二胺化合物和電子照相感光體的製作方法

2023-07-18 01:32:21 6

本發明涉及一種二胺化合物和電子照相感光體。

背景技術：

電子照相感光體用在電子照相方式的圖像形成裝置中。電子照相感光體具備感光層。例如，電子照相感光體中，有層疊型電子照相感光體和單層型電子照相感光體。層疊型電子照相感光體具備電荷產生層和電荷輸送層，電荷產生層和電荷輸送層作為感光層，電荷產生層具有電荷產生的功能，電荷輸送層具有電荷傳輸的功能。單層型電子照相感光體具備作為感光層的單層型感光層，單層型感光層具有電荷產生的功能和電荷傳輸的功能。

在電子照相感光體的一個例子中，電子照相感光體具備感光層。例如，感光層中含有以化學式(HT-A)或者(HT-B)表示的胺基二苯乙烯衍生物。

【化1】

【化2】

技術實現要素：

然而，上述電子照相感光體的電氣特性不充分。

本發明是鑑於上述課題而作出的，其目的在於提供一種二胺化合物，其可以提高電子照相感光體的電氣特性。還有，本發明的目的在於提供一種電子照相感光體，其通過含有上述的二胺化合物來使電氣特性優異。

本發明的二胺化合物用下述通式(1)表示。

【化3】

所述通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自獨立，表示：氫原子、滷素原子、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子數6以上14以下的芳基。m表示1以上3以下的整數。n表示0以上2以下的整數。另外，本說明書中的任意取代是指取代基的數量為0，或者1以上。

本發明的電子照相感光體具備導電性基體和感光層。所述感光層至少含有電荷產生劑和作為空穴輸送劑的上述二胺化合物。

根據本發明的二胺化合物，能夠提高電子照相感光體的電氣特性。還有，根據本發明的電子照相感光體，能夠通過含有上述的二胺化合物來提高電氣特性。

附圖說明

圖1是本發明的第一實施方式所涉及的以化學式(HT-3)表示的二胺化合物的1H-NMR光譜。

圖2是本發明的第一實施方式所涉及的以化學式(HT-6)表示的二胺化合物的1H-NMR光譜。

圖3中(a)、(b)和(c)分別是表示本發明的第二實施方式所涉及的電子照相感光體的一個例子的示意性剖視圖。

圖4中(a)、(b)和(c)分別是表示本發明的第二實施方式所涉及的電子照相感光體的別的例子的示意性剖視圖。

具體實施方式

以下，對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不以任何方式限定於以下的實施方式中。在本發明的目的範圍內，可以通過適當變更來實施本發明。另外，對於說明重複之處，存在適當省略的情況，但不因此而限定發明的要旨。

以下，有時在化合物名稱之後加上「類」來統稱該化合物及其衍生物。還有，在化合物名稱之後加上「類」來表示聚合物名稱的情況下，表示聚合物的重複單元源自該化合物或者其衍生物。還有，有時將通式或者化學式(2-1)～(2-3)、(3-1)～(3-3)、(4)、(5)、(6)、(6-1)～(6-3)、(7)～(11)、(2a)～(2d)、(3a)～(3d)、(5a)、(6a)～(6c)、(7a)～(7b)、(8a)～(8b)、(10a)～(10f)、(11a)～(11g)表示的化合物分別記載為化合物2-1～2-3、3-1～3-3、4、5、6、6-1～6-3、7～11、2a～2d、3a～3d、5a、6a～6c、7a～7b、8a～8b、10a～10f和11a～11g。

以下，滷素原子、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基和碳原子數6以上14以下的芳基在沒有特別規定的情況下，分別表示下列含義。

例如，滷素原子是氟(氟基)、氯(氯基)或者溴(溴基)。

碳原子數1以上6以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對於碳原子數1以上6以下的烷基的例子，可以舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基或者己基。

碳原子數1以上6以下的烷氧基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對於碳原子數1以上6以下的烷氧基的例子，可以舉出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、異戊氧基、新戊氧基或者己氧基。

例如，碳原子數6以上14以下的芳基是碳原子數6以上14以下的無取代芳香族單環烴基、碳原子數6以上14以下的無取代芳香族縮合雙環烴基或者碳原子數6以上14以下的無取代芳香族縮合三環烴基。對於碳原子數6以上14以下的芳基的例子，可以舉出：苯基、萘基、蒽基或者菲基。

本發明的第一實施方式是二胺化合物。本實施方式的二胺化合物是用下述通式(1)表示的。

【化4】

通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自獨立，表示：氫原子、滷素原子、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子數6以上14以下的芳基。m表示1以上3以下的整數。n表示0以上2以下的整數。

在電子照相感光體含有通式(1)表示的二胺化合物(以下，有時記載為二胺化合物1)的情況下，二胺化合物1能夠提高電子照相感光體的電氣特性。其理由推測如下。

二胺化合物1具有2個氮原子。在2個氮原子之間，存在共軛鍵。還有，在各氮原子上結合了包含著具有R6～R10的苯基的基(共軛基團)。而且，在各氮原子上結合了包含著具有R1～R5的苯基的基(共軛基團)。通過使二胺化合物1具有這樣的構造，能夠適度增大二胺化合物1的分子結構。由此，往往感光層中存在的二胺化合物1的分子內的空穴移動距離增大，一個二胺化合物1的π電子云與鄰近的另一個二胺化合物1的π電子云之間的距離(跳躍距離)變小。其結果，可以認為二胺化合物1之間的空穴移動性得到提高以及電子照相感光體的電氣特性得到提高。

對於通式(1)的R1～R10表示的碳原子數1以上6以下的烷基，優選為碳原子數1以上4以下的烷基，更優選為甲基、乙基、丁基(特別優選為正丁基)。通式(1)的R1～R10表示的碳原子數1以上6以下的烷基也可以具有取代基。對於碳原子數1以上6以下的烷基所具有的取代基，可以舉出：滷素原子、碳原子數1以上6以下的烷氧基或者碳原子數6以上14以下的芳基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

對於通式(1)的R1～R10表示的碳原子數1以上6以下的烷氧基，優選為碳原子數1以上3以下的烷氧基。通式(1)的R1～R10表示的碳原子數1以上6以下的烷氧基也可以具有取代基。對於碳原子數1以上6以下的烷氧基所具有的取代基，可以舉出：滷素原子、碳原子數1以上6以下的烷氧基或者碳原子數6以上14以下的芳基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

對於通式(1)的R1～R10表示的碳原子數6以上14以下的芳基，優選為碳原子數6以上14以下的芳香族單環烴基，更優選為苯基。通式(1)的R1～R10表示的碳原子數6以上14以下的芳基也可以具有取代基。對於碳原子數6以上14以下的芳基所具有的取代基，可以舉出：滷素原子、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基或者碳原子數6以上14以下的芳基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

通式(1)中，m表示1以上3以下的整數。m優選為表示2或者3，更優選為表示3。m為2或者3時，二胺化合物1的分子結構適度變大，感光層中存在的一個二胺化合物1的電子云與鄰近的其它二胺化合物1的電子云之間的距離(跳躍距離)往往變小。其結果，可以認為二胺化合物1之間的空穴移動性得到提高以及電子照相感光體的電氣特性得到提高。

通式(1)中，n表示0以上2以下的整數。n優選為表示1。n也優選為表示2。n為1或者2時，二胺化合物1的分子結構適度變大，感光層中存在的一個二胺化合物1的電子云與鄰近的其它二胺化合物1的電子云之間的距離(跳躍距離)往往變小。其結果，可以認為二胺化合物1之間的空穴移動性得到提高以及電子照相感光體的電氣特性得到提高。

為了提高電子照相感光體的電氣特性，優選為通式(1)中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自獨立地表示：氫原子、碳原子數1以上6以下的烷基或者碳原子數6以上14以下的芳基。

為了提高電子照相感光體的電氣特性，更優選為通式(1)中的R1、R2、R3、R4和R5都表示氫原子。

為了提高電子照相感光體的電氣特性，更優選為通式(1)中的R7和R9都表示氫原子。基於同樣的理由，對於特別優選的例子，可以舉出：通式(1)中，R6和R10各自獨立地表示碳原子數1以上6以下的烷基，R7、R8和R9都表示氫原子。基於同樣的理由，對於特別優選的另一個例子，可以舉出：通式(1)中，R6和R8各自獨立地表示碳原子數1以上6以下的烷基，R7、R9和R10都表示氫原子。基於同樣的理由，對於特別優選的另一個例子，可以舉出：通式(1)中，R10表示碳原子數1以上6以下的烷基，R6、R7、R8和R9都表示氫原子。基於同樣的理由，對於特別優選的另一個例子，可以舉出：通式(1)中，R8表示碳原子數1以上6以下的烷基，R6、R7、R9和R10都表示氫原子。基於同樣的理由，對於特別優選的又一個例子，可以舉出：通式(1)中，R6表示碳原子數6以上14以下的芳基，R7、R8、R9和R10都表示氫原子。

可以舉出下述化學式(HT-1)～(HT-7)表示的二胺化合物作為二胺化合物1的具體例子。以下，有時將化學式(HT-1)～(HT-7)表示的二胺化合物分別記載為二胺化合物HT-1～HT-7。

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

【化10】

【化11】

例如，按照下述的反應方程式(R-1)～(R-10)表示的反應或類似方法來製造二胺化合物1。除了這些反應以外，根據需要也可以再包括適當的工序。以下，有時將反應方程式(R-1)～(R-10)表示的反應分別記載為反應R-1～R-10。

首先，合成化合物7，化合物7作為二胺化合物1的合成所使用的原料。根據反應R-1～R-4，合成化合物7。

【化12】

【化13】

反應方程式(R-1)～(R-4)中，R1、R2、R3、R4、R5和n與通式(1)中的R1、R2、R3、R4、R5和n含義相同。X表示滷素原子。

(反應R-1)

反應R-1中，使化合物2-1(1當量)與亞磷酸三乙酯(1當量)進行反應，得到化合物3-1(1當量)。

反應R-1中，相對於1摩爾的化合物2-1，優選添加1摩爾以上2.5摩爾以下的亞磷酸三乙酯。亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-1的摩爾數過少的情況下，化合物3-1的收率有時會下降。另一方面，亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-1的摩爾數過多的情況下，有時在反應後有未反應的亞磷酸三乙酯殘留，使化合物3-1的提純變得困難。

關於反應R-1，反應溫度優選為160℃以上200℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

(反應R-2)

使化合物3-1(1當量)與化合物4(1當量)進行反應，得到化合物5(1當量)。反應R-2是維蒂希(Wittig)反應。

反應R-2中，相對於1摩爾的化合物3-1，優選添加1摩爾以上10摩爾以下的化合物4。化合物4的摩爾數相對於化合物3-1的摩爾數過少的情況下，化合物5的收率有時會下降。化合物4的摩爾數相對於化合物3-1的摩爾數過多的情況下，有時未反應的化合物4殘留，使化合物5的提純變得困難。

反應R-2也可以在鹼的存在下進行。對於鹼，例如可以舉出：鈉醇鹽(具體來說，甲醇鈉或乙醇鈉)、金屬氫化物(具體來說，氫化鈉或氫化鉀)或者金屬鹽(具體來說，正丁基鋰)。對於這些鹼，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物3-1，鹼的添加量優選為1摩爾以上2摩爾以下。鹼的添加量過少的情況下，反應性有時會下降。另一方面，鹼的添加量過多的情況下，反應的控制有時會變得困難。

反應R-2也可以在溶劑中進行。對於溶劑，例如可以舉出：醚類(具體來說，四氫呋喃、二乙醚或二惡烷)、滷化烴(具體來說，二氯甲烷、三氯甲烷或二氯乙烷)或者芳香族烴(具體來說，苯或甲苯)。

關於反應R-2，反應溫度優選為0℃以上50℃以下，反應時間優選為2小時以上24小時以下。

(反應R-3)

反應R-3中，使化合物2-2(1當量)與亞磷酸三乙酯(1當量)進行反應，得到化合物3-2(1當量)。

反應R-3中，相對於1摩爾的化合物2-2，優選添加1摩爾以上2.5摩爾以下的亞磷酸三乙酯。亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-2的摩爾數過少的情況下，化合物3-2的收率有時會下降。。另一方面，亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-2的摩爾數過多的情況下，有時在反應後有未反應的亞磷酸三乙酯殘留，使化合物3-2的提純變得困難。

關於反應R-3，反應溫度優選為160℃以上200℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

(反應R-4)

反應R-4中，使化合物3-2(1當量)與化合物5(1當量)進行反應，得到化合物7(1當量)。反應R-4是維蒂希(Wittig)反應。

反應R-4中，相對於1摩爾的化合物3-2，優選添加1摩爾以上2.5摩爾以下的化合物5。化合物5的摩爾數相對於化合物3-2的摩爾數過少的情況下，化合物7的收率有時會下降。化合物5的摩爾數相對於化合物3-2的摩爾數過多的情況下，有時未反應的化合物5殘留，使化合物7的提純變得困難。

反應R-4也可以在鹼的存在下進行。例如，所用的鹼與反應R-2中使用的鹼相同。對於這些鹼，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物3-2，鹼的添加量優選為1摩爾以上2摩爾以下。鹼的添加量過少的情況下，反應性有時會下降。另一方面，鹼的添加量過多的情況下，反應的控制有時會變得困難。

反應R-4也可以在溶劑中進行。例如，所用的溶劑與反應R-2中使用的溶劑相同。關於反應R-4，反應溫度優選為0℃以上50℃以下，反應時間優選為2小時以上24小時以下。

接下來，合成化合物6，化合物6作為二胺化合物1的合成所使用的原料。化合物6是用下述通式(6)表示的。按照反應R-5、R-6或者R-7和R-8，合成化合物6。

【化14】

通式(6)中，m與通式(1)中的m含義相同。X表示滷素原子。按照反應R-5，合成通式(6)中的m為1時的化合物6-1。按照反應R-6，合成通式(6)中的m為2時的化合物6-2。按照反應R-7和R-8，合成通式(6)中的m為3時的化合物6-3。

【化15】

【化16】

【化17】

反應方程式(R-5)～(R-8)中，X表示滷素原子。

(反應R-5)

反應R-5中，使化合物3-1(1當量)與化合物8(1當量)進行反應，得到化合物6-1(1當量)。反應R-5是維蒂希(Wittig)反應。

反應R-5中，相對於1摩爾的化合物3-1，優選添加1摩爾以上2.5摩爾以下的化合物8。化合物8的摩爾數相對於化合物3-1的摩爾數過少的情況下，化合物6-1的收率有時會下降。化合物8的摩爾數相對於化合物3-1的摩爾數過多的情況下，有時未反應的化合物8殘留，使化合物6-1的提純變得困難。

反應R-5也可以在鹼的存在下進行。例如，所用的鹼與反應R-2中使用的鹼相同。對於這些鹼，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物3-1，鹼的添加量優選為1摩爾以上2摩爾以下。鹼的添加量過少的情況下，反應性有時會下降。另一方面，鹼的添加量過多的情況下，反應的控制有時會變得困難。

反應R-5也可以在溶劑中進行。例如，所用的溶劑與反應R-2中使用的溶劑相同。關於反應R-5，反應溫度優選為0℃以上50℃以下，反應時間優選為2小時以上24小時以下。

(反應R-6)

反應R-6中，使化合物3-1(1當量)與化合物9(1當量)進行反應，得到化合物6-2(1當量)。反應R-6是維蒂希(Wittig)反應。例如，除了將反應R-5中的化合物8改變為化合物9以外，通過與反應R-5同樣的方法進行反應R-6。

(反應R-7)

反應R-7中，使化合物2-3(1當量)與亞磷酸三乙酯(2當量)進行反應，得到化合物3-3(1當量)。

反應R-7中，相對於1摩爾的化合物2-3，優選添加2摩爾以上5摩爾以下的亞磷酸三乙酯。亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-3的摩爾數過少的情況下，化合物3-3的收率有時會下降。另一方面，亞磷酸三乙酯的摩爾數相對於化合物2-3的摩爾數過多的情況下，有時在反應後有未反應的亞磷酸三乙酯殘留，使化合物3-3的提純變得困難。

關於反應R-7，反應溫度優選為160℃以上200℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

(反應R-8)

反應R-8中，使化合物3-3(1當量)與化合物8(2當量)進行反應，得到化合物6-3(1當量)。反應R-8是維蒂希(Wittig)反應。

反應R-8中，相對於1摩爾的化合物3-3，優選添加2摩爾以上5摩爾以下的化合物8。化合物8的摩爾數相對於化合物3-3的摩爾數過少的情況下，化合物6-3的收率有時會下降。化合物8的摩爾數相對於化合物3-3的摩爾數過多的情況下，有時未反應的化合物8殘留，使化合物6-3的提純變得困難。

反應R-8也可以在鹼的存在下進行。例如，所用的鹼與反應R-2中使用的鹼相同。對於這些鹼，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物8，鹼的添加量優選為1摩爾以上2摩爾以下。鹼的添加量過少的情況下，反應性有時會下降。另一方面，鹼的添加量過多的情況下，反應的控制有時會變得困難。

反應R-8也可以在溶劑中進行。例如，所用的溶劑與反應R-2中使用的溶劑相同。關於反應R-8，反應溫度優選為0℃以上50℃以下，反應時間優選為2小時以上24小時以下。

接下來，使用合成了的化合物7和化合物6，合成二胺化合物1。按照反應R-9和R-10，合成二胺化合物1。

【化18】

(反應R-9)

反應R-9中，使化合物10(1當量)與化合物7(1當量)進行反應，得到化合物11(1當量)。反應R-9是偶聯反應。

反應R-9中，相對於1摩爾的化合物10，優選添加1摩爾以上5摩爾以下的化合物7。化合物7的摩爾數相對於化合物10的摩爾數過少的情況下，化合物11的收率有時會下降。另一方面，化合物7的摩爾數相對於化合物10的摩爾數過多的情況下，有時在反應後有未反應的化合物7殘留，使化合物11的提純變得困難。

關於反應R-9，反應溫度優選為80℃以上140℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

反應R-9中，優選將鈀化合物用作催化劑。通過使用鈀化合物，往往使反應R-9中的活化能下降。其結果，可以認為能夠提高化合物11的收率。對於鈀化合物，例如可以舉出：四價鈀化合物、二價鈀化合物或者其它鈀化合物。對於四價鈀化合物，例如可以舉出：六氯鈀(IV)酸鈉四水合物或者六氯鈀(IV)酸鉀四水合物。對於二價鈀化合物，例如可以舉出：氯化鈀(II)、溴化鈀(II)、乙酸鈀(II)、乙醯乙酸鈀(II)、二(氰基苯)二氯化鈀(II)、二(三苯基膦)二氯化鈀(II)、四氨合氯化鈀(II)或者(1，5-環辛二烯)二氯化鈀(II)。對於其它鈀化合物，例如可以舉出：三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)、三(二亞苄基丙酮)二鈀三氯甲烷絡合物(0)或者四(三苯基膦)鈀(0)。對於鈀化合物，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物10，鈀化合物的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

鈀化合物也可以是含有配體的結構。由此，容易提高反應R-9的反應性。對於配體，例如可以舉出：三環己基膦、三苯基膦、二苯基甲基膦、三呋喃基膦、三(鄰甲苯基)膦、苯基二環己基膦、三(叔丁基)膦、1，1′-聯萘-2，2′-雙(二苯膦)或者2，2′-雙[(二苯膦基)二苯基]醚。對於配體，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物10，配體的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

反應R-9優選為在鹼的存在下進行。可以認為由此能夠迅速中和反應系統中產生的滷化氫(例如，氯化氫)，提高催化活性。其結果，可以認為能夠提高化合物11的收率。鹼可以是無機鹼，也可以是有機鹼。對於有機鹼，例如優選為鹼金屬醇鹽(具體來說，甲醇鈉、乙醇鈉、甲醇鉀、乙醇鉀、叔丁醇鋰、叔丁醇鈉或者叔丁醇鉀)，更優選為叔丁醇鈉。對於無機鹼，例如可以舉出：磷酸三鉀或者氟化銫。相對於1摩爾的化合物10，在添加鈀化合物0.0005摩爾以上20摩爾以下的情況下，鹼的添加量優選為1摩爾以上50摩爾以下，更優選為1摩爾以上30摩爾以下。

反應R-9也可以在溶劑中進行。對於溶劑，例如可以舉出：二甲苯(具體來說，鄰二甲苯)、甲苯、四氫呋喃或者二甲基甲醯胺。

(反應R-10)

反應R-10中，使化合物11(2當量)與化合物6(1當量)進行反應，得到二胺化合物1(1當量)。反應R-10是偶聯反應。

反應R-1O中，相對於1摩爾的化合物11，優選添加0.5摩爾以上2.5摩爾以下的化合物6。化合物6的摩爾數相對於化合物11的摩爾數過少的情況下，二胺化合物1的收率有時會下降。另一方面，化合物6的摩爾數相對於化合物11的摩爾數過多的情況下，有時在反應後有未反應的化合物6殘留，使二胺化合物1的提純變得困難。

關於反應R-10，反應溫度優選為80℃以上140℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

反應R-10中，優選將鈀化合物用作催化劑。通過使用鈀化合物，往往使反應R-10中的活化能下降。其結果，可以認為能夠提高二胺化合物1的收率。例如，所用的鈀化合物與反應R-9中使用的鈀化合物相同。對於鈀化合物，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物11，鈀化合物的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

鈀化合物也可以是含有配體的結構。可以認為由此能夠提高反應R-10的反應性。例如，所用的配體與反應R-9中使用的配體相同。對於配體，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。相對於1摩爾的化合物11，配體的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

反應R-10優選為在鹼的存在下進行。可以認為由此能夠迅速中和反應系統中產生的滷化氫(例如，氯化氫)，提高催化活性。其結果，可以認為能夠提高二胺化合物1的收率。例如，所用的鹼與反應R-9中使用的鹼相同。相對於1摩爾的化合物11，在添加鈀化合物0.0005摩爾以上20摩爾以下的情況下，鹼的添加量優選為1摩爾以上10摩爾以下，更優選為1摩爾以上5摩爾以下。

反應R-10可以在溶劑中進行。例如，所用的溶劑與反應R-9中使用的溶劑相同。

上述，對本實施方式所涉及的二胺化合物進行了說明。在電子照相感光體含有本實施方式所涉及的二胺化合物的情況下，本實施方式所涉及的二胺化合物能夠提高電子照相感光體的電氣特性。

第二實施方式涉及一種電子照相感光體(以下，有時記載為感光體)。感光體可以是層疊型感光體，也可以是單層型感光體。感光體具備感光層。感光層至少含有電荷產生劑和第一實施方式所涉及的二胺化合物1，二胺化合物1作為空穴輸送劑。

以下，參照圖3(a)～圖3(c)，對感光體100是層疊型感光體的情況進行說明。圖3(a)～圖3(c)是表示作為本實施方式所涉及的感光體100的一個例子的層疊型感光體的示意性剖視圖。

如圖3(a)所示，作為感光體100的層疊型感光體具備導電性基體20和感光層30。在層疊型感光體中，具備電荷產生層30a和電荷輸送層30b，電荷產生層30a和電荷輸送層30b作為感光層30。另外，將在後面對導電性基體20進行敘述。

如圖3(b)所示，在作為感光體100的層疊型感光體中，也可以在導電性基體20上設置電荷輸送層30b，在電荷輸送層30b上設置電荷產生層30a。不過，一般來說，電荷輸送層30b的膜厚比電荷產生層30a的膜厚要厚，電荷輸送層30b與電荷產生層30a相比較難破損。因此，為了提高層疊型感光體的耐磨損性，優選為如圖3(a)所示那樣在電荷產生層30a上設置電荷輸送層30b。

如圖3(c)所示，作為感光體100的層疊型感光體也可以具備導電性基體20、感光層30和中間層(底塗層)40。中間層40在導電性基體20與感光層30之間。還有，在感光層30之上也可以設置保護層(未圖示)。

對於電荷產生層30a和電荷輸送層30b的厚度，只要充分發揮作為各自的層的功能，就不做特別的限定。電荷產生層30a的厚度優選為0.01μm以上5μm以下，更優選為0.1μm以上3μm以下。電荷輸送層30b的厚度優選為2μm以上100μm以下，更優選為5μm以上50μm以下。

感光層30中的電荷產生層30a含有電荷產生劑。根據需要，電荷產生層30a也可以含有電荷產生層用粘結樹脂(以下，有時記載為「基體樹脂」)和各種添加劑。關於電荷產生劑、基體樹脂和添加劑，將在後面進行敘述。

感光層30中的電荷輸送層30b含有空穴輸送劑。根據需要，電荷輸送層30b也可以含有粘結樹脂、電子受體化合物和各種添加劑。關於空穴輸送劑、粘結樹脂、電子受體化合物和添加劑，將在後面進行敘述。上述，參照圖3(a)～圖3(c)，對感光體100是層疊型感光體的情況進行了說明。

以下，參照圖4(a)～圖4(c)，對感光體100是單層型感光體的情況進行說明。圖4(a)～圖4(c)是表示作為本實施方式所涉及的感光體100的別的例子的單層型感光體的示意性剖視圖。

如圖4(a)所示，作為感光體100的單層型感光體具備導電性基體20和感光層30。在作為感光體100的單層型感光體中，單層型感光層30c作為感光層30。另外，關於導電性基體20，將在後面進行敘述。

如圖4(b)所示，作為感光體100的單層型感光體也可以具備導電性基體20、單層型感光層30c和中間層(底塗層)40。中間層40在導電性基體20與單層型感光層30c之間。還有，如圖4(c)所示，也可以在單層型感光層30c之上設置保護層50。

對於單層型感光層30c的厚度，只要能夠充分發揮作為單層型感光層的功能，就不做特別的限定。單層型感光層30c的厚度優選為5μm以上100μm以下，更優選為10μm以上50μm以下。

作為感光層30的單層型感光層30c含有電荷產生劑和空穴輸送劑。根據需要，單層型感光層30c也可以含有電子輸送劑、粘結樹脂和各種添加劑。關於空穴輸送劑、電荷產生劑、電子輸送劑、粘結樹脂和添加劑，將在後面進行敘述。上述，參照圖4(a)～圖4(c)，對感光體100是單層型感光體的情況進行了說明。

接下來，對感光體中的層疊型感光體和單層型感光體的共同要素進行說明。

導電性基體只要是能夠用作感光體的導電性基體，就不做特別的限定。導電性基體只要至少表面部是由導電性材料形成的即可。對於導電性基體的一個例子，可以舉出由導電性材料形成的導電性基體。對於導電性基體的別的例子，可以舉出由導電性材料包覆的導電性基體。對於導電性材料，例如可以舉出：鋁、鐵、銅、錫、鉑、銀、釩、鉬、鉻、鎘、鈦、鎳、鈀、銦、不鏽鋼或者黃銅。對於這些導電性材料，可以單獨使用，也可以組合兩種以上來使用(例如作為合金)。這些導電性材料中，由電荷從感光層到導電性基體的移動性好的方面來看，優選為鋁或者鋁合金。

導電性基體的形狀根據圖像形成裝置的結構而適當選擇。對於導電性基體的形狀，例如可以舉出片狀或者鼓狀。還有，導電性基體的厚度根據導電性基體的形狀而適當選擇。

感光層含有第一實施方式所涉及的二胺化合物1，二胺化合物1作為空穴輸送劑。在感光體是層疊型感光體的情況下，電荷輸送層含有作為空穴輸送劑的二胺化合物1。在感光體是單層型感光體的情況下，單層型感光層含有作為空穴輸送劑的二胺化合物1。通過在感光層中含有二胺化合物1，如第一實施方式中所述的那樣，能夠提高感光體的電氣特性。

在感光體是層疊型感光體的情況下，相對於電荷輸送層中含有的粘結樹脂100質量份，空穴輸送劑的含量優選為10質量份以上200質量份以下，更優選為20質量份以上100質量份以下。

在感光體是單層型感光體的情況下，相對於單層型感光層中含有的粘結樹脂100質量份，空穴輸送劑的含量優選為10質量份以上200質量份以下，更優選為10質量份以上100質量份以下，特別優選為10質量份以上75質量份以下。

在感光體是層疊型感光體的情況下，電荷產生層含有電荷產生劑。在感光體是單層型感光體的情況下，單層型感光層含有電荷產生劑。

電荷產生劑只要是感光體用的電荷產生劑，就不做特別的限定。對於電荷產生劑，例如可以舉出：酞菁類顏料、苝類顏料、雙偶氮顏料、三偶氮顏料、二硫酮吡咯並吡咯(dithioketo-pyrrolopyrrole)顏料、無金屬萘酞菁顏料、金屬萘酞菁顏料、方酸顏料、靛藍顏料、甘菊藍顏料、菁顏料、無機光導材料(例如，硒、硒-碲、硒-砷、硫化鎘或者非晶矽)的粉末、吡喃顏料、蒽嵌蒽醌類顏料、三苯甲烷類顏料、士林類顏料、甲苯胺類顏料、吡唑啉類顏料或者喹吖啶酮類顏料。

對於酞菁類顏料，例如可以舉出：金屬酞菁或者化學式(CG-1)表示的無金屬酞菁。對於金屬酞菁，例如可以舉出：羥基鎵酞菁、氯鎵酞菁或者化學式(CG-2)表示的氧鈦酞菁。酞菁類顏料可以是結晶形式的，也可以是非結晶形式的。對於酞菁類顏料的晶體形狀(例如，α型、β型、Y型、V型或者II型)不作特別限定，可以使用具有各種晶體形狀的酞菁類顏料。

【化19】

【化20】

對於無金屬酞菁的結晶，例如可以舉出：無金屬酞菁的X型晶體(以下，有時記載為「X型無金屬酞菁」)。對於氧鈦酞菁的結晶，例如可以舉出：氧鈦酞菁的α型、β型或者Y型晶體(以下，有時記載為α型、β型或者Y型氧鈦酞菁)。對於羥基鎵酞菁的結晶，可以舉出：羥基鎵酞菁的V型晶體。對於氯鎵酞菁的結晶，可以舉出：氯鎵酞菁的II型晶體。由於X型無金屬酞菁和Y型氧鈦酞菁在波長區域700nm以上具有高量子產率，因此優選為X型無金屬酞菁或者Y型氧鈦酞菁。在感光層中含有作為空穴輸送劑的二胺化合物1的情況下，為了顯著提高電氣特性，更優選為Y型氧鈦酞菁。

例如，Y型氧鈦酞菁在CuKα特徵X射線衍射光譜中，在布拉格角(2θ±0.2°)的27.2°具有主峰。CuKα特徵X射線衍射光譜中的主峰是指在布拉格角(2θ±0.2°)為3°以上40°以下的範圍中具有第一大或者第二大的強度的峰。

(CuKα特徵X射線衍射光譜的測量方法)

對CuKα特徵X射線衍射光譜的測量方法的一個例子進行說明。將樣品(氧鈦酞菁)填充到X射線衍射裝置(例如，Rigaku Corporation製造「RINT(日本註冊商標)1100」)的樣品支架上，在X射線管Cu、管電壓40kV、管電流30mA及CuKα特徵X射線波長的條件下，測量X射線衍射光譜。例如，測量範圍(2θ)是3°以上40°以下(起始角：3°；停止角：40°)，掃描速度是10°/分。

可以單獨地使用在所需區域具有吸收波長的電荷產生劑，也可以組合兩種以上的電荷產生劑來使用。而且，例如，在數字光學式圖像形成裝置(例如，使用半導體雷射器之類光源的雷射印表機或者傳真機)中，優選使用在700nm以上波長區域具有感光度的感光體。因此，例如優選為酞菁類顏料，更優選為無金屬酞菁或者氧鈦酞菁，特別優選為X型無金屬酞菁或者Y型氧鈦酞菁。對於電荷產生劑，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

對於在具備短波長雷射光源(例如，具有350nm以上550nm以下左右的波長的雷射源)的圖像形成裝置中應用的感光體，優選使用蒽嵌蒽醌類顏料作為電荷產生劑。

在感光體是層疊型感光體的情況下，相對於電荷產生層中含有的基體樹脂100質量份，電荷產生劑的含量優選為5質量份以上1000質量份以下，更優選為30質量份以上500質量份以下。

在感光體是單層型感光體的情況下，相對於單層型感光層中含有的粘結樹脂100質量份，電荷產生劑的含量優選為0.1質量份以上50質量份以下，更優選為0.5質量份以上30質量份以下，特別優選為0.5質量份以上4.5質量份以下。

在感光體是層疊型感光體的情況下，根據需要，電荷輸送層也可以含有電子受體化合物。由此，往往可提高空穴輸送劑的空穴傳輸性能。另一方面，在感光體是單層型感光體的情況下，根據需要，單層型感光層也可以含有電子輸送劑。由此，單層型感光層能夠對電子進行傳輸，容易將雙極(兩種極性)的特性賦予單層型感光層。

對於電子輸送劑或者電子受體化合物的例子，可以舉出：醌類化合物、二醯亞胺類化合物、腙類化合物、丙二腈類化合物、噻喃類化合物、三硝基噻噸酮類化合物、3，4，5，7-四硝基-9-芴酮類化合物、二硝基蒽類化合物、二硝基吖啶類化合物、四氰乙烯、2，4，8-三硝基噻噸酮、二硝基苯、二硝基吖啶、琥珀酸酐、馬來酸酐或者二溴馬來酸酐。對於醌類化合物，例如可以舉出：聯苯醌類化合物、偶氮醌類化合物、蒽醌類化合物、萘醌類化合物、硝基蒽醌類化合物或者二硝基蒽醌類化合物。對於電子輸送劑，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。對於電子受體化合物也是一樣，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

例如，可以舉出通式(12)～(14)表示的化合物作為電子輸送劑或者電子受體。

【化21】

【化22】

【化23】

通式(12)～(14)中，R11～R19各自獨立，表示：氫原子、氰基、任意取代的烷基、任意取代的鏈烯基、任意取代的烷氧基、任意取代的烷氧羰基、任意取代的芳基或者任意取代的雜環基。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的烷基是碳原子數1以上6以下的烷基。對於碳原子數1以上6以下的烷基，優選為碳原子數1以上5以下的烷基，更優選為甲基、叔丁基或者1，1-二甲基丙基。烷基也可以具有取代基。對於取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、也可以進一步具有取代基的碳原子數6以上14以下的芳基；或者氰基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。對於作為取代基的碳原子數6以上14以下的芳基進一步具有的取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上7以下的烷醯基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷基的基團)、苯甲醯基、苯氧基、碳原子數2以上7以下的烷氧羰基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷氧基的基團)；或者苯氧羰基。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的鏈烯基是直鏈狀或者支鏈狀的、且是無取代的碳原子數2以上6以下的鏈烯基。例如，碳原子數2以上6以下的鏈烯基具有1個以上3個以下的雙鍵。對於碳原子數2以上6以下的鏈烯基的例子，可以舉出：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、戊二烯基、己烯基或者己二烯基。鏈烯基也可以具有取代基。對於取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基；或者氰基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的烷氧基是碳原子數1以上6以下的烷氧基。對於碳原子數1以上6以下的烷氧基，優選為碳原子數1以上3以下的烷氧基，更優選為甲氧基。烷氧基也可以具有取代基。對於取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基；或者氰基。優選苯基作為取代基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下，更優選為1個。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的烷氧羰基是碳原子數2以上7以下的烷氧羰基。碳原子數2以上7以下的烷氧羰基是在羰基上結合了直鏈狀或者支鏈狀的、且是無取代的碳原子數1以上6以下的烷氧基的基團。烷氧羰基也可以具有取代基。對於取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基；或者氰基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的芳基是碳原子數6以上14以下的芳基。碳原子數6以上14以下的芳基中，優選苯基。芳基也可以具有取代基。對於取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上7以下的烷醯基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷基的基團)、苯甲醯基、苯氧基、碳原子數2以上7以下的烷氧羰基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷氧基的基團)、苯氧羰基、碳原子數6以上14以下的芳基；或者聯苯基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

例如，通式(12)～(14)中的R11～R19表示的雜環基是：含有從N、S和O構成的組中選擇的1個以上的雜原子的5元或6元的單環雜環基；這樣的單環彼此稠合而成的雜環基；或者這樣的單環與5元或6元的烴環縮合而成的雜環基。在雜環基是稠合環的情況下，稠合環所含的環的數量優選為3以下。對於雜環基可以具有的取代基，例如可以舉出：滷素原子、羥基、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上7以下的烷醯基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷基的基團)、苯甲醯基、苯氧基、碳原子數2以上7以下的烷氧羰基(在羰基上結合了碳原子數1以上6以下的烷氧基的基團)；或者苯氧羰基。對於取代基的數量，不做特別的限定，優選為3個以下。

在感光層是單層型感光層且單層型感光層中含有作為空穴輸送劑的二胺化合物1的情況下，為了進一步提高感光體的電氣特性，優選單層型感光層中含有作為電子輸送劑的通式(14)表示的化合物。

對於通式(12)～(14)表示的化合物的具體例子，可以舉出化學式(ET-2)和(ET-3)表示的化合物。以下，有時將(ET-2)和(ET-3)表示的化合物分別記載為化合物ET-2和ET-3。

【化24】

【化25】

在感光體是層疊型感光體的情況下，相對於電荷輸送層中含有的粘結樹脂100質量份，電子受體化合物的含量優選為0.1質量份以上20質量份以下，更優選為0.5質量份以上10質量份以下。

在感光體是單層型感光體的情況下，相對於單層型感光層中含有的粘結樹脂100質量份，電子輸送劑的含量優選為5質量份以上100質量份以下，更優選為10質量份以上80質量份以下，特別優選為30質量份以上50質量份以下。

在感光體是層疊型感光體的情況下，電荷輸送層含有粘結樹脂。在感光體是單層型感光體的情況下，單層型感光層含有粘結樹脂。

對於粘結樹脂，例如可以舉出：熱塑性樹脂、熱固性樹脂或者光固化樹脂。對於熱塑性樹脂，例如可以舉出：聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-順丁烯二酸共聚物、丙烯酸聚合物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、離聚物樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸樹脂、聚醯胺樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚碸樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚酯樹脂或者聚醚樹脂。對於熱固性樹脂，例如可以舉出：矽酮樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂或者三聚氰胺樹脂。對於光固化樹脂，例如可以舉出：環氧丙烯酸酯(環氧化合物的丙烯酸加成物)或者聚氨酯-丙烯酸酯(聚氨酯化合物的丙烯酸加成物)。對於這些粘結樹脂，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

這些樹脂中，為了得到加工性、機械性能、光學性能和耐磨損性的均衡性優異的單層型感光層和電荷輸送層，優選為聚碳酸酯樹脂。對於聚碳酸酯樹脂的例子，可以舉出：雙酚Z型聚碳酸酯樹脂、雙酚ZC型聚碳酸酯樹脂、雙酚C型聚碳酸酯樹脂或者雙酚A型聚碳酸酯樹脂。

粘結樹脂的粘均分子量優選為40,000以上，更優選為40,000以上52,500以下。粘結樹脂的粘均分子量為40,000以上時，容易提高感光體的耐磨損性。粘結樹脂的粘均分子量為52,500以下時，粘結樹脂在感光層的形成時容易溶解到溶劑中，電荷輸送層用塗布液或者單層型感光層用塗布液的粘度不會變得過高。其結果，容易形成電荷輸送層或者單層型感光層。

在感光體是層疊型感光體的情況下，電荷產生層含有基體樹脂。基體樹脂只要是能夠應用在感光體中的基體樹脂，就不作特別限制。對於基體樹脂，可以舉出：熱塑性樹脂、熱固性樹脂或者光固化樹脂。對於熱塑性樹脂，例如可以舉出：苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-順丁烯二酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、丙烯酸聚合物、聚乙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、離聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸樹脂、聚醯胺樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚碸樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醚樹脂或者聚酯樹脂。對於熱固性樹脂，例如可以舉出：矽酮樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂或者其它交聯性熱固性樹脂。對於光固化樹脂，例如可以舉出：環氧丙烯酸酯(環氧化合物的丙烯酸加成物)或者聚氨酯-丙烯酸酯(聚氨酯化合物的丙烯酸加成物)。對於基體樹脂，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

電荷產生層中含有的基體樹脂優選為不同於電荷輸送層中含有的粘結樹脂。例如，在層疊型感光體的製造中，在導電性基體之上形成電荷產生層，在電荷產生層之上形成電荷輸送層。過程中，在電荷產生層上使用電荷輸送層用塗布液進行塗布。因此，電荷產生層優選為不能溶解在電荷輸送層用塗布液的溶劑中。

根據需要，感光體的感光層(電荷產生層、電荷輸送層或者單層型感光層)也可以含有各種添加劑。對於添加劑，例如可以舉出：劣化抑制劑(例如，抗氧化劑、自由基捕獲劑、單重態淬滅劑或紫外線吸收劑)、軟化劑、表面改性劑、增量劑、增稠劑、分散穩定劑、蠟、受體、供體、表面活性劑、可塑劑、增感劑或者流平劑。對於抗氧化劑，例如可以舉出：受阻酚(例如，二叔丁基對甲酚)、受阻胺、對苯二胺、芳基烷烴、對苯二酚、螺苯並二氫吡喃(spirochroman)、螺茚酮(spiroindanone)或者它們的衍生物；有機硫化合物或有機磷化合物。

例如，中間層(底塗層)含有無機顆粒和用在中間層中的樹脂(中間層用樹脂)。可以認為：通過中間層的存在，維持可抑制漏電的發生這種程度的絕緣狀態，同時使曝光感光體時產生的電流流動順利，從而能夠抑制電阻的增加。

對於無機顆粒，例如可以舉出：金屬(例如，鋁、鐵或銅)的顆粒、金屬氧化物(例如，二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫或氧化鋅)的顆粒或者非金屬氧化物(例如，二氧化矽)的顆粒。對於這些無機顆粒，可以單獨使用一種，也可以並用兩種以上。

對於中間層用樹脂，只要是能夠用來形成中間層的樹脂，就不做特別的限定。中間層也可以含有各種添加劑。添加劑與感光層的添加劑相同。

例如，在感光體是層疊型感光體的情況下，如下那樣製造層疊型感光體。首先，製備電荷產生層用塗布液和電荷輸送層用塗布液。將電荷產生層用塗布液塗布在導電性基體上，通過乾燥，形成電荷產生層。接下來，將電荷輸送層用塗布液塗布在電荷產生層上，通過乾燥，形成電荷輸送層。由此，製造出層疊型感光體。

將電荷產生劑和根據需要而添加的成分(例如，基體樹脂和各種添加劑)溶解或者分散在溶劑中，從而製備出電荷產生層用塗布液。將空穴輸送劑和根據需要而添加的成分(例如，粘結樹脂、電子受體化合物和各種添加劑)溶解或者分散在溶劑中，從而製備出電荷輸送層用塗布液。

接下來，例如，在感光體是單層型感光體的情況下，如下那樣製造單層型感光體。將單層型感光層用塗布液塗布在導電性基體上，通過乾燥，製造出單層型感光體。將電荷產生劑、空穴輸送劑和根據需要而添加的成分(例如，電子輸送劑、粘結樹脂和各種添加劑)溶解或者分散在溶劑中，從而製造出單層型感光層用塗布液。

塗布液(電荷產生層用塗布液、電荷輸送層用塗布液或者單層型感光層用塗布液)中含有的溶劑只要能夠使塗布液所含的各成分溶解或者分散，就不做特別的限定。對於溶劑的例子，可以舉出：醇類(例如，甲醇、乙醇、異丙醇或丁醇)、脂肪烴(例如，正己烷、辛烷或環己烷)、芳香族烴(例如，苯、甲苯或二甲苯)、滷化烴(例如，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳或氯苯)、醚類(例如，二甲醚、二乙醚、四氫呋喃、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚或丙二醇單甲醚)、酮類(例如，丙酮、甲基乙基酮或環己酮)、酯類(例如，乙酸乙酯或乙酸甲酯)、二甲基甲醛、二甲基甲醯胺或者二甲基亞碸。對於這些溶劑，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。為了提高製造感光體時的可操作性，優選將無滷素溶劑(滷化烴以外的溶劑)用作溶劑。

通過將各成分混合併分散到溶劑中，從而製備塗布液。對於混合或者分散的操作，例如可以使用：珠磨機、輥磨機、球磨機、磨碎機、油漆振蕩器或者超聲波分散器。

例如，為了提高各成分的分散性，塗布液(電荷產生層用塗布液、電荷輸送層用塗布液或者單層型感光層用塗布液)中也可以含有表面活性劑。

例如，對於使用塗布液(電荷產生層用塗布液、電荷輸送層用塗布液或者單層型感光層用塗布液)進行塗布的方法，只要是能夠在導電性基體上均勻地塗布上塗布液的方法，就不做特別的限定。對於塗布方法，例如可以舉出：浸塗法、噴塗法、旋塗法或者棒塗法。

對於乾燥塗布液(電荷產生層用塗布液、電荷輸送層用塗布液或者單層型感光層用塗布液)的方法，只要是可以使塗布液中的溶劑蒸發的方法，就不作特別限定。例如，可以舉出使用高溫乾燥機或者減壓乾燥機進行熱處理(熱風乾燥)的方法。例如，熱處理條件是40℃以上150℃以下的溫度且3分鐘以上120分鐘以下的時間。

另外，根據需要，感光體的製造方法也可以進一步含有形成中間層的工序和/或者形成保護層的工序。在形成中間層的工序和形成保護層的工序中，適當選擇眾所周知的方法。

上述，對本實施方式所涉及的感光體進行了說明。根據本實施方式的感光體，能夠提高感光體的電氣特性。

【實施例】

以下，使用實施例對本發明進行更具體的說明。但是，本發明不以任何方式限定於實施例的範圍中。

準備以下的空穴輸送劑和電荷產生劑，作為用於形成層疊型感光體的電荷產生層和電荷輸送層的材料。準備以下的空穴輸送劑、電荷產生劑和電子輸送劑，作為用於形成單層型感光體的單層型感光層的材料。

準備第一實施方式中所述的二胺化合物HT-1～HT-7，作為空穴輸送劑。二胺化合物HT-1～HT-7分別通過以下的方法進行合成。

首先，合成化合物3a、3b、3c和3d，作為後面敘述的化合物6a、6b、6c、7a和7b的合成中所使用的原料。按照下述的反應方程式(R-11)、(R-12)、(R-13)和(R-14)表示的反應，分別合成化合物3a、3b、3c和3d。以下，有時將反應方程式(R-11)～(R-14)表示的反應分別記載為反應R-11～R-14。

【化26】

【化27】

【化28】

【化29】

反應R-11中，使化合物2a與亞磷酸三乙酯進行反應，得到化合物3a。具體來說，在容量200mL的燒瓶中，投入化合物2a(16.1g、0.10摩爾)和亞磷酸三乙酯(25.0g、0.15摩爾)。將燒瓶內含物在180℃的條件下攪拌8小時，然後冷卻到室溫。接下來，減壓蒸發掉燒瓶內含物所含的未反應的亞磷酸三乙酯。由此，得到白色液體，即化合物3a(產量24.1g、收率92mol％)。

反應R-12中，使化合物2b與亞磷酸三乙酯進行反應，得到化合物3b。除了改變以下這點之外，通過與反應R-11一樣的方法進行反應R-12。將反應R-11中的化合物2a(16.1g、0.10摩爾)改變為化合物2b(15.2g、0.10摩爾)。其結果，得到化合物3b(產量23.5g、收率92mol％)。

反應R-13中，使化合物2c與亞磷酸三乙酯進行反應，得到化合物3c。除了改變以下這點之外，通過與反應R-11一樣的方法進行反應R-13。將反應R-11中的化合物2a(16.1g、0.10摩爾)改變為化合物2c(12.7g、0.10摩爾)。其結果，得到化合物3c(產量21.3g、收率93mol％)。

反應R-14中，使化合物2d與亞磷酸三乙酯進行反應，得到化合物3d。除了改變以下這點之外，通過與反應R-11一樣的方法進行反應R-14。將反應R-11中的化合物2a(16.1g、0.10摩爾)改變為化合物2d(10.7g、0.05摩爾)。其結果，得到化合物3d(產量14.5g、收率88mol％)。

接下來，合成化合物6a、6b和6c，作為後面敘述的二胺化合物HT-1～HT-7的合成中所使用的原料。按照下述的反應方程式(R-15)、(R-16)和(R-17)表示的反應，分別合成化合物6a、6b和6c。以下，有時將反應方程式(R-15)～(R-17)表示的反應分別記載為反應R-15～R-17。

【化30】

【化31】

【化32】

反應R-15中，使化合物3a與化合物8b進行反應，得到化合物6a。反應R-15是維蒂希(Wittig)反應。具體來說，將反應R-11中得到的化合物3a(13.1g、0.05摩爾)在0℃的條件下加入到容量500mL的兩口燒瓶中。用氬氣置換燒瓶內的空氣。接下來，在燒瓶內，添加乾燥四氫呋喃(100mL)和28％甲醇鈉(9.3g、0.05摩爾)。將燒瓶內含物攪拌30分鐘。接下來，在燒瓶內，添加化合物8b(8.4g、0.05摩爾)的乾燥四氫呋喃(300mL)溶液。將燒瓶內含物在室溫下攪拌12小時。將燒瓶內含物注入離子交換水中，使用甲苯進行萃取。對於所得有機層，使用離子交換水清洗5次，使用無水硫酸鈉進行乾燥。接下來，蒸發掉有機層中含有的溶劑，得到殘渣。使用甲苯/甲醇(20mL/100mL)對所得殘渣進行提純。由此，得到白色結晶，即化合物6a(產量9.6g、收率69mol％)。

反應R-16中，使化合物3d與化合物8a進行反應，得到化合物6b。反應R-16是維蒂希(Wittig)反應。除了改變以下幾點之外，通過與反應R-15一樣的方法進行反應R-16。將反應R-15中的化合物3a(13.1g、0.05摩爾)改變為化合物3d(8.2g、0.025摩爾)。將反應R-15中的化合物8b(8.4g、0.05摩爾)改變為化合物8a(7.03g、0.05摩爾)。其結果，得到化合物6b(產量3.8g、收率25mol％)。

反應R-17中，使化合物3a與化合物8a進行反應，得到化合物6c。反應R-17是維蒂希(Wittig)反應。除了改變以下這點之外，通過與反應R-15一樣的方法進行反應R-17。將反應R-15中的化合物8b(8.4g、0.05摩爾)改變為化合物8a(7.03g、0.05摩爾)。其結果，得到化合物6c(產量9.4g、收率75mol％)。

接下來，合成化合物7a和7b，作為後面敘述的二胺化合物HT-1～HT-7的合成中所使用的原料。按照下述的反應方程式(R-18)和(R-19)表示的反應，合成化合物7a。按照下述的反應方程式(R-18)和(R-20)表示的反應，合成化合物7b。以下，有時將反應方程式(R-18)～(R-20)表示的反應分別記載為反應R-18～R-20。

【化33】

【化34】

【化35】

反應R-18中，使化合物3a與化合物4進行反應，得到化合物5a。反應R-18是維蒂希(Wittig)反應。具體來說，將反應R-11中得到的化合物3a(13.0g、0.05摩爾)在0℃的條件下加入到容量500mL的兩口燒瓶中。用氬氣置換燒瓶內的空氣。接下來，在燒瓶內，添加乾燥四氫呋喃(100mL)以及添加化合物4(35.0g、0.26摩爾)的乾燥四氫呋喃(300mL)溶液。將燒瓶內含物攪拌30分鐘。接下來，在燒瓶內，添加28％甲醇鈉(9.3g、0.05摩爾)。將燒瓶內含物在室溫下攪拌12小時。將燒瓶內含物注入離子交換水中，使用甲苯進行萃取。對於所得有機層，使用離子交換水清洗5次，使用無水硫酸鈉進行乾燥。接下來，蒸發掉有機層中含有的溶劑，得到殘渣。使用甲苯/甲醇(20mL/100mL)對所得殘渣進行提純。由此，得到白色結晶，即化合物5a(產量3.6g、收率30mol％)。

反應R-19中，使化合物3c與化合物5a進行反應，得到化合物7a。反應R-19是維蒂希(Wittig)反應。具體來說，將反應R-13中得到的化合物3c(11.4g、0.05摩爾)在0℃的條件下加入到容量500mL的兩口燒瓶中。用氬氣置換燒瓶內的空氣。接下來，在燒瓶內，添加乾燥四氫呋喃(100mL)和28％甲醇鈉(9.3g、0.05摩爾)。將燒瓶內含物攪拌30分鐘。接下來，在燒瓶內，添加反應R-18中得到的化合物5a(12.2g、0.05摩爾)的乾燥四氫呋喃(300mL)溶液。將燒瓶內含物在室溫下攪拌12小時。將燒瓶內含物注入離子交換水中，使用甲苯進行萃取。對於所得有機層，使用離子交換水清洗5次，使用無水硫酸鈉進行乾燥。接下來，蒸發掉有機層中含有的溶劑，得到殘渣。使用甲苯/甲醇(20mL/100mL)對所得殘渣進行提純。由此，得到白色結晶，即化合物7a(產量14.0g、收率88mol％)。

反應R-20中，使化合物3b與化合物5a進行反應，得到化合物7b。反應R-20是維蒂希(Wittig)反應。除了改變以下這點之外，通過與反應R-19一樣的方法進行反應R-20。將反應R-19中的化合物3c(11.4g、0.050摩爾)改變為化合物3b(12.8g、0.050摩爾)。其結果，得到化合物7b(產量15.3g、收率89mol％)。

接下來，按照下述的反應方程式(R-21)和(R-22)表示的反應，合成二胺化合物HT-1。以下，有時將反應方程式(R-21)和(R-22)表示的反應分別記載為反應R-21和R-22。

【化36】

反應R-21中，使化合物10a與化合物7a進行反應，得到化合物11a。反應R-21是偶聯反應。具體來說，在三口燒瓶中，注入化合物7a(6.2g、0.020摩爾、表1中的第二原料)、三環己基膦(0.068g、0.000196摩爾)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.045g、4.89×10-5摩爾)、叔丁醇鈉(2.0g、0.021摩爾)、化合物10a(2.7g、0.020摩爾、表1中的第一原料)和蒸餾後的鄰二甲苯(100mL)。用氬氣置換燒瓶內的空氣。接下來，將燒瓶內含物在120℃的條件下攪拌5小時，然後冷卻到室溫。使用離子交換水將燒瓶內含物清洗3次，得到有機層。在有機層中加入無水硫酸鈉和活性粘土，進行乾燥處理和吸附處理。接下來，對乾燥處理和吸附處理後的有機層進行減壓蒸發，去除鄰二甲苯。由此，得到殘渣。使用三氯甲烷/己烷(體積比1∶1)，對所得殘渣進行析晶。由此，得到化合物11a(產量5.7g、收率70mol％)。

接下來，反應R-22中，使化合物11a與化合物6b進行反應，得到二胺化合物HT-1。反應R-22是偶聯反應。具體來說，在三口燒瓶中，注入反應R-16中得到的化合物6b(1.5g、0.005摩爾、表2中的第二原料)、三環己基膦(0.035g、9.97×10-5摩爾)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.046g、4.98×10-5摩爾)、叔丁醇鈉(1.0g、0.010摩爾)、反應R-21中得到的化合物11a(4.0g、0.010摩爾、表2中的第一原料)和蒸餾後的鄰二甲苯(200mL)。用氬氣置換燒瓶內的空氣。接下來，將燒瓶內含物在120℃的條件下攪拌5小時，然後冷卻到室溫。使用離子交換水將燒瓶內含物清洗3次，得到有機層。在有機層中加入無水硫酸鈉和活性粘土，進行乾燥處理和吸附處理。接下來，對乾燥處理和吸附處理後的有機層進行減壓蒸發，去除鄰二甲苯。由此，得到殘渣。使用三氯甲烷/己烷(體積比1∶1)作為展開劑，通過矽膠柱色譜法對所得殘渣進行提純。由此，得到二胺化合物HT-1(產量2.8g、收率53mol％)。

除了改變以下幾點之外，通過與二胺化合物HT-1的合成一樣的方法，分別合成二胺化合物HT-2～HT-7。另外，二胺化合物HT-2～HT-7的合成中所用的各原料按照與二胺化合物HT-1的合成中所使用的相應原料的摩爾數相同的摩爾數進行添加。

將反應R-21中使用的第一原料由二胺化合物HT-1的合成中的化合物10a改變為表1所示的第一原料(化合物10a、10b、10c、10d、10e或者10f)。將反應R-21中使用的第二原料由二胺化合物HT-1的合成中的化合物7a改變為表1所示的第二原料(化合物7a或者7b)。其結果，在反應R-21中，得到表1所示的反應產物(化合物11a、11b、11c、11d、11e、11f或者11g)來代替化合物11a。反應R-21中得到的各反應產物的產量和收率表示在表1中。

將反應R-22中使用的第一原料由二胺化合物HT-1的合成中的化合物11a改變為表2所示的第一原料(化合物11a、11b、11c、11d、11e、11f或者11g)。還有，將反應R-22中使用的第二原料由二胺化合物HT-1的合成中的化合物6b改變為表2所示的第二原料(化合物6a、6b或者6c)。其結果，在反應R-22中，得到二胺化合物HT-2～HT-7來代替二胺化合物HT-1。反應R-22中得到的二胺化合物HT-2～HT-7的產量和收率表示在表2中。

表1和表2中，化合物10a～10f和11a～11g分別由下述化學式(10a)～(10f)和(11a)～(11g)表示。表1和表2中，化合物7a～7b和6b～6c是上述的反應中得到的化合物。

【表1】

【表2】

【化37】

【化38】

【化39】

接下來，使用1H-NMR(質子核磁共振光譜儀)對合成的二胺化合物HT-3和HT-6進行分析。磁場強度設定為300MHz。使用氘代氯仿(CDCl3)作為溶劑。使用四甲基矽烷(TMS)作為內標物。測量得到的二胺化合物HT-3的1H-NMR光譜表示在圖1中，其化學位移值如下。測量得到的二胺化合物HT-6的1H-NMR光譜表示在圖2中，其化學位移值如下。基於1H-NMR光譜和化學位移值，確認到二胺化合物HT-3和HT-6分別具有化學式(HT-3)和(HT-6)表示的結構。

二胺化合物HT-3：1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ0.9(t，6H)，1.37(q，4H)，1.59(q，4H)，2.58(q，4H)，6.5-6.7(m，6H)，6.8-7.2(m，30H)，7.2-7.5(m，18H).

二胺化合物HT-6：1H-NMR(300MHz，CDCl3)δ2.0(s，6H)，6.6-6.7(m，6H)，6.8-7.1(m，16H)，7.2-7.5(m，30H).

也準備下述化學式(HT-A)和(HT-B)表示的二胺化合物。以下，有時將化學式(HT-A)和(HT-B)表示的二胺化合物分別記載為二胺化合物HT-A和HT-B。

【化40】

【化41】

準備化合物CG-1X和CG-2Y作為電荷產生劑。化合物CG-1X是第二實施方式中所述的化學式(CG-1)表示的無金屬酞菁。還有，化合物CG-1X的結晶結構是X型。

化合物CG-2Y是第二實施方式中所述的化學式(CG-2)表示的氧鈦酞菁。還有，化合物CG-2Y的結晶結構是Y型。

準備第二實施方式中所述的化合物ET-2和ET-3，作為單層型感光體的單層型感光層中含有的電子輸送劑。

使用上述用來形成感光層的材料，製造層疊型感光體A-1～A-7和B-1～B-2。

首先，準備表面處理過的二氧化鈦(Tayca株式會社製造「樣品SMT-02」，數均一次粒徑10nm)。如下那樣製備該表面處理過的二氧化鈦。使用氧化鋁和二氧化矽對二氧化鈦進行表面處理。在將利用氧化鋁和二氧化矽表面處理過的二氧化鈦進行溼式分散的同時，使用聚甲基氫矽氧烷進行進一步的表面處理。

接下來，製備底塗層用塗布液。具體來說，在容器內，放入表面處理過的二氧化鈦(2.8質量份)、共聚聚醯胺樹脂(Daicel-Evonik Ltd.製造「DAIAMID X4685」、1質量份)、作為溶劑的乙醇(10質量份)和作為溶劑的丁醇(2質量份)。使用珠磨機，將容器的內含物混合5小時，使材料分散到溶劑中。由此，得到底塗層用塗布液。

接下來，形成底塗層。具體來說，使用5μm的過濾器對所得底塗層用塗布液進行過濾。然後，使用浸塗法，將底塗層用塗布液塗布在作為導電性基體的鋁製鼓狀支撐體(直徑30mm、全長238.5mm)的表面上。接下來，以130℃對塗布上的底塗層用塗布液加熱30分鐘。由此，在導電性基體上形成底塗層(膜厚1.5μm)。

接下來，製備電荷產生層用塗布液。具體來說，在容器內放入作為電荷產生劑的化合物CG-2Y(1質量份)、作為基體樹脂的聚乙烯醇縮丁醛樹脂(電化株式會社製造「Denka Butyral#6000EP」、1質量份)、作為分散介質的丙二醇單甲醚(40質量份)和作為分散介質的四氫呋喃(40質量份)。使用珠磨機，將容器的內含物混合2小時，使材料分散到分散介質中。由此，得到電荷產生層用塗布液。接下來，使用3μm的過濾器，對所得電荷產生層用塗布液進行過濾。然後，使用浸塗法，將電荷產生層用塗布液塗布在形成了底塗層的導電性基體上。接下來，在50℃的條件下，使塗布上的電荷產生層用塗布液進行5分鐘的乾燥。由此，在底塗層上，形成電荷產生層(膜厚0.3μm)。

接下來，製備電荷輸送層用塗布液。具體來說，將作為空穴輸送劑的二胺化合物HT-1(70質量份)、作為粘結樹脂的雙酚Z型聚碳酸酯樹脂(帝人株式會社製造「PANLITE(日本註冊商標)TS-2050」、粘均分子量50,000、100質量份)、作為添加劑的BHT(二叔丁基對甲酚、5質量份)、作為溶劑的四氫呋喃(430質量份)和作為溶劑的甲苯(430質量份)放入容器內。將容器的內含物混合，使材料溶解到溶劑中。由此，得到電荷輸送層用塗布液。接下來，通過與電荷產生層用塗布液同樣的方法，將所得電荷輸送層用塗布液塗布在已形成了底塗層和電荷產生層的導電性基體上。接下來，在130℃的條件下，使塗布上的電荷輸送層用塗布液進行30分鐘的乾燥。由此，在電荷產生層上，形成電荷輸送層(膜厚20μm)。其結果，得到層疊型感光體A-1。

除了改變以下這點之外，通過與層疊型感光體A-1的製造同樣的方法，分別製造層疊型感光體A-2～A-7和B-1～B-2。將層疊型感光體A-1的製造中用的作為空穴輸送劑的二胺化合物HT-1改變為表3所示的種類的空穴輸送劑。

使用用來形成感光層的材料，製造單層型感光體C-1～C-21和D-1～D-6。

在容器內，放入作為電荷產生劑的化合物CG-1X(3質量份)、作為空穴輸送劑的二胺化合物HT-1(60質量份)、作為電子輸送劑的化合物ET-1(40質量份)、作為粘結樹脂的雙酚Z型聚碳酸酯樹脂(帝人株式會社製造「PANLITE(日本註冊商標)TS-2050」、粘均分子量50,000、100質量份)和作為溶劑的四氫呋喃(800質量份)。使用球磨機，將容器的內含物混合50小時，使材料分散到溶劑中。由此，得到單層型感光層用塗布液。使用浸塗法，將單層型感光層用塗布液塗布在作為導電性基體的鋁製鼓狀支撐體(直徑30mm、全長238.5mm)上。在100℃的條件下，使塗布上的單層型感光層用塗布液進行30分鐘的熱風乾燥。由此，在導電性基體上形成單層型感光層(膜厚25μm)。其結果，得到單層型感光體C-1。

除了改變以下幾點之外，通過與單層型感光體C-1的製造同樣的方法，分別製造單層型感光體C-2～C-21和D-1～D-6。將單層型感光體C-1的製造中用的作為電荷產生劑的化合物CG-1X改變為表4所示的種類的電荷產生劑。將單層型感光體C-1的製造中用的作為空穴輸送劑的二胺化合物HT-1改變為表4所示的種類的空穴輸送劑。將單層型感光體C-1的製造中用的作為電子輸送劑的化合物ET-1改變為表4所示的種類的電子輸送劑。

分別對製造的層疊型感光體A-1～A-7和B-1～B-2進行電氣特性的評價。電氣特性的評價是在溫度23℃且溼度60％RH的環境下進行的。首先，使用鼓感光度試驗機(GENTEC株式會社製造)，使層疊型感光體的表面帶電為負極性。將帶電條件設定為層疊型感光體的轉速31rpm和流入到層疊型感光體的電流-8μA。測量剛帶電後的層疊型感光體的表面電位。將測量出的層疊型感光體的表面電位記為初始電位(V0、單位V)。然後，使用帶通濾波器，從滷素燈的白色光中取出單色光(波長780nm、半寬度20nm、光能量0.4μJ/cm2)。將取出的單色光照射到層疊型感光體的表面上。對照射結束後再經過0.5秒時的層疊型感光體的表面電位進行測量。將測量出的表面電位記為殘留電位(VL、單位V)。測量出的層疊型感光體的初始電位(V0)和殘留電位(VL)表示在表3中。另外，殘留電位(VL)的絕對值越小，表示電氣特性越優異。

分別對製造的單層型感光體C-1～C-21和D-1～D-6進行電氣特性的評價。電氣特性的評價是在溫度23℃且溼度60％RH的環境下進行的。首先，使用鼓感光度試驗機(GENTEC株式會社製造)，使單層型感光體的表面帶電為正極性。將帶電條件設定為單層型感光體的轉速31rpm和流入到單層型感光體的電流+8μA。測量剛帶電後的單層型感光體的表面電位。將測量出的單層型感光體的表面電位記為初始電位(V0、單位V)。然後，使用帶通濾波器，從滷素燈的白色光中取出單色光(波長780nm、半寬度20nm、光能量1.5μJ/cm2)。將取出的單色光照射到單層型感光體的表面上。對照射結束後再經過0.5秒時的單層型感光體的表面電位進行測量。將測量出的表面電位記為殘留電位(VL、單位V)。測量出的單層型感光體的初始電位(V0)和殘留電位(VL)表示在表4中。另外，殘留電位(VL)的絕對值越小，表示電氣特性越優異。

層疊型感光體的電氣特性的結果表示在表3中。單層型感光體的電氣特性的結果表示在表4中。表3和表4中，CGM、HTM、ETM、V0、VL分別表示電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑、初始電位和殘留電位。

【表3】

【表4】

層疊型感光體A-1～A-7和單層型感光體C-1～C-21的感光層中，含有作為空穴輸送劑的二胺化合物1(具體來說，二胺化合物HT-1～HT-7中的某一個)。因此，從表3和表4中可以清楚看出，這些感光體中，殘留電位(VL)的絕對值小，電氣特性優異。

另一方面，層疊型感光體B-1～B-2和單層型感光體D-1～D-6的感光層中，不含有可作為空穴輸送劑的二胺化合物1。因此，從表3和表4中可以清楚看出，這些感光體中，殘留電位(VL)的絕對值大，電氣特性差。

由上可知，在感光層中含有二胺化合物1的情況下，二胺化合物1可提高感光體的電氣特性。還有，感光體具備了含有二胺化合物1的感光層後，電氣特性優異。