一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置製造方法
2023-06-03 10:53:51
一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，可避免由於樹脂層暴露在空氣中而引發的各種mura現象；該陣列基板包括襯底基板、依次設置在所述襯底基板上的薄膜電晶體、樹脂層以及像素電極，在此基礎上，所述陣列基板還包括設置在所述樹脂層與所述像素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。用於陣列基板、包括該陣列基板的液晶顯示裝置的設計及製造。
【專利說明】一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 薄膜場效應電晶體液晶顯示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-IXD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的顯示器市場中佔據主導地 位。
[0003] TFT-IXD包括陣列基板、彩膜基板以及位於二者之間的液晶層。其中，陣列基板包 括設置在襯底基板上的柵極、與柵極同層的柵線、柵絕緣層、半導體有源層、源極和漏極、像 素電極等。
[0004] 其中，由於柵極和漏極之間存在寄生電容，並且當該陣列基板為底柵型陣列基板 時，由於像素電極與數據線之間最多只有一層氮化矽的保護層而易受到數據線產生電場的 幹擾，因此，通常採用介電常數較低的樹脂層來代替保護層，以解決上述寄生電容以及幹擾 的問題。
[0005] 然而，當樹脂材料暴露於空氣中時，其容易吸收水分，從而引發各種畫面品質不良 (mura)現象的出現。
【發明內容】
[0006] 本發明提供了一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置，可避免由於樹脂層暴 露在空氣中而引發的各種mura現象。
[0007] 為達到上述目的，本發明採用如下技術方案：
[0008] -方面，提供一種陣列基板，包括襯底基板、依次設置在所述襯底基板上的薄膜晶 體管、樹脂層以及像素電極，在此基礎上，所述陣列基板還包括設置在所述樹脂層與所述像 素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
[0009] 優選的，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基板的邊緣1000-2000 μ m ;所述鈍化層 的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
[0010] 優選的，所述陣列基板還包括設置在所述樹脂層與所述鈍化層之間公共電極。
[0011] 基於上述，優選的，所述樹脂層的材料為光刻膠。
[0012] 優選的，所述陣列基板還包括設置在所述樹脂層靠近所述襯底基板一側且與所述 樹脂層接觸的粘附層；其中，所述粘附層用於增強所述樹脂層的粘附性。
[0013] 另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0014] 再一方面，提供一種陣列基板的製備方法，包括：在襯底基板上依次形成薄膜晶體 管、樹脂層、以及像素電極，在此基礎上，所述方法還包括在所述樹脂層與所述像素電極之 間形成鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
[0015] 優選的，形成所述樹脂層和所述鈍化層包括：
[0016] 在形成有所述薄膜電晶體的基板上，通過一次構圖工藝形成所述樹脂層，所述樹 脂層包括露出所述薄膜電晶體的漏極的第一過孔；其中，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底 基板的邊緣1000-2000 μ m;在形成有所述樹脂層的基板上，通過一次構圖工藝形成所述鈍 化層，所述鈍化層包括與所述第一過孔對應的第二過孔；其中，所述鈍化層的邊緣與所述襯 底基板的邊緣齊平。
[0017] 進一步優選的，所述在形成有所述薄膜電晶體的基板上，通過一次構圖工藝形成 所述樹脂層，包括：
[0018] 在形成有所述薄膜電晶體的基板上，形成光刻膠薄膜；採用普通掩模板對形成有 所述光刻膠薄膜的基板進行曝光，形成光刻膠完全曝光部分和光刻膠未曝光部分；其中，所 述光刻膠完全曝光部分至少對應所述第一過孔的區域和所述襯底基板的邊緣區域，所述光 刻膠未曝光部分對應其他區域；顯影后，所述光刻膠未曝光部分形成所述樹脂層。
[0019] 基於上述，優選的，所述方法還包括：在所述樹脂層與所述鈍化層之間形成公共電 極；其中，在所述第一過孔和所述第二過孔對應的位置，所述公共電極斷開。
[0020] 本發明提供了一種陣列基板及其製備方法、液晶顯示裝置，該陣列基板包括襯底 基板、依次設置在所述襯底基板上的薄膜電晶體、樹脂層以及像素電極，在此基礎上，所述 陣列基板還包括設置在所述樹脂層與所述像素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹 所述樹脂層。
[0021] 由於所述樹脂層位於所述薄膜電晶體和所述像素電極之間，因此，不管是頂柵型 薄膜電晶體還是底柵型薄膜電晶體，本發明實施例提供的陣列基板，均可以增大柵極與像 素電極之間、漏極或柵極與像素電極之間的距離，從而可以解決柵極與漏極之間的寄生電 容以及像素電極受到數據線或柵線幹擾的問題。在此基礎上，由於還設置有包裹所述樹脂 層的鈍化層，所述鈍化層可以使所述樹脂層與空氣、水隔絕，從而可以避免由於樹脂層暴露 在空氣中而引發的各種mura現象。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的俯視不意圖；
[0024] 圖2為圖1所示陣列基板的AA'向剖視示意圖；
[0025] 圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板中樹脂層和鈍化層的俯視示意圖；
[0026] 圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖一；
[0027] 圖5為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖二；
[0028] 圖6a_6b為本發明實施例提供的製備樹脂層和鈍化層的過程示意圖；
[0029] 圖7a_7b為本發明實施例提供的製備樹脂層的過程示意圖。
[0030] 附圖標記：
[0031] 01-陣列基板；10-襯底基板；20-薄膜電晶體；201-柵極；202-柵絕緣層；203-半 導體有源層；204-源極；205-漏極；206-柵線；207-數據線；30-樹脂層；30a-光刻膠薄 膜；30al-光刻膠完全曝光部分；30a2-光刻膠未曝光部分；301-第一過孔；40-像素電極； 50-鈍化層；501-第二過孔；60-公共電極；70-粘附層。
【具體實施方式】
[0032] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0033] 本發明實施例提供了一種陣列基板01，如圖1和2所示，該陣列基板01包括襯底 基板10、依次設置在所述襯底基板上10的薄膜電晶體20、樹脂層30以及像素電極40,在 此基礎上，所述陣列基板01還包括設置在所述樹脂層30與所述像素電極40之間的鈍化層 50,且所述鈍化層50完全包裹所述樹脂層30。
[0034] 其中，所述薄膜電晶體20包括柵極201、柵絕緣層202、半導體有源層203、源極 204和漏極205。所述陣列基板還包括與所述柵極201電連接的柵線206、與所述源極204 電連接的數據線207。
[0035] 需要說明的是，第一，不對所述薄膜電晶體20的類型進行限定，其可以是頂柵型， 也可以是底柵型。
[0036] 第二，不對所述薄膜電晶體20的半導體有源層203的材料進行限定，其可以是非 晶矽，金屬氧化物等。
[0037] 其中，當所述半導體有源層203的材料為非晶矽時，優選在所述半導體有源層203 與所述源極204、漏極205之間設置歐姆接觸層。當所述半導體有源層203的材料為金屬 氧化物半導體時，為了避免刻蝕形成所述源極204和所述漏極205時，對所述半導體有源層 203造成影響，優選在形成所述半導體有源層203後形成所述源極204和所述漏極205之 前，形成刻蝕阻擋層。
[0038] 此外，所述半導體有源層203的材料也可以為其他，具體可根據實際情況進行設 定，在此不做限定。
[0039] 第三，所述鈍化層50可以與所述樹脂層30接觸，也可以在所述鈍化層50和所述 樹脂層30之間設置其他圖案層，只要在最終形成的所述陣列基板01中，所述鈍化層50完 全包裹所述樹脂層30即可。
[0040] 其中，所述鈍化層50完全包裹所述樹脂層30,即為：所述樹脂層30在所述襯底基 板10上的投影完全重疊於所述鈍化層50在所述襯底基板10上的投影，且所述鈍化層50 在所述襯底基板10上的投影的尺寸大於所述樹脂層30在所述襯底基板10上的投影的尺 寸。
[0041] 本發明實施例提供了一種陣列基板01，包括襯底基板10、依次設置在所述襯底基 板上的薄膜電晶體20、樹脂層30以及像素電極40,在此基礎上，所述陣列基板01還包括設 置在所述樹脂層30與所述像素電極40之間的鈍化層50,且所述鈍化層50完全包裹所述樹 脂層30。
[0042] 由於所述樹脂層30位於所述薄膜電晶體20和所述像素電極40之間，因此，不管 是頂柵型薄膜電晶體還是底柵型薄膜電晶體，本發明實施例提供的陣列基板，均可以增大 柵極201與像素電極40之間、漏極205或柵極201與像素電極40之間的距離，從而可以解 決柵極201與漏極205之間的寄生電容以及像素電極40受到數據線207或柵線206幹擾 的問題。在此基礎上，由於還設置有包裹所述樹脂層30的鈍化層50,所述鈍化層50可以 使所述樹脂層30與空氣、水隔絕，從而可以避免由於樹脂層30暴露在空氣中而引發的各種 mura現象。
[0043] 當該陣列基板01應用於液晶顯示裝置時，為了避免對液晶顯示裝置的透過率產 生影響，本發明實施例中，將所述樹脂層30的材料優選設置為具有高透過率的樹脂材料。
[0044] 在此基礎上，所述樹脂層30的材料優選為光刻膠材料，這樣可以簡化形成所述樹 脂層30時的工藝步驟，並且節省成本。
[0045] 優選的，如圖3所示，所述樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊緣 1000-2000 μ m ;所述鈍化層50的邊緣與所述襯底基板10的邊緣齊平。
[0046] 通過在形成所述樹脂層30時，使所述樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊 緣1000-2000 μ m，可以在後續形成所述鈍化層50時，容易使所述鈍化層50完全包裹所述樹 脂層30, S卩，不至於由於樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊緣距離太小，而無法在 所述樹脂層30的側面形成所述鈍化層30的相應部分。
[0047] 優選的，本發明實施例提供的陣列基板01可以適用於高級超維場轉換技術 (Advanced Super Dimensional Switching,簡稱ADS)型液晶顯示裝置的生產。其中，高級 超維場轉換技術，其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以 及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正 上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率並增大了透光效率。高 級超維場轉換技術可以提高TFT-IXD產品的畫面品質，具有高解析度、高透過率、低功耗、 寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（Push Mura)等優點。
[0048] 因此，如圖4所示，所述陣列基板01還包括設置在所述樹脂層30與所述鈍化層50 之間公共電極60。
[0049] 其中，所述公共電極60為板狀電極，所述像素電極40為狹縫電極。
[0050] 這裡，將所述公共電極60設置在所述樹脂層30上方，還可以避免公共電極60受 到數據線207或柵線206的幹擾。
[0051] 基於上述，優選的，如圖5所示，所述陣列基板01還包括設置在所述樹脂層30靠 近所述襯底基板10 -側且與所述樹脂層30接觸的粘附層70 ;其中，所述粘附層70用於增 強所述樹脂層30的粘附性。
[0052] 這裡，由於樹脂層30和與其接觸的膜層結合強度不夠強，因此採用所述粘附層70 來增強所述樹脂層30與位於所述樹脂層30下方的薄膜電晶體20最靠近所述樹脂層30例 如源極204和漏極205的結合強度，其材質可以選用例如氮化矽。
[0053] 需要說明的是，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸完全一致，在此 情況下，可以採用普通掩膜板通過一次構圖工藝同時形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ; 當然，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸不一致，在此情況下，可根據實際 情況，採用一次或兩次構圖工藝形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ;具體可以根據實際情 況進行設定，在此不做限定。
[0054] 本發明實施例還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板01。
[0055] 此處，本發明實施例所述液晶顯示裝置具體可以是液晶顯示器、液晶電視、數碼相 框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或者部件。
[0056] 本發明實施例還提供了一種陣列基板01的製備方法，參考圖1和圖2所示，該方 法包括：在襯底基板10上依次形成薄膜電晶體20、樹脂層30、以及像素電極40,在此基礎 上，所述方法還包括在所述樹脂層30與所述像素電極40之間形成鈍化層50,且所述鈍化層 50完全包裹所述樹脂層30。
[0057] 其中，所述薄膜電晶體20包括柵極201、柵絕緣層202、半導體有源層203、源極 204和漏極205。所述陣列基板還包括與所述柵極201電連接的柵線206、與所述源極204 電連接的數據線207。
[0058] 由於所述樹脂層30形成於所述薄膜電晶體20和所述像素電極40之間，因此，不 管是頂柵型薄膜電晶體還是底柵型薄膜電晶體，本發明實施例提供的陣列基板，均可以增 大柵極201與像素電極40之間、漏極205或柵極201與像素電極40之間的距離，從而可以 解決柵極201與漏極205之間的寄生電容以及像素電極40受到數據線207或柵線206幹 擾的問題。在此基礎上，由於還設置有包裹所述樹脂層30的鈍化層50,所述鈍化層50可以 使所述樹脂層30與空氣、水隔絕，從而可以避免由於樹脂層30暴露在空氣中而引發的各種 mura現象。
[0059] 優選的，形成所述樹脂層30和所述鈍化層50具體可以包括如下步驟：
[0060] S101、如圖6a所示，在形成有所述薄膜電晶體20的基板上，通過一次構圖工藝形 成所述樹脂層30,所述樹脂層30包括露出所述漏極205的第一過孔301 ;其中，所述樹脂層 的30邊緣距離所述襯底基板10的邊緣1000-2000 μ m。
[0061] 其中，優選將所述樹脂層30的材料設置為具有高透過率的樹脂材料。在此基礎 上，所述樹脂層30的材料優選為光刻膠材料，這樣可以簡化形成所述樹脂層30時的工藝步 驟，並且節省成本。
[0062] S102、如圖6b所示，在形成有所述樹脂層30的基板上，通過一次構圖工藝形成所 述鈍化層50,所述鈍化層50包括與所述第一過孔301對應的第二過孔501 ;其中，所述鈍化 層50的邊緣與所述襯底基板10的邊緣齊平。
[0063] 在此基礎上，後續形成的所述像素電極40便可以通過所述第二過孔501和所述第 一過孔301與所述漏極205電連接。
[0064] 進一步的，上述步驟S101，具體可以通過如下步驟實現：
[0065] S1011、如圖7a所示，在形成有所述薄膜電晶體20的基板上，形成光刻膠薄膜30a。
[0066] S1012、如圖7b所示，採用普通掩模板對形成有所述光刻膠薄膜30a的基板進行曝 光，形成光刻膠完全曝光部分30al和光刻膠未曝光部分30a2 ;其中，所述光刻膠完全曝光 部分30al至少對應所述第一過孔301的區域和所述襯底基板10的邊緣區域，所述光刻膠 未曝光部分30a2對應其他區域。
[0067] S1013、參考圖6a所示，顯影后，所述光刻膠未曝光部分30a2形成所述樹脂層30。
[0068] 基於上述，優選的，參考圖4所示，所述方法還包括：在所述樹脂層30與所述鈍化 層50之間形成公共電極60 ;其中，在所述第一過孔301和所述第二過孔501對應的位置， 所述公共電極60斷開。
[0069] 這裡，將所述公共電極60設置在所述樹脂層30上方，還可以避免公共電極60受 到數據線207或柵線206的幹擾。
[0070] 進一步優選的，參考圖5所示，所述陣列基板01還包括形成在所述樹脂層30靠近 所述襯底基板10 -側且與所述樹脂層30接觸的粘附層70 ;其中，所述粘附層70用於增強 所述樹脂層30的粘附性。
[0071] 這裡，採用所述粘附層70來增強所述樹脂層30與位於所述樹脂層30下方的薄膜 電晶體20最靠近所述樹脂層30例如源極204和漏極205的結合強度，其材質可以選用例 如氮化矽。
[0072] 需要說明的是，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸完全一致，在此 情況下，可以採用普通掩膜板通過一次構圖工藝同時形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ; 當然，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸不一致，在此情況下，可根據實際 情況，採用一次或兩次構圖工藝形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ;具體可以根據實際情 況進行設定，在此不做限定。
[0073] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，包括襯底基板、依次設置在所述襯底基板上的薄膜電晶體、樹脂層以 及像素電極，其特徵在於，所述陣列基板還包括設置在所述樹脂層與所述像素電極之間的 鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基 板的邊緣1000-2000ym ; 所述鈍化層的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
3. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板還包括設置在所述樹 脂層與所述鈍化層之間公共電極。
4. 根據權利要求1至3任一項所述的陣列基板，其特徵在於，所述樹脂層的材料為光刻 膠。
5. 根據權利要求1至3任一項所述的陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板還包括設置 在所述樹脂層靠近所述襯底基板一側且與所述樹脂層接觸的粘附層； 其中，所述粘附層用於增強所述樹脂層的粘附性。
6. -種液晶顯示裝置，其特徵在於，包括權利要求1至5任一項所述的陣列基板。
7. -種陣列基板的製備方法，包括：在襯底基板上依次形成薄膜電晶體、樹脂層、以及 像素電極，其特徵在於，所述方法還包括在所述樹脂層與所述像素電極之間形成鈍化層，且 所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
8. 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，形成所述樹脂層和所述鈍化層包括： 在形成有所述薄膜電晶體的基板上，通過一次構圖工藝形成所述樹脂層，所述樹脂層 包括露出所述薄膜電晶體的漏極的第一過孔；其中，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基板 的邊緣 1000-2000 μ m ; 在形成有所述樹脂層的基板上，通過一次構圖工藝形成所述鈍化層，所述鈍化層包括 與所述第一過孔對應的第二過孔；其中，所述鈍化層的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
9. 根據權利要求8所述的方法，其特徵在於，所述在形成有所述薄膜電晶體的基板上， 通過一次構圖工藝形成所述樹脂層，包括： 在形成有所述薄膜電晶體的基板上，形成光刻膠薄膜； 採用普通掩模板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光，形成光刻膠完全曝光部分 和光刻膠未曝光部分；其中，所述光刻膠完全曝光部分至少對應所述第一過孔的區域和所 述襯底基板的邊緣區域，所述光刻膠未曝光部分對應其他區域； 顯影后，所述光刻膠未曝光部分形成所述樹脂層。
10. 根據權利要求7至9任一項所述的方法，其特徵在於，所述方法還包括：在所述樹 脂層與所述鈍化層之間形成公共電極；其中，在所述第一過孔和所述第二過孔對應的位置， 所述公共電極斷開。
【文檔編號】G02F1/1343GK104155812SQ201410366579
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優先權日:2014年7月29日
【發明者】李鴻鵬, 宋省勳, 李京鵬 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司