顯示裝置和顯示裝置的製作方法

2023-07-05 15:28:11 1

專利名稱：顯示裝置和顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及具有將發光材料夾在電極之間的元件(以下稱發光元件)的顯示裝置(以下稱顯示裝置)及其製作方法。特別是涉及使用能獲得EL(電致發光Electro Luminescence)的發光性材料(以下稱EL材料)的顯示裝置。
背景技術：
近年來，正在進行使用利用了發光材料的EL現象的發光元件(以下稱EL元件)的顯示裝置(EL顯示裝置)的開發。EL顯示裝置由於發光元件本身有發光能力，所以不需要液晶顯示器那樣的背照光，另外還具有視野角大、對比度高等優點。
EL元件通過將有機化合物層夾在一對電極之間施加電壓，從陰極注入的電子及從陽極注入的空穴在有機化合物層中的發光中心再結合，形成分子激子，該分子激子返回基態時釋放能量而發光。在受激狀態下已知單態激勵和三重激勵，可以認為經過任何受激狀態都能發光。
另外，EL元件中用的發光性材料中有無機發光材料和有機發光材料，但驅動電壓低的有機發光材料引人注目。
可是，EL元件中採用有機材料的有機EL元件存在這樣的問題如果進行一定周期驅動，則發光亮度、發光的均勻性等發光特性與初期相比顯著劣化。其可靠性低是實用化的用途受限制的主要原因。
可靠性劣化的原因之一，能舉出水分或氧等從外部進入有機EL元件中。
在使用EL元件的EL顯示裝置(面板)中，進入內部的水分導致嚴重的可靠性下降，引起黑斑或收縮、從發光顯示裝置周邊部開始的亮度劣化。黑斑是發光亮度局部下降(也包括不發光的部分)的現象，在上部電極中發生開孔的情況等。另外所謂收縮，是亮度從像素的端部(邊)發生劣化的現象。
進行了具有防止上述這樣的EL元件的劣化的結構的顯示裝置的開發。有這樣的方法將EL元件封閉在密閉空間中，與外部大氣隔斷，還在該密閉空間中，設置乾燥劑與WL元件隔離(例如，參照專利文獻1)。
(專利文獻1)日本專利申請特開平9-148066號公報另外，還有這樣的方法在形成了EL元件的絕緣體上形成密封材料，用由樹脂等構成的填充材料填充被覆蓋材料及密封材料包圍的空間，從外部進行隔斷(例如，參照專利文獻2)。
(專利文獻2)日本專利申請特開平13-203076號公報發明內容在上述專利文獻中，在形成了EL元件的絕緣體上形成密封材料，用密封材料形成被被覆蓋材料及密封材料包圍的空間。由於在惰性氣體氣氛中進行該封閉工序，所以水和氧不應該從一開始就大量存在於顯示裝置內部，封閉後顯示裝置內部只存在微量的水和氧。
就是說，成為黑斑等劣化的原因的水分主要是在封閉後進入顯示裝置內部的。另外，由於多半情況下絕緣體和覆蓋材料是金屬或玻璃，所以水或氧是從密封材料進入的。
圖1中示出了專利文獻2中記載的EL顯示裝置的俯視圖。用虛線表示的401是源側驅動電路，402是柵側驅動電路，403是像素部，409是FPC(軟性印刷電路)。另外，404是覆蓋材料，405是第一密封材料，406是第二密封材料。將圖1這樣的現有的EL顯示裝置的剖面圖示於圖27中(第二密封材料406圖中未示出)。如圖27所示，在封閉區的區域A中，用密封材料將EL元件封入內部。
上述專利文獻1及專利文獻2，這樣地在圖27所示的封閉區中的區域A中，利用密封材料將EL元件和外部的水分隔斷。
如專利文獻1所示，如果是將EL元件收容在氣密性容器中的結構，則只是容器的大小就會使EL顯示裝置大型化。另外，為了防止由於乾燥劑(加入乾燥劑的保護層)直接層疊在EL元件上而產生的不良影響，將乾燥劑與EL元件隔離開配置，所以氣密性容器更加大型化。可是，雖然EL顯示裝置大型化，但發光部分的大小卻未變。其中，難得的EL顯示裝置不要背照光的薄型化的優點卻產生不了。另外，在專利文獻1的結構中，由於在氣密性容器內部利用乾燥劑吸附水分，所以進入了氣密性容器內部的水分接觸EL元件，有可能導致EL元件的劣化。
在專利文獻2中，EL元件雖然利用樹脂等填充材料與外部的水分隔斷，但還是將密封材料塗敷在圖27所示的區域A上，為了製作密閉空間，EL顯示裝置的大型化不可避免。
如上所述，如果發光的像素部以外的顯示裝置面積(圖27中的區域A)大，則不發光的部分增加，為了獲得同樣面積的發光部分，顯示裝置也必須大型化。
為了解決該問題，有將密封材料塗敷在層間膜或保護膜上的方法。將這樣的EL顯示裝置示於圖17，將作為端部的封閉區的端部(邊緣)部分放大了的部分示於圖2。在圖2中，21是基板，22是相對基板，23是柵絕緣膜，24、25是層間膜，26是布線，27是密封材料。
如圖2所示，在封閉區中，基板21上的柵絕緣膜23、層間膜24、25和布線26層疊，在該絕緣層(層疊膜)上塗敷密封材料27。如果這樣構成，則能使圖27中的不發光的區域A小。另外圖2隻是一例，層疊在TFT基板側的膜材料和層疊的順序不限定於該例。這裡作為例子，是在玻璃基板上層疊基底層、柵絕緣膜、保護膜和層間膜，在最頂上層疊布線的結構。
可是，如圖2所示，在封閉用的密封材料位於被層疊的膜上的情況下，被層疊的所有的膜都與面板外部的大氣直接接觸。因此，面板外部的水和氧通過層疊的膜進入顯示裝置內。另外在作為層間膜使用丙烯樹脂(acryl)等這樣的透溼性高的材料的情況下，進入的水和氧更多。
水分和氧從該層間膜的丙烯樹脂和丙烯樹脂的上下界面進入，在接觸孔中，經由源、柵電極的成膜性劣化而產生的斷線部分等，進入到與EL元件直接接觸的層間膜上。然後，引起EL顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑和收縮等各種劣化。
因此，本發明提供一種不使EL顯示裝置大型化、隔斷作為使EL元件的特性劣化的原因的進入的水分和氧、可靠性高的EL顯示裝置及其製作方法。
本發明是一種在顯示裝置的端部的封閉區中，利用構成上述顯示裝置的膜，將顯示裝置內部和外部隔斷，防止顯示裝置外部的水和氧等汙染物質進入的發明。另外在本說明書中，將隔斷顯示裝置的內部和外部、保護髮光元件不受汙染物質的影響的保護膜表述為封閉膜。
本發明的顯示裝置是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置，其特徵在於上述顯示部在形成於一個基板上的絕緣層上形成，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部用封閉膜覆蓋。
本發明的顯示裝置是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置，其特徵在於上述顯示部在形成於一個基板上的絕緣層上形成，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
本發明的顯示裝置是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置，其特徵在於上述顯示部在形成於一個基板上的絕緣層上形成，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，利用上述封閉膜覆蓋位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部。
本發明的顯示裝置是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置，其特徵在於上述顯示部在形成於一個基板上的絕緣層上形成，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有多個開口部，用封閉膜覆蓋上述多個開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
本發明的顯示裝置是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置，其特徵在於上述顯示部在形成於一個基板上的絕緣層上形成，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有多個開口部，用封閉膜覆蓋上述多個開口部，利用上述封閉膜覆蓋位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部。
在上述結構中，上述絕緣層設有多個開口部，也可以用封閉膜覆蓋，在顯示裝置內部，也可以將開口部設在任何部分上。在像素區和周邊驅動電路區之間也可以進行封閉，也可以用封閉區進行封閉。可是，位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部有必要用封閉膜覆蓋。因此，在開口部位於密封材料外側的情況下，如圖4所示，上述外端部也可以是開口部。
在上述結構中，上述封閉膜也可以使用從導電性薄膜、絕緣性薄膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為導電性薄膜，可以使用從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為絕緣性薄膜，也可以使用從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。
在上述結構中，上述有機樹脂材料能使用從丙烯樹脂、聚醯胺或聚醯亞胺中選擇的一種、或由多種構成的膜。另外，也可以用通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料來形成。作為通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合形成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
本發明的顯示裝置的製作方法是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置的製作方法，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
本發明的顯示裝置的製作方法是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置的製作方法，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
本發明的顯示裝置的製作方法是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置的製作方法，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
本發明的顯示裝置的製作方法是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置的製作方法，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成多個開口部，用封閉膜分別覆蓋上述多個開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
本發明的顯示裝置的製作方法是一種具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部的顯示裝置的製作方法，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成多個開口部，用封閉膜分別覆蓋上述多個開口部，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
在上述結構中，上述絕緣層設有多個開口部，也可以用封閉膜覆蓋，在顯示裝置內部，也可以將開口部設在任何部分上。在像素區和周邊驅動電路區之間也可以進行封閉，也可以用封閉區進行封閉。可是，位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部有必要用封閉膜覆蓋。因此，在開口部位於密封材料外側的情況下，如圖4所示，上述外端部也可以是開口部。
在上述結構中，上述封閉膜也可以使用從導電性薄膜、絕緣性薄膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為導電性薄膜，可以使用從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為絕緣性薄膜，也可以使用從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或合有氮的碳膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。
在上述結構中，上述有機樹脂材料能使用從丙烯樹脂、聚醯胺或聚醯亞胺中選擇的一種、或由多種構成的膜。另外，也可以用通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料來形成。作為通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合形成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
如本發明所示，由於有封閉膜，所以顯示裝置的包含有機樹脂材料的絕緣層不與顯示裝置(面板)外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過包含具有吸溼性的有機材料的絕緣膜等進入顯示裝置內。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，本發明由於利用構成顯示裝置的膜作為封閉膜(保護膜)，所以不會增加工序數，能製作可靠性高的顯示裝置。
(發明的效果)通過採用本發明的結構，能獲得以下的效果。
由於具有封閉膜(保護膜)，所以顯示裝置的包含有機樹脂材料的絕緣層不與顯示裝置(面板)外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過包含具有吸溼性的有機材料的絕緣膜等進入顯示裝置內。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。
另外，本發明由於同時形成與構成顯示裝置的膜相同材料的膜，作為封閉膜利用，所以不增加工序數，就能製作可靠性高的顯示裝置。
如上製作的顯示裝置在顯示裝置端部的封閉區中，由於有隔斷汙染物的結構，所以能獲得充分的上述顯示裝置的工作特性和可靠性。而且，使用本發明的顯示裝置的電子裝置也能具有很高的可靠性。


圖1是現有的顯示裝置的俯視圖。
圖2是表示現有的結構的圖。
圖3是表示本發明的結構的圖。
圖4是表示本發明的結構的圖。
圖5是表示本發明的結構的圖。
圖6是表示有源矩陣基板的製作工序的剖面圖。
圖7是表示有源矩陣基板的製作工序的剖面圖。
圖8是表示有源矩陣基板的製作工序的剖面圖。
圖9是表示有源矩陣基板的的剖面圖。
圖10是本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖11是本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖12是表示顯示裝置的例子的圖。
圖13是表示顯示裝置的例子的圖。
圖14是表示顯示裝置的例子的圖。
圖15是表示現有的顯示裝置的可靠性評價結果的圖。
圖16是表示本發明的顯示裝置的可靠性評價結果的圖。
圖17是現有的EL顯示裝置的剖面圖。
圖18是本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖19是現有的顯示裝置的俯視圖。
圖20是本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖21是本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖22是本發明的顯示裝置的俯視圖。
圖23是表示本發明的顯示裝置的可靠性評價結果的圖。
圖24是表示本發明的顯示裝置的可靠性評價結果的圖。
圖25是表示本發明的顯示裝置的可靠性評價結果的圖。
圖26是表示本發明的顯示裝置的圖。
圖27是現有的EL顯示裝置的剖面圖。
具體實施例方式
(實施方式1)用附圖詳細說明本發明的實施方式。
在顯示裝置的封閉區中層疊TFT基板上的柵絕緣膜、層間膜和布線，構成絕緣層。在圖3中，31是基板，32是相對基板，33是絕緣膜，34、35是層間膜，36是作為保護膜的封閉膜，37是密封材料。另外圖3中的層疊例只是一例，層疊在TFT基板側的膜的材料和層疊的順序不限定於該例。這裡作為例子，示出在玻璃基板上層疊基底膜(圖中未示出)、柵絕緣膜、保護膜或層間膜、最上面是封閉膜的結構。
如上所述，為了減少不發光的像素部以外的顯示裝置面積，密封材料被塗敷在上述層疊的絕緣層上，包含絕緣層的基板和相對基板粘接起來(固定)。在本實施方式中，如圖3所示，層疊在最上面的封閉膜用與布線相同的材料的膜與布線同時形成，而呈覆蓋此前層疊的基底膜(圖中未示出)、絕緣膜、層間膜、保護膜等的結構。
利用該封閉膜，使層間膜等的膜不與顯示裝置外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過層間膜等、或者從膜和膜的間隙進入顯示裝置內。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，本發明由於利用與構成顯示裝置的膜相同材料的膜作為封閉膜，所以不增加工序數，就能製作可靠性高的顯示裝置。
由於隔斷水和氧等的封閉膜具有作為保護膜的功能，所以該封閉膜最好呈緻密的結構。
另外，封閉膜也可以使用從導電性薄膜、絕緣性薄膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為導電性薄膜，可以使用從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種、或由多種構成的合金膜等的膜。作為絕緣性薄膜，能使用從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。
另外絕緣層中用的有機樹脂材料，能使用丙烯樹脂、聚醯胺或聚醯亞胺等，材料不限定。另外，也可以用通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料。作為通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合構成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
另外，如圖5所示，封閉膜不只一層，也可以設置兩層以上。這時，用導電性的膜覆蓋時，為了避免顯示裝置內部的短路等，如圖5(B)所示，有必要與顯示裝置內部區域分開，只在封閉區上層疊。如果這樣層疊並隔斷顯示裝置端部，則與單層封閉膜相比，更具有隔斷汙染物質的效果。
另外，如圖3中的側視圖所示，用封閉膜覆蓋時，如果被覆蓋的下層膜的形狀呈傾斜面的曲率半徑連續變化的形狀(平緩)，則最好無臺階地形成上層薄膜。在下層膜的傾斜面的表面不平緩的情況下，在下層膜的表面上封閉膜的厚度變薄，會被破壞。被破壞了的膜不能充分地隔斷汙染物質，本發明的效果會下降。另外，被覆蓋的下層膜的表面的平坦性好者，重疊形成的封閉膜的覆蓋範圍好，本發明的效果更加提高。因此，作為下層膜使用感光性材料，進行溼法刻蝕，膜表面的粗糙度小，平坦性好。
如上所述，能獲得不增加不發光的像素部以外的顯示裝置面積，隔斷了成為劣化的原因的汙染物質的可靠性高的顯示裝置。
(實施方式2)用附圖詳細說明本發明的實施方式。
在顯示裝置的封閉區中層疊TFT基板上的柵絕緣膜、層間膜和布線，構成絕緣層。在圖4中，41是基板，42是相對基板，43是絕緣膜，44、45是層間膜，46是作為保護膜的封閉膜，47是密封材料。另外，圖4中的層疊例只是一例，層疊在TFT基板側的膜的材料和層疊的順序不限定於該例。這裡作為例，給出在玻璃基板上層疊基底膜(圖中未示出)、柵絕緣膜、保護膜或層間膜、最上面是封閉膜的結構。
如上所述，為了減少像素部以外的面板面積，密封劑被塗敷在上述層疊的絕緣層上，包含絕緣層的基板和相對基板粘接起來。在本實施方式中，如圖4所示，形成了這樣的結構在層疊的基底膜(圖中未示出)、絕緣膜、層間膜、保護膜等上設有開口部，將封閉膜層疊在該開口部上，以便用該膜進行覆蓋。該封閉膜與布線用相同的材料同時形成。
利用該封閉膜，使得封閉膜下面的包含有機樹脂材料等的絕緣層在顯示裝置內被隔離成內側區域和外側區域。使顯示裝置內側區域的這些膜不與顯示裝置外部的大氣直接接觸。因此，被隔離的顯示裝置內的外側的絕緣層暴露在大氣中，即使顯示裝置外部的水和氧從層間膜或膜和膜的間隙，通過外側區域的層間膜等或膜和膜之間進入面板內，也能利用封閉膜隔斷，而不能進入顯示裝置內部。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，由於利用與構成顯示裝置的膜相同的材料同時形成封閉膜，所以不增加工序數，能提高所製作的顯示裝置的可靠性。
由於隔斷水和氧等的封閉膜具有作為保護膜的功能，所以該封閉膜最好呈緻密的結構。
另外，封閉膜也可以使用從導電性薄膜、絕緣性薄膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。作為導電性薄膜，可以使用從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種、或由多種構成的合金膜等的膜。作為絕緣性薄膜，能使用從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜中選擇的一種、或由多種構成的膜。
另外絕緣層中用的有機樹脂材料，能使用丙烯樹脂、聚醯胺或聚醯亞胺等，材料不限定。另外，也可以用通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料。作為通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合構成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
另外，也可以這樣構成在面板內部用封閉膜分開，而且如實施方式1所示，封閉膜覆蓋面板端部。多層膜也可以被多次分開，在顯示裝置內部，在哪個部分分開都可以。就是說，也可以在像素區和周邊驅動電路區之間分開，也可以用封閉區分開。
絕緣層也可以設多個開口部，用封閉膜覆蓋，在顯示裝置內部，在哪個部分設開口部都可以。也可以在像素區和周邊驅動電路區之間封閉，也可以用封閉區封閉。可是，位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部有必要用封閉膜覆蓋。因此，在開口部位於密封材料外側的情況下，如圖4所示，上述外端部也可以是開口部。
另外，在本實施方式的圖4中，雖然使開口部形成得到達玻璃基板，但本發明的結構不限於此。就是說，由於如果能用封閉膜覆蓋包含具有吸溼性的有機材料的絕緣膜即可，所以也可以把開口部形成為一直到達能作為氮化矽膜等用的膜，用封閉膜覆蓋。
另外，如圖5所示，不只設置一層封閉膜，也可以設置兩層以上。在圖5(A)中，501是基板，502是相對基板，503是絕緣膜，504、505是層間膜，506、508是作為保護膜的封閉膜，507是密封材料。這時，用具有導電性的膜覆蓋時，為了避免顯示裝置內部的短路等，如圖5(B)所示，有必要與顯示裝置內部區域分開，只在封閉區上層疊。在圖5(B)中，511是基板，512是相對基板，513是絕緣膜，514、515是層間膜，516、518是作為保護膜的封閉膜，517是密封材料。如果這樣增加顯示裝置內部的分開次數，或者與覆蓋端部的結構組合，或者使顯示裝置端部層疊，則與單層封閉膜相比，還能提高汙染物質的隔斷效果。
本實施方式能與實施方式1自由組合。
如上所述，能獲得不增加不發光的像素部以外的顯示裝置面積，隔斷了成為劣化的原因的汙染物質的可靠性高的顯示裝置。
(實施例)[實施例1]在本實施例中，用圖6～圖9說明有源矩陣基板的製作方法。有源矩陣基板具有多個TFT，但說明分別具有n溝道型TFT及p溝道型TFT的驅動電路部和像素部的情況。
在具有絕緣表面的基板200上，採用等離子體CVD法形成氮氧化矽膜10～200nm(最好為50～100nm)作為基底膜300，層疊氧氮氫化矽膜50～200nm(最好為100～150nm)。在本實施例中利用等離子體CVD法形成氮氧化矽膜50nm、氮氫化矽膜100nm，作為基板200可以使用在玻璃基板、石英基板或矽基板、金屬基板或不鏽鋼基板的表面上形成了絕緣膜的基板。另外，也可以使用能承受本實施例的處理溫度的具有耐熱性的塑料基板，還可以使用撓性基板。另外，作為基底膜也可以採用雙層結構，還可以採用上述基底(絕緣)膜這樣的單層膜或層疊了兩層以上的結構。
其次，在基底膜上形成半導體膜301(圖6(A))。採用眾所周知的方法(濺射法、LPCVD法、或等離子體CVD法等)，形成厚度為25～200nm(最好為30～150nm)的半導體膜即可。雖然半導體膜的材料不限定，但最好用矽或矽鍺(SiGe)合金等形成。對該非晶矽膜實施助長結晶化的使用了金屬元素的熱結晶化法和雷射結晶化法。
在本實施例中作為半導體膜，採用等離子體CVD法形成了54nm的非晶矽膜。作為金屬元素使用鎳，用溶液塗敷法導入到非晶矽膜上。作為將金屬元素導入到非晶矽膜上的方法，如果是採用能使該金屬元素存在於非晶矽膜的表面或其內部的方法，則沒有特別限定，例如能採用濺射法、CVD法、等離子體處理法(包括等離子體CVD法)、吸附法、塗敷金屬鹽溶液的方法。其中使用溶液的方法簡便，在容易調整金屬元素的濃度方面有用。另外，這時為了改善非晶態半導體膜表面的溼潤性，使水溶液遍及全部非晶矽膜表面，最好採用氧氣氛中的UV光的照射、熱氧化法、利用包含氫氧根的臭氧水或過氧化氫進行的處理等，形成氧化膜。
此後用500～550℃進行8～20小時的熱處理，使非晶矽膜結晶化。在本實施例中，作為金屬元素使用鎳，採用溶液塗敷法形成金屬含有層302，導入到非晶矽膜301上後，用550℃進行4小時的熱處理，獲得了第一結晶性矽膜303(圖6(B)、(C))。
然後，使雷射照射第一結晶性矽膜303，助長結晶化，獲得第二結晶性矽膜304。雷射結晶化法是將雷射照射在半導體膜上。所使用的雷射器，最好是連續振蕩的固體雷射器、或氣體雷射器、或金屬雷射器。另外，作為上述固體雷射器，有連續振蕩的YAG雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變石雷射器、Ti藍寶石雷射器等，作為上述氣體雷射器，有連續振蕩的Ar雷射器、Kr雷射器、CO2雷射器等，作為上述金屬雷射器，能舉出連續振蕩的氦鎘雷射器、銅蒸氣雷射器、金蒸氣雷射器。另外，連續發光的受激準分子雷射器也能適用。上述雷射束也可以利用非線性光學元件進行高頻變換。上述非線性光學元件中使用的晶體，如果使用例如稱為LBO或BBO或KDP、KTP或KB5、CLBO的晶體，則在變換效率方面好。將這些非線性光學元件裝入雷射器的共振器中，能大幅度提高變換效率。在上述高頻雷射器中，一般摻雜Nd、Yb、Cr等，它進行激勵，使雷射器振蕩。摻雜劑的種類由實施者適當選擇即可。作為上述半導體膜，有非晶態半導體膜、微晶半導體膜、結晶性半導體膜等，也可以使用非晶矽鍺膜、非晶矽碳化鈣膜等有非晶態結構的化合物半導體膜。
通過對這樣獲得的結晶性半導體膜304進行採用光刻法的構圖處理，形成半導體層305～308。
另外，形成了半導體層305～308後，為了控制TFT的閾值，也可以進行微量的雜質元素(硼或磷)的摻雜。
然後，形成覆蓋半導體層305～308的柵絕緣膜309。用等離子體CVD法或濺射法，形成厚度為40～150nm的包含矽的絕緣膜，用該絕緣膜形成柵絕緣膜309。在本實施例中，用等離子體CVD法形成了厚度為115nm的氧氮化矽膜。不用說，柵絕緣膜不限定於氧氮化矽膜，也可以將其它絕緣膜做成單層或層疊結構用。
然後，在柵絕緣膜上層疊形成厚度為20～100nm的第一導電膜、以及厚度為100～400nm的第二導電膜。第一導電膜及第二導電膜用從Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu中選擇的元素、或以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成即可。另外，作為第一導電膜及第二導電膜，也可以使用以摻雜了磷等雜質元素的多晶矽膜為代表的半導體膜、或AgPdCu合金。另外，不限定於雙層結構，例如，也可以做成依次層疊了厚度為50nm的鎢膜、厚度為500nm的鋁和矽的合金(Al-Si)膜、厚度為30nm的氮化鈦膜的三層結構。另外，在做成三層結構的情況下，也可以用氮化鎢代替第一導電膜的鎢，也可以用鋁和鈦的合金膜(Al-Ti)代替第二導電膜中的鋁和矽的合金(Al-Si)膜，還可以用鈦膜代替第三導電膜中的氮化鈦膜。另外，也可以是單層結構。另外，在本實施例中，在柵絕緣膜309上依次層疊形成了厚度為30nm的氮化鉭膜310、厚度為370nm的鎢膜311(圖7(A))。
然後，用光刻法形成由光刻膠構成的掩模312～316，進行形成電極及布線用的第一刻蝕處理。通過用ICP(Inductively CoupledPlasma感應耦合型等離子體)刻蝕法，適當地調節刻蝕條件(加在線圈型電極上的電能、加在基板側的電極上的電能、基板側的電極溫度等)，能將第一導電膜及第二導電膜刻蝕成所希望的錐形。另外，作為刻蝕用氣體，能適合使用以Cl2、BCl3、SiCl4或CCl4等為代表的氯系氣體，以CF4、SF6或NF3等為代表的氟系氣體或O2。
通過第一刻蝕處理，形成了由第一導電層和第二導電層構成的第一形狀的導電層317～321(第一導電層317a～321a和第二導電層317b～321b)(圖7(B))。
其次，不除去由光刻膠構成的掩模，進行第二刻蝕處理。這裡，有選擇地刻蝕W膜。這時，通過第二刻蝕處理形成第二導電層322b～326b。另一方面，第一導電層322a～326a幾乎不被刻蝕，形成第二形狀的導電層322～326。
然後，不除去由光刻膠構成的掩模，進行第一摻雜處理，將賦予n型的雜質元素以低濃度添加到半導體層中。用離子摻雜法、或離子注入法進行摻雜處理即可。作為賦予n型的雜質元素，典型地使用磷(P)或砷(As)，這裡使用磷(P)。在此情況下，導電層322～326成為對賦予n型的雜質元素的掩模，自行調整而形成雜質區327～330。以1×1018～1×1020/cm3的濃度範圍，將賦予n型的雜質元素添加到雜質區327～330中(圖7(C))。
將由光刻膠構成的掩模除去後，重新形成由光刻膠構成的掩模331a～331c，用比第一摻雜處理高的加速電壓進行第二摻雜處理。摻雜處理這樣進行摻雜將第二導電層323b、326b作為針對雜質元素的掩模用，雜質元素被添加到第一導電層的錐部下方的半導體層中。接著，與第二摻雜處理相比，降低加速電壓，進行第三摻雜處理，獲得圖8(A)所示的狀態。通過第二摻雜處理及第三摻雜處理，以1×1018～5×1019/cm3的濃度範圍，將賦予n型的雜質元素添加到與第一導電層重疊的低濃度雜質區335、341中，以1×1019～5×1021/cm3的濃度範圍，將賦予n型的雜質元素添加到高濃度雜質區334、337、340中。
當然，通過採用適當的加速電壓，第二摻雜處理及第三摻雜處理為一次摻雜處理，也能形成低濃度雜質區及高濃度雜質區。
然後，將由光刻膠構成的掩模除去後，重新形成由光刻膠構成的掩模342a～342b，進行第四摻雜處理。通過該第四摻雜處理，形成將賦予與上述一種導電型相反的導電型的雜質元素添加到了構成p溝道型TFT活性層的半導體層中的雜質區343、344、347、348。將第一及第二導電層322、326作為對雜質元素的掩模用，添加賦予p型的雜質元素，自行調整地形成雜質區。在本實施例中，用使用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜法，形成雜質區343、344、347、348(圖8(B))。該第四摻雜處理時，用由光刻膠構成的掩模342a、432b覆蓋形成n溝道型TFT的半導體層。通過第一至第三摻雜處理，雖然以不同的濃度分別在雜質區332、340、341中添加了磷，但通過在該任何區中都進行摻雜處理，以便使加賦予p型的雜質元素的濃度為1×1019～5×1021原子/cm3，由於具有作為p溝道型TFT的源區及漏區的功能，所以不會產生任何問題。
在到此為止的工序中，在各半導體層中形成了雜質區。
然後，將由光刻膠構成的掩模342a、342b除去，形成第一層間絕緣膜349。用等離子體CVD法或濺射法，形成厚度為100～200nm的包含矽的絕緣膜，作為該第一層間絕緣膜349(圖8(C))。在本實施例中，用等離子體CVD法，形成厚度為150nm的氧氮化矽膜。雖然，第一層間絕緣膜349不限定於氧氮化矽膜，也可以將其它包含矽的絕緣膜做成單層或層疊結構用。
然後，為了將雜質元素激活，進行加熱處理、強光照射、或雷射照射。另外，能恢復在激活的同時等離子體對柵絕緣膜的損傷或等離子體對柵絕緣膜和半導體層的界面的損傷。
在第一層間絕緣膜349上形成由無機絕緣膜材料或有機絕緣膜材料構成的第二層間絕緣膜350。在本實施例中，形成厚度為1.6微米的丙烯酸樹脂膜，但使用粘度為10～1000cp、最好為40～200cp的膜。另外，也可以用通過矽和氧結合形成了骨架結構的材料。作為通過矽和氧結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合形成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中具有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。此後，在第二層間絕緣膜350上形成由氮化絕緣膜(代表性的為氮化矽膜、或氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜(CN))構成的鈍化膜351。
然後形成金屬膜，刻蝕金屬膜，形成分別與各雜質區導電性連接源電極及漏電極、各個布線(圖中未示出)。金屬膜使用由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)或矽(Si)元素構成的膜或採用這些元素的合金膜即可。另外在本實施例中，分別層疊了100/350/100nm的鈦膜/鈦-鋁合金膜/鈦膜(Ti/Al-Si/Ti)後，按照所希望的形狀構圖及刻蝕，形成源電極、漏電極352及各個布線(圖中未示出)。由此，在周邊電路部1上形成p溝道型TFT11、n溝道型TFT12，在像素部2上形成n溝道型TFT13、p溝道型TFT14。
形成該布線時，根據本發明在成為封閉區的基板端部上，與布線相同材料的膜成為封閉膜，也可以形成為覆蓋下層膜。由於發光元件最好不接觸外部的大氣，所以端部的封閉方法採用實施方式1或2、或將它們組合起來用即可。
利用該封閉膜，層間膜等絕緣層不與顯示裝置外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過絕緣層、或膜和膜的間隙進入顯示裝置內。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，本發明由於利用與構成顯示裝置的膜相同材料的膜作為封閉膜，所以不會增加工序數，能製作可靠性高的顯示裝置。
此後，形成電極(在EL顯示裝置的情況下，構成陽極或陰極，在液晶顯示裝置的情況下，構成像素電極)。電極中使用由銦錫氧化物和氧化矽構成的ITSO、ITO、SnO2等透明導電膜，或者在反射型的液晶顯示裝置的情況下，能使用Al等金屬膜。另外在本實施例中，形成ITO膜，刻蝕成所希望的形狀，形成電極353(圖9)。
通過以上這樣的工序，完成備有TFT的有源矩陣基板。
另外，本發明不限於本實施例所示的頂柵型(平面型)TFT的製作方法，也能適用於底柵型(反交錯型)、或者有隔著柵絕緣膜配置在溝道區上下的兩個柵電極的雙柵型或其它結構中。
在本實施例中，說明採用製作實施例1中所示的有源矩陣基板時的TFT的製作方法，製作了顯示裝置的例子。在本說明書中，所謂顯示裝置，是將在基板上形成的發光元件封入了該基板和覆蓋材料之間的顯示用面板及該顯示用面板上備有TFT的顯示用模塊的總稱。另外，發光元件具有包含通過施加電場獲得發生的光(電致發光)的有機化合物的層(發光層)、陽極層和陰極層。另外，有機化合物的冷光中有從單態激勵狀態返回基態時發生的光(螢光)、以及從三重激勵狀態返回基態時發生的光(磷光)。本發明中能使用的EL材料包括經由單態激勵、或三重激勵、或該兩種激勵而發光的所有的發光性材料。
另外，在本說明書中，把在發光元件中在陽極和陰極之間形成的全部層定義為有機發光層。具體地說，有機發光層中包括發光層、空穴注入層、電子注入層、空穴輸送層、電子輸送層等。發光元件基本上有依次層疊了陽極層、發光層、陰極層的結構，除了該結構以外，有時還有依次層疊了陽極層、空穴注入層、發光層、陰極層；或陽極層、空穴注入層、發光層、電子輸送層、陰極層等的結構。
圖11是本實施例的顯示裝置的剖面圖。在圖11中，在周邊電路部6001中形成p溝道型TFT6003、n溝道型TFT6004，在像素部6002中形成n溝道型TFT6005、p溝道型TFT6006，在封閉區6000中進行封閉。另外，在本實施例中，雖然做成形成兩個溝道形成區的雙柵結構，但也可以是形成一個溝道形成區的單柵結構或形成三個的三柵結構。
用圖9中的CMOS電路形成設置在基板700上的驅動電路。因此，關於結構的說明，參照n溝道型TFT11和p溝道型TFT12的說明即可。另外，在本實施例中雖然做成單柵結構，但也可以是雙柵結構或三柵結構。
另外711是由透明導電膜構成的像素電極(發光元件的陽極)。作為透明導電膜，能使用氧化銦和氧化錫的化合物、氧化銦和氧化鋅的化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦。另外，也可以使用上述透明導電膜中添加了鎵的膜。在形成上述布線之前，也可以在平坦的層間絕緣膜上形成像素電極711。用由樹脂構成的平坦化膜，使TFT形成的臺階平坦化是有效的。由於後面形成的發光層非常薄，所以由於存在臺階，有時引起發光不良。因此，最好在形成像素電極之前進行平坦化，以便儘可能地在平坦面上形成發光層。
如圖11所示，形成布線701後形成存儲區712。對包含100～400nm的矽的絕緣膜或有機樹脂膜進行構圖，形成存儲區712即可。另外，也可以用通過矽和氧的結合而形成了骨架結構的材料。作為通過矽和氧的結合而形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合形成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
另外，由於存儲區712是絕緣膜，所以成膜時需要注意元件的靜電破壞。在本實施例中，將碳粒子或金屬粒子添加在成為存儲區712的材料的絕緣膜中，降低電阻率，抑制靜電的發生。這時，可以調節碳粒子或金屬粒子的添加量，以便電阻率為1×106～1×1012Ωm(最好為1×108～1×1010Ωm)。
在像素電極711上形成發光層713。另外，在圖11中雖然只示出了一個像素，但在本實施例中分別製作了對應於R(紅)、G(綠)、B(藍)各色的發光層。另外，在本實施例中，用蒸鍍法形成低分子系列有機發光材料。具體地說，作為空穴注入層設置20nm厚的銅酞菁(CuPc)膜，在它上面作為發光層形成設置了70nm厚的三-8-喹啉鋁絡合物(Alq3)膜的層疊結構。將喹吖啶酮、紫蘇烯(ペリレン)或稱為DCM1的螢光色素添加在Alq3中，能控制發光顏色。
但是，以上的例子是能作為發光層用的有機發光材料的一例，完全沒有必要限定於此。也可以將發光層、電荷輸送層或電荷注入層自由地組合起來，形成發光層(發光及為此進行載流子的移動用的層)。例如，在本實施例中雖然示出了將低分子系列有機發光材料作為發光層用的例，但也可以用中分子系列有機發光材料或高分子系列有機發光材料。另外，在本說明書中，將沒有升華性、而且分子數在20以下或連續的分子長度在10微米以下的有機發光材料作為中分子系列有機發光材料。另外，作為使用高分子系列有機發光材料的例，也可以這樣構成作為空穴注入層，用旋塗法設置20nm的ポリチオフエン(PEDOT)膜，在它上面作為發光層設置了100nm左右的パラフエニレンビニレン(PPV)膜，構成層疊結構。另外，如果使用PPV的π共軛系列高分子，則能選擇從紅色到藍色的發光波長。另外，作為電荷輸送層或電荷注入層，也能使用碳化矽等無機材料。這些有機材料或無機材料能使用眾所周知的材料。
其次，在發光層713上設置由導電膜構成的陰極714。在本實施例的情況下，作為導電膜使用鋁和鋰的合金膜。當然，也可以使用眾所周知的MgAg膜(鎂和銀的合金膜)。作為陰極材料，也可以使用由屬於周期表中的第I族或第II族的元素構成的導電膜或添加了這些元素的導電膜。
直至形成了該陰極714的時刻，完成發光元件715。另外，這裡所說的發光元件715，是指用像素電極(陽極)711、發光層713及陰極714形成的二極體而言。
為了完全覆蓋發光元件715，設置鈍化膜是有效的(圖中未示出)。作為鈍化膜，由包含碳膜、氮化矽膜、含有氮的碳膜(CN)或氮氧化矽膜構成，將該絕緣層以單層或組合起來的層疊層的方式使用。
這時，作為鈍化膜最好使用覆蓋範圍好的膜，使用碳膜、特別是DLC膜是有效的。DLC膜由於能在室溫至100℃以下的溫度範圍內形成，所以能容易地在耐熱性低的發光層713的上方形成。另外，DLC膜對氧的屏蔽效果好，能抑制發光層713的氧化。因此，在此後接下來的封閉工序期間，能防止發光層713氧化的問題。
另外，將密封材料717設置在鈍化膜(圖中未示出)上，粘貼覆蓋材料720。作為密封材料使用紫外線硬化樹脂即可，在內部設置有吸溼效果的物質或有防止氧化效果的物質是有效的。另外，在本實施例中覆蓋材料720使用在玻璃基板、或石英基板、或塑料基板(也包括塑料膜)、或撓性基板的兩面上形成了碳膜(最好為DLC膜)的材料。除了碳膜以外，也能使用鋁膜(AlON、AlN、AlO等)、SiN等。
這樣完成圖11所示結構的顯示裝置。另外，形成了存儲區712後，用多室方式(或聯機方式)的成膜裝置，不通大氣連續地對直至形成鈍化膜(圖中未示出)為止的工序進行材料是有效的。另外，還能進一步發展，不通大氣連續地處理直至粘貼覆蓋材料720的工序。
另外，通過在柵電極上設置隔著絕緣膜重疊的雜質區，能形成起因於熱載流子效應的劣化強的n溝道型TFT。因此，能實現可靠性高的顯示裝置。
另外，在本實施例中雖然只示出了像素部和驅動電路的結構，但如果按照本實施例的製造工序，則除此以外也能在同一絕緣體上形成信號分割電路、D/A變換器、運算放大器、γ修正電路等邏輯電路，另外還能形成存儲器和微處理機。
在本實施例中，形成布線時，在基於本發明而成為封閉區的基板端部，形成使用與布線相同材料的封閉膜718。形成封閉膜用來覆蓋(被覆)更下層的膜。絕緣層、特別是包含有吸溼性的有機材料的絕緣膜不接觸外部大氣即可，所以端部的被覆膜、隔斷方法採用實施方式1或2、或者將它們組合起來用即可，不限定於圖11所示的結構。因此既可以用層疊在布線上層的像素電極、存儲區、鈍化膜、陰極等覆蓋面板端部，也可以用兩層以上覆蓋，什麼樣的膜組合起來都可以。
另外，如圖4所示，在開口部上形成封閉膜，在顯示裝置內將下層膜分離成內側區和外側區，也可以是防止汙染物質進入的結構。圖20中示出了利用與布線同時用相同的材料形成的封閉膜覆蓋顯示裝置端部的絕緣層露出的部分，而且用同一封閉膜覆蓋絕緣層上形成的開口部的結構。在圖20中，9000是封閉區，9001是周邊電路部，9002是像素部，9003、9006是p溝道型TFT，9004、9005是n溝道型TFT，2000是基板，2001是布線，2011、2014是電極(陽極或陰極)，2012是存儲區，2013是發光層，2015是發光元件，2018是開口部，2019是覆蓋開口部2018和側端部的封閉膜(保護膜)，2017是密封材料。用有導電性的膜覆蓋時，為了避免顯示裝置內部的短路等，如圖5(B)所示，有必要與顯示裝置內部區域分開，只層疊在封閉區上。另外，如圖4所示，如果使封閉膜呈層疊結構進行隔斷，則與單層封閉膜相比，汙染物質的隔斷效果更好。圖21中示出了作為封閉膜，使用與布線相同材料的膜、以及與ITO相同材料的膜的層疊結構的例。在圖21中，9500是封閉區，9501是周邊電路部，9502是像素部，9503、9506是p溝道型TFT，9504、9505是n溝道型TFT，2100是基板，2101是布線，2111、2114是電極(陽極或陰極)，2112是存儲區，2113是發光層，2115是發光元件，2118是開口部，2119a、2119b是覆蓋開口部2118和側端部的封閉膜(保護膜)，2117是密封材料。
另外，即使利用構成顯示裝置的膜，不管將哪種膜怎樣組合起來作為封閉膜，都不用增加工序數，就能製作可靠性高的顯示裝置。可是，作為封閉膜在最外側形成、暴露在包含外部的水分和氧等的大氣中的封閉膜，有必要是能隔斷水分和氧等的緻密的膜。另外，在圖20、21中，雖然在封閉膜的一部分上形成密封材料，但也可以形成得將封閉膜全部覆蓋。
進行了有現有結構的顯示裝置和有採用了本實施例的結構的顯示裝置的可靠性評比。另外，將與布線同樣材料的膜用於封閉膜，構成了實施方式1的結構。
這樣進行可靠性的評價溫度65℃，溼度95％，保存190小時，檢查了發光亮度的變化。圖15中示出了有現有結構的顯示裝置、圖16中示出了採用本實施例的結構的顯示裝置分別在上述條件下保存190小時後的發光情況。圖15及圖16中的照片分別是發光的像素區內的9個地方發光的情況。從圖15可知，在有現有結構的顯示裝置中，非發光的區域從顯示裝置端部向中心部擴展。如前面所述，這是稱為收縮的劣化，是因為水或氧這樣的汙染物質進入了顯示裝置內部。與此相比較，在圖16中幾乎看不到這樣的劣化。這意味著採用本發明，水或氧等汙染物質被隔斷，不能進入顯示裝置內部。
在具有本實施例的結構的顯示裝置中，利用該封閉膜，使得層間膜等各膜不與顯示裝置外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過層間膜等、或膜和膜的間隙進入顯示裝置內。因此，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，本發明由於利用與構成顯示裝置的膜相同的材料的膜作為封閉膜，所以不增加工序數，能製作可靠性高的顯示裝置。
以上製作的顯示裝置在顯示裝置端部的封閉區中，有隔斷汙染物質的結構，所以上述顯示裝置的工作特性和可靠性是充分的。而且，這樣的顯示裝置能作為各種電子裝置的顯示部用。
在本實施例中，用圖10說明在實施例2中製作的顯示裝置中，封閉膜的結構不同的例。因此與實施例2同樣的結構部分，用實施例2的方法製作即可。
在本實施例中與實施例2同樣，採用製作實施例1所示的有源矩陣基板時的TFT的製作方法，製作顯示裝置。
圖10是本實施例的顯示裝置的剖面圖。在圖10中，5000是封閉區，5001是周邊電路部，5002是像素部，5003、5006是p溝道型TFT，5004、5005是n溝道型TFT，1000是基板，1001是布線，1011、1014是電極(陽極或陰極)，1012是存儲區(隔壁)，1013是發光層，1015是發光元件，1018是開口部，1019是覆蓋開口部1018和側端部的封閉膜(保護膜)，1017是密封材料。
在本實施例中，電極1011由透明導電膜構成。作為透明導電膜，能使用氧化銦和氧化錫的化合物、氧化銦和氧化鋅的化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦。另外，也可以使用上述透明導電膜中添加了鎵的膜。
如圖10所示，形成電極1011時，也可以在源電極、漏電極上形成與電極1011相同材料的膜作為封閉膜。在源電極、漏電極下面的層間絕緣膜中，能使用非感光性丙烯樹脂、或感光性丙烯樹脂、無機材料。在由非感光性丙烯樹脂或無機材料構成的層間膜上進行接觸開口時，有必要採用幹刻法。採用幹刻法進行的刻蝕，在刻蝕斷面上產生凹凸，有可能降低源電極、漏電極的成膜性。如圖10所示，通過在源電極、漏電極上形成封閉膜，能將進入的水分和氧從由於源電極、漏電極的成膜性不良而可能產生的斷線部分(膜上的孔)等隔斷。因此能防止EL顯示裝置由水分和氧引起的劣化。
在發光層1013上設置由導電膜構成的陰極1014。在本實施例的情況下，作為導電膜使用鋁和鋰的合金膜。當然，也可以使用眾所周知的MgAg膜(鎂和銀的合金膜)。作為陰極材料，也可以使用由屬於周期表中的第I族或第II族的元素構成的導電膜或添加了這些元素的導電膜。
在本實施例中，形成設置在發光層1013上的陰極時，用與電極1014相同的材料形成封閉膜1019。形成到達基板的開口部1018，形成封閉膜1019以便覆蓋該開口部。由於連續地直至周邊電路的外側形成兼備陰極和封閉膜的功能的導電膜，保護內部的EL元件和TFT，所以即使水分和氧通過密封材料或被暴露在大氣中的丙烯樹脂等層間膜而進入，也能利用本發明的封閉膜隔斷它們。因此能防止EL顯示裝置由水分和氧引起的劣化。另外，電極1014和封閉膜1019既可以形成得相連接，也可以用掩模等隔離。
在本實施例中雖然將與陰極相同材料的膜用於封閉膜，但也可以在陰極(第二電極)上形成鈍化膜，用與鈍化膜大致相同行程、相同材料形成封閉膜。
本實施例既可以將實施方式1、2、實施例1、2組合起來，也可以對它們進行多種組合來使用。
在本實施例中，用圖18說明在實施例2或實施例3中製作的顯示裝置中，像素電極和源、漏電極的連接結構、封閉膜的結構不同的例子。在圖18中，8000是封閉區，8001是周邊電路部，8002是像素部，8003、8006是p溝道型TFT，8004、8005是n溝道型TFT，1100是基板，1101是布線，1111、1114是電極(陽極或陰極)，1112是平坦化層，1113是發光層，1115是發光元件，1116是存儲區，1118是開口部，1119是覆蓋開口部1118和側端部的封閉膜(保護膜)，1117是密封材料。
如圖18所示，在作為源電極及漏電極的布線1101上設置平坦化層1112，在該平坦化層1112上設置電極1111。這時，平坦化層1112可以是無機絕緣膜，也可以是有機絕緣膜。通過使用平坦化層，提高平坦性是有效的。平坦化層1112中能使用非感光性丙烯樹脂或感光性丙烯樹脂、無機材料等。另外，也可以用通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料。作為通過矽和氧的結合形成了骨架結構的材料，作為代表例能舉出矽氧烷系列聚合物，詳細地說，是通過矽和氧的結合形成骨架結構、取代基中至少包含氫的材料，或者取代基中有氟、烷基、或芳香族碳化氫中的至少一種的材料。
用平坦化膜使TFT形成的臺階平坦化是有效的。由於後面形成的發光層非常薄，所以由於存在臺階，有時引起發光不良。因此，最好在形成電極(像素電極)之前進行平坦化，以便儘可能地在平坦面上形成發光層。
在發光層1113上設置由導電膜構成的陰極1114。在本實施例的情況下，作為導電膜使用鋁和鋰的合金膜。當然，也可以使用眾所周知的MgAg膜(鎂和銀的合金膜)。作為陰極材料，也可以使用由屬於周期表中的第I族或第II族的元素構成的導電膜或添加了這些元素的導電膜。
在本實施例中，形成設置在發光層1113上的陰極1114時，用與電極1114相同的材料形成封閉膜1119。形成到達基板的開口部1118，形成封閉膜1119以便覆蓋該開口部。由於連續地直至周邊電路的外側形成兼備陰極和封閉膜的功能的導電膜，保護內部的EL元件和TFT，所以即使水分和氧通過密封材料或被暴露在大氣中的丙烯樹脂等層間膜而進入，也能利用本發明的封閉膜隔斷它們。因此能防止EL顯示裝置由水分和氧引起的劣化。另外，電極1114和封閉膜1119既可以形成得相連接，也可以用掩模等隔離。
在本實施例中雖然將與陰極相同材料的膜用於封閉膜，但也可以在陰極(第二電極)上形成鈍化膜，用與鈍化膜大致相同行程、相同材料形成封閉膜。
另外，該平坦化層在周邊電路等不需要平坦化的場所，在將有吸溼性的丙烯樹脂等作為材料的情況下，有可能成為水分的通道，所以即使除去也是有效的。可是，為了防止除去時由幹刻蝕等產生的等離子體等對膜的損傷，在不除去平坦化層的情況下，如實施方式1所示，也可以用上述電極、與鈍化膜相同材料的封閉膜，覆蓋絕緣層外端部。
在本實施例中，關於EL顯示裝置的情況，雖然採用了封閉結構，但在實施例1或有使用本實施例的平坦化膜的結構的液晶顯示裝置中，本發明的封閉結構也能適用。在此情況下，也可以用本發明的封閉結構，製作顯示部不使用發光元件而是使用液晶的顯示裝置。
本實施例既可以將實施方式1或2、實施例1、2、3組合起來，也可以對它們進行多種組合來使用。
採用本發明能製作各種顯示裝置(有源矩陣型顯示裝置)。即，能將本發明應用於將這些顯示裝置安裝在顯示部中的各種電子裝置中。
作為這樣的電子裝置，能舉出攝像機、數位照相機、投影機、頭部安裝顯示器(護目鏡型顯示器)、汽車導向儀、個人計算機、攜帶信息終端(攜帶式計算機、攜帶電話或電子書籍等)。圖12、圖13、圖14中示出了這些例。
圖12(A)是個人計算機，包括本體3001、圖像輸入部3002、顯示部3003、鍵盤3004等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3003中，完成本發明的個人計算機。
圖12(B)是攝像機，包括本體3101、顯示部3102、聲音輸入部3103、操作開關3104、電池3105、像接收部3106等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3102中，完成本發明的攝像機。
圖12(C)是攜帶式計算機(移動式計算機)，包括本體3201、攝像部3202、像接收部3203、操作開關3204、顯示部3205等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3205中，完成本發明的攜帶式計算機。
圖12(D)是護目鏡型顯示器，包括本體3301、顯示部3302、臂部3303等。顯示部3302採用撓性基板作為基板，使顯示部3302彎曲製作護目鏡型顯示器。另外實現了輕而薄的護目鏡型顯示器。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3202中，完成本發明的護目鏡型顯示器。
圖12(E)是使用記錄了程序的記錄媒體(以下稱記錄媒體)的唱機，包括本體3401、顯示部3402、揚聲部3403、記錄媒體3404、操作開關3405等。另外，該唱機使用DVD(數字多功能盤)、CD等作為記錄媒體，能進行音樂欣賞、電影欣賞、遊戲、上網等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3402中，完成本發明的記錄媒體。
圖12(F)是數位照相機，包括本體3501、顯示部3502、接目部3503、操作開關3504、像接收部(圖中未示出)等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3502中，完成本發明的數位照相機。
圖13(A)是前投式投影機，包括投射裝置3601、屏幕3602等。將採用本發明製作的顯示裝置用於構成投射裝置3601的一部分的液晶顯示裝置3808或其它驅動電路，完成本發明的前投式投影機。
圖13(B)是背投式投影機，包括本體3701、投射裝置3702、反射鏡3703、屏幕3704等。將採用本發明製作的顯示裝置用於構成投射裝置3702的一部分的液晶顯示裝置3808或其它驅動電路，完成本發明的背投式投影機。
另外，圖13(C)是表示圖13(A)及圖13(B)中的投射裝置3601、3702的結構之一例圖。投射裝置3601、3702由光源光學系統3801、反射鏡3802、3804～3806、二向色鏡3803、稜鏡3807、液晶顯示裝置3808、相位差片3809、投射光學系統3810構成。投射光學系統3810由包括投射透鏡的光學系統構成。本實施例雖然示出了三板式的例子，但不特別限定，例如也可以是單板式。另外，在圖13(C)中箭頭所示的光路中，實施者也可以適當地設置光學透鏡、或有偏光功能的薄膜、或調節相位差用的薄膜、IR膜等的光學系統。
另外，圖13(D)是表示圖13(C)中的光源光學系統3801的結構之一例圖。在本實施例中，光源光學系統3801由反射鏡3811、光源3802、透鏡陣列3813、3814、偏振光變換元件3815、聚光透鏡3816構成。另外，圖13(D)中所示的光源光學系統只是一例，不特別限定。例如，在光源光學系統中實施者也可以適當地設置光學透鏡、或有偏光功能的薄膜、或調節相位差用的薄膜、IR膜等的光學系統。
但是，在圖13所示的投影機中，示出了使用透射型的電光裝置的情況，圖中未示出反射型的電光裝置及顯示裝置中的應用例。
圖14(A)是攜帶電話，包括本體3901、聲音輸出部3902、聲音輸入部3903、顯示部3904、操作開關3905、天線3906等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部3904中，完成本發明的攜帶電話。
圖14(B)是攜帶書籍(電子書籍)，包括本體4001、顯示部4002、4003、存儲媒體4004、操作開關4005、天線4006等。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部4002、4003中，完成本發明的攜帶書籍。
圖14(C)是顯示器，包括本體4101、支撐臺4102、顯示部4103等。顯示部4103用撓性基板製作，能實現輕而薄的顯示器。另外，能使顯示部4103彎曲。將採用本發明製作的顯示裝置用於顯示部4103中，完成本發明的顯示器。
如上所述，本發明的適用範圍極其廣泛，能適用於各個領域的電子裝置中。
在本實施例中，用圖20、圖21說明在實施例2或實施例3中製作的顯示裝置中，封閉膜的結構不同的例子。
在圖20中，2000是基板，2001是布線，2011是電極(陽極或陰極)，2013是發光層，2014是電極(陽極或陰極)，2015是發光元件，2017是密封材料。在圖20中，用與布線2001大致相同行程、相同的材料形成封閉膜2019。在封閉區中形成到達基板2000的開口部2018，利用封閉膜2019覆蓋開口部2018，而且，呈覆蓋顯示裝置端部的絕緣層露出的部分的結構。
在圖21中，2100是基板，2101是布線，2111是電極(陽極或陰極)，2113是發光層，2114是電極(陽極或陰極)，2115是發光元件，2117是密封材料。在圖21中，使用利用與布線2101相同的材料形成的封閉膜2119a、以及利用與像素電極2111相同的材料形成的封閉膜2119b。封閉膜2119a、2119b能在分別與布線2101、像素電極2111大致相同行程中同時形成。在封閉區中形成到達基板2100的開口部2118，用封閉膜2119a、2119b覆蓋開口部2118，而且，覆蓋顯示裝置端部的絕緣層露出的部分。
在本實施例中，雖然一直到達基板形成封閉區的開口部2118，但也可以到達緻密的基底膜。由於也可以在成為水分的通道的親水性的膜上形成開口部，所以適當地設定開口部的形成深度即可。本實施例只是本發明的一例，本發明不限定於本實施例。
根據本發明，即使水分和氧通過密封材料或暴露在大氣中的丙烯樹脂等層間膜或平坦化層2012而進入，也能利用封閉膜隔斷水分和氧，所以能保護顯示裝置內部的EL元件和TFT。因此能防止EL顯示裝置由水分和氧引起的劣化。另外，如圖21所示，如果層疊多層封閉膜，則更能提高隔斷水分等汙染物質的能力。
製作本發明的顯示裝置，進行了可靠性的評價。這樣進行可靠性的評價溫度65℃，溼度95％，保存約500小時，考察了發光亮度的變化。圖23中示出了有本實施例的圖20所示結構的顯示裝置、圖24中示出了有圖21所示結構的顯示裝置分別在上述條件下保存500小時後的發光情況。圖23、圖24中的照片分別是發光的像素區內的9個地方發光的情況。
利用圖23所示的封閉膜保護了EL元件和TFT的裝置，雖然從右上角、左下角開始亮度稍微有些劣化，但未見到嚴重的劣化。另外，在圖24所示的又層疊了封閉膜的結構的裝置中，幾乎看不到這樣的劣化。這意味著利用封閉膜覆蓋開口部和端部，水分被多重隔斷，更不能進入顯示裝置內部。另外，確認了通過層疊更多的封閉膜，能提高隔斷能力，防止顯示裝置劣化。
在本發明的顯示裝置中，利用封閉膜，使得層間膜等的膜不與顯示裝置外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過層間膜等、或膜和膜的間隙進入顯示裝置內。另外，利用封閉膜，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。另外，本發明由於利用與構成顯示裝置的膜相同的材料的膜作為封閉膜，所以不增加工序數，能製作可靠性高的顯示裝置。
在本實施例中，用圖1、圖19、圖22及圖25表示在顯示裝置的端部引繞的布線的配置方法不同的顯示裝置。
在圖1中，在411部分上，像素部的布線連接在FPC(撓性印刷電路)上。圖19中示出了411部分的放大圖。圖19是現有的布線的配置方法，1901是陰極，1902是第一陽極，1903是第二陽極，1904是第三陽極。在現有的配置方法中，作為最外周的布線的陰極1901在最內部有FPC的連接部分。因此，不能用最外周的布線完全覆蓋顯示裝置的端部。因此，水分等從其間隙進入，不能防止顯示裝置的劣化。
圖22中示出了本發明的顯示裝置的布線的配置方法。與FPC的連接方法，是將存在於裝置的最外側的第一陽極1902配置在最外側，將陰極1901配置在內側。因此最外周的布線沒有FPC連接部分以外的間隙，能完全覆蓋顯示裝置端部，能充分地隔斷水分。
另外，布線的配置方法，是最外周的布線在最外側連接在其它FPC等的布線上即可，布線的種類或極性、數量等可以適當地設定。
採用圖22所示的布線的配置方法，製作有圖20所示的結構的顯示裝置，進行了可靠性的評價。這樣進行可靠性的評價溫度65℃，溼度95％，保存約570小時，檢查了發光亮度的變化。圖25中示出了有圖20和圖22所示結構的顯示裝置在上述條件下保存500小時後的發光情況。
如圖25所示，雖然在左側上下產生了能看到少許收縮的亮度劣化，但幾乎未劣化。另外圖23中的布線的配置方法與圖19中的現有的方法相比，若干劣化的程度輕。因此能確認採用本發明能提高防止顯示裝置劣化的效果。
利用本發明的結構，能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，更能提高顯示裝置的可靠性。
權利要求
1.一種顯示裝置，具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部，用封閉膜覆蓋。
2.一種顯示裝置，具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
3.一種顯示裝置，具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，利用上述封閉膜覆蓋位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部。
4.一種顯示裝置，具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有多個開口部，用封閉膜覆蓋上述多個開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
5.一種顯示裝置，具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側形成且包圍外周，利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，上述絕緣層有多個開口部，用封閉膜覆蓋上述多個開口部，利用上述封閉膜覆蓋位於上述密封材料外側的上述絕緣層的外端部。
6.一種顯示裝置，其特徵在於在基板上形成至少一層是有機樹脂材料的絕緣層，在上述絕緣層上形成由多個發光元件構成的顯示部，形成封閉膜以至少覆蓋上述絕緣層的外端部，形成密封材料以至少包圍上述顯示部，利用上述密封材料將相對基板固定在上述基板上。
7.一種顯示裝置，其特徵在於在基板上形成至少一層是有機樹脂材料的絕緣層，在上述絕緣層上形成由多個發光元件構成的顯示部，形成封閉膜以至少覆蓋上述絕緣層的外端部，形成密封材料以至少包圍上述顯示部的外側且接觸上述封閉膜，利用上述密封材料將相對基板固定在上述基板上。
8.根據權利要求1至7中的任意一項所述的顯示裝置，其特徵在於上述封閉膜由從導電性薄膜或絕緣性薄膜中選擇的一種或多種構成。
9.根據權利要求1至7中的任意一項所述的顯示裝置，其特徵在於上述封閉膜由從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種或多種構成。
10.根據權利要求1至7中的任意一項所述的顯示裝置，其特徵在於上述封閉膜由從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜中選擇的一種或多種構成。
11.根據權利要求1至7中的任意一項所述的顯示裝置，其特徵在於上述有機樹脂材料由從丙烯樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺或包含丙烯醯基的氧化矽中選擇的一種、或由多種構成。
12.一種顯示裝置的製作方法，該顯示裝置具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，且利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
13.一種顯示裝置的製作方法，該顯示裝置具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，且利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
14.一種顯示裝置的製作方法，該顯示裝置具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，且利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成開口部，用封閉膜覆蓋上述開口部，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
15.一種顯示裝置的製作方法，該顯示裝置具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，且利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成多個開口部，用封閉膜分別覆蓋上述多個開口部，與上述封閉膜接觸形成上述密封材料。
16.一種顯示裝置的製作方法，該顯示裝置具有將使用了有機發光材料的發光元件排列在一對基板之間形成的顯示部，其特徵在於在形成於一個基板上的絕緣層上形成上述顯示部，上述一對基板在上述顯示部的外側包圍外周形成，且利用在上述絕緣層上形成的密封材料來固定，上述絕緣層的至少一層用有機樹脂材料形成，在上述絕緣層上形成多個開口部，用封閉膜分別覆蓋上述多個開口部，用封閉膜覆蓋在上述密封材料外側形成的上述絕緣層的外端部。
17.根據權利要求12至16中的任意一項所述的顯示裝置的製作方法，其特徵在於上述封閉膜由從導電性薄膜或絕緣性薄膜中選擇的一種或多種構成。
18.根據權利要求12至16中的任意一項所述的顯示裝置的製作方法，其特徵在於上述封閉膜由從Al、Ti、Mo、W或Si元素中選擇的一種或多種形成。
19.根據權利要求12至16中的任意一項所述的顯示裝置的製作方法，其特徵在於上述封閉膜由從氮化矽膜、氮氧化矽膜、或含有氮的碳膜中選擇的一種或多種形成。
20.根據權利要求12至16中的任意一項所述的顯示裝置的製作方法，其特徵在於上述有機樹脂材料由從丙烯樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺或包含丙烯醯基的氧化矽中選擇的一種、或由多種形成。
全文摘要
提供一種顯示裝置及其製作方法，減少了作為使顯示裝置的特性劣化的原因的從封閉區進入的水分和氧，可靠性高，為此，本發明具有封閉膜，由此顯示裝置的包含有機材料的層間絕緣膜不與顯示裝置(面板)外部的大氣直接接觸。因此，能防止顯示裝置外部的水和氧通過包含有吸溼性的有機材料的絕緣膜等進入顯示裝置內。從而，還能防止水和氧等引起的顯示裝置內部的汙染、電氣特性的劣化、黑斑或收縮等各種劣化，能提高顯示裝置的可靠性。
文檔編號H05B33/10GK1729719SQ200380106718
公開日2006年2月1日 申請日期2003年12月10日 優先權日2002年12月19日
發明者土屋薰, 福本良太, 村上智史, 鄉戶宏充 申請人:株式會社半導體能源研究所