磁頭滑塊支持裝置和存儲裝置的製作方法

2023-08-04 07:20:46 2

專利名稱：磁頭滑塊支持裝置和存儲裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種具有連接磁頭滑塊和前置放大器IC的傳輸路徑的磁 頭滑塊支持裝置和存儲裝置。
背景技術：
隨著硬碟驅動器(HDD)的記錄密度和傳送速率的增大，對信號的記 錄/再現已變得困難。為了提高HDD的性能，已提出了一種控制磁頭滑塊 的懸浮量的技術。在該技術(懸浮控制系統)中，在磁頭滑塊中併入加 熱器電阻器，並且加熱該加熱器電阻器來控制磁頭滑塊的懸浮量，由此 提高將信號寫入到盤記錄介質上的寫入性能及從盤記錄介質讀取信號的 讀取性能。作為與本發明有關的現有技術，己知一種具有防止對再現元件產生 串擾電流的內置加熱器電阻器的磁頭滑塊(例如，參見日本專利申請特 開2006-79755號公報(美國專利No. 2006/0056110))(專利文獻l)。圖12是示出採用常規懸浮控制系統的磁頭滑塊與前置放大器IC之 間的電連接的示例的電路圖。該磁頭滑塊由滑塊基片3a和薄膜磁頭部3b 構成，並且通過粘合劑連接到懸架2，該懸架2是導體。薄膜磁頭部3b 中的MR (磁阻)元件61經由形成在懸架2上的讀取信號線40a和41a連 接到前置放大器IC 5的讀取輸入端。MR元件(磁阻效應元件)61可以 是諸如GMR或TuMR型的、可以實現高密度再現的MR元件。與專利文獻1中公開的技術不同，通過穿過薄膜磁頭部3b的導體將 MR元件61經由高電阻(幾十千歐姆)的分路電阻器64連接到導電滑塊 基片3a，以減小ESD (靜電放電)損壞。薄膜磁頭部3b中的寫入線圈62 經由形成在懸架2上的寫入信號線50a和51a連接到前置放大器IC 5的 寫入電流輸出。薄膜磁頭部3b中的加熱器電阻器63經由形成在懸架2 上的加熱器信號線31a連接到前置放大器IC 5的加熱器信號輸出，並且 經由形成在懸架2上的加熱器GND線(接地線)30a連接到前置放大器 IC 5的加熱器接地。此外，與專利文獻1的技術不同，與^^R元件61的 情況相同的是，為了減小ESD損壞，將加熱器電阻器63的接地端子通過 穿過薄膜磁頭部3b的導體連接到滑塊基片3a。在上述結構中，由電動機旋轉或來自外部的電波產生的噪聲(幹擾 噪聲)傳播經過盤記錄介質。由於在HDD操作時，盤記錄介質與磁頭滑 塊之間的間隔非常小(納量級)，因此該噪聲很容易傳播到磁頭滑塊。此 外，在HDD讀取時，該幹擾噪聲依如下次序從滑塊基片3a經由加熱器GND 線30a和前置放大器IC 5傳播到前置放大器IC的接地。此外，從磁頭滑塊到前置放大器IC的線長度如此長(幾十毫米)， 以至於使幹擾噪聲通過從加熱器GND線30a到讀取信號線40a和41a的 串擾疊加在讀取信號上，從而使HDD的錯誤率增大。作為針對幹擾噪聲的對策，可以利用以下方法除了用於將磁頭滑 塊固定到懸架2的粘合劑之外，還添加用於電連接滑塊基片3a和懸架2 的導電粘合劑。然而，該導電粘合劑的電阻值較高(幾百歐姆)而連接 性較低，因而不能獲得足夠的接地連接效果。此外，添加導電粘合劑可 能使懸架變形，從而對懸架的機械特性造成不利影響。作為與本發明有關的另一現有技術，已知一種包括用於連接懸架2和滑塊基片3a的專用焊盤的磁頭滑塊(例如，參見日本專利申請特開平 8-111015號公報(專利文獻2)、日本專利申請特開2005-116127號公報 (美國專利No. 2005/0078416)(專利文獻3)、美國專利No, 2003/0128474 (專利文獻4)、美國專利No. 2004/0070880 (專利文獻5)、美國專利 No. 2005/0195528(專利文獻6)及美國專利No. 7， 006， 330(專利文獻7))。 然而，近年來，HDD採用加載/卸載機制來改善抗衝擊性，並且因此 與不採用加載/卸載機制的情況相比，致動器的慣性變大。此外，為了實 現進一步減小磁頭滑塊的懸浮高度，磁頭滑塊在尺寸上和重量上變得更 小。此外，連接到懸浮控制磁頭滑塊的信號線的數量從不採用懸浮控制 系統的常規磁頭滑塊中的四根(兩根讀取配線和兩根寫入配線)增加到 六根(增加兩根加熱器配線)。因此，當在磁頭滑塊中同時釆用小型化和 懸浮控制系統二者時，與常規磁頭滑塊相比，用於連接磁頭滑塊的信號 線的各焊盤的寬度及這些焊盤之間的間隔變小，並且連接磁頭滑塊和前 置放大器IC的信號線的數量增大。因此，難以採用在專利文獻2至7中 公開的技術。如上所述，尚不存在針對使用懸浮控制磁頭滑塊的情況下產生的幹 擾噪聲的有效手段。發明內容做出本發明來解決以上問題，本發明的目的在於提供一種能夠降低 配線之間的串擾的影響的磁頭滑塊支持裝置和存儲裝置。為了解決以上問題，根據本發明的第一方面，提供了一種用於支持 至少設置有加熱器元件的磁頭滑塊的磁頭滑塊支持裝置，該磁頭滑塊支 持裝置包括支持部分，該支持部分包括用於支持所述磁頭滑塊的導體; 絕緣部分，該絕緣部分包括接觸所述支持部分的電介質；加熱器信號線， 該加熱器信號線是用於向所述加熱器元件供電的配線，並接觸所述絕緣部分；加熱器用GND線，該加熱器用GND線是用於連接所述加熱器元件 和地電位的配線，並接觸所述絕緣部分；以及GND連接(接地)部分， 該GND連接部分是用於連接所述加熱器用GND線和所述支持部分的連接 部分。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，所述加熱器元件的GND連接 端子連接到所述磁頭滑塊的滑塊基片。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，設置在所述磁頭滑塊上的磁 阻效應元件的兩個端子都經由設置在所述磁頭滑塊上的高電阻電阻器連 接到所述磁頭滑塊的所述滑塊基片。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，所述絕緣部分具有供所述GND 連接部分穿過的孔。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，將所述GND連接部分布置在 不接觸夾具和其他部件的位置。
根據本發明的磁頭滑塊支持裝置還包括 一根或更多根寫入信號線， 所述一根或更多根寫入信號線是用於向設置在所述磁頭滑塊中的寫入元 件供電的配線； 一根或更多根讀取信號線，所述一根或更多根讀取信號 線是用於向設置在所述磁頭滑塊中的讀取元件供電的配線；保持部分， 該保持部分保持所述加熱器信號線、所述寫入信號線及所述讀取信號線， 其中，在所述保持部分中的預定區域中，所述加熱器信號線與所述寫入 信號線之間的距離及所述加熱器信號線與所述讀取信號線之間的距離中 的至少一個比所述加熱器信號線之間的距離大。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，所述預定區域是長尾(Long Tail)懸架中的尾(Tail)部。在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，所述距離是沿所述磁頭滑塊 支持裝置的寬度方向的距離。 '在根據本發明的磁頭滑塊支持裝置中，沿所述磁頭滑塊支持裝置的 寬度方向依次布置所述寫入信號線、所述加熱器信號線及所述讀取信號 線。根據本發明的第二方面，提供了一種用於支持至少設置有加熱器元件的磁頭滑塊的磁頭滑塊支持裝置，該磁頭滑塊支持裝置包括 一根或更多根加熱器信號線，所述一根或更多根加熱器信號線是用於向所述加熱器元件供電的配線； 一根或更多根寫入信號線，所述一根或更多根寫 入信號線是用於向設置在所述磁頭滑塊中的寫入元件供電的配線； 一根或更多根讀取信號線，所述一根或更多根讀取信號線是用於向設置在所述磁頭滑塊中的讀取元件供電的配線；保持部分，該保持部分保持所述 加熱器信號線、所述寫入信號線及所述讀取信號線，其中，在所述保持 部分中的預定區域中，所述加熱器信號線與所述寫入信號線之間的距離 及所述加熱器信號線與所述讀取信號線之間的距離中的至少一個比所述 加熱器信號線之間的距離大。根據本發明的第三方面，提供了一種存儲裝置，該存儲裝置包括 磁頭控制器，該磁頭控制器控制磁頭部分；支持部分，該支持部分包括 用於支持其中設置有所述磁頭部分的磁頭滑塊的導體；絕緣部分，該絕
緣部分包括接觸所述支持部分的電介質；加熱器信號線，該加熱器信號 線是用於連接所述磁頭滑塊和所述磁頭控制器以控制設置在所述磁頭滑塊中的加熱器的配線，並接觸所述絕緣部分；加熱器用GND線，該加熱 器用GND線是用於連接所述加熱器和接地的配線，並接觸所述絕緣部分; 以及GND連接部分，該GND連接部分是用於連接所述加熱器用GND線和 所述支持部分的連接部分。根據本發明，在安裝有具有加熱器的磁頭滑塊的存儲裝置中，可以 減少讀取/寫入操作時配線之間的串擾的影響。因此，可以提高數據存儲 的可靠性，並且可以實現更高密度的記錄。


圖1是示出根據本發明一實施例的致動器的結構的示例的圖；圖2是示出根據該實施例的磁頭滑塊的結構的示例的圖；圖3是示出根據該實施例的懸浮控制磁頭滑塊與前置放大器IC之間的電連接的示例的電路圖；圖4是示出根據該實施例的懸架的結構的示例的圖； 圖5是示出根據該實施例的揉性件(flexure)的結構的示例的圖； 圖6是示出常規尾部中的配線的結構的示例的剖面圖； 圖7是示出根據該實施例的尾部中的配線的結構的示例的剖面圖； 圖8是示出根據該實施例的GND連接線附近的結構的示例的圖； 圖9是示出根據該實施例的GND連接線附近的結構的示例的剖面圖； 圖IO是示出當將根據該實施例的懸架鉚接到致動器塊時的結構的示例的圖；圖ll是示出當將根據該實施例的懸架鉚接到致動器塊時磁頭滑塊附 近的部分的結構的示例的圖；以及圖12是示出採用常規懸浮系統的磁頭滑塊與前置放大器IC之間的 電連接的示例的電路圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖描述本發明的實施例。下面將描述根據該實施例的磁碟單元(存儲裝置)中的致動器的結 A 圖1是示出根據該實施例的致動器的結構的示例的圖。致動器塊1中安裝有懸架2和FPC (柔性印製電路)4。磁頭滑塊3是懸浮控制磁頭 滑塊，並且其通過粘合劑連接到懸架2的遠端。FPC4中安裝有前置放大 器IC5。通常，前置放大器IC不僅包括信號放大器電路，而且包括用於 磁頭選擇的磁頭選擇電路、控制流向加熱器的電流的控制電路等，並且 充當根據來自控制器(例如，MPU (微處理單元)或HDC (硬碟控制器)) 的控制信號來控制磁頭的磁頭控制器(磁頭IC)。形成在FPC 4上的前置放大器IC 5的信號線和形成在懸架2上的信 號線通過焊接等彼此連接。經由連接的信號線連接前置放大器IC 5和磁 頭滑塊3。作為導體的致動器塊1和形成在FPC 4上的前置放大器IC 5 的接地在從致動器塊1中突出的銷6處通過焊接等彼此連接。作為導體 的懸架2通過鉚接固定到致動器塊1。前置放大器工C 5的接地和懸架2 通過致動器塊1彼此連接。致動器塊1的材料一般是鋁。在各磁頭滑塊3 之間插入有盤記錄介質，並且使這些盤記錄介質旋轉。隨著致動器的角 度的改變，磁頭滑塊3的位置移動到盤記錄介質上的目標軌道。 接下來將描述根據該實施例的磁頭滑塊3的結構。 圖2是示意性地示出根據該實施例的磁頭滑塊3的結構的示例的圖。 磁頭滑塊3由滑塊基片3a和薄膜磁頭部3b構成。滑塊基片3a的薄膜磁 頭部3b上堆疊有MR元件61、寫入線圈62、加熱器電阻器63、分路電阻 器64、讀取信號線連接焊盤40和41、寫入信號線連接焊盤50和51、加 熱器信號線連接焊盤31、加熱器GND線連接焊盤30。相似的是，在薄膜 磁頭部3b上堆疊有連接以上部件的導體，和連接滑塊基片3a、加熱器電 阻器63及分路電阻器64的導體。將MR元件61、寫入線圈62及加熱器 電阻器63整合，並布置在磁頭滑塊的懸浮表面側(盤記錄介質的相對側)。 在薄膜磁頭部3b中，MR元件61連接到讀取信號線連接焊盤40和41， 寫入線圈62連接到寫入信號線連接焊盤50和51，並且加熱器電阻器63
連接到加熱器GND線連接焊盤30和加熱器信號線連接焊盤31。滑塊基片 3a的材料一般是導電材料鋁鈦碳化物。接下來將描述實施例中的懸架2中的磁頭滑塊3與前置放大器IC 5 之間的電連接。圖3是示出根據本發明的懸浮控制磁頭滑塊與前置放大器IC之間的 電連接的示例的電路圖。在圖3中，與圖12中的標號相同的標號表示與 圖12中的部分相同或相對應的部分，並且這裡將省略其描述。與圖12 的不同之處在於，新設置了連接加熱器GND線30a和作為懸架2的部件 的揉性件的GND連接線30b。接下來將描述根據本實施例的懸架2的結構。圖4是示出根據本實施例的懸架的結構的示例的圖。該示圖示出了 懸架2的整體結構。在圖4中，磁頭滑塊3通過粘合劑連接到懸架2。圖 5示出了作為懸架2的部件的揉性件20的形狀。揉性件20通過雷射點焊 連接有基片21、鉸合片22和承載梁23。在揉性件20上形成有電介質24、 讀取信號線40a和41a、寫入信號線50a和51a、加熱器信號線31a、加 熱器GND線30a及覆層25。揉性件20、基片21、鉸合片22和承載梁23 的材料是不鏽鋼。信號線的材料是銅，電介質24的材料是聚醯亞胺，覆 層25的材料是聚醯亞胺或環氧樹脂。當將懸架2裝配到致動器塊1時， 基片21通過鉚接固定到致動器塊1。當形成在FPC 4上的前置放大器工C 5的信號線和形成在揉性件20上的信號線通過焊接等彼此連接時，將揉 性件20沿點線2b摺疊90。。根據本實施例的懸架2是具有長的尾部(圖4中從鉸合片22到揉性 件20的部分)的長尾懸架。在鉸合片22的附近布置有用作GND連接線 30b的鍍鎳(nickel plating) 26。接下來將描述本實施例中的尾部中的配線。對常規尾部中的配線與根據本實施例的尾部中的配線進行比較。圖 6是示出常規尾部中的配線的結構的示例的剖面圖。在圖6中，與圖4中 的標號相同的標號表示與圖4中的部分相同或相對應的部分，並且這裡 將省略其描述。在揉性件20上形成有電介質24，在電介質24上形成有 加熱器GND線30a、加熱器信號線31a、讀取信號線40a和41a、寫入信 號線50a和51a的圖案，並且這些圖案上形成有覆層25。該示圖示出了 常規尾部的剖面。在常規布置中，加熱器信號線31a和寫入信號線51a 彼此靠近，致使在寫入時，寫入信號線51a的串擾傳播經過加熱器信號 線31a，這可能導致對服元件61的損壞。圖7是示出根據本實施例的尾部中的配線的結構的示例的剖面圖。 在圖7中，與圖6中的標號相同的標號表示與圖6中的部分相同或相對 應的部分，並且這裡將省略其描述。該示圖示出了作為圖4中所示的尾 部的剖面的剖面2a。如圖7所示，加熱器信號線31a與寫入信號線51a 之間的間隔及加熱器GND線30a與讀取信號線40a之間的間隔被設定成 比加熱器GND線30a與加熱器信號線31a之間的間隔長。通過GND連接 線30b (鍍鎳26)連接加熱器GND線30a和揉性件20，使致動器塊1可 以用作加熱器GND線30a，從而不再需要設置從GND連接線30b(鍍鎳26) 延伸到前置放大器IC 5的加熱器GND線30a。此外，在如上所述地不設 置從GND連接線30b (鍍鎳26)延伸到前置放大器IC 5的加熱器GND線 30a的情況下，可以從前置放大器IC 5中去除加熱器接地。如上所述，當加熱器配線與讀取配線(讀取信號線40a和41a)之間 的間隔及加熱器配線與寫入配線(寫入信號線50a和51a)之間的間隔被 設定成比加熱器配線(加熱器GND線30a與加熱器信號線31a)之間的距 離長時，可以降低在寫入時從寫入信號到讀取信號的串擾。接下來將描述GND連接線30b。圖8是示出根據本實施例的GND連接線30b附近的結構的示例的圖。 該示圖以放大方式示出了圖4的GND連接線30b (鍍鎳26)的部分。圖9 是示出根據本實施例的GND連接線30b附近的結構的示例的剖面圖。該 示圖示出了圖8的GND連接線30b (鍍鎳26)附近的部分的剖面。在圖8 中，在電介質24中在GND連接線30b的位置處形成有直徑小於200,的 孔，鍍鎳26經由該孔連接加熱器GND線30a和揉性件20 (懸架2中的導 體)。在這種情況下，加熱器GND線30a與揉性件20之間的連接為低電 阻(小於1歐姆)連接，由此實現加熱器GND線30a與揉性件20之間的 良好的電連接性。儘管在本實施例中將加熱器GND線30a布置在讀取配線(讀取信號 線40a和41a)側並且將加熱器信號線31a布置在寫入配線(寫入信號線 50a和51a)側，但是也可以將加熱器GND線30a布置在寫入配線側。可 以設置多根GND連接線30b，並且在多個位置處連接加熱器GND線30a和 揉性件20。此外，除了使用GND連接線30b之外，還可以使用導電粘合 劑來連接滑塊基片3a和懸架2。通過設置GND連接線30b，懸浮控制磁頭滑塊的滑塊基片和懸架以小 於1歐姆的低電阻相連接，以使幹擾噪聲可以流入接地，由此降低讀取 時的幹擾噪聲。接下來將描述GND連接線30b的位置。GND連接線30b (鍍鎳26)的位置越靠近磁頭滑塊3，噪聲降低效應 變得越高。本實施例中的GND連接線30b (鍍鎳26)的位置由以下約束 確定。這裡將描述在製造磁碟單元時通過相對於致動器塊1鉚接懸架2施 加的約束。圖10是示出在本實施例中當將懸架2鉚接到致動器塊1時的 結構的示例的圖。在圖10中，與圖1中的標號相同的標號表示與圖1中 的部分相同或相對應的部分，並且這裡將省略其描述。當懸架2鉚接到 致動器塊1時，將夾具7插入各懸架2之間，以固定懸架2的位置。圖11是示出當將根據本實施例的懸架2鉚接到致動器塊1時磁頭滑 塊3附近的部分的結構的示例的圖。在圖ll中，與圖4至圖6中的標號 相同的標號表示與圖4至圖6中的部分相同或相對應的部分，並且這裡 將省略其描述。磁頭滑塊3的各信號線連接焊盤與懸架2的各信號線通 過焊球8彼此連接。焊球8可以是金球。根據本實施例的磁碟驅動器採用加載/卸載機制，並且因此具有用於 在卸載時將懸架2保持在軌道中的承載梁23a。當添加了承載梁23a時，致動器的慣性增大並且磁頭滑塊的懸浮高 度減小。為了處理以上問題，與常規磁頭滑塊相比，將磁頭滑塊3的尺 寸減小(從毫微微米量級減小到皮米量級)。因此，磁頭滑塊3的各信號 線連接焊盤的寬度及這些焊盤之間的間隔變小，使沿朝承載梁23a的方 向拉磁頭滑塊3附近的加熱器GND線30a以連接到揉性件20變得困難。 此外，當將GND連接線30b (鍍鎳26)布置在插入有夾具7的部分時， 夾具7可能損壞GND連接線30b (鍍鎳26)，所以將鍍鎳26遠離夾具7 布置。因此，將GND連接線30b (鍍鎳26)布置在遠離夾具7及其他部 件、並且以不對懸架的機械特性造成不利影響的間隙儘可能地靠近磁頭 滑塊3的位置。該位置比懸架2的中心點更靠近磁頭滑塊3。磁頭滑塊支持裝置對應於實施例中的懸架2。支持部分對應於實施例 中的揉性件20。絕緣部分對應於實施例中的電介質24。連接部分對應於 GND連接線30b 。根據本實施例的磁頭滑塊支持裝置可以容易地應用於存儲裝置，從 而提高其性能。存儲裝置的示例例如包括磁碟單元(存儲裝置)等。
權利要求
1、一種用於支持至少設置有加熱器元件的磁頭滑塊的磁頭滑塊支持裝置，該磁頭滑塊支持裝置包括支持部分，該支持部分包括用於支持所述磁頭滑塊的導體；絕緣部分，該絕緣部分包括接觸所述支持部分的電介質；加熱器信號線，該加熱器信號線是用於向所述加熱器元件供電的配線，並接觸所述絕緣部分；加熱器用接地線，該加熱器用接地線是用於連接所述加熱器元件和接地電位的配線，並接觸所述絕緣部分；以及接地連接部分，該接地連接部分是用於連接所述加熱器用接地線和所述支持部分的連接部分。
2、 根據權利要求l所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述加熱器元件的接地連接端子連接到所述磁頭滑塊的滑塊基片。
3、 根據權利要求l所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 設置在所述磁頭滑塊上的磁阻效應元件的兩個端子都經由設置在所述磁頭滑塊上的高電阻的電阻器連接到所述磁頭滑塊的所述滑塊基片。
4、 根據權利要求l所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述絕緣部分具有供所述接地連接部分穿過的孔。
5、 根據權利要求1所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述接地連接部分被布置在不接觸夾具及其他部件的位置。
6、 根據權利要求l所述的磁頭滑塊支持裝置，該磁頭滑塊支持裝置 還包括一根或更多根寫入信號線，所述一根或更多根寫入信號線是用於向 設置在所述磁頭滑塊中的寫入元件供電的配線；一根或更多根讀取信號線，所述一根或更多根讀取信號線是用於向 設置在所述磁頭滑塊中的讀取元件供電的配線；保持部分，該保持部分保持所述加熱器信號線、所述寫入信號線及 所述讀取信號線，其中， 在所述保持部分中的預定區域中，所述加熱器信號線與所述寫入信 號線之間的距離及所述加熱器信號線與所述讀取信號線之間的距離中的 至少一個比所述加熱器信號線之間的距離大。
7、 根據權利要求6所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述預定區域是長尾懸架中的尾部。
8、 根據權利要求6所述的磁頭滑塊支持裝置，其中，所述距離是沿所述磁頭滑塊支持裝置的寬度方向的距離。
9、 根據權利要求8所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述寫入信號線、所述加熱器信號線及所述讀取信號線沿所述磁頭滑塊支持裝置的寬度方向依次布置。
10、 一種用於支持至少設置有加熱器元件的磁頭滑塊的磁頭滑塊支持裝置，該磁頭滑塊支持裝置包括一根或更多根加熱器信號線，所述一根或更多根加熱器信號線是用於向所述加熱器元件供電的配線；一根或更多根寫入信號線，所述一根或更多根寫入信號線是用於向 設置在所述磁頭滑塊中的寫入元件供電的配線；一根或更多根讀取信號線，所述一根或更多根讀取信號線是用於向 設置在所述磁頭滑塊中的讀取元件供電的配線；保持部分，該保持部分保持所述加熱器信號線、所述寫入信號線及 所述讀取信號線，其中，在所述保持部分中的預定區域中，所述加熱器信號線與所述寫入信 號線之間的距離及所述加熱器信號線與所述讀取信號線之間的距離中的 至少一個比所述加熱器信號線之間的距離大。
11、 根據權利要求10所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述預定區域是長尾懸架中的尾部。
12、 根據權利要求10所述的磁頭滑塊支持裝置，其中，所述距離是沿所述磁頭滑塊支持裝置的寬度方向的距離。
13、 根據權利要求12所述的磁頭滑塊支持裝置，其中， 所述寫入信號線、所述加熱器信號線及所述讀取信號線沿所述磁頭 滑塊支持裝置的寬度方向依次布置。
14、 一種存儲裝置，該存儲裝置包括 磁頭控制器，該磁頭控制器控制磁頭部分；支持部分，該支持部分包括用於支持其中設置有所述磁頭部分的磁頭滑塊的導體；絕緣部分，該絕緣部分包括接觸所述支持部分的電介質； 加熱器信號線，該加熱器信號線是用於連接所述磁頭滑塊和所述磁頭控制器以控制設置在所述磁頭滑塊中的加熱器的配線，並接觸所述絕緣部分；加熱器用接地線，該加熱器用接地線是用於連接所述加熱器和接地 的配線，並接觸所述絕緣部分；以及接地連接部分，該接地連接部分是用於連接所述加熱器用接地線和 所述支持部分的連接部分。
15、 根據權利要求14所述的存儲裝置，其中，所述絕緣部分具有供所述接地連接部分穿過的孔。
16、 根據權利要求14所述的存儲裝置，其中，將所述接地連接部分布置在不接觸夾具及其他部件的位置。
17、 根據權利要求14所述的存儲裝置，該存儲裝置還包括 一根或更多根寫入信號線，所述一根或更多根寫入信號線是用於向設置在所述磁頭滑塊中的寫入元件供電的配線；一根或更多根讀取信號線，所述一根或更多根讀取信號線是用於向 設置在所述磁頭滑塊中的讀取元件供電的配線；保持部分，該保持部分保持所述加熱器信號線、所述寫入信號線及 所述讀取信號線，其中，在所述保持部分中的預定區域中，所述加熱器信號線與所述寫入信 號線之間的距離及所述加熱器信號線與所述讀取信號線之間的距離中的 至少一個比所述加熱器信號線之間的距離大。
18、 根據權利要求17所述的存儲裝置，其中，所述預定區域是長尾 懸架中的尾部。
19、 根據權利要求17所述的存儲裝置，其中， 所述距離是沿所述保持部分的寬度方向的距離。
20、 根據權利要求19所述的存儲裝置，其中， 所述寫入信號線、所述加熱器信號線及所述讀取信號線沿寬度方向依次布置。
全文摘要
本發明提供了一種能夠降低配線之間的串擾的影響的磁頭滑塊支持裝置和存儲裝置。該磁頭滑塊支持裝置的一個端子連接到磁頭滑塊，而另一個端子連接到前置放大器IC。所述磁頭滑塊支持裝置包括支持部分(揉性件)，其包括用於支持所述磁頭滑塊的導體；絕緣部分，其包括接觸所述支持部分的電介質；加熱器信號線(31a)，其是用於連接所述磁頭滑塊和所述前置放大器IC以控制設置在所述磁頭滑塊中的加熱器的配線，並且接觸所述絕緣部分；加熱器接地線(30a)，其是用於連接所述磁頭滑塊和所述前置放大器IC以連接所述加熱器和接地的配線，並且接觸所述絕緣部分；以及接地連接線(30b)，其是用於連接所述加熱器接地線(30a)和所述支持部的配線。
文檔編號G11B5/60GK101154391SQ20071010382
公開日2008年4月2日 申請日期2007年5月16日 優先權日2006年9月28日
發明者三浦肇 申請人:富士通株式會社