一種晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極的製作方法

2023-12-10 11:29:27 1

本實用新型涉及晶矽太陽電池技術領域，尤其涉及一種晶矽太陽電池二次印刷正面電極結構。

背景技術：

太陽能光伏產業的迅速發展，需要不斷降低物料成本，提高晶矽太陽電池的轉換效率，降低生產成本，提高發電量。

晶體矽太陽電池是將太陽能轉化成電能的半導體器件，器件的大小和正面柵線遮光面積直接決定最終的發電功率，為了獲得更高的電池轉換效率，需要印刷更細的副柵線，減少遮光面積，提高電流，從而提高晶矽太陽電池轉換效率。

在晶矽太陽電池的生產中，正面電極的圖形根據工藝水平，不停的在優化，降低遮光面積，提高轉換效率，因此，有必要對晶矽太陽電池的正面電極進行改進。

技術實現要素：

本實用新型提供一種晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極，從而降低遮光面積，進一步提高晶矽太陽電池的轉換效率。

本實用新型提供如下技術方案：

一種晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極，所述正面套印電極設置在晶矽太陽電池的正面，包括第一層圖形和第二層圖形，其中，

所述第一層圖形包括若干根第一副柵線，若干根主柵線預留位置，主柵線連接處漸變，若干第一Mark點，若干防EL斷柵，若干印刷邊框線及若干第一特徵圖形，其中，所述若干根第一副柵線相互平行設置，所述第一副柵線區域的邊緣設置所述印刷邊框線，所述第一副柵線上設置所述主柵線預留位置，所述若干根主柵線預留位置相互平行設置且與所述第一副柵線垂直，所述第一副柵線與所述主柵線預留位置連接處設置主柵線連接處漸變，所述主柵線預留位置設置第一Mark點，所述若干根第一副柵線之間間隔且垂直設置所述防EL斷柵，所述印刷邊框線上設置所述第一特徵圖形；

所述第二層圖形包括若干根主柵線、若干根第二副柵線、若干第二Mark點及若干第二特徵圖形，其中，所述若干根主柵線相互平行設置且所述主柵線上設置第二Mark點，所述主柵線寬度大於所述主柵線預留位置的寬度，所述若干根第二副柵線相互平行設置且垂直於所述主柵線，所述第二副柵線區域的邊緣設置所述第二特徵圖形，所述第二副柵線與所述第一副柵線位置對應，所述第二Mark點與所述第一Mark點位置對應，所述第二特徵圖形與所述第一特徵圖形位置對應。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述主柵線預留位置和所述主柵線的數量各為1至20條，寬度在100至1500um。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述第一副柵線和所述第二副柵線的數量各為96至140根，寬度在15至40um。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述主柵線，第一副柵線及第二副柵線長度為155至165mm。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述第一Mark點和第二Mark點數量各為4個，6個或8個。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述第一特徵圖形和第二特徵圖形各為4個，6個或8個。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述主柵線連接處漸變最窄寬度為10至40um，最寬處寬度為100至500um，長度為100至2000um。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述防EL斷柵設置在兩根所述主柵線之間，數量為2至15排。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述晶矽太陽電池的形狀為正方片或四角帶有圓弧的準方片，其中圓弧的直徑大於200mm。

優選的，上述的晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極中，所述晶矽太陽電池的基材為單晶矽或多晶矽。

本實用新型由於採用以上技術方案，使得所述第一層圖形和所述第二層圖形通過所述第一Mark點和所述第二Mark點進行對準，通過所述第一特徵圖形和所述第二特徵圖形對對準精度進行確認或調整。這種設計縮短偏移的調整時間和發生錯位的機率，提高對準精度，此外。可實現更細的副柵線印刷，降低遮光面積，提高電流，從而提高晶矽太陽電池轉換效率。

附圖說明

圖1為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的示意圖；

圖2A為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的主柵連接處漸變的局部放大圖；

圖2B為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的第一Mark點的局部放大圖；

圖2C為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的防EL斷柵的局部放大圖；

圖2D為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的第一特徵圖形的局部放大圖；

圖3為本實用新型的二次印刷套印第二層圖形示意圖；

圖4A為本實用新型的二次印刷套印第二層圖形的第二Mark點的局部放大圖；

圖4B為本實用新型的二次印刷套印第二層圖形的第二特徵圖形的局部放大圖；

圖中：100－第一層圖形、101－主柵線預留位置、102－第一副柵線、103－主柵線連接處漸變、104－第一Mark點、105－防EL斷柵、106－第一特徵圖形、200－第二層圖形、201－主柵線、202－第二副柵線、203－第二Mark點、204－第二特徵圖形

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的一種晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

請參閱圖1至圖4B，本實施例公開了晶矽太陽電池二次印刷正面套印電極，所述正面套印電極設置在晶矽太陽電池的正面，包括第一層圖形100和第二層圖形200，其中，

所述第一層圖形100包括若干根第一副柵線102，若干根主柵線預留位置101，主柵線連接處漸變103，若干第一Mark點104，若干防EL斷柵105，若干印刷邊框線及若干第一特徵圖形106，其中，所述若干根第一副柵線102相互平行設置，所述第一副柵線102區域的邊緣設置所述印刷邊框線，所述第一副柵線102上設置所述主柵線預留位置101，所述若干根主柵線預留位置101相互平行設置且與所述第一副柵線102垂直，所述第一副柵線102與所述主柵線預留位置101連接處設置主柵線連接處漸變103，所述主柵線預留位置101設置第一Mark點104，所述若干根第一副柵線102之間間隔且垂直設置所述防EL斷柵105，所述印刷邊框線上設置所述第一特徵圖形106；

所述第二層圖形200包括若干根主柵線201、若干根第二副柵線202、若干第二Mark點203及若干第二特徵圖形204，其中，所述若干根主柵線201相互平行設置且所述主柵線201上設置第二Mark點203，所述主柵線201寬度大於所述主柵線預留位置101的寬度，所述若干根第二副柵線202相互平行設置且垂直於所述主柵線201，所述第二副柵線202區域的邊緣設置所述第二特徵圖形204，所述第二副柵線202與所述第一副柵線102位置對應，所述第二Mark點203與所述第一Mark點104位置對應，所述第二特徵圖形204與所述第一特徵圖形106位置對應。

如此設置，使得所述第一層圖形100和所述第二層圖形200通過所述第一Mark點104和所述第二Mark點203進行對準，通過所述第一特徵圖形106和所述第二特徵圖形204對對準精度進行確認或調整。通過這種設計將縮短偏移的調整時間和發生錯位的機率，提高對準精度，從而提高晶矽太陽電池轉換效率。

在上述實施例中，所述主柵線預留位置101和所述主柵線201的數量各為1至20條，寬度在100至1500um。

在上述實施例中，所述第一副柵線102和所述第二副柵線202的數量各為96至140根，寬度在15至40um。

在上述實施例中，所述主柵線201，第一副柵線102及第二副柵線202長度為155至165mm。

在上述實施例中，所述第一Mark點104和第二Mark點203數量各為4個，6個或8個。

在上述實施例中，所述第一特徵圖形106和第二特徵圖形204各為4個，6個或8個。

在上述實施例中，所述主柵線連接處漸變103最窄寬度為10至40um，最寬處寬度為100至500um，長度為100至2000um。

在上述實施例中，所述防EL斷柵105設置在兩根所述主柵線201之間，數量為2至15排。

在上述實施例中，所述晶矽太陽電池的形狀為正方片或四角帶有圓弧的準方片，其中圓弧的直徑大於200mm。

在上述實施例中，所述晶矽太陽電池的基材為單晶矽或多晶矽。

上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，並非對本實用新型範圍的任何限定，本實用新型領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於權利要求書的保護範圍。