利說明書等刊物中記載的猝滅劑。作為其具體示例，可列舉如在日本特開昭58-175693號公報、日本特開昭59-81194號公報、日本特開昭60-18387號公報、日本特開昭60-19586號公報、日本特開昭60-19587號公報、日本特開昭60-35054號公報、日本特開昭60-36190號公報、日本特開昭60-36191號公報、日本特開昭60-44554號公報、日本特開昭60-44555號公報、日本特開昭60-44389號公報、日本特開昭60-443卯號公報、日本特開昭60-54892號公報、日本特開昭60-47069號公報、日本特開昭63-209995號公報、日本特開平4-25492號公報、日本特公平1-38680號公報、日本特公平6-26028號公報等各公報、德國專利350399號說明書以及日本化學會志1992年10月號第1141頁中記載的猝滅劑。上述單態氧猝滅劑等褪色防止劑的使用量相對於本發明的光致抗蝕用化合物的量，例如為0.150質量％的範圍，優選為0.545質量0%的範圍，更優選為340質量Q/^的範圍，特別優選為525質量。X的範圍。另外，如後所述，如使用本發明的光致抗蝕液，可以不經過顯影工序而形成蝕刻用掩模。因此，需要顯影工序的通常的光致聚合物型抗蝕液中作為必要成分所含有的o-萘醌二疊氮基磺酸酯與酚醛清漆樹脂的組合成分、光酸發生劑與酸分解性化合物的組合成分、光鹼發生劑與鹼分解性化合物的組合成分、光自由基發生劑與加成聚合不飽和化合物的組合成分，不是本發明的光致抗蝕液中的必要成分，本發明的光致抗蝕液優選不含有這些成分。本發明的光致抗蝕液可以通過將本發明的光致抗蝕用化合物與根據需要的上述成分混合而得。將本發明的光致抗蝕液塗布到成為處理對象的被加工表面，再將溶劑除去，可以得到光致抗蝕膜，對該光致抗蝕膜用雷射以所希望的圖案進行曝光，可以形成所希望圖案的抗蝕圖案。用於形成抗蝕膜的光致抗蝕液的塗布方法的詳細情況與之前說明的相同。上述光致抗蝕膜中，其功能由本發明的光致抗蝕用化合物來擔負，因此以光致抗蝕膜的總質量為基準，優選含有50質量以上的上述光致抗蝕用化合物，更優選含有70質量％以上，更優選含有90質量％以上。作為其上限值例如為100質量％。對於上述光致抗蝕膜中含有的各種成分，與之前對本發明的光致抗蝕劑組合物說明的情況相同。本發明的光致抗蝕液中，從可以容易將旋塗工序中被設於被加工表面之後多餘的光致抗蝕液(例如，旋塗時，從被加工表面滴落的光致抗蝕液)回收進行再利用的角度出發，特別優選其固態組分的全部量由上述光致抗蝕用化合物構成的方式。本發明的光致抗蝕液只要是用於需要微細加工的用途，就可以適用於任何用途。例如，LSI、LED、CCD、太陽電池等半導體裝置的製造工序，液晶、PDP、EL等FPD的製造工序，透鏡、膜等光學部件的製造工序等各種工序，可以代替以往的光致抗蝕液來使用。即，可以使用本發明的光致抗蝕液的塗布和溶媒除去工序以及圖案曝光工序，來代替以往的光致抗蝕液的塗布和溶媒除去工序、圖案曝光工序和顯影工序。本發明的光致抗蝕液在納米壓印用掩模的製作工序中也可以使用。另外，本發明的光致抗蝕液在LED用的晶片的表面、內面(例如，藍寶石基板等)、側面等面形成微細的凹凸，可以用於提高LED的光取出效率。一般，構成成為LED甩晶片的光取出口的最外層(例如，電流擴散層或透明電極等)的材料與封裝用的樹脂的折射率不同，例如，對於電流擴散層的情況，其折射率為3以上，與此相對，後者的封裝用樹脂的折射率為1.5左右。光從該折射率大的部分取出到折射率小的部分時，光在其界面產生反射，光的取出效率降低，通過使其界面形成微細的凹凸，可以提高光取出效率。在此，形成成為LED用晶片的光取出口的層(例如，電流擴散層)之後，在該層的表面塗布本發明的光致抗蝕液，除去溶媒形成光致抗蝕膜，僅在該光致抗蝕膜中與所希望的微細凹凸圖案的凹部相當於的部分照射雷射，進行圖案曝光，接著進行蝕刻，將與照射上述雷射的部分相對應的取出口的表面刻蝕，形成凹部，由此可以在取出口形成微細凹凸。之後，經過必要的工序(例如，在電流擴散層的表面形成電極的工序)可以完成LED用晶片。這樣得到的LED晶片的光取出口在表面具有微細的凹凸。將該LED元件封裝形成LED的方案，由於在封裝用樹脂與光取出口的界面形成微細的凹凸，因此可以製作在該界面的反射少、光取出效好的LED。這樣，從折射率大的部分向小的部分取出時，由於在其界面設有微細的凹凸因而可以提高光取出效率。對於在該發光部界面要形成的凹部的深度h和直徑d，只要是使發光部產生的光產生散射、折射的大小即可，優選為發光波長的四分之一以上，可以根據散射理論進行設計。如上所述，在被加工表面形成微細凹凸時，在其表面上使用本發明的光致抗蝕液形成光致抗蝕膜，通過雷射進行微細圖案的曝光，將其作為掩模，通過RIE等可以在被加工表面形成與上述微圖案相當的細凹凸。另外，在被加工表面上形成掩模層，在其上用本發明的光致抗蝕液形成光致抗蝕膜，對其用雷射進行微細加工，之後利用RIE在掩模層形成微細穴，再隔著形成有該微細穴的掩模層，利用ICP(電感偶合等離子體)可以進行深蝕刻。利用該掩模層的蝕刻方法是被加工表面為藍寶石之類堅硬難蝕刻情況時的有利的方法。作為掩模層，優選Si02、Ti02、SiN、SiON等無機氧化膜、氮化膜等。另外使用本發明的光致抗蝕液形成的光致抗蝕膜的厚度t與凹部的直徑d，可以根據本發明的光致抗蝕用化合物的種類、被加工表面的材質、選擇比等蝕刻工序的條件來設定。應該也考慮雷射記錄時的光學特性來設定。作為優選的範圍，抗蝕層的厚度t的上限值為滿足KlOOd的值，更優選為滿足Kl0d的值，另外，下限值為滿足t>d/100的值，更優選滿足t>d/10的值。另外，本發明涉及被加工表面的蝕刻方法。本發明的蝕刻方法包括-將本發明的光致抗蝕液塗布到被加工表面，形成光致抗蝕膜；對上述光致抗蝕膜進行圖案曝光；以及，在具有上述圖案曝光後的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分，實施蝕刻處理，將與上述圖案曝光中被曝光的部分相對應的區域中的被加工表面的至少一部分蝕刻。經圖案曝光的光致抗蝕膜中，在圖案曝光時的曝光部分的光致抗蝕膜中形成凹坑，或者形成低耐久性部之類引起局部物性變化的部分。蝕刻處理中，與光致抗蝕膜的凹坑及/或低耐久性部相當的被加工表面被優先蝕刻，位於其下的被加工表面也被蝕刻形成凹部。這樣，將與圖案曝光中被曝光的部分相對應的區域中的被加工表面的至少一部分蝕刻，可以在被加工表面形成微細凹凸。另外，被加工表面具有多個薄層時，可以將該薄層的至少一層以圖案狀除去。利用該方法，可以製作各種半導體裝置。圖案曝光可以採用公知的逐次移動式曝光裝置，隔著光致掩模進行曝光的方法，優選以下的方法，即，將雷射的射線脈衝變調，通過透鏡使該被變調了的雷射束進入，以其焦點成為光致抗蝕膜的方式進行圖案曝光。作為為進行該光照射的圖案曝光裝置，優選為向磁碟進行情報記錄中使用的記錄裝置。只要可以將光聚集到必要的大小，不是雷射之類的單色光也可以。作為雷射的種類，也可以為氣體雷射、固體雷射、半導體雷射等之類的雷射。為了使光學系簡單化，優選使用固體雷射、半導體雷射。雷射可以為連續光也可以為脈衝光，優選採用發光間隔可以自在變化的雷射。作為該雷射，可列舉如半導體雷射。另外，不能將雷射直接閉合斷開變調時，優選通過外部變調元件進行變調。為了提高加工速度，雷射功率高者優選。必須掃描速度(雷射掃描塗布膜的速度；例如，後述的光碟驅動的旋轉速度)隨著雷射功率的提高而提高。因此，考慮到掃描速度的上限值，雷射功率的上限值優選為ioow，更優選為IOW，再更優選為5W，最好為1W。另外，雷射功率的下限值優選為O.lmW，更好為0.5mW，再更好為lmW。另外，雷射優選發信波長寬度以及相干性優良、可以縮小到波長相當的斑點大小的光。另外，光脈衝照射條件優選採用一般用於光碟中的方案。即，優選採用光碟中使用之類的記錄速度、照射雷射的波高值、脈衝寬度等條件。雷射的波長，只要是可以得到大雷射功率的波長即可，例如，優選作為容易得到的雷射波長的1064土30nm、800士50nm、670土30nm、532±30nm、405nm土50nm、266士30nm、200士30nm。其中，優選以半導體雷射可以大輸出的780土30nm、660土20nm或405土20nm。最優選為405±8510nm。另外，使用的光致抗蝕用化合物的最大吸收波長入a與雷射的波長入w可以是入a^入w或入a^入w。為了從光致抗蝕膜的厚度方向的表面到內面均一地給予光、整體地給予熱，形成漂亮形狀的孔，優選使薄膜的吸收量在一定範圍內。如果吸收過多，則光僅達到表面，如果過少，則光不會轉變為熱，效率變差。表示材料的吸收的容易性的消減係數k的上限適合為2以下，優選1以下，特別優選0.5以下。下限為0.0005以上，優選為0.005以上，更優選為0.05以上。如滿足上述關係，則光致抗蝕用化合物的光吸收量適當，通過圖案曝光，可以形成良好的凹坑或低耐久性部。上述抗蝕膜的厚度可以在例如110000nm的範圍內適當選擇。厚度的下限優選為10nm以上，更優選為30nm以上。這是由於如果厚度過薄，則變得難以得到蝕刻效果的緣故。另外，厚度的上限優選為1000nm以下，更優選為500nm以下。其理由為如果厚度過厚，則必須大的雷射功率，而且變得難以形成深的孔的緣故，以及加工速度下降的緣故。作為光照射方法可以採用例如一次寫入性光碟、一次寫入多次讀出光碟等中公知的凹坑的形成方法。具體地講可以採用，例如，檢測隨凹坑大小不同而變化的雷射的反射光的強度，補正雷射的輸出以使該反射光的強度一定，從而形成均勻的凹坑，所謂的公知的RunningOPC(最優能量控制技術)技術(例如，參考專利第3096239號公報)。另外，本發明的抗蝕膜中如果局部存在物性變化到經光照射而蝕刻可以除去的程度的部分，則通過在蝕刻時將該部分除去可以得到作為蝕刻掩摸的功能，.因此沒有必要形成有肉眼等可以識別的凹坑(開口)。另外，凹坑、物性變化部分的大小或加工間距可以通過調整光學系來控制。另外，雷射在中心附近的光強度最強，朝向外側逐漸變弱，因此可以在塗布膜形成比雷射的點徑更小徑的微細的凹坑。另外，要形成比雷射的最小加工形狀更大的凹坑時，接上雷射點即可。以下，對加工中使用的光學系的具體方式進行說明。本發明不限於以下所示方式。光照射裝置可以使用與一般的光碟驅動相同結構的裝置。作為光碟驅動，可以使用例如日本特開2003-203348號公報中所記載結構的裝置。使用該光碟驅動，如果形成了塗布膜的加工對象物是磁碟形狀的，則直接填充到磁碟驅動中，如果形狀不同時，則將其貼付到模型光碟再填充到磁碟驅動中。之後，以適當的輸出將雷射照射到塗布膜上。再向雷射源輸/v脈衝信號或連續信號使該照射的圖案與加工圖案一致即可。另外，通過使用與光碟驅動同樣的聚焦技術例如非點像差法等，即使塗布膜表面存在波動、翹曲，也可以將光集中到塗布膜表面。另外，與向光記錄磁碟中記錄情報的情況相同，使加工對象物旋轉的同時，使光學系在半徑方向移動，藉此，可以向塗布膜的整體進行周期的光照射。光照射條件為例如，光學系的開口數NA的下限優選為0.4以上，更優選為0.5以上、再更優選0.6以上。另夕卜，開口數NA的上限優選為2以下，更優選為l以下，再更優選為0.9以下。將開口數增大時，通過物鏡與光致抗蝕膜之間隔有液體的所謂液浸法，可以得到容易進行焦點調整的優點。這是由於，開口數NA如果過小，則不能精細加工，如果過大，則光照射時相對於角度的餘量(margin)減少的緣故。光學系的波長例如為405土30nm、532士30nm、650土30nm、780士30nm。這些是容易得到大輸出的波長。另外，由于波長越短越容易加工，因此優選。光學系的輸出的下限例如為O.lmW以上，優選為lmW以上，更優選5mW以上，再更優選20mW以上。光學系的輸出的上限例如為1000mW以下，優選為500mW以下，更優選為200mW以下。這是由於以下原因輸出如果過低，則加工花費時間，如果過高，則構成光學系的部件的耐久性下降。使光學系對於塗布膜表面相對移動的線速的下限例如為0.1m/s以上，優選為lm/s以上，更優選為5m/s以上，再更優選為20m/s以上。線速的上限例如為500m/s以下，優選為200m/s以下，更優選為100m/s以下，再更優選為50m/s以下。這是由於線速如果過高，則難以提高加工精度，如果過慢，則加工花費時間，而且難以得到良好的形狀的緣故。作為包括光學系的具體的光學加工機的一例，可列舉如帕路斯科技工業株式會社制NE0500。以上說明的光致抗蝕膜在圖案曝光後不經過顯影工序就可以作為蝕刻用掩模使用。另外，也可以插入進行熱處理的後烘焙來作為圖案曝光後且下述說明的蝕刻之前的工序。通過進行後烘焙，使圖案曝光後的光致抗87作為對後續的蝕刻的掩模的功能。後烘焙的加熱溫度的下限例如為55'C以上、優選為65'C以上、更優選為75。C以上，其溫度上限例如為200。C以下、優選為15(TC以下、更優選為IO(TC以下。通過在該範圍內進行加熱處理，不會導致生產性的降低，可以得到上述效果。作為蝕刻方法，可以例舉溼蝕刻、幹蝕刻等各種蝕刻方法，根據進行蝕刻的表面的物性來選擇方法即可。為了進行微細加工，優選採用蝕刻牆貼的直進性高且可以得到微細圖案的RIE(反應性離子蝕刻)。RIE是如下的技術將被處理體放置於氣密封的處理室內，進行規定的處理氣體的導入以及利用真空抽吸使處理室內形成規定的減壓氣氛氣之後，例如通過向形成於處理室內的電極施加規定的高頻電力來激勵等離子體，通過該等離子體中的蝕刻離子，對被處理體進行蝕刻處理。該RIE的蝕刻氣體可以根據被蝕刻的物質來進行選擇。由本發明的光致抗蝕液形成的光致抗蝕膜通常在蝕刻後被除去，也可以根據用途不除去而殘留。光致抗蝕膜的除去可以例如通過使用剝離液(例如，乙醇)的溼式的除去方法來進行。以上，對在蝕刻中使用本發明的光致抗蝕液的方式進行了說明，本發明的光致抗蝕液也可以用於在被加工表面的希望區域堆積所希望的物質。例如，LED用晶片中，在光取出口(例如，電流擴散層)的表面的一部分，取出AuZn或AuGe之類的電極。此時，在光取出口的表面(例如，電流擴散層的表面)，塗布本發明的光致抗蝕液，除去溶媒，形成光致抗蝕膜之後，在形成電極的區域，照射雷射除去光致抗蝕膜。此時，向光致抗蝕膜照射的雷射可以為在光致抗蝕膜形成低耐久性部的充分的量，此時繼續蝕刻除去低耐久性部的光致抗蝕膜，這樣，可以除去形成電極區域的光致抗蝕膜。之後，將成為電極的物質(例如，AuZn或AuGe)在真空下堆積，接著除去光致抗蝕膜，這樣可以在光取出口的表面的所希望的區域形成電極。如上述說明所示，本發明的光致抗蝕用化合物可以用於微細凹凸的形成以及半導體裝置的製作中，作為具體示例，可列舉如半導體元件、磁泡存儲器、集成電路等各種電子部件，LED或螢光燈、有機EL元件、等離子顯示器等發光等，但不限於這些。實施例以下通過實施例來說明本發明，本發明不限於實施例所示的方式。光致抗蝕膜的形成將氧雜菁色素(示例化合物(II)-5、膜的入max:378nm、熱分解溫度216'C)2g溶解於四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋塗到磁碟狀的矽基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內徑15mm)上形成塗布膜。旋塗如下進行以塗布開始旋轉數為500rpm、塗布結束旋轉數為100rpm的方式，將塗布液分散到基板的內周部，緩緩將旋塗數提高到2200rpm，使塗布膜乾燥。形成的塗布膜的厚度為100nm。將形成了塗布膜的矽基板設置於帕路斯科技工業株式會社制NE0500(波長405nm、NA:0.65)，朝向塗布膜表面照射雷射。雷射照射條件如下所示。塗布膜中以0.5um間距形成凹坑。雷射輸出2mW線速5m/s記錄信號5MHz的矩形波[實施例2]凹凸形成以以下的條件，對經實施例1處理的矽基板，從塗布膜形成面側進行RIE蝕刻之後，以乙醇作為剝離液將塗布膜除去。通過肉眼可以確認，矽基板表面的塗布膜除去面形成有微細的凹凸。由該結果可以明確，經實施例1處理的塗布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實施例314]除了使用下述表2所示的示例化合物作為氧雜菁色素之外，與實施例1同樣實施，在塗布膜表面照射雷射，結果與實施例1同樣以0.5"m間距在塗布膜形成凹坑。89tableseeoriginaldocumentpage90[實施例1526]使用實施例314所示的具有形成有凹坑的塗布膜的矽基板，與實施例2同樣操作進行RIE蝕刻之後，將乙醇作為剝離液除去塗布膜，結果肉眼確認，所有的矽基板均與實施例2同樣在各自的表面形成有微細的凹凸。由該結果可知，對於實施例314所使用的氧雜菁色素，其塗布膜也起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在雷射的波長(405rnn)土150nm的範圍內具有入max的色素的實施例與使用在上述範圍之外具有入max的色素的實施例相比較，凹坑形狀良好。[實施例15]光致抗蝕膜的形成將花青色素(示例化合物IV-57、膜的入max:448nm、熱分解溫度275T:)2g溶解於四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋塗到磁碟狀的矽基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內徑15mm)上形成塗布膜。旋塗如下進行以塗布開始旋轉數為500rpm、塗布結束旋轉數為100rpm的方式，將塗布液分散到基板的內周部，緩緩將旋轉數提高到2200rpm，使塗布膜乾燥。形成的塗布膜的厚度為100nm。將形成了塗布膜的矽基板設置於帕路斯科技工業株式會社制NE0500(波長405nm、NA:0.65)中，向塗布膜表面照射雷射。雷射照射條件如下所示。塗布膜中以0.5um間距形成了凹坑。雷射輸出2mW線速5m/s記錄信號5MHz的矩形波[實施例16]除了將使用的色素從花青色素變更為苯乙烯基色素(示例化合物V-l、膜的Amax:543nm、熱分解溫度280°C)之外，通過與實施例15同樣的方法，在矽基板上形成了光致抗蝕膜。與實施例l同樣向該抗蝕膜照射雷射，在抗蝕膜以0.5um間距形成有凹坑。[實施例17、18]凹凸形成在以下的條件下，分別從塗布膜形成面側，對實施例15和16中處理的矽基板進行RIE蝕刻，之後將乙醇作為剝離液將塗布膜除去。肉眼可以確認，矽基板表面的塗布膜除去面形成有微細的凹凸。通過該結果可以確認，實施例1和2中處理的塗布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實施例1926]除了使用下述表3記載的花青色素或苯乙烯基色素作為色素以外，與實施例15同樣操作，向抗蝕膜表面照射雷射，結果與實施例1同樣，以0.5iim的間距在抗蝕膜形成了凹坑。表4tableseeoriginaldocumentpage91使用實施例1926所得的具有形成有凹坑的抗蝕膜的矽基板，與實施例17同樣操作進行RIE蝕刻之後，將乙醇作為剝離液除去塗布膜，結果肉眼確認，所有矽基板均與實施例l7同樣在其表面形成有微細的凹凸。由該結果可知，對於實施例1926中使用的花青色素和苯乙烯基色素，其抗蝕膜也可以起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在雷射的波長(405nm)士150nm的範圍內具有入max的色素的實施例與使用具有上述範圍之外的Amax的色素的實施例比較，凹坑形狀良好。[實施例35](1)光致抗蝕膜的形成將部花青色素(示例化合物(S-39)、熱分解溫度263°C)2g溶解於四氟丙醇(TFP)100ml中，將其旋塗到磁碟狀的矽基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內徑15mm)上形成塗布膜。旋塗如下進行以塗布開始旋轉數為500rpm、塗布結束旋轉數為100rpm的方式，將塗布液分散到基板的內周部，緩緩將旋轉數提高到2200rpm，使塗布膜乾燥。形成的塗布膜的厚度為100nm，最大吸收波長入max為379nm。將形成了塗布膜的矽基板設置於帕路斯科技工業株式會社制NE0500(波長405nm、NA:0.65)，向塗布膜表面照射雷射。雷射照射條件如下所示。塗布膜中以0.5um間距形成了凹坑。雷射輸出2mW線速5m/s記錄信號5MHz的矩形波(2)凹凸形成在以下的條件下，對經上述(1)處理的矽基板從塗布膜形成面側進行RIE蝕刻後，將乙醇作為剝離液除去塗布膜。肉眼確認，矽基板表面的塗布膜除去面形成有微細的凹凸。由該結果可以確認，經上述(1)處理的塗布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nm[實施例3647]除了將部花青色素(示例化合物S-39)變換成下述表4所示的示例化合物之外，進行與實施例35同樣的處理，得到了與實施例35同樣的結果。表5示例化合物最大吸收波長(nm)實施例35(S-39)379實施例36(S-31)381實施例37(S-32)401實施例38(S-33)416實施例39(S-34)385實施例40(S-35)370實施例41(S-36)376實施例42(S-37)388實施例43(S-38)413實施例44(S-40)344實施例45(S-41)392實施例46(S-42)402實施例47(S-43)368(1)光致抗蝕膜的形成將酞菁色素(示例化合物(VII-9)、熱分解溫度325'C、最大吸收波長入max:346nm)2g溶解於四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋塗於磁碟狀的矽基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內徑15mm)上形成塗布膜。旋塗如下進行以塗布開始旋轉數為500rpm、塗布結束旋轉數為100rpm的方式，將塗布液分散到基板的內周部，緩緩將旋塗數提高到2200rpm，使塗布膜乾燥。形成的塗布膜的厚度為100nm。將形成了塗布膜的矽基板設置於帕路斯科技工業株式會社制NE0500(波長:405nm、NA:0.65)中，向塗布膜表面照射雷射。.雷射照射條件如下所示。塗布膜中以0.5um間距形成了凹坑。雷射輸出2mW線速5m/s記錄信號5MHz的矩形波(2)凹凸形成在以下的條件下，對經上述(1)處理的矽基板從塗布膜形成面側進行RIE蝕刻之後，將乙醇作為剝離液除去塗布膜。肉眼確認，矽基板表面的塗布膜除去面形成有微細的凹凸。由該結果可知，經上述(1)處理的塗布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)93蝕刻深度50nm[實施例4959]除了將酞菁色素(VII-9)變換成下述表5所示的示例化合物之外，進行與實施例1同樣的處理，結果得到與實施例48相同的結果。表6tableseeoriginaldocumentpage94光致抗蝕膜的形成將偶氮色素(示例化合物(75)、膜的最大吸收波長入max:441nm、熱分解溫度270°C、)2g溶解於四氟丙醇(TFP)100ml中，將其旋塗到磁碟狀的矽基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內徑15mm)上形成塗布膜。旋塗如下進行以塗布開始旋轉數為500rpm、塗布結束旋轉數為100rpm的方式，將塗布液分散於基板的內周部，緩緩將旋轉數提高至2200rpm使塗布膜乾燥。形成的光致抗蝕膜的厚度為100nm。將形成了光致抗蝕膜的矽基板設置到帕路斯科技工業株式會社制NEO500(波長405nm、NA:0.65)，向光致抗蝕膜表面照射雷射。雷射照射條件如下所示。光致抗蝕膜中以0.5Um間距形成了凹坑。雷射輸出2mW線速5m/s記錄信號5MHz的矩形波[實施例61]凹凸形成在以下的條件下，對經實施例60處理的具有形成有凹坑的光致抗蝕膜的矽基板從光致抗蝕膜面側，進行RIE蝕刻，之後將乙醇作為剝離液除去光致抗蝕膜。肉眼確認，矽基板表面的塗布膜除去面形成有微細的凹凸。由該結果可知，實施例60所得的形成有凹坑的光致抗蝕膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實施例6269]除了使用下述表6所示的示例化合物作為偶氮色素之外，與實施例60同樣進行，對光致抗蝕膜表面照射雷射，結果與實施例60同樣，以0.5iim間隔，在光致抗蝕膜形成了凹坑。表7示例化合物最大吸收波長(nm)熱分解溫度rc)實施例62(81)460254實施例63(82)482331實施例64(85)439275實施例65(86)377322實施例66(87)457321實施例67(44)455321實施例68(46)598340實施例69(47)603320使用實施例6269所得的具有形成有凹坑的光致抗蝕膜的矽基板，與實施例61同樣操作，進行RIE蝕刻之後，將乙醇作為剝離液除去塗布膜，結果肉眼確認，所有矽基板均與實施例2同樣，在其表面形成有微細的凹凸。由該結果可知，實施例6269使用的偶氮色素中，其光致抗蝕膜也起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在雷射的波長(405nm)士150nm的範圍具有Amax的色素的實施例與使用具有上述範圍外的Amax的色素的實施例相比，凹坑形狀良好。通過本發明，可以容易地進行微細的表面加工。權利要求1.一種光致抗蝕用化合物，其選自具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物。2.根據權利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(I)所示的化合物，通式(I)formulaseeoriginaldocumentpage2通式(I)中，A、B、C和D分別獨立地表示吸電子性基團，A表示的吸電子性基團與B表示的吸電子性基團的哈米特op值的合計為0.6以上，C表示的吸電子性基團與D表示的吸電子性基團的哈米特op值的合計為0.6以上，A與B可以相互連結形成環，C與D也可相互連結形成環，R表示次甲基碳上的取代基，m表示0以上、3以下的整數，n表示0以上、(2m+l)以下的整數，當n為2以上的整數時，多個存在的R可分別相同或不同，也可相互連結形成環，X表示將通式(I)所示化合物的電荷中和的平衡離子。3.根據權利要求2所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為IOO。C以上、50(TC以下。4.根據權利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(IV)所示的化合物，通式(IV)formulaseeoriginaldocumentpage3通式(IV)中，Z1和Z2分別獨立地表示形成可稠環的5元或6元含氮雜環所必要的非金屬原子組，L1、1^和y分別獨立地表示次甲基鏈，n^表示02範圍的整數，W和f分別獨立地表示取代基，n^表示2時，多個存在的L2、17可以相同或不同，p和q分別獨立地表示O或l，R11、R12、1113和R"分別獨立地表示氫原子或取代基，X1表示將通式(IV)所示化合物的電荷中和的平衡離子。5.根據權利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(V)所示的化合物，formulaseeoriginaldocumentpage3通式(V)中，^表示形成可稠環的5元或6元含氮雜環所必要的非金屬原子組，1/和15分別獨立地表示次甲基鏈，R3、R4、尺5和116分別獨立地表示取代基，士表示04範圍的整數，士為2以上時，多個存在的R6可以相同或不同，r表示0或1，R"和R"分別獨立地表示氫原子或取代基，XZ表示將通式(V)所示化合物的電荷中和的平衡離子。6.根據權利要求4或5所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為IO(TC以上、60(TC以下。7.根據權利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(VI)所示的化合物，通式(V)formulaseeoriginaldocumentpage3通式(vi)formulaseeoriginaldocumentpage4通式(VI)中，ZU表示與X^和X"—起形成5元或6元雜環的原子團，xn和X"分別獨立地表示碳原子或雜原子，X"和X"中的至少一方表示雜原子，Yi和P分別獨立地表示取代基，"和"中的至少一方表示氰基、垸基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺醯基、芳基磺醯基或氨基磺醯基，Yi與f也可以相互結合形成環，LU和L"分別獨立地表示次甲基，W表示02範圍的整數。8.根據權利要求7所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150t:以上、50(TC以下。9.根據權利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(VII)所示的化合物，通式(VII)formulaseeoriginaldocumentpage4通式(Vn)中，R"表示取代基，113表示18範圍的整數，」為2以上的整數時，多個存在的R"可分別相同或不同，M表示2個氫原子、24價的金屬原子、24價的氧代金屬原子、或具有配位基的24價的金屬原子。10.根據權利要求9所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(VII)所示的化合物為下述通式(VIII)所示的化合物，通式(vm)4formulaseeoriginaldocumentpage5通式(VIII)中，R"R"和R"R"分別獨立地表示氫原子、滷原子、氰基、硝基、甲醯基、羧基、磺基、碳數120的取代或無取代的垸基、碳數614的取代或無取代的芳基、碳數110的取代或無取代的雜環基、碳數120的取代或無取代的垸氧基、碳數614的取代或無取代的芳氧基、碳數221的取代或無取代的醯基、碳數120的取代或無取代的垸基磺醯基、碳數614的取代或無取代的芳基磺醯基、碳數110的雜原子鍵合磺醯基、碳數125的取代或無取代的氨基甲醯基、碳數032的取代或無取代的氨磺醯基、碳數220的取代或無取代的垸氧基羰基、碳數715的取代或無取代的芳氧基羰基、碳數221的取代或無取代的醯基氨基、碳數120的取代或無取代的磺醯基氨基或碳數036的取代或無取代的氨基，R"R。s和R"R"中的至少8個為氫原子，R"R。8不全為氫原子，M與通式(VII)中的定義相同。11.根據權利要求IO所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(VIII)中，R"和R。2中的任一方、R"和R"中的任一方、R05和R"中的任一方以及R。7和Ra8中的任一方不是氫原子。12.根據權利要求911中任一項所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150。C以上、50(TC以下。13.根據權利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(IX)所示的化合物，或該化合物與金屬離子的絡合物，通式(IX)formulaseeoriginaldocumentpage5通式(IX)中，Qi表示芳基或雜環基，(^2表示芳基、雜環基或CR"R42所示的基團，R"和R"分別獨立地表示取代基，R41表示的取代基與R42表示的取代基的哈米特op值的合計值為0.6以上。14.根據權利要求13所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(IX)所示的化合物為下述通式(X-1)所示的化合物，通式(X-1)通式(X-1)中，A1表示與和其結合的碳原子以及氮原子一起形成雜芳香環的原子團，(53與通式(1乂)中的02的含義相同。15.根據權利要求13所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(IX)所示的化合物為下述通式(X-2)所示的化合物，通式(X-2)formulaseeoriginaldocumentpage6通式(X-2)中，A2表示與和其結合的碳原子以及氮原子一起形成雜芳香環的原子團，Q"與通式(IX沖(^的含義相同。16.根據權利要求1315中任一項所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150。C以上、50(TC以下。17.—種光致抗蝕液，其中含有權利要求116中任一項所述的光致抗蝕用化合物的至少一種。18.根據權利要求17所述的光致抗蝕液，其中，以所述光致抗蝕液中含有的全部固態組分為基準，含有50質量％以上的所述光致抗蝕用化合物。19.一種被加工表面的蝕刻方法，其中包括下述工序將權利要求17或18所述的光致抗蝕液塗布到被加工表面形成光致抗蝕膜；對所述光致抗蝕膜進行圖案曝光；以及，對具有所述圖案曝光後的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分施加蝕刻處理，將與所述圖案曝光中被曝光的部分相對應的區域中的被加工表面的至少一部分蝕刻。20.根據權利要求19所述的被加工表面的蝕刻方法，所述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長的雷射，所述光致抗蝕膜中含有的所述光致抗蝕用化合物是從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物選擇的化合物，且其最大吸收波長入max在入士150nm的範圍。21.根據權利要求19所述的被加工表面的蝕刻方法，其中，所述圖案曝光中使用的光為具有入nm的波長的雷射，所述光致抗蝕膜中含有的所述光致抗蝕用化合物為具有酞菁色素骨架的化合物，且在入土150nm的範圍具有最大吸收。全文摘要本發明涉及從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡合物選擇的光致抗蝕用化合物。另外，本發明提供了使用含有至少一種上述光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液，以及使用上述光致抗蝕液的被加工表面的蝕刻方法。文檔編號C09B23/00GK101675117SQ20088000706公開日2010年3月17日申請日期2008年3月5日優先權日2007年3月5日發明者宇佐美由久,渡邊哲也申請人:富士膠片株式會社