用於生產半導體材料箔的裝置和方法
2023-06-07 07:00:51
專利名稱：用於生產半導體材料箔的裝置和方法
用於生產半導體材料箔的裝置和方法本發明涉及一種用於生產結晶半導體箔的裝置，該裝置被設置用於從一定量的熔化的流體半導體中拉出半導體材料箔。此外，本發明涉及一種生產半導體材料箔的方法。這樣的裝置例如從國際專利申請WO 2005/122287中已知的，該國際專利申請公開了一種用於生產結晶矽箔的鑄造設備。鑄造設備包括可被流體矽澆注到其中的鑄造框架。在進給設備的幫助下，液體矽被從熔爐燒注到鑄造框架中。在鑄造框架下面有基片帶(substrate band),基片帶被設置成以特定的速度穿過鑄造框架的下面。由於基片帶是移動的，矽箔或矽片將在鑄造框架的下遊側生成。娃箔可被切割成可用於製造光生-伏打設備(photo-voltaic device)的晶片。基片帶可存在於多個(半)連接的基片板中，引起分開的晶片的產生。現有技術的鑄造設備的缺點是以這種方式製造的晶片常常顯示出粗糙的上表面(即，無結晶表面)。該粗糙表面是由在結晶箔的頂部上拖出熔化的矽膜而引起的。在鑄造
加工期間，當(一部分的)基片帶接觸熔化的矽時，矽箔開始生長。在其穿過鑄造框架的下面與熔化的矽相接觸期間，矽晶片生長到其所需的厚度。在鑄造框架的出口處，熔化的矽被鑄造框架出口壁阻止。由於鑄造框架出口壁可在垂直方向上移動以適應箔厚度的變化，因此一小量的熔化矽被從固體矽箔的頂部上的鑄造框架中取出。離開鑄造框架後，該液體在冷卻期間以更不可控的方式結晶，造成粗糙的晶片表面。在隨後的步驟中，粗糙表面必須被例如通過拋光除去。本發明的目的是減少或克服現有技術的缺點。根據本發明通過一種用於生產半導體材料箔的鑄造設備來實現該目的，該鑄造設備包括鑄造框架和基片帶，鑄造框架被設置用於保持熔化的半導體材料且包括側壁，側壁的出口側壁位於半導體材料箔的輸出位置處，出口側壁設有出口縫，其中鑄造設備還包括局部力施加裝置，以在出口縫的位置處將局部相對增大的外力施加在熔化的半導體材料上，以使作用在出口縫處的熔化半導體材料上的外部壓力局部增大。有利地，通過局部提供相對增大的外力以使出口縫處的局部外部壓力增大，這樣出口縫處的外部壓力比鑄造框架周圍的工作壓力相對更大，從而本發明允許減少液體熔化的半導體材料的拖出，並因此降低了液體半導體材料在鑄造框架中的靜態壓力。因此，可較好地控制液體半導體材料在出口縫處的流出並減少拖出。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中力施加裝置包括用於生成氣體噴流的氣體噴流產生器，氣體噴流具有與出口縫的位置處的環境壓力相比較高的壓力；氣體噴流產生器被設置用於將氣體噴流指向出口縫。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中氣體噴流產生器包括導管、用於增壓氣體的入口及用於產生氣體噴流的引出口 ；入口連接到導管且導管連接到引出口。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中力施加裝置包括超壓設備(overpressure device);超壓設備設置在鑄造設備的出口側壁處且適合於在出口縫的位置處產生相對於外部壓力的超壓。
根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中超壓設備包括壓力調平室(pressure leveling chamber)、超壓室及用於增壓氣體的入口 ；入口與壓力調平室的進口相連接，壓力調平室的出口與超壓室相連通，超壓室位於鑄造框架的出口縫處。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中壓力調平室沿著出口側壁的寬度延伸且適合於沿著出口側壁的寬度調平氣體的壓力，且超壓室大體上沿著出口縫的全部寬度延伸。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中壓力調平室在側壁的全部寬度上連接到超壓室，以在超壓室中在出口縫的全部寬度上產生大體恆定的壓力。
根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中超壓設備包括設置在壓力調平室和超壓室之間的第二壓力調平室；壓力調平室連接到第二壓力調平室且第二壓力調平室連接到超壓室。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，包括作為力施加裝置的導電線圈，導電線圈圍繞鑄造框架定位且適合於傳導交流電流。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中導電線圈通過在熔化的半導體材料中感應電流以在熔化的半導體材料中引起電磁力而適合作為力施加裝置。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中導電線圈和鑄造框架被設置成引起電磁力，以在出口縫的位置處產生額外的壓力，以使外部壓力增大。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中導電線圈包括一個或多個繞組，繞組以傾斜的方式定向，出口側壁的側部處的繞組被定位在比相對的側壁處的繞組相對更靠近基片帶的距離處，相對的側壁處的繞組被定位在距基片帶相對更大的距離處。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中交流電流為高頻電流且具有在大約2kHz和大約50kHz之間的頻率。根據另一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中導電線圈還適合於通過熔化的半導體材料中的感應電流來加熱熔化的半導體材料。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中鑄造設備還包括用於加熱半導體材料的第二加熱系統。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中第二加熱系統是用於輻射加熱的系統。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，其中出口縫處的出口側壁包括在出口側壁的內側上成斜角的刀刃端。根據本發明的一個方面，提供了一種如上所述的鑄造設備，包括流量限制壁(flowrestriction wall),該流量限制壁鄰近基片帶附接到出口側壁的下端；流量限制壁適合於延伸出口側壁在基片帶的移動方向上的長度。根據本發明的一個方面，提供一種用於鑄造半導體箔的方法，包括_將熔化的半導體材料澆注到鑄造框架中，鑄造框架包括側壁，側壁的出口側壁位於半導體材料箔的輸出位置處，出口側壁設置有出口縫；_將基片帶設置成以特定的速度穿過鑄造框架的下面，以在鑄造框架的下遊側上生成半導體箔，還包括在出口縫的位置處，將局部相對增大的外力施加在熔化的半導體材料上，以使作用在出口縫處的熔化的半導體材料上的外部壓力增大。根據本發明的一個方面，提供了一種通過如上所述的方法生產的半導體材料箔。根據本發明的一個方面，提供了一種通過如上所述的方法和鑄造設備所生產的半導體材料箔。有利的實施方式被從屬權利要求進一步限定。在下文中，將參考一些附圖
來解釋本發明，這些附圖僅意在用於闡述的目的而不限制如在所附的權利要求所限定的保護範圍。附圖簡述圖I顯示了來自於現有技術的鑄造設備的橫截面； 圖2顯示了根據本發明的第一實施方式的鑄造設備的橫截面；圖3顯示了根據本發明的第二實施方式的鑄造設備的橫截面；圖4顯示了根據本發明的第三實施方式的鑄造設備的橫截面；圖5顯示了根據本發明的可選擇的實施方式的鑄造設備的橫截面；圖6顯示了根據本發明的第四實施方式的鑄造設備的橫截面。圖7顯示了根據本發明的可選擇的第五實施方式的鑄造設備的橫截面。實施方式的描述圖I顯示了來自於現有技術的鑄造設備的橫截面。鑄造設備100包括可將流體矽澆注在其中的鑄造框架2，其通常為矩形框架。鑄造框架2通常為矩形框架且包括具有厚度t的四個側壁。在進給設備6的幫助下，流體半導體材料4被從保持熔化的半導體材料的熔爐10澆注到鑄造框架2中。在鑄造框架2的下方有基片帶8，基片帶8被設置成以特定的鑄造速度Uc穿過鑄造框架2的下面。這所需要的驅動設施15被示意性地示出。基片帶8的溫度被設置成使得熔化的半導體材料4在基片帶8的表面上結晶。由於基片帶8移動到圖I中的右邊，因此箔16將在鑄造框架2的下遊側上在出口縫3處產生。固化箔在熔化的半導體材料下的基片帶上的輪廓c以虛線17示出。在下遊側上，固化箔16稍微向上推動鑄造框架2，因此鑄造框架稍微傾斜並生成出口縫。半導體材料箔被以這種方式拉動。這裡所描述的方法可以被稱為RGS(基片上的絲帶生長(Ribbon Growth onSubstrate))。RGS技術的主要優點是每小時可生產相對大量的箔。現有技術的鑄造設備的缺點是以這種方式製造的晶片常常顯示出粗糙的上表面(即，無結晶表面)。該粗糙表面是由在結晶箔的頂部上拖出熔化的半導體材料膜而引起的。在鑄造加工期間，當(一部分的)基片帶接觸液體半導體材料時，半導體材料箔開始生長。在其穿過鑄造框架的下面與熔化的半導體材料相接觸期間，半導體材料晶片生長到其所需的厚度。在鑄造框架的出口縫3處，熔化的半導體材料被鑄造框架的出口側壁2b阻止。鑄造設備的拖出可通過下面的等式來描述Ur > — -IJgH—其中， 是來自於鑄造框架的半導體材料的流量，〈U〉是觀察到的液體速率，Uc是鑄造速度，H是縫的高度， 是液體的粘度， P是液體的靜態壓力， X是出口壁在基片帶的移動方向上的長度。在鑄造框架內，熔化的半導體材料在箔的上表面上面的水平z處。靜態壓力*P等於液體矽柱(具有高度Z)和在鑄造框架的出口處的外部壓力之間的壓力差。為了減少拖出，本發明認識到，通過提供包括力施加裝置的鑄造設備來施加外力以使外部壓力增大來減少靜態壓力項 P。為了這個目的，本發明提供了一種用於生產半導體材料箔的鑄造設備，該鑄造設備包括鑄造框架和基片帶，鑄造框架被設置用於保持熔化的半導體材料且包括側壁，側壁的出口側壁位於半導體材料箔的輸出位置處，出口側壁設有出口縫，其中鑄造設備還包括力施加裝置，以在出口縫的位置處將外力施加在熔化的半導體材料上，以使作用在熔化的半導體材料上的外部壓力增大。在實施方式中，力施加裝置被設置成局部力施加裝置，在出口縫的位置處，該局部力施加裝置能夠在熔化的半導體材料上產生相對增大的外力，以使作用在熔化的半導體材料上的外部壓力在出口縫處局部地增大。 圖2顯示根據本發明的第一實施方式的鑄造設備的橫截面。在與圖I所示的方向相同的該橫截面中，根據第一實施方式的鑄造設備I包括作為力施加裝置的氣體噴流產生器20。這樣的氣體噴流產生器包括導管、用於增壓氣體的入口及用於產生具有與外部或環境壓力相比較高的壓力的氣體噴流的引出口 22。氣體噴流產生器被設置用於產生氣體噴流並使氣體噴流指向出口縫。應領會，外部或環境壓力即鑄造框架外部的壓力，與鑄造框架所處的工作空間的靜態壓力有關。典型的加工壓力-作用在熔化的半導體材料上的鑄造框架(加工室)中的壓力-小於大氣壓力。在非限制性實例中，鑄造框架中的壓力在0. I巴和0. 9巴之間(絕對壓力)選擇且，氣體噴流的壓力在大約2巴和大約4巴之間(絕對壓力)選擇。在氣體噴流產生器內，入口連接到導管且導管連接到引出口。氣體噴流產生器的引出口 22以使得產生大體上沿著鑄造框架的出口縫3的寬度延伸的氣體噴流的方式成形。以這樣的方式，氣體噴流適合於大體上沿著出口縫的全部寬度施加外部壓力。氣體噴流產生器20的引出口設置在鑄造設備2的出口側壁2b處且適合於產生指向出口縫3的氣體噴流。由氣體噴流所施加的壓力使得與箔一起從鑄造設備中的半導體材料浴(semiconductor material bath)中被拖動的熔化的半導體材料被阻止。此外，鑄造框架的出口側壁2b可被成形為使氣體噴流的效果達到最佳且可包括在側壁2b的內側上成斜角的刀刃端。觀察到，與出口側壁2b上的刀刃端相結合的氣體噴流更進一步地改進了拖出的減少。因此，鑄造半導體材料箔的粗糙度降低。氣體噴流可包括不與半導體材料反應的氣體種類。例如，氣體流可包括像氬氣一樣的稀有氣體或像氮氣一樣的惰性氣體。圖3顯示了根據本發明的第二實施方式的鑄造設備的橫截面。在圖3中，顯示了可選擇的實施方式，其中鑄造框架的出口側壁2b包括流量限制壁2e。流量限制壁2e壁鄰近基片帶8附接到出口側的下端。流量限制壁2e基本上平行於基片帶且適合於延伸出口壁在基片帶8的移動方向上的長度 X。流量限制壁被設置成相對地靠近基片帶，以形成朝著出口縫的窄通道。由於通道的小尺寸，與基片帶的速度Uc相t匕，熔化的材料在鑄造加工期間的流量減少。有利地，流量的減少產生了低壓，該低壓使出口縫處的靜態壓力AP減小。此外，觀察到與出口側壁2b上的流量限制壁2e相結合的氣體噴流改進了拖出的減少。圖4顯示了根據本發明的第三實施方式的鑄造設備的橫截面。在與圖I所示的方向相同的方向上的該橫截面中，根據第三實施方式的鑄造設備I包括流量限制壁2e和作為力施加裝置的超壓設備30。超壓設備30設置在鑄造設備2的出口側壁2b處且適合於在出口縫的位置處產生相對於外部壓力的超壓。超壓設備30包括壓力調平室32、超壓室33及用於增壓氣體的入口 31。在超壓設備內，入口與壓力調平室的進口相連接。壓力調平室的出口與超壓室相連通。超壓室33位於鑄造框架的出口縫處。壓力調平室沿著出口側壁2b的寬度延伸且適合於沿著出口側壁2b的寬度調平氣體的壓力。類似地，超壓室基本上沿著出口縫的全部寬度延伸。優選地，在側壁的全部寬度內，壓力平衡室與超壓室相通，以在出口縫的全部寬度上在超壓室中產生基本上恆定的壓力。更進一步地，流量限制壁2e鄰近基片帶8附接到出口側壁的下端。流量限制壁2e適合於延伸出口壁在基片帶8的移動方向上的長度 X。增壓氣體可包括不與半導體材料反應的氣體種類。例如，氣體流可包括像氬氣一樣的稀有氣體或像氮氣一樣的惰性氣體。圖5顯示了根據本發明的可選擇的實施方式的鑄造設備的橫截面。在第三實施方式的該替換方案中，超壓設備40包括用於增壓氣體的入口 41、第一壓力調平室42a、第二壓力調平室42b及超壓室43。在超壓設備內，入口與第一壓力調平室的進口相連接。第一壓力調平室連接到第二壓力調平室。第二壓力調平室與超壓室相連接。超壓室位於鑄造框架的出口縫處。第一壓力調平室沿著出口側壁2b的寬度延伸且適合於沿著出口側壁2b的寬度調平氣體的壓力。類似地，第二壓力調平室大體上沿著出口縫的全部寬度延伸。優選地，第一壓力調平室在出口側壁的全部寬度上連接到第二壓力調平室。圖6顯示了根據本發明的第四實施方式的鑄造設備的橫截面。在與如圖I所示的方向相同的方向上的該橫截面中，根據第四實施方式的鑄造設備I包括導電線圈50，導電線圈50圍繞鑄造設備定位且適合於傳導高頻交流電流。導電線圈50包括圍繞鑄造設備的周邊纏繞的一個或多個繞組51。導電線圈50通過在熔化的半導體材料中感應電流以在熔化的半導體材料中引起電磁力(洛倫茲力)而適合作為力施加裝置。鑄造框架壁2b的形狀和厚度以鑄造框架中的感應電磁流僅部分地抵消導電線圈中產生的交變磁場的方式而被設計；未抵消的部分在熔化的半導體材料中感應電流，引起作用在熔化的半導體材料上的電磁力。導電線圈和鑄造框架的設置，以在出口縫的位置處電磁力產生使靜態壓力 P減少的局部增大的外部壓力的方式來調整。電磁力可由線圈51的幾何形狀和鑄造框架2的幾何形狀結合諸如電流和頻率的電參數來控制。同時，導電的鑄造框架和熔化的半導體材料中的感應電流引起框架和熔化的半導體材料的加熱。有利地，這允許更好地控制鑄造框架中的熔化的半導體材料的溫度。在另外的實施方式中，鑄造設備包括用於額外加熱的第二加熱系統。第二加熱系統以加熱為基礎而不是通過感應電流來加熱，例如通過輻射加熱。在圖6中，繞組51以傾斜的方式定向。出口側壁2b的側部處的繞組被定位在比相對的側壁2a處的繞組更靠近基片帶8的距離處，相對的側壁2a處的繞組被定位在距基片 帶8相對更大的距離處。通過繞組的傾斜設置，施加在出口縫的位置處的熔化的半導體材料上的電磁力比施加在鑄造框架內部的熔化的半導體材料4上的電磁力相對更大。因此，出口縫處的淨靜態壓力 P被源自電磁力的壓力抵消。在出口側壁2b的側部處的繞組到基片帶8的距離xl比在相對的側壁2a的側部處的繞組到基片帶8的距離x2例如小至少5%。技術人員將領會，線圈關於鑄造框架的位置的不對稱設置可產生隨圍繞鑄造框架的位置而變的變化的電磁力。圖7顯示了根據本發明的可選擇的第五實施方式的鑄造設備的橫截面。在第五實施方式中，在出口縫處的局部增大的外部壓力通過線圈相對於被線圈環繞的鑄造框架的水平不稱設置來實現。在該實施方式中，在出口側壁2b的側部處的繞組被定位在比相對的側壁2a處的繞組沿著基片帶8更靠近出口側壁2b的水平距離處，相對的側壁2a處的繞組被定位在距相對的側壁2a相對更大的水平距離處。在垂直方向上，在出口側壁2b的繞組和在相對的側壁2a處的繞組可以位於相對於基片帶8相同的垂直水平處，或者在出口側壁2b的側部處的繞組被定位在比相對的側壁2a處的繞組相對更靠近基片帶8的距離處，相對的側壁2a處的繞組被定位在距基片帶8相對更大的距離處。繞組到出口側壁2b的側部的距離x3比繞組到相對的側壁2a的側部的距離x4例如小至少5%。可選地，鑄造設備包括在側壁2b的內側上成斜角的刀刃端5。出口側壁2b上的刀刃端提供了用於電磁力的更高的透明度且因此提供了對出口縫處的熔化的半導體材料的減少屏蔽。刀刃端5允許在電磁力和具有相對更高的電磁力值的液體矽之間的局部增強的耦合。可選擇地，根據第四實施方式的鑄造框架可包括流量限制壁2e，該流量限制壁2e鄰近基片帶8附接到出口側壁的下端。流量限制壁2e適合於延伸出口壁在基片帶8的移動方向上的長度*x。流量限制壁的厚度適合於允許在熔化的半導體材料中感應電流，引起作用在熔化物上的電磁力。應注意，在現有技術中，鑄造框架被設置用於使出口側壁傾斜，出口側壁通過由固化箔被鑄造而引起的鑄造框架的稍微傾斜而產生。在本文所描述的實施方式中，鑄造框架可被設置成傾斜的，以使出口縫在鑄造期間能夠通過鑄造框架在鑄造加工期間的傾斜而臨時產生，或者鑄造框架設置有可用工具加工成出口側壁的永久出口縫。如本領域技術人員將清楚的，在本發明的構想內，可想像本發明的其它可選擇的和等價的實施方式。本發明的構想僅由所附的權利要求來限制。 ·
權利要求
1.一種用於生產半導體材料箔的鑄造設備，包括鑄造框架和基片帶，所述鑄造框架被設置用於保持熔化的半導體材料且包括側壁，所述側壁的出口側壁位於所述半導體材料箔的輸出位置處，所述出口側壁設有出口縫，其中所述鑄造設備還包括局部力施加裝置，以在所述出ロ縫的位置處將局部相對增大的外力施加在所述熔化的半導體材料上，以使作用在所述出口縫處的所述熔化的半導體材料上的外部壓カ局部増大。
2.根據權利要求I所述的鑄造設備，其中所述カ施加裝置包括用於生成氣體噴流的氣體噴流產生器，所述氣體噴流具有與所述出ロ縫的位置處的環境壓カ相比較高的壓カ；所述氣體噴流產生器被設置用於將所述氣體噴流指向所述出口縫。
3.根據權利要求2所述的鑄造設備，其中所述氣體噴流產生器包括導管、用於增壓氣體的入口及用於產生所述氣體噴流的引出ロ ；所述入口連接到所述導管且所述導管連接到所述引出ロ。
4.根據權利要求I所述的鑄造設備，其中所述カ施加裝置包括超壓設備；所述超壓設備設置在所述鑄造設備的所述出ロ側壁處且適合於在所述出ロ縫的位置處產生相對於所述外部壓カ的超壓。
5.根據權利要求4所述的鑄造設備，其中所述超壓設備包括壓カ調平室、超壓室及用於增壓氣體的入ロ ；所述入ロ與所述壓カ調平室的進ロ相連接，所述壓カ調平室的出ロ與所述超壓室相連通，所述超壓室位於所述鑄造框架的所述出口縫處。
6.根據權利要求5所述的鑄造設備，其中所述壓カ調平室沿著所述出ロ側壁的寬度延伸且適合於沿著所述出口側壁的寬度調平氣體的壓力，且所述超壓室大體上沿著所述出口縫的全部寬度延伸。
7.根據權利要求6所述的鑄造設備，其中所述壓カ調平室在所述側壁的全部寬度上連接到所述超壓室，以在所述超壓室中在所述出ロ縫的全部寬度上產生大體恆定的壓力。
8.根據權利要求5所述的鑄造設備，其中所述超壓設備包括設置在所述壓カ調平室和所述超壓室之間的第二壓カ調平室；所述壓カ調平室連接到所述第二壓カ調平室且所述第ニ壓カ調平室連接到所述超壓室。
9.根據權利要求I所述的鑄造設備，包括作為カ施加裝置的導電線圈，所述導電線圈圍繞所述鑄造框架不對稱地定位且適合於傳導交流電流，其中所述導電線圈通過在所述熔化的半導體材料中感應電流以在所述熔化的半導體材料中引起電磁力而適合作為カ施加裝置。
10.根據權利要求9所述的鑄造設備，其中所述導電線圈和所述鑄造框架被設置成引起所述電磁力，以在所述出ロ縫的位置處產生附加的壓力，以使所述外部壓カ増大。
11.根據權利要求10所述的鑄造設備，其中所述導電線圈包括一個或多個繞組，所述繞組以傾斜的方式定向，所述出口側壁的側部處的繞組被定位在比相対的側壁處的繞組相對更靠近所述基片帶的距離處，所述相對的側壁處的繞組被定位在距所述基片帶相對更大的距離處。
12.根據權利要求10所述的鑄造設備，其中所述導電線圈包括一個或多個繞組，其中所述出ロ側壁的側部處的繞組被定位在比相対的側壁處的繞組相對更靠近所述出ロ側壁沿著所述基片帶的水平距離處，所述相對的側壁處的繞組被定位在距所述相對的側壁相對更大的水平距離處。
13.根據權利要求9-12中任一項所述的鋳造設備，其中所述交流電流是高頻電流且具有在大約2kHz和大約50kHz之間的頻率。
14.根據權利要求9所述的鑄造設備，其中所述導電線圈還適合於通過所述半導體材料中所感應的電流來加熱熔化的半導體材料。
15.根據權利要求14所述的鑄造設備，其中所述鑄造設備還包括用於加熱所述熔化的半導體材料的第二加熱系統。
16.根據權利要求15所述的鑄造設備，其中所述第二加熱系統為用於輻射加熱的系統。
17.根據前述權利要求中任一項所述的鋳造設備，其中在所述出口縫處的所述出口側壁包括在所述側壁的內側上成斜角的刀刃端。
18.根據前述權利要求1-17中任一項所述的鋳造設備，包括流量限制壁，所述流量限制壁鄰近所述基片帶附接到所述出ロ側壁的下端；所述流量限制壁適合於延伸所述出ロ側壁在所述基片帶的移動方向上的長度。
19.一種用於鋳造半導體箔的方法，包括 -將熔化的半導體材料澆注到鑄造框架中，所述鑄造框架包括側壁，所述側壁的出口側壁位於所述半導體材料箔的輸出位置處，所述出ロ側壁設置有出ロ縫； -將基片帶設置成以特定的速度穿過所述鑄造框架的下面，以在所述鑄造框架的下遊側上生成所述半導體箔， 所述方法包括 在所述出ロ縫的位置處，將局部相對增大的外力施加在所述熔化的半導體材料上，以使作用在所述出口縫處的所述熔化的半導體材料上的外部壓カ増大。
20.通過根據權利要求19所述的方法生產的半導體材料箔。
21.通過根據權利要求19所述的方法及根據權利要求1-18中任一項所述的鋳造設備所生產的半導體材料箔。
全文摘要
一種用於生產半導體材料箔的鑄造設備，包括鑄造框架和基片帶。鑄造框架被設置用於保持熔化的半導體材料且包括側壁，側壁的出口側壁位於半導體材料箔的輸出位置處。出口側壁設有出口縫。鑄造設備還包括局部力施加裝置，以在出口縫的位置處將局部增大的外力施加在熔化的半導體材料上，以使作用在出口縫處的熔化材料上的外部壓力增大。
文檔編號C30B15/00GK102834553SQ201180011045
公開日2012年12月19日 申請日期2011年2月8日 優先權日2010年2月8日
發明者阿克塞爾·喬治·舍內克爾, 皮埃爾-伊夫·畢勳, 伊爾柯·蓋爾伯特·霍克, 埃裡克·德伊格爾 申請人:Rgs發展有限公司