切割用粘著膠帶以及半導體晶片的製造方法

2023-05-30 14:05:06 3

切割用粘著膠帶以及半導體晶片的製造方法
【專利摘要】本發明的目的在於提供切割用粘著膠帶以及半導體晶片的製造方法，所述切割用粘著膠帶對形成有由密封樹脂密封的多個半導體元件的元件基板具有良好的粘接性，所述半導體晶片的製造方法使用了該切割用粘著膠帶。一種粘著膠帶(1)，其特徵在於，為在將形成有由密封樹脂密封的多個半導體元件的元件基板分割為多個半導體晶片時所使用的切割用粘著膠帶(1)，所述切割用粘著膠帶(1)具備基材(2)、和在基材(2)上層疊的包含固化型矽酮系粘著劑及固化劑的粘著劑層(3)。
【專利說明】切割用粘著膠帶以及半導體晶片的製造方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及元件基板的切割中所使用的切割用粘著膠帶以及使用了切割用粘著 膠帶的半導體晶片的製造方法。

【背景技術】
[0002] 以往，作為為了製作具有LED (發光二極體）等的半導體晶片而使用的切割用粘著 膠帶，已知具有由丙烯酸系樹脂構成的粘接劑層的粘著膠帶（參照專利文獻1)。
[0003] 此外，作為使用切割用粘著膠帶來製作半導體晶片的方法，已知如下的方法，即將 粘著膠帶粘貼於形成有多個半導體元件的半導體元件基板的基板側，利用切割機將半導體 元件基板切斷的方法（參照專利文獻2)。
[0004] 現有技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開2013-38408號公報
[0007] 專利文獻2 :日本特開2005-93503號公報


【發明內容】

[0008] 發明要解決的課題
[0009] 順便提及，近年來提出了如下的技術，即在將半導體元件基板切斷而製作半導體 晶片的情況下，將粘著膠帶粘貼於密封樹脂側而不是半導體元件基板的基板側來進行切割 的技術。
[0010] 這樣，在對於半導體元件基板從密封樹脂側粘貼粘著膠帶的情況下，有時粘著力 不足，從而產生半導體晶片的飛濺等。
[0011] 本發明的目的在於，提供對於形成有由密封樹脂密封的多個半導體元件的元件基 板具有良好的粘著性的切割用粘著膠帶以及使用了該切割用粘著膠帶的半導體晶片的制 造方法。
[0012] 用於解決課題的方法
[0013] 基於上述目的，本發明的切割用粘著膠帶，其特徵在於，為在將形成有由密封樹脂 密封的多個半導體元件的元件基板分割為多個半導體晶片時所使用的切割用粘著膠帶，所 述切割用粘著膠帶具備基材、和在上述基材上層疊的包含固化型矽酮系粘著劑及固化劑的 粘著劑層。
[0014] 在此，可以使其特徵在於，對於上述元件基板，從由矽酮樹脂構成的上述密封樹脂 側粘貼來使用。此外，可以使其特徵在於，上述粘著劑層包含過氧化物固化型矽酮粘著劑和 由過氧化物構成的引發劑。進而，可以使其特徵在於，相對於上述過氧化物固化型矽酮粘著 齊[J 100重量份，上述引發劑的含量為0. 01重量份?15重量份的範圍。再進而，可以使其特 徵在於，上述粘著劑層包含加成反應型矽酮粘著劑、交聯劑和催化劑。此外，可以使其特徵 在於，相對於上述加成反應型娃酮粘著劑100重量份，上述交聯劑的含量為0. 05重量份? 10重量份的範圍。
[0015] 進而，如果以半導體晶片的製造方法掌握本發明的話，則本發明的半導體晶片的 製造方法包括：利用由矽酮樹脂構成的密封樹脂將在基板上形成有多個半導體元件的元件 基板的該多個半導體元件密封的密封工序；對於上述元件基板，從上述密封樹脂側粘貼具 備基材、和包含固化型娃麗系粘著劑及固化劑的粘著劑層的粘著I父帶的粘貼工序；將粘貼 有上述粘著膠帶的上述元件基板切斷成多個半導體晶片的切斷工序；以及從上述多個半導 體晶片剝離上述粘著膠帶的剝離工序。
[0016] 發明效果
[0017] 根據本發明，能夠提供對於形成有由密封樹脂密封的多個半導體元件的元件基板 具有良好的粘著性的切割用粘著膠帶以及使用了該切割用粘著膠帶的半導體晶片的製造 方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1是表示應用本實施方式的粘著膠帶的構成的一個例子的圖。
[0019] 圖2(a)?圖2(d)是表示使用了應用本實施方式的粘著膠帶的半導體晶片的製造 方法的圖。
[0020] 符號說明
[0021] 1 :粘著膠帶
[0022] 2 :基材
[0023] 3 :粘著劑層

【具體實施方式】
[0024] 以下，對本發明的實施方式進行說明。
[0025] 粘著膠帶的構成
[0026] 圖1是表示應用本實施方式的粘著膠帶1的構成的一個例子的圖。本實施方式的 粘著膠帶1在形成有由密封樹脂密封的多個半導體元件的半導體元件基板的切割用途中 使用。具體地說，本實施方式的粘著膠帶1通過對於半導體元件基板，從由矽酮系樹脂構成 的密封樹脂側粘貼，從而使用於切割。此外，對粘著膠帶1的使用方法在後面進行詳細說 明。
[0027] 如圖1所示，本實施方式的粘著膠帶1具有基材2與粘著劑層3層疊的結構。
[0028] 予以說明的是，雖然省略了圖示，但是粘著膠帶1可以在基材2與粘著劑層3之間 根據需要具有增粘塗層（anchor coat layer)。此外，可以在基材2的表面（與對置於粘著 劑層3的面相反側的面）上實施表面處理。進而，可以在粘著劑層3的表面（與對置於基 材2的面相反側的面）上具備剝離襯墊。
[0029] 基材
[0030] 本實施方式的粘著膠帶1中使用的基材2的材料沒有特別限定，例如可以使用金 屬制、塑料制等。具體地說，作為基材2,例如可以使用不鏽鋼、軟質鋁等金屬箔，聚對苯二甲 酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、雙軸拉伸聚丙烯、 聚醯亞胺、芳族聚醯胺、聚環烯烴、氟系樹脂等樹脂膜。此外，可以根據用途，基材2使用例 如將鋁箔和樹脂膜層壓的複合膜，在樹脂膜的表面上形成了氧化鋁、二氧化矽等金屬氧化 物薄膜的複合膜，以及將這些複合膜進一步與樹脂膜層壓的複合膜等。
[0031] 其中，作為基材2,優選使用以聚對苯二甲酸乙二醇酯為主成分的材料。
[0032] 粘著劑層
[0033] 本實施方式的粘著劑層3包含固化型矽酮系粘著劑和用於固化該矽酮系粘著劑 的固化劑而構成。此外，粘著劑層3可以根據需要包含著色劑等。
[0034] 粘著劑層3的厚度優選為5 μ m?50 μ m的範圍，更優選為20 μ m?40 μ m的範圍。 在粘著劑層3的厚度小於5 μ m的情況下，粘著劑層3中所含的矽酮系粘著劑變薄，因此粘 著膠帶1的粘著力易於降低。另一方面，在粘著劑層3的厚度比50 μ m厚的情況下，容易產 生粘著劑層3的凝聚破壞，在使用了這樣的粘著膠帶1的情況下，將粘著膠帶1剝離時，容 易廣生以粘著劑附著於被粘物的狀態殘留的殘月父。
[0035] 在此，在本實施方式的粘著劑層3中，作為固化型矽酮系粘著劑，可以使用過氧化 物固化型矽酮系粘著劑或加成反應型矽酮系粘著劑。
[0036] 以下，將使用過氧化物固化型矽酮系粘著劑的情況作為粘著劑層3的第一方式、 將使用加成反應型矽酮系粘著劑的情況作為粘著劑層3的第二方式，依次進行說明。
[0037] 第一方式
[0038] 第一方式的粘著劑層3包含過氧化物固化型矽酮系粘著劑和由過氧化物構成的 引發劑（固化劑）而構成。
[0039] 過氧化物固化型矽酮系粘著劑
[0040] 過氧化物固化型矽酮系粘著劑例如為以聚二甲基矽氧烷等有機聚矽氧烷與有機 聚矽氧烷共聚物樹脂的有機聚矽氧烷混合物為主劑的粘著劑。
[0041] 作為過氧化物固化型矽酮系粘著劑，沒有特別限定，例如可以使用信越化學工 業株式會社制的KR100、KR101-10,邁圖高新材料公司制的YR3340、YR3286、PSA610-SM、 XR37-B6722,東麗道康寧株式會社制的SH4280等。
[0042] 引發劑
[0043] 作為由過氧化物構成的引發劑，可以使用有機過氧化物。作為用作引發劑的 有機過氧化物，沒有特別限定，例如可以舉出過氧化苯甲醯、過氧化二異丙苯、2, 5-二甲 基-2, 5-二（叔丁基過氧化）己烷、1，Γ -二-叔丁基過氧化-3, 3, 5-三亞甲基環己烷、 1，3-二-(叔丁基過氧化）-二異丙基苯等。作為市售產品，例如可以舉出日油株式會社制 的 NYPER K40 等。
[0044] 含量
[0045] 在此，第一方式的粘著劑層3中的引發劑（有機過氧化物）的含量，相對於過氧化 物固化型矽酮系粘著劑100重量份，優選為0. 01重量份?15重量份的範圍，更優選為0. 05 重量份?10重量份的範圍，進一步優選為〇. 05重量份?3. 5重量份的範圍。
[0046] 通過將相對於過氧化物固化型矽酮系粘著劑的引發劑的含量設為上述範圍，能夠 將粘著劑層3的粘著力和保持力設為作為切割用粘著膠帶1優選的範圍。
[0047] 另一方面，在相對於過氧化物固化型矽酮系粘著劑的引發劑的含量過小的情況 下，有時在粘著劑層3中過氧化物固化型矽酮系粘著劑不充分固化，無法得到所希望的粘 著力。此外，在過氧化物固化型矽酮系粘著劑未充分固化的情況下，容易在粘著劑層3中產 生凝聚破壞。其結果是，在將粘著膠帶1使用於半導體元件基板的切割後，從所得到的半導 體晶片剝離粘著膠帶1時，容易產生殘膠。
[0048] 在相對於過氧化物固化型矽酮系粘著劑的引發劑的含量過大的情況下，過氧化物 固化型矽酮系粘著劑的固化反應過度進行，因此粘著劑層3變硬，粘著膠帶1的粘著力易於 降低。並且，在將該粘著膠帶1使用於切割的情況下，將半導體元件基板切斷時，作為切斷 片的半導體晶片容易從粘著膠帶1剝離而飛濺。
[0049] 第二方式
[0050] 接著，第二方式的粘著劑層3包含加成反應型矽酮系粘著劑作為矽酮系粘著劑並 且包含交聯劑和催化劑作為固化劑而構成。此外，可以在第二方式的粘著劑層3中包含用 於抑制加成反應型矽酮系粘著劑的急劇加成反應的進行的反應控制材料而構成。
[0051 ] 加成反應型矽酮系粘著劑
[0052] 加成反應型矽酮系粘著劑是以在1分子中至少含有2個結合有矽原子的烯基的聚 -甲基娃氧燒等有機聚娃氧燒為主劑的粘著劑。另外，作為加成反應型娃酮系粘著劑中所 含的有機聚矽氧烷的分子結構，例如可以例示直鏈狀、具有一部分分支的直鏈狀、支鏈狀、 網狀。
[0053] 此外，作為加成反應型矽酮系粘著劑中所含的有機聚矽氧烷含有的烯基，例如可 以例不乙稀基、稀丙基、丁稀基、戊稀基、己稀基，特別優選為乙稀基。
[0054] 作為加成反應型矽酮系粘著劑，沒有特別限定，例如可以舉出信越化學工業株式 會社制的 KR3700、KR3701、X-40-3237-1、X-40-3240、X-40-3291-1、X-40-3229、X-40-3270、 X-40-3306,邁圖高新材料公司制的TSR1512、TSR1516、XR37-B9204,東麗道康寧株式會 社制的 SD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、 DC7651ADHESIVE 等。
[0055] 交聯劑
[0056] 在加成反應型矽酮系粘著劑的反應中，作為交聯劑，可以使用在1分子中至少具 有2個結合有娃原子的氫原子的有機聚娃氧燒。
[0057] 作為用作交聯劑的有機聚矽氧烷的分子結構，例如可以例示直鏈狀，具有一部分 分支的直鏈狀、支鏈狀、環狀、網狀。
[0058] 作為加成反應型矽酮系粘著劑的反應中使用的交聯劑，沒有特別限定，例如可以 舉出信越化學株式會社制的X-92-122、東麗道康寧株式會社制的BY24-741等。
[0059] 催化劑
[0060] 在加成反應型矽酮系粘著劑的反應中，可以使用用於促進利用加成反應型矽酮系 粘著劑與交聯劑的加成反應（氫化矽烷化）的固化的催化劑。
[0061] 作為催化劑，可以使用鉬系催化劑、銠系催化劑、鈀系催化劑等公知的氫化矽烷化 反應用催化劑。這些催化劑中，特別是，鉬微粉末、鉬黑、負載鉬的二氧化矽微粉末、負載鉬 的活性炭、氯鉬酸、氯鉬酸的醇溶液、鉬的烯烴絡合物、鉬的烯基矽氧烷絡合物等鉬系催化 劑反應速度良好，因此優選。
[0062] 作為加成反應型矽酮系粘著劑的反應中使用的催化劑，沒有特別限定，例如可 以舉出信越化學工業株式會社制的CAT-PL-50T，東麗道康寧株式會社制的SRX-212Cat、 NC-25 等。
[0063] 反應控制劑
[0064] 作為第二方式的粘著劑層3中根據需要使用的反應控制劑，沒有特別限定，例如 可以舉出信越化學工業株式會社制的CAT-PLR-2、東麗道康寧株式會社制的BY24-808等。
[0065] 含量
[0066] 在此，第二方式的粘著劑層3中的交聯劑的含量，相對於加成反應型矽酮系粘著 齊[J 100重量份,優選為0. 05重量份?10重量份的範圍，更優選為0. 1重量份?7重量份的 範圍，進一步優選為0. 1重量份?2重量份的範圍。
[0067] 通過將相對於加成反應型矽酮系粘著劑的交聯劑的含量設為上述範圍，能夠將粘 著劑層3的粘著力和保持力設為作為切割用粘著膠帶1優選的範圍。
[0068] 另一方面，在相對於加成反應型娃酮系粘著劑的交聯劑的含量過小的情況下，有 時在粘著劑層3中交聯反應不充分進行，無法得到所希望的粘著力。此外，在加成反應型矽 酮系粘著劑的交聯反應未充分進行的情況下，容易在粘著劑層3中產生凝聚破壞。其結果 是，在將粘著膠帶1使用於半導體元件基板的切割後，從所得到的半導體晶片剝離粘著膠 帶1時，容易產生殘膠。
[0069] 進而，在相對於加成反應型矽酮系粘著劑的交聯劑的含量過大的情況下，加成反 應型矽酮系粘著劑的交聯反應過度進行，因此粘著劑層3變硬，粘著膠帶1的粘著力易於降 低。並且，在將該粘著膠帶1使用於切割的情況下，將半導體元件基板切斷時，作為切斷片 的半導體晶片容易從粘著膠帶1剝離而飛濺。
[0070] 此外，第二方式的粘著劑層3中的催化劑的含量沒有特別限定，例如可以相對於 加成反應型娃酮系粘著劑100重量份，設為〇. 01重量份?5重量份左右。
[0071] 增粘塗層
[0072] 如上所述，在本實施方式的粘著膠帶1中，可以根據粘著膠帶1的製造條件、製造 後的粘著膠帶1的使用條件等，在基材2與粘著劑層3之間，設置與基材的種類配合的增粘 塗層或者實施電暈處理等表面處理。由此，能夠改善基材2與粘著劑層3的密合力。
[0073] 表面處理
[0074] 在基材2的表面（與對置於粘著劑層3的面相反側的面）上，可以實施剝離性改 良處理等表面處理。作為基材2的表面處理中使用的處理劑，沒有特別限定，例如可以使用 長鏈烷基乙烯基單體聚合物、氟化烷基乙烯基單體聚合物、聚乙烯醇氨基甲酸酯、氨基醇酸 系樹脂等非矽酮系剝離處理劑等。作為這樣的非矽酮系剝離處理劑，例如可以舉出一方社 油脂工業株式會社制的PEEL0IL1050、PEEL0IL 1200等。
[0075] 剝離襯墊
[0076] 此外，可以在粘著劑層3的表面（與對置於基材2的面相反側的面）上，根據需要 設置剝離襯墊。作為剝離襯墊，可以使用如下的剝離襯墊，即在紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯 二甲酸乙二醇酯等膜上，實施了用於提高與粘著劑層3中所含的矽酮系粘著劑的脫模性的 剝離處理的剝離襯墊。作為剝離襯墊的剝離處理中使用的材料，沒有特別限定，例如可以使 用氟矽氧烷、長鏈烷基乙烯基單體聚合物、氨基醇酸系樹脂等材料。
[0077] 粘著膠帶的厚度
[0078] 具有如以上說明的構成的粘著膠帶1的整體厚度優選為20 μ m?200 μ m的範圍。
[0079] 在粘著膠帶1的厚度比20 μ m薄的情況下，將粘著膠帶1使用於半導體元件基板 的切割時，有時難以從粘著膠帶1剝下所形成的半導體晶片。
[0080] 此外，在粘著膠帶1的厚度比200 μ m厚的情況下，將粘著膠帶1從半導體元件基 板的密封樹脂側粘貼時，粘著膠帶1難以追隨密封樹脂的凹凸。其結果是，粘著膠帶1與密 封樹脂的粘接面積變小，有可能在切割時半導體晶片易於飛濺。
[0081] 粘著膠帶的製造方法
[0082] 接著，對本實施方式的粘著膠帶1的製造方法進行說明。
[0083] 予以說明的是，上述的具有第一方式的包含過氧化物固化型矽酮系粘著劑的粘著 劑層3的粘著膠帶1和具有第二方式的包含加成反應型矽酮系粘著劑的粘著劑層3的粘著 膠帶1可以利用同樣的製造方法來製造。
[0084] 在製造粘著膠帶1時，首先，在甲苯、乙酸乙酯等通用的有機溶劑中，溶解固化型 矽酮系粘著劑和固化劑，得到粘著劑溶液。接著，使用逗點塗布機等將該粘著劑溶液塗布於 根據需要進行了表面處理、增粘塗層的形成的基材2的表面上，以使其達到規定的厚度。
[0085] 然後，在60°C?160°C的溫度下，將塗布有粘著劑溶液的基材2加熱數分鐘?數十 分鐘左右，從而使粘著劑溶液固化，形成粘著劑層3。
[0086] 通過以上工序，如圖1所示，能夠得到在基材2上層疊有粘著劑層3的粘著膠帶1。 [0087] 粘著膠帶的使用方法
[0088] 如上所述，本實施方式的粘著膠帶1使用於半導體元件基板的切割。在此，所謂的 半導體元件基板，是指在樹脂等基板上形成有多個LED (發光二級管）等半導體元件的材 料。予以說明的是，在這樣的半導體元件基板中，通常為了保護半導體元件不受溫度、溼度 等外部環境的變化的影響，設置密封樹脂以覆蓋半導體元件。
[0089] 作為用於將半導體元件基板切斷而得到多個半導體晶片的方法，以往已知例如如 下的方法。
[0090] 首先，從半導體元件基板的基板側粘貼切割用粘著膠帶，並且利用切割機等從形 成有半導體元件的一側切斷半導體元件基板。然後，從粘著膠帶剝下通過切斷形成的各個 半導體晶片，從而得到多個半導體晶片。
[0091] 但是，在如此從半導體元件基板的基板側粘貼切割用粘著膠帶，進行了半導體元 件基板的切斷的情況下，具有在切斷面（半導體晶片的基板側面）上發生產生脫落的所謂 的塌邊（夕' >)、或者切斷面變粗糙等問題。
[0092] 於是，近年來，為了解決這樣的問題，提出了如下的方法，即對於半導體元件基板， 不是從基板側，而是從形成半導體元件的一側、即將半導體元件密封的密封樹脂側粘貼切 割用粘著膠帶，並將半導體元件基板切斷的方法。
[0093] 在此，以往，作為為了切斷半導體元件基板而使用的切割用粘著膠帶，例如使用具 有由丙烯酸樹脂構成的粘著劑層的粘著膠帶。
[0094] 但是，如果將這樣的以往的粘著膠帶從形成半導體元件基板的半導體元件的一側 (密封樹脂側）粘貼並進行半導體元件基板的切割，則例如在密封樹脂與粘著膠帶的粘著 力不充分的情況下，有可能產生切割時半導體晶片飛濺等問題。
[0095] 然而，作為LED等半導體元件用密封樹脂，近年來，大多使用矽酮樹脂。即這是因 為，以往，作為半導體元件用密封樹脂，利用電特性、耐熱性優異的環氧樹脂，但是環氧樹脂 存在如下的問題：在使用於短波長的LED、高輸出的LED的情況下容易變色等。與此相對， 矽酮樹脂與環氧樹脂相比不易發生因熱、光而引起的變色。
[0096] 但是，矽酮樹脂具有例如與環氧樹脂等相比脫模性高的性質。因此，在對於使用了 矽酮樹脂作為密封樹脂的半導體元件基板，例如將丙烯酸樹脂系粘著膠帶從密封樹脂側粘 貼的情況下，作為密封樹脂的矽酮樹脂與粘著膠帶的粘接力易於變小。其結果是，在切斷半 導體元件基板時，更容易產生上述的半導體晶片的飛濺等問題。
[0097] 與此相對，本實施方式的粘著膠帶1如上所述由於粘著劑層3包含固化型矽酮系 粘著劑和固化劑而構成，因此即使在進行半導體元件基板的切割時從密封樹脂側粘貼來使 用的情況下，也能夠良好地保持與半導體元件基板的密封樹脂的粘接力。並且，與以往的粘 著膠帶相比，能夠抑制在進行半導體元件基板的切割時產生半導體晶片的飛濺等。
[0098] 以下，對本實施方式的粘著膠帶1的使用方法以及使用了本實施方式的粘著膠帶 1的半導體晶片的製造方法進行詳細說明。圖2(a)?圖2(d)是表示使用了本實施方式的 粘著膠帶的半導體晶片的製造方法的圖。
[0099] 予以說明的是，以下說明的方法是使用了粘著膠帶1的半導體晶片的製造方法的 一個例子，粘著膠帶1的使用方法並不限於以下的方法。即，本實施方式的粘著膠帶1隻要 在切割時能夠粘貼於具有由密封樹脂密封的多個半導體元件的半導體元件基板，就可以不 限於以下方法地使用。
[0100] 在本實施方式中，首先，在例如由樹脂材料等構成的基板101上，裝載多個半導體 元件102,製作半導體元件基板100。予以說明的是，半導體元件102例如為LED元件，雖然 省略了圖示，但是例如包含通過通電而發光的發光層等的多個半導體層層疊而構成，且在 上部形成有電極。
[0101] 接下來，利用由矽酮系樹脂構成的密封樹脂103將在半導體元件基板100的基板 101上形成的多個半導體元件102密封（密封工序）。予以說明的是，在該例子中，利用密 封樹脂103將多個半導體元件102 -並密封，但也可以利用密封樹脂103將各個半導體元 件102分別密封。
[0102] 接著，如圖2 (a)所示，以粘著膠帶1的粘著劑層3與半導體元件基板100的密封 樹脂103對置的方式，將粘著膠帶1與半導體元件基板100貼合（粘貼工序）。
[0103] 接著，如圖2(b)、（c)所示，在將粘著膠帶1與半導體元件基板100貼合的狀態下， 利用切割機等，沿切斷預定線X，將半導體元件基板100切斷（切斷工序）。在該例子中，將 粘貼有粘著膠帶1的半導體元件基板100從基板101側切斷。此外，如圖2(C)所示，在該 例子中，進行了將半導體元件基板100全部切入的所謂的全切（full cut)。
[0104] 接著，將通過切斷半導體元件基板100而形成的半導體晶片200從粘著膠帶1剝 下（拾取（pick up))，從而如圖2(d)所示，能夠得到單片化了的半導體晶片200(剝離工 序）。
[0105] 如上所述，在本實施方式的粘著膠帶1中，粘著劑層3包含固化型矽酮系粘著劑和 固化劑而構成。由此，在將粘著膠帶1使用於切割時，即使在從半導體元件基板100的密封 樹脂103側粘貼的情況下，也能夠良好地保持半導體元件基板100與粘著膠帶1的粘接力。
[0106] 特別是，近年來，大多使用脫模性高的矽酮樹脂作為將半導體元件102密封的密 封樹脂103,但本實施方式的粘著膠帶1通過具有上述構成，從而對由矽酮樹脂構成的密封 樹脂103也具有良好的粘接力。
[0107] 其結果是，本實施方式的粘著膠帶1在使用於半導體元件基板100的切割時，能夠 抑制半導體晶片200的飛濺。
[0108] 進而，本實施方式的粘著膠帶1的粘著劑層3中所含的固化型矽酮系粘著劑如上 述那樣與密封樹脂103具有良好的粘著力，並且具有脫模性高的性質。由此，在本實施方式 中，將通過半導體元件基板100的切割而得到的半導體晶片200從粘著膠帶1剝離時，能夠 抑制粘著劑附著於半導體晶片200的所謂殘膠的產生。
[0109] 予以說明的是，通常在例如將粘著劑層由丙烯酸系粘著劑構成的粘著膠帶使用於 半導體元件基板的切割的情況下，將切斷後的半導體晶片從粘著膠帶剝下時，需要預先對 粘著膠帶照射紫外線，使粘著劑層的粘著性消失。而在本實施方式的粘著膠帶1的情況下， 不進行照射紫外線的工序，就能夠將半導體晶片200從粘著膠帶1剝離。
[0110] 因此，通過將本實施方式的粘著膠帶1使用於半導體元件基板100的切割，能夠使 半導體晶片200的製造工序簡單化。
[0111] 實施例
[0112] 接著，使用實施例和比較例，更具體地說明本發明。予以說明的是，本發明並不限 於以下的實施例。
[0113] 本發明人分別對使用了過氧化物固化型矽酮系粘著劑作為粘著劑層3的第一方 式、以及使用了加成反應型矽酮系粘著劑作為粘著劑層3的第二方式，改變固化劑（引發 齊U、交聯劑）的添加量，進行粘著膠帶1的製作，並進行了所製作的粘著膠帶1的評價。
[0114] 以下，對各實施例和各比較例進行詳細說明。
[0115] 1.粘著膠帶1的製作
[0116] (實施例1?實施例4)
[0117] 在甲苯中，溶解由有機聚矽氧烷構成的過氧化物固化型矽酮系粘著劑（信越化學 工業株式會社制KR101-1)和由甲基過氧化苯甲醯構成的引發劑（日油株式會社制NYPER K40)，調整了粘著劑溶液。另外，將過氧化物固化型矽酮系粘著劑和引發劑的含量調整為如 表1所示。
[0118] 接著，將該粘著劑溶液塗布於厚度75 μ m的由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜構 成的基材2上之後，在160度的溫度加熱3分鐘，從而形成厚度30 μ m的粘著劑層3,得到總 厚度105 μ m的粘著膠帶1。
[0119] (實施例5?8)
[0120] 在甲苯中，溶解由在分子內具有乙烯基甲矽烷基的有機聚矽氧烷構成的加成反應 型矽酮系粘著劑（信越化學工業株式會社制X-40-3237-1)、鉬金族系催化劑（信越化學工 業株式會社制CAT-PL-50T)、和由在分子內具有氫矽烷基（hydrosilyl)的有機聚矽氧烷構 成的交聯劑（信越化學工業株式會社制X-92-122)，調整了粘著劑溶液。另外，將加成反應 型矽酮系粘著劑、催化劑和交聯劑的含量調整為如表1所示。
[0121] 接著，將該粘著劑溶液塗布於厚度75 μ m的由PET膜構成的基材2上之後，在120 度的溫度加熱3分鐘，從而形成厚度30 μ m的粘著劑層3,得到總厚度105 μ m的粘著膠帶 1〇
[0122] (比較例1)
[0123] 將粘著劑層3中的引發劑的含量設為0,除此以外，與實施例1?實施例4同樣地 操作，得到粘著膠帶1。
[0124] (比較例2)
[0125] 將粘著劑層3中的交聯劑的含量設為0,除此以外，與實施例5?實施例8同樣地 操作，得到粘著膠帶1。
[0126] (比較例3)
[0127] 使用了丙烯酸系的粘著劑作為粘著劑層3,除此以外，與實施例1?8同樣地操作， 得到粘著膠帶1。
[0128] 2.評價方法
[0129] 接著，對粘著膠帶1的評價方法進行說明。
[0130] (1)對研磨SUS粘著力試驗
[0131] 對於利用上述方法製作的粘著膠帶1，依照JIS Z 0237(2000)中記載的方法，進 行了對研磨SUS粘著力試驗（剝離粘著力試驗）。
[0132] 具體地說，將粘著膠帶1粘貼於被耐水研磨紙研磨了的不鏽鋼板（SUS304)，使質 量2000g的輥以5mm/s的速度往復1次來壓接。接著，放置20?40分鐘後，使用拉伸試驗 機，向相對於不鏽鋼板為180°方向，以5mm/s的速度剝離，從而測定了對研磨SUS板的粘著 力。
[0133] (2)保持力試驗
[0134] 對所製作的粘著膠帶1進行了保持力試驗。
[0135] 具體地說，將粘著膠帶1粘貼於被耐水研磨紙研磨了的不鏽鋼板（SUS304)，測定 了以安裝了規定重物的狀態在40°C的條件下保持了 24小時時的偏差值（mm)。在此，作為 切割用粘著膠帶，優選在保持力試驗中測定的偏差值為25mm以下。
[0136] 此外，在經過24小時之前粘著膠帶1從不鏽鋼板剝離而掉落的情況下，測定了從 測定開始至粘著膠帶1剝離為止的經過時間（分鐘）。予以說明的是，在表1中保持力試驗 的"丨"表示是指在經過24小時之前粘著膠帶1從不鏽鋼板錯開而掉落。
[0137] (3)對矽酮樹脂粘著力試驗
[0138] 對所製作的粘著膠帶1，依照上述粘著力試驗的方法，進行了對矽酮樹脂粘著力試 驗。
[0139] 具體地說，將粘著膠帶1粘貼於塗布了矽酮樹脂的板，使質量2000g的輥以5mm/s 的速度往復1次來壓接。接著，放置20?40分鐘後，使用拉伸試驗機，向相對於塗布了矽 酮樹脂的板為180°方向，以5mm/s的速度剝離，從而測定了對於矽酮樹脂的粘著力。
[0140] 另外，本試驗中，作為塗布於將粘著膠帶1粘貼的板上的矽酮樹脂，使用了 LED密 封劑用矽酮樹脂。
[0141] 3.評價結果
[0142] 關於對實施例1?實施例8以及比較例1?比較例3的粘著膠帶1的評價結果， 不於表1。
[0143] 表 1
[0144]

【權利要求】
1. 一種切割用粘著膠帶，其特徵在於，為在將形成有由密封樹脂密封的多個半導體元 件的元件基板分割為多個半導體晶片時所使用的切割用粘著膠帶，所述切割用粘著膠帶具 備基材、和在所述基材上層疊的包含固化型矽酮系粘著劑及固化劑的粘著劑層，對於所述 元件基板，從由矽酮樹脂構成的所述密封樹脂側粘貼來使用。
2. 根據權利要求1所述的切割用粘著膠帶，其特徵在於，所述粘著劑層包含過氧化物 固化型矽酮粘著劑和由過氧化物構成的引發劑。
3. 根據權利要求2所述的切割用粘著膠帶，其特徵在於，相對於所述過氧化物固化型 矽酮粘著劑1〇〇重量份，所述引發劑的含量為〇. 01重量份?15重量份的範圍。
4. 根據權利要求1所述的切割用粘著膠帶，其特徵在於，所述粘著劑層包含加成反應 型矽酮粘著劑、交聯劑和催化劑。
5. 根據權利要求4所述的切割用粘著膠帶，其特徵在於，相對於所述加成反應型矽酮 粘著劑100重量份，所述交聯劑的含量為〇. 05重量份?10重量份的範圍。
6. -種半導體晶片的製造方法，其包括： 利用由矽酮樹脂構成的密封樹脂將在基板上形成有多個半導體元件的元件基板的該 多個半導體元件密封的密封工序； 對於所述元件基板，從所述密封樹脂側粘貼具備基材、和包含固化型矽酮系粘著劑及 固化劑的粘著劑層的粘著膠帶的粘貼工序； 將粘貼有所述粘著膠帶的所述元件基板切斷成多個半導體晶片的切斷工序；以及 從所述多個半導體晶片剝離所述粘著膠帶的剝離工序。
【文檔編號】C09J183/04GK104419341SQ201410437583
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月29日 優先權日:2013年8月30日
【發明者】高城梨夏, 增田晃良 申請人:日立麥克賽爾株式會社