Oled陣列基板及其製作方法、封裝結構、顯示裝置製造方法
2023-07-22 07:26:01 1
Oled陣列基板及其製作方法、封裝結構、顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了一種OLED陣列基板及其製作方法、封裝結構、顯示裝置，屬於顯示【技術領域】。其中，OLED陣列基板，包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述OLED陣列基板上還設置有用於支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。本發明的技術方案能夠在保證OLED陣列基板透過率的前提下改善陰極搭接不良的問題，降低OLED陣列基板的功耗。
【專利說明】OLED陣列基板及其製作方法、封裝結構、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種OLED陣列基板及其製作方法、OLED封裝結構、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de,有機發光二極體)器件由於其具有的全固態結構、高亮度、全視角、響應速度快、工作溫度範圍寬、可實現柔性顯示等一系列優點，目前已經成為極具競爭力和發展前景的下一代顯示技術。OLED器件中使用的有機發光材料和陰極材料對水和氧氣特別敏感，過於潮溼或氧氣含量過高都將影響OLED器件的使用壽命。
[0003]為了有效的阻隔水和氧對OLED器件的影響，需要對OLED器件進行封裝，將OLED陣列基板和封裝基板採用封框膠進行粘結固定，以實現密閉的器件結構，阻隔空氣中的水和氧氣，在OLED陣列基板和封裝基板之間還設置有用以支撐盒厚的隔墊物。
[0004]現有的頂發射OLED器件一般需要設置較薄的陰極從而保證較高的光透過率，但是由於OLED陣列基板的起伏較大，較薄的陰極容易在OLED陣列基板上起伏較大的區域(如隔墊物處)發生搭接不良，從而導致陰極的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設置過厚的陰極則會導致OLED陣列基板透過率的下降，影響顯示效果。
【發明內容】
[0005]本發明要解決的技術問題是提供一種OLED陣列基板及其製作方法、OLED封裝結構、顯示裝置，能夠在保證OLED陣列基板透過率的前提下改善陰極搭接不良的問題，降低OLED陣列基板的功耗。
[0006]為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下:
[0007]—方面，提供一種OLED陣列基板，包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述OLED陣列基板上還設置有用於支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
[0008]優選的，所述第一區域陰極的厚度處處相等，所述第二區域陰極的厚度處處相等。
[0009]優選的，所述第一區域陰極的厚度比所述第二區域陰極的厚度大l_20nm。
[0010]另一方面，提供一種OLED封裝結構，包括上述的OLED陣列基板和封裝基板。
[0011]優選的，所述OLED陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過封框膠粘結固定。
[0012]可選的，所述OLED封裝結構還包括用於支撐所述OLED陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位於所述封框膠的內部。
[0013]又一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的OLED封裝結構。
[0014]再一方面，提供一種OLED陣列基板的製作方法，所述OLED陣列基板包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述OLED陣列基板上還設置有用於支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述製作方法包括:
[0015]在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
[0016]優選的，形成陰極包括:
[0017]在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成對應所述第一區域和第二區域的第一陰極圖形；
[0018]在所述第一陰極圖形上形成對應所述第一區域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
[0019]可選的，所述在所述第一陰極圖形上形成對應所述第二區域的第二陰極圖形包括:
[0020]將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對應所述第一區域的開口；
[0021]利用與所述蒸鍍掩膜板相對設置的陰極蒸發源進行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
[0022]本發明的實施例具有以下有益效果:
[0023]在OLED陣列基板上，隔墊物所在區域的起伏較大，本發明在不改變其他區域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區域的厚度，從而能夠在不減少發光區域陰極透過率的情況下，改善陰極在起伏較大區域搭接不良的問題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1為現有OLED陣列基板的平面示意圖；
[0025]圖2為圖1中BB』方向的截面示意圖；
[0026]圖3為圖2中A部分的放大示意圖；
[0027]圖4為本發明實施例OLED陣列基板的平面示意圖；
[0028]圖5為圖4中BB』方向的截面示意圖；
[0029]圖6為圖5中C部分的放大示意圖。
[0030]附圖標記
[0031]11隔墊物12子像素13陰極
[0032]14第一區域的陰極15像素界定層16第二區域的陰極
【具體實施方式】
[0033]為使本發明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0034]本發明的實施例提供一種OLED陣列基板及其製作方法、OLED封裝結構、顯示裝置，能夠在保證OLED陣列基板透過率的前提下改善陰極搭接不良的問題，降低OLED陣列基板的功耗。
[0035]實施例一
[0036]圖1為現有OLED陣列基板的平面示意圖，圖2為圖1中BB』方向的截面示意圖，圖3為圖2中A部分的放大示意圖。
[0037]在OLED陣列基板上形成有薄膜電晶體、像素界定層、陽極、有機功能層和陰極，像素界定層界15定出多個子像素12。現有的頂發射OLED器件一般需要設置較薄的陰極13從而保證較高的光透過率，但是由於OLED陣列基板需要與封裝基板進行封裝，因此，還需要在OLED陣列基板上設置支撐盒厚的隔墊物11，隔墊物11的高度主要由形成陰極前形成的平坦化層樹脂和像素定義層樹脂組成，陰極13覆蓋在隔墊物11上。由於隔墊物11具有一定的高度，因此，在設置隔墊物11的區域OLED陣列基板的起伏較大，如圖3所示，較薄的陰極容易在隔墊物11處發生搭接不良，從而導致陰極13的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設置過厚的陰極則會導致OLED陣列基板透過率的下降，影響顯示效果。
[0038]為了解決上述問題，本實施例提供了一種OLED陣列基板，包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述OLED陣列基板上還設置有用於支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
[0039]在OLED陣列基板上，隔墊物所在區域的起伏較大，本發明在不改變其他區域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區域的厚度，從而能夠在不減少發光區域陰極透過率的情況下，改善陰極在起伏較大區域搭接不良的問題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0040]圖4為本實施例OLED陣列基板的平面示意圖，圖5為圖4中BB』方向的截面示意圖，圖6為圖5中C部分的放大示意圖。如圖5和圖6所示，OLED陣列基板的陰極包括覆蓋隔墊物11的第一區域和除第一區域外的第二區域，第一區域陰極14的厚度大於第二區域陰極16的厚度。
[0041]進一步地，第一區域陰極14的厚度處處相等，第二區域陰極16的厚度處處相等。具體地，第一區域陰極14的厚度可以比第二區域陰極16的厚度大l_20nm。本實施例僅增厚部分陰極的厚度，不會對發光區域陰極的透過率造成影響，並且能夠顯著改善陰極在起伏較大區域搭接不良的問題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0042]實施例二
[0043]本發明還提供了一種OLED封裝結構，包括上述的OLED陣列基板和封裝基板。
[0044]其中，所述OLED陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過封框膠粘結固定，所述OLED封裝結構還包括用於支撐所述OLED陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位於所述封框膠的內部。
[0045]由於隔墊物具有一定的高度，因此，在設置隔墊物的區域OLED陣列基板的起伏較大，本實施例在不改變其他區域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區域的厚度，從而能夠在不減少發光區域陰極透過率的情況下，改善陰極在起伏較大區域搭接不良的問題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0046]實施例三
[0047]本實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED封裝結構。該顯示裝置可以是:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0048]實施例四
[0049]圖1為現有OLED陣列基板的平面示意圖，圖2為圖1中BB』方向的截面示意圖，圖3為圖2中A部分的放大示意圖。
[0050]在OLED陣列基板上形成有薄膜電晶體、像素界定層、陽極、有機功能層和陰極，像素界定層界15定出多個子像素12。現有的頂發射OLED器件一般需要設置較薄的陰極13從而保證較高的光透過率，但是由於OLED陣列基板需要與封裝基板進行封裝，因此，還需要在OLED陣列基板上設置支撐盒厚的隔墊物11，隔墊物11的高度主要由形成陰極前形成的平坦化層樹脂和像素定義層樹脂組成，陰極13覆蓋在隔墊物11上。由於隔墊物11具有一定的高度，因此，在設置隔墊物11的區域OLED陣列基板的起伏較大，如圖3所示，較薄的陰極容易在隔墊物11處發生搭接不良，從而導致陰極13的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設置過厚的陰極則會導致OLED陣列基板透過率的下降，影響顯示效果。
[0051]為了解決上述問題，本實施例提供了一種OLED陣列基板的製作方法，所述OLED陣列基板包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述OLED陣列基板上還設置有用於支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述製作方法包括:
[0052]在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
[0053]圖4為本實施例製作的OLED陣列基板的平面示意圖，圖5為圖4中BB』方向的截面示意圖，圖6為圖5中C部分的放大示意圖。如圖5和圖6所示，本實施例製作的OLED陣列基板的陰極包括覆蓋隔墊物11的第一區域和除第一區域外的第二區域，第一區域陰極14的厚度大於第二區域陰極16的厚度。
[0054]進一步地，本實施例形成的第一區域陰極14的厚度處處相等，第二區域陰極16的厚度處處相等。具體地，第一區域陰極14的厚度可以比第二區域陰極16的厚度大l_20nm。
[0055]進一步地，形成陰極的步驟具體包括:
[0056]在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成對應所述第一區域和第二區域的第一陰極圖形；
[0057]在所述第一陰極圖形上形成對應所述第一區域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
[0058]由於第一區域比第二區域多了第二陰極圖形，因此，第一區域陰極的厚度大於第二區域陰極的厚度。
[0059]具體地，可以採用蒸鍍的方法在形成有第一陰極圖形的基板上形成第二陰極圖形，所述在所述第一陰極圖形上形成對應所述第二區域的第二陰極圖形包括:
[0060]將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對應所述第一區域的開口；
[0061]利用與所述蒸鍍掩膜板相對設置的陰極蒸發源進行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
[0062]本實施例僅增厚部分陰極的厚度，不會對發光區域陰極的透過率造成影響，並且能夠顯著改善陰極在起伏較大區域搭接不良的問題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0063]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種01^0陣列基板，包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述0120陣列基板上還設置有用於支撐所述0120陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，其特徵在於，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
2.根據權利要求1所述的01^0陣列基板，其特徵在於，所述第一區域陰極的厚度處處相等，所述第二區域陰極的厚度處處相等。
3.根據權利要求2所述的01^0陣列基板，其特徵在於，所述第一區域陰極的厚度比所述第二區域陰極的厚度大1-2011111。
4.一種01^0封裝結構，其特徵在於，包括如權利要求1-3中任一項所述的01^0陣列基板和封裝基板。
5.根據權利要求4所述的0120封裝結構，其特徵在於，所述0120陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過封框膠粘結固定。
6.根據權利要求5所述的01^0封裝結構，其特徵在於，所述01^0封裝結構還包括用於支撐所述01^0陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位於所述封框膠的內部。
7.一種顯示裝置，其特徵在於，包括如權利要求4-6中任一項所述的況即封裝結構。
8.—種01^0陣列基板的製作方法，所述01^0陣列基板包括薄膜電晶體、陽極、陰極以及位於所述陽極和陰極之間的有機發光層，所述0120陣列基板上還設置有用於支撐所述0120陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，其特徵在於，所述製作方法包括: 在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區域和除所述第一區域外的第二區域，所述第一區域陰極的厚度大於所述第二區域陰極的厚度。
9.根據權利要求8所述的01^0陣列基板的製作方法，其特徵在於，形成陰極包括: 在形成有所述隔墊物、薄膜電晶體、陽極和有機發光層的基板上形成對應所述第一區域和第二區域的第一陰極圖形； 在所述第一陰極圖形上形成對應所述第一區域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
10.根據權利要求9所述的01^0陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述在所述第一陰極圖形上形成對應所述第二區域的第二陰極圖形包括: 將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對應所述第一區域的開口； 利用與所述蒸鍍掩膜板相對設置的陰極蒸發源進行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
【文檔編號】H01L27/32GK104465709SQ201410832038
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月26日 優先權日:2014年12月26日
【發明者】孫亮 申請人:京東方科技集團股份有限公司