利用材料改性分離半導體裸片的方法

2023-07-08 21:23:21 4

專利名稱：利用材料改性分離半導體裸片的方法
技術領域：
各實施方式總體上涉及分離多個裸片的方法以及分離多個裸片的處理裝置。各實施方式涉及分離半導體晶片中包含的裸片的方法以及使用這種方法製造的
>J-U ρ α裝直。
背景技術：
通常通過在半導體襯底或者「晶片」上製造各種晶片或「裸片」，產生單獨的半導體器件。裸片製造的工序稱為「晶片處理」。在完成晶片級別的處理之後，通過稱為「切片」的工序，將所完成的晶片分成多個單獨的裸片。切片工序通常包括使用旋轉型鋸片切穿晶片。該工序需要特殊的設備，包括例如注入鑽石的鋸片，其使用壽命有限。此外，由於這種機械工序中固有的限制性，在裸片的邊緣，有時會出現裂縫等缺陷。由於裸片的尺寸非常小，每側邊可為200μπι以下，所以裂縫可擴散到該器件的有源(活性，active)區域內。而且，鋸片切割工序耗時，並且在鋸片產生切口的過程中，產生較高的材料損耗。最後，在鋸切的過程中，鋸切工序 通常需要使用某種冷卻劑。鋸切之後，必須從晶片表面清除來自鋸切工序的冷卻劑和殘餘顆粒。這就將完成的裸片暴露給潛在的液體汙染物。結果，現有的裸片分離工序昂貴，並且可影響晶片的質量或者甚至功能。對於機械穩定的襯底材料(諸如，碳化矽(SiC))而言，尤其如此。因此，期望實現一種基於目前使用的單位工序的切片工序，其便宜而且不會不利地影響裸片的質量。目如,諸如在對基於碳化娃SiC的廣品(例如，基於SiC的晶片、基於SiC的裸片、在SiC或SiC襯底上製造的晶片)進行晶片切片時，機械鋸切用於分離半導體晶片。現有的方法產生非常高的處理成本。機械鋸切SiC可造成損失，例如，形成裂縫，這種損傷會不利地影響性質和產量。而且，鋸切工序非常昂貴，並且會影響晶片的質量或者甚至功能。為了降低處理成本並且提高裸片質量，提供了一種新方法，用於對基於SiC的晶片進行晶片分離。

發明內容
各實施方式提供了一種利用材料改性分離半導體裸片的方法。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域；以及在該多孔區域處分離裸片。


在圖中，相似的參考字符通常表示所有不同示圖中相同的部件。附圖不必按比例繪出，而是通常重點示出本發明的原理。在以下描述中，參看以下附圖描述本發明的各實施方式，其中:圖1示出了根據一個實施方式分離多個裸片的方法；圖2Α到圖2J示出了根據一個實施方式分離多個裸片的方法；圖3Α到圖3C示出了根據一個實施方式分離多個裸片的方法；
圖4示出了根據一個實施方式分離多個裸片的處理裝置；圖5A到圖示出了根據各實施方式分離半導體裸片的方法；圖6示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式；圖7A和圖7B示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式中的階段；圖8示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式；圖9示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式；圖1OA和圖1OB示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式中的階段；圖1lA到圖1lH示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的階段；圖12示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的中間階段；圖13示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的中間階段；圖14示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的中間階段；圖15示出了利用材料改性分離半導體裸片的方法中的一個實施方式。
具體實施例方式以下具體描述參 考附圖，這些附圖通過例示，示出了可實踐本發明的具體細節和實施方式。非常詳細地描述了這些實施方式，以使本領域中的技術人員能夠實踐本發明。在不背離本發明的範圍的情況下，可使用其他實施方式，並且可進行各種結構、邏輯以及電氣改變。由於某些實施方式可與一個或多個其他實施方式結合，以形成新的實施方式，所以各實施方式並非必須相互獨立。用語「示例性」在本文中用於表示「用作實例、例子或示例」。本文中描述為「示例性」的任何實施方式或設計不需要理解為優選於或優於其他實施方式或設計。用語「…上」在本文中用於描述在一側或表面「之上」形成一個特徵(例如一層)，可用於表示在所表示的側或表面上直接(例如與這個側邊或表面直接接觸)形成這個特徵(例如一層)。用語「…上」在本文中用於描述在一側或表面「之上」形成一個特徵(例如一層)，可用於表示通過配置在所表示的側或表面與所形成的層之間的一個或多個額外的層，在所表示的側或表面上間接形成這個特徵(例如一層)。在各實施方式中，所附描述示出了從晶片分離單獨的裸片的工序，在該晶片上已經製造了多個器件。同樣，將示出包括某些襯底材料的某些工序步驟，以示出這些器件的產生。然而，通常，用於產生單獨器件的特定工序步驟和材料不會影響本文中所公開的分離方法的適用性，並且同樣，這些特定工序步驟和材料不應理解為限制本公開。對於所製造的多種不同類型的器件和材料而言，所述工序具有普適性，因此，所述工序僅僅是為了方便起見而使用的。所公開的晶片襯底製備方法與Chang等人在J.0fMicroelectromechanicalSys., 15 (3)卷，2006 年 6 月，548-52 的 「Electrochemical Etching of n-Type 6-H-SiCWithout UV Illumination」中所公開的相似。各實施方式涉及分離晶片(比如,娃晶片、碳化矽晶片、基於SiC技術的晶片)的方法。可基於避免形成裂縫的單位工序(例如沉積工序、溼法化學蝕刻、電化學工序以及等離子蝕刻工序)，進行晶片分離。在進行傳統的機械鋸切工序的過程中，損壞切口區域時，例如，鋸穿切口區域時，各實施方式涉及化學改變切口區域以及選擇性地去除為了分離裸片而化學改變性質的切口區域，而不機械鋸切這些切口區域。各實施方式涉及基於裸片之間的部分的電化學蝕刻(S卩，SiC的電化學分離)分離SiC襯底的方法。各種實施方式涉及應用SiC的電化學蝕刻進行晶片分離，以代替機械鋸切工序，從而消除機械鋸切損傷。各種實施方式提供了一種分離裸片的新方法，其在完成前段製程工序之前，限定部分裸片並且化學改變切口區域，以進行選擇性去除；因此，該工序與傳統的晶片切片工序不同，在傳統的晶片切片工序中，在完成所有的前段製程工序之後進行裸片分離。圖1示出了根據一個實施方式分離多個裸片的方法。該方法包括:通過化學改變要從包括多個裸片的載體中去除的位於裸片之間的一個或多個部分的性質，從而限定這一個或多個部分(步驟110);在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件(步驟120);以及選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分，以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片(步驟130)。圖2A到圖2J示出了根據一個實施方式分離多個裸片的方法。載體202可包括半導體晶片，例如，半導體襯底。載體202可包括矽。載體202可包括碳化矽。載體202可包括多個裸片，其中，多個裸片可形成在載體202內。載體202可包括第一載體側204和第二載體側206，其中，第一載體側204可被配置為朝著與第二載體側206所朝著的方向212相反的方向208。在圖2A中，可在第一載體側204上形成第一層214，例如輔助第一層214。第一層214例如可直接形成在第一載體側204上。可在第二載體側206上形成第二層216，例如輔助第二層216。第二層216例如可直接形成在第二載體側206上。第一層214和第二層216可在單個步驟中形成(例如，沉積)。第一層214可沉積(例如生長)在第一載體側204上。第二層216可沉積(例如生長)在第二載體側206上。第一層214和第二層216可包括相同的材料。第一層214和第二層216可包括不同的材料。第一層214和第二層216可包括二氧化矽Si02。可通過各種沉積技術沉積第一層214和第二層216，例如二氧化矽的化學氣相沉積、濺射、熱氧化。在圖2B中，可在第一載體側204上形成第三層218，例如輔助第三層218。第三層218例如可直接形成在第一層214上。可在第二載體側206上形成第四層222，例如輔助第四層222。第四層222例如可直接形成在第二層216上。第三層218和第四層222可在單個步驟中形成。第三層218可直接沉積(例如生長)在第一層214上。第四層222可直接沉積(例如生長)在第二層216上。第三層218和第四層222可包括相同的材料。第三層218和第四層222可包括多晶矽。載體202可包括多個裸片224a、224b。圖中示出了兩個裸片224a、224b，然而，多個裸片不限於兩個裸片，而可以包括一個或多個裸片，例如3、4、5、6、7、8、9、10個或者甚至更多的裸片，例如幾十或幾百個裸片。每個裸片224a、224b可限定為長X寬的尺寸，例如每個裸片224a、224b可包括200 μ mX 200 μ m的裸片，例如每個裸片224a、224b可包括300 μ mX 300 μ m的裸片。要從載體202中去除的一個或多個部分226可通過化學改變要去除的一個或多個部分226的性質來限定。要去除的一個或多個部分226可位於裸片224a、224b之間。在圖2C中，可包括光致抗蝕劑層的掩模層228可在第一載體側204上形成。可在第一載體側204上形成該掩模層228，例如，可在第三層218上直接形成光致抗蝕劑層228，例如，可在第一層214上形成光致抗蝕劑層228。掩模層228可被配置為允許化學改變一個或多個部分226，並且保護裸片224a、224b不被化學改變。可化學改變位於裸片224a、224b之間的要去除的一個或多個部分226的性質，然而，可保護裸片224a、224b不被化學改變。掩模層228可被配置為允許第一層214和第三層218的在一個或多個部分226上形成的部分被去除，並且保護第一層214和第三層218的在裸片224a、224b上形成的部分不被去除。使用光刻法，可處理掩模層228，從而形成蝕刻掩模，在以下蝕刻步驟中，該蝕刻掩模露出第三層218的在一個或多個部分226上形成的部分，並且該蝕刻掩模保護第三層218的在多個裸片224a、224b上形成的部分不執行以下蝕刻步驟。可去除第三層218的在一個或多個部分226上形成的部分。可去除在第二載體側206上形成的第四層222。可對第三層218的在一個或多個部分226上形成的去除部分和在第二載體側206上形成的第四層222進行蝕刻，例如等離子蝕刻、化學蝕刻。掩模層228可形成蝕刻掩模，在以下蝕刻步驟中，該蝕刻掩模露出第一層214的在一個或多個部分226上形成的部分，並且該蝕刻掩模保護第一層214的在多個裸片224a、224b上形成的部分不執行以下蝕刻步驟。可去除第一層214的在一個或多個部分226上形成的部分。可去除在第二載體側206上形成的第二層216。可對第一層214的在一個或多個部分226上形成的去除部分和在第二載體側206上形成的第二層216進行蝕刻，例如等離子蝕刻、化學蝕刻。可在單個步驟中或在單獨的蝕刻步驟中蝕刻第三層218、第一層214、第二層216以及第四層222。在圖2D中，去除第三層218和第一層214的在第一載體側204上形成的部分以及在第二載體側206上形成的第二層216和第四層222之後，可去除掩模層228，例如，化學去除、化學溶解。第一層214和第三層218的部分可保留在載體202的多個裸片224a、224b上。可化學改變(例如電化學改變)要去除的一個或多個部分226的性質。要去除的一個或多個部分226的性質可通過蝕刻工序(例如在電解液中電化學蝕刻要去除的一個或多個部分226)而化學改變。在圖2E中，可在第二載體側206上(例如直接)沉積導電層232，例如包括鎳的導電層。導電層232可用作電極。導電層232可包括金屬、金屬化合物、金屬合金。其中，導電層232可包括銅和鐵中的至少一種，例如包含銅和鐵中的至少一種的化合物、包含銅和鐵中的至少一種的合金，然後，在沉積導電層232之前，可在側206上沉積擴散屏障，例如，T1、TiN、Ta、TaN。擴散屏障可沉積在側206和導電層232之間(例如，直接在側206上)，以防止銅和鐵中的至少一種擴散到側206中。化學改變要去除的一個或多個部分226的性質可包括將要去除的一個或多個部分電化學地轉換成多孔材料。在圖2F中，可執行在電解液中的電化學蝕刻，例如，在氫氟酸HF中的電化學蝕刻，從而通過陽極氧化，將露出的一個或多個部分226化學改變為多孔碳化娃SiC0在第一載體側204上，可對著電解液露出一個或多個部分226。在位於電解液內的相對電極236和另一個電極(例如，工作電極234 )之間，可通過電解液施加電流(例如，電氣流)。工作電極234可經由第二載體側206與要去除的一個或多個部分226電連接。工作電極234可位於第二載體側206上。工作電極234可與第二載體側206上所形成的導電層232電接觸。相對電極236可通過第一載體側204定位，從而載體202位於工作電極234與相對電極236之間。通過化學改變位於裸片224a、224b之間的要去除的一個或多個部分226的性質，例如，使用陽極氧化工序，將一個或多個部分226從碳化矽變成多孔碳化矽，可限定要從載體202中去除的一個或多個部分226。第一載體側204和第二載體側206中的至少一個可包括半導體晶片的前側或後偵U。半導體晶片的前側可包括半導體晶片的可形成半導體器件(例如，有源器件)的一側。第一載體側204可包括半導體晶片前側。第二載體側206可包括半導體晶片後側。延伸通過從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度的一個或多個部分226例如可從碳化矽化學改變為多孔碳化矽。如果將延伸通過從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度的一個或多個部分226化學改變為多孔碳化矽，即，在從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度上形成碳化矽，那麼稍後在後段工序中，避免了對第二載體側206的背面研磨，即，研磨。如果化學改變為多孔碳化矽的一個或多個部分226沒有在從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度上延伸，即，未在從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度上形成碳化矽，那麼稍後在後段工序中，會對第二載體側206進行背面研磨，即，研磨。在圖2G中，可去除保留在載體202的多個裸片224a、224b上的第一層214和第三層218，例如，化學去除、蝕刻。可去除導電層232，例如，化學去除、蝕刻。可將要去除的一個或多個部分226熱氧化為氧化物材料。通過將一個或多個部分226從多孔碳化矽化學改變為二氧化矽，例如，通過將多孔碳化矽SiC進行熱氧化作用而產生二氧化矽SiO2，可進一步化學改變一個或多個部分226的性質。在圖2H中，可在至少一個裸片224a、224b上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件238，例如，二極體、電晶體、雙極結型電晶體、場效應電晶體、電阻器、電容器、電感器、晶閘管。前段製程FEOL工序包括用於形成半導體器件的有源電部件的至少一個工序。前段製程FEOL工序包括在半導體晶片的前側上進行前段製程FEOL工序。在現有的切片方法中，在限定晶片的用於進行切片的部分之前，S卩，進行機械鋸切之前，完成所有前段製程工序。根據各實施方式，將晶片(例如，載體202)限定為裸片區域224a、224b，並且在完成前段製程工序之前，化學改變要去除的部分，以分離裸片224a、224b ο在選擇性地去除載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226、以沿著所去除的一個或多個部分226分離裸片224a、224b之前，可在支持體上安裝載體202。在圖21中，載體202可安裝在支持材料242上，例如，膠帶、箔片上。第一載體側204可位於支持材料242上，從而支持材料242可保持載體202。分離時，支持材料242可從第一載體側204保持裸片224a、224b。支持材料242可另外由可包括平臺的另一支持材料244支持。
在圖2J中，可選擇性地去除載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226，以沿著所去除的一個或多個部分226分離裸片。通過蝕刻，例如，等離子蝕刻、化學蝕刻、使用緩衝的氫氟酸進行化學蝕刻，可選擇性地去除一個或多個部分226。去除包括二氧化矽的一個或多個部分226 (即，切口區域)，從而在支持材料242上留下分離的裸片224a、224b，S卩，晶片。與機械鋸切未化學改變的SiC相比，通過機械鋸切，甚至可去除一個或多個部分226，從而減少形成或者甚至不形成晶片的裂縫。如果要通過機械鋸切去除一個或多個部分226，那麼一個或多個部分226 (即，進行機械鋸切的切口區域)必須足夠寬，以容納鋸片的寬度。例如，通過顯微鏡檢查法、例如掃描電子顯微鏡檢查法，檢查裸片224a、224b的邊緣，表明新的分離方法進行的晶片分離不會造成任何鋸切損傷和破裂。圖3A到圖3C示出了根據另一實施方式分離多個裸片的方法。與圖1和圖2A到圖2J的方法中所述的特徵相同的特徵由相同的參考符號表示。載體202可包括矽。在圖3A中，可包括氮化矽層的掩模層228可在第一載體側204上形成。掩模層228可在第一載體側上形成。掩模層228可被配置為允許一個或多個部分226化學改變，並且保護裸片224a、224b不被化學改變。與上述實施方式一樣，可化學改變位於裸片224a、224b之間的要去除的一個或多個部分226的性質，然而，可保護裸片224a、224b不被化學改變。化學改變要去除的一個或多個部分226的性質,可包括電化學改變要去除的一個或多個部分226的性質。然而，可使用矽的局部氧化LOCOS工序，化學改變要化學變化的一個或多個部分226。使用LOCOS工序，可熱氧化載體202的一個或多個部分226，以形成二氧化矽。可從第一載體側204執行LOCOS工序，即，熱氧化。根據另一實施方式，通過從第一載體側204注入氧SMOX工序而進行的分離可用於將一個或多個部分226從矽化學改變為二氧化矽。如圖3B中所示，通過LOCOS工序化學改變為二氧化矽的一個或多個部分226可具有一定高度，例如，範圍在大約0.1 μ m到大約0.5 μ m之間的高度，例如大約0.2 μ m到大約
0.4 μ m，從第一載體側204在載體202中朝著第二載體側206延伸。因此，化學改變為二氧化矽的一個或多個部分226未延伸通過從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度，即，未在從第一載體側204到第二載體側206的載體202的整個高度上形成二氧化矽，所以稍後在後段工序中，可能執行第二載體側206的背面研磨，即，研磨。在圖3C中，可去除掩模層228。可在至少一個裸片224a、224b上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件238，例如，二極體、電晶體、雙極結型電晶體、場效應電晶體、電阻器、電容器、電感器、晶閘管。前段製程FEOL工序包括用於形成半導體器件的有源電部件的至少一個工序。前段製程FEOL工序包括在半導體晶片的前側上進行前段製程FEOL工序。在選擇性地去除載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226、以沿著所去除的一個或多個部分226分離裸片224a、224b之前，可在支持體上安裝載體202。載體202可安裝在支持材料242上，例如如圖2J中所述。第一載體側204可位於支持材料242上，從而支持材料242可保持載體202。在分離時，支持材料242可從第一載體側204保持裸片224a、224b。支持材料242可另外由可包括平臺的另一支持材料244支持。
載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226可被選擇性地去除，以沿著所去除的一個或多個部分226分離裸片。通過蝕刻，例如，等離子蝕刻、化學蝕刻、使用緩衝的氫氟酸進行化學蝕刻，可選擇性地去除一個或多個部分226。去除包括二氧化矽的一個或多個部分226 (即，切口區域)，從而在支持材料242上留下分離的裸片224a、224b，S卩，晶片。在圖4中，提供了用於分離多個裸片224a、224b的處理裝置446。處理裝置446可包括:選擇設備448，被配置為通過化學改變要從包括多個裸片224a、224b的載體202中去除的位於裸片之間的一個或多個部分226的性質，限定一個或多個部分226 ;處理設備452，被配置為在至少一個裸片224a、224b上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件238 ;以及去除設備454，被配置為選擇性地去除載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226，以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片224a、224b。根據圖1、圖2A到圖2J、以及圖3A到圖3C中所述的方法，選擇設備448可被配置為通過化學改變要去除的位於裸片224a、224b之間的一個或多個部分226的性質，限定從包括多個裸片224a、224b的載體202中去除的一個或多個部分226。根據圖1、圖2A到圖2J、以及圖3A到圖3C中所述的方法，處理設備452可被配置為在至少一個裸片224a、224b上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件238。根據圖1、圖2A到圖2J、以及圖3A到圖3C中所述的方法，去除設備454可被配置為選擇性地去除載體202的性質被化學改變了的一個或多個部分226，以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片224a、224b。根據各實施方式，提供了一種分離多個裸片的方法。該方法可包括:通過化學改變要從包括多個裸片的載體中去除的位於裸片之間的一個或多個部分的性質，從而限定要去除的一個或多個部分；在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件；以及選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分，以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片。根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括化學改變位於裸片之間的要去除的一個或多個部分的性質並且保護裸片不被化學改變。根據一個實施方式，化學改變要去除的一個或多個部分的性質包括電化學改變要去除的一個或多個部分的性質。根據一個實施方式，化學改變要去除的一個或多個部分的性質包括通過蝕刻工序化學改變要去除的一個或多個部分的性質。根據一個實施方式，化學改變要去除的一個或多個部分的性質包括在電解液中電化學蝕刻要去除的一個或多個部分。根據一個實施方式，化學改變要去除的一個或多個部分的性質包括將要去除的一個或多個部分電化學轉換為多孔材料。根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括在第一載體側上形成至少一層並且配置層，從而允許化學改變一個或多個部分並且保護裸片不被化學改變。根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括將在第一載體側上的一個或多個部分暴露給電解液，並且在位於電解液中的電極與經由第二載體側電連接至要去除的一個或多個部分的另一個電極之間通過電解液施加電流。
根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括將要去除的一個或多個部分熱氧化為氧化物材料。根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括化學改變一個或多個部分，每個部分在第一載體側和第二載體側之間延伸，其中，第一載體側和第二載體側中的至少一個包括半導體晶片的前側或後側。根據一個實施方式，限定要從載體中去除的一個或多個部分包括化學改變一個或多個部分，每個部分延伸通過從第一載體側到第二載體側的載體的整個高度，其中，第一載體側和第二載體側中的至少一個包括半導體晶片的前側或後側。根據一個實施方式，在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序以形成至少一個半導體器件包括在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序，以形成以下器件組中的至少一個器件的至少一部分，器件組包括:二極體、電晶體、雙極結型電晶體、場效應電晶體、電阻器、電容器以及電感器和晶閘管。根據一個實施方式，在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序以形成至少一個半導體器件包括用於形成半導體器件的有源電部件的至少一個工序。根據一個實施方式，在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序以形成至少一個半導體器件包括在半導體晶片的前側上進行前段製程FEOL工序。根據一個實施方式，方法還包括在選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分、以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片之前，在支持體上安裝載體。根據一個實施方式，選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分包括通過化學蝕刻選擇性地去除載體的一個或多個部分。根據一個實施方式，選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分包括通過等離子蝕刻選擇性地去除載體的一個或多個部分。根據一個實施方式，限定要從包括多個裸片的載體中去除的一個或多個部分包括限定要從包括以下材料組中的至少一種材料的載體中去除的一個或多個部分，材料組包括:矽和碳化矽。提供了一種分離多個裸片的處理裝置。該處理裝置可包括:選擇設備，被配置為通過化學改變要從包括多個裸片的載體中去除的位於裸片之間的一個或多個部分的性質，從而限定要去除的一個或多個部分；處理設備，被配置為在至少一個裸片上進行前段製程FEOL工序，以形成至少一個半導體器件；以及去除設備，被配置為選擇性地去除載體的性質被化學改變了的一個或多個部分，以沿著所去除的一個或多個部分分離裸片。各實施方式提供了對裸片(例如，碳化矽裸片)進行晶片分離的工序以及等離子切片和機械鋸切的替換方式，以從晶片無損傷地分離裸片，例如，碳化矽裸片。圖5A不出了根據一個實施方式分離半導體裸片的方法560。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域(步驟562);以及在多孔區域處分離裸片(步驟564)。圖5B示出了根據一個實施方式分離半導體裸片的方法570。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域(步驟572)；氧化多孔區域，以形成氧化區域(步驟574);以及在氧化區域處分離裸片(步驟576)。
圖5C示出了根據一個實施方式分離半導體裸片的方法580。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域(步驟582)；氧化多孔區域，以形成氧化區域(步驟584)；將半導體晶片附接至支持材料(步驟586);以及在氧化區域處分離裸片(步驟588)。圖示出了根據一個實施方式分離半導體裸片的方法590。該方法包括:在半導體晶片的第一側上沉積第一輔助層(步驟592)；在第一輔助層上沉積第二輔助層(步驟594)；蝕刻第二輔助層(步驟596)；在半導體晶片的第二側上沉積導電層(步驟598)；在半導體晶片上形成多孔區域(步驟5102)；氧化多孔區域，以形成氧化區域(步驟5104)；將半導體晶片附接至支持材料(步驟5106);以及在氧化區域處分離裸片(步驟5108)。圖1lA到圖1lH示出了根據一個實施方式分離半導體裸片的方法。圖1lA到圖1lH可包括根據圖2A到2H的方法所描述的特徵的所有功能。圖1lA示出了半導體載體302，其包括第一側204和第二側206。在該實例中，載體302包括SiC。然而，原則上，載體302可包括本領域中已知的用於這種用途的其他半導體材料，包括但不限於矽。在開始製造器件之前，使用已知的技術(例如兩部分RCA清洗)清洗可包括半導體晶片302的載體302。在該工序中，首先通過輕度加熱，將載體302暴露到去離子水、過氧化氫以及氫氧化銨的混合物中。第二清洗步驟使用去離子水、過氧化氫以及鹽酸的混合物。根據所使用的工序和載體材料，各種化學構成的相對比例變化。完成兩部分清洗工序之後，這些步驟後跟著或未跟著氫氟酸(HF)蝕刻，以去除任何剩餘的自然氧化物。一旦完成清洗工序,載體302就具有使用本領域中已知的技術塗覆的氧化物輔助層214、216。在該實例中，使用溼熱氧化工序、將蒸汽形式的水用作氧化物源，生成氧化物輔助層214、216。在一個實施方式中，使用900至1200C的溫度範圍進行氧化。在該實例中，氧化物的厚度生長為0.2到1.0 μ m之間。在另一個實施方式中，將氧用作氧化源進行乾式氧化作用。第三種替換方式結合溼式和乾式氧化技術，即，幹-溼-幹氧化循環。該方法的優點在於產生質量更高的氧化物膜，同時保持溼熱氧化技術的更高的膜生長速度。然而，所使用的氧化方法取決於所需要的層性質以及特定的工序和材料要求，並且本文中所公開的裸片分離方法不取決於用於產生輔助層214、216的方法。形成輔助層214、216之後，如圖1lB中所示，沉積第二輔助層218、222。第二輔助層218,222與第一輔助層214、216 —起用作稍後的蝕刻工序的掩模。第二輔助層218、222例如由多晶矽形成。使用已知的工序沉積多晶矽層。在一個實施方式中，使用低壓化學氣相沉積(LPCVD)，沉積該多晶矽。由於本文中所公開的裸片分離不取決於所使用的沉積方法，所以其他已知的工序可用於沉積多晶矽層，包括但不限於等離子增強化學氣相沉積(PECVD)。多晶矽的LPCVD的沉積溫度的範圍通常在580到650C。矽烷為一個優選的源氣體。矽烷可包括或者不包括第二載氣,諸如N2或H2。
接下來，在第二輔助層218上沉積抗蝕劑層228，如圖1lC中所示。抗蝕劑層228可為正型抗蝕劑或者負型抗蝕劑。在該實例中，使用正型抗蝕劑。在載體302的第一側204上沉積抗蝕劑層228之前，可包括可選的清洗步驟。在進行可選的清洗步驟之後，以及在進行抗蝕劑沉積之前，助粘劑(諸如六甲基二矽氮烷(HMDS))可用於在光致抗蝕劑和底層晶片表面之間增加粘性。例如使用旋塗工序，在第二輔助層218上沉積抗蝕劑層228。原則上，由於光致抗蝕劑應用工序與所公開的裸片分離方法不相關，所以可應用其他抗蝕劑應用工序。可能有用的光致抗蝕劑應用工序的實例包括噴鍍或箔片層壓工序。所使用的光致抗蝕劑的厚度例如在0.5到2.5 μ m之間。然而，所使用的光致抗蝕劑的厚度並非該工序的關鍵，並且所使用的光致抗蝕劑的厚度可大幅偏離這個範圍中。在沉積之後，將光致抗蝕劑固化。在一個實施方式中，固化步驟包括將晶片加熱到80至IlOC範圍中的溫度，持續30到60秒。然而，根據使用的光致抗蝕劑，該固化特徵會變化，並且所公開的裸片分離工序不受到所使用的溫度的限制。固化之後，將抗蝕劑曝光並且進行顯影。曝光步驟包括本領域中已知的掩蔽程序。在光致抗蝕劑層228上對準未示出的掩模。然後，光致抗蝕劑層的未被掩模覆蓋的區域暴露在具有適當的波長的光中。在一個實施方式中，所使用的光為365至436nm範圍內的紫外光。然而，所使用的光波長取決於工序和器件，並且現有應用不受到任何某個曝光工序和波長的限制。在曝光之後，使用化學工序或者更通常通過乾式蝕刻工序，去除曝光的抗蝕劑。乾式蝕刻工序例如包括等離子蝕刻。本領域的技術人員應了解，本文中詳細描述的蝕刻工序是已知的正型抗蝕劑工序，其中所溶解並且去除的材料通過掩模暴露在光中。本領域的技術人員也應理解的是，如果使用負型光致抗蝕劑工序，那麼未曝光的區域會溶解，從而去除該區域。從曝光區域中去除抗蝕劑228之後，底層的多晶矽第二輔助層218暴露在去除抗蝕劑228的這些區域中。如圖1lC和圖1lD中所示，然後，去除曝光的第二輔助層218、222。在該實施方式中，乾式蝕刻工序(諸如等離子蝕刻或反應離子蝕刻)用於去除第二輔助層218、222的曝光部分。去除第二輔助層218、222的曝光部分之後，也使用乾式蝕刻工序，去除第一輔助層214,216的曝光部分。然而，該即時方法不取決於輔助層去除方法，並且可應用其他去除方法(諸如溼法化學蝕刻)。去除第一和第二輔助層214、216、218、222之後，在底層SiC載體302上形成溝道1125。一旦已經在第一和第二輔助層214、218內產生溝道1125，則使用本領域中已知的方法,去除剩餘的抗蝕劑層228。溝道1125可包括要去除的一個或多個部分226的所有特徵和功能，圖1、圖2A到圖2J、圖3A到圖3C以及圖4中已經對此進行了描述。接下來，如圖1lE和圖1lF中所示，在載體302 (即，晶片302)上形成陽極結構。為了形成這個陽極結構，在SiC載體302的第二側206上沉積導電層232。在該工序的後續步驟中，導電層232用於給電流源提供導電接觸。導電接觸232可為任何導電材料或包括但不限於鎳、銅、鋁、鎢、鈦、鉭、鑰、金、銀或石墨的材料的混合物。沉積方法可包括物理氣相沉積(PVD )、化學氣相沉積(CVD )、電化學沉積(E⑶)、分子束外延(MBE )或者真空蒸鍍。根據底層載體的性質，導電接觸的厚度可變化。雖然本文中所公開的方法不取決於所沉積的金屬厚度，但是普通的導電層232的厚度範圍在0.1至0.5 μ m。如圖1lF中所示，沉積導電層之後，在載體302的第一側204上露出的SiC溝道1125可暴露以進行電化學陽極氧化。具有沉積的金屬層232的SiC載體302用作工作電極234。為了便於連接載體302和電壓源，載體302附接至底座1140。底座1140優選地由耐氫氟酸(HF)的侵蝕的材料構成。在一個實施方式中，底座1140由氟化聚合物構成，例如，其銷售時的商品名為Teflon'而且，底座1140優選地包括密封機構1145，該密封機構防止液體滲入載體302的第二側206中。液體滲入載體302的第二側206中例如可允許所沉積的金屬層232受到化學侵蝕並且退化。密封機構1145例如可採取蠟1145的形式，或者更優選地採取耐化學的墊片1145的形式。在一個實施方式中，密封機構1145可由氟化聚合物材料構成。底座1140還包括電接觸1150。電接觸1150通過鉛與恆流電壓源1155連接。電壓源1155進一步與第二電極236連接，該電極用於形成相對電極236。相對電極236可由任何合適的材料構成。在一個實施方式中，相對電極236由鉬構成。具有工作電極232和相對電極236的底座1140浸入溶液(由波浪線1165示意性表示)內，包括HF和去離子(D.1.)水。根據蝕刻速度和所需要的膜孔隙度，溶液1165的濃度可從0.5到10%變化。在一個實施方式中，溶液1165為2%的HF。例如，使用70V的開始電壓以及60mA/cm2的電流密度，對載體302進行陽極氧化，持續大約60分鐘。在陽極氧化工序中，監測電壓和電流。時間、電壓和電流密度的範圍會根據成品內所需要的孔隙度變化，並且這些範圍不限於本裸片分離技術。在第一實施方式中，當已經在整個載體上形成多孔SiC層1170時，完成陽極氧化工序，如圖1lF中所示。在另一個實施方式中，在層1170完全滲透載體302之前，停止陽極氧化工序。當根據該實施方式進行陽極氧化時，可使用機械工序(比如，拋光)，在後續步驟中，將載體302的第二側206削薄，從而去除載體302的第二側206的未電化學陽極氧化的部分。一旦已經根據這個後續步驟將載體302削薄，那麼層1170會基本上延伸穿過載體302的整個厚度。在完成陽極氧化工序時，從載體302中去除輔助層214、218的剩餘部分以及層232，產生圖1lG中所述的結構。可使用例如等離子的離子蝕刻去除層232。也可使用例如乾式蝕刻方法(諸如RIE或等離子蝕刻)，去除第二輔助層218。可使用等離子蝕刻或者(可選的)溼法蝕刻方法，諸如，HF/DI水溶液或者包含氨(NH4)、HF以及DI水的緩衝氧化物蝕刻(Β0Ε),去除第一輔助層214。本文中所公開的方法不取決於輔助層和工作電極去除工序，並且同樣，不限於這些工序。所使用的方法取決於多個因素，包括但不限於成本。去除輔助層214、218以及層232之後，層1170可選地進行溼熱氧化步驟，以形成SiO2層1172，如圖1lH中所示。根據該器件的厚度以及陽極氧化步驟中實現的孔隙度的程度，用於氧化工序的條件將變化。普通的溼熱氧化條件的範圍在900至1200C，持續6-12個小時。氧化區域1172優選地在晶片的整個深度上延伸。而且，本文中所公開的氧化方法在這個階段同樣可用於其他氧化工序中，包括但不限於乾式氧化。完成可選的氧化步驟之後，然後，晶片繼續通過正常的前段工序。在這種情況下，前段工序表示該器件的各種金屬化、絕緣以及互連層的沉積，包括例如形成該器件的有源區域的各種電路。由於本文中所公開的晶片分離不取決於前段工序中所執行的步驟，所以不詳細討論前段工序。同樣，所公開的方法可廣泛地用於任何類型的基於晶片的半導體器件。圖1lH示意性地示出了具有完整的前段工序的晶片。包括完整的器件的電路和層由結構238表示。與圖21中所述的工序相似，在完成前段工序時，然後，將包含在完整的器件238內的載體302可選地轉移給支持材料244，例如使用本領域中的技術人員已知的方法的平臺244,如圖12中所示。示例性平臺材料例如包括玻璃、石英、娃或者石墨。平臺244通常另外包括支持材料242，該材料可包括粘合箔。通過使用箔242上存在的粘合劑，載體302的第一側204附接至平臺244。在分離工序之前、之中以及之後，平臺244穩定並且固定載體302和器件238。與圖2J中所述的工序相似，可包括層1170或氧化區域1172的一個或多個部分(例如，區域1270)，可通過蝕刻(例如，等離子蝕刻、化學蝕刻、通過緩衝的氫氟酸進行的化學蝕刻)選擇性地去除。如圖13中所示，將載體302附接至平臺244之後，將抗蝕劑層1317塗覆至第二側206。抗蝕劑1317塗覆工序與前述工序相似，並且由於當前方法不取決於抗蝕劑塗覆工序，所以將不再進一步討論該工序。沉積和固化之後，使用已知的方法圖案化抗蝕劑1317，以露出區域1270，如在圖13中所示出。去除抗蝕劑1317之後，從多孔的含矽區域1270中去除多孔的含矽材料。區域1270可包括區域1170或氧化區域1172的性質。去除工序可根據區域1270是否進行可選的氧化步驟而變化。在一個實施方式中，使用乾式蝕刻方式。在該實施方式中，術語乾式蝕刻方式表示諸如等離子蝕刻或反應離子蝕刻的技術或者在本領域中用於選擇性蝕刻半導體或金屬表面的任何其他方式。在第二實施方式中，溼法化學蝕刻用於去除區域1270。例如，在區域1270已經進行可選的氧化步驟時，這尤其有利。在該實施方式中，示例性的溼法化學蝕刻劑為氫氟酸。然而，本文中所公開的裸片分離工序不取決於使用特定的化學或乾式蝕亥Ij劑，並且根據多個因素(包括例如成本)，所使用的特定的蝕刻工序會不同。一旦完成蝕刻工序，那麼使用已知的工序去除光致抗蝕劑層1317，產生圖14中所示的結構，並且例如在諸如包裝的生產工序中，分離的裸片324繼續進入剩餘的步驟。圖2J以及圖12到圖14證明了可如何通過化學方式去除載體302的一個或多個部分，以分離裸片，而圖6到10示出了可如何通過機械裝置分離裸片324。在另一個實施方式中，如果未使用圖12至圖14中所示的可選的平臺244，那麼包括已經進行可選的氧化步驟的多孔SiC區域1270的整個載體302可直接與圖15中所示的柔性箔1344附接。箔1344包括粘合劑1342，該粘合劑與附接至圖12至圖14中的支持材料244的箔242上所使用的粘合劑相似。在圖15中所示的實施方式中，一旦包括完整的器件的載體302已經附接到箔1344，那麼完整的器件準備好根據幾個實施方式進行分離。如下所述，可通過多種不同的機械方法進行分離。在圖6中的第一實施方式中，包括整個裸片的載體302由機械裝置分離，例如，機械輥620、621。輥620、621可由任何數量的合適的材料構成，包括例如金屬、塑料、特氟隆(Teflon)或者它們的組合。在當前實例中，在分離時，具有一組三個輥，兩個輥620位於載體302的頂部，一個輥621位於載體302和支持材料(例如，柔性箔1344和粘合劑1342)的下面。如圖6中所示，整個晶片包含單獨的裸片，傳送器組件通過輥620、621移動載體302。整個晶片到達輥620、621時，由於在輥機構的頂部620和底部621具有不同數量的輥，並且這些輥相對於彼此定位，所以這些晶片受到機械應力。穿過輥620、621時，這就在載體302上產生應力。由於該應力，優選在每個裸片324之間的多孔SiC區域1270處分離載體302。在該實施方式中，載體302可依然共同連接在以與柔性箔的運動方向平行的方向定向的多孔SiC區域(未顯示)內。隨後，如果在根據該實施方式的機械分離的第一步驟中，裸片324未在X和y方向上分離，那麼以和第一組輥620、621相似的方式定向但與第一組垂直的第二組輥722、723如果7A中所示給載體302施加壓力。在這個方向上施加應力，從而在與支持材料(例如，柔性箔1344和粘合劑1342中的至少一個)的原始運動方向平行的方向上使得載體302斷裂。這就在X和y方向的每個上完成了分離工序，如圖7B中所示的分離區域771所示。此時，可使用本領域中已知的技術，從支持材料1344中去除完全分離的裸片324，並且可繼續發送裸片，以進行包裝和其他後段工序。圖8示出了另一個實施方式。在該實施方式中，使用可選的機械裝置分離裸片。在該實施方式中，包含整個裸片的載體302安裝在柔性箔支持材料上，例如，如上所述的柔性箔1344和粘合劑1342中的至少一個。支持材料在x方向上移動晶片載體302，如圖8中所示。一個或多個基本上剛性的衝頭880位於支持材料1342、1344的下面。支持材料1342、1344在X方向上以預定的間隔停止運動。支持材料1342、1344停止時，向上推動衝頭880。使衝頭880的頂部接觸支持材料1342、1344，並且向上推動支持材料1342、1344。這就促使支持材料1342、1344 (B卩，柔性箔1344和粘合劑1342中的至少一個)的衝頭880所接觸的部分朝著晶片屏障885向上呈弧形。當載體302與晶片屏障885接觸時，衝頭880的向上運動基本上停止。此時，裸片沿著X和y方向在氧氣脆化區域1270處斷裂。經過短暫的壓縮周期後，撤回衝頭880，並且支持材料1342、1344沿著x方向移動，將新的載體302帶入分離位置。先前處理的晶片具有在X和y方向上分離的所有裸片，該晶片繼續通過後段工序。圖9示出了另一實施方式。在該實施方式中，使用真空裝置910將裸片保持在原位。在該實施方式中，將包括整個裸片的載體302安裝在真空吸盤910上。一個或多個基本上剛性的衝頭985位於真空吸盤910的下面。包含真空吸盤910的傳送器機構在x方向上通過該工序移動載體302，如圖9中所示。真空吸盤910在X方向上以預定的間隔移動，並且然後停止移動。在真空吸盤910停止時，向上推動衝頭985。使衝頭985的頂部穿過真空吸盤910內的開口，並且推動載體302的暴露區域，促使載體302向上呈弧形。由於抵著真空吸盤910的真空力緊緊地保持載體302，所以在該實施方式中，不需要例如圖8中所示的晶片屏障858。因此，僅僅在斷裂的局部區域施加應力。在衝頭985和晶片載體302之間的壓力處，裸片沿著X和y方向在多孔SiC區域1270處斷裂。經過短暫的衝擊之後，撤回衝頭985，並且包括真空吸盤910的傳送器機構沿著X方向移動，將新的完整的載體302帶入分離位置。具有所有分離的裸片的所處理的晶片繼續通過後段工序。在另一個實施方式中，用於分離裸片的機械裝置不接觸載體302。在該實施方式中，載體302使用粘合劑1342附接至柔性箔1344，如圖1OA中所示。在該實施方式中，機械分離裝置採取剛性環1090的形式，該剛性環的圓周略大於載體302。與上述實施方式一樣，包括載體302的柔性箔1344在X方向上移動。當載體302處於原位時，停止運動。在載體302周圍降低環1090，並且對著柔性箔1344按壓該環，如圖1OA中所示。如圖1OB中示意性所示，柔性箔1344變形。由於載體302與柔性箔1344粘附地結合1342，所以柔性箔1344的壓縮在裸片的具有多孔SiC區域1270的區域中產生應力，並且在這些區域處裸片斷裂。在一個可選的實施方式中，未移動載體302，但是將剛性環1090安裝在機械臂(未顯示)上。在這種情況下，機械臂能夠移動到各種固定的載體302，其中，以圖1OB中所示的方式在載體302周圍施加壓力。本領域的技術人員應當了解，可形成以上示例性實施方式的組合。例如，如圖13和圖14中所討論的完全或部分蝕刻可與如圖6到圖10和圖15中所示的機械衝擊技術結合。諸如圖8中所示的晶片屏障885可與圖9中所示的真空裝置910和衝頭985結合。相反，可使用圖8中所討論的柔性箔支持材料1344和基本上剛性的衝頭880，而不用晶片屏障885。而且，如圖9中所公開的真空裝置910可與圖10中所示的剛性環1090 —起使用。根據各實施方式，提供了一種分離半導體裸片的方法。該方法包括:一種分離半導體裸片的方法，包括:在半導體晶片上形成多孔區域；以及在多孔區域處分離裸片。根據一種實施方式，半導體裸片包括碳化矽。根據一種實施方式，多孔區域使用陽極方式形成。根據一種實施方式，陽極方式還包括氫氟酸。根據一種實施方式，使用機械裝置進行分離。根據一種實施方式，化學地進行分離。根據各實施方式，提供了一種分離半導體裸片的方法。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域；氧化多孔區域，以形成氧化區域；以及在氧化區域處分離裸片。根據一種實施方式，使用溼熱工序進行氧化。根據一種實施方式，多孔區域使用氫氟酸形成。根據一種實施方式，使用機械裝置進行分離。根據一種實施方式，機械裝置包括基本上剛性的環。根據一種實施方式，使用化學方式進行分離。根據各實施方式，提供了一種分離半導體裸片的方法。該方法包括:在半導體晶片上形成多孔區域；氧化多孔區域，以形成氧化區域；將半導體晶片附接至支持材料；以及在氧化區域分離裸片。根據一種實施方式，該方法還包括在分離之後去除支持材料。根據各實施方式，提供了一種分離半導體裸片的方法。該方法包括:在半導體晶片的第一側上沉積第一輔助層；在第一輔助層上沉積第二輔助層；蝕刻第二輔助層；在半導體晶片的第二側上沉積導電層；在半導體晶片上形成多孔區域；氧化多孔區域，以形成氧化區域；將半導體晶片附接至支持材料；以及在氧化區域處分離裸片。根據一種實施方式，分離方法包括乾式蝕刻劑。根據一種實施方式，分離方法包括機械力。根據一種實施方式，分離方法包括化學方式。儘管已經參考具體實施方式
具體示出且描述了本發明，但是本領域的技術人員應理解的是，在不背離所附權利要求所限定的本發明的精神和範圍的情況下，可在其內進行各種形式上和細節上的變化。這樣，本發明的範圍由所附權利要求表示，並且因此，旨在包含在與權利要求等同的含義和範圍內的所有變化。
權利要求
1.一種分離半導體裸片的方法，包括: 在半導體晶片上形成多孔區域；以及 在所述多孔區域處分離所述裸片。
2.根據權利要求1所述的分離半導體裸片的方法，其中，所述半導體裸片包括碳化矽。
3.根據權利要求1所述的分離半導體裸片的方法，其中，所述多孔區域使用陽極方式形成。
4.根據權利要求3所述的分離半導體裸片的方法，其中，所述陽極方式還包括氫氟酸。
5.根據權利要求1所述的分離半導體裸片的方法，其中，使用機械裝置進行所述分離。
6.根據權利要求1所述的分離半導體裸片的方法，其中，化學地進行所述分離。
7.一種分離半導體裸片的方法，包括: 在半導體晶片上形成多孔區域； 氧化所述多孔區域，以形成氧化區域；以及 在所述氧化區域處分離所述裸片。
8.根據權利要求7所述的分離半導體裸片的方法，其中，使用溼熱工序進行所述氧化。
9.根據權利要求7所述的分離半導體裸片的方法，其中，所述多孔區域使用氫氟酸形成。
10.根據權利要求7所述的分離 半導體裸片的方法，其中，使用機械裝置進行所述分離。
11.根據權利要求10所述的分離半導體裸片的方法，其中，所述機械裝置包括基本上剛性的環。
12.根據權利要求7所述的分離半導體裸片的方法，其中，使用化學方式進行所述分離。
13.一種分離半導體裸片的方法，包括: 在半導體晶片上形成多孔區域； 氧化所述多孔區域，以形成氧化區域； 將所述半導體晶片附接至支持材料；以及 在所述氧化區域分離所述裸片。
14.根據權利要求12所述的分離半導體裸片的方法，還包括在分離之後去除所述支持材料。
15.一種分離半導體裸片的方法，包括: 在半導體晶片的第一側上沉積第一輔助層； 在所述第一輔助層上沉積第二輔助層； 蝕刻所述第二輔助層； 在半導體晶片的第二側上沉積導電層； 在半導體晶片上形成多孔區域； 氧化所述多孔區域，以形成氧化區域； 將所述半導體晶片附接至支持材料；以及 在所述氧化區域處分離所述裸片。
16.根據權利要求15所述的分離半導體裸片的方法，其中，分離方法包括乾式蝕刻劑。
17.根據權利要求15所述的分離半導體裸片的方法，其中，分離方法包括機械力。
18.根據權利要求15所述的分離半導體裸片的方法，其中，分離方法包括化學方式。
全文摘要
本發明涉及利用材料改性分離半導體裸片的方法，其中，一種分離半導體裸片的方法包括在半導體晶片上形成多孔區域；以及使用機械或其他方式在該多孔區域處分離裸片。
文檔編號H01L21/78GK103094206SQ201210442309
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月7日 優先權日2011年11月7日
發明者曼弗雷德·恩格爾哈德特, 彼得拉·菲舍爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司