基板和其製造方法

2023-05-27 01:00:51

專利名稱：基板和其製造方法
技術領域：
本發明涉及具有防止銅擴散用阻擋膜的基板，所述防止銅擴散用阻擋膜是在基材 上形成的，作為超大規模集成電路(ULSI)微細銅布線的阻擋兼催化劑層使用的。
背景技術：
作為ULSI微細銅布線(嵌入(damascene)式銅布線)的銅的成膜方法，已知通過 化學鍍(electroless plating)銅設置籽晶層，通過電鍍銅形成銅膜的方法。以往當在半導體晶片(semiconductor wafer)那樣的鏡面上進行化學鍍銅時，析 出的鍍膜難以得到充分的附著性。此外，鍍敷的反應性低，難以在整個基板上均勻鍍敷。以 往在例如氮化鉭等的阻擋金屬層上通過化學鍍法形成銅籽晶層時，存在難以形成均勻鍍 層，附著力不充分的問題。本發明人已發現通過在化學鍍銅液中添加作為添加劑的、重均分子量(Mw)較小 的水溶性含氮聚合物，另一方面在被鍍物的基板上在浸漬在鍍液之前附著催化劑金屬，或 者通過預先在最表面上形成催化劑金屬膜，然後浸漬在鍍液中，使聚合物介由氮原子吸附 在該催化劑金屬上，可以抑制鍍敷的析出速度，並使晶體非常微細化，可以在晶片(wafer) 那樣的鏡片上形成膜厚15nm以下的均勻薄膜(專利文獻1)。此外，本發明人公開了，在上 述發明的實施例中，通過預先在最表面上形成催化劑金屬膜，然後浸漬在鍍液中，介由氮原 子使聚合物吸附在該催化劑金屬上，可以抑制鍍敷的析出速度，可以在晶片那樣的鏡面上 形成晶體非常微細化、膜厚6nm以下的均勻膜。這種方法即在嵌入式銅布線形成中，在形成催化劑金屬膜後要通過化學鍍設置銅 籽晶層時，需要與催化劑金屬層分開地、預先形成用於防治銅擴散的阻擋層，因此，在形成 銅籽晶層之前已經形成阻擋層和催化劑金屬層兩層，現已判明該方法存在在膜厚不能過厚 的超微細布線中難以使用的問題。為了克服在形成這樣的銅籽晶層之前要形成兩層的繁雜步驟，本發明人發現通過 形成同時具有阻擋能力和催化能力的特定的合金薄膜的單一層，並進而將化學鍍與置換鍍 和還原鍍並用，可以在上述層上形成膜厚度薄且均勻的銅籽晶層，並提交了專利申請(專 利文獻2、專利文獻3)。但這些同時具有阻擋能力和催化能力的合金薄膜在加熱到500°C左 右的高溫時阻擋性不充分，而在半導體器件中使用時、特別是長時間使用時要求具有更高 的可靠性。此外，專利文獻4中記載了具有阻擋層的傳導性材料的製造方法，所述阻擋層中 含有選自鉭、氮化鉭、氮化鉭矽、鈦、氮化鈦、氮化鈦矽、釕、鎢、氮化鎢、它們的合金、衍生物、 和它們的組合中的金屬。在上述文獻中在該阻擋層上通過PVD法設置了籽晶層，但關於阻 擋層的組成，特別是組合帶來的效果和組成卻沒有說明。專利文獻1 特開2008-223100號公報專利文獻2 :PCT/JP2008/063023專利文獻3 :PCT/JP2008/063024
專利文獻4 :W02006/102182A2

發明內容
本發明的目的在於提供具有防止銅擴散用阻擋膜的基板，所述防止銅擴散用阻擋 膜比同時具有上述阻擋能力和催化能力的合金薄膜的高溫加熱時的阻擋性優異，具有阻擋 能力和催化能力。進而，本發明的目的在於提供一種高溫加熱時的阻擋性優異，在長期使用時可靠 性高的半導體晶片。本發明人進行了深入研究，結果發現，在通過使對化學鍍具有催化能力的金屬、和 具有阻擋能力且可與化學鍍液中的金屬置換的金屬合金化來形成同時具有阻擋能力和催 化能力的單一層時，進一步以與具有阻擋能力的金屬的氮化物的形式含有氮，可以進一步 提高阻擋能力，從而完成本發明。即本發明內容如下。(1). 一種基板，其特徵在於，在基材上具有防止銅擴散用阻擋膜，所述防止銅擴 散用阻擋膜含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素，對化學鍍具有催化能力的金屬元 素，以及以所述選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素的氮化物的形式被含有的氮。(2).如(1)所述的基板，其特徵在於，所述對化學鍍具有催化能力的金屬元素是 選自釕、銠和銥中的一種以上。(3).如⑴或⑵所述的基板，其特徵在於，所述防止銅擴散用阻擋膜含有10 30原子％的對化學鍍具有催化能力的金屬元素和60 75原子％的選自鎢、鉬和鈮中的一 種以上金屬元素，餘量是氮。(4).如(1) (3)的任一項所述的基板，其特徵在於，在所述防止銅擴散用阻擋膜 上具有以所述具有催化能力的金屬元素為催化劑、通過化學鍍銅形成的銅籽晶層。(5).如⑴ (4)的任一項所述的基板，其特徵在於，在所述防止銅擴散用阻擋膜 上具有以所述具有催化能力的金屬元素為催化劑、通過化學鍍銅形成的銅籽晶層，進而在 該銅籽晶層上形成有嵌入式銅布線。(6). 一種基板的製造方法，其特徵在於，使用含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金 屬元素和對化學鍍具有催化能力的金屬元素的靶源，在氮氣氛圍中濺射，從而在基材上形 成防止銅擴散用阻擋膜，所述防止銅擴散用阻擋膜中含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金 屬元素，對化學鍍具有催化能力的金屬元素，以及以所述選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬 元素的氮化物的形式被含有的氮。(7).如(6)所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述對化學鍍具有催化能力的 金屬元素是選自釕、銠和銥中的一種以上。(8).如(6)或(7)所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述防止銅擴散用阻擋膜 含有10 30原子％的對化學鍍具有催化能力的金屬元素和60 75原子％的選自鎢、鉬 和鈮中的一種以上金屬元素，餘量是氮。(9).如(6) ⑶的任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，以所述具有催化 能力的金屬元素為催化劑，通過化學鍍銅在所述防止銅擴散用阻擋膜上形成銅籽晶層。(10).如(6) (9)的任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，以所述具有催化能力的金屬元素為催化劑，通過化學鍍銅在所述防止銅擴散用阻擋膜上形成銅籽晶層， 進而在該銅籽晶層上形成嵌入式銅布線。(11). 一種半導體晶片，使用了(5)所述的基板。本發明通過在基材上形成防止銅擴散用阻擋膜，提高了高溫加熱時的阻擋性，所 述防止銅擴散用阻擋膜中含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素、和釕、銠和銥等對化 學鍍具有催化能力的金屬元素，並以選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素的氮化物的形 態含有氮。通過提高高溫加熱時的阻擋能力，可以進一步提高本發明的基板在長期作為半 導體晶片使用時的可靠性。進而通過使選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素氮化，在通過 濺射來形成防止銅擴散用阻擋膜時，可以降低作為濺射靶源中的昂貴貴金屬的釕、銠和銥 等催化劑金屬成分的比率，降低生產成本。此外，通過形成本發明的防止銅擴散用阻擋膜，可以在通過無電解置換 (electroless displacement)和還原鍍來形成銅等的金屬薄膜時，可以在不侵蝕作為基底 的上述防止銅擴散用阻擋膜表面的情況下使在其上形成的銅等的金屬薄膜層的膜厚充分 薄，形成均勻且附著性優異的膜。此外，可以使上述防止銅擴散用阻擋膜和其上的化學鍍層 的界面呈實質上不含氧的狀態。
具體實施例方式本發明涉及基材上具有防止銅擴散用阻擋膜的基板，該防止銅擴散用阻擋膜中含 有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素、和對化學鍍具有催化能力的金屬元素，並且以選 自上述鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素的氮化物的形式含有氮。鎢、鉬、和鈮是可與化學鍍銅液所含的銅進行置換鍍的金屬，對銅具有阻擋能力。 防止銅擴散用阻擋膜中使用選自鎢、鉬、和鈮中的一種以上金屬，特別是，更優選鎢。此外，與鉭、鈦相比，鎢、鉬、鈮難以形成牢固的氧化膜，所以當在防止銅擴散用阻 擋膜上進行化學鍍時，在與鍍膜的界面上不會殘留氧化層。當在界面存在氧時會有不良影 響如，布線的電阻會提高，阻擋能力降低等。作為對化學鍍具有催化能力的金屬，可以列舉出釕、銠、銥等，優選使用選自這些 金屬中的一種以上金屬，其中更優選使用釕。此外，還可以使用含有2種以上具有催化能力 的金屬的合金。本發明中的上述具有化學鍍的催化能力是指對使化學鍍液中的銅等的金屬 離子還原、形成鍍膜的反應具有催化能力。因此，當通過化學鍍銅在上述防止銅擴散用阻擋膜上形成銅籽晶層時，可以通過 無電解置換和還原鍍進行均勻的化學鍍，形成膜厚充分薄、具有優異附著性的籽晶層。為了發揮高溫阻擋性，優選在防止銅擴散用阻擋膜中含有60 75原子％的鎢、 鉬、和鈮。當少於60原子％時，有時高溫阻擋性降低，而且具有催化能力的金屬比率變多， 混入到鍍膜中，電阻值變高，有時會造成信號延遲。此外，存在膜成本高的問題。此外，當多 於75原子％時，有時不僅高溫阻擋性降低，而且當在其上通過化學鍍設置銅籽晶層時，鍍 液的置換反應比還原反應更具有優勢，會侵蝕被鍍材料，有時不能形成均勻薄膜。此時會造 成阻擋能力降低。為了發揮高溫阻擋性，優選在防止銅擴散用阻擋膜中含有10 30原子％的上述 具有催化能力的金屬。當上述具有催化能力的金屬少於10原子％時，高溫阻擋性降低，而
5且當在通過化學鍍在防止銅擴散用阻擋膜上設置銅籽晶層時，有時鍍液的置換反應比還原 反應更具有優勢，被鍍材料會受到侵蝕，不能形成均勻薄膜。這種情況會進而使阻擋能力降 低。此外，當上述具有催化能力的金屬多於30原子％時，有時不僅高溫阻擋性降低，而且具 有催化能力的金屬比率變多，混入到鍍膜中，使電阻值變高，造成信號延遲。此外，存在膜成 本增高的問題。進而，本發明的防止銅擴散用阻擋膜，為了發揮高溫阻擋性，還以鎢、鉬、鈮的氮化 物的形式含有氮，該防止銅擴散用阻擋膜中含有上述具有阻擋能力的金屬成分和具有催化 能力的金屬成分，餘量是氮。在防止銅擴散用阻擋膜中優選至少含有3原子％以上的氮，更 優選為5 20原子％的氮。防止銅擴散用阻擋膜中的組成是將俄歇能譜深度剖析的強度比轉換成組成比，從 而求出的。本發明中的俄歇能譜深度剖析的測定是使用測定裝置PHI 700俄歇電子能譜 儀(Scanning AugerNanoprobe)ULVAC-PHI, INC.制，使用裝置附帶的軟體將能譜強度比 轉換成組成比。轉換係數是使用程序中存儲的數值求出的，但根據需要也可以以一級標準 (primary standard)計算。防止銅擴散用阻擋膜優選通過濺射形成，作為此時的濺射靶源使用選自鎢、鉬和 鈮中的一種以上金屬元素、和對上述化學鍍具有催化能力的金屬元素，通過在氮氣氛圍中 濺射使鎢、鉬、鈮被氮化成氮化物，在膜中含有。通常的濺射，以低壓引入惰性氣體來進行，但在本發明中使惰性氣體中含有氮氣， 在氮氣氛圍中進行，使鎢、鉬、鈮氮化。當在氮氣氛圍中進行濺射時，僅鎢、鉬、或鈮的成膜速度逐漸變慢，但釕等具有催 化能力的金屬在基板上的成膜速度不變慢，具有催化能力的金屬在膜中比率相對逐漸變 高，由此可以斷定以鎢、鉬、或鈮的氮化物的形式含有氮。上述防止銅擴散用阻擋膜的組成，可以根據濺射靶源的金屬的組成、和氮氣氛圍 中中的氮氣的分壓等來進行調節。通過使具有阻擋能力的鎢、鉬、鈮被氮化，會使阻擋能力變高。通過變成氮化物，高 溫加熱時的阻擋性從400°C提高到500°C。此外，通過使上述具有阻擋能力的金屬變成氮化物，在使用相同組成的濺射靶源 時，得到的防止銅擴散用阻擋膜中的具有催化能力的金屬比沒有變成氮化物的情況中的濃 度高。這可以認為是由於濺射中作為阻擋成分的鎢、鉬、或鈮金屬元素的一部分被氮化成 氮化鎢、氮化鉬、或氮化鈮，但該氮化鎢、氮化鉬、或氮化鈮的成膜速度慢，所以未被氮化的 催化劑金屬元素與氮化鎢、氮化鉬、或氮化鈮相比，成膜速度相對變快的緣故。因此通過氮 化，可以降低作為昂貴貴金屬的催化劑金屬成分在靶源中的成分比，降低生產成本。上述防止銅擴散用阻擋膜的膜厚優選為3 20nm，更優選為5 15nm。本發明中的形成上述銅擴散防止阻擋膜的基材優選為矽基板，可以通過進行酸處 理、鹼處理、表面活性劑處理、超聲波洗淨，或它們的組合處理來實現基材的清潔、提高潤溼 性。在本發明的上述防止銅擴散用阻擋膜上，可以以上述具有催化能力的金屬元素為 催化劑，通過化學鍍銅設置銅籽晶層。該化學鍍銅是無電解置換鍍和還原鍍。在使用本發明的防止銅擴散用阻擋膜進行無電解置換和還原鍍時，作為使用的化學鍍銅的方法，可以使用一般的方法。同樣，使用的銅鍍液也可以使用一般的鍍液。化學鍍銅液通常含有銅離子、銅離子的絡合劑、還原劑、和pH調節劑等。作為化學鍍銅液的還原劑，考慮到福馬林對人體、環境的不良影響，優選使用乙 醛酸。此外，化學鍍銅液優選不含有鈉，其是在半導體用途中要避免的雜質。乙醛酸的濃度優選在鍍液中為0. 005 0. 5mol/L,更優選為0. 01 0. 2mol/L。當 濃度小於0. 005mol/L時，不會發生鍍敷反應，當大於0. 5mol/L時，鍍液會不穩定而分解。作為本發明中的化學鍍銅液的銅離子源，可以使用通常使用的所有銅離子源，可 以列舉出例如硫酸銅、氯化銅、硝酸銅等。此外，作為銅離子的絡合劑，也可以使用通常使用 的所有絡合劑，可以列舉出例如乙二胺四乙酸、酒石酸等。作為其它添加劑，可以使用鍍液中通常使用的添加劑例如2，2』 _聯吡啶、聚乙二
醇、亞鐵氰化鉀等。此外，本發明中的化學鍍銅液優選以pH值為10 14而被使用，更優選以pH值為 12 13而被使用。作為pH調節劑，可以使用通常使用的氫氧化鈉、氫氧化鉀等，但在半導 體用途要避免鈉、鉀等的鹼金屬的情況中，使用氫氧化四甲基銨為宜。此外，本發明中的化學鍍銅液在浴溫40 90°C下使用，這從浴液穩定性和銅的析 出速度方面考慮是優選的。在使用本發明的化學鍍銅液進行鍍敷時，將被鍍材料浸漬在鍍浴中。被鍍材料是 通過在上述基材上形成防止銅擴散用阻擋膜而得到的。通過本發明的無電解置換和還原鍍製作的銅薄膜的厚度更優選為1 10nm。通過本發明的無電解置換和還原鍍製作的銅薄膜，鍍膜薄，膜厚均勻。因此，在作 為嵌入式銅布線用籽晶層使用時，即使在布線寬度為IOOnm以下的微細層間通道和布線溝 (via and trench)內也可以形成膜厚均勻的薄膜籽晶層，結果可以得到不會產生空隙和接 縫(void andseem)等缺陷的半導體晶片。本發明的基板，還可以在通過化學鍍形成的銅薄膜上通過鍍敷進一步設置布線 部。鍍敷可以使用電鍍或化學鍍。布線部優選是銅或以銅為主成分的合金，更優選嵌入式銅布線。電鍍銅液只要具 有通常嵌入式銅布線埋入時使用的組成即可，沒有特殊限定，例如可以使用含有作為主成 分的硫酸銅和硫酸、作為微量成分的氯、聚乙二醇、3，3' -二硫代雙(1-丙磺酸鈉鹽)、由烷 基叔胺和聚環氧氯丙烷形成的季銨鹽加成物(第四環氧氯丙烷)等的溶液。此外，作為埋 入時使用的化學鍍銅液，可以使用例如特開2005-038086號公報中記載的銅布線埋入用鍍 液。實施例 下面將通過實施例來說明本發明，但本發明並不受這些實施例限定。實施例1使用各種組成比的鎢和釕的濺射合金靶源，改變濺射時濺射室內的氬氣和氮氣的 壓力比，在最表面帶有SiO2膜的矽基板上製作膜厚IOnm的氮化鎢/釕合金膜，然後在上面 形成膜厚5 Snm的化學鍍銅膜。濺射成膜時使用3英寸RF濺射裝置(ANELVA制SPF-332HS)。氮化鎢/釕合金膜 的製作中，先使用冷凝泵(cryopump)使濺射室內為5X 10_5Pa的壓力，然後導入一定比率的氮氣和氬氣的混合氣體至總壓為0. 8Pa,以50W的功率產生等離子體，進行15分鐘的預濺 射，然後進行本成膜。通過化學鍍形成銅膜時，使用具有以下組成的鍍液，在pH12.5、50°C的條件下進行
30秒鐘。(化學鍍液和鍍敷條件)硫酸銅0·02mol/L乙二胺四乙酸鹽0. 21mol/L乙醛酸0· 03mol/L2，2，-聯吡啶20mg/LρΗ12·5(氫氧化四甲基銨)對所得的形成了化學鍍膜的基板進行以下評價。通過俄歇能譜深度剖析測定來確定在500°C下真空退火(annealing)處理30分鐘 後的阻擋性。將沒有看到銅擴散到氮化鎢/釕合金膜中，也沒有看到與其相反的現象的情 況記作「〇」，將看到了其中任一種現象的情況記作「 X 」。鍍膜均勻性的評價是使用FESEM裝置(日本電子制JSM-6700F)觀察膜表面，來確 認有無φ Inm以上的未被化學鍍的部分。將沒有未被化學鍍的部分的情況記作「〇」，將確 認有未被化學鍍的部分的情況記作「 X 」。通過俄歇能譜深度剖析測定來確定鍍敷時的銅膜和鎢合金膜的界面的氧化狀態。 將在鍍膜和鎢合金膜的界面沒有發現氧的情況記作「〇」，將發現有氧的情況記作「 X 」。鍍膜附著性評價中，使用透明膠帶(「CT24」，二千^ >制)進行膠帶剝離試驗，用 指肚使透明膠帶與鍍面密合，然後剝離膠帶，確認有無膜剝離。將鍍膜沒有剝離的情況記作 「〇，將發現剝離的情況記作「 χ 」。此外，在對帶有線寬為90nm、高寬比為4的布線溝圖案的半導體基板形成上述濺 射合金薄膜、和化學鍍銅薄膜之後，將其作為籽晶層，通過電鍍銅埋入布線。另外，布線的埋入是使用具有以下組成的鍍液，在25°C、電流密度ΙΑ/dm2的條件下 進行60秒鐘。硫酸銅0. 25mol/L硫酸1. 8mol/L鹽酸 IOmmo 1/L微量添加劑(聚乙二醇、3，3' -二硫代雙(1-丙磺酸鈉鹽)、健那綠(janus green))通過TEM觀察所得的銅鍍膜的截面，評價線寬90nm的布線溝部的埋入性。判斷有 無空隙和接縫，「〇」是無空隙和接縫，「 X 」是有空隙和接縫。將這些結果一併示於表1中。綜合評價中，將阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著性、埋入性的5個評價均 是「〇」的情況記作「〇」，將4個項目是「〇」的情況記作「Δ」，將3項以下是「〇」的情況 記作「 X 」。[表 1] 在沒有導入氮氣時，沒有發現同時具有阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著 性、和埋入性的組成(綜合評價〇)，但通過導入適量的氮氣，在膜中釕組成比為12 28原 子％、膜中鎢組成比為62 72原子％、膜中氮組成比為10 16原子％時發現了的合適條 件。實施例2使用具有各種組成比的鉬和銠的濺射合金靶源，改變濺射時濺射室內的氬氣和氮 氣的壓力比，在最表面帶有SiO2膜的矽基板上製作膜厚IOnm的氮化鉬/銠合金膜，然後在 上面形成膜厚5 Snm的化學鍍銅膜。濺射成膜、化學鍍的條件與實施例1相同。此外，以與實施例1同樣的方法評價阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著性、 埋入性、和綜合評價。
結果一併示於表2中。[表 2] 在沒有導入氮氣時，沒有發現同時具有阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著 性、和埋入性的組成(綜合評價〇)，但通過導入適量的氮氣，在膜中銠組成比為14 29原 子％、膜中鈮組成比為61 74原子％、膜中氮組成比為10 12原子％時發現了的合適條 件。實施例3使用具有各種組成比的鈮和銥的濺射合金靶源，改變濺射時濺射室內的氬氣和氮 氣的壓力比，在最表面帶有SiO2膜的矽基板上製作膜厚IOnm的氮化鈮/銥合金膜，然後在
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10
[表 3]
上面形成膜厚5 Snm的化學鍍銅膜。濺射成膜、化學鍍的條件與實施例1相同。此外，以與實施例1同樣的方法評價阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著性、 埋入性、和綜合評價。結果一併示於表3中。 在沒有導入氮氣時，沒有發現同時具有阻擋性、鍍膜均勻性、耐氧化性、鍍膜附著 性、和埋入性的組成(綜合評價〇)，但通過導入適量的氮氣，在膜中銥組成比為12 27原 子％、膜中鈮組成比為62 73原子％、膜中氮組成比為11 15原子％時發現了的合適條 件。
權利要求
一種基板，其特徵在於，在基材上具有防止銅擴散用阻擋膜，所述防止銅擴散用阻擋膜含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素，對化學鍍具有催化能力的金屬元素，以及以所述選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素的氮化物的形式被含有的氮。
2.如權利要求1所述的基板，其特徵在於，所述對化學鍍具有催化能力的金屬元素是 選自釕、銠和銥中的一種以上。
3.如權利要求1或2所述的基板，其特徵在於，所述防止銅擴散用阻擋膜含有10 30 原子％的對化學鍍具有催化能力的金屬元素和60 75原子％的選自鎢、鉬和鈮中的一種 以上金屬元素，餘量是氮。
4.如權利要求1 3的任一項所述的基板，其特徵在於，在所述防止銅擴散用阻擋膜上 具有以所述具有催化能力的金屬元素為催化劑、通過化學鍍銅形成的銅籽晶層。
5.如權利要求1 4的任一項所述的基板，其特徵在於，在所述防止銅擴散用阻擋膜上 具有以所述具有催化能力的金屬元素為催化劑、通過化學鍍銅形成的銅籽晶層，進而在該 銅籽晶層上形成有嵌入式銅布線。
6.一種基板的製造方法，其特徵在於，使用含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元 素和對化學鍍具有催化能力的金屬元素的靶源，在氮氣氛圍中濺射，從而在基材上形成防 止銅擴散用阻擋膜，所述防止銅擴散用阻擋膜中含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元 素，對化學鍍具有催化能力的金屬元素，以及以所述選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素 的氮化物的形式被含有的氮。
7.如權利要求6所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述對化學鍍具有催化能力的 金屬元素是選自釕、銠和銥中的一種以上。
8.如權利要求6或7所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述防止銅擴散用阻擋膜含 有10 30原子％的對化學鍍具有催化能力的金屬元素和60 75原子％的選自鎢、鉬和 鈮中的一種以上金屬元素，餘量是氮。
9.如權利要求6 8的任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，以所述具有催化能 力的金屬元素為催化劑，通過化學鍍銅在所述防止銅擴散用阻擋膜上形成銅籽晶層。
10.如權利要求6 9的任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，以所述具有催化 能力的金屬元素為催化劑，通過化學鍍銅在所述防止銅擴散用阻擋膜上形成銅籽晶層，進 而在該銅籽晶層上形成嵌入式銅布線。
11.一種半導體晶片，使用了權利要求5所述的基板。
全文摘要
本發明的目的在於提供一種高溫加熱時的阻擋性優異，帶有具有阻擋能力和催化能力的防止銅擴散用阻擋膜的基板、和其製造方法。本發明提供了一種基板，其特徵在於，在基材上具有防止銅擴散用阻擋膜，所述防止銅擴散用阻擋膜含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素，對釕、銠和銥等的化學鍍具有催化能力的金屬元素，以及以所述選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止銅擴散用阻擋膜是通過使用含有選自鎢、鉬和鈮中的一種以上金屬元素和選自上述對化學鍍具有催化能力的金屬元素中的一種以上金屬元素的靶源，在氮氣氛圍中濺射，從而製造的。
文檔編號C23C18/40GK101889332SQ20088011975
公開日2010年11月17日 申請日期2008年11月26日 優先權日2007年12月17日
發明者伊森徹, 伊藤順一, 關口淳之輔, 矢部淳司 申請人:日礦金屬株式會社