電子零件及其製法、以及用於其的密封材料糊劑的製作方法

2023-07-14 15:12:11 1

電子零件及其製法、以及用於其的密封材料糊劑的製作方法
【專利摘要】本發明涉及電子零件及其製法、以及用於其的密封材料糊劑。所述電子零件為在2片透明基板(1、2)之間具有有機部件(3)、用含低熔點玻璃的密封材料(5)接合了上述2片透明基板(1、2)的外周部的電子零件，上述低熔點玻璃含有氧化釩(V2O5)、氧化碲(TeO2)、氧化磷(P2O5)及氧化鐵(Fe2O3)，以如下的氧化物換算，為V2O5+TeO2+P2O5+Fe2O3≥75質量％，V2O5＞TeO2＞P2O5≥Fe2O3(質量％)。
【專利說明】電子零件及其製法、以及用於其的密封材料糊劑

【技術領域】
[0001]本發明涉及在2片透明基板之間內裝有機元件或有機材料、使用密封材料而接合其外周部的電子零件。

【背景技術】
[0002]存在在2片透明基板間內裝有機元件、有機材料的電子零件。該電子零件中，為了保護這些有機元件、有機材料免於受溼氣、水分等影響，用樹脂的密封材料接合2片透明基板的外周部，或進而將乾燥劑設置於電子零件內部等。然而，對於利用樹脂的接合而言，由於氣體阻隔性(氣密性)不充分，所以水分子會緩慢滲透，不能獲得充分的可靠性。另一方面，使用了低熔點玻璃的密封材料雖然可以進行具有高的氣體阻隔性(氣密性)的接合，但需要比樹脂的密封材料顯著高的接合溫度。該接合溫度超過內裝在電子零件中的有機元件、有機材料的耐熱性。
[0003]因此，考慮可局部加熱的雷射密封。密封材料使用可氣密接合的低熔點玻璃。對於該低熔點玻璃而言，吸收所使用的雷射光而被加熱、且進行軟化流動是重要的。這樣的方法由於可僅加熱2片透明基板的外周部，所以不會對內裝在電子零件中的有機元件、有機材料造成熱損傷，可進行具有高的氣體阻隔性(氣密性)的玻璃接合。
[0004]在內裝有機發光二極體(OLED)的顯示器等中，使將密封材料在外周部進行臨時燒成的玻璃基板和另一個形成了 OLED的玻璃基板合在一起，隔著玻璃基板而照射雷射，由此使密封材料中的低熔點玻璃軟化、流動，接合2片玻璃基板。專利文獻I中提案可在OLED顯示器中用雷射接合外周部的密封材料。該密封材料含有可通過雷射加熱的V2O5-P2O5-Sb2O3系低熔點玻璃、和用於降低熱膨脹係數的鋰.鋁.矽酸鹽(β -鋰霞石)的填料粒子。而且，該低熔點玻璃含有1(20、？6203、2110、1102、41203為03、103的任一種，具有不足350°C的轉化點Tg。專利文獻2中也提案應用了與專利文獻I相同的密封材料的玻璃封裝。密封材料中所含的低熔點玻璃也與專利文獻I相同。通過在具有比空氣少的氧量的低氧化氣氛中對玻璃基板外周部進行臨時燒成來阻止3價或4價的釩離子變化成5價。由此，防止由雷射照射引起的軟化流動性劣化、雷射密封后的接合部的耐溼性、耐水性下降。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本專利第4540669號公報
[0008]專利文獻2:日本特表2008-527656號公報


【發明內容】

[0009]發明要解決的課題
[0010]上述密封材料中所含的V2O5-P2O5-Sb2O3系低熔點玻璃容易引起失透(結晶化)。該低熔點玻璃失透時，由於由雷射照射引起的軟化流動性、粘接性下降，因此需要在更低溫下耗費時間來進行臨時燒成。雖然軟化流動性、粘接性可通過提高雷射輸出而改善，但由此有相當的可能性會對內裝於電子零件中的有機元件、有機材料造成熱損傷。另外，為確保以雷射接合後的耐溼性、耐水性，需要在低氧環境中進行雷射密封前的臨時燒成。
[0011]因此，本發明的目的在於:降低對內裝於電子零件中的有機元件、有機材料的熱損傷、有效地製造電子零件、降低玻璃接合層的失透。
[0012]用於解決課題的手段
[0013]為了解決上述課題，本發明提供一種電子零件，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的電子零件，其中，上述低熔點玻璃含有氧化釩(V2O5)、氧化碲(TeO2)、氧化磷(P2O5)及氧化鐵(Fe2O3),以如下的氧化物換算，為 V205+Te02+P205+Fe203 ^ 75 質量 ％，V2O5 > TeO2 > P2O5 ^ Fe2O3 (質量 ％ )。
[0014]另外，本發明提供一種密封材料糊劑，其為含有低熔點玻璃、樹脂粘結劑及溶劑，其中，上述低熔點玻璃含有氧化釩(V2O5)、氧化碲(TeO2)、氧化磷(P2O5)及氧化鐵(Fe2O3),以如下的氧化物換算，為V205+Te02+P205+Fe203≥75質量％，V2O5 > TeO2 > P2O5≥Fe2O3 (質量％ )。
[0015]發明的效果
[0016]根據本發明，可降低對內裝於電子零件的有機元件有機材料的熱損傷、有效地製造電子零件、降低玻璃接合層的失透。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1A為作為一例的電子零件的概略俯視圖。
[0018]圖1B為沿著圖1A中所示的IB-1B的密封部分的概略剖面圖。
[0019]圖2A為作為一例的電子零件的概略俯視圖。
[0020]圖2B為沿著圖2A中所示的IIB-1IB的密封部分的概略剖面圖。
[0021]圖3A為表示圖1A、圖1B中所示的電子零件的製法的一例的概略俯視圖。
[0022]圖3B為沿著圖3A中所示的IIIB-1IIB的概略剖面圖。
[0023]圖4A為表示圖1A、圖1B中所示的電子零件的製法的一例的概略俯視圖。
[0024]圖4B為沿著圖4A中所示的IVB-1VB的概略剖面圖。
[0025]圖5為表示圖1A中所示的電子零件的製法的一例的概略剖面圖。
[0026]圖6為表示圖2A、圖2B中所示的電子零件的製法的一例的概略立體圖。
[0027]圖7為表示圖2A、圖2B中所示的電子零件的製法的一例的概略剖面圖。
[0028]圖8為表示代表性的低熔點玻璃的以示差熱分析(DTA)獲得的DTA曲線的一例的圖表。
[0029]圖9為表示代表性的低熔點玻璃的熱膨脹曲線的一例的圖表。
[0030]圖10為表示對玻璃壓粉成形體的雷射照射實驗的概略圖。
[0031]圖11為表示塗布雷射密封用玻璃糊劑的狀態的概略圖。
[0032]圖12為表示雷射照射狀態的概略剖面圖。
[0033]圖13為表示代表性的低熔點玻璃的透射率曲線的一例的圖表。

【具體實施方式】
[0034]以下，說明本發明。本發明的實施方式的2種電子零件的上面概略圖和其密封部分的剖面概略圖示於圖1A、1B及圖2A、2B。圖1A、IB中所示的電子零件具有2片透明基板I和2、在透明基板I和2之間的I個以上的有機部件3 (有機元件或有機材料)，用含低熔點玻璃的密封材料5接合了該2片透明基板I與2的外周部。圖2A、2B中所示的電子零件具有2片具有較大間隔的透明基板I和2、透明基板I和2經由隔離材6而用密封材料5和5A進行了接合。
[0035]本發明的特徵在於，密封材料5、5A中所含的低熔點玻璃，含有氧化釩、氧化碲、氧化磷及氧化鐵，以如下的氧化物換算，V2O5, TeO2, P2O5及Fe2O3的合計為75質量％以上，而且，V2O5 > TeO2 > P2O5≥Fe2O3 (質量％ )。滿足該條件的低熔點玻璃，特別是通過雷射照射，有效地吸收其波長的光，且被加熱而容易軟化流動。即，通過使用該低熔點玻璃和雷射，可將加熱僅局限於所期望部位，而不會對有機部件3造成熱損傷，可接合2片透明基板I與2的外周部。
[0036]作為使用的雷射的波長，在該低熔點玻璃有效吸收光、而且透過透明基板的400~IlOOnm的範圍是有效的。波長不足400nm時，可能透明基板或其內部的有機元件或有機材料被加熱、劣化。另一方面，波長超過IlOOnm時，該低熔點玻璃的光吸收減少，不能顯示良好的軟化流動性，或者在有包含水分的位置時，有時該水分被加熱而帶來不良影響。
[0037]作為低熔點玻璃，重要的是以氧化物換算含有最多的^05。由此，低熔點玻璃高效地吸收400~IlOOnm的波長範圍的光、被加熱。同時，可使低熔點玻璃的軟化點Ts低溫化，通過對低熔點玻璃照射處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射，可容易地使低熔點玻璃軟化流動。
[0038]TeO2和P2O5為用於進行玻璃化的重要成分。若密封材料非玻璃，則在低溫下不能軟化流動。另外，即使通過雷射照射也不能使密封材料容易地軟化流動。P2O5與TeO2相比進行玻璃化的效果大， 而且在低熱膨脹化方面是有效的，但P2O5成為TeO2以上的含量時，會使耐溼性、耐水性降低，或使軟化點Ts上升。然而，另一方面，若TeO2的含量變多，則有熱膨脹係數變大的傾向。熱膨脹係數過大時，會有因雷射照射造成的熱衝擊在使低熔點玻璃進行軟化流動前破損的情況。
[0039]Fe2O3特別為作用於P2O5而使低熔點玻璃的耐溼性、耐水性提高的成分。另外，Fe2O3為與V2O5同樣可有效吸收400~IlOOnm的波長範圍的光的成分。然而，Fe2O3含量超過P2O5時，低溶點玻璃會因加熱而結晶化。該結晶化成為妨礙低熔點玻璃的軟化流動性的現象，不予優選。
[0040]以上所述的V205、TeO2, P2O5及Fe2O3各自的作用及其效果可通過使它們的含量合計為75質量％以上而得到，可得到由雷射照射引起的可靠性(粘接性、密合性、耐溼性、耐水性等)高的接合部。
[0041]低熔點玻璃的特別有效的組成範圍，以如下的氧化物換算，為35~55質量％的V2O5,19~30質量％的TeO2, 7~20質量％的P2O5, 5~15質量％的Fe2O30
[0042]在結晶化的防止、抑制中，W03、Mo03、Ta205、Zn0、Ba0、Sr0的含有是有效的。在耐溼性、耐水性的提升中^1102、513203』1203、8&0、51<^&0、1(20的含有是有效的。熱膨脹係數的降低中，Nb2O5、Ta2O5、ZnO的含有是有效的。軟化點Ts的低溫化中，Mo03、Ag20、K20的含有是有效的。另一方面，促進結晶化的成分為Nb205、Mn02、Sb203、Bi203、Ag20、K20。使軟化點Ts上升的成分為Sb203、Bi203、Ba0、Sr0。增加熱膨脹係數的成分為Mo03、BaO、SrO、Ag20、K20。降低耐溼性、耐水性的成分為 Mo03、Nb2O5, Ta2O5, ZnO。因此，含有 W03、MoO3> Nb2O5, Ta2O5, MnO2,Sb203、Bi203、ZnO、BaO、SrO、Ag2O, K2O 有利有弊。需要充分考慮由 V205、Te02、P2O5 及 Fe2O3 組成的糊劑基本組成的特性後來決定含有的成分與其含量。
[0043]以如下的氧化物換算，WO3、MoO3、Nb2O5、Ta2O5、MnO2、Sb2O3、Bi203、ZnO、SrO、BaO、Ag2O、K2O中的一種以上的合計優選為25質量％以下。這些含量的合計超過25質量％時，有時軟化點Ts上升、或熱膨脹係數變大、或結晶化傾向變大。另外，W03、Mo03、Nb205、Ta205、Mn02、Sb203、Bi203、ZnO、SrO、BaO、Ag20、K20中的一種以上的合計更優選為O?20質量％。
[0044]V2O5不足35質量％時，即使對低熔點玻璃照射處於400?I10nm的範圍的波長的雷射，有時低熔點玻璃變得難以容易地進行軟化流動。另一方面，V2O5超過55質量％時，有時耐溼性、耐水性等的可靠性下降。TeO2不足19質量％時，有時低熔點玻璃的結晶化傾向變大、或軟化點Ts上升、或耐溼性、耐水性等的可靠性下降。另一方面，TeO2超過30質量％時，有時低熔點玻璃的軟化點Ts容易低溫化，但熱膨脹係數變大，因雷射照射產生的熱衝擊而使低熔點玻璃在進行軟化流動前破損。
[0045]P2O5不足7質量％時，有時低熔點玻璃的結晶化傾向增加、且低熔點玻璃難以通過雷射照射而進行軟化流動。另一方面，P2O5超過20質量％時，有時低熔點玻璃的軟化點Ts上升、即使照射雷射低熔點玻璃也難以容易地進行軟化流動。進而，有時該P2O5使低熔點玻璃的耐溼性、耐水性等的可靠性降低。Fe2O3不足5質量％時，有時低熔點玻璃的耐溼性、耐水性等的可靠性下降，另一方面，Fe2O3超過15質量％時，有時低熔點玻璃結晶化得到促進。
[0046]WO3> MoO3> Nb205、Ta2O5> MnO2> Sb203、Bi203、ZnO、SrO> BaO、Ag20、K2O 中的一種以上的合計超過20質量％時，根據含有成分，有時低熔點玻璃的軟化點Ts上升、或熱膨脹係數變大、或結晶化傾向變大。
[0047]進而，上述低熔點玻璃的轉化點Tg為320°C以下及軟化點Ts為380°C以下是有效的。在後面進行詳細說明，但此處所稱的轉化點Tg及軟化點Ts為利用示差熱分析(DTA)的特性溫度，轉化點Tg為第一吸熱峰的開始溫度，軟化點Ts為第二吸熱峰溫度。轉化點Tg超過320°C時，有時因隨著急熱急冷的雷射密封而在低熔點玻璃產生大的殘留變形。另外，軟化點Ts超過380°C時，低熔點玻璃難以在照射雷射時容易地進行軟化流動。另外，上述低熔點玻璃在30?250°C的熱膨脹係數為100X10_7/°C以下是有效的。熱膨脹係數超過100X 10_7/°C時，有時因雷射照射時的熱衝擊而發生開裂。
[0048]另外，對於本發明而言，在圖1A、1B及圖2A、2B所示的電子零件中，密封材料5中除了上述低熔點玻璃以外，還可含有例如用於減小熱膨脹係數的填料。另外，該填料優選為磷酸鎢酸鋯(Zr2(WO4) (PO4)2)、氧化鈮(Nb2O5)、矽(Si)中的一種以上。對於這些填料而言，除了具有比本低熔點玻璃小的熱膨脹係數外，與本低熔點玻璃的親和性、密合性良好，因此可減小作為密封材料5的熱膨脹係數。
[0049]降低密封材料5的熱膨脹係數的效果，順序為以Zr2(WO4) (PO4)2為最大，接著為Si，再接著為Nb205。但是，由於Si可吸收波長處於400?IlOOnm的範圍的雷射而放熱、熱傳導比其它兩種填料、低熔點玻璃更良好，因此對雷射密封是特別有效的。密封材料中的上述填料的含量，相對於本低熔點玻璃100體積份，優選為35體積份以下。
[0050]但是，上述填料的含量超過35體積份時，有時密封材料中的低熔點玻璃的軟化流動性下降、雷射照射時粘接性變弱。[0051 ] 另外，在圖1A、IB中所示的本發明電子零件中，密封材料5產生的接合層厚度優選為20 μ m以下。接合層厚度超過20 μ m時，距離被雷射照射的透明基板側遠的密封材料5中所含的低熔點玻璃難以軟化流動，因此不能對密封材料5的厚度方向整體顯示良好的軟化流動性。另外，在圖2A、2B中所示的電子零件中，2片透明基板I和2的間隔大，尤其是其間隔在ΙΟΟμπι以上的情況下，優選經由隔離件6來進行接合。此時的接合層厚度，與密封材料5、5Α均優選與上述相同為20 μ m以下。
[0052]進而，在圖1A、1B和圖2A、2B中所示的本發明的電子零件中，透明基板I和2、或隔離件6為玻璃制或樹脂制。它們由於透明，所以400?IlOOnm的波長的光的吸收率少，且透過率高。因此，即使照射處於400?IlOOnm的範圍的波長的雷射，也幾乎不被加熱，雷射可透過、僅對所希望的部分的密封材料5或5A進行照射。雷射所照射了的密封材料5或5A，由於其中所含的低熔點玻璃軟化流動，所以可接合透明基板I和2的外周部。
[0053]以上，本發明為有效適用於內裝了有機發光二極體的顯示器、內裝了有機色素的色素增感型太陽能電池、內裝有光電轉換元件且用樹脂貼合了的太陽能電池等。另外，本發明也可以應用於在電子零件的內部應用低耐熱性的原件、材料的情況，但並不僅限於上述電子零件。
[0054]另外，本發明為含有上述低熔點玻璃的粉末、樹脂粘結劑和溶劑的密封材料糊劑。通過含樹脂粘結劑和溶劑，容易如絲網印刷等那樣塗布於基板。將密封材料糊劑塗布於基板後使其乾燥而使樹脂粘結劑和溶劑揮發，因此燒成時不發生氣泡，可提高形成了的密封材料的氣密性。作為該低熔點玻璃的粒徑，優選平均粒徑為3μπι以下。另外，作為樹脂粘結劑，優選為乙基纖維素或硝基纖維素，作為溶劑，優選為丁基卡必醇乙酸酯。而且，該密封材料糊劑也可以含有填料粒子。作為該填料粒子的粒徑，優選為平均粒徑比上述低熔點玻璃的平均粒徑大。另外，該填料粒子的含量，相對於本低熔點玻璃粉末100體積份，優選為35體積份以下。填料粒子的含量為35體積份以上時，如上述有時粘接性變弱。
[0055]接著，對於本發明的電子零件的製法進行說明。圖1Α、1Β中所示的電子零件的製法簡單示於圖3Α、3Β?圖5中。如圖3Α、3Β中所示，在透明基板I的外周部形成含低熔點玻璃的密封材料5。對於其形成方法而言，首先將成為密封材料5的上述密封材料糊劑塗布於透明基板I的外周部，進行乾燥。在透明基板I使用透明基板的情況下，通過燒成爐或照射處於400?IlOOnm的波長範圍的雷射7，使密封材料5中所含的低熔點玻璃軟化流動，向透明基板I燒成、形成。在透明基板I使用樹脂基板的情況下，樹脂的耐熱性低而不能使用燒成爐，因此通過上述雷射7的照射使密封材料5燒成、形成於透明基板I的外周部。
[0056]接著，如圖4Α、4Β中所示，製作形成了 I個以上的有機部件3的另一透明基板2。透明基板2可為玻璃基板、樹脂基板的任一者，但優選與透明基板I的材質一致。使透明基板I的形成了密封材料5的面與透明基板2的形成了有機部件3的面如圖5中所示那樣對向而將2片透明基板1、2對位，將有機部件3配置於由透明基板1、2和密封材料5形成的內部空間。予以說明，在通過雷射照射來燒成塗布了密封材料5的透明基板I的情況下，由於透明基板I的外周部以外難以被加熱，所以可在透明基板I上形成有機部件3。隔著透明基板向密封材料5照射處於400?IlOOnm的波長範圍的雷射7。雷射7可自任何透明基板的外側向密封材料5照射，但由於密封材料5預先形成於透明基板I上，所以自透明基板2的外側向密封材料5照射雷射7時，可更高效地密封。此時，必須注意不要使雷射7照射到內裝於電子零件中的有機部件3。是因為有機部件3因雷射7的照射而損傷或劣化的可能性相當大。密封材料5通過上述雷射7的照射，使密封材料5中所含的低熔點玻璃軟化流動，使2片透明基板I和2的外周部接合。
[0057]另外，圖2A、2B所示的電子零件的製法簡單示於圖6和圖7。如圖6中所示，在間隔件6的至少接合面上形成密封材料5和5A。將成為密封材料5及5A的上述密封材料糊劑塗布於隔離件6至少與透明基材接合的接合面上，進行乾燥。在使用玻璃制的隔離件6的情況下，通過燒成爐或自透明基板1、2的兩外側照射處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射7或7A，使密封材料5及5A所含的低熔點玻璃軟化流動，向間隔件6燒成、形成。在使用樹脂制的間隔件6的情況下，樹脂的耐熱性低而不能使用燒成爐，因此通過上述雷射7和7A的照射而將密封材料5燒成、形成於間隔件6。
[0058]形成了密封材料5及5A的間隔件6，如圖7中所示，設置於使透明基板I和形成了I個以上的有機部件3的另一透明基板2對向的外周部上，進行固定，使處於400~I 10nm的波長範圍的雷射7和7A隔著透明基板而向封裝材料5與5A照射。此時，與上述同樣地必須注意不使雷射7和7A照射到內裝於電子零件中的有機部件3。密封材料5及5A，通過上述雷射7及7A的照射，使密封材料5及5A中所含的低熔點玻璃軟化流動，將2片透明基板I和2的外周部接合。透明基板I和2，只要對400~IlOOnm的波長範圍的光的反射率低、透射率高，則就可為玻璃基板或樹脂基板的任一者。
[0059]由以上，本發明的電子零件及其製法、以及它們中使用的密封材料糊劑，不會對內裝於其電子零件的有機元件、有機材料造成熱損傷，可有效地製造電子零件，而且可得到粘接性、氣體阻隔性(氣密性)及耐溼性、耐水性良好的玻璃接合層。
[0060]以下，使用實施例更詳細地進行說明。但是，本發明並不限於此處採用的實施例的記載，可適當組合。
[0061]實施例1
[0062]本實施例中，對於密封材料中所含的低熔點玻璃的組成與特性進行了研究。實施例示於表1~表4，比較例示於表5。表1~表5中所示的低熔點玻璃的製作中，使用高純度化學研究所制的試藥￥205、1602、卩205、卩6203、冊3、]?003、唚205、1&205、]\11102、513203、81203、2110、SrCO3、BaCO3、Ag2O及K2CO3作為原料。使用這些原料以合計成為200g地配合特定量、混合，放入鉬坩堝中，用電爐以5~10°C /分鐘的升溫速度加熱至900~1000°C，進行熔融。為了在該溫度下成為均勻的玻璃，一邊攪拌一邊將原料保持2小時。隨後，取出坩堝，將原料流到預先加熱至150~200°C的不鏽鋼板上，製作低熔點玻璃。
[0063]用噴射磨將製作了的低熔點玻璃粉碎至平均粒徑為3μπι以下。使用該粉末以5°C /分鐘的升溫速度升溫至500°C進行示差熱分析(DTA)，由此測定轉化點(Tg)、屈服點(Mg)、軟化點(Ts)及結晶化溫度(T。」)。予以說明，使用氧化鋁(Al2O3)粉末作為標準樣品。圖8中示出代表性的低熔點玻璃的DTA曲線。如圖8中所示，Tg為第一吸熱峰的開始溫度，Mg為其峰溫度，Ts為第二吸熱峰溫度，Tcry為因結晶化而開始放熱的放熱峰的開始溫度。玻璃的溫度特性由粘度定義，Tg、Mg及Ts可說是相當於粘度分別為113 3泊、1011°泊及17 65泊的溫度。為使玻璃在低溫下進行軟化流動，需要極力使Ts低溫化。另外，為使熱殘留變形緩和，優選極力使Tg低溫化。Tray為玻璃開始結晶化的溫度。結晶化由於妨礙玻璃的軟化流動性，所以優選極力使Tray與Ts相比在高溫側。
[0064]將製作了的低熔點玻璃在Tg~Mg的溫度範圍去除熱變形，加工成4X4X20mm的稜柱。使用此用熱膨脹計測定30~250°C的熱膨脹係數、轉移溫度Te及變形溫度Ατ。予以說明，升溫速度設為5°C/分鐘。另外，作為標準樣品，使用Φ5Χ20_的圓柱的石英玻璃。圖9中表示代表性的低熔點玻璃的熱膨脹曲線。圖9中減去作為標準樣品的石英玻璃的伸長量。根據30~250°C的溫度範圍的伸長量的梯度來算出熱膨脹係數。Te為顯著開始伸長的溫度，At為因荷重而變形的溫度。Te測定為在與上述DTA的Tg相比若干高處進行測定。At在上述DAT的Mg~Ts之間。
[0065]在製作的低熔點玻璃的耐溼性試驗中，使用將上述熱膨脹評價用樣品的表面進行了鏡面加工的材料。就耐溼性的評價而言，在溫度85°C、溼度85%的條件下實施10天時間，進行了鏡面加工的玻璃表面的光澤得以維持的情況評價為「〇」，其光澤減少了的情況評價為「Λ」，玻璃損壞了的情況評價為「 X 」。
[0066]製作了的低熔點玻璃的軟化流動性，用手壓(I噸/cm2)將上述用噴射粉碎機粉碎的玻璃粉末進行壓粉成形、對該玻璃壓粉成形體隔著透明基板照射各種雷射，由此來進行評價。向該玻璃壓粉成形體的雷射照射實驗的概略示於圖10。玻璃壓粉成形體8的尺寸設力0 10X2mm。將該壓粉成形體8載置於透明基板1，自背側朝向玻璃壓粉成形體8的中央部照射雷射7。透明基板I使用玻璃片。另外，雷射7使用405nm波長的半導體雷射、532nm波長的YAG雷射的二倍波、630nm波長的半導體雷射、805nm波長的半導體雷射及1064nm波長的YAG雷射。軟化流動性的評價在玻璃壓粉成形體8的雷射照射部流動的情況下作為「〇」，雖流動但發生許多開裂的情況作為「?」，軟化的情況作為「Λ」，雖軟化但發生許多開裂的情況作為「ΛΛ」，不流動也不軟化的情況作為「 X 」。予以說明，玻璃壓粉成形體8的雷射照射部的軟化流動、開裂發生狀態，通過隔著透明基板I用光學顯微鏡進行觀察來判定。
[0067]如由表1~表 4中所不的實施例Gl~64及表5所不的比較例G65~80所得知的那樣，實施例Gl~64的低熔點玻璃的軟化點Ts比比較例G67、69、73~76及78~80的低熔點玻璃低，而且熱膨脹係數比比較例G68、70~73、77及78的低熔點玻璃小，進而耐溼性比比較例G65~68、70~74、76、78及80的低溶點玻璃更良好。另外，對於實施例Gl~64的低熔點玻璃而言，由雷射照射引起的軟化流動性比比較例G67、69、73~76及78~80的低熔點玻璃更良好，而且，不會如比較例68、70~72及77的低熔點玻璃那樣即使軟化流動性良好也發生許多開裂。
[0068]實施例Gl~64的低熔點玻璃含有氧化釩、氧化碲、氧化磷及氧化鐵，以如下的氧化物換算，V205、Te02、P2O5及Fe2O3的合計為75質量％，而且，V2O5 > TeO2 > P2O5≥Fe2O3 (質量％ ) ο進而,作為玻璃成分,還可以含有氧化鶴、氧化鑰、氧化銀、氧化鉭、氧化猛、氧化鋪、氧化鉍、氧化鋅、氧化鋇、氧化鍶、氧化銀及氧化鉀中的任一種以上，以如下的氧化物換算，為 W03+Mo03+Nb205+Ta205+Mn02+Sb203+Bi203+Zn0+Ba0+Sr0+Ag20+K20 ( 25 質量％。對於特別有效的組成範圍而言，滿足了上述條件後，以如下的氧化物換算，V2O5為35~55質量％，TeO2 為 19 ~30 質量 ％，P2O5 為 7 ~20 質量 ％，Fe2O3 為 5 ~15 質量 ％，及 W03、Mo03、Nb205、Ta205、Mn02、Sb203、Bi203、ZnO、SrO、BaO、Ag20、K20 中的 I 種的合計為 O ~20 質量 ％。
[0069]另外，實施例Gl~64的低熔點玻璃，由於高效地吸收400~IlOOnm的範圍波長的雷射而被加熱，而且軟化點Ts為380°C以下這樣低，因此顯示良好的軟化流動性。另外，玻璃轉化點Tg為320°C以下這樣，熱膨脹係數為100X 1-V0C以下這樣小，因此由雷射照射引起的熱衝擊的開裂少。
[0070]實施例2
[0071]本實施例中，使用表2中所示的實施例G19的低熔點玻璃和作為透明基板的玻璃片，進行雷射密封實驗。使用用噴射磨粉碎成平均粒徑為3μπι以下的G19的低熔點玻璃粉末、樹脂粘結劑和溶劑而製作密封材料糊劑。樹脂粘結劑使用硝基纖維素，溶劑使用丁基卡必醇乙酸酯。使用該密封材料糊劑，用絲網印刷法如圖11中所示將密封材料糊劑塗布於透明基板的外周部，乾燥後，於大氣中以380°C燒成密封材料糊劑30分鐘。使形成於透明基板I上的密封材料5的線寬為1.5mm、其燒成膜厚分別為約5、10、20、30 μ m地通過改變塗布量進行調整。如圖12中所示，對向設置透明基板2，自透明基板I的方向以8_/秒的速度一邊移動雷射7 —邊向密封材料5進行照射，將透明基板I和2的外周部接合。雷射7使用實施例1所用的4種雷射。任何樣品均可接合，評價氣密性(氣體阻隔性)和粘接性。評價結果不於表6。
[0072]就氣密性(氣體阻隔性)而言，實施氦滲漏試驗，以無洩漏的情況評價為「〇」，有洩漏的情況評價為「 X 」。另外，就粘接性而言，實施剝離試驗，在透明基板或密封材料受損的情況評價為「〇」，自透明基板和密封材料的界面容易剝離的情況評價為「 X 」。在20 μ m以下的燒成膜厚的情況下，使用任何雷射，氣密性和粘接性均良好。然而，在30 μ m的燒成膜厚時，根據使用的雷射，有時不能獲得良好的氣密性和粘接性。532nm和1064nm的波長使用YAG雷射，YAG雷射由於與其它半導體雷射相比為高功率，因此認為獲得良好氣密性和粘接性。半導體雷射由於與YAG雷射相比非常廉價，因此在雷射密封中最好是使用半導體雷射，接合層的厚度優選20 μ m以下。
[0073]然而，自透明基板I和2的兩面照射雷射時，即使為30 μ m的燒成膜厚也可獲得良好的氣密性和粘接性。即，在粘接層的厚度大的情況下，用這樣的方法可充分地應對。
[0074]圖13中示出對實施例G19的低熔點玻璃進行燒成了的塗膜透過率曲線。在300~2000nm的波長區域中，波長越小則透過率越低，另外燒成膜厚越大透過率越降低。由於表I~表4中所示的其它實施例的低熔點玻璃也具有同樣的透過率曲線，因此不用說可獲得同樣的效果。
[0075]接著使用聚碳酸酯為透明基板與上述同樣地進行雷射密封實驗。聚碳酸酯由於耐熱性方面比G19的低熔點玻璃低，因此在事先燒成透明基板的情況下，使用805nm波長的半導體雷射。使用該雷射時，聚碳酸酯幾乎不被加熱而獲得G19的燒成塗膜。接著，如圖12，照射各種雷射以接合作為透明基板I和2的聚碳酸酯的外周部而與上述同樣地評價粘接性。得到與透明基板I和2使用玻璃片時同樣的結果。
[0076]實施例3
[0077]本實施例中，透明基板使用50 X 10_7/°C的熱膨脹係數的玻璃基板。密封材料中所含的低熔點玻璃使用表3中所示的實施例G43。進而密封材料中作為填料使用磷酸鎢酸鋯(Zr2(WO4) (PO4)2)、氧化鈮(Nb2O5)及矽(Si)。接著，實施與實施例2同樣的雷射密封實驗。
[0078]首先，使用用噴射磨粉碎至平均粒徑為3 μ m以下的G43的低熔點玻璃粉末、平均粒徑為5 μ m左右的Zr2 (WO4) (PO4)2^Nb2O5或Si的填料粒子、樹脂粘結劑、和溶劑來製作密封材料糊劑。另外，將填料粒子的含量相對於G43的低熔點玻璃100體積份分別設為15、25、35、45體積份。使用的低熔點玻璃G43的密度為3.53g/cm3，Zr2 (WO4) (PO4)2的密度為3.80g/cm3，Nb2O5的密度為4.57g/cm3,Si的密度為2.33g/cm3。另外，樹脂粘結劑使用乙基纖維素，溶劑使用丁基卡必醇乙酸酯。使用該密封材料糊劑、用絲網印刷法如圖11中所示塗布於透明基板的外周部，乾燥後，於大氣中以400°C燒成30分鐘。形成於透明基板I上的密封材料5具有1.5_的線寬，約10 μ m的膜厚。
[0079]如圖12中所示，將透明基板2對向設置，自透明基板I的方向一邊以8mm/秒的速度移動波長為805nm的半導體雷射7 —邊對密封材料5進行照射，將透明基板I和2的外周部接合。與實施例2同樣地評價氣密性(氣體阻隔性)和粘接性。評價結果示於表7。
[0080]如本實施例，在透明基板I和2中使用的上述玻璃基板和低熔點玻璃G43的熱膨脹差較大的情況下，由於通過在密封材料5中含有填料而可將密封材料5的熱膨脹係數降低，因此可防止開裂發生、得到良好的粘接性和氣密性。本實施例中含有Zr2(WO4) (PO4)2,Nb2O5或Si的填料。通過填料的含有而獲得良好的氣密性和粘接性。填料含量為45體積份時，由於用於接合透明基板I和2的低熔點玻璃G43的含有率變少，所以與其它例相較粘接性變差，但仍維持良好的氣密性。
[0081]由以上認為:為了將透明基板I和2用雷射來氣密且強固地粘接，密封材料5中所含的填料粒子含量相對於低熔點玻璃100體積份，優選35體積份以下。本實施例中，選定與本低熔點玻璃的親和性良好的Zr2(WO4) (PO4)2^Nb2O5及Si作為填料粒子來進行研究。填料粒子並不限於這些，也可以使用熱膨脹係數小的β_鋰霞石、堇青石、磷酸鋯、矽酸鋯等。
[0082]實施例4
[0083]透明基板I 和2的間隔為100 μ m以上時，即使以實施例2所示的製法從兩面照射雷射，密封材料5也會發生開裂，另外密封材料5中所含的本低熔點玻璃的軟化流動性不充分、或不能獲得良好的氣密性和粘接性。因此，本實施例中，如圖2A、2B中所示在透明基板I和2之間經由隔離件6進行接合。透明基板I和2及隔離件6使用透射率高的白板玻璃(白板力' 9 7 )，以圖6和圖7中所示的製法接合透明基板I和2。密封材料5和5A與實施例3同樣使用由表3中所示的G43的低熔點玻璃粉末100體積份及Zr2 (WO4) (PO4)2填料粒子10體積份、乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯構成的密封材料糊劑，如圖6中所示將密封材料糊劑塗布於隔離件6，乾燥後在大氣中於400°C燒成密封材料糊劑20分鐘。燒成的膜厚分別為15 μ m。予以說明，隔離件6的寬度固定為3mm，厚度分別設為70、320、500、1000 μ m。如果加上密封材料5和5A的厚度則分別為100、350、530、1030μπι。這些分別如圖7中所示設置於4邊的外周部，自透明基板I和2的兩面照射波長為630nm的半導體雷射7、7A來進行接合。雷射的移行速度設為8mm/秒。與實施例2同樣評價其粘接性。得知:使用任何厚度的隔離件6的情況下均獲得良好的粘接性，在透明基板I和2的間隔大的情況下，充分利用隔離件6是有效的。
[0084]實施例5
[0085]本實施例中，製作內裝了多個有機發光二極體(OLED)的顯示器，進行評價。該OLED顯示器具有圖1A、1B所示的構造。內裝的有機元件3即OLED由於容易因水分或氧而劣化，因此用含本低熔點玻璃的密封材料5氣密且強固地接合透明基板I和2是相當有效的。對於本實施例而言，透明基板I和2使用液晶顯示器中使用的無鹼玻璃。在透明基板I的外周部，使用由表4中所示的G55的低熔點玻璃粉末100體積份及Zr2 (WO4) (PO4)2填料粒子20體積份、Si填料粒子10體積份、乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯構成的密封材料糊劑，如圖3A、3B中所示將密封材料糊劑塗布於透明基板I的外周部，乾燥後，在大氣中於400°C燒成密封材料糊劑30分鐘，形成了密封材料5。所形成了的密封材料的寬度為2.5mm,燒成膜厚為10 μ m。另一方面，在透明基板2上如圖4A、4B中所示形成了對應於像素數的多個OLED。如圖5中所示使該透明基板2和上述透明基板I對向，自透明基板I的方向向密封材料5照射雷射7。雷射7使用805nm的波長的半導體雷射，以8mm/秒的速度在外周部移動，將透明基板I與2的外周部接合。
[0086]進行剛製作後的OLED顯示器的點亮試驗結果，確認為沒有問題地點亮。另外，接合部的粘接性也良好。接著使該顯示器在85°C -85% Rh-1O天、25天及50天的條件下實施高溫高溼試驗，進行點亮試驗。作為比較也加入用樹脂接合了的OLED顯示器。予以說明，該樹脂接合層的寬度為3mm，厚度為10 μ m。在10天的高溫高溼試驗中，任一的OLED顯示器均沒有問題而可點亮，但用樹脂接合了的顯示器在25天以後的點亮發生大的劣化。這是因為水分與氧自樹脂接合部導入於顯示器內部、OLED劣化。另一方面，本發明即使經50天的高溫高溼試驗，在OLED的點亮中也未見到劣化，為良好的試驗結果。這為教導了良好氣密性得到維持的結果。進而，也評價了高溫高溼試驗後的接合部的粘接性評價，結果，未見到如用樹脂接合了那樣的大的降低，與試驗前幾乎相同。
[0087]由以上得知，本發明可有效地應用於OLED顯示器。另外，不用說也可展現於搭載OLED的照明器具等的電子零件中。
[0088]實施例6
[0089]本實施例中，製作內裝了有機色素的色素增感型太陽能電池、進行評價。一般而言，對於該太陽能電池而言，有機色素的分子形成於許多的氧化鈦(T12)納米粒子的表面，對該色素照射光時，被激發了的電子向T12注入，一邊在該納米粒子內擴散一邊到達電極。另一方面，在相反的電極，電子注入到電解質，將碘(I)還原。由此可發電。對於色素增感型太陽能電池而言，由於非真空、低溫工序及不使用矽，因此在低成本化方面是有效的，但可靠性方面存在大的課題。為了改善其可靠性，密封技術成為關鍵。由於使用耐熱性低的有機色素、電解質，因此密封必須在這些物質的耐熱溫度以下的低溫下進行，一般是利用樹脂的密封。但是，樹脂密封存在不能確保長期可靠性這樣的大的課題。
[0090]將本發明與實施例5同樣地應用於色素增感型太陽能電池的密封。透明基板I和2使用高透過率的白板玻璃。就對透明基板I形成密封材料5而言，使用與實施例4相同的密封材料糊劑和相同燒成條件進行。在透明基板2上形成或設置內裝了多個有機色素等的單元，與實施例5同樣通過雷射的照射而將透明基板I和2的外周部接合。可通過密封材料5強固地接合透明基板I和2，粘接性良好。另外，即使通過與實施例5同樣的高溫高溼試驗也沒有問題，良好的氣密性得到維持。而且，高溫高溼試驗後的粘接性也良好。進而，也未見到接合部的因碘(I)的腐蝕。然而，電極因碘(I)而被腐蝕。由此，除色素增感型太陽能電子的密封以外，本發明的低熔點玻璃也可展現於電極的被覆。
[0091]由以上得知，本發明可有效地應用於色素增感型太陽能電池。另外，不只色素增感型太陽能電池，不用說也可展現於有機太陽能電池等的電子零件。
[0092]實施例7
[0093]本實施例中，製作內裝多個光電轉換元件、用樹脂貼合了的太陽能電池，進行評價。作為光電轉換元件，使用利用了單結晶矽基板的兩面受光單元。另外，這些單元通過接頭線而串聯連接。以往，在2片透明基板之間通過EVA片材貼合，端部用鋁框及樹脂密封材料固定。透明基板一般應用透射率高的白板玻璃。太陽能電池的後發事故原因幾乎都是水浸透到內部。EVA片材不具有高的氣體阻隔性(氣密性)，水分經年累月的慢慢滲透，有因其水分腐蝕單元間連接的接頭線或其連接部，粘接腐蝕單元中形成的電極而斷線的情況。因此，不使水分滲透在確保太陽能電池的長期可靠性方面極為重要。
[0094]本實施例中，透明基板使用上述白板玻璃，貼合的樹脂使用EVA片材。由於所使用的兩面受光單元的厚度包含兩面的電極量約250 μ m，以EVA片材貼附層在單元兩面為250 μ m左右，因此如圖2A、2B中所示經由隔離件進行接合。透明基板I和2的間隔成為約500 μ m，因此，作為隔離件6，使用寬度為3.5mm、厚度為470 μ m的白板玻璃。作為密封材料糊劑，使用表4所示的G55的低熔點玻璃粉末、Si填料粒子、乙基纖維素及丁基卡必醇乙酸酯來製作。Si填料粒子的含量相對於G55的低熔點玻璃100體積份為15體積份。首先，通過絲網印刷以寬度3mm分別在透明基板I的外周部與隔離件6的單面上塗布密封材料糊齊U，進行乾燥。乾燥後，在大氣中於400°C燒成密封材料糊劑30分鐘，在透明基板I上形成密封材料5，在隔離件上形成密封材料5A。此時的燒成膜厚分別為15 μ m。將形成了密封材料5A的隔離件6設置於透明基板2上，施加荷重且在大氣中於400°C加熱30分鐘，由此用密封材料5A粘接隔離件6和透明基板2。此時為確保角邊氣密性，對隔離件6彼此的連接孔施加上述G55的低溶點玻璃糊劑，同時進行燒成。在如上述製作的透明基板I和2之間，以使密封材料5與隔離件6面對面地設置以接頭線連接的數個兩面受光單元，通過EVA片材貼合。接著，自透明基板I側使805nm波長的半導體雷射以8mm/秒的速度在外周部移動，經由隔離件6用密封材料5和5A接合透明基板I和2。密封材料5和5A的氣密性、粘接性均良好。與樹脂的密封材料相比，當然可確保更長期的可靠性。
[0095]本實施例中，關於使用了兩面受光Si單元和EVA片材的太陽能電池進行了說明，但可全部適用於如使用樹脂而粘接、固定單元、透明基板這樣的太陽能電池。例如，也可展現於薄膜太陽能電池。
[0096]以上，對於應用本發明的OLED顯示器、色素增感型太陽能電池、Si太陽能電池進行說明。另一方面，本發明並不限於這些，可適用於內裝了低耐熱性的有機元件、有機材料的所有電子零件，可顯著提高該電子零件的可靠性。
[0097][表 I]
[0098]

【權利要求】
1.一種電子零件，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部，其中，上述低熔點玻璃含有氧化釩(V2O5)、氧化碲(TeO2)、氧化磷(P2O5)及氧化鐵(Fe2O3)，以如下的氧化物換算，為V205+Te02+P205+Fe203≥75質量 ％，V2O5 > TeO2 > P2O5 ≥ Fe2O3 (質量 ％ )。
2.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述低熔點玻璃以如下的氧化物換算，V2O5為35~55質量％，TeO2為19~30質量％，P2O5為7~17質量％，Fe2O3為5~15質量％。
3.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述低熔點玻璃還含有氧化鎢(WO3)、氧化鑰(MoO3)、氧化銀(Nb2O5)、氧化鑰(Ta2O5)、氧化猛(MnO2)、氧化鋪(Sb2O3)、氧化秘(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋇(BaO)、氧化銀(SrO)、氧化銀(Ag2O)及氧化鉀(K2O)中的任一種以上，以如下的氧化物換算，WO3> MoO3> Nb2O5, Ta2O5, MnO2, Sb2O3> Bi203、ZnO、SrO, BaO, Ag2O, K2O 中的一種以上的合計為25質量％以下。
4.根據權利要求3所述的電子零件，其中，上述低熔點玻璃以如下的氧化物換算，W03、MoO3> Nb2O5' Ta2O5' MnO2' Sb2O3' Bi2O3' ZnO、SrO, BaO, Ag2O, K2O 中的一種以上的合計為 20 質量％以下。
5.根據權利要求1所述的電子零件，其中，通過照射處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射，使上述低溶點玻璃軟化流動。
6.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述低熔點玻璃的轉化點為320°C以下及軟化點為380°C以下。
7.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述低熔點玻璃的30~250°C的熱膨帳係數為100X 10_7/°C以下。
8.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述密封材料含有填料，上述填料為磷酸鎢酸鋯(Zr2 (WO4) (PO4)2)、氧化鈮(Nb2O5)、矽(Si)中的一種以上。
9.根據權利要求8所述的電子零件，其中，上述填料的含量相對於上述低熔點玻璃100體積份為35體積份以下。
10.根據權利要求1所述的電子零件，其中，接合上述2片透明基板的外周部的上述密封材料的厚度為20 μ m以下。
11.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述2片透明基板的間隔為10ym以上，上述2片透明基板的外周部經由隔離件而用上述密封材料接合，接合上述2片透明基板的各片和上述隔離件的上述密封材料的厚度為20 μ m以下。
12.根據權利要求11所述的電子零件，其中，上述透明基板和隔離件為玻璃制。
13.根據權利要求11所述的電子零件，其中，上述透明基板和隔離件為樹脂制。
14.根據權利要求1所述的電子零件，其中，上述有機部件為有機發光二極體、有機色素、光電轉換兀件的任一者。
15.—種密封材料糊劑，其為含有低熔點玻璃、樹脂粘結劑及溶劑的密封材料糊劑，其中，上述低熔點玻璃含有氧化釩(V2O5)、氧化碲(TeO2)、氧化磷(P2O5)及氧化鐵(Fe2O3),以如下的氧化物換算，為 V205+Te02+P205+Fe203 ≥ 75 質量 ％，V2O5 > TeO2 > P2O5 ≥ Fe2O3( M量％ )。
16.根據權利要求15所述的密封材料糊劑，其中，上述低熔點玻璃以如下的氧化物換算，V2O5為35~55質量％，TeO2為19~30質量％，P2O5為7~17質量％，Fe2O3為5~15質量％。
17.根據權利要求15所述的密封材料糊劑，其中，上述低熔點玻璃還含有氧化鎢(WO3)、氧化鑰(MoO3)、氧化銀(Nb2O5)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化猛(MnO2)、氧化鋪(Sb2O3)、氧化秘(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋇(BaO)、氧化銀(SrO)、氧化銀(Ag2O)及氧化鉀(K2O)中的任一種以上，且以如下的氧化物換算，WO3、MoO3、Nb2O5、Ta2O5、MnO2、Sb2O3、Bi203、ZnO、SrO、BaO、Ag2O, K2O中的一種以上的合計為25質量％以下。
18.根據權利要求15所述的密封材料糊劑，其中，上述低溶點玻璃的轉化點為320°C以下及軟化點為380°C以下。
19.根據權利要求15所述的密封材料糊劑，其中，上述低熔點玻璃的30~250°C的熱膨脹係數為10X 10_7/°C以下。
20.根據權利要求15所述的密封材料糊劑，其中，進一步含有填料，上述填料為磷酸鎢酸鋯(Zr2 (WO4) (PO4)2)、氧化鈮(Nb2O5)、矽(Si)中的一種以上。
21.根據權利要求20所述的密封材料糊劑，其中，上述填料的含量相對於上述低熔點玻璃的粉末100體積份為35體積份以下。
22.一種電子零件的製法，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的電子零件的製法，其中，具有: 將權利要求15所述的密封材料糊劑塗布於玻璃制的上述透明基板的外周部的工序；將上述密封材料糊劑在乾燥後用燒成爐或處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射的照射進行燒成、形成密封材料的工序；使上述玻璃制的透明基板的形成了上述密封材料的面和其它玻璃制或樹脂制的上述透明基板對向而固定2片上述透明基板的工序；使處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射隔著上述透明基板而照射至上述密封材料來使上述低熔點玻璃軟化流動的工序。
23.一種電子零件的製法，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的電子零件的製法，其中具有: 將權利要求15所述的密封材料糊劑塗布於樹脂制的透明基板的外周部的工序；使上述密封材料糊劑在乾燥後通過處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射的照射而進行燒成、形成密封材料的工序；使上述樹脂制的透明基板的形成了上述密封材料的面和其它玻璃制或樹脂制的上述透明基板對向而固定2片上述透明基板的工序；使處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射隔著上述透明基板而照射至上述密封材料來使上述低熔點玻璃軟化流動的工序。
24.一種電子零件的製法，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的電子零件的製法，其中，具有: 將權利要求15所述的密封材料糊劑塗布於棒狀的玻璃隔離件的至少接合面的工序；使上述密封材料糊劑在乾燥後用燒成爐或處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射的照射進行燒成、形成密封材料的工序；將上述玻璃隔離件固定在玻璃制的上述透明基板和其它玻璃制或樹脂制的上述透明基板的外周部之間的工序；使處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射隔著上述透明基板而照射至上述密封材料來使上述低熔點玻璃軟化流動的工序。
25.一種電子零件的製法，其為在2片透明基板之間具有有機部件、用含低熔點玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的電子零件的製法，其中，具有:將權利要求15所述的密封材料糊劑塗布於棒狀的樹脂隔離件的至少接合面的工序；使上述密封材料糊劑在乾燥後通過照射處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射進行燒成、形成密封材料的工序；將上述樹脂隔離件固定在樹脂制的上述透明基板和其它玻璃制或樹脂制的上述透明基板的外周部之間的工序；使處於400~IlOOnm的波長範圍的雷射隔著上述透明基板而照 射至上述密封材料來使上述低熔點玻璃軟化流動的工序。
【文檔編號】C03C8/24GK104081877SQ201380005016
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年1月25日 優先權日:2012年1月30日
【發明者】內藤孝, 青柳拓也, 立薗信一, 吉村圭, 橋場裕司, 澤井裕一, 藤枝正 申請人:日立化成株式會社