高頻集成電路封裝構造及其製造方法
2024-03-23 10:00:05
專利名稱：高頻集成電路封裝構造及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種高頻集成電路封裝構造及其製造方法，特別是涉及一種高頻記憶體晶片封裝構造及其製造方法(High frequent IC package andmethod for fabricating the same)。
背景技術：
在集成電路(即積體電路)封裝構造中，電性連接晶片與基板的方法主要是可為打線(wire-bonding)方式電性連接晶片與基板，或是採用覆晶晶片接合(flip chip mounting)方式，使覆晶晶片表面的凸塊直接接合至基板，以完成基板與晶片之間的電性連接，上述的兩種方法可針對不同目的及用途的集成電路封裝構造來據以實施。
請參閱圖1所示，是一種現有習知的打線型態集成電路封裝構造的截面示意圖。現有習知打線型態集成電路封裝構造100，包括一基板110、一晶片120以及複數個焊線130。該基板110是具有一上表面111及一下表面112，如圖2所示，是現有習知的集成電路封裝構造的基板下表面示意圖，其中該基板110具有一狹長開槽114，該下表面112的該狹長開槽114兩側設置有複數個連接墊113。該晶片120的一主動面121是形成有複數個焊墊122，該晶片120是設置於基板110的上表面111，打線時狹長開槽114顯露出所有的該些焊墊122，打線形成的該些焊線130是通過狹長開槽114以電性連接晶片120的該些焊墊122與基板110的該些連接墊113，並以一封膠體140密封晶片120與該些焊線130，以密封晶片120與該些焊線130，該基板110的下表面112形成有複數個球墊115，以供設置複數個焊球150，進而可使封裝構造100對外表面接合(Surface Mount Technology，SMT)至一印刷電路板。然而，對於需要高度運算的電子產品而言，該打線型態的集成電路封裝構造100的傳輸速度已經無法符合需求，且以壓模形成該封膠體140時，會發生衝線而使該些焊線130短路。
請參閱圖3所示，是另一種現有習知的覆晶型態集成電路封裝構造的截面示意圖。該另一種現有習知的覆晶型態集成電路封裝構造200，包括一基板210、一覆晶晶片220以及一底部填充膠230。該基板210是為一種雙層或多層電路板，如圖4所示，是現有習知的集成電路封裝構造的基板下表面示意圖，該基板210具有複數個導通孔214以電性導通在基板210的上表面211的連接墊213與在其下表面212的球墊216，該上表面211是定義有一覆晶區215，其尺寸對應於覆晶晶片220。該覆晶晶片220具有一主動面221及複數個凸塊223，該些凸塊223是為矩陣排列並設置於複數個重分配焊墊222上，其是利用晶片220內部的一重分配線路層(圖中未繪出)連接晶片焊墊至該些重分配焊墊222。該些凸塊223是接合至基板210的複數個連接墊213，使覆晶晶片220與基板210之間達到電性連接，再以底部填充膠230密封保護該些凸塊223。而該基板210的下表面212是形成有複數個球墊216，複數個焊球240是設置於該些球墊216上，以供外接至一電路板。該覆晶型態集成電路封裝構造200雖然可以達到高度運算的電子產品的需求，但是由於基板210是須為多層線路的電路板，且覆晶晶片220需要製作一重分配線路層，因此基板210與覆晶晶片220的成本均高於現有習知記憶體晶片封裝所使用的基板與晶片，而不適用於高頻記憶體(記憶體即存儲介質，存儲器，內存，以下均稱為記憶體)晶片的封裝。此外，整體封裝構造的厚度亦較厚。
由此可見，上述現有的集成電路封裝構造及其製造方法在產品結構、製造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決集成電路封裝構造及其製造方法存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新的高頻集成電路封裝構造及其製造方法，便成了當前業界極需改進的目標。
有鑑於上述現有的集成電路封裝構造及其製造方法存在的缺陷，本發明人基於從事此類產品設計製造多年豐富的實務經驗及專業知識，並配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的高頻集成電路封裝構造及其製造方法，能夠改進一般現有的集成電路封裝構造及其製造方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，並經反覆試作樣品及改進後，終於創設出確具實用價值的本發明。
發明內容
本發明的主要目的在於，克服現有的集成電路封裝構造存在的缺陷，而提供一種新的高頻集成電路封裝構造，所要解決的技術問題是使其可以縮短基板與晶片之間電性傳導路徑，且不需要額外增加基板與晶片的製作成本，從而更加適於實用。
本發明的次一目的在於，提供一種新的高頻集成電路封裝構造，所要解決的技術問題是使基板為單層電路板，利用較薄基板與晶片的凸塊高度的隱藏，而可以達到整體封裝的薄化。此外，還可以降低生產成本，從而更加適於實用。
本發明的另一目的在於，提供一種新的高頻集成電路封裝構造，所要解決的技術問題是使黏接晶片與基板者是為一圖案化黏晶層，其是具有流膠通道，以利一封膠體填滿該晶片與該基板之間的間隙，並有助於凸塊或凸塊外導電填料再回焊時揮發氣體的排出，從而更加適於實用。
本發明的再一目的在於，提供一種新的高頻集成電路封裝構造的製造方法，所要解決的技術問題是使其可以取代打線製程，縮短基板與晶片之間電性傳導路徑，且能使封裝厚度更薄更容易控制，從而更加適於實用。
本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種高頻集成電路封裝構造，其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，且該基板包含一線路層；一晶片，其具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊，其中該主動面是貼附於該基板的該上表面，而使該些凸塊容置於對應的該些凸塊容置通孔內；以及複數個導電填料，其形成於該些凸塊容置通孔內，並電性連接該些凸塊至該線路層。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的線路層包含有複數個連接墊，其是位於該些凸塊容置通孔的其中一端緣。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的該些連接墊是為環形，以圍繞對應的該些凸塊容置通孔，該基板另包含有一焊罩層，其形成於該下表面，其中該焊罩層是局部覆蓋該些連接墊，以使該些連接墊成為焊罩界定墊(SMD pad)。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的基板是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路軟板。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中在該些凸塊容置通孔的內壁是形成有一電鍍層，其是電性連接至該線路層。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的該些導電填料是為焊料或是導電膠。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的該些導電填料亦形成於該線路層的複數個外接墊上。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種高頻集成電路封裝構造的製造方法，其包括以下步驟提供一基板，該基板具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，且該基板包含一線路層；設置一晶片於該基板，該晶片具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊，其中該主動面是貼附於該基板的該上表面，而使該些凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內；以及形成複數個導電填料於該些凸塊容置通孔內，該些導電填料是電性連接該些凸塊至該線路層。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。
前述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其中所述的線路層是包含有複數個連接墊，其是位於該些凸塊容置通孔的其中一端緣。
前述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其中所述的基板是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路軟板。
前述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其中在該些凸塊容置通孔的內壁是形成有一電鍍層，其是電性連接至該線路層。
前述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其中所述的該些導電填料是為焊料或導電膠。
本發明的目的及解決其技術問題另外還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種高頻集成電路封裝構造，其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔；一晶片，其具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊；一圖案化黏晶層，其是黏附該晶片的該主動面與該基板的該上表面，並使該些凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內，該圖案化黏晶層是形成有流膠通道；以及一封膠體，其至少形成於該晶片與該基板之間並填滿該圖案化黏晶層的該流膠通道，以包覆該圖案化黏晶層且再結合該晶片與該基板。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的圖案化黏晶層是由複數個黏著凸塊所組成。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的圖案化黏晶層是為一圖案化印刷形成的B階黏膠層。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的封膠體是為底部填充膠。
前述的高頻集成電路封裝構造，其另包含有複數個導電填料，其是形成於該些凸塊容置通孔內，以使該些凸塊電性連接至基板。
前述的高頻集成電路封裝構造，其中所述的基板為一可撓性電路基板。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，本發明的主要技術內容如下依據本發明，一種高頻集成電路封裝構造，主要包括一基板、一晶片以及複數個導電填料。該基板是具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，並包含一線路層，該晶片是具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊，該主動面是貼附於該基板的該上表面，而使該些凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內，該些導電填料是形成於該些凸塊容置通孔內，並電性連接該些凸塊至該線路層。
藉由上述技術方案，本發明高頻集成電路封裝構造及其製造方法至少具有下列優點本發明的高頻集成電路封裝構造，其一基板是具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，在黏晶時，一晶片的複數個凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內，複數個導電填料是形成於該些凸塊容置通孔內，以電性連接該些凸塊至該基板的一線路層，而可以縮短該基板與該晶片之間電性傳導路徑，並且不需要額外增加基板與晶片的製作成本，而具有產業利用價值。
本發明的高頻集成電路封裝構造，其中該基板是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路板，而已形成於該些凸塊容置通孔內的該些導電填料是為焊料或導電膠，由於該基板為單層電路板，故利用較薄基板與晶片的凸塊高度的隱藏，而可以達到整體封裝的薄化。此外，還可以降低生產成本。
本發明的高頻集成電路封裝構造，其在黏晶時，一晶片的複數個凸塊是對應地容置於一基板的複數個凸塊容置通孔內，其中黏接該晶片與該基板者是為一圖案化黏晶層，其是具有流膠通道，而可以利於一封膠體填滿該晶片與該基板之間的間隙，並可有助於凸塊或凸塊外導電填料在回焊時揮發氣體的排出，非常適於實用。
本發明的高頻集成電路封裝構造的製造方法，可以取代打線製程，縮短基板與晶片之間電性傳導路徑，且能使封裝厚度更薄更容易控制，從而更加適於實用。
綜上所述，本發明新穎的高頻集成電路封裝構造及其製造方法，具有電性傳導路徑短、防止衝線以及封裝薄化的功效。本發明具有上述諸多優點及實用價值，其不論在產品結構、製造方法或功能上皆有較大改進，在技術上有較大進步，並產生了好用及實用的效果，從而更加適於實用，並具有產業的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，並且為了讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，並配合附圖，詳細說明如下。
圖1是一種現有習知的打線型態集成電路封裝構造的截面示意圖。
圖2是現有習知的集成電路封裝構造的基板下表面示意圖。
圖3是另一種現有習知的覆晶型態集成電路封裝構造的截面示意圖。
圖4是現有習知的集成電路封裝構造的基板下表面示意圖。
圖5是依據本發明的第一具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖。
圖6是依據本發明的第一具體實施例，該高頻集成電路封裝構造的基板的下表面示意圖。
圖7是依據本發明的第一具體實施例，該高頻集成電路封裝構造的基板的局部截面示意圖。
圖8是依據本發明的第二具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖。
圖9是依據本發明的第三具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖。
圖10是依據本發明的第三具體實施例，該高頻集成電路封裝構造的基板的上表面已形成有圖案化黏晶層的示意圖。
100打線型態集成電路封裝構造 110基板111上表面112下表面113連接墊114狹長開槽115球墊 120晶片121主動面122焊墊130焊線 140封膠體150焊球 200覆晶型態集成電路封裝構造210基板 211上表面212下表面213連接墊214導通孔215覆晶區216球墊 220覆晶晶片221主動面222重分配焊墊223凸塊 230底部填充膠240焊球 300高頻集成電路封裝構造310基板 311上表面312下表面313凸塊容置通孔314線路層315連接墊316焊罩層317外接墊320晶片 321主動面322焊墊 323凸塊324黏晶層330導電填料340焊球 350第一封膠體360第二封膠體400高頻集成電路封裝構造410基板 411上表面412下表面413凸塊容置通孔414線路層415連接墊
416外接墊 420晶片421主動面 422焊墊423凸塊 424黏晶層430導電填料 440焊球450第一封膠體 460第二封膠體500高頻集成電路封裝構造 510基板511上表面 512下表面513凸塊容置通孔 514電鍍層515線路層 516外接墊520晶片 521主動面522焊墊 523凸塊524背面 530圖案化黏晶層531流膠通道 540導電填料551第一封膠體 552第二封膠體560焊球具體實施方式
為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的高頻集成電路封裝構造及其製造方法其具體實施方式
、結構、製造方法、步驟、特徵及功效，詳細說明如後。
請參閱圖5所示，是依據本發明的第一具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖。本發明第一具體較佳實施例的高頻集成電路封裝構造300，主要包括一基板310、一設有複數個凸塊323的晶片320以及複數個導電填料330。
在本實施例中，該基板310，其是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路軟板，例如COF、TCP或是PI等電路薄膜。該基板310具有一上表面311、一下表面312以及複數個貫穿該上表面311至該下表面312的凸塊容置通孔313並包含有一線路層314。在本實施例中，該些凸塊容置通孔313是為圓柱形通孔，其孔徑僅稍大於該些凸塊323的外徑，該線路層314是形成於下表面312，並包含有複數個連接墊315。
請結合參閱圖6所示，是依據本發明第一具體實施例中該高頻集成電路封裝構造的基板的下表面示意圖，較佳地，該些連接墊315是位於該些凸塊容置通孔313的下方端緣，其是為中空環形，以圍繞對應的該些凸塊容置通孔313，以供導電填料330的接合。
請結合參閱圖7所示，是依據本發明第一具體實施例中該高頻集成電路封裝構造的基板的局部截面示意圖，該基板310包含有一焊罩層316，其是形成於下表面312，該焊罩層316是局部覆蓋該些連接墊315的外緣與外側壁，以使該些連接墊315成為焊罩界定墊(SMD pad，Solder Mask Definedpad)，以增加該些連接墊315的固著力並防止導電填料330擴散。此外，該基板310的線路層314另包含有複數個外接墊317，該些外接墊317上是可設置有複數個焊球340，而成為球格陣列(Ball Grid Array，BGA)的封裝型態，以供連接一外接電路板。
該晶片320，是具有一主動面321。在本實施例中，該晶片320是為一動態隨機存取記憶體晶片(DRAM)，特指333MHz以上的倍速資料傳輸DDR II或DDR III等高頻記憶體晶片。此外，該晶片320並經凸塊化而具有該些凸塊323，其是設置於主動面321的複數個焊墊322上。該主動面321是以一黏晶層324貼附於基板310的上表面311，而在黏晶時該些凸塊323是容置於對應的該些凸塊容置通孔313內，以利於達到該些凸塊323的個別電性隔離並隱藏該些凸塊323的高度。其中，該黏晶層324可為印刷形成並經預烘烤的B階黏膠層、非導電顆粒膠(Non-Conductive Paste，NCP)、或是其它常用的黏晶材料。
該些導電填料330，形成於該些凸塊容置通孔313內，使該些凸塊323電性連接至對應的該些連接墊315，以達到晶片320與基板310的線路層314之間的電性互連。通常該些凸塊323是可為電鍍形成的柱狀凸塊或球狀凸塊或是打線形成的結線凸塊(stud bump)，其材質可為金、錫鉛或銅錫銀等。該些導電填料330是為焊料或導電膠，可利用印刷於基板310的下表面312方式形成。較佳地，該些導電填料330亦形成於該些外接墊317上，以利接合該些焊球340的設置或是直接表面接合至一外部印刷電路板(圖中未繪出)。
該高頻集成電路封裝構造300可另包括有一第一封膠體350，在本實施例中，該第一封膠體350是以壓模(molding)或點塗方式形成於基板310的下表面312並密封該些導電填料330。且該高頻集成電路封裝構造300亦可包括有一第二封膠體360，該第二封膠體360是以壓模方式形成，在模具內注膠以形成於基板310的上表面311並密封晶片320的側面與背面以及黏晶層324。藉由該些凸塊323及導電填料330使晶片320電性連接至基板310，而具有縮短電性傳導路徑的功效。此外，由於該些凸塊323是個別容置於對應的凸塊開孔313，且基板310是為單層電路軟板，而可使該封裝構造300薄化並能夠降低生產成本。
另外，請參閱圖8所示，是依據本發明的第二具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖。在本發明的第二具體較佳實施例中，該高頻集成電路封裝構造400，主要包括一基板410、一晶片420以及複數個導電填料430。
該基板410，其具有一上表面411、一下表面412以及複數個由該上表面411貫穿該下表面412的凸塊容置通孔413，並包含有一線路層414，可形成於該下表面412或該上表面411，該線路層414包含有複數個連接墊415，該些連接墊415是位於該些凸塊容置通孔413的下方端緣。
該晶片420，是為一動態隨機存取記憶體晶片，其具有一主動面421以及複數個凸塊423，該主動面421是藉由一黏晶層424貼附於基板410的上表面411，而使在主動面421的複數個焊墊422上的該些凸塊423是容置於對應的該些凸塊容置通孔413內。
該些導電填料430，是形成於該些凸塊容置通孔413內，以電性連接該些凸塊423至線路層414。通常該些導電填料430是為焊料或導電膠。在本實施例中，一第一封膠體450是以點塗方式形成於基板410的下表面412以密封該些導電填料430。
該高頻集成電路封裝構造400可另包括有一第二封膠體460，例如底部填充膠或其它點塗形成的固化膠體，該第二封膠體460是形成於基板410的上表面411，其是覆蓋黏晶層424的顯露部分以及晶片420的局部側面。較佳地，該基板410的線路層414是包含有複數個外接墊416，複數個焊球440可設置於該些外接墊416上，可供連接一外接電路板。如圖8所示，該些凸塊423是容置於對應的該些凸塊容置通孔413內，且該集成電路封裝構造400的基板410是可為一單層電路軟板，而具有封裝薄化的功效。此外，該第二封膠體460僅點塗形成於晶片420的側面周圍，可以降少封膠體的耗用量，並顯露該晶片420的背面而可以增進散熱性。
請參閱圖9所示，是依據本發明的第三具體實施例，一種高頻集成電路封裝構造的截面示意圖，本發明第三具體較佳實施例是揭露另一種高頻集成電路封裝構造。該高頻集成電路封裝構造500，主要包括一基板510、一晶片520、一圖案化黏晶層530以及複數個導電填料540。
該基板510，具有一上表面511、一下表面512以及複數個貫穿該上表面511至該下表面512的凸塊容置通孔513，並包含一線路層515。其中該些凸塊容置通孔513的孔內壁是可形成有一電鍍層514，其是與該線路層515電性連接。
該晶片520，具有一主動面521以及複數個凸塊523，該些凸塊523是設置在該主動面521上的複數個焊墊522，該些凸塊523是可排列於該主動面521的中央位置，亦可排列於該主動面521的周邊位置。藉由該圖案化黏晶層530黏附晶片520的主動面521與基板510的上表面511，並使該些凸塊523是容置於對應的該些凸塊容置通孔513內。
在本實施例中，請參閱圖10所示，是依據本發明的第三具體實施例中該高頻集成電路封裝構造的基板的上表面已形成有圖案化黏晶層的示意圖。該圖案化黏晶層530，是由複數個黏著凸塊所組成，可為圓形或其它形狀，且該圖案化黏晶層530(即該些黏著凸塊之間)形成有複數個流膠通道531。該圖案化黏晶層530的形成方式則能以網板印刷、模板印刷等圖案化印刷技術將一種可多階固化的液態膠先行形成於晶片520的主動面521或是基板510的上表面511，再經預烘烤成一B階黏膠層。
該些導電填料540，是形成於該些凸塊容置通孔513內，可經由一回焊步驟，以電性連接該些凸塊523至該些電鍍層514進而電性連接至線路層515。而該線路層515的線路是電性連接至複數個外接墊516。此外，一電絕緣性的第一封膠體551是可形成於基板510的下表面512，以覆蓋該些凸塊容置通孔513及該些導電填料540。複數個焊球560是可接合於該些外接墊516，即設置於基板510的下表面512。
因此，本發明是利用晶片520的該些凸塊523在黏晶時是個別地容置於基板510的對應該些凸塊容置通孔513，該些凸塊523是由該些凸塊容置通孔513朝由上表面511方向導入；並且該些導電填料540與第一封膠體551可由該些凸塊容置通孔513朝由下表面512方向填入。藉由該些導電填料540電性連接該些凸塊523與該些凸塊容置通孔513內電鍍層514進而電性傳導至線路層515。因此，本發明具有在不額外增加基板與晶片的製作成本下達到封裝薄化、電性傳導路徑短與防止衝線的功效，特別適用於高頻記憶體晶片的大量封裝。
此外，該高頻集成電路封裝構造500可另包括一第二封膠體552，其是至少形成於晶片520與基板510之間並填滿圖案化黏晶層530的流膠通道531，以包覆該圖案化黏晶層530且再結合晶片520與基板510，而增強該晶片520的固著性。在本實施例中，該第二封膠體552是為底部填充膠。因此，該第二封膠體552能夠填滿晶片520與基板510之間的間隙，避免氣泡的回包形成，並且有助於該些凸塊523或位於該些凸塊523外部的導電填料540在回焊時揮發氣體的排出。再者，該圖案化黏晶層530對於作用於晶片520的熱應力亦具有緩衝分散的功能。當基板510是為可撓性電路基板時，更具有應力緩衝的助益。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
權利要求
1.一種高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，且該基板包含一線路層；一晶片，其具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊，其中該主動面是貼附於該基板的該上表面，而使該些凸塊容置於對應的該些凸塊容置通孔內；以及複數個導電填料，其形成於該些凸塊容置通孔內，並電性連接該些凸塊至該線路層。
2.根據權利要求1所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的線路層包含有複數個連接墊，其是位於該些凸塊容置通孔的其中一端緣。
3.根據權利要求2所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的該些連接墊是為環形，以圍繞對應的該些凸塊容置通孔，該基板另包含有一焊罩層，其形成於該下表面，其中該焊罩層是局部覆蓋該些連接墊，以使該些連接墊成為焊罩界定墊(SMD pad)。
4.根據權利要求1所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的基板是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路軟板。
5.根據權利要求1所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中在該些凸塊容置通孔的內壁是形成有一電鍍層，其是電性連接至該線路層。
6.根據權利要求1所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的該些導電填料是為焊料或是導電膠。
7.根據權利要求1所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的該些導電填料亦形成於該線路層的複數個外接墊上。
8.一種高頻集成電路封裝構造的製造方法，其特徵在於其包括以下步驟提供一基板，該基板具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔，且該基板包含一線路層；設置一晶片於該基板，該晶片具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊，其中該主動面是貼附於該基板的該上表面，而使該些凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內；以及形成複數個導電填料於該些凸塊容置通孔內，該些導電填料是電性連接該些凸塊至該線路層。
9.根據權利要求8所述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其特徵在於其中所述的線路層是包含有複數個連接墊，其是位於該些凸塊容置通孔的其中一端緣。
10.根據權利要求8所述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其特徵在於其中所述的基板是為一缺乏鍍通孔(PTH)的單層電路軟板。
11.根據權利要求8所述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其特徵在於其中在該些凸塊容置通孔的內壁是形成有一電鍍層，其是電性連接至該線路層。
12.根據權利要求8所述的高頻集成電路封裝構造的製造方法，其特徵在於其中所述的該些導電填料是為焊料或導電膠。
13.一種高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及複數個貫穿該上表面至該下表面的凸塊容置通孔；一晶片，其具有一主動面以及複數個在該主動面上的凸塊；一圖案化黏晶層，其是黏附該晶片的該主動面與該基板的該上表面，並使該些凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內，該圖案化黏晶層是形成有流膠通道；以及一封膠體，其至少形成於該晶片與該基板之間並填滿該圖案化黏晶層的該流膠通道，以包覆該圖案化黏晶層且再結合該晶片與該基板。
14.根據權利要求13所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的圖案化黏晶層是由複數個黏著凸塊所組成。
15.根據權利要求13所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的圖案化黏晶層是為一圖案化印刷形成的B階黏膠層。
16.根據權利要求13所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的封膠體是為底部填充膠。
17.根據權利要求13所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其另包含有複數個導電填料，其是形成於該些凸塊容置通孔內，以使該些凸塊電性連接至基板。
18.根據權利要求13所述的高頻集成電路封裝構造，其特徵在於其中所述的基板是為一可撓性電路基板。
全文摘要
本發明是有關於一種高頻集成電路封裝構造及其製造方法。該高頻集成電路封裝構造，主要包括一基板、一凸塊化晶片及複數個導電填料。該基板是具有由一上表面貫穿至一下表面的複數個凸塊容置通孔並包含有一線路層，該凸塊化晶片的一主動面是貼附於該基板的該上表面，使得該凸塊化晶片的複數個凸塊是容置於對應的該些凸塊容置通孔內，該些導電填料是形成於該些凸塊容置通孔內，達到電性連接該些凸塊至該線路層。該高頻集成電路封裝構造具有電性傳導路徑短、防止衝線以及封裝薄化的功效。
文檔編號H01L23/50GK101030565SQ200610057848
公開日2007年9月5日 申請日期2006年3月1日 優先權日2006年3月1日
發明者黃祥銘, 劉安鴻, 林勇志, 李宜璋, 杜武昌, 林俊宏, 邱士峰 申請人:南茂科技股份有限公司, 百慕達南茂科技股份有限公司