基板處理方法、計算機可讀記錄介質以及基板處理裝置的製作方法
2023-06-07 10:02:31
專利名稱：基板處理方法、計算機可讀記錄介質以及基板處理裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及基板處理方法、計算機可讀記錄介質以及基板處理裝置。
背景技術：
例如在半導體裝置或液晶顯示裝置、有機EL元件等電子器件的製造工藝當中，在基板上形成有用於使配線間絕緣的層間絕緣膜。近年來，為了進一步降低該配線部的電阻或電容，正在推進低介電常數的層間絕緣膜的研發。
作為可實現低介電常數絕緣膜的膜材料，以往所關注的是含有氟的高分子膜。但是，當使用該高分子膜時，膜中的氟原子會在基板處理當中與周圍的水分發生反應，並從膜中散發出氟化氫氣體，從而可能會損壞周邊的膜而使其剝離。因此，作為絕緣膜的膜材料，提出使用可獲得同等程度低介電常數的無定形碳來代替含有氟的高分子膜。
現在，作為無定形碳的成膜方法，提出了如下方案使用平行平板型的等離子體CVD裝置，將環形的碳氫化合物氣體供應到腔室內，在腔室內生成等離子體並成膜(例如參照美國專利5981000號公報)。在使用該平行平板型的CVD等離子體裝置的成膜方法中，向腔室內的基板施加偏置電壓，將等離子體中的帶電粒子引入到基板的表面上，由此在基板上形成絕緣膜。
但是，在使用上述成膜方法時，絕緣膜的介電常數值(k值)為3.5左右。為了實現電子器件的高速化、低功耗化，需要實現更低介電常數的絕緣膜。此外，在使用上述成膜方法時，膜的耐熱性差，例如在基板的熱處理當中，會出現膜厚變化，或者膜質劣化的現象。
發明內容
本發明是鑑於所述要點而作出的，其目的在於形成介電常數更低且耐熱性好的無定形碳的絕緣膜。
為了達成上述目的，根據本發明，提供了如下的基板處理方法，所述方法向容納了基板的處理容器內供應具有多重鍵的碳氫化合物氣體，在該處理容器內生成等離子體，從而在所述基板上形成無定形碳的絕緣膜。
根據發明人的驗證，通過使用本發明的基板處理方法，可形成介電常數為2.5左右的無定形碳的絕緣膜。此外，根據本發明，可形成耐熱性明顯很高的絕緣膜。如此，根據本發明，可形成與以往相比介電常數低而耐熱性高的無定形碳的絕緣膜。
所述碳氫化合物氣體為乙炔氣體，除了所述乙炔氣體之外，還可以向所述處理容器內供應氫氣。此外，也可以將所述乙炔氣體與所述氫氣以4∶3～4∶1的容積比進行供應。由此，可以降低絕緣膜的洩漏電流。
所述碳氫化合物氣體也可以是丁炔。
在所述絕緣膜形成當中，可以將所述處理容器內的壓力維持在4.0Pa以下。此外，也可以在所述絕緣膜的形成當中，將所述基板維持在200℃以下。
在所述絕緣膜形成後，可以在含有氫氣的氣氛內加熱基板。該情況下，可以形成絕緣膜的介電常數更低，且洩漏電流小，耐熱性好的絕緣膜。另外，在所述絕緣膜的形成後，可以在350℃～400℃的溫度下加熱基板。在從形成所述絕緣膜開始到對基板加熱為止的期間內，將基板維持在不含氧的氣氛中。
也可以在不向所述處理容器內的基板上施加偏置電壓的狀態下，在所述處理容器內生成等離子體。
基於另一觀點的本發明提供了如下的計算機可讀記錄介質，其存儲了用於使計算機實現如方案1至12中任一項所述的基板處理方法的程序。
基於再一觀點的本發明提供了如下的基板處理裝置，其具有執行方案1至12中任一項所述的基板處理方法的控制部。
根據本發明，由於能夠實現低介電常數且耐熱性好的絕緣膜，因而能夠以更高的速度製造低功耗的電氣器件。
圖1是簡要表示實施方式中的基板處理裝置大體結構的說明圖；圖2是表示絕緣膜形成裝置的結構的縱截面示意圖；圖3是原料氣體供應構造體的平面圖；圖4是表示退火處理裝置的大體結構的縱截面示意圖；圖5是表示配有氫氣的氣體供應源的絕緣膜形成裝置的大體結構的縱截面示意圖；圖6是表示氫氣的混合比與洩漏電流及收縮率之間關係的圖；圖7是表示成膜時處理容器內的壓力與收縮率及成膜速度之間關係的圖表；圖8是表示配有氫氣的氣體供應源的退火處理裝置的大體結構的縱截面示意圖；圖9是表示對退火處理時供應了氫氣的絕緣膜的各施加電壓所相對的洩漏電流的圖表；圖10是表示對通過以往的基板處理而形成的絕緣膜的各施加電壓所相對的洩漏電流的圖表。
具體實施例方式
下面，對本發明的最佳實施方式進行說明。圖1是表示本發明中的實施基板處理方法的基板處理裝置1的大體結構的平面圖。
如圖1所示，基板處理裝置1具有將向盒裝卸臺2與處理裝卸臺3在Y方向(圖中的左右方向)上連成一體的結構，其中所述向盒裝卸臺2例如將多個基板W以盒為單位從外部向基板處理裝置1搬入搬出，或者將基板W向盒C搬入搬出；所述處理裝卸臺3包括對基板W進行單片式處理的多個各種裝置。
向盒裝卸臺2由盒載置臺4與搬送腔室5構成。在盒載置臺4上，可以在x方向(圖1中的上下方向)上並列載置多個(例如兩個)盒C。搬送腔室5包括例如由多關節機器人構成的基板搬送體6以及預對準平臺7。基板搬送體6能夠將基板W向盒載置臺4上的盒C、預對準平臺7以及處理裝卸臺3後述的負荷固定室30、31搬送。
處理裝卸臺3在其中央部上配有從向盒裝卸臺2朝向Y方向(圖1中的左右方向)形成為直線形的搬送路徑8。搬送通路8覆蓋在可密封所述搬送通路8內部的殼體8a上。殼體8a上例如連接有與氣體供應裝置20相連通的供氣管21。氣體供應裝置20通過供氣管21向殼體8a內供應例如不含氟氣的氣體、如惰性氣體或者氮氣。此外，殼體8a上例如連接有與排氣裝置22連通的排氣管23。通過從供氣管21供氣以及從排氣管23排氣，從而可以將殼體8a內部維持為不含氧氣的氣氛。
在夾著搬送通路8的X方向的兩側，沿著所述搬送通路8，例如從向盒裝卸臺2一側開始依次配置有負荷固定室30、31、絕緣膜形成裝置32、33以及退火裝置34、35。負荷固定室30、31、絕緣膜形成裝置32、33以及退火裝置34、35經由閘閥36而與搬送腔室37相連接。搬送腔室5內的基板W例如可以經由負荷固定室30、31搬送到搬送通路8內。
在搬送通路8內，設置有向Y方向延伸的搬送軌道38以及在該搬送軌道38上移動自如且由多關節機器人構成的基板搬送裝置39。基板搬送裝置39能夠在搬送軌道38上移動，並可經由各閘閥36而將基板W向負荷固定室30、31、絕緣膜形成裝置32、33以及退火裝置34、35搬送。
在基板處理裝置1上，例如設置有用於對各裝置32～35上的基板處理工藝進行控制的控制部40。控制部40例如由通用的計算機構成。在控制部40中例如存儲有用於執行基板的處理工藝的程序，控制部40向各裝置32～35輸出關於各處理工藝的指示信號，通過從記錄介質安裝的程序，執行各裝置32～35的處理工藝。
接著，對上述絕緣膜形成裝置32的結構進行說明。圖2簡要示出了絕緣膜形成裝置32的縱截面的結構。絕緣膜形成裝置32是使用由微波生成的等離子體，在基板W上進行無定形碳的絕緣膜的成膜的等離子體CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沉積)裝置。
絕緣膜形成裝置32如圖2所示例如配有上表面開口的有底圓筒形的處理容器50。處理容器50例如由鋁合金形成。將處理容器50接地。在處理容器50的底部大致中央部分上，設置有例如用於對基板W進行載置的、作為載置部的載置臺51。
在載置臺51的內部設置有加熱器52。加熱器52與設置在處理容器50外部的電源53相連接，可通過來自該電源53的供電而發熱，將載置臺51加熱至規定溫度。
例如在處理容器50的上部開口中，經由用於確保氣密性的O形環等密封件60而設置有由石英玻璃等構成的介質窗61。處理容器50的上部開口被該介質窗61所封閉。在介質窗61的上部設置有供應等離子體生成用的微波的、作為高頻供應部的徑向線縫隙天線62。
徑向線縫隙天線62配有下表面開口的大致圓筒形的天線主體63。在天線主體63的下表面的開口部上，設置有形成了很多縫隙的圓盤形的縫隙板64。在天線主體63內的縫隙板64的上部設置有由低損耗介電材料形成的滯相板65。天線主體63的上表面連接有與微波激發裝置66相通的同軸導波管67。微波激發裝置66設置在處理容器50的外部，可以向徑向線縫隙天線62激發出規定頻率(如2.45GHz)的微波。通過所述結構，從微波激發裝置66激發出的微波被傳輸到徑向線縫隙天線62內，在被滯相板65壓縮從而波長短化之後，使得在縫隙板64上產生圓偏波，從介質窗61向處理容器50內放射。
在處理容器50上部的內周面上形成有供應等離子體生成用氣體的氣體供應口70。氣體供應口70例如沿著處理容器50的內周面而形成在多處。氣體供應口70上連接有例如設置在處理容器50外部的、與氣體供應源71相通的氣體供應管71。在本實施方式中，在氣體供應源71中儲存有作為稀有氣體的氬(Ar)氣。
在處理容器50內的載置臺51與徑向線縫隙天線62之間例如設置有外形微近似平板形的原料氣體供應構造體80。原料氣體供應構造體80形成為圓形，其外形從平面上看至少比基板W的直徑大，並被設置成與載置臺51及徑向線縫隙天線62相對。通過該原料氣體供應構造體80，處理容器50內部被劃分為徑向線縫隙天線62側的等離子體生成區域R1和載置臺51側的成膜區域R2。
原料氣體供應構造體80如圖3所示由在同一平面上大致配置成柵格形的、一連串地連接的原料氣體供應管81構成。原料氣體供應輥81例如由在原料氣體供應構造體80的外圍部分配置成環形的環形管81a、和在環形管81a的內側多根橫豎管彼此垂直配置的柵格形管81b構成。所述原料氣體供應管81從軸方向上來看其縱截面形成為方形，且彼此都連通。
此外，原料氣體供應構造體80在配置成柵格形的原料氣體供應管81彼此之間具有很多開口部82。在原料氣體供應構造體80上側的等離子體生成區域R1中產生的等離子體中的帶電例子通過該開口部82而進入到載置部臺3側的成膜區域R2。
在原料氣體供應構造體80的原料氣體供應管81的下表面上，如圖2所示形成有很多原料氣體供應口83。這些原料氣體供應口83均等地配置在原料氣體供應構造體80的面內。另外，該原料氣體供應口83也可以僅在與載置臺51上載置的基板W相對的區域內均等地配置。在原料氣體供應管81上連接有與設置在處理容器50外部的原料氣體供應源84連通的氣體管85。在原料氣體供應源84中儲存有具有多重鍵的碳氫化合物氣體、例如C4H6(丁炔)氣體。從原料氣體供應源84通過氣體管85而供應給原料氣體供應管81的原料氣體被從各原料氣體供應口83向下方的成膜區域R2噴出。
在處理容器50的底部設置有用於排出處理容器50內氣氛的排氣口90。排氣口90商連接有與渦輪分子泵等排氣裝置91相通的排氣管92。通過從該排氣口90排氣，可以將處理容器50內部減壓到預定的壓力。
另外，絕緣膜形成裝置33的結構與絕緣膜形成裝置32相同，省去對其說明。
退火裝置34例如如圖4所示，在近似圓筒形的處理容器100內的上部架有透明的石英玻璃板101。在石英玻璃板101與處理容器100的天花面之間的空間內，作為加熱源例如配置有燈103。在處理容器100的底面上設置有在處理容器100內的中央部分上支撐基板W的支撐腳104。在處理容器100的底面上，形成有與真空排氣裝置(圖中未示出)相通的排氣口105。在處理容器100側壁上的石英玻璃板101的下方設置有氣體供應口106。氣體供應口106通過氣體供應管107例如與Ar氣的氣體供應源108連通，可以向處理容器100內供應Ar氣。另外，由於退火裝置35與退火裝置34為同樣的結構，因而省去對其說明。
接下來，對由如上那樣構成的基板處理裝置1進行的基板處理進行說明。首先，圖1所示的基板處理裝置1的搬送通路8內部例如通過從供氣管21供氣以及從排氣管23排氣從而維持不含氧的、例如氮氣氛。然後，在將容納了絕緣膜形成前的基板W的盒C載置到盒載置臺4上後，通過基板搬送體6取出該盒C內的基板W，將其搬送到預對準平臺7。在預對準平臺7上進行了位置對準的基板W例如通過基板搬送體6而經由閘閥37被搬送到負荷固定室30。負荷固定室30的基板W由基板搬送裝置39通過搬送通路8搬送到絕緣膜形成裝置32中。
搬送至絕緣膜形成裝置32的基板W如圖2所示被載置到處理容器50內的載置臺51上。載置於載置臺51上的基板W通過加熱器52的加熱而被加熱至200℃以下，例如80℃左右。接著，通過排氣裝置91開始處理容器50內的排氣，處理容器50內例如被減壓至6.67Pa(50mTorr)以下，例如2.67Pa(20mTorr)左右。
此外，在處理容器50內，從氣體供應口70向等離子體生成區域R1供應等離子體氣體、即Ar氣。從徑向線縫隙天線62向緊下方的等離子體生成區域R1放射例如2.45GHz的微波。通過該微波的放射，在等離子體激發區域R1中Ar氣被等離子化。此時，從徑向線縫隙天線62放射的微波被原料供應構造體80反射，並滯留於等離子體生成區域R1內。其結果是，在等離子體生成區域R1內，形成高密度的等離子體空間。另外，在該成膜處理中，沒有向載置臺51上所載置的基板W施加偏置電壓。
另一方面，在等離子體生成區域R1內生成的等離子體的帶電粒子通過原料氣體供應構造體80的開口部82而擴散至成膜區域R2。從原料氣體供應構造體80的原料氣體供應口83向成膜區域R2供應作為原料氣體的丁炔氣體。丁炔氣體被例如從等離子體生成區域R1擴散的等離子能量活性化，在基板W上形成由氫原子與碳原子構成的無定形碳的絕緣膜。
在基板上形成了規定厚度的絕緣膜後，例如停止微波的放射、或丁炔氣體及Ar氣的供應，通過基板搬送裝置39將載置臺51上的基板W從處理容器50搬出。從絕緣膜形成裝置32搬出的基板W通過搬送通路8內部而被搬送至退火裝置34。這期間，由於搬送通路8內部被維持為氮氣氣氛，因而基板W上的絕緣膜不會與氧進行反應。
搬送至退火裝置34的基板W如圖4所示被支撐在支撐腳104上。從排氣管105進行排氣，將處理容器100內部例如減壓至120Pa(900mTorr)。從氣體供應口106供應Ar氣，將處理容器100內部維持為Ar氣的氣氛。然後，通過從燈103的熱照射，從而將基板W在300℃～400℃的範圍內、例如以400℃進行加熱。通過該加熱，絕緣膜得以燒固。
加熱了規定時間的基板W通過基板搬送裝置39被從退火裝置34搬出，經過搬送通路8例如被搬送至負荷固定室31。然後，基板W通過基板搬送體6而被收納至盒載置臺4上的盒C內，基板處理裝置1中一連串的基板處理結束。
在這裡，對通過所述基板處理而形成的絕緣膜的特性進行驗證。首先，根據所述實施方式的基板處理條件，當對原料氣體使用丁炔氣體進行成膜處理時，絕緣膜的介電常數的值(k值)為2.5左右。這與以往的原料氣體為單鍵的CH4(甲烷)氣體時的k值3.5相比，介電常數顯著降低了。
此外，在如本實施方式那樣成膜形成絕緣膜之後，當在Ar氣氣氛、加熱溫度400℃、壓力120Pa下進行退火處理時，該退火處理時的收縮率(退火處理後的膜厚相對於退火處理前的絕緣膜厚度的比率)為1.00左右。與此相對，在用以往的條件、即對原料氣體使用甲烷氣體進行成膜後，在以與所述實施方式相同的條件進行退火處理的時候，收縮率為0.73左右。如此，退火處理時的收縮率得以顯著改善，提高了絕緣膜的耐熱性。
因此，如本實施方式那樣，在成膜處理時，通過供應丁炔氣體作為原料氣體，從而與以往相比可以形成低介電常數且耐熱性好的無定形碳的絕緣膜。
另外，發明人能夠確認，即使代替丁炔氣體而使用具有多重鍵的其他碳氫化合物氣體，而例如使用像C2H4(乙烯)氣體那樣具有雙鍵的氣體，或者像C2H2(乙炔)氣體、C5H10(戊五醇)(1-戊五醇、2-戊五醇)氣體那樣的三鍵氣體，也可形成介電常數比以往低且耐熱性好的無定形碳的絕緣膜。因此，在成摸時供應的原料氣體不限於丁炔氣體，也可以是具有多重鍵的其他碳氫化合物。另外，丁炔氣體中最好為2-丁炔氣體。
在以上的實施方式中，雖然向處理容器50內供應丁炔氣體作為原料氣體，但也可以在具有三鍵的C2H2(乙炔)氣體中加入氫氣來進行供應。所述情況下，例如如圖5所示絕緣膜形成裝置32的氣體供應管85上連接著氫氣的氣體供應源110。此外，在氣體供應源84中儲存了乙炔氣體。並且，在膜形成時，從氣體供應口83向成膜區域R2供應乙炔氣體與氫氣，在基板W上形成由氫原子與碳原子構成的無定形碳的絕緣膜。
所述情況下，最終形成的絕緣膜的介電常數的值(k值)為2.5左右，與以往相比能夠顯著降低介電常數。
圖6是表示氫氣對乙炔氣體的混合比例與絕緣膜的洩漏電流及收縮率之間關係的圖表。從圖6可以確認出在向乙炔氣體加入氫氣後洩漏電流變低了。因此，如上述實施方式那樣，在成膜時，通過在原料氣體的乙炔氣體中加入氫氣，從而可以降低絕緣膜的洩漏電流。
此外，從圖6可知，具有越向乙炔氣體中加入氫氣則洩漏電流越低的傾向，當以氫氣對乙炔氣體為4∶1以上的流量比進行供應時，可以將洩漏電流抑制為1×10-7(A/cm)以下。另一方面，從圖6可知，當氫氣的比例增加時，具有收縮率降低，耐熱性降低的傾向，當以氫氣對乙炔氣體為4∶3以下的流量比進行供應時，能夠將收縮率維持得比以往顯著要高，為0.875以上。因此，通過在成膜時將乙炔氣體與氫氣以4∶3～4∶1左右的流量比(容積比)進行供應，從而能夠形成收縮率為0.875以上且洩漏電流為1×10-7(A/cm)以下的絕緣膜，即耐熱性極佳，洩漏電流極小的絕緣膜。另外，最好使乙炔氣體與氫氣以2∶1左右的混合比進行供應。
當在上述成膜時供應乙炔氣體與氫氣的情況下，將處理容器50內的壓力維持為4.0Pa(30mTorr)以下即可。圖7是表示成膜時處理容器50內的壓力與收縮率及成膜速度(Depo.Rate)之間關係的實驗數據。如圖7所示，當將成膜時處理容器50內的壓力維持為4.0Pa以下時，收縮率為0.85以上，成膜速度為2500×10-8m/mTorr以上。如此，通過將成膜時處理容器50內的壓力維持為4.0Pa(30mTorr)以下，可以在短時間內形成高耐熱性的絕緣膜。另外，處理容器50內的壓力最好為1.33Pa(10mTorr)～4.0Pa左右。
在以上的實施方式中，在退火處理時也可以在Ar氣中加入氫氣供應至處理容器100內。該情況下，例如如圖8所示，退火裝置34的氣體供應管107上連接著氫氣的氣體供應源120。另外，在退火處理時，從氣體供應口106將Ar氣與氫氣例如以12∶1的容積比供應至處理容器100內。由此，基板W可在含有氫氣的氣氛中進行退火處理。如本例那樣，當退火處理時在將基板W維持在含有氫氣的氣氛中時，絕緣膜的k值減小至2.4左右。此外，圖9是表示對由本例形成的絕緣膜的各施加電壓所相對的洩漏電流的圖表。圖10是表示如以往那樣不添加氫氣而形成的絕緣膜的各施加電壓所相對的洩漏電流的圖表。將圖9與圖10進行比較後，發現添加了氫氣時的絕緣膜(圖9)的洩漏電流更低。此外，根據發明人的驗證，基於本例，退火處理時收縮率也為0.95左右。如此，通過在退火處理時將基板W暴露於含有氫氣的氣氛中，從而能夠形成低介電常數，耐熱性好且洩漏電流小的絕緣膜。
上面對本發明實施方式的一個例子進行了說明，但本發明不限於本例，可採用各種方式。例如本實施方式所述的等離子體氣體不限於Ar氣，也可以使用氙氣、氪氣等其他氣體。此外，本發明不限於上述使用微波的絕緣膜形成裝置32，也適用於使用其他成膜裝置，例如利用電子回旋加速器的等離子體CVD裝置，ICP等離子體裝置等的基板處理。如上述實施方式所述，本發明可適用於遠程(remote)等離子體裝置所進行的基板處理，所述遠程等離子體裝置被劃分為生成等離子體的區域和通過活性種在基板上實施成膜的成膜區域。此外，本發明還可以適用於半導體晶片、LCD基板、有機EL基板、光掩模基板等基板的處理。
工業實用性本發明在形成低介電常數且耐熱性好的無定形碳的絕緣膜時很有用。
權利要求
1.一種基板處理方法，其特徵在於，向容納了基板的處理容器內供應具有多重鍵的碳氫化合物氣體，在該處理容器內生成等離子體，從而在所述基板上形成無定形碳的絕緣膜。
2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特徵在於，所述碳氫化合物氣體為乙炔氣體，除了所述乙炔氣體之外，還向所述處理容器內供應氫氣。
3.如權利要求2所述的基板處理方法，其特徵在於，所述乙炔氣體與所述氫氣以4∶3～4∶1的容積比進行供應。
4.如權利要求1所述的基板處理方法，其特徵在於，所述碳氫化合物氣體為丁炔氣體。
5.如權利要求1至4中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，在所述絕緣膜形成當中，將處理容器內的壓力維持在4.0Pa以下。
6.如權利要求1至5中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，在所述絕緣膜形成當中，將所述基板維持在200℃以下。
7.如權利要求1至6中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，在所述絕緣膜形成後，將基板在含有氫氣的氣氛中進行加熱。
8.如權利要求7所述的基板處理方法，其特徵在於，在所述絕緣膜形成後，將基板在350℃～400℃的溫度進行加熱。
9.如權利要求7或8所述的基板處理方法，其特徵在於，在從形成所述絕緣膜開始到對基板加熱為止的期間內，將基板維持在不含氧的氣氛中。
10.如權利要求1至9中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，使用微波在所述處理容器內生成等離子體。
11.如權利要求1至10中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，將所述處理容器內部劃分為生成等離子體的等離子體生成區域；和使用在所述等離子體生成區域中生成的等離子體在基板上形成所述絕緣膜的成膜區域；向所述等離子體生成區域供應等離子體生成用的等離子氣體，向所述成膜區域供應所述碳氫化合物氣體。
12.如權利要求1至11中任一項所述的基板處理方法，其特徵在於，在不向所述處理容器內的基板上施加偏置電壓的狀態下，在所述處理容器內生成等離子體。
13.一種計算機可讀記錄介質，其存儲了用於使計算機實現如權利要求1至12中任一項所述的基板處理方法的程序。
14.一種基板處理裝置，其具有執行權利要求1至12中任一項所述的基板處理方法的控制部。
全文摘要
本發明的目的在於形成介電常數更低且耐熱性好的無定形碳的絕緣膜。在本發明的絕緣膜形成裝置(32)中，向處理容器(50)內的等離子體生成區域(R1)供應Ar氣作為等離子體生成用的氣體，並向基板(W)側的成膜區域(R2)供應具有多重鍵的丁炔氣體作為原料氣體。在不向基板(W)施加偏置電壓的狀態下，從徑向線縫隙天線(62)向處理容器(50)內供應微波。由此，在等離子體生成區域(R1)中生成等離子體，通過所述等離子體使得成膜區域(R2)的丁炔氣體活性化，從而在基板(W)上形成無定形碳的絕緣膜。
文檔編號H01L23/532GK1881542SQ20061008718
公開日2006年12月20日 申請日期2006年6月15日 優先權日2005年6月15日
發明者石川拓 申請人:東京毅力科創株式會社