用於電路和帶有外部局部屏蔽能量通道的無源靜電屏蔽結構的製作方法

2023-12-11 01:47:57

專利名稱：用於電路和帶有外部局部屏蔽能量通道的無源靜電屏蔽結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種用於電路和能量調節的分層式通用多功能共用傳導屏蔽結構，加上電反向互補的能量通道。該屏蔽結構也具有一個共享的、中心定位的傳導通道或電極，它能在通電的傳導通道電極之間互補地和同時地屏蔽和允許平滑能量交互。本發明當通電時通常將允許內含式傳導通道或電極分別和諧地、且以相位相反或反向帶電的方式互相操作。當被放入電路並通電時，發明實施例也將提供EMI過濾和電衝擊保護，與此同時在源和用能負載之間保持明顯均勻或均衡的電壓饋送。此外，本發明將幾乎總是能夠有效地提供同時的能量調節功能，包括旁通、能量和信號去耦、能量存儲、以及集成電路柵的同時開關操作(SSO)狀態中的持續平衡。隨著發明實施例在電路內被被動地操作，這些調節功能被提供以被放置回電路系統中的寄生破壞性能量的最小貢獻。
今天，隨著全世界社會中電子器件的密度的增加，消除電磁幹擾(EMI)和使電器產品免於這種幹擾的政府標準或自定標準已經變得更加嚴格。僅僅在若干年前，幹擾的主要原因的來源和條件諸如是電壓失調、來自電衝擊的亂真電壓瞬變、人類、或其它電磁波發生器。
在更高的工作頻率，以現有技術部件傳播能量的線調節已經導致以EMI、RFI和電容和感應寄生為形式的幹擾的水平的增加。這些增加的原因是由於無源部件固有的製造失調和性能缺陷，在以更高工作頻率工作時相關電路中產生或引起幹擾。EMI也可能從電路自身中產生，因此需要對EMI屏蔽。差動和共用方式噪聲能量能被生成並且將總是沿著並圍繞電纜、電路板軌跡或跡線、高速傳輸線和總線通道而移動。在許多情況中，這些關鍵能源導體起著輻射能量場的天線的作用，使問題更加嚴重。
其它EMI幹擾源由有源矽部件在工作或轉換時產生。諸如SSO之類的這些問題是電路破壞的臭名昭著的原因，產業中已知的問題包括無屏蔽的差動能量通道允許寄生能量自由耦合到電路，在高頻上產生嚴重幹擾。
其它對電路的破壞產生於大的電壓瞬變以及由變化的地電勢引起的地迴路幹擾，這會使準確平衡的計算機或電力系統無用。現有的電衝擊和EMI保護器件已經不能在單個集成電路封裝中提供足夠的保護。各種分立的和連網的集總濾波器、去耦器、電衝擊消除器、組合和電路配置已經證明是無效的，如現有技術的缺陷所表明的那樣。
美國專利申請號09/594,447(2000年8月3日申請)的各個部分以及以下共同所有的專利(美國專利號6,097,581、6,018,448、5,909,350和5,142,430)的各部分，涉及對新的一組分立的多功能能量調節器的繼續改進。09/594,447是美國申請號09/594,447(2000年6月15日申請)的待定申請的部分繼續，09/594,447是美國申請號09/579,606(2000年5月26日申請)的待定申請的部分繼續，09/579,606是美國申請號09/460,218(1999年12月13日申請)的待定申請的部分繼續。這些多功能能量調節器提出一種共用共享、中心定位的共用傳導電極，其結構能互補地和同時地與附接到外部載能傳導通道的通電和成對的電互補的差動傳導能量通道電極交互。
本申請拓展了這些構思，進一步披露了一種新的實施方案，申請人認為其作為電路保護和調節系統的一部分，有助於解決和減少工業問題和障礙。
本申請也提供與現有技術相比具有前所未有的適應性或易於生產改裝的製造基礎結構。

發明內容
根據前面的介紹發現，需要提供一種分層式多功能共用傳導屏蔽結構，在內容廣泛的實施例內，該結構含有共享一個共用的、中心定位的、便於能量調節的共用傳導通道或電極的能量傳導通道，同時含有多個其它功能部件。
該分層式多功能共用傳導屏蔽結構也通過允許在分組的和通電的傳導通道與實施例元件外部的各種傳導通道之間進行預定的、同時的能量交互而對在電反向差動電極能量通道上存在的傳播能量的各部分提供同時的物理和電屏蔽。
一種用於高頻去耦的高級方法是提供位置緊密的低阻抗、在電反向差動電極能量通道或配電/信號平面的內部和相鄰的平行能量通道，而不是在PCB上用多個平行的低阻抗去耦電容器來試圖實現相同的目的。
相應地，按照本發明，對幾百MHz以上的低阻抗配電的解決方案在於內部平行互補對準和定位的薄介電配電平面技術。
因此，本發明實施例的一個目的也是與單一部件或單一無源調節網絡相比能夠在寬的頻率範圍上有效地操作。理想情況下，本發明在其應用潛能方面能是通用的，並利用各種預定分組元件的實施例；工作發明將幾乎總是在運行超過1GHz頻率的系統內繼續有效地執行。
本發明實施例的一個目的是提供對有源系統的能量去耦，與此同時為該有源部件及其電路保持恆定的視在電位勢。
本發明實施例的一個目的是最小化、消除或過濾由在開始受發明實施例影響的電子通道內流過的差動和共用方式電流產生的無益的電磁輻射。
本發明實施例的一個目的是提供用於傳導能量通道的多功能共用傳導屏蔽和能量調節結構，該結構具有各種各樣的多層實施例並採用多種不受特定物理特性限制的介電材料，當被附加到電路中並通電時，能提供同時的線調節功能和保護，如將要說明的那樣。
本發明實施例的一個目的是向用戶提供解決現有技術器件解決不了的問題或局限的能力，這些問題或局限包括但不僅限於，同時的源至負載和/或負載至源的去耦、差動方式和共用方式EMI過濾、多數能量寄生的保留和排除、以及在一個集成實施例中的電衝擊保護；以及在採用原始製造的實施例的外部的共用傳導區或共用能量通道時執行所述的這些功能。
本發明實施例的一個目的是容易地適合於與一個或多個外部傳導附件一起用於位於原始製造的發明的外部的共用傳導區，這能幫助本發明實施例提供對電子系統電路的保護。此外，還從在職的向有源電子部件提供保護，後者來自由一個發明實施例本身貢獻的電磁場輻射、過電壓和消耗能量的電磁輻射，而在現有技術器件中則是以寄生的形式貢獻回主電路中的。
本發明實施例的一個目的是提供一種物理上集成的、屏蔽包容的、傳導電極體系結構，用於獨立的電極材料和/或獨立的介電材料成分，對於可能產生的本發明的多個可能實施例來說，該結構在被製造時，不把發明實施例限制在特定的形式、形狀或大小，不限於本文所示各實施例。
本發明實施例的一個目的是向用戶提供一個實施例，讓用戶能實現能用於集成到多個電子產品中的比較價廉的、小型化的解決方案。
本發明實施例的一個目的是提供一個實施例，它能減少對為實現所希望的過濾和/或線調節所需的額外的支持分立無源部件的需要，這是現有技術部件不能提供的。
本發明實施例的一個目的是向用戶提供一個實施例，讓用戶能實現一種容易製造的、通用的多功能電子實施例，以對當前在使用現有技術器件時面臨的各種電問題和約束有一致性的解決方案。
本發明實施例的一個目的是提供一種實施例，其形式是分立或非分立器件、或者傳導通道的預定分組，這些器件或傳導通道構成一個多功能電子實施例，當附接到外部傳導通道或預定的傳導表面時，在寬的頻率範圍上有效地操作並同時對有源電路部件提供能量去耦，與此同時為電路各部分保持恆定的視在電位勢。
本發明實施例的一個目的是提供一種實施例，其形式是分立或非分立器件、或者傳導通道的預定分組，這些器件或傳導通道構成一個多功能電子實施例，用於提供阻塞電路或使用該實施例固有的固有共用傳導通道的電路，與外部傳導表面或接地區組合起來提供從成對傳導通道導體至另一個能量通道的連接，以衰減EMI和過電壓。
本發明實施例的一個目的是提供一種實施例，它採用標準製造工藝、由普通的介電材料和傳導材料或合成傳導材料構成，以在實施例內的電通道之間達到緊緻的電容容限，與此同時為從源到使用能量的負載的能量傳播保持一個恆定的、不間斷的傳導通道。
最後，本發明實施例的一個目的是提供這樣一個實施例，它將各對電導體非常緊密地互相耦合在一個部分被多個共同連接的傳導電極、板、或通道封裹的區域或空間中，並使用戶能選擇有選擇地將外部導體或通道耦合到作為該實施例一部分的單獨的、非共用的能量通道或電極板上。
本說明也公開了實現或基於發明實施例的以上目的和優點的許多其它安排和配置，以展現本發明範圍內的通用多功能共用傳導屏蔽結構加上兩個用於能量和EMI調節和保護的電反向差動的能量通道的多功能性和廣泛應用。


圖1表示按照本發明的多功能共用傳導電極通道和差動電極通道的詳細平面圖，它們層疊地位於通用法拉第屏蔽結構實施例9900的一部分內，實施例9900在圖2中表示，具有疊層傳導分層步進；圖2表示按照本發明的、具有疊層傳導分層步進的通用法拉第屏蔽結構9900實施例的部件透視圖；圖3表示按照本發明的、成對差動旁通電路調節實施例9905的剖面圖，該實施例採用通用法拉第屏蔽結構的一個實施例部分，該結構具有電極疊層的傳導分層步進，用於調節多個單獨的旁通電路；圖4表示按照本發明的兩組差動、雙扭線、跨接饋通電極能量通道的分層定位的俯視圖；圖5表示按照本發明的包含配置有分離的差動電極配置的電極能量通道的一組成對的「直接饋通」饋通電極分層的平面圖；圖6-6A表示的共用傳導屏蔽電極通道的詳細平面圖表示按照本發明的典型的分離電極配置，圖6B表示的詳細平面圖表示按照本發明的典型的分離電極配置；圖7A表示另一個備擇實施例9210的局部的剖面圖，包含按照本發明配置的兩對電反向差動、雙扭線、跨接饋通電極能量通道；圖7B表示按照本發明的9910的俯視圖的局部；圖8表示備擇實施例9915局部的剖面圖，包含按照本發明配置的各對電反向差動電極能量通道；圖9表示在實施例中出現的所有電極所使用的分離電極的電路組合。作為本發明的一種選擇，這個組合的備擇方案可以讓兩組電極中的一組配置為不分離的。
具體實施例方式
本文作為參考引用包括美國申請號09/594,447(2000年6月15日申請)在內的共同待定和共同所有的申請。09/594,447是美國申請號09/579,606(2000年5月26日申請)的共同待定申請的部分繼續，09/579,606是美國申請號09/460,218(1999年12月13日申請)的共同待定申請的部分繼續，09/460,218是美國申請號09/056,379(1998年4月7日申請，現已授權，專利號6,018,448)的申請的繼續，09/056,379是美國申請號09/008,769(1998年1月19日申請，現已授權，專利號6,097,581)的申請的部分繼續，09/008,769是美國申請號08/841,940(1997年4月8日申請，現已授權，專利號5,909,350)的申請的部分繼續。
本申請這裡也引用共同待定和共同所有的美國臨時申請的各部分作為參考，這些臨時申請包括2000年2月3日申請的美國臨時申請號60/180,101，2000年4月28日申請的美國臨時申請號60/200,327，2000年8月xx日申請的美國臨時申請號60/xxxxx，2000年8月xx日申請的美國臨時申請號60/xxxxx，2000年8月xx日申請的美國臨時申請號60/xxxxx，2000年12月15日申請的美國臨時申請號60/xxxxx，因為它們以一種形式或另一種形式涉及對這組新的用於能量傳播電路的多功能能量調節器和屏蔽結構的繼續改進。
這裡所用的術語「通用多功能共用傳導屏蔽結構加兩個電反向差動能量通道」指的是分離和非分離這兩種形式的、利用額外的電反向差動通道作為傳導饋通和旁通能量通道的共用傳導屏蔽結構。
此外，這裡所用的縮略詞「AOC」表示「預定的物理匯聚或匯合區域或空間」，其被定義為被製造在一起的發明元件的物理邊界。非通電化和通電化被定義為或者分立形式的或者非分立形式的通用多功能共用傳導屏蔽結構加上電反向差動能量通道的「AOC」內的能量以互補的方式向和/或從位於預定區域以外的區域傳播能量的範圍或程度。
電學中普遍將能量傳播之間的各種交互和相互關係按它們的互補動力學加以描述，這種互補動力學是由成對的、具有反向能量或力的能量部分元件引起的，這些反向能量或力的能量部分元件從一個極反向或電互補狀態交互作用於每個其它的極反向或電互補狀態。受當今檢測設備的限制，這些交互作用的結果經常是無法記錄到的。因此，交互作用被描述為互補平衡狀態的動態事件，具有同時發生的、有相同的、或互補的、類鏡的、逆鏡像定位和定時的等等的對偶的對稱性，這是考慮到該技術領域的熟練人員明白用於描述和記錄某些動力學的人造容限和/或限制，儘管一般被精確的文字意義許可，但永遠沒有在達到現有物質的分子或原子量級上的對事件的可記錄性。
在量子力學世界，互補性原理認為，存在成對的量，它們是互補的，因為僅當被放在一起時它們才描述一個整體，但是它們又是互相排斥的，因為它們永遠不能被同時測量。它們之所以不能被測量，是因為測量一個屬性的行為產生一個含有正被測量的部分、測量和觀測者的統一體。這個更大的動態整體進而定義一個新的動態「部分」，它分離於、但是連接到正被測量的原始動態「部分」或事件。這兩個動態「部分」必然總是互相排斥。無論我們觀測到什麼，無論我們如何設計試驗，該動態「行為」總是表明一個在試驗之外卻又與其相連的新「部分」。在量子力學中，這個原理直接導致著名的不確定原理，不確定原理斷言，在同時測量中可獲得的精確性上有根本的局限。這個原理也限制進行能量測量所需的能量的和時間的同時測量的精確性。
為了用藝術中的例子與科學對照，通常通過賦予每個元件應有的重要性以及經常允許一個元件與另一個形成對照、對立或者配對，取得(如藝術作品中的)各元件的在美學上令人愉悅的集成。在藝術中而不是在科學中，互補這個詞經常在不怎麼嚴格的意義上使用，指對應部分不必相同但只是類似的一種平衡。可以將效果描述成不僅是對照的，也是互補的。
對稱設計應當產生令人愉悅的效果；如果有太近的對應關係，效果可能會單調。產生與原始圖形相同的圖形(或其鏡像圖形)數學運算或變換被稱作對稱運算。這種運算包括反射、旋轉、雙重反射、和轉換。使圖形不變的所有對給定圖形的運算的集合構成該圖形的對稱組。因此，對一定的同時、相關測量對的組合精確性的限制一般來說，在某對象的各個部分之間的平衡或對應；術語對稱用於科學，應當考慮到由相反力的相等或精確調整而產生的穩定性和效率。
這些定義也應當與通常施加的不確定原理一起使用，受本測試設備具有的精確性程度的限制，並且在大規模的普通測量、更小結構的檢查或組合的操作上未必是能注意到的。測量或聲稱取消或消除的聲明在考慮到製造的普通理解的意義中，指的是就結構而言的形狀和大小，並且理解為前述各事件即使在設備不能測量或證實其為冷事實也已經發生。
如上所述的這些概念給人的感覺是，只用幾句話來描述事件的各種程度的限制的意義是困難的事情。這不是藉口，相反，對已知的可認為是嚴格或確定性的詞語的用法，在這裡仍然被使用，期望讀者或本領域的熟練人員以通常允許的不精確程度來理解這些詞語、形容詞、副詞和名詞。
使用的下列詞語，諸如「互補同時」、相同時間、相同大小、大小相同、等同、相等、大小相等、等等，應當按解釋這些詞語所依賴的現實世界的精度來理解，都根據對被認為正常和標準的一般理解，特別是根據對製造容限儘可能實際的理解，或者根據現有技術水平內實際要構造本文所述的發明及其變體的不同OEM而言是慣例的理解。因此，所描述的各變體，都是按標準工業過程設想的，具有各種標準工業總成限制或任何其它對製造通電電路實施例的電子器件的標準工業的標準工業限制，不是僅僅如對本說明書中所述發明及其變體所描述的那樣的。
本發明在諸如分立和非分立結構的各種實施例中的形式是分層或層疊的導電、半導電和非導電介電獨立材料的組合。可以將這些層組合起來，形成能在系統中設置和通電的獨特電路。發明實施例包括各層導電、半導電和非導電的平面，它們構成各組共用傳導通道電極、導體、沉積體、極板(它們在這裡都被稱作「通道」)和介電平面。這些層的方向彼此形成總體平行的關係，朝向預定的元件對或組，這些元件對或組也包括各種通道組合以及它們在預定製造結構中的分層。
這些發明元件不僅僅限於介電層、多個電極傳導通道、薄板、疊層、沉積體、多個共用傳導通道或屏蔽、薄板、疊層或沉積體。該發明也包括組合和連接所述介電層、多個電極傳導通道、薄板、疊層、沉積體、多個共用傳導通道或屏蔽、薄板、疊層或沉積體在一起，用於以預定方式通電到更大的電系統中。
結構化層裝置在被製造時或之後，能被定形、埋入、封裝於或插入各種電系統或其它子系統中，以執行線調節、去耦和/或輔助改變能量的電傳輸。該發明可以是單獨、獨立的實施例，或者成組地製造成更大的電結構，諸如集成電路。該發明也以非通電的、獨立的、分立的器件的形式存在，與一個組合一起通電，作為其它實施例中更大電路的子電路，這些實施例諸如但不限於印刷電路板(PCB)、幹涉儀、基底、連接器、集成電路、光學電路或原子結構。也可以將備擇的發明實施例構造成另一個器件的形式，諸如PCB、幹涉儀或基底，具有與較小的分立形式的發明實施例的作用不同的作用。這類備擇實施例可作為可能的連同電路一起含有有源和無源部件的系統或子系統，層疊起來提供所述的用於調節從一個源至一個負載並返回的傳播能量的多數好處。現有技術的印刷電路板已經在用具有VIA的分層配置來服務或分接(tap)位於介電和絕緣材料之間的各種電能、信號和地層。
至少一對電反向互補對準(aligned)和層疊傳導能量通道電極幾乎都被組合成電極籠狀結構、包含至少一個中心的和共享、共用傳導通道或區的對稱地對準和層疊的屏蔽電極包圍。在通電時，內部/外部共用能量通道電極和/或區變成一個共享的基準地平面，用於在兩個反相位或電反向差動傳導能量通道電極之間存在的電路電壓，這兩個電極在電學上或物理上位於共用能量通道電極以及中心和共享共用傳導電極通道或外部共用傳導區的相反端。這些類型的配置顯著地有助於消除E場和H場、散雜電容、散雜電感、寄生物，並允許不同位置的信號、電能和返回通道的電場的互相取消。建立有PCB或使用PCB的發明體系結構的實施例變體能用各種接地方案來提高現在被大PCB製造商使用的現有結構的效率。
為了傳播電磁幹擾能量，需要兩個場，即一個電場和一個磁場。電場兩點或多點之間的電壓差把能量耦合到電路中。在空間中的改變電場能產生磁場。任何時間變化的磁通量產生電場。結果，純電或純磁的時間變化場不可能彼此獨立地存在。儘管不必建立發明實施例來比另一種場更多地調節一種類型的場，可以設想使用不同類型的材料來建立進行這種特定的對一個能量場比另一個更多的調節的實施例。
對於所述的本發明的幾乎所有實施例和沒有描述的實施例，申請人設想製造商可選擇將各種各樣的可能材料組合起來，在製造時組合成本發明的構成，與此同時仍然保留髮明實施例的某些或幾乎所有需要的程度的電功能。
用於發明實施例的組成的材料可包含一個或多個與現有加工技術相符的材料元件層，並且不限於任何可能的介電材料。這些材料可以是半導體材料，諸如矽、鍺、鎵-砷化物，或者半絕緣或絕緣材料之類，諸如但不限於任何K、高K和低K電介質。同樣地，發明實施例不限於任何可能的傳導材料，諸如磁性、鎳基材料、MOV型材料、鐵素體材料、諸如聚酯薄膜的薄膜，或幾乎任何種類的能產生傳導材料的傳導通道的物質和過程，以及幾乎任何種類的諸如但不限於摻雜多晶矽、燒結多晶物質、金屬、或多晶矽矽酸鹽、傳導材料沉積物、使用附接在通電的成對導線之間的發明實施例或單元將減輕電容失衡或電路電壓失衡的問題，或減輕通常與現有技術器件相關聯的在高頻操作時加重的製造失衡的問題。
現有技術在相同生產批量中製造的電容器容易在不同部件間有電容偏差，範圍在＞.05％-25％。因此，當把現有技術的電容器放入電路並通電時，它們的製造容限被帶入電路，在這種情況中，例如差動成對電路加重電路中的電壓失衡。即使現有技術的單元被製造得在分立單元之間具有小於10％的最小電容偏差，也要由用戶支付某個成本或一定的費用，以便製造商收回檢測、手工分類製造品的成本，以及用於更專用的電介質和用於製造具有差動信號或過濾所要求的降低個體偏差的現有技術單元所需的製造技術的額外成本。該發明允許使用非常價廉的介電材料(相對於其它可用材料而言)來獲得兩個導線之間的平衡。
發明實施例的使用將允許放入到差動操作的電路或幾乎任何電反向和差動成對線電路中，以提供互補和基本相等的電容容限，因為發明單元，那將被在以電方式使用發明實施例的電路的每個成對線之間的傳播能量的各部分均勻地共享和互補。在發明實施例內的共享中央傳導通道之間的發明電壓容限和/或電容和電感平衡和/或最小化將幾乎總是被相對地保持在起初在工廠製造發明實施例時的水平，即使是使用X/R電介質，普通規定其在分立單元中具有多達20％的允許電容偏差。
所以，以大於0至至少5％的容限的值製造的發明，當按說明書中所述被製造時，將幾乎總是也具有一個大於0至至少5％的容限的相關值，通電系統中的成對線之間的電容容限，和具有一個所述發明實施例的旁通成對線的兩個現有技術器件的附加好處交換。因此，旁通和/或去耦操作不再需要昂貴的、專用的介電材料來試圖在兩個系統傳導通道之間保持電容平衡，且讓發明用戶有機會在整個電路的材料構成中採用同類的電容元件。將新發明置於傳導通道之間，同時將也構成發明實施例的共用傳導通道連接到第三傳導通道，後者對共用傳導通道的所有元件共用，是外部傳導區。
當通用多功能共用傳導屏蔽結構加兩個電反向差動性能量通道被製造並在隨後附接到外部製造的、與也在使用發明實施例的電反向差動性能量通道分開的傳導通道時，發明實施例將總是同時提供能量調節功能，至少包括旁通、能量、電力線去耦、能量磁場和過濾。在發明實施例內幾乎所有電反向差動性能量通道或電極幾乎完全被封裝在屏蔽結構內，將幾乎總是相對地免受幾乎所有內部生成的試圖從包圍被封裝的差動傳導通道電極的封裝容器區中逃逸的電容或能量寄生體的影響。同時，通用多功能共用傳導屏蔽結構阻止幾乎任何外部生成的諸如「浮動電容」的電容或能量寄生體耦合到非常相同的封裝差動傳導通道上，這是因為與靜電屏蔽效應不相干的物理屏蔽，靜電屏蔽效應是由共用傳導屏蔽結構及其附接通過公知的工業附接裝置創建的，現有技術已知後者連接到位於外部的工業傳導區。
共用外部傳導區的附接包括諸如通常被描述為「浮動的」、無電勢傳導區(在給定時刻)、電路系統迴路、底盤或PCB接地、甚至大地接地等區。通過其它功能，諸如取消互相反向的能量場和內部連接的平行電路，發明實施例允許在高斯-法拉第籠狀或共用傳導屏蔽單元之上或之內相對於其封裝傳導共用屏蔽通道電極生成低阻抗通道，隨後能便於各部分能量持續地移動出去，值位於外部的共用傳導區，由此完成也用於利用不需要的EMI噪聲的低阻抗的能量通道的產生或便於其生成。
這個附接方案將幾乎總是允許在共享中央和共用傳導通道的相對各端上生成一個「0」電壓基準，對於每個定位的差動導體，其(差動導體)結構的每個和外部使用等共用傳導表面。發明實施例的使用允許電壓被保持並互補，即使在位於集成電路內的柵之間有SSO(同時轉換操作)狀態並且當發明實施例在電路系統內被被動地操作時沒有返回到電路系統中的貢獻破壞性能量寄生體。
因此，由於打破被製造成非通電的發明的電容平衡，寄生體被阻止或最小化，這與不使用傳導屏蔽結構的每個其它現有技術單元中所發生的相反。現有技術一般允許自由寄生體作用於破壞電路，儘管作出了與迄今為止幾乎所有現有技術的器件相反的最佳努力。
如前所述，被傳播的電磁幹擾可能分別是電場和磁場的產物。直到最近，本領域中一直在強調用DC能量或電流從攜帶高頻噪聲的能量導體中過濾EMI。然而，發明實施例能夠調節使用沿電系統或測試設備中傳導通道的DC、AC和AC/DC混合型能量傳播的能量。這包括使用發明實施例來在相同的電系統平臺內調節含有許多不同類型的能量傳播格式的系統中的能量、在含有許多種電路傳播特性的系統中的能量。
應當注意，儘管沒有顯示，圖2、3、8和9中的各種電極層被設想為具有分離的電極設置或具有其它非分離設置的組合。由於時間的關係，本說明書在特定附圖中省略了各種組合。
法拉第籠狀結構的要點在將共用傳導通道彼此連接時被使用，所述通道組與更大的外部傳導區或表面一起協作，以消除輻射的電磁輻射，提供一個更大的、在其中消耗過電壓和電衝擊的傳導表面區，並同時啟動寄生物和其它瞬變的共用傳導電極籠狀靜電動態消除，此時，多個共用傳導通道電連接到系統或底盤接地，依賴於將發明實施例放置在其中並通電的電路的基準接地。電反向差動傳導能量電極或結構是電分離的並且也彼此屏蔽，一般不觸及發明實施例內部。
構成法拉第籠狀結構的附接的內部共用傳導電極通道允許共用外部傳導區或共用能量通道實際上變成一個擴展的、位置緊密的、並且大體平行的、相對它們位置的所述共用傳導元件的裝置-如果在隨後通電時位於預定的分層PCB或類似的電子電路內部的話。
圖1、圖2和圖3中表示了帶有疊層傳導分層步進通用法拉第屏蔽體系結構，該體系結構具有成對的電反向差動傳導通道。所以，將在圖1、圖2、和圖3之間來回自由地討論，以便披露如圖3中所示的實施例9905那樣的獨立的並可交換地配置的法拉第籠狀共用傳導屏蔽結構的成對差動傳導通道的一部分，當放入圖1、圖2和圖3中的各種內部和外部共用傳導通道(未予完全示出)的傳導組合中時，它能便於多重且獨立操作的能量調節。
圖2中，實施例9900中的共用傳導屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM包含一個通用法拉第屏蔽體系結構的實施例，該體系結構具有所示的疊層傳導分層步進，沒有成對的、電反向差動傳導通道。最後和可選的包夾的850F/850F-IM和850B/850B-IM共用傳導屏蔽通道在實施例9900中被用作圖像罩，作為在圖3中的9905所示的使用各種共用電極通道的一個變體的一部分，可以發現需要的話，後者也包含帶有具有傳導差動通道的疊層傳導分層步進的通用法拉第屏蔽體系結構的一部分。
應當注意到，這裡所述的總體要點大多-但不是全部-對該新發明和備擇實施例是通用的。涉及共用傳導通道800/800-IM的段落，就連接到相同的電勢外部共用通道而非外部差動通道(二者在圖1和圖2中都沒有示出)來說，也適用於其它共用傳導通道。
圖1顯示圖2的完整屏蔽電極容器800E的局部。回到圖1，差動傳導旁通電極通道855BB被夾在共享的中央共用傳導通道800/800-IM與共用傳導屏蔽電極通道810B之間(810B在圖1中沒有表示出來，但表示在圖2中)。
位於通道855BB之上和之下的是一個介電材料或介電介質801。沉積、製造和/或放置介電材料或介電介質801的行動，大部分是在由本領域中已知的標準裝置進行的製造過程中對預定介電材料或介質801的封裝和插入。
介電材料801在實施例邊沿817和共用電極通道邊沿805之間形成一個分隔區或空間，並對差動傳導通道電極邊沿803和實施例邊沿817形成總體相等距離的間隔。共用傳導通道800/800-IM和810B、以及電極通道855BB，幾乎都有大部分被用頂著它們放置的預定介電材料或介質801彼此隔開一個大致平行的中間距離814C。814C距離存在於855BB的邊界或表面或表面邊沿803和800-/800-IM-1和2的805的至少兩端上，每個對應的平面電極(2)主表面區以及所述的每個周邊邊緣大部分與材料801接觸，例外的地方是，分別地對每個傳導電極分層位置，分別通過延長部分812A和79-GNDA使各種傳導連接連接到各種電極連接材料798_GNDA和890A。
應當注意到，元件806的嵌入距離或區是通電期間能量通量部分的包容區的邊界，這個間隔幾乎總是相對於周邊共用屏蔽電極邊沿805和包夾的共用傳導屏蔽電極通道和幾乎任何包夾的差動傳導電極通道(未予示出)的電反向差動電極邊沿803。在發明實施例的幾乎任何共用屏蔽電極通道799G傳導材料區的共用電極邊沿805內的幾乎任何差動傳導電極通道電極邊沿803的這種定位和後退距離806被認為是發明實施例的一個原則。該原則適用於幾乎任何包含並使用無論在容器中還是在如圖3所示的屏蔽800「x」容器的外部的屏蔽電極分層結構的成對的差動傳導通道，並且包括至少一對在該屏蔽電極分層結構之外的外部電反向差動電極，不過圖3中所示的兩個外部電反向差動電極將總是在某種程度上利用分立或非分立形式的實施例(在這裡可能沒有被顯示)中屏蔽方式的屏蔽電極分層結構。
開始，如圖2中所示的發明實施例的一部分以及從圖1中開始之後的兩個單一的共用傳導容器800「X」現在分別各以兩個共用傳導罩形成。然而，在製造過程中，不使用四個共用屏蔽電極，人們能建立兩個具有三個共用屏蔽電極的共用傳導屏蔽電極容易，以建立例如800E和800F。所以，每個單一的共用傳導容器800E和800F在共享一個位於中心位置的屏蔽電極通道，該屏蔽電極通道是兩個傳導屏蔽電極結構和容器共用的，後者在本例中又構成一個標記為900A的共用傳導法拉第中心結構。
應當注意到，不僅形成了共用傳導法拉第中心結構900A，更大的共用傳導屏蔽電極結構9900的分別被記為900「X」或900B和900C的共用傳導屏蔽電極結構的各部分現在被建立。
圖2中所示的共用傳導屏蔽電極結構900A、900B和900C每個足以獨自地作為一個共用傳導法拉第籠狀結構與電反向差動電極一起操作，如果個個都是這樣建立的，並且如果它們包括至少一對由同一個共用傳導法拉第籠狀結構分隔並且在屏蔽電極分層結構內部之外的外部電反向差動電極，則它們將幾乎總是仍然都雙雙在某種程度上利用分立或非分立形式的實施例(在這裡可能沒有被顯示)中屏蔽方式的屏蔽電極分層結構。
當發明實施例利用分別配對的電反向差動能量通道(未予示出)的放置並且通電時，並且如果一個像900A、900B和900C那樣結構也被連接在一起並被連接到一個外部共用能量通道，而不是利用電反向的並且外部的差動能量通道，則能量調節功能將幾乎總是在附接到通電電路中時發生。
相對於圖1的800/800_IM-內的電極855BB的嵌入的相對嵌入或重疊屏蔽距離和區806，使得能從這個位置關係和發明實施例內各種元件關係產生靜電屏蔽效應等等。這些空間/距離關係有些包含幾乎所有種類的(差動的和共用的)電極相對於彼此的垂直定位，通過就互相以及在內部隔離這些電極所用的隔離介電材料801量，對內部電極位置的各自相對橫向定位。這也包括各種相對於外部實施例邊界的間隔和距離關係或能量調節功能以及它們在這些邊界內的為在這些位置和邊界內發生的適當能量交互作用所需的效用。應當注意到，共用傳導通道800/800-IM應當在周邊或邊沿把重疊距離擴展到電極通道855BB的周邊或邊沿以外，以提供對各種類型的能量通量場(位於示出)的各部分的屏蔽，若不是因為有共用電極800/800-IM-，810F，這些能量通量場可能已經正常地試圖逃離或延展到電極通道855BB的電極邊沿803以外，以連接到一個「犧牲」傳導通道(未完全示出)上。
由通電的、由一組法拉第籠狀系統組成的這些共用電極通道的組合產生的靜電屏蔽效應導致在幾乎所有任何位於內部的、諸如一般位於附近的875BB(未予示出)的差動電極通道之間的近場耦合的減少或最小化。可以說水平電極嵌入距離806的範圍在約大於0至20+乘以垂直距離或電極嵌入距離或814C，作為一個差動到一個共用電極屏蔽嵌入806的近似測量的嵌入間隔，這在電極通道855BB與共用傳導通道800/800-IM之間產生一定的距離關係。這是以標準製造方法和距離為根據的。
換言之，主表面電極傳導區大小、較小的延長部分(如果使用的話)、或者任何相鄰的差動電極通道的傳導平面的大小，將幾乎總是小於與之相鄰和平行的任何一個共用傳導屏蔽通道的對應的主表面電極傳導區大小、較小的延長部分(如果使用的話)、或者任何相鄰的差動電極通道的傳導平面的大小，而不管另一個差動電極(諸如有分離的電極搭配的)以外的幾乎任何分隔這兩個相鄰發明元件為何。這意味著儘管有介電材料801或分離的差動電極搭配，下一個相鄰的共用傳導屏蔽電極通道將幾乎總是至少在覆蓋大小上更大並且將被視為屏蔽同一個相鄰的差動電極。
有一個對一般規則的大小例外，這僅適合於如圖3中所示的865BB和865BT的外部包夾差動電極通道。這些特殊的外部包夾差動電極通道的傳導區大小、傳導材料覆蓋範圍或傳導平面大小可以大於或者小於其相鄰的共用傳導屏蔽電極通道，並且，如圖3中所示的外部包夾差動電極通道這些865BB和865BT的大小不必互相等同，因為有其它的發明點功能變體配置。
所以，除非任何成對的差動電極通道集合的總體對應的傳導主電極表面區大小、主電極傳導材料的覆蓋的或傳導平面大小與任何下一個相鄰的共用傳導屏蔽電極主電極表面或通道相同，這個原則的變體被視為擁有所公開的能量調節功能部分的發明實施例。
電嵌入距離806可以為特定應用進行優化，但是共用/差動電極疊合806的周邊距離、每個各被包容的差動電極的與共用屏蔽電極通道對的距離814、806A和814C和疊合關係在整個發明實施例中理想地是近似相同的，如製造容限所允許的那樣。
此外，像855BB那樣的被包夾在圖3諸如800/800-IM和810B(未予示出)的兩個共用傳導通道內的內部差動傳導電極通道，在差動傳導電極855BB的電極邊沿803之間保持一個806距離關係，它將相對於差動傳導電極800/800-IM的周邊電極805，使得電極邊沿805具有一個暴露的或「探出」電極邊沿803的周邊，其距離至少是說明書的圖7A中所示的垂直隔離距離814C，該圖顯示一個相對介電厚度，它允許一個距離或區嵌入是一個與806的相對橫向距離有關的規則，它是加到相對800E的差動電極通道電極邊沿803測量的從共用傳導屏蔽電極邊沿805的三維距離806的結果，使得差動傳導通道電極855BB的外電極邊沿803被嵌入其間並被包夾的共用傳導通道800/800-IM和810B(未予示出)的共用電極邊沿周邊805重疊，覆蓋一個距離或區域806，沿著幾乎位於800/800-IM、810B上並歸於800/800-IM、810B的805和803的整個距離，同時相對於被包夾的差動傳導能量電極通道855BB或等同物。在通道之間總體上或個別的806、814和814C距離的較小差別並不重要，只要不損害帶有包含成對的電反向差動傳導通道的層疊傳導分層步進的通用法拉第屏蔽體系結構的靜電屏蔽功能(未予示出)。
共用傳導屏蔽電極通道，諸如圖1和圖2中所示805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，以及例如圖3中所示的系列，最好一般幾乎都分別對用戶所希望的類型的成品實施例以及如正常製造限制允許的那樣具有接近相同大小的共用傳導屏蔽電極通道材料799G，以保證各種相鄰共用傳導通道的幾乎任何組合有同類的區域大小關係。這適合於在幾乎任何一般發明實施例構成中各自按屏蔽電極分組的共用傳導通道的每個成員的大小關係。所以，任何一個被包夾在內部的差動傳導通道，無論是單個地還是與其相同大小的配對對象，都將幾乎總是被至少兩個更大的但是相對彼此相同大小的共用傳導屏蔽電極通道在物理上完全屏蔽，這兩個通道將幾乎總是由一個比它們屏蔽的差動電極的屏蔽傳導電極區更大的屏蔽傳導電極區。這個相同大小的共用傳導屏蔽電極原則適合於相對本發明的任何法拉第籠狀共用傳導屏蔽結構容器內的包夾的差動傳導通道或電極(諸如圖2中表示的以及圖3中部分表示的記為800A、800B、800C、800D、800E、800F、800G和800H(每個被統稱為800「X」))來說至少大小相同或更大的共用電極能量通道元件的傳導材料區的大小關係。
也應當注意到，幾乎任何一個包夾共用傳導通道具有的頂部和底部傳導材料區的總和將幾乎總是大於任何一個被包夾的差動傳導通道單獨的頂部和底部的總傳導區材料的總和。任何一個被包夾的差動傳導通道將幾乎總是幾乎完全地在物理上被共用傳導屏蔽電極材料屏蔽，以構成典型的具有包含成對的電反向差動傳導通道的層疊傳導分層步進的通用法拉第屏蔽體系結構。
圖1和圖2中所示的所有傳導共用傳導通道，包括共用傳導屏蔽電極通道805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，一般被從實施例9905(未予示出)的外邊沿817嵌入一個預定的三維距離814，這可由圖1的800E詳細看出。
應當注意到，元件813是顯示發明實施例(未予示出)內發生的三維能量調節功能的中心軸點的動態表示，相對於通電電路中實施例的最終大小、形狀和位置。
所以，成對的和相同大小的電反向差動成對通道，與更大的包夾共用傳導通道如圖2的800/800-IM和810B一起，按相同種類分組內互相的同類的種類分組(共用的或差動的)，在相關製造能量允許的情況下，將分別幾乎總是相同大小的。這個相同大小的傳導通道電極種類原則，對幾乎所有包含幾乎新發明實施例的一般構成內的一些只要元件的傳導通道種類分組都有效。
繼續看圖1，差動傳導電極通道855BB可包含一個沉積的、摻雜、化學生成的或放置的、或者簡單屏蔽的傳導電極材料區799，任何差動傳導通道將幾乎總是在總的傳導區大小上比任何一個共用傳導屏蔽電極材料區799G的大小更小，並且當計算總的傳導電極材料2區的比率時，幾乎總是相對於任何給定的包夾共用傳導通道的，諸如800/800-IM和810B的，傳導電極通道材料799區。(應當注意到，就本說明書而言，799和799G一般是相同的傳導材料類型，不過在其它實施例中它們可以是不同的材料類型，它們在本文中是相同的類型，但是有不同的標記，這是為了儘可能徹底地解釋實施例。)。
圖2中所示的這些805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM構成屏蔽電極容器800A、800B、800C、800D、800E、800F、800G和800H，一直到包裹差動對，以構成像成對的傳導屏蔽一樣的容器800X，這些包夾功能將再次在很大程度上幫助執行相對外部附接的共用傳導區或共用能量通道的能量傳播部分，並將同時便於為發明實施例內包含的電路生成電壓圖像基準輔助。
應當注意到，構成發明實施例一部分的相同數量的屏蔽電極容器結構800「X」，在按照被遵循的預定層疊序列的實施例結構內是平衡的，在製造過程中錯誤地或故意地增加的幾乎任何額外的單個共用傳導屏蔽通道層將不足以妨礙或影響能量調節操作。增加的額外共用傳導電極層實際上能暴露製造過程中的潛在的成本節省，其中幾乎任何自動的層處理都可能加入額外的一個或多個外層，或者實際上不包括記為-IM的這兩個共用傳導屏蔽電極之一。這些製造錯誤，無論是故意的還是偶然的，都不會對包含按照正確順序層疊的的共用傳導屏蔽電極容器800X的發明實施例的平衡有根本的損害，如所討論的那樣，申請人完全考慮到了這一點。然而，這個原則在有額外的外部間隔的成對的大小相同的電反向差動傳導通道存在時就不成立。在這種情況中，構成發明實施例一部分的相同數量的屏蔽電極容器結構800「X」，必須在按照被遵循的預定層疊序列的實施例結構內保持平衡。在應用另外的外部分隔的成對的大小相同的電反向差動傳導通道之前，不應放置任何另外的單個的共用傳導屏蔽通道層。因此，在製造過程中，在放置另外的外部分隔的成對的大小相同的電反向差動傳導通道之前被錯誤地或故意地添加的幾乎任何另外的單個的共用傳導屏蔽通道層都不會損害或影響能量調節操作。發明實施例的幾乎任何變體內的成對的大小相同的電反向差動傳導通道的數量必須示偶數。
進一步查看圖2可見，共用傳導屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，在被按分立部件設置時，也被提供支持的介電材料801和發明實施例的外罩包圍。標記為798-＂X＂的公用傳導連接材料或結構，被施加到為該配置所顯示的至少兩端上的結構9900內含有的共用通道電極材料799G的電極邊沿805處的所述共用屏蔽通道電極擴展79-GNDA的一個加長的相鄰部分，如圖2中所示，以及如對圖1中的共用電極能量通道800/800-IM詳細顯示的那樣。應當注意到任何電極邊沿805處的共用屏蔽通道電極擴展79-GNDA的數量。
各種介電材料801也使預定的電調節功能能在沿在實施例AOC內或使用實施例AOC的電反向成對差動傳導能量通道的各種組合傳輸的傳播能量的各部分上操作。
進一步查看圖2發現，元件類型798-GND＂X＂共用傳導附加裝置、電極或端接結構將允許共用傳導屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM分別互相地電連接和物理連接，並與如圖3中所示的相同的電傳導外部共用傳導通道或外部共用傳導能量通道或區域6803電連接或物理連接。
通用多功能共用傳導屏蔽結構9900包含如圖所示的多個層疊的、共用傳導籠狀結構900A、900B和900C，進而包含總體呈平行關係的多個層疊的、共用傳導籠狀結構800A、800B和800C(每個都統稱為800X)。每個共用電極屏蔽籠狀結構800X都包含至少一個共用傳導通道電極850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM。層疊的、共用傳導籠狀結構800X的數量並不僅限於這裡所顯示的數量，並且可以是幾乎任何偶數整數。因此層疊的、共用傳導籠狀結構900X的數量也並不僅限於這裡所顯示的數量，並且可以是幾乎任何偶數或奇數整數。
儘管沒有顯示，在其他應用中， 每個成對的共用傳導籠狀結構800X包夾至少一個傳導電極通道，如前文結合圖1所述的那樣。共用傳導籠狀結構800X在圖中被顯示為分離的，目的是強調它們是被配對在一起的，幾乎任何類型的成對的傳導通道都可以被插入各個共用傳導籠狀結構800X內。所以，共用傳導籠狀結構800X有一個通用的應用，當被配對在一起時，生成更大的共用傳導籠狀結構900X，後者分別被描述為900B、900A和900C，可以與成對的傳導通道組合在一起用於分立的或非分立的配置，諸如但不限於內嵌在矽樹脂內或者作為PCB、分立部件網絡之類的一部分。
如圖2中已經描述的那樣，介電材料801將共用傳導通道電極850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM與被包夾在其中的成對的、相同大小的電反向差動傳導電極通道或傳導通道電極(未予示出)絕緣，並且也絕緣以及屏蔽外部的至少一對相同大小的電反向差動傳導通道。
此外，如結合圖1和圖2所描述的那樣，最少需要兩個籠(例如構成更大的籠900A的800E和800D)來構成一個用於本發明的幾乎所有分層化實施例的多功能線調節結構。相應地，如圖2中所示的那樣，每個900A、900B和900C分別需要至少兩個共用傳導蘢狀結構800X。(除介電材料等以外的)任何序列的非常基本的共用傳導通道製造結果應當表現為一個屏蔽電極實施例結構，它包含最少三個共用傳導互連的層疊共用屏蔽電極通道，並進一步包含至少兩組成對的電反向差動電極能量通道，一個成對的組在該最少三個共用傳導互連的層疊共用屏蔽電極通道之內，一個成對的組在該最少三個共用傳導互連的層疊共用屏蔽電極通道之外，它們能被連接並通電，使得它在通電時含有至少一部分的操作電路。
概言之，當將單個的更大的法拉第籠狀結構900「X」附接到更大的外部傳導區(未予示出)時，該組合有助於同時地執行對沿著被包夾在在籠狀結構900「X」內的各種成對的電反向差動傳導電極通道分組(未予示出)的能量傳播的通電的線調節和過濾功能，以及絕緣至少一對位於外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動傳導通道。
具有層疊的傳導分層步進的通用法拉第屏蔽結構的幾乎所有變體都以互連的屏蔽結構的形式被使用，該結構包含各種個別地分層的屏蔽電極，它們共享一個共用的傳導連接，連接彼此，並連接位於外部的、不是差動傳導通道的能量通道。
位於內部的屏蔽電極彼此的傳導共用連接，以及與不是差動傳導通道的外部能量通道的連接，允許這個第三通道被同時用作一個單獨的能量通道，它能向發明實施例內包含的各部分電路提供基準電壓。被分組的電極屏蔽通道所用的第三能量通道同時也便於生成一個由利用差動通道進行傳播的各部分能量所用的預定低阻抗。
能量通過發明實施例的差動傳播，便於在發明實施例AOC內生成提供各部分能量的器件或實施例，以便以互補的和平衡的方式利用發明實施例的各部分，以利使電路系統效率優於類似的現有技術電路的效率。這個單獨的並且通常被共享的第三通道，因其在通常更大型通電電路中實際的物理和電路位置，不僅僅起著見於預定通電電路中的能量的分壓器的作用。這個物理和電路位置，最恰當地說是通電操作期間在至少一組內部的、成對的和反向地協作的差動傳導能量通道與至少一對位於外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動傳導通道之間的屏蔽電極中間和電共用位置。
這個單獨的第三通道，也變得作為共用的電壓基準節點而被使用和共享，這不僅是對於發明實施例和/或其813AOC(未予示出)內的電路操作而言的，也是對於通電操作期間的至少一組成對的和反向地協作的差動傳導能量通道和相同電路的至少一對位於外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動傳導通道而言的。
本發明也將最小化或消除分別源於與電路相連的成對的和反向協作的差動傳導能量通道的任何之一的無益的能量寄生的彼此幹擾，發明實施例的AOC內的各部分傳播電路能量電路或電壓平衡。該發明也將最小化有害和無益的能量寄生，為以共用方式能量之類的形式逃脫而將後繼的傳導通道釋放回到電路系統中，以妨害AOC影響之外的電路。
現在參看圖3，可以將總體結構9905分解成更小的成對的籠狀傳導結構部分，以揭示例如各種小至900A的重疊傳導屏蔽結構的更小分組，900A進一步包含共用傳導屏蔽電極通道810F-、800/800-IM、810B-，各個屏蔽種類分組將幾乎總是被用外部共用傳導材料6805或工業標準連接裝置(未予示出)傳導地組合和附接在一起，以允許使用位於外部的共用傳導區或通道6803，它不屬於能被發現附接到或傳導地連接到該新發明的典型應用的發明實施例的各種外部的電反向差動傳導能量通道。
如在圖3中所見，為了調節如內部855BB和內部855BT的成對電反向差動傳導旁通方式能量通道以及如圖3的外部865BB和外部865BT的成對電反向差動傳導旁通方式能量通道，更大的容器800「X」疊層將包含共用傳導通用屏蔽電極結構9905或等同物，其方式使得能以預定的方式添加各種共用傳導通道屏蔽電極，以構成成對的900「X」結構，後者進而形成類似於圖2中所示的一個更大的總體屏蔽電極結構。
只要共用傳導連接材料連接798-GNDA能通過如圖3中所示的、分別記為79-GND「X」的、統記的電極擴展部分的延伸而保持與共用通道電極邊沿805的某種物理或電接觸，則完全配置的發明實施例就應正確工作。
在圖3中，每一個如圖3的內部855BB和內部855BT的成對電反向差動傳導旁通方式能量通道都被認為分別包夾每個共用互連傳導通道，諸如共用成對電極屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B的各種組合，它們把855BB和855BT差動傳導通道包夾在內部，後者自己以大致相等806定位後縮(圖1)。此外，每一個如外部865BB和外部865BT的成對電反向差動傳導旁通方式能量通道也被層疊並電絕緣。在這些條件下，傳導電路在被通電時將實施本發明實施例的功能，諸如以互補和共用的方式對剛剛討論過的位於內部的共用傳導屏蔽電極和材料區或沉積物進行噪聲或能量場消除或最小化、過濾和電衝擊消除。如圖3中所見，每個容器800D和800E能容納相等數量的大小相同的差動電極，諸如內部855BB和內部855BT，它們在更大的結構900A內互相之間在某種程度上是物理反向的，不過它們被調整方向，將分別以總體上物理和電平行的方式操作，這就使得各種能量調節功能能被保持。
具有協作的各具有罩形結構的800D和800E的更大的傳導法拉第共用傳導屏蔽結構900A，當在電路內被通電，並通過連接到與共用傳導區6803附接的電連接的外部施加的共用傳導電極材料的電極擴展79-GNDA而附接到相同的外部共用傳導通道區6803時，變成一個電(...)這是由傳導焊接材料6805或用於傳導附件的其它普通連接裝置或如電阻設置等已知的工業方法、或各種已知的焊接方法(未予示出)並通過使用內部電極擴展79-GNDA、以及幾乎任何通常可接受的工業附接方法(位於示出)諸如重注焊接、傳導環氧樹脂和黏合劑之類(但未予示出)而完成的。
因此，任何製造順序如下(不包括介電材料等)一個差動傳導通道865BB、然後是一個共用傳導通道810B、然後是位於內部的差動傳導通道855BB、然後是中央的和共享的共用傳導通道電極800/800-IM，然後是內部差動傳導通道855BT、然後是共用傳導通道810F、然後是外部電反向差動傳導通道865BT。當圖3中的這個例子的完整結構被通電時將生成一個電壓基準通道。
再次參看圖3，包含810F、800/800-IM、810B的部分現在被顯示包含圖3的實施例9905的一部分。某些共用屏蔽電極被設置成包含兩個798-GNDA電極擴展(圖1中有詳細顯示)的屏蔽電極，並且進而與9905實施例的其它元件組合在一起，將幾乎總是被放置在組合中，以形成一個具有兩對成對的電反向差動傳導旁通能量通道的實施例，其包含兩個分別為內部855BT和外部865BT以及內部855BB和外部865BB的成對能量通道的子集合，並且也被視為共享共用屏蔽電極能量通道或結構900A的成對旁通傳導通道元件。
圖3表示實施例9905的附接的剪切版本的各種元件，是以剪切的視圖顯示的。具有包含用於利用獨立的操作旁通能量傳播方式同時沿成對的電差動通道傳播能量的獨立的電路的層疊傳導分層步進的通用法拉第屏蔽體系結構900A的概念是所顯示的結構9905，它包含所示的層疊的共用傳導蘢狀結構900A，共用傳導籠狀結構900A又是由多個層疊的共用傳導籠狀結構或容器800D和800E(每個都統稱為800X)構成，共用傳導籠狀結構或容器800D和800E呈總體平行但互連的傳導屏蔽關係。每個共用傳導容器800疊合800E包含至少兩個共用傳導通道電極810F、800/800-IM、810B。層疊的共用傳導互連屏蔽電極籠狀結構800X的數量通常是偶整數。因此，層疊的共用傳導籠狀結構900X的數目也不僅限於這裡所示的數目，通常是個偶數或奇數整數。
圖3中也顯示，每個成對的共用傳導籠狀結構800X包夾至少一個傳導差動旁通方式通道電極，後者包含兩對獨立工作的電反向的大小相同的傳導差動旁通方式通道電極。層疊的共用傳導互連屏蔽電極蘢狀結構800X幾乎都能與分立或非分立設置中的獨立但成對的外部差動成對能量通道組合起來使用，所述分立或非分立設置諸如但不限於如圖3和圖7A中所示的分立的獨立部件，或者其它沒有被顯示的部件；諸如但不限於部件組合、矽集成電路內分立或非分立的內嵌、插入物、模塊、基底或PCB的局部、能量調節網絡等等。
共用傳導通道電極810F、800/800-IM、810B都如圖中所示地在79-GNDA(s)傳導地互連，79-GNDA(s)通過焊接材料6805或本領域內已知的任何其它附接裝置提供與外部共用傳導能量通道或區6803的傳導互連點。每個共用傳導通道電極810F、800/800-IM、810B都是在介電材料801上形成的，外露側帶僅由介電材料801而不是傳導電極材料799G構成。
也應當注意到，如圖3中所示，所示的成對設定的電反向差動能量通道成對的、共同大小的、近乎完全疊蓋彼此的主電極表面區，儘管被更大的共用屏蔽電極和801介電材料分隔。它們對電反向操作(當通電時)的傳導附件來說是互補成對的。這些共同大小、互補成對的電差動(在操作中)傳導電極或能量通道總是物理地彼此分隔，並且分別位於電相反的各端，共用傳導屏蔽電極能量通道的兩個主傳導部分之一相對於互相充電。由於所有這些電極形狀和外觀是平面的，分別按它們的同類分組排列，在被能量傳播的各個部分有效地利用的部分內許多層次上具有對稱性。
結合的共用傳導包夾多個共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B分別與一個共用的位於中央的共用傳導通道800/800-IM的傳導連接，將幾乎總是變成像圖3中所示的外部共用傳導元件或外部共用傳導能量通道6803一樣。多個共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B將幾乎總是以這樣的多平行的方式被插入之間，提供差動電極導體內部855BT和內部855BB的包夾，同時自身也被位於外部的865BB和內部855BT包夾，同時還保持這樣的狀態，即共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B將對介電體801的互補的成對電反向差動電極855BB、865BB及855BT和865BT有一個最小的814C距離間隔或「迴路區」。
如圖3中所示的798-GNDA的外部傳導元件將有助於由共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B所執行的靜電屏蔽(未予示出)功能的性能等等。該結構也便於如剛才所述的通電連接組合，將允許外部共用傳導能量通道或區域6803的加強，以幫助實施例9905內互連的共用屏蔽電極輔助對組合體9905的不同電極導體855BB、865BB及855BT和865BT上的各部分能量傳播提供有效、同時的調節。作為9905內這些傳導通道的一部分的能量通道被傳導連接擴展812A和812B結構在外部連接，該結構附接到包含成對差動電極855BB、865BB和855BT、865BT的電路分組的傳導連接裝置890B和891B。組合的互連共用屏蔽電極810F、800/800-IM、810B的內部和外部的並行裝置分組也將幫助取消或消除可能通過AOC逃出或進入包含分別被各部分能量在沿這些披露的傳導通道傳播到有源組體負載(未予示出)時使用的成對差動電極內部855BB和855BT的各部分以及成對差動電極外部865BB和865BT的各部分的無益的寄生物和電磁輻射。通用屏蔽電極結構將也便於獲得和圖3的物理屏蔽電極結構9905相同類型的各部分傳播電路能量(未予示出)，便於為各部分子電路能量通道得到差動通道的共用低阻抗能量通道(未予示出)和基準圖象(未予示出)，以和諧地工作。
在一個瞬間，同時在相同時間內，各部分能量傳播電路能量將幾乎總是被提供以一個瞬間的高阻抗的能量阻塞功能，用於相對於非常相同的第三能量通道和基準圖形的AOC的各部分內包含的能量傳播的某些其它反向和屏蔽分隔的部分，同時在非常相同的瞬間，這個高阻抗轉換現象還在以徑反向方式發生，在相同的瞬間，並且以互補方式對相對於相互位於相反位置的各部分的能量傳播發生，但是以電和諧方式沿著同一個共享的更大的通用屏蔽電極結構的反面。
這將包括例如實施例9905的如圖2和圖3中所示的種類表示的多個大致平面的層次。圖3中的這些大致平面的層次例如包括陶瓷介電材料801，在製造過程中外加或沉積一種799G傳導電極材料。各共用屏蔽電極層(多得數不清)的主電極表面位於與實施例層9905的主介電材料805表面大致平行的位置(二者在圖3中都未予示出)。
如圖3中所示，為了便於在具有疊層傳導層次步進的通用法拉第屏蔽結構內的各種反向差動能量通道之間的最佳可能的磁場耦合消除，一般的規矩是，成對的並且僅僅一個互相之間最小的距離應當操作地隔離反向差動導體。可能有某些例外。然而，通過以總體反向或異相的方式操作，位置相反的能量通道對855BB和865BB連同855BT和865BT的互相耦合，增強它們各自相反磁場的互相消除，與此同時，還互相地同時協作，利用也發生在沿著發明實施例AOC內相同的位置相反的能量通道對的各種電路部分能量傳播的各部分上的靜電或法拉第屏蔽效應。
也應當注意到，通過用通用屏蔽電極體系結構的預定元件，以沉積的或外加的介電介質材料的大致相等的間隔放置剛才所述的兩個差動傳導通道，產生的發明實施例將產生對位於剛才所述的AOC內的差動傳導通道上的電路能量的各部分的有益的能量調節。剛才所述的成對的反向差動傳導通道也保持一個通電的關係，其互相之間是電互補的，同時也是電反向的，不管沿著各個成對的差動能量通道855BB和865BB以及855BT和865BT上駐留的各部分傳播能量的普遍方向如何。
如圖3中所示的這樣一種包含例如855BB和865BB以及855BT和865BT的設置，分別將產生兩個相應的電定位為能量通道的差動能量通道855BT和865BT之一，在本例中，能量通道被電定位在一個能量源和一個由800-IM中央共用傳導屏蔽元件和其它元件隔開的使用能量的負載之間，而其餘各個差動能量通道855BB和865BB也將被考慮能量通道的形式被電定位，定位在一個連接回到其能量源起始器的使用能量的負載之間，該能量源起始器與一個確定的電路一起以某種形式啟動過各能量傳播部分，確定電路可以認為是來自在電路通電的起始時間開始的能量傳播的源。就是說，兩個相應的、相鄰的但是被屏蔽和分隔的差動能量通道或差動電極-例如855BB和865BB的之一，處於彼此互相共同活動的關係中的通電狀態，但是在物理上和電學上都屏蔽的體系結構之間，然而所保持的實際的物理分隔的範圍，在小於50mm到更小但大於或等於0的數目之間，只要每個處理相對於另一個的電路能量部分的傳播。
聯合的共用傳導和封裝多重共用屏蔽通電分別與共用的、中央定位的共用傳導通道800「X」-IM的傳導連接，將幾乎總是變得像例如圖3中所示的外部傳導元件6803的擴展一樣，並且將幾乎總是被以多重並行的方式被插入，使得所述共用傳導元件將幾乎總是相對於互補、相差動電極相隔數微米的距離或「迴路區」，後者本身被包夾。但與例如圖3中所示的外部傳導能量通道或區6803的擴展隔開一個包含一個介電介質的距離。
這使圖3中所示的外部傳導能量通道或區6803的電或傳導擴展能幫助提高靜電屏蔽功能等的性能，剛才所述的通電的組合將幾乎總是加強和產生對靜電屏蔽組件(assembly)900A的外部差動導體865BB和865BT上的能量傳播的有效和同時的調節。組合的共用傳導900A的內部和外部平行排列(arrangement)分組將幾乎總是也取消或消除可能逃出或進入被各部分能量在沿這些披露的傳導通道傳播到有源組體負載(圖3中未予示出)時使用的所述差動導體855BT和855BB的各部分的無益的寄生物和電磁輻射。
所以，由標準方法類似地構造或製造的、用於標準的、單一的、成對線電路情形並作為相同配置的發明實施例之間的唯一重要變化而具有一個介電差動的發明實施例的幾乎所有實施例和變體，將幾乎總是以預料外的和不明顯的方式產生一個插入損失性能測量，考慮到現有技術各個已知的介電材料響應。類似發明單元(介電材料以外的)的比較清楚地明確地揭示了導致這個結果的主要原因，電路性能是實施例內各單元、更大的共用傳導屏蔽結構和共用外部傳導單元的傳導連接的平衡，共用外部傳導單元組合起來工作，使用靜電消除、物理屏蔽來影響對在採用各種發明實施例的電路系統內傳播的能量的調節。各種發明實施例的用戶可以使用所有類型的工業標準連接方法和/或傳導材料或結構來把所有共用傳導能量通道互相地傳導連接和/或連接到一般與差動成對通道分隔的相同的位於外部的傳導能量通道。
所有位於或可被外部傳導能量通道連接接觸的現有共用傳導電極通道的完全平衡連接的關鍵性質，已經在過去的文件中被披露，在能實現同時執行多重和不同能量調節功能方面，被認為非常關鍵，這些能量調節功能例如是利用相對於「0」的反面的電定位的電力和信號去耦、過濾、電源平衡。在單一的位於中央的共用和共享傳導電極通道的反面上生成的電壓基準和那些文件中所公開的原理體現在發明實施例中。
與所有共用和傳導地連接的共用電極元件的同一個共用傳導外部區或通道的發明連接，當連接到一個單獨的返迴路徑、內在的地、機殼地或不是差動傳導通道的低阻抗通道時，將幾乎總是允許AOC傳播的能量與源和負載電平行地工作，以及與其它共用傳導結構電並行地工作，不僅是相對彼此、也是相對於幾乎任何主電路定位的共用傳導結構。用所述的在通電電路中放置或附接的USS，所公開的與內部和外部差動能量通道並行的共用傳導能量通道將幾乎總是由此再次增強或降低AOC內的第三傳導/共用傳導通道的阻抗，以允許所傳播的能量-返迴路徑能使用從一個源起源的部分能量。
應當注意到，儘管一旦發明被放置到共用傳導區上，通常外部和內部差動電極能量通道二者是平衡的。位於外部的共用傳導通道的增加，加回傳導能量通道平衡並偏移在類似類型的發明中所指出的自諧振。如圖2和圖3中所示的那樣，那些標記為(#-IM)的、與內在的中央共享圖象「0」電壓基準平面附接的額外地放置的共用傳導能量通道，將幾乎總是以多種方式增加發明實施例的屏蔽效果。這些額外地放置的、位於外部的、包夾其緊鄰的位於內部的鄰居的共用傳導能量通道，是為了大於向USS實施例增加電容。這些額外放置的共用傳導能量通道是在至少一組外部差動電極對的任何應用之前被放置的。
發明實施例內的磁滯效應被顯著地減少至接近零，這是由於放置在以在插入的共用傳導能量通道的反面上同時相反和異相的幾乎180度的方式到達的材料上的互補應力的作用。如所公開那樣的這些應力處理技術如果用現有技術的部件是難以複製的。對於在饋通傳播方式和應用中配置的現有技術部件來說尤其如此。用作傳導電極擴展部分的795」X」允許部分傳播能量流經位於內部的、從按照標準工業裝置和方法附接的外部傳導連接結構(未予示出)到達的差動傳導電極。
如圖7A和7B中所示的9210那樣的新發明實施例的組成可以是，分支電極7300C和7300D直接饋通版本，它們被相對彼此緊密地定位並間隔，其方式使得傳導電極材料799的分支差動電極平面的每組通常呈現為一個完全的9210中的單個，具有與現有技術機構的體積相同或稍小的體積。
然而，這個用於如圖7A和7B中所示的9210之類的那樣的新發明實施例內的單獨的同類電極分組(僅差動電極或僅共用電極)或者兩個分組(差動電極和共用電極)的小而重要的分支差動電極配置，便於有更多利用傳導電極材料799的每組分支差動電極平面的能量傳輸和能量傳播能力，以及通過佔據更小的區域而便於有更少的、任何單一共用或差動電極原本需要的層次，這便於有更多的電路傳導連接，與此同時處理多個正常電極能量通道的額外能力調節需求，其能量處理能力，比含有不同數量的大小相同的分支差動饋通傳導差動電極或共用屏蔽電極的相同大小的現有技術器件的能力處理能力更有效和更強大。
使用這些位置緊密的、如圖5中所示的7300C和7300D那樣的分支電極對的現有技術器件，將仍然沒有新發明那樣有效或者有能效。
例如，當只為分支差動電極設置時，僅僅因為把各種分支或非分支電極分組組合成一個預定位置的體系結構，就得出一個使用類似分層和排列的現有技術疊層中的總電極的較少分支層次的器件或實施例。
在例如一個差動的三通道電路附接方案中，現有技術器件有效地具有雙倍數量的傳輸電流的電極，用於增加其能量處理能力，具有較少的相同數量的分支電極通道的新發明將能夠比現有技術處理更多的能量，這是由於分支和非分支共用和差動傳導電極能量傳輸通道二者的預定安排。
所以，7300C和7300D，即分支差動電極7300C和7300D一起，被定義為至少兩個單個的、大小相同的能量通道，它們被至少一個更大的第三共用傳導屏蔽電極或內部能量通道分隔，後者以插入的方式放置，以便被7300C和7300D二者共享，用於能量調節，而仍然使用如非分支對所用的相同的電壓基準作為實施例9210中的電路基準功能。它們仍然包含一組電反向的、成對的、大小相同的傳導電極主區797「X」，用於每組被放置的電極材料799和使用共用電壓基準作電路基準功能的能量調節實施例的許多變體的一部分的平面區。這在具有分支電極配置的發明中是通用的。這兩個共同大小的傳導材料或電極能量通道區7300C和7300D仍然小於共用屏蔽電極810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2，這幾個共用屏蔽電極一起包含一組四個不同的卻緊密間隔的對，每對有兩個單元，各是薄傳導電極797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A和797SF2-B，分別處於平行的關係，由一個薄層的介電罩材料801在它們之間將它們間隔開來。
參看圖7A，應當注意到，類似地，每個共用屏蔽電極能量通道不必由一對對應的緊密間隔的薄共用屏蔽電極能量通道元件組成，因為沒有必要在所有情況中都讓這些屏蔽電極的這些共用屏蔽電極能量通道單元因為使用這個設置而具有雙倍的總電極表面區，包含更大的具有疊層的層次步進的通用共用傳導屏蔽電極結構體系結構的共用屏蔽電極結構元件不處理能量、像現有技術的那些一樣的主輸入或輸出能量傳播通道功能。相反，在多數情況中，共用屏蔽電極結構元件在發明實施例9210之類中被用作不是外部差動能量通道(未予示出)的第三個額外能量傳輸通道。
現在參看圖7B，圖7A中所示的9210疊層，現在被顯示為一個製成的能量調節部件。六個外部傳導連接電極，被標記為798-「X」，並各自被它們相應的外部傳導連接結構或電極特別標記，它們圍繞著9210體。能量調節部件910包含兩個外部共用傳導連接電極798-GNDA和798-GNDB，用於所有位於內部的GNDG屏蔽電極與一個不是任何差動外部能量通道或電路(未予示出)的外部共用傳導能量通道(未予示出)的共用傳導連接。四個用於傳導連接外部差動傳導電路通道(未予示出)的跨接饋通外部傳導連接電極798FA、798FD、798FC和798DB，以及兩個外部共用傳導連接電極798-GNDA和798-GNDB，用於與第三差動傳導電路通道(未予示出)的傳導連接。
為了進一步改善和簡化說明書中所涉及的元件，如圖7A中所示的發明公開了一個在同一個能量調節實施例內配備的單電路、高-低壓處理能力，以便在需要時允許低壓能量調節功能被用於預定的通電電路、但同時對使用高壓能量通道的電路起作用，以及允許在非常相同的多層發明內的調節功能。
所以，圖7A的有些其它實施例(未予示出)適合於同時包含低壓和高壓電路應用的電路系統，將幾乎總是通過利用平衡的配備電極體系結構提供極佳的可靠性，該體系結構採用成對的和更小的(相對於共用屏蔽通電電極)電極，也採用相同大小和成對的差動直接饋通配置的和成對的差動饋通設置的傳導和電反向電極，例如圖5中所示的那樣。
最好使分支傳導電極元件對797F4A、797F4B和797F3A、797F3B以及797F1A、797F1B和797F2A、797F2B之間的間隔最小化，一般小於1.0mil，但大於0，具體視目前具有的製造容限而定。電極材料能量處理特性將幾乎總是利於所希望的效果，而位於被插入的差動和共用能量通道電極例如797F1B和810B-1和2以及797F2A和810B-1和2之間的介電距離814C實質上大於814-B間隔的距離。
應當注意到，每個成對的和分支傳導電極通道的傳導區大小基本上非常相似，但是最好與其分支對偶相同，因此，成雙的板797F4A、797F4B和797F1A、797F1B分別只是797F3A、797F3B和797F2A、797F2B的反向傳導電極材料鏡像。然而，電反向差動電極對797F3A、797F3B和797F2A、797F2B總體上分別將幾乎總是被認為是797F4A、797F4B和797F1A、797F1B，每個幾乎總是相對於其在實施例9210內的位置。
現在將大致描述圖7中的分立變體中的一個用於建立這些特定能量傳導通道結構之一的實際實施例9210製造順序。首先，製造介電材料801的一個沉積或設置，然後設置和定位一層電極材料799G，以便形成差動傳導通道797F2B，然後製造一層814B很薄的、分隔的介電材料801，接著是一層電極材料799，用於形成差動傳導通道797F2A，然後放置介電材料801的814C應用，然後設置定位一層電極材料799G，用於形成共用傳導屏蔽電極通道810B-1和2，然後是一層814C介電材料801，接著是一層電極材料799，用於形成差動傳導通道797F2B，使用一個間隔以介電材料801的距離的非常薄的層，然後是另一層電極材料799，用於形成差動傳導通道797F1A，然後是一層814C介電材料801，接著是一層電極材料799G，用於形成共用傳導屏蔽電極通道800/800-IM-1和2，它也是實施例9210的通用傳導籠狀結構的共享、中央屏蔽電極結構平衡點和中央共用通道點，然後是一層814C介電材料801，然後是一層電極材料799，以便形成差動跨接饋通電極通道797F3B，接著是介電材料801的814B沉積，然後是一層電極材料799，以便形成差動跨接饋通電極通道797F3A，接著是介電材料801的814B沉積，然後是一層電極材料799G，用於形成共用傳導屏蔽電極通道810F-1和2，然後是一層814C介電材料801，然後是一層電極材料799，以便形成差動跨接饋通電極通道797F4B，接著是介電材料801的814B沉積，然後是一層電極材料799，以便形成差動跨接饋通電極通道797F4A；最後施加814介電材料801，以包含9210的物理疊層組成的一些主要層次結構和支持元件。
儘管分支電極7300C和7300D構造的電流傳輸能力大約能比一個單一的成對能量通道組合的能量翻一番，這個差動電極特點將幾乎總是允許如圖7A所示的9210那樣的幾乎任何發明實施例的分壓功能，跨接類型的差動傳導電極進一步利用發明實施例的電路分壓體系結構來增加發明實施例自己的總體電流處理能力，在減小體積的同時，仍然為包含發明實施例的各種799電極材料元件的各種799電極材料元件保持一個較小壓力的能量調節環境。
所以，新發明也適合於同時包含低壓和高壓兩種電路應用的電系統，通過利用包含成對的和小型的(相對與共用屏蔽通道電極而言)差動通道電極的平衡的屏蔽電極體系結構而提供很好的可靠性。此外，發明實施例也能與包含各種低和高電流電路應用的點系統組合併適合於這種電系統。也應當注意到，各種異類組合，無論是二者大小相同的還是混合的為電反向成對操作而設置的成對差動旁通和成對差動饋通能量通道的組合，都能用所述的各種能量傳播方式，在縱向或橫向層疊，或者按縱向和橫向上混合和配對的差動電路通道的組合層疊。
所以，類似地構造的或由標準裝置製造並用於標準的、成對的線電路情形並作為與類似設置的發明實施例之間的唯一重要變化而具有介電差動的發明實施例的幾乎所有實施例和變體，將幾乎總是產生一個插入損耗性能測量，其方式是至今為止考察現有技術的各個已知介電材料響應所預料不到和不明顯的。
類似類型發明單元(而不是介電材料)的這個比較，清楚而明確地揭示了導致這個結果的一個更大原因或因素，電路性能是把靜電屏蔽用於消除寄生體、物理屏蔽和用於影響對在採用所述發明的電路系統內傳播的能量的調節的組合地工作的新共用傳導屏蔽結構和外部傳導連接單元。所以，使用所公開的共用傳導屏蔽結構和外部傳導連接單元並使用已經主要為一定的電調節功能或結果而分類的介電質的分立的或非分立的實施例，將幾乎總是發現，用以等同元件構造的發明實施例元件，將幾乎總是取得比所用的電極材料的以前有限的使用知識更多的預料不到的有益特點。這包括幾乎任何可能的使用能在例如製成的分立矽片之類內包含發明實施例的變體的非分立電容或電感結構的分層應用，或超級電容器應用，甚至原子級的能量調節結構。
返回圖7A，介電材料801的分隔或分隔等同物(未予示出)的隔離距離806A、806、814、814A、814B、814C和814D(未予全部示出)幾乎總是與器件相關的。查看圖7A中的截面，可以注意到其它重要的縱向和橫向距離隔離關係(未予全部示出)，即所示的預定電極和傳導通道疊層排列的關係(未予全部示出)。
注意到例如9210器件內的元件的幾乎所有隔離距離，都是相對於包含在器件內的各種電極通道結構的，儘管對許多電路能量調節應用來說，保持對特定系統電路內的平衡的控制並非絕對必要，這些材料距離關係在實施例間隔考慮和分布中應當均勻。已經試驗過，這些成對的材料體積或距離的大的差動或不一致，對本發明的多數一般電學應用的電路平衡是有害的。
例如在圖7中，各種隔離距離814「X」引起一個應用相關的、預定的、三維距離或填充以801材料的間隔區，如分別在共用電極能量路徑容器800疊合800E與各種差動電極、分支電極或其它電極之間所測量的那樣。
隔離距離814A(未予示出)是在諸如共用電極通道的多個相鄰共用電極材料通道與例如含有薄介電材料801或隔離等同物(未予全部示出)或其它類型的隔離物(未予示出)的共用電極通道圖像屏蔽800/800-IM-之間具有的三維間隔距離的總體很小的平行相鄰區。
間隔距離814C是在諸如共用電極通道的各共用電極通道與諸如差動電極通道的各差動電極通道之間具有的縱向間隔。間隔距離814B是在諸如分支差動傳導通道797F1-A和797F1-B和797F2-A和797F2-B的各分支差動電極通道之間具有的縱向間隔。
這些獨特的動態和靜態力(未予示出)組合同時地在屏蔽電極結構的容器內發生，並且由於其作為管道的使用而作用到一個與差動通道不同的第三能量通道。因此，通過使用和組合各種物理元件距離和傳導能量通道之間的能量場間隔，提供了在能量調節能力範圍內具有的在通電電路通道內發生的介電材料、非傳導材料以及動態能量關係。
在不在反向差動環境中工作的現有技術的能量調節器內的不平衡電路內將幾乎總是產生各種程度的磁滯效應、材料記憶效應、角應力、由各有不同熱膨脹係數的各種材料的熱應力引起的不均勻膨脹，它們的有效分壓能力都由在本發明實施例內發生的互相反向互補能量傳播內發生的而降低。
現在看圖4和圖5，圖中可見各種不同配置的成對的介電/電極層或成對的電極層。對於圖4和圖5來說，這些電極對或電極層對每個都有差動電極通道和介電材料801(未予示出)至少兩個部分。
圖4中很好地表示了這些結構中一些結構之間的差別。圖4是一個頂視圖，圖中是兩個相鄰的、頂靠頂的疊層7200A和7200B，疊層中有不同的饋通差動電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B。總稱為7200A和7200B的設置被統稱為跨接饋通差動電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B，因為通過每個通道的能量傳播都必須跨越通過另一個的能量傳播，但是插在這個行動之間的是一個共用屏蔽電極通道，這個第三能量通道(未予示出)的類型，不是這些電反向跨接饋通差動電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B，它們都位於發明813AOC(未予示出)內，以便使總的發明(未予示出)能從這個定位和能量流效果中提供和利用一部分能量調節。
該對的跨接部分或截面和能量傳播(未予示出)的快速扭結的相對間隔維數814-「X」對降低或最小化813AOC(圖7A)內的電路部分阻抗有積極的效果，並且由於傳播能量沿跨接饋通差動電極通道(未予示出)799F1A、799F2A和799F1B、799F2B對的對彼此的影響的集中效應而導致一個統一的阻抗，這樣，與直饋通對傳播方法相比，在相反方向上和相同方向上的傳播發生的各個扭結效應以某種方式增強對與消除效應的交互作用。扭結的或跨接電反向差動電極通道對利用對諸如成對跨接饋通差動電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B的成對電極隔離效應的非常短的距離(由工業功能所定義)(未予示出)，並允許它們為使用幾乎任何新發明實施例變體內的技術的每個電路(未予示出)充分利用這個有益的電調節效應。
概括地命名為7300A和7300B的兩個並列的疊層配置一般包含所謂的電反向直饋通差動電極通道，後者在這裡由799SF1A、799SF2A(未予示出，但在799SF1A之下)和799SF2B、799SF1B(未予示出，但在799SF2B之下)表示，因為電反向直饋通差動電極通道有用於各個能量部分的入口/出口點，它們互相排列成行，並加入剛才所述的79SF1A、79SF2A和79SF2B、79SF1B傳導電極擴展對。通過每個差動電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的能量傳播進入差動電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的更大區域，使得在相反方向上通過差動電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的能量傳播部分對AOC內各部分傳播能量提供各種同時的能量調節效應。
過去，一直通過將介電材料製成比較薄的薄片來製造含有分層結構的無源部件。在燒制前處於較柔性或「綠色」狀態期間，介電薄片是被電極或絲網隔離的(silk-screened)，有耐熔或傳導金屬或金屬沉積物來界定選定區域的薄傳導電極。將多個這種基於介電的上有傳導電極的薄片層疊在一起，然後燒制，把這些薄片製成剛性而緻密的、實質上是單片的殼結構，內部嵌置有差動和共用傳導電極，與已經形成的差動共用傳導電極的預定分層序列有預定的介電間隔。在使用流經共用板電極的電流的饋通操作中，薄電極板所具有的固有電阻，導致至少一些以熱為形式的能量損失，儘管在諸如具有本發明的縮短到外部傳導區或其它類型的附接的共用傳導板的旁通配置中可被視為是最小的。電極板電力損耗以及由此引起的在饋通類操作中的板加熱，是電能的函數。如果板能量足夠高，即使持續較短的時間，也會發生足以導致電極/板故障的板加熱，尤其是薄電極板和/或其連接對傳導終端部件的局部破壞。用於起搏器和電振發生器應用的現有技術的過濾電容器經常遇到高峰電流中的相當高的脈衝，因而易受過度加熱和相關的故障，這些都是說明這種問題的很好的例子。解決這種問題的一個方法是增加多層次電路調節組合體的分層結構內的電極板層的厚度。然而，層厚的顯著增加是無益的，或者說，用現有的電極制板和絲網隔離技術是不實際的。過度厚的層或板導致脫層和相關的可靠性問題。就此而言，電極板的重要一點是要有薄而連續的結構，以選定的介電顆粒生長滲透併集成整個結構成一個高低不平的單片結構。另一個方法是增加傳導電極板的總表面面積，但是這個構思需要顯著地增加結構的物理大小的體積，這與許多電路應用是不適應的。
製造類似於多層的工業大小的單元的實施例的旁通或饋通裝置的一種方法與製造多層陶瓷電容器的常規方法相同。由於本領域的熟練人員熟悉這種方法，所以只對其作簡短的說明。介電部件是通過澆注薄薄的一層細介電構成材料而構成的，這種介電構成材料諸如是懸浮在包括粘結劑的填質(matrix)中的鈦酸鋇(barium titanate)。「綠色」陶瓷表面被用構成顏料的電極印上所希望形狀的圖案。該顏料通常包含一種金屬，例如鈀。將有圖案的綠色陶瓷疊置起來，以提供所需層數，協調相鄰層的圖案，以取得所需的重疊條件。將疊置的各層分隔成各個單元，以露出預燒晶片的相反端上的基部分。然後要將被分隔的各單元在第一溫度下灼燒聯結，然後在更高溫度下燒結成單塊。將端接頭分別連接到一端露出的基部分和另一端的基部分。端接頭的形成有各種已知方法，包括蒸鍍(vapor deposition)方法，以提供與單塊的相反端上露出的電極基的電和機械聯結，然後在濺射層施加一個或多個金屬層，以便能焊接到母板上。需要表面安裝時可以將端接頭延伸到端邊緣。
備擇的端接方法包括在施加碳後接著施加銀質外層，在碳層和銀層之間可以有也可以沒有金屬層。各層材料元素也與可用的和將來的處理技術兼容。本發明克服了現有技術中遇到的問題和缺點，因為本發明用內置電極層/板圖案提供了一種改進的電路調節功能，能處理某些預定應用中的顯著地更高的RF的傳播部分，而不需要顯著地增加體積。
理想情況下，共用傳導電極層共享共用連接的多個點或傳導通道，在能量以並行方式傳導或影響共用元件時，它們互相連接或連接到相同的外部傳導區或外部共用傳導通道。通電的發明作為由各層單元構成的整體，具有多個互補的、不同密度或程度的動態能量通道，這些互補的動態能量通道就同時的能量傳輸方向而言可以被看成是三維的和多方向的。
通過本發明整體的能量移動相對於本發明的單一的分層單元的能量傳輸通道或移動通道來說是不同的，不過兩種類型的移動或影響的發生是互補的、動態的，並同時通過非平行和平行這兩種能量傳輸通道。由於這些平行的和非平行的能量傳輸移動在本發明內是同時發生的，它們影響電路功能。這些移動總是動態的並同時影響一些或所有的分層元件。
例如，當被用作電容能量調節器並被放置在一個差動應用中和附接到三個獨立的能量通道或放置在一個共用電極通道附接到一個獨立的共用傳導通道的電路中時，被每個能量調節器電極層攜帶的電流載荷是電容能量調節器中使用的層數的一個函數。
就是說，用兩倍數量的電極層使給定電路應用中的每個層攜帶的電流降低一半。所以，通過使電極層數加倍，必須由每個層以熱的形式發散的電力被減少四分之三。
相應地，僅僅根據電力散發，具有兩倍數量的電極層的電容能量調節器就能在沒有因熱導致損害的情況下有大得多的電流處理能力。然而在過去，要使能量調節器層的層數加倍，就需要相應地增加電容能力調節器的體積，而所要求的體積則不適於某些操作環境。
本發明認識到，可以將電容能量調節器中的電極層數有效地加倍，以提供顯著改進的電流處理能力，但是在高壓應用中，所要求的介電間隔較厚，如果使用僅用於共用傳導電極的分立層技術，電容能量調節器的物理大小只有很少的增加。如果使用僅用於差動傳導電極的分立層技術，電容能量調節器的物理大小也是如此。如果一起使用用於共用傳導電極和用於差動傳導電極的分立層技術，電容能量調節器的物理大小也是如此。
轉至圖6，將圖1中的電極800/800-IM作為一個共用的緊密配對的對稱電極組合體或者由相同大小的、在本例中由介電材料801組成的非常薄的層814B隔離的800/800-IM-1和800/800-IM-2電極各為一半的分立配對的800/800-IM如上所述地放入雙層單元800/800-IM-1和800/800-IM-2電極。這是通過將例如800/800-IM電極層次按是否是差動電極(未予示出)細分成緊密配對的對稱電極和相同大小的、由介電材料801組成的非常薄的層814B隔離的單元，介電材料可能視814B薄層的屬性而不同於材料801，該薄層不僅需要保留電極元件整體本身的能力，還需要保留整個能量調節器的能力和可靠性，以抗擊電場或通電操作的能量出入，包括諸如電壓脈衝和電衝擊等異常。分立電極之間的距離一般大於零至分隔距離的25％的範圍，該距離或者是預先計劃的，或者是任何兩個分立電極之間的正常距離，或者是任何兩個由被材料801之類互相隔離的一個差動電極組和一個共用電極組的分立配對之間的正常的電極間隔。
按照這種構造，每個有源層元件800/800-IM-1和2作為一個整體被按需要的正常的介電間隔關係放置，具有一個對應的差動電極(未予示出)。
對於給定數量的如800/800-IM-1和2或800「X」-1和2這樣的共用電極層來說，能量調節器總大小的唯一增加涉及到用於每對雙層單元800/800-IM-1和2之間的像801的特定介電材料或其它介電材料的最小厚度間隔814B。
現在參看圖5中所示的各種元件。美國專利號5,978,204公開了一種包含多個有源接地電極板的分層電容器體系結構，有源接地電極板疊放並內置在陶瓷之類的介電質外殼內，每個有源接地電極板由一對緊密間隔的導電板元件界定，這顯著地增加了每個電極板的總面積，並由此相應地增加現有技術電容器的電流處理能力。
在進一步解釋如何進一步改進和簡化所引用的專利號5,978,204中的某些元件之前，如圖5中所示的一部分新發明實施例現在將用各個實施例公開一種能包括和單獨區分通電電路的高-低電壓處理能力，這些實施例沒有在圖7中顯示，也不像圖7中的9210所示的那樣，它們是以變化的、但是基本的屏蔽電極能量調節實施例或結構的形式提供的，能允許低壓能量調節功能既被用於預定的通電電路，同時又對使用高壓能量通道的電路起作用，以及需要時允許相同的多層發明內的調節功能。
圖5顯示電反向差動電極對7300C和7300D。每個完全差動電極7300C和7300D分別包含分立電極797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，它們構成7300C和7300D，它們被分組並配對，但是電直接饋通差動電極能量通道在結構上類似於包含圖7A的實施例9210一部分的電反向差動電極對。父797SF2和797SF1的每個分立差動電極在發明實施例內的位置如此接近，以至分立差動電極對797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B在被電定義時每個分別作為一個單一的電容器板7300C和7300D。圖5的79-SF1和79-SF2是所構造的電極形狀的簡單延長部分，用於表示傳導電極延長部分，傳導電極延長部分允許從按標準工業裝置和方法附接的外部傳導連接結構(未予示出)到達的各部分傳播能量流經位於內部的差動傳導電極。
這些雙板元件797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B分別合作地定義兩個差動傳導通道電極父7300C和7300D電極元件的電反向配對集合，電極元件有顯著增加的總電極表面積，將總是引起通電電路的電路處理能力的相應增加，而不顯著增加總體能量調節結構(未予示出)的總體積。
為了進一步定義對現有技術的電流狀態的改進，發明實施例(未予示出)允許使用這些差動電極對797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，它們被放置在由814B分隔的位置，彼此相距僅數微米，因此將總是允許部分傳播能量經過這些差動傳導通道，以利用緊密定位的分立對797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，在電路(未予示出)內，所述的每組分立電極將呈現為一個單一的差動傳導電極，並且這還不需要設置額外的共用傳導屏蔽電極。使用成對的分立電極的優點是，通過使用額外的電極所獲得的額外的區，與沒有這個特點的一組非分立配對的電反向差動傳導通道7300E和7300E(未予示出)的電流攜帶能力相比，將總是顯著地增加兩個電反向差動傳導通道797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B電極元件的電流處理能力。
儘管分立電極7300C和7300D的構造大約能使電流攜帶能力比單一配對的能量通道分組的電流攜帶能力加倍，這個差動電極特點將幾乎總是也允許如圖7A中所示的9210那樣的幾乎任何發明實施例的分壓功能，其具有的跨接類型的差動傳導電極進一步利用發明實施例的電路的分壓體系結構來增加發明實施例自己的總體電流處理能力，同時仍然對包含發明實施例的各種799電極材料元件的各種799電極材料元件保持壓力較小的能量調節環境。
轉至圖7A，標識為806A、806、814、814A、814B、814C和814D(未予完全示出)的介電材料801間隔或間隔等同物(未予完全示出)分隔距離幾乎總是與器件相關的。觀察圖7A的截面，觀察者將注意到所示的預定電極和傳導通道層疊安排(未予完全示出)的其它重要的縱向距離和縱向分隔關係(未予完全示出)。
注意到例如9210器件內的元件的所有間隔距離都是相對於器件內含有的各種電極通道結構的，儘管對許多能量調節應用來說不是絕對必要，為了保持對特定的系統電路內的平衡的控制，這些材料距離關係在實施例間隔考慮和分布中應當是均勻的。對材料的這些成對的量或距離的較大變化或不一致進行過的試驗表明它們對本發明的多數通用電應用的電路平衡是有害的。可以為例如圖2設想具有分立電極的屏蔽結構的用途和多用性。在圖2中，可以將圖3中所示的分隔距離814用於一個應用-如分別在共用屏蔽電極能量通道容器800C、800D、800E、800F之間所測量的間隔或分隔的相對的、需要預定的三維距離或區。圖2也能含有一個或一組分立差動電極，諸如包含共用屏蔽810B-1和2和820F-1和2以及包含圖7A中所示的差動傳導通道797SF2的800F，包括在這些結構的傳導材料表面或「表皮」上相鄰的區，它們會影響各部分能量傳播的移動，在一個例子中，諸如在810F-1和2和820F-1和2或包含810B-1和2和820B1和2-並含有如圖3中所示的差動旁通電極通道865BT的800F-1和2中，也可以在通電狀態中的這種定義區內找到，其包括在這些結構的傳導材料表面或「表皮」上相鄰的區，它們會影響也可以其它例子中(未予示出)在通電狀態中的這種定義區內找到的各部分能量傳播的移動。
分隔距離814是在多個相鄰共用電極材料通道之間的間隔的三維分隔距離或鄰近的非常小的平行相鄰區，例如共用電極通道820B和共用電極通道圖形屏蔽850B/850B-IM-含有薄介電材料801或間隔等同物(未予完全示出)或其它類型的間隔物(未予示出)。
分隔距離814C是諸如共用電極通道820B-的共用電極通道與諸如差動電極通道865BT的差動電極通道之間的縱向分隔。分隔距離814B是諸如分立差動傳導通道797SF1-A和797SF1-B的分立差動傳導通道之間的縱向分隔。
這些動態和靜態力(未予示出)的獨特組合同時發生在屏蔽電極結構的可容度內，並且由於其作為管道的使用，至不同於差動通道的第三能量通道。因此通過使用和組合物理元件距離的各種規則和傳導能量通道、介電材料、非傳導材料之間的能量場間隔以及在通電電路通道中發生的動態能量關係，提供了一種新穎實用的電路能量調節能力。
在內部，不在反向差動環境中操作的現有技術能量調節器內的失衡電路，將幾乎總是產生各種程度的滯後效應、材料記憶效應、角應力、由各具有不同膨脹溫度係數的各種熱應力材料導致的膨脹，並且它們的分壓能力都從互反向能量傳播內發生中被減少，相比之下，互反向能量傳播在發明實施例內是全方位發生的。
因此，在發明實施例內，滯後效應被顯著地降低到接近零，這是由於在材料以幾乎180度的方式到達後置於放在之間的共用電極能量通道能量的另一邊上的互補應力的作用。所公開的這些應力處理技術，用現有技術的部件(如果有的話)是非常難以複製的。對於現有技術的以饋通傳播方式配置的部件以及應用來說尤其如此。被用作傳導電極擴展部分的名稱的79S＂X＂允許各部分傳播能量流經從被標準工業裝置或技術附接的外部傳導連接結構(未完全示出)到達的位於內部的差動傳導電極。
如圖7A和7B中9210的新發明可以由分支電極7300C和7300D直接饋通版本構成，它們的位置互相接近並有間隔，使得傳導電極材料799的每組分之差動電極平面一般看起來包含一個完整的9210，其體積與現有技術的結構的體積相同或者稍小，但是其能量處理功能比相同大小的含有不同數量的相同大小的分支差動饋通傳導差動電極的現有技術器件的能量處理功能更有效或更大。
差別就在於，新發明用更少的層次、佔據更小的區域，卻允許更多的能量傳輸或能量傳播能力，允許更多電路連接，而同時處理多個能量通道的能量調節需求。新發明配置內的這個小而重要的設置如圖7A的9210等等。
由於電極定位體系結構的原因，利用這些位置靠近的分支電極對7300C和7300D進行能量調節的現有技術器件的效率或能效，不如大約少用1/3的類似地分層的現有技術疊層中總電極的分支層次的新發明。儘管現有技術器件會有效地有雙倍數量的傳輸電流的電極來增加其能量處理能力，具有數量少了約25-30％的分支電極通道的新發明將能夠比現有技術的器件處理更多的能量，原因在於對分支的和非分支的這兩種共用和差動傳導電極能量傳輸通道的預定安排。
因此，將7300C和7300D一起定義為至少兩個單一的、大小相同的能量通道，它們被至少一個更大的第三共用傳導屏蔽電極能量通道分隔，後者位於一個中間位置，由7300C和7300D二者共享，用於能量調節和用於實施例中電路基準功能的電壓基準。
分支的差動電極7300C和7300D包含一組電反向的、成對的、類似大小的傳導材料區，用於使用共用電壓基準用於電路基準功能的能量調節實施例許多變體的一部分。這兩個類似大小的傳導材料或電極能量區7300C和7300D仍然小於共用屏蔽電極810F-12、800/800-IM-12和797SF2-A和797SF2-B，後者所有共同包含由四對不同的而又緊密間隔的各含兩個單元的薄傳導電極元件797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A、797SF2-B，它們之間呈大致平行的關係，分別由一層薄的介電殼體材料801間隔(參看圖7A，用797F1-A、797F1-B、797F2-A、797F2-B分別替換797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A、797SF2-B)參看圖7A，應當注意到，類似地，每個共用屏蔽電極能量通道也包含對應的一對緊密間隔的薄的共用屏蔽電極能量通道，因為在有些配置中，這些屏蔽電極的這些共用屏蔽電極結構元件有雙倍的總電極表面區是有好處的。由於使用這個配置，在有些附屬配置中，包含帶有層疊分層步進的更大的通用共用傳導屏蔽電極結構體系結構共用傳導屏蔽電極結構將也處理主要輸入或輸出能量傳播通道功能。共用屏蔽電極結構元件在多數情況中在發明實施例9210等中被用作第三個附加的非外部差動能量通道的能量傳輸通道(未予示出)。
轉至圖8，顯示的實施例9915，是相對元件對稱平衡電極配對的新概念，被用於各種平衡的和成對的和相同大小的電反向差動傳導通道概念，然而處於相對元件平衡配對狀態。
相對元件對稱平衡電極配對適合於更大型包夾共用傳導通道以及差動傳導通道，涉及到對一個新系列的分立多功能能量調節器的繼續改進，這些調節器不同於前文述及的互補型相同大小原則，現在將涉及該新系列的分立多功能能量調節器的另一個變化概念。
從根本上說，本發明形成各種內部電極模式799和799G，使得主電極區(不包括例如延長部分79-GNDA或812A)對於多個成組的和個別的以及成對的內部電極來說處於彼此相關的位置，它們的位置沿著陶瓷片的層積方向從介電體1的表面的中心部分逐漸(或逐步地)減少。或者，形成內部電極模式(不包括例如延長部分79-GNDA或812A)，使得由多個內部電極的傳導主表面區(以上未予示出)佔據的區域，在離開起著對稱平衡點的中央共用屏蔽電極的位置對稱地在兩個向外的方向上逐漸(或逐步)地減少。在這種情況中的配對位於分割800-1和2/800-IM-1和2中央共用屏蔽電極之間。
在發明實施例的更大的迭層(5個共用和差動能量通道迭層組合)中，例如圖8的9915中，通過從中央共用共享電極通道800/800-IM查看發明實施例的橫斷面並觀察一個成對的電反向差動傳導通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT(它們都可能是分支電極)，可以觀察到一個差別(為了概念簡潔，-9915的其他材料元件在這部分說明中被省略)，差別在於，在第一和第二共用傳導屏蔽能量通道810F-1和2以及810B-1和2的位置有第一對相同大小的電反向差動傳導通道855BB和855BT。
可以看到，可以放置第三和第四縮小的或第三和第四增大的下一組電反向差動傳導通道，如865BB和865BT，它們然後被放置得包夾整個以前布置的中央共用共享電極通道800/800-IM、第一對相同大小的電反向差動傳導通道855BB和855BT、以及第一和第二共用傳導屏蔽能量通道810F-1和2/810B-1和2。
這樣，器件或實施例與成比例地縮小或增大的相同大小的第三和第四差動傳導通道865BB和865BT成比例地和對稱地平衡，可以看到，它們仍然是平坦的，但是最好在後繼的包夾的第四和第五共用傳導屏蔽能量通道820B-1和2/820F-1和2等等內後退40、41、42、43。提供一個另外的發明變體9915，它仍然遵循局部使用具有層疊傳導層次步進的法拉第屏蔽結構的通用多功能共用傳導屏蔽結構加兩個電反向差動能量通道(9915中的855BT和855BB)的一般原理。
這個構思也可以用於包含利用旁通或饋通(未予示出)能量傳導方式沿成對和電差動通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT同時進行能量(未予示出)傳播的電路的通用多功能共用傳導屏蔽結構(未予示出)。
所以，預定模式的對稱地匹配的、大小相同的、成對的差動傳導通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT，物理地彼此平行並相對彼此定位，位於中央共用傳導屏蔽能量通道800/800-IM-1和2的反面，並可以與例如後退方案40、41、42、43放置在一起，使得855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT不必與放在其前面的對應的相鄰差動電極(例如885BT和875BT)匹配。所披露的相對成對原理概念是，這些匹配的、物理上平行的、相同大小的成對的差動傳導通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT主要是在大小上分別相對彼此(855BB與855BT、865BB與865BT、875BB與875BT、885BB與885BT)匹配的，但是不一定要像例如圖3的9905那樣的其它實施例那樣在大小上與相鄰的匹配(例如855BB與865BB與875BB與885BB)，相反，不必相對於以前沉積的傳導通道相鄰體(被至少一個共用傳導屏蔽能量通道830F-1和2、820F-1和2、810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2、820B-1和2、830B-1和2分隔的)。
所以一個相對配對概念和後退方案甚至擴展到與後退方案44、45、46、47一樣包括屏蔽電極結構元件的共用通道電極830F-1和2、820F-1和2、810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2、820B-1和2、830B-1和2，只要每個發明實施例變體能包含一定部分的各種其他材料和像801材料那樣的方法放置概念元件，814-＂X＂相對後退區(814A、814b、814C、814D等等，如果需要的話)或各種分立形式的像798-GND＂X＂那樣的連接元件(例如儘管不是總以被用於非分立的形式)，它們在製造時被沉積在關鍵的、自明的共用共享電極通道800/800-IM(800/800-IM總是在相對於任何後繼的分層或沉積的起點起作用，但不必是製造起點)。
只要各種相對配對對互補反向調整是匹配的和對稱地配對的並且保持其它距離關係和在相對成對的或相對平衡對稱關係中的後退，發明實施例變體將以預定的電調節方式對用戶要求的各種能量調節進行操作。這個相對平衡、相對「雙對」或相對「鏡像」元件匹配或配對平衡，是對諸如9905的以前的實施例的新穎改進，是一種結構性改進，將產生許多預料不到的結果，只要具有包含成對的電反向差動傳導通道的疊層傳導層次步進的通用法拉第屏蔽體系結構靜電屏蔽功能(未予示出)不受損害，就將是可行的。這個相對配對概念也適合於在其它共有的和共同待定的申請中所描述的不使用外部的、成對的電反向差動傳導通道的發明實施例。應當注意到，9915可能是後退方案40、41、42、43、44、45、46、47或任何可能的後退的變體的錐形的反轉，是申請人完全考慮到的。
通電時，前文中預定分支電極分層裝置的外部跡線通路、傳導通道和導體等等與所完整地描述的或不在本文件中的眾多實施例之一的組合，能構造一個完整的發明配置。在不限制本發明的前提下，以下在圖9中舉出按照本發明的一個組合體的例子。
圖9中的電路和電極簡單地示意性地表示一個雙通道，如圖所示，它是由位於預定裝置外部的預定傳導材料附件(未予示出)和構成發明實施例的各種分支電極組成的。不管實施例包裝如何，都能製造這些傳導電路附件，因為預定導體的分立或非分立的實施例本身實際不是利用發明的連接分支電極部分附到外部結構通道上的層。以下列出電路中涉及的各部分300分支電極通道，共電源的差動電極層，和共同連接和共負載源的分支電極屏蔽層，被組合成一個整體電路，由顯示一個源、通道301、負載302和返回通道303的通電和附接配置生成。
301「電力輸入」傳導能量通道或Vcc的示意表示。
302動態功能的高亮區的示意表示。
303一個非共用、差動傳導分支電極至外部導體的附接點和/或結構的示意表示，該外部導體有約1/2的能量部分從一個單個的外部電力路徑(進入到＂A＂和＂B＂差動分支電極的能量部分的分支)被輸送，使得該部分能量從303和309在相反方向進入分層的電極裝置。
304在差動分支電極與共用返回分支電極/通道之間形成的能量調節器的示意表示。
305表示相對於屏蔽分支電極或返回分支電極329、330、331的兩種差動分支電極的「0」電壓電路基準以及所生成的屏蔽效應的示意表示。
306能量路徑進入分支電極313、314的分支點的示意表示。
307共用差動傳導分支電極的固有電感的示意表示。
308共用差動傳導分支電極的固有電阻的示意表示。
309一個共用、差動傳導分支電極至外部導體的附接點和/或結構的示意表示，該外部導體有約1/2的能量部分從一個單個的外部電力路徑(進入到＂A＂和＂B＂差動分支電極的能量部分的分支)被輸送，使得該部分能量從303和309在相反方向進入分層的電極裝置。
310表示差動傳導分支電極的同一個附接點和/或結構309的動態功能的高亮區。
311形成一組的分層差動分支電極和共用分支電極屏蔽元件。
312為解釋電路部分中的層次而把分支電極設置去掉一邊的分層發明。
313差動分支電極＂A＂。
314差動分支電極＂B＂。
315電路與能量傳輸的分支部分的再組合點的連接的表示。
316電路與能量傳輸的分支部分(可選的)的再組合點的連接的表示。
317接收部分能量共使用的負載。
318傳導分支電極的固有電阻的表示。
319消除的傳導分支電極的固有電感的表示。
320 305個區內的動態功能的高亮區。
321在通電期間形成的線至線電容元件的表示。
322傳導能量返迴路徑VSS。
323表示發明區312內的動態功能區。
324各部分能量從饋通共用傳導分支電極和負載返回到源的出口點。
325共用差動傳導分支電極的固有電阻。
326能量的饋通返回部分從進入共用傳導分支電極的負載返回到源的入口點。
327在通電期間形成的線至共用分支電極-能量調節器。
328表示(1)傳導分支電極303的相同附接點和/或結構。
329共用傳導分支電極。
330共用傳導分支電極。
331共用傳導分支電極。
圖9中所示的兩線電路中的電路和功能沒有選擇第三通道連接。圖9中所示的發明電路和器件功能在預定排列的層疊的、分支電極329、330、331和313和314的兩個獨立工作的分組的更小和更大分組中像具有電容和電感消除的屏蔽轉換調節器那樣地工作。這兩組分支電極還是共用的，在本例中現在僅僅由字的方向感而差動。所以，產生一個在Vdd和Vss之間的大的理想能量調節電路，具有通過本發明的電路共用分支電極屏蔽的返回，使主電路部分元件有雙重功能，既用作一部分能量返回，又用作具有屏蔽中央共用電極330的電壓圖象。
為了使去耦性能最優，應當將發明電路和器件放置得儘可能靠近負載317，這將使與電路蹤跡301、322的內部電極部分314、313相關聯的漂泊感應和電阻(未予示出)最小化，由此充分地利用發明電路和器件的性能，由佔據其中的能量路徑的各部分用它們的傳播來進行調節。在這個例子中，電路中的各部分能量將在旁通傳播方式中相對各個物理差動旁通分支電極313和314的所有處理而工作，並將在饋通關係中、在器件通過現在也被用作能量返回322的一部分的中央共用分支電極330和包夾的分支電極329、331返回到源(未予示出)時，完全通過該器件工作。附接配置的屏蔽分支電極也有可能旁通可被通過325和326端接結構或源(未予示出)與負載317之間的連接點325和326而連接的能量通道(未予示出)上的傳播能量，建立一個備擇的第三通道和更低的阻抗和電阻之一，並讓不需要的能量部分從現在也作為能量返回322一部分的共用分支電極流回到源(未予示出)。
也應當注意到，在調節下的能量部分的當前路徑將在旁通方式中相對各個物理差動旁通分支電極313和314的所有處理而工作，並將在饋通關係中、在其通過現在也在一個附接設置可能性中被完全用作能量返回和屏蔽分支電極的中央共用分支電極的過濾器300而工作。
312中的層次的數目不受限制，但是，在所使用的單元中的共用電極屏蔽電極數需要是奇整數。這便於在這種情況中屏蔽電極329和331的平衡，以便能均勻地分布於有關的中央屏蔽電極330的每一邊，因為能使用相同地分層的元件，儘管每個電路差別很大。
當把發明的元件以工業標準插入或附接方法組合到更大的電系統中並通電時，形成電路中具有與外部差動分支電極或路徑的預定附接和具有與共用傳導結構、區或路徑的預定附接的差別。
所獲得的功能包括但不限於，同時的、差動方式和共用方式過濾、電衝擊保護和去耦、某些類型的電磁能量場傳播的相互通量消除、各種寄生輻射，具有最小部分的能量降級，這在不含有如前文所述的元件的現有實施例中一般是不具有的。
應當注意到，使用具有所公開的共用外部傳導元件以及使用主要按一定電調節功能或結果分類的各種介電體的分立和非分立的兩種發明實施例變體將幾乎總是發現，作為發明元件構造的新用途將幾乎總是取得增加到以前對所使用的特定介電材料的有限用途知識的預料不到和有意的特點。這包括幾乎任何可能的使用能在例如製成的分立矽片之類內採用發明實施例變體的非分立電容或電感結構的分層應用、或超級電容器應用，甚至原子級能量調節結構。
所以，幾乎所有類似構造的或用標準方法製造的並用於標準的多重成對線-電路情形並具有一個介電差別作為相同配置的發明實施例之間的唯一重要差別的發明實施例的實施例和變體，考慮到現有技術的各個已知介電材料響應，將幾乎總是以預料不到和非顯而易見的方式產生一個插入損耗性能測量。類似類型的發明單元(介電材料以外的)的這個比較清楚明確地揭示導致這個結果的主要原因或因素，電路性能是實施例內元件、更大共用傳導屏蔽結構和利用靜電消除、物理屏蔽來影響在採用各種發明實施例的電路系統內傳播的能量的調節的組合地工作的共用外部傳導元件的傳導附接的平衡。
與所有共用和傳導地附接的共用電極元件的同一個共用傳導外部區或通道的發明附接，將幾乎總是允許AOC(區或匯聚點)傳播的能量與源和負載電平行地工作，以及與其它的共用傳導結構平行地工作，該其它的共用傳導結構，不僅包括互相定位的共用傳導結構，而且包括相對幾乎任何連接到不是差動傳導通道的單獨的返迴路徑、固有地、外殼地或低阻抗通道的主要電路定位的共用傳導結構。將USS(通用屏蔽結構)如所描述的那樣放置和附接在通電電路後，如所公開的那樣的與內部和外部的差動能量通道平行的共用傳導能量通道將幾乎總是增加或降低AOC內的第三傳導/共用傳導通道的阻抗，以讓所傳播能量有一個能被起源於一個源的部分能量使用的可能的返回通道。
應當注意到，儘管外部和內部的差動電極能量通道二者一般是互補的，一旦將發明放到共用傳導區上，諸如由在檢測過程中放置的熔焊材料可能產生的共用傳導區上，則在共用傳導板之間產生一個輕微但不重要的失衡。位於外部的共用傳導通道的增加，加回傳導能量通道平衡並抵消頻率比類似類型的發明檢測中更高的自振蕩。圖2和3中所示的揭示，額外放置的、標記為(#-IM)的與內在的中央共享圖形「0」電壓基準平面的共用傳導能量通道將幾乎總是增加發明實施例的屏蔽有效性。這些是額外放置的位於外部的共用傳導能量通道，緊鄰其相鄰的位於內部的鄰居包夾，是為了大於向USS實施例增加電容的目的。這些額外放置的共用傳導能量通道是在至少一組外部差動電極對的任何最終應用之前放置的。
這些外部成對差動傳導通道在成對傳導屏蔽類容器800X的基本分組之間的包夾功能將幾乎總是有助於相對於外部附接的共用傳導區和/或是個共用傳導區的第三能量通道的能量傳播。
這些外部成對差動傳導通道在成對傳導屏蔽類容器800X的基本分組之間的包夾和嵌入(inlet)功能將幾乎總是再次幫助相對於外部附接的共用傳導區和/或是個共用傳導區的第三能量通道的能量傳播。應當注意，構成屏蔽800「X」容器結構應當按照所述的層疊順序保持平衡。
在發明實施例的幾乎任何變體內，只要包夾共用傳導屏蔽能量通道的區腳印內的有源能量通道的電路屏蔽被保持和包容在AOC內，則將幾乎總是出現至少三個不同的同時能量調節功能。可以將這些功能分解成至少三種在發明實施例內同時發生的電路屏蔽。
物理法拉第籠狀效應或靜電屏蔽效應功能具有與有源差動傳導能量通道屏蔽的內部生成的能量寄生體的充電包容度以及提供對與相同的有源差動傳導能量通道相連的外部生成的能量寄生體的物理保護以及能量寄生體的最小化，原因在於利用包夾共用充電屏蔽能量通道的區腳印內的有源能量通道的嵌入的幾乎總的通電和物理屏蔽外殼。
物理傳導材料和介電屏蔽功能的疊置允許以電和磁控制的方式互相影響的共用能量通道內含有的相反充電的有源差動傳導能量通道有很小的間隔距離。
沿成對的電反向互補電極或傳導能量通道的各部分能量傳播的相互能量通量場取消連同散逸的能量寄生互補充電的消除和物理屏蔽和電屏蔽包容效應是發明實施例具有的功能的主要原因。
因為磁通量線在傳輸線或線導體或層內是逆時針方向運轉的，如果RF返回通道平行於並相鄰於其對應的源軌道，在返回通道(逆時針方向場)中觀測到與源通道(順時針方向場)有關的磁通量線將幾乎總是在相反方向。如果將順時針場與逆時針場組合起來，就能觀測到消除或最小化效應。通道之間越靠近，消除效應越佳。
由位於中央的共享共用屏蔽能量通道電極產生的「0」電壓基準的使用，兩個不同共用傳導屏蔽結構的互補充電部分。平行移動屏蔽效應(與使用AOC的大多數能量部分的系列移動效應相對)中，每個能量部分在中央共用和共享傳導能量通道的一端上工作，在電互補充電和/或磁操作中，這種效應將幾乎總是有一個平行的、非增強性的但是互補充電的對應體，同時地以大致相反的消除類型或互補方式操作。
本發明也將使用包夾靜電屏蔽功能來在由相對於差動電極邊沿的共用電極邊沿界定的預定電極區內進行同時的互補充電消除，以便如本說明中所述的那樣在共用傳導屏蔽結構之間或內部進行交互。
所有或幾乎所有傳導分層電極或內部能量通道都同時被位於各部分被傳播能量使用，該各部分能量關鍵的位於中央的共用傳導能量通道電極和「0」電壓基準平面(包括#-IM的額外的按非分立定義的共用電極罩)的相反的各端上。
一個相對於傳導能量通道電平行的裝置被部分被傳播能量使用，該部分被傳播能量來自一個操作源，被傳播到AOC，然後被進一步傳播到使用能量的源，然後，部分能量被從使用能量的源傳播到AOC，然後，部分通過AOC返回到源通道，或者部分通過由在AOC內共用的第三組傳導通道增強的低阻抗通道消除到位於外部的共用傳導外部通道。如上所述，一個適當附接的發明，無論是分立的還是非分立的，將幾乎總是有助於能同時執行多個不同的能量調節功能，諸如利用用於多個單獨的不同電路的平行電定位原則進行的去耦、過濾、電壓均衡，執行電路幾乎總是相對於能量源、成對的傳導能量通道、使用能量的負載和返回到源以完成電路的傳導能量通道。
這也包括各部分傳播能量的反向的但電消除和互補定位，這些傳播能量在用關鍵的中央定位的共用和共享傳導電極通道同時生成的「0」電壓基準的相反端上以平衡的方式作用於傳導能量通道。這個幾乎總是平行的能量分布方案允許由所有製成的發明元件構成的材料與負載和位於電路內的源通道一起更有效地共同操作。通過以互補方式操作，材料壓力與現有技術相比得到顯著降低。因此，諸如彈性材料記憶或磁滯效應等現象被最小化。
對構成發明實施例各部分的材料的壓電效應也實質上被最小化，因此能量在AOC內沒有迂迴或者被低效地利用，並自動地可為負載所用，極大地提高了標準和普通介電材料執行AOC和電路內功能的能力，用途更廣，限制更少，因此降低成本，同時允許性能水平超過現有技術。在通電狀態中，對發明實施例的AOC內的介電和傳導材料壓力的磁滯效應以及壓電控制效應的最小化，相當於增加諸如SSO狀態、去耦電力系統之類應用的性能水平。由有源部件對無源部件的更快利用，直接原因也是這些壓力減少和允許使用傳播能量以利用本發明的互補方式。
然後，可以應用圍繞共享中央定位傳導能量通道的組合或圍繞一組中心傳導能量通道和多個差動傳導電極的額外的共用傳導能量通道來提供一個增加的內在地和優化的法拉第籠狀功能和電衝擊消散區以及增加或增強不被認為是如在所有實施例中所述的差動傳導通道的一部分的共用傳導通道和連接結構的低阻抗效應。
此外，一個儘管沒有示出的發明實施例能容易地被用矽製造並直接用於集成電路、微處理器電路或晶片。製造集成電路時總是帶有在矽模或半導體模或矽基底內蝕刻的電容器，這使本發明的體系結構能容易地被採用到現今可用的技術中。
最後，注意到現有技術的能量調節器件一般以線至線就位方案連接在成對的和外部的電反向差動能量通道之間，以從電路內其它地方使用的其它需要的現有技術能量調節器件中改進能量調節功能，以便處理為被傳播電路能量使用的電路的線至線部分發展的高輸入阻抗(Z)。所以，線至線就位方案在確實具有改進的能量調節功能的同時，將幾乎總是需要至少兩個額外的、現有技術的能量調節器件分別線至地地放置在相同的外部電反向差動能量通道的每個之間和至一個地連接。需要這個額外的放置以調節仍然需要能量調節來保持剛剛描述的電路的正常操作的各部分傳播能量。這個需要部分是由於內在地生成的內部感應電路元件，這些元件是在每個各種現有技術的能量調節器件內在通電電路內操作時發展的，並且幾乎總是與它們的使用一起出現。
這三個元件最少為內部各部分傳播電路能量提供同時的取消和消除能量調節功能(因此非常有效的過濾)，使得分層的發明裝置的AOC電路部分內的傳播電路能量不發展，在這部分通電電路內也不需要任何感應電路元件(「L」)。所以，新的能量調節發明實施例的幾乎所有變體將幾乎總是提供比現有技術的電容器或相同大小和電容值的現有技術的能量調節器件呈指數級地更寬的帶寬過濾功能。
最後，通過眾多的實施例顯然可見，形狀、厚度或大小可以視電應用而不同，這些應用是由共用傳導屏蔽電極通道的安排和附接結構導出，用來構成至少兩個成對容器，它們隨後生成至少一個更大的單個地傳導和同類的法拉第籠式屏蔽結構或發明部分，後者又能包含至少一個或多個通電電路內的分立或非分立操作方式的各部分成對的差動傳導電極或成對的能量通道。
儘管本文詳細地描述了本發明的原則、最佳實施例和最佳操作，這不意味著是受限於所公開的特定的示例性形式。因此，本領域的熟練人員顯然知道在不偏離所定義的發明實施例的精神和範圍的情況下可以對最佳實施例作出各種修改。
權利要求
1.用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，包含多個屏蔽共用電極，其中所述多個屏蔽共用電極包含至少一個第一屏蔽共用電極、一個第二屏蔽共用電極和一個第三屏蔽共用電極，其中所述多個屏蔽共用電極互相傳導連接，每個大致是相同大小和相同形狀；至少一對有第一分立差動電極和第二分立差動電極的分立差動電極，所述至少一對分立差動電極大致是相同大小和相同形狀，其中所述至少一對分立差動電極的每個分立差動電極被互相互補地定位；其中所述第一分立差動電極層疊在所述第一屏蔽共用電極的上面，所述第二分立差動電極層疊在所述第一屏蔽共用電極的下面，其中所述第二屏蔽共用電極層疊在所述第一分立差動電極的上面，所述第三屏蔽共用電極層疊在所述第二分立差動電極的下面，其中所述至少一對分立差動電極比所述多個屏蔽共用電極小，使得所述至少一對分立差動電極位於所述多個屏蔽共用電極的嵌入(inset)處；一種有預定電屬性的材料，其中所述材料可用於局部包裝、均勻支持、和分隔所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對分立差動電極，以防止所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對分立差動電極之間的直接電連接；和所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對分立差動電極在所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器內構成多個無源電容性能量調節元件。
2.用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，包含至少一對共用屏蔽電極結構，其中所述至少一對共用屏蔽電極結構的每個共用屏蔽電極結構是互相對準的、互補的和平行層疊的；其中所述至少一對共用屏蔽電極結構的每個共用屏蔽電極結構包含至少兩個分立差動電極，至少兩個屏蔽共用電極和一種有預定電屬性的材料，該材料可用於成組地或個別地支持和分隔所述至少兩個屏蔽共用電極和所述分立差動電極，所述材料防止所述至少兩個屏蔽共用電極的任何一個與所述分立差動電極之間的直接電連接；其中所述分立差動電極被包夾在至少兩個屏蔽共用電極之間，所述分立差動電極較小，從所述至少兩個屏蔽共用電極中嵌入；其中所述分立差動電極包含至少一個從所述至少兩個屏蔽共用電極的邊沿向外延伸預定距離的電極部分；其中所述至少兩個屏蔽共用電極互相電連接，與所述能量調節器的每個其它屏蔽共用電極電連接，並且是大致相同的大小和形狀；其中在所述至少一對共用屏蔽電極結構之間，所述至少一對共用屏蔽電極結構每一個中的所述至少一對共用屏蔽電極的至少一個屏蔽共用電極部分都能作為所述至少一對共用屏蔽電極結構的每個共用屏蔽電極結構的至少一個共用的中央屏蔽共用電極部分而工作；和其中所述至少一對共用屏蔽電極結構的所述分立差動電極構成至少一對差動電極，可具有互補能量調節功能，用於無源調節在所述能量源、所述能量負載和所述第三獨立傳導通道之間的能量傳播的差動部分。
3.用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間電連接的能量部分的無源多層能量電路調節電子組合體，包含用於在所述能量源和使用能量的負載之間連接的至少第一和第二傳導通道；一個能量調節部件，包含多個屏蔽共用電極、至少一對差動電極和一種有預定電屬性的材料，其中所述保持在所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對差動電極之間，防止所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對差動電極之間的直接電連接；所述多個屏蔽共用電極包含至少一個第一屏蔽共用電極、一個第二屏蔽共用電極和一個第三屏蔽共用電極，其中所述多個屏蔽共用電極互相傳導連接，每個是大致相同大小和相同形狀；所述至少一對分立差動電極包括第一分立差動電極和第二分立差動電極，所述至少一對分立差動電極每個是大致相同大小的；所述第一分立差動電極層疊在所述第一屏蔽共用電極的上面，所述第二分立差動電極層疊在所述第一屏蔽共用電極的下面，其中所述第二屏蔽共用電極層疊在所述第一分立差動電極的上面，所述第三屏蔽共用電極層疊在所述第二分立差動電極的下面，其中所述至少一對分立差動電極比所述多個屏蔽共用電極小，使得所述至少一對分立差動電極位於所述多個屏蔽共用電極的嵌入處；其中所述至少一對差動電極和所述多個屏蔽共用電極的組合的至少一個是分立差動電極；和其中所述多個屏蔽共用電極連接到所述第一傳導通道，所述至少一對差動電極連接到所述第二傳導通道，形成用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間電連接的能量部分的無源多層能量電路調節電子組合體的多個能量調節元件。
4.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述具有預定電屬性的材料包含介電屬性。
5.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述至少一對分立差動電極有相互相等和相互平衡的特性，該特性導致所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器的線對地電容值的大約一半的線對線電容值。
6.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對分立差動電極構成所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器內的多個無源電容能量調節元件，包括所述多個無源電容能量調節元件中的、用於在所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器的所述至少一對分立差動電極之間感應互補消除互相感應耦合的交互的一個無源電容能量調節元件。
7.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，進一步包含多個具有用於互相之間互補電交互的傳導主表面的外部傳導分立差動電極。
8.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，進一步包含一個第一傳導電極端接帶、一個第二傳導電極端接帶和一個共用電極端接帶，其中所述第一傳導電極端接電極連接到所述第一傳導電極端接，其中所述第一傳導電極端接電極連接到所述第一傳導電極端接帶，其中所述多個共用電極連接到所述共用電極端接帶，生成在所述第一和第二傳導電極端接帶之間的至少一個能量調節元件和一個在所述第一傳導電極端接帶與所述共用電極端接帶之間、另一個在所述第二傳導電極端接帶與所述共用電極端接帶之間的至少兩個能量調節元件。
9.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可作為饋通電容器陣列操作。
10.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作跨接饋通電容器陣列。
11.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作旁通電容器陣列。
12.權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作旁通電容器。
13權利要求1的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述具有預定電屬性的材料包含介電屬性。
14.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述至少一對分立差動電極有相互相等和相互平衡的特性，該特性導致所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器的線對地電容值的大約一半的線對線電容值。
15.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，其中所述多個屏蔽共用電極和所述至少一對分立差動電極構成所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器內的多個無源電容能量調節元件，包括所述多個無源電容能量調節元件中的、用於在所述用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器的所述至少一對分立差動電極之間感應互補消除互相感應耦合的交互的一個無源電容能量調節元件。
16.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，進一步包含多個具有用於互相之間互補電交互的傳導主表面的外部傳導分立差動電極。
17.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，進一步包含一個第一傳導電極端接帶、一個第二傳導電極端接帶和一個共用電極端接帶，其中所述第一傳導電極端接電極連接到所述第一傳導電極端接，其中所述第一傳導電極端接電極連接到所述第一傳導電極端接帶，其中所述多個共用電極連接到所述共用電極端接帶，生成在所述第一和第二傳導電極端接帶之間的至少一個能量調節元件和一個在所述第一傳導電極端接帶與所述共用電極端接帶之間、另一個在所述第二傳導電極端接帶與所述共用電極端接帶之間的至少兩個能量調節元件。
18.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可作為饋通電容器陣列操作。
19.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作跨接饋通電容器陣列。
20.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作旁通電容器陣列。
21.權利要求2的用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間傳導連接的能量部分的無源多層能量調節器，可用作旁通電容器。
22.權利要求3用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間電連接的能量部分的無源多層能量電路調節電子組合體，可用作差動旁通電路。
23.用於無源調節在能量源、能量負載和第三獨立傳導通道之間電連接的能量部分的無源多層能量電路調節電子組合體，可用作差動饋通電路。
全文摘要
本發明涉及一種通用多功能共用傳導屏蔽結構(9905)，加上兩個電反向差動的能量通道(810b，810f)，該屏蔽結構局部使用一個帶有疊層傳導分層步進的電屏蔽體系結構，包含用於沿著利用旁路和饋通能量傳播方式的成對的電差動通道同時進行能量傳播的電路。
文檔編號H02H1/00GK1421062SQ01807462
公開日2003年5月28日 申請日期2001年2月5日 優先權日2000年2月3日
發明者W·M·安東尼, A·A·安東尼 申請人:X2Y衰減器有限公司