嵌段共聚物及高分子發光元件的製作方法

2023-06-26 19:33:11 2

專利名稱：嵌段共聚物及高分子發光元件的製作方法
技術領域：
本發明涉及嵌段共聚物和使用它的高分子發光元件。
背景技術：
高分子量的發光材料和電荷輸送材料可作為發光元件的有機層中使 用的材料等，因此對其進行了各種研究，作為其例，報導有具有以下述式所示的2價基團作為重複單元的聚合物(例如參照專利文獻1)。(式中，Ar為取代或未取代的亞芳基，Ar，獨立地為取代或未取代的芳 基，Z為多環式亞芳基。)專利文獻1:國際公開第2005/049546號小冊子但是，將上述共聚物用作發光元件用的發光材料時，其發光亮度還不 夠充分。本發明的目的在於，提供一種在用作發光元件用的發光材料時，可以 成為提供能夠高亮度發光的發光元件的嵌段共聚物。艮P，本發明提供一種嵌段共聚物，其特徵在於，包含嵌段(A)和下述 嵌段(B)，所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的重複單元及下述式(II)所示的重 復單元；所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重複單元、下述式(III)所示的重 復單元及下述式(IV)所示的重複單元。—Ar廠(I)(式中，An表示含有5元環的2價雜環基。)發明內容formula see original document page 7(式中，Al"2表示亞芳基。)(式中，R,、 R2、 R3、 R4、 R5及R6獨立地表示滷原子、垸基、垸氧基、 垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳烯基、 芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺 殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，a及b獨立地表示0 4的整數，c及d獨立地表示0 5的整數，e及f獨立地表示0~3的整數，其中，R" R2、 R3、 R4、 Rs及R6中的至少一種存在多個時，該存在 的多個原子或基團可以相同或不同。R7和R8獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價 雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。)(式中，R9 R34獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、垸氧基、垸硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳燒硫基、芳烯基、芳炔基、 1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯 胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，m及p獨立地表示O或1，其中，在Ru與Rn、 1112與1121、 R25與R34以及R3o與R31的組合中的 至少一個組合中，這2個基團可相互直接鍵合，以單鍵或2價基團的形式 形成環。)本發明的第二方面提供一種組合物，其特徵在於，含有所述嵌段共聚 物；和溶劑、所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空 穴輸送材料或者所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或它們的2種以上 的組合。本發明的第三方面提供一種發光性薄膜，其特徵在於，含有所述嵌段 共聚物。本發明的第四方面提供一種高分子發光元件，其特徵在於，具有陽 極、、陰極和下述有機層，所述有機層包含所述嵌段共聚物且設置於該陽 極和該陰極之間。本發明的嵌段共聚物可以用作發光元件的發光材料、空穴輸送材料及 電子輸送材料，特別是用作發光元件的發光材料時，可以提供能夠高亮度 發光的發光元件。因此，包含本發明的嵌段共聚物的發光元件可以用於液 晶顯示器的背光燈或照明用的曲面狀或平面狀光源、分段型顯示元件、點陣的平板顯示器等中。
具體實施方式
以下對本說明書中通用的術語進行說明。作為滷原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。被稱為"Cx~Cy" (x、 y是滿足x<y的正整數)的術語表示與該術語一 同記載的有機基團的碳原子數為x y。烷基是指未取代烷基及被滷原子等取代的垸基，其包括直鏈狀烷基及 環狀烷基(環烷基)這兩者。烷基可以具有支鏈。垸基的碳原子數通常為 1 20、優選為1 15、更優選為1 10的範圍。作為烷基，例如可舉出甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基 辛基、十二垸基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基 等。作為Q d2垸基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、 壬基、癸基、十二垸基等。垸氧基是指未取代的垸氧基及被滷原子、烷氧基等取代的烷氧基，其 包括直鏈狀烷氧基及環狀烷氧基(環烷氧基)這兩者。烷氧基可以具有支鏈。 烷氧基的碳原子數通常為1 20、優選為1~15、更優選為1 10的範圍。作 為垸氧基，例如可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、 異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、 辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧 基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、 甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基等。作為d C,2垸氧基，例如可舉出甲 氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁 氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬 氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。烷硫基是指未取代的烷硫基及被滷原子等取代的院硫基，其包括直鏈 狀垸硫基及環狀烷硫基(環垸硫基)這兩者。烷硫基可以具有支鏈。垸硫基的碳原子數通常為1~20、優選為1 15、更優選為1 10的範圍。作為垸硫 基，例如可舉出甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫 基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、 2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟 甲硫基等。作為C, C，2烷硫基，例如可舉出甲硫基、乙硫基、丙硫基、 異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、十二烷硫基等。芳基是從芳香族烴上除去1個鍵合在構成芳香環的碳原子上的氫原子 後殘留的原子團，是指未取代的芳基及被滷原子、烷氧基、烷基等取代的芳基。芳基還包括具有稠環的芳基、獨立的苯環或2個以上稠環介由單鍵 或2價有機基團例如亞乙烯基等烯基進行鍵合而得的芳基。芳基的碳原子 數通常為6 60、優選為7 48、更優選為7 30的範圍。作為芳基，例如可 舉出苯基、d C,2烷氧基苯基、C廣d2垸基苯基、l-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，其中，優選C, d2烷氧基苯基、d~C12 烷基苯基。作為C廣d2垸氧基苯基，例如可舉出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙 氧基苯基、異丙氧基苯基、丁氧基苯基、異丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、 戊氧基苯基、己氧基苯基、辛氧基苯基等。作為C' C,2垸基苯基，例如可舉出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯 基、丙基苯基、均三甲苯基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異 丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、 辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。芳氧基是指未取代的芳氧基及被滷原子、垸氧基、烷氧基等取代的芳氧基。芳氧基的碳原子數通常為6 60、優選為7~48、更優選為7~30的範 圍。作為芳氧基，例如可舉出苯氧基、C, C2垸氧基苯氧基、C廣C,2烷 基苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，其中，優選C廣C,2烷氧基苯氧基、Q d2烷基苯氧基。作為C廣d2烷氧基苯氧基，例如可舉出甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧 基、丙氧基苯氧基、異丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、異丁氧基苯氧基、10叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、辛氧基苯氧基等。作為C廣C,2垸基苯氧基，例如可舉出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二 甲基苯氧基、丙基苯氧基、1,3,5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基 苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊 基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基 苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。芳硫基是指未取代的芳硫基及被滷原子、垸氧基、垸基等取代的芳硫基。芳硫基的碳原子數通常為6 60、優選為7~48、更優選為7~30的範圍。作為芳硫基，例如可舉出苯硫基、C廣d2垸氧基苯硫基、d Cu垸基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等。芳垸基是指未取代的芳垸基及被滷原子、烷氧基、垸基等取代的芳垸 基。芳垸基的碳原子數通常為7~60、優選為7~48、更優選為7~30的左右。 作為芳烷基，例如可舉出苯基—d d2垸基、d C,2垸氧基苯基一d Q2烷基、C廣Ci2烷基苯基—C廣Ci2烷基、l隱萘基—Ci Ci2烷基、2-萘基—Ci Ci2檢其坐 ,兀垂寸。芳烷氧基是指未取代的芳垸氧基及被滷原子、垸氧基、垸基等取代的 芳烷氧基。芳烷氧基的碳原子數通常為7 60、優選為7 48、更優選為7 30 的範圍。作為芳烷氧基，例如可舉出苯基一C, C,2烷氧基、C廣C,2垸氧 基苯基—C廣d2垸氧基、C, Q2垸基苯基—CKV烷氧基、l-萘基—d~C12 烷氧基、2-萘基一Q d2烷氧基等。芳烷硫基是指未取代的芳垸硫基及被卣原子、垸氧基、烷基等取代的 芳烷硫基。芳垸硫基的碳原子數通常為7 60、優選為7~48、更優選為7~30 的程度。作為芳烷硫基，例如可舉出苯基一C, C,2烷硫基、C廣C,2烷氧基苯基一d Ci2院硫基、C' C'2焼基苯基—Ci C!2院硫基、l陽蔡基一Ci C,2烷硫基、2-萘基—C廣Ci2烷硫基等。芳烯基是指未取代的芳烯基及被滷原子、烷氧基、垸基等取代的芳烯基。芳烯基的碳原子數通常為8 60、優選為8~48、更優選為8~30的範圍。作為芳烯基，例如可舉出苯基—C2 d2烯基、C, C,2垸氧基苯基一C2 d2烯基、C, C，2垸基苯基—Crd2烯基、l-萘基-C2 C,2烯基、2-萘基—C2~C12烯基等，其中，優選C, C,2烷氧基苯基一C廣d2烯基、C廣C,2垸基苯基一C2 C'2烯基。作為C2 d2烯基，例如可舉出乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、l-戊烯基、2-戊烯基、l-己烯基、2-己烯基、l-辛烯基等。芳炔基是指未取代的芳炔基及被滷原子、烷氧基、烷基等取代的芳炔基。芳炔基的碳原子數通常為8 60、優選為8 48、更優選為8 30的範圍。 作為芳炔基，例如可舉出苯基—C廣d2炔基、d Ci2烷氧基苯基一C2~C12 炔基、C廣C,2烷基苯基—C廣d2炔基、l-萘基—C廣C，2炔基、2-萘基—C2~C12炔基等，其中，優選C廣C,2烷氧基苯基—C廣C,2炔基、C, d2烷基苯基— C2 C,2炔基。作為C廣d2炔基，例如可舉出乙炔基、l-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、l-戊炔基、2-戊炔基、l-己炔基、2-己炔基、l-辛炔基等。1價雜環基是指從雜環式化合物中除去1個氫原子後殘留的原子團， 是指未取代的1價雜環基及被垸基等取代基取代的1價雜環基。1價雜環 基的碳原子數不包含取代基的碳原子數，通常為4~60、優選為4~30、更 優選為4 20的左右。這裡，所謂雜環式化合物，是指在具有環式結構的 有機化合物中，作為構成環的元素，不僅包含碳原子還包含氧原子、硫原 子、氮原子、磷原子、硼原子、矽原子、硒原子、碲原子、砷原子等雜原 子。作為l價的雜環基，例如可舉出噻吩基、C, C,2垸基噻吩基、吡咯 基、呋喃基、吡啶基、C廣C,2垸基吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三 嗪基、吡咯烷基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，其中，優選噻吩基、C,~C12 烷基噻吩基、吡啶基、C廣C!2烷基吡啶基。雜環硫基是指巰基的氫原子被1價雜環基取代的基團。作為雜環硫基， 例如可舉出吡啶基硫基、噠嗪基硫基、嘧啶基硫基、吡嗪基硫基、三嗪 基硫基等雜芳基硫基等。氨基是指未取代的氨基及被選自烷基、芳基、芳烷基及l價雜環基的 1或2個取代基取代了的氨基(以下稱為取代氨基。)。取代基還可以進一 步具有取代基(以下有時稱為二次取代基。)。取代氨基的碳原子數不包含 二次取代基的碳原子數，通常為1 60、優選為2~48、更優選為2 40的左 右。作為取代氨基，例如可舉出甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、 丙氨基、二丙氨基、異丙氨基、二異丙氨基、丁氨基、異丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、戊氨基、己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨 基、癸氨基、3，7-二甲基辛氨基、十二烷氨基、環戊氨基、二環戊氨基、 環己氨基、二環己氨基、雙三氟甲氨基、苯氨基、二苯氨基、C廣C,2烷氧 基苯氨基、二(C廣d2烷氧基苯基)氨基、d d2垸基苯氨基、二(C廣d2烷 基苯基)氨基、l-萘氨基、2-萘氨基、五氟苯氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨 基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基一C, C,2烷基氨基、d~C12 烷氧基苯基—Q C!2烷基氨基、雙(C廣Cn烷氧基苯基一Ci Ci2烷基)氨基、C廣Cn垸基苯基—C, C12烷基氨基、雙(C廣C,2烷基苯基一C廣Cu垸基)氨基、1-萘基一C廣d2烷基氨基、2-萘基一d d2垸基氨基等。甲矽烷基是指未取代的甲矽烷基及被選自垸基、芳基、芳烷基及l價雜環基中的1、 2或3個取代基取代了的甲矽垸基(以下稱為取代甲矽烷 基。)。取代基可以具有二次取代基。取代甲矽烷基的碳原子數不包含二次 取代基的碳原子數，通常為1~60、優選為3~48、更優選為3 40的範圍。 作為取代甲矽烷基，例如可舉出三甲基甲矽垸基、三乙基甲矽烷基、三 丙基甲矽烷基、三異丙基甲矽垸基、二甲基-異丙基甲矽烷基、二乙基-異 丙基甲矽烷基、叔丁基甲矽院基-二甲基甲矽烷基、戊基-二甲基甲矽烷基、 己基-二甲基甲矽烷基、庚基-二甲基甲矽烷基、辛基-二甲基甲矽烷基、2-乙基己基-二甲基甲矽烷基、壬基-二甲基甲矽烷基、癸基-二甲基甲矽烷基、 3,7-二甲基辛基-二甲基甲矽垸基、十二烷基-二甲基甲矽烷基、苯基一C, C,2烷基甲矽垸基、C廣C,2垸氧基苯基一C, C,2烷基甲矽垸基、C廣C,2烷基苯基—C, d2垸基甲矽烷基、1-萘基—C, C,2烷基甲矽垸基、2-萘基一C, C,2烷基甲矽垸基、苯基一C, C,2垸基二甲基甲矽垸基、三苯基甲矽垸基、三對二甲苯基甲矽烷基、三苄基甲矽垸基、二苯基甲基甲矽烷基、 叔丁基二苯基甲矽烷基、二甲基苯基甲矽垸基等。醯基是指未取代的醯基及被滷原子等取代了的醯基。醯基的碳原子數 通常為2~20、優選為2~18、更優選為2 16的範圍。作為醯基，例如可舉 出乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、新戊醯基、苯甲醯基、三氟乙 醯基、五氟苯甲醯基等。醯氧基是指未取代的醯氧基及被滷原子等取代的醯氧基。醯氧基的碳 原子數通常為2 20、優選為2~18、更優選為2 16的範圍。作為醯氧基，例如可舉出乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、新戊醯氧基、 苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基等。
亞胺殘基是指從具有式H-NKX及式-NK:H-中的至少一個所示的
結構的亞胺化合物中除去該結構中的1個氫原子後的殘基。作為這樣的亞 胺化合物，例如可舉出醛亞胺、酮亞胺及鍵合在醛亞胺中的氮原子上的 氫原子被垸基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基等取代了的化合物。亞胺
殘基的碳原子數通常為2~20、優選為2 1S、更優選為2 16的範圍。作為 亞胺殘基，例如可舉出通式-CR"-N-R"，或通式-N=C(R'")2(式中，R" 表示氫原子、垸基、芳基、芳垸基、芳烯基、芳炔基，R，"獨立地表示垸 基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基，其中，存在2個R"'時，2個R"' 可以相互鍵合而合在一起，以2價基團例如亞乙基、三亞甲基、四亞甲基、 五亞甲基、六亞甲基等碳原子數2 18的亞垸基的形式形成環。)所示的基 團等。作為亞胺殘基的具體例，可舉出以下結構式所示的基團等。
(式中，Me表示甲基。)
醯胺基是指未取代的醯胺基及被滷原子等取代了的醯胺基。醯胺基的 碳原子數通常為2 20、優選為2~18、更優選為2~16的左右。作為醯胺基， 例如可例示甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、 三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、 二丁醯胺基、二苯甲醯胺基、雙三氟乙醯胺基、雙五氟苯甲醯胺基等。
14醯亞胺基是指從醯亞胺中除去鍵合在其氮原子上的氫原子而得到的
殘基。醯亞胺基的碳原子數通常為4 20、優選為4~18、更優選為4 16的
範圍。作為醯亞胺基，例如可舉出以下所示的基團等。
(式中，Me表示甲基。)
羧基是指未取代的羧基以及被烷基、芳基、芳烷基、l價雜環基等取 代基取代了的羧基(以下稱為取代羧基。)。取代基可以具有二次取代基。 取代羧基的碳原子數不包含二次取代基的碳原子數，通常為1~60、優選為 2~48、更優選為2 45的範圍。作為取代羧基，例如可舉出甲氧基羰基、 乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、 仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環己氧基羰基、 庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、 3,7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基 羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、 萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。

本發明的嵌段共聚物中，在嵌段(A)中包含下述式(I)所示的重複單元。 本發明的嵌段共聚物還可以在嵌段(A)中包含下述式(I)所示的不同的2種以上的重複單元。 一Ar— (I)
(式中，Ar,表示含有5元環的2價雜環基。)
所謂含有5元環的2價雜環基，是指從含有5元環的雜環式化合物中 除去2個氫原子後殘留的原子團，是指含有5元環的未取代的2價雜環基 及含有5元環的取代2價雜環基。這裡，所謂含有5元環的雜環式化合物， 是指在具有含5元環的環式結構的有機化合物中，作為構成環的元素，不 僅有碳，還包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、矽原子、硒 原子、碲原子、砷原子等雜原子。在含有5元環的2價雜環基中，優選含 有5元環的2價芳香族雜環基。含有5元環的取代2價雜環基中的取代原 子及取代基沒有特別限定，從溶解性、螢光特性、合成進行的容易程度、 做成元件時的特性等觀點考慮，優選滷原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯 胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。含有5元環的2價雜環基的除去取 代基的部分的碳原子數通常為3~60，優選為3~50，更優選為3 40的左右。 另外，含有5元環的2價雜環基的包含取代基在內的總碳原子數通常為 3 100，優選為3 80，更優選為3 70的左右。
作為含有5元環的2價雜環基，例如可舉出如下化合物。
*含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子且具 有芴結構的基團(下式141~155)。
含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子、硼原子、磷原子 等作為雜原子的含5元環的雜環基(下式156 175)。
含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子的含 5元環的稠合雜環基(下式176~187)。
為含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子的 含5元環的雜環基，並且在雜原子的a位雜環相互鍵合，形成二聚物或低 聚物的基團(下式188 189)。
為含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子的 含5元環的雜環基，並且在雜原子的a位鍵合有雜環和亞苯基的基團(下式190~196)。
，含有氧原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子的含5元環的 稠合雜環被亞苯基、亞呋喃基、亞噻吩基取代了的基團(下式197~202)。
R R
R Rformula see original document page 18formula see original document page 19200 201 202
上述式141~202中，R表示氫原子、滷原子、烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。
從提供發光效率高的元件的觀點考慮，上述式(I)中，An優選為下述式(V)所示的基團。
(式中，R35、 R36、 R37、 R38、 R39及R4o獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，
n及o獨立地表示0 3的整數，
X,、 X2及X3獨立地表示氧原子或硫原子，
其中，R35、 R36、 R39、 R4、 X,及X3中的至少1種存在多個時，該存在的多個原子或基團可以相同或不同。)
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(V)中，R35、 R36、 R37、R38、 &9及R4。優選獨立地為氫原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或雜環硫基，更優選為氫原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，進一步優選為氫原子、烷基或芳基。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(V)中，n及o優選獨立地為0 2的整數，更優選為0或1。
進一步，從本發明的嵌段共聚物的耐久性的觀點考慮，上述式(v)中，
X,、 X2及X3優選為氧原子或硫原子，更優選為硫原子。
作為上述式(V)所示的重複單元的具體例，可列舉下述式(V-l) (V-9)
所示的重複單元。
(V國l) (V畫2) (V-3)
(v-4) (V-5) <y-6)
(V-7) (V-8) (V-9)

本發明的嵌段共聚物在嵌段(A)中除具有上述式(i)所示的重複單元以
外，還具有下述式(n)所示的重複單元。另外，本發明的嵌段共聚物在嵌段(b)中具有下述式(n)所示的重複單元。本發明的嵌段共聚物在嵌段(A)及嵌段(b)的任一個中均可以具有下述式(ii)所示的不同的2種以上的重複單元。formula see original document page 21
(式中，Ar2表示亞芳基。)
亞芳基是從芳香族烴中除去鍵合在構成芳香環的碳原子上的2個氫原子後殘留的原子團，是指未取代的亞芳基及取代了的亞芳基。亞芳基還包括具有稠環的亞芳基、獨立的苯環或2個以上稠環介由單鍵或2價有機基團例如亞乙烯基等烯基進行鍵合而得的亞芳基。取代的 芳基中的取代原、螢光特性、合成進行的容易程度、作為元件的材料的特性等觀點考慮，優選滷原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。
亞芳基的除去取代基的部分的碳原子數通常為6 60、優選為6~20、更優選為6~18的範圍。另外，包含取代基的亞芳基的總碳原子數通常為6 100、優選為6~80、更優選為6 70的範圍。
作為亞芳基，例如可舉出亞苯基(例如下式1 3)、亞萘基(例如下式4 13)、亞蒽基(例如下式14~19)、亞聯苯基(例如下式20 25)、亞三聯苯基(例如下式26 28)、亞芴基(例如下式36 38)、亞苯並芴基(例如下式39 46)、及其它的2價稠合多環式芳香族烴基(例如下式29 35)等。formula see original document page 23上述式1~46中，R表示與上述相同的意思。
從使用本發明的嵌段共聚物的發光元件的耐久性的觀點考慮，上述式
(II)中，Ar2優選為下述式(VI)所示的基團。
(R )e (p")f
(式中，R43及R44獨立地表示滷原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、
醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，
e及f獨立地表示0 3的整數，
其中，R43及R44中的至少一種存在多個時，該存在的多個原子或基團
可以相同或不同。
R45及R46獨立地表示氫原子、滷原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價 雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。)
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(VI)中，R43及R44優 選為烷基或垸氧基。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(VI)中，e及f優選為
0或1，最優選為o。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(VI)中，R45及R46優
選為烷基或芳基。
作為上述式(VI)所示的基團的具體例，可舉出下述式(VI-lHVI-8)所
示的基團。
(VI-5) (VI-6) (VI-7) (VI-8)

本發明的嵌段共聚物在嵌段(B)中除具有上述式(II)所示的重複單元以
外，還具有下述式(in)所示的重複單元。本發明的嵌段共聚物還可以在嵌
段(B)中具有下述式(III)所示的不同的2種以上的重複單元。formula see original document page 26
(式中，R,、 R2、 R3、 R4、 Rs及R6獨立地表示滷原子、烷基、垸氧基、
烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳烯基、 芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺 殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，
a及b獨立地表示0 4的整數， c及d獨立地表示0~5的整數， e及f獨立地表示0~3的整數，
其中，R,、 R2、 R3、 R4、 Rs及R6中的至少一種存在多個時，該存在 的多個原子或基團可以相同或不同。
R7和Rs獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳烯基、芳炔基、1價 雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、
醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。)
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(in)中，a、 b、 e及f 優選為0或1，更優選為0。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(in)中，c及d優選 為0~3的整數，更優選為1 3的整數。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(ni)中，R7和R8優選 為垸基或芳基。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(III)中，R3及R4優選 為垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或雜環硫基，更優選為 烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，進一步優選為芳基、烷氧基或芳基。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，上述式(III)中，&、 R2、 R5
及R6優選為垸基或烷氧基。作為上述式(ni)所示的重複單元的具體例，可列舉下述式(m-i) (ni-6)
所示的重複單元。
(III)-4 則-5 則~6

本發明的嵌段共聚物在嵌段(B)中除具有上述式(n)及上述式(in)所示 的重複單元以外，還具有下述式(iv)所示的重複單元。本發明的嵌段共聚
物還可以在嵌段(B)中具有下述式(IV)所示的不同的2種以上的重複單元。
(式中，R9 R34獨立地表示氫原子、滷原子、垸基、垸氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯 胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，
m及p獨立地表示0或1,其中，R"與Ru、 R,2與R2！、 R25與R34及R30與R^的組合中的至少 一個組合可不表示上述原子或基團，而合為一體形成單鍵或由式-O-或
式-8-表示的2價基團。)
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，R9~R34優選獨立地為氫原 子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或雜環硫基，更優選 為氫原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，進一步優選為氫原子、烷基或 烷氧基。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，Ru和Rn及1125和&4的組 合中至少一個組合可不表示上述原子或基團，而以一個整體的形式形成單
鍵或由式-O-或式-S-表示的2價基團時，優選形成由式-O-或式-S-表示的2價基團，進一步優選由形成式-O-表示的基團。
從原料單體合成的容易程度的觀點考慮，Ru與1121及R3o與R31的組
合中至少一個組合可不表示上述原子或基團，而是合為一體形成單鍵或由
式-O-或式-S-表示的2價基團時，優選形成單鍵。
作為上述式(IV)所示的重複單元的具體例，可舉出下述式
(IV-1 ) (I V-17)所示的重複單元。
formula see original document page 28formula see original document page 29CIV-17)

進一步，從改變電荷輸送性的觀點、提高耐熱性的觀點等考慮，本發
明的嵌段共聚物優選為在嵌段(A)及(B)的任一個中均含有上述式(I) (IV) 所示的重複單元以外的重複單元的共聚物。作為上述式(I) (IV)所示的重複 單元以外的重複單元，優選下述式(C)所示的重複單元。 一Ar— (C)
(式中，Ara表示不含5元環的2價雜環基。)
所謂不含有5元環的2價雜環基，是從不含有5元環的雜環式化合物 中除去2個氫原子後殘留的原子團，是指不含有5元環的未取代的2價雜 環基及不含有5元環的取代的2價雜環基。這裡，所謂不含有5元環的雜 環式化合物，是指在具有不含5元環的環式結構的有機化合物中，作為構 成環的元素，不僅有碳，還包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原 子、矽原子、硒原子、碲原子、砷原子等雜原子。在不含有5元環的2價 雜環基中，優選不含有5元環的2價芳香族雜環基。不含有5元環的取代 2價雜環基中的取代原子及取代基沒有特別限定，從溶解性、螢光特性、 合成進行的容易程度、做成元件時的特性等觀點考慮，優選滷原子、烷基、 垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。不含有5元環的
2價雜環基的除去取代基的部分的碳原子數通常為3~60，優選為6~40，更 優選為6 30的範圍。另外，不含有5元環的2價雜環基的包含取代基在 內的總碳原子數通常為3~100的範圍。
作為不含有5元環的2價雜環基，例如可舉出如下化合物。 含有氮作為雜原子的2價含6元環的雜環基亞吡啶基(下式 101~106)、 二氮雜亞苯基(下式107 110)、亞喹啉基(下式111~125)、亞喹 喔啉基(下式126~130)、亞吖啶基(下式131 134)、亞聯吡啶基(下式 135 137)、亞菲咯啉基(下式138~140)
含有氧、氮等作為雜原子的其它2價含6元環的雜環基(下式203~206)
formula see original document page 30formula see original document page 31
上述式101~140及203~206中，R表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧 基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳 烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。

相對於嵌段共聚物中的總重複單元，上述式(I)所示的重複單元的總含有率通常為0.02摩爾％~30摩爾％的範圍，上述式(II)所示的重複單元的含
有率通常為10摩爾％ 90摩爾％的範圍，上述式(ni)所示的重複單元的含
有率通常為0.1摩爾％~30摩爾％的範圍，更優選為0.5摩爾％~20摩爾％ 的範圍，進一步優選為0.5摩爾％~10摩爾％的範圍，上述式(IV)所示的重 復單元的含有率通常為0.1摩爾％~50摩爾％的範圍。另外，本發明的嵌段 共聚物包含上述式(I) (IV)所示的重複單元以外的重複單元，例如上述式(C) 所示的重複單元時，這樣的重複單元的含有率相對於嵌段共聚物中的總重 復單元通常為0.1摩爾％ 30摩爾％的範圍。
從元件的壽命特性的觀點考慮，本發明的嵌段共聚物優選聚苯乙烯換 算的數均分子量為1 X 103~1 x 107，更優選為1 X 104 1 x io7。
從元件的壽命特性的觀點考慮，本發明的嵌段共聚物優選聚苯乙烯換
算的重均分子量為1 X 103~1 X 107，更優選為1 X 104~1 x io7。
對於本發明的嵌段共聚物，從元件的壽命特性的觀點考慮，嵌段(A) 優選聚苯乙烯換算的數均分子量為1X103~1X105，更優選為1X104~1X 105。
對於本發明的嵌段共聚物，從元件的壽命特性的觀點考慮，嵌段(A) 優選聚苯乙烯換算的重均分子量為1X103 1X105，更優選為1X104 1X 105。
本發明中，聚苯乙烯換算的數均分子量及重均分子量由體積排阻色譜
儀(SEC)(島津製作所制LC-10Avp)求出。將測定的嵌段共聚物以濃度為 約0.5重量％的方式溶解在四氫呋喃中，然後將50(iL注入到SEC中。使 用四氫呋喃作為SEC的流動相，以0.6mL/min的流速流動。作為色譜柱， 將2根TSKgel SuperHM-H (東麗制)和1根TSKgel SuperH2000 (東麗制) 串聯連接的色譜柱。檢測器使用差示折射率檢測器(島津製作所制 RID-10A)。
相對於嵌段(A)及嵌段(B)的總計，將嵌段(A)的摩爾分率表示為[A]、 嵌段(B)的摩爾分率表示為[B]時，從獲得本發明的高分子化合物的電子和 空穴的輸送性的平衡性及提高發光效率的觀點考慮，優選[A]/[B]為0.1以 上、IO以下，更優選為0.3以上、3以下。
另外，由於在本發明的嵌段共聚物的末端直接殘留與縮聚有關的取代基時，做成元件時的發光特性及壽命可能降低，因此，可以用穩定的保護 基將該嵌段共聚物的末端保護起來。作為保護基，優選具有與主鏈的共軛 結構相連接的共軛鍵的基團，例如可舉出具有介由碳-碳鍵與芳基或雜環 基鍵合的結構的基團。具體而言，可例示日本特開平9-45478號公報的 化10中記載的取代基等。
作為本發明的嵌段共聚物的良好溶劑，可例示氯仿、二氯甲烷、二 氯乙垸、四氫呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫化萘、十氫化萘、正 丁基苯等。也與嵌段共聚物的結構及分子量有關，通常可以在這些溶劑中 溶解0.1重量％以上嵌段共聚物。

下面對本發明的嵌段共聚物的製造方法進行說明。
作為嵌段聚合物的合成方法，例如可舉出合成高分子量的嵌段(A)， 再向其中添加構成嵌段(B)的單體進行聚合的方法;事先合成高分子量的嵌 段(A)和高分子量的嵌段(B)，然後使它們同時聚合的方法等。
例如，可以使用YrAr,-Y2所示的化合物、Y,-ArrY2所示的化合物、 Y,-A-Y2所示的化合物及YrB-Y2所示的化合物作為原料，通過使它們縮 聚來製造本發明的嵌段共聚物。式中，-A-表示上述式(III)所示的重複單元， -B-表示上述式(IV)所示的重複單元，An及Ar2與上述表示相同的意思， Y,及Y2各自獨立地表示與縮聚有關的取代基。
另外，本發明的嵌段共聚物在具有上述式(I) (IV)所示的重複單元以外 的重複單元時，可以使具有2個與縮聚有關的取代基、且聚合後成為上述 式(I) (IV)所示的重複單元以外的重複單元的化合物共存而進行縮聚。作為 這樣的化合物，可舉出Y3-ArvY4的化合物。式中，Ara與上述表示相同的 意思，K及Y4表示與縮聚有關的取代基。作為其具體例，可舉出下述式 (H)所示的化合物。該化合物具有2個與縮聚有關的取代基，且聚合後成 為包含上述式140所示的基團的重複單元。(式中，R與上述表示相同的意思，Ys及Y6表示與縮聚有關的取代基。)
本發明的製造方法中，作為與縮聚有關的取代基(Y,、 Y2、 Y3、 Y4、
Ys及Y6)，可舉出滷原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸
酯基、硼酸酯基、鋶甲基、膦甲基、磷酸酯甲基、單滷代甲基、-B(OH)2、
甲醯基、氰基或乙烯基等。
作為烷基磺酸酯基，可列舉例如甲磺酸酯基、乙磺酸酯基、三氟甲 磺酸酯基等，作為芳基磺酸酯基，可列舉例如苯磺酸酯基、對甲苯磺酸 酯基等，作為芳基磺酸酯基，可列舉苄基磺酸酯基等。
作為硼酸酯基，可例示下述式所示的基團。
OMe
OEt
、OMe
Me
OEt
01
■Me 'Me
/
.0、
/
'B
O一
Me
(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。)
作為鋶甲基，可例示下述式所示的基團。 —CH S+Me X一、 一 CH S+Ph X—
2 2 2 2
(式中，X表示滷原子，Me表示甲基，Ph表示苯基。) 作為膦甲基，可例示下述式所示的基團。 一CH P+PhX_
2 3
(式中，X表示滷原子，Ph表示苯基。)
作為磷酸酯甲基，可例示下述式所示的基團。
一CH PO(OR')
2 2
(式中，R'表示垸基、芳基、芳烷基。)
作為單滷代甲基，可例示氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基或碘代甲
作為有關縮聚的取代基所優選的取代基，根據聚合反應的種類而不 同，例如Yamamoto偶聯反應等使用0價鎳絡合物(Ni(O)絡合物)時，可舉 出滷原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳垸基磺酸酯基。另外，Suzuki 偶聯反應等使用鎳催化劑或鈀催化劑時，可舉出烷基磺酸酯基、滷原子、
硼酸酯基、3(0印2等。本發明的製造方法具體而言可以將作為單體的具有2個與縮聚有關的 取代基的化合物根據需要溶解於有機溶劑中，使用例如鹼或適當的催化 劑，在有機溶劑的熔點以上、沸點以下的溫度下進行。例如，可以使用
"Organic Reactions (有機反應)"，第14巻，270-490頁，John Wiley & Sons, Inc.(約翰威立國際出版公司)，1965年;"Organic Syntheses (有機合成)"， Collective Volume VI， 407-411頁，John Wiley & Sons, Inc.(約翰威立國 際出版公ffj)，簡年;Chem.Rev.(化學評論)，第95巻，2457頁(1995 年)；J.Organomet.Chem (有機化學期刊)，第576巻，147頁(1999年)； Macromol.Chem.,Macromol.Symp.(高分子化學高分子學報)，第12巻，229 頁(1987年)等中記載的公知的方法。
作為嵌段聚合物的製造方法，例如可以使用WO2005/36666等中記載 的公知的方法。
在本發明的嵌段共聚物的製造方法中，可以對應與縮聚有關的取代 基，使用已知的縮合反應。例如可例示通過Suzuki偶聯反應將該單體聚 合的方法；通過Grignard反應將該單體聚合的方法；通過0價鎳絡合物將 該單體聚合的方法；通過FeCl3等氧化劑將該單體聚合的方法；將該單體 電化學氧化聚合的方法；或利用具有適當的離去基團的中間體高分子的分 解的方法等。其中，通過Suzuki偶聯反應進行聚合的方法；通過Grignard
反應進行聚合的方法及通過0價鎳絡合物進行聚合的方法容易控制結構， 因此優選。
本發明的製造方法中，優選與縮聚有關的取代基(Y" Y2、 Y3、 Y4、 Ys及Y6)獨立地選自卣原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸 酯基，在0價鎳絡合物存在下進行縮聚的製造方法。作為原料化合物，例 如可舉出二齒代化合物、雙(烷基磺酸酯)化合物、雙(芳基磺酸酯)化合物、 雙(芳烷基磺酸酯)化合物、滷代-烷基磺酸酯化合物、滷代-芳基磺酸酯化合 物、滷代-芳烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、垸基磺 酸酯-芳垸基磺酸酯化合物及芳基磺酸酯-芳垸基磺酸酯化合物。其中，可 舉出使用例如滷代-烷基磺酸酯化合物、滷代-芳基磺酸酯化合物、滷代-芳 烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、垸基磺酸酯-芳垸基 磺酸酯化合物或芳基磺酸酯-芳烷基磺酸酯化合物作為原料化合物，製造控制了順序的嵌段聚合物的方法。
另外，在本發明的製造方法中，優選與縮聚有關的取代基(Y,、 Y2、 Y3、 Y4、 Y5及Y6)獨立地選自滷原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳
垸基磺酸酯基、硼酸基(-B(OH)2)或硼酸酯基，總原料化合物具有的硼酸基 及硼酸酯基的摩爾數的總和(K)與滷原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基 或芳烷基磺酸酯基的摩爾數的總和(J)之比K/J在實質上為l(通常為0.7 1.2 的範圍)，使用鎳催化劑或鈀催化劑進行縮聚的製造方法。作為具體的原料
化合物的組合，可舉出二滷代化合物、雙(垸基磺酸酯)化合物、雙(芳基
磺酸酯)化合物或雙(芳烷基磺酸酯)化合物與二硼酸化合物或二硼酸酯化
合物的組合。另外，可舉出滷代-硼酸化合物、滷代-硼酸酯化合物、烷
基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合 物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸 酯-硼酸酯化合物。其中，可舉出使用例如滷代-硼酸化合物、滷代-硼酸酯 化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸 酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳垸基磺酸酯-硼酸化合物、 芳垸基磺酸酯-硼酸酯化合物，製造控制了順序的嵌段共聚物的方法。
反應中使用的溶劑根據所使用的化合物及反應而不同，通常，為了抑 制副反應，優選充分地實施脫氧處理。反應優選在惰性氛圍下進行。另外，
同樣，反應中使用的溶劑優選實施脫水處理。其中，像Suzuki偶聯反應這 樣的在與水的2相體系中反應時不在該限制內。
作為溶劑，可例示戊烷、己垸、庚垸、辛烷、環己烷、十氫化萘等 飽和烴；苯、甲苯、乙苯、正丁基苯、二甲苯、四氫化萘等芳香族烴；四 氯化碳、氯仿、二氯甲垸、氯丁垸、溴丁垸、氯戊垸、溴戊烷、氯己烷、 溴己垸、氯環己烷、溴環己烷等滷化飽和烴；氯苯、二氯苯、三氯苯等滷 化芳香族烴；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、叔丁醇等醇類；甲酸、 乙酸、丙酸等羧酸類；二甲醚、二乙醚、甲基叔丁基醚、四氫呋喃、四氫 吡喃、二噁垸等醚類；三甲胺、三乙胺、N,N,N，,N，-四甲基乙二胺、吡啶 等胺類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N，N-二乙基乙醯胺、N-甲基嗎啉氧化物等醯胺類等。這些溶劑可以單獨使用，也可以混合使用。 其中，優選醚類，更優選四氫呋喃、二乙基醚。為了使反應進行，適當地添加鹼或合適的催化劑。它們可以根據所使 用的反應進行選擇。該鹼或催化劑優選充分地溶解在反應所使用的溶劑中 的物質。作為鹼，例如可舉出碳酸鉀、碳酸鈉等無機鹼；三乙胺等有機 鹼；氟化鈰等無機鹽。作為催化劑，例如可舉出[四(三苯基膦)]鈀、醋酸 鈀類。作為混合鹼或催化劑的方法，可例示以下方法在氬或氮氣等惰性 氛圍下攪拌反應液，同時緩慢地添加鹼或催化劑的溶液，或者相反，向鹼 或催化劑的溶液中緩慢地添加反應液。
將本發明的嵌段共聚物用於高分子LED等中時，由於其純度會影響 發光特性等元件的性能，因此，優選用蒸餾、升華精製、再結晶等方法將 聚合前的單體進行精製後再進行聚合。另外，在聚合後，優選通過再沉澱 精製、色譜法等進行分離等純化處理。

本發明的組合物是含有本發明的嵌段共聚物；和溶劑、所述嵌段共聚 物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料或者所述嵌段共 聚物以外的電子輸送材料，或它們的2種以上的組合的組合物。該組合物 可以含有至少2種所述嵌段共聚物。
為了使本發明的組合物形成後述的液態組合物，可以添加溶劑。作為 組合物中所含的溶劑，優選可以溶解或分散在該組合物中的該溶劑以外的 成分的溶劑。作為該溶劑，可例示氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙垸、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；四氫呋喃、二噁垸等醚系溶劑； 甲苯、二甲苯、三甲基苯、均三甲苯等芳香族烴系溶劑；環己烷、甲基環 己烷、正戊垸、正己垸、正庚垸、正辛垸、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴系 溶劑；丙酮、甲乙酮、環己酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸 甲酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑；乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單 乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇單 乙醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙 醇、環己醇等醇系溶劑；二甲基亞碸等亞碸系溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、 N，N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。另外，這些溶劑可以單獨使用1種，也 可以組合多種使用。在上述溶劑中，從粘度、成膜性等觀點考慮，優選包
含i種以上具有含至少i個以上苯環的結構、且熔點為or以下、沸點為IO(TC以上的有機溶劑。
作為溶劑的種類，從溶劑對組合物中的溶劑以外的成分的溶解性、成 膜時的均勻性、粘度特性等觀點考慮，優選芳香族烴系溶劑、脂肪族烴系 溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑，具體而言，優選甲苯、二甲苯、乙苯、二乙 基苯、三甲基苯、均三甲苯、正丙基苯、異丙基苯、正丁基苯、異丁基苯、 仲丁基苯、茴香醚、乙氧基苯、l-甲基萘、環己垸、環己酮、環己基苯、 雙環己烷、環己烯基環己酮、正庚基環己垸、正己基環己烷、苯甲酸甲酯、
2-丙基環己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二環 己酮，更優選包含二甲苯、茴香醚、均三甲苯、環己基苯、雙環己垸、苯 甲酸甲酯中的至少l種。
從成膜性的觀點及元件特性等觀點考慮，組合物中所含的溶劑的種類 優選為2種以上，更優選為2 3種，進一步優選為2種。
組合物中包含2種溶劑時，其中的l種溶劑在25t:下可以為固體狀態。 從成膜性的觀點考慮，優選1種溶劑為沸點180'C以上的溶劑、另1種溶 劑為沸點小於180。C的溶劑，更優選1種溶劑為沸點20(TC以上的溶劑、 另1種溶劑為沸點小於18(TC的溶劑。另外，從粘度的觀點考慮，優選在 6(TC下，除去組合物中的溶劑後的成分的0.2重量％以上溶解在溶劑中， 優選在25°C下，除去了組合物中的溶劑後的成分的0.2重量％以上溶解在 2種溶劑中的l種溶劑中。
組合物中含有3種溶劑時，其中的1或2種溶劑在25'C下可以為固體 狀態。從成膜性的觀點考慮，優選3種溶劑中的至少1種溶劑為沸點180 。C以上的溶劑、至少1種溶劑為沸點小於18(TC的溶劑，更優選3種溶劑 中的至少1種溶劑為沸點20(TC以上、30(TC以下的溶劑，至少1種溶劑為 沸點小於18(TC的溶劑。另外，從粘度的觀點考慮，優選在6(TC下，除去 組合物中的溶劑後的成分的0.2重量％以上溶解於3種溶劑中的2種溶劑 中，優選在25。C下，除去了組合物中的溶劑後的成分的0.2重量％以上溶 解在3種溶劑中的1種溶劑中。
組合物中含有2種以上溶劑時，從粘度及成膜性的觀點考慮，沸點最 高的溶劑優選為組合物中所含的全部溶劑的重量的40~90重量％，更優選 為50 90重量％，進一步優選為65~85重量％。本發明的嵌段共聚物如上所述，可以用作發光元件的發光材料、空穴 輸送材料及電子輸送材料，為了對得到的發光元件的特性進行改性，可以 根據需要添加其它的發光材料、空穴輸送材料及電子輸送材料中的至少1 種。
作為上述嵌段共聚物以外的發光材料，例如可舉出低分子螢光材料， 作為其具體例，可舉出萘衍生物、蒽、蒽衍生物、茈、茈衍生物、聚亞 甲基系色素、噻噸系色素、香豆素系色素、菁系色素等色素類；將8-羥基 喹啉作為配位基的金屬絡合物、將8-羥基喹啉衍生物作為配位基的金屬絡 合物、其它螢光性金屬絡合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯、四苯基環戊 二烯衍生物、四苯基丁二烯、四苯基丁二烯衍生物、芪系、含矽芳香族系、 噁唑系、氧化呋咱系、噻唑系、四芳基甲垸系、噻二唑系、吡唑系、間環 芳系、乙炔系等低分子化合物螢光性材料。具體而言，例如可舉出曰本 特開昭57-51781號公報、日本特開昭59-194393號公報等中記載的發光材 料等公知的發光材料。這些發光材料可以單獨使用也可以並用兩種以上。
作為上述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料，例如可舉出聚乙烯基咔 唑及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、側鏈或主鏈具有芳香族胺的聚矽氧烷 衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚 苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚對苯乙炔及 其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等。這些空穴輸送材料可以單獨使 用，也可以並用2種以上。
作為所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，例如可舉出噁二唑衍生 物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及 其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙 烯及其衍生物、聯苯醌衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物、聚 喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。這些電子輸 送材料可以單獨使用1種，也可以並用2種以上。
除所述嵌段共聚物、溶劑、所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌 段共聚物以外的空穴輸送材料及所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料以 外，本發明的組合物還可以根據需要含有穩定劑、用於調節粘度和/或表面 張力的添加劑、抗氧化劑等。這些任意成分分別可以單獨使用1種，也可
39以並用2種以上。
作為本發明的組合物可以含有的穩定劑，例如可舉出酚系抗氧化劑、 磷系抗氧化劑等。
作為本發明的組合物可以具有的用於調節粘度和/或表面張力的添加 劑，例如可舉出用於增大粘度的高分子量化合物(增粘劑)或不良溶劑、 用於減小粘度的低分子量化合物、用於減小表面張力的表面活性劑，及它 們的組合。
作為所述高分子量化合物，為不損害發光及電荷輸送的化合物即可， 該組合物包含溶劑時，通常為可溶於該溶劑的化合物。作為高分子量的化 合物，例如可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯 等。所述高分子量化合物的聚苯乙烯換算的重均分子量為50萬以上，更 優選為100萬以上。另外，可以使用不良溶劑作為增粘劑。
作為本發明的組合物可以含有的抗氧化劑，為不阻礙發光及電荷輸送 的抗氧化劑即可，該組合物包含溶劑時，通常為可溶於該溶劑的抗氧化劑。
作為抗氧化劑，可例示酚系抗氧劑、磷系抗氧化劑等。通過使用抗氧 化劑，可以改善所述嵌段共聚物、溶劑的保存穩定性。
在本說明書中，所謂"液態組合物"，是指包含所述嵌段共聚物和溶 劑的、在元件製作時為液態的組合物，典型的是指在常壓(g卩1個氣壓)、 25C下為液態的組合物。液態組合物有時通常稱為油墨、油墨組合物、溶 液等。本發明的液態組合物對高分子發光元件等發光元件及有機電晶體的 製作是有用的。
在製作高分子發光元件時，使用該液態組合物成膜時，塗敷該液態組 合物後，僅通過乾燥除去溶劑即可，並且，在混合所述發光材料、空穴輸 送材料、電荷輸送材料時，也可以使用相同的方法，因此，在製造上是非
常有利的。這裡，在乾燥時，可以在升溫至50 15(TC程度的狀態下進行幹 燥，也可以在減壓至1(^Pa程度的狀態下進行乾燥。
作為使用液態組合物的成膜方法，可以使用旋塗法、澆鑄法、微凹版 塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗布法、浸漬塗布法、狹縫 塗布法、毛細管塗布法、噴塗法、網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、 噴墨印刷法、噴嘴塗布法等塗布法。從圖案形成及多色的分開塗布容易的觀點考慮，優選網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷法等印刷 法。
液態組合物的粘度根據印刷法而不同，優選在25。C下為0.5 500mPa s 的範圍，在噴墨印刷法等液態組合物經過噴出裝置時，為了防止噴出時的 孔堵塞及飛行彎曲，粘度優選在25。C下為0.5 20mPa s的範圍。
本發明的組合物中的本發明的嵌段共聚物的比例相對於該組合物的 總重量，通常為1重量％ 99.9重量％，優選為10重量％ 99.9重量％，進 一步優選為20重量％~99.9重量％。
本發明的組合物含有溶劑時，該組合物中的溶劑的比例相對於該組合 物的總重量通常為1重量％~99.9重量％，優選為60重量％~99.9重量％， 進一步優選為90重量％~99.8重量％。
本發明的組合物在含有本發明的嵌段共聚物以外的發光材料時，該組 合物中的該發光材料的比例相對於該組合物的總重量通常為1重量％ 80 重量％,優選為5重量％~60重量％。
本發明的組合物在含有本發明的嵌段共聚物以外的空穴輸送材料時， 該組合物中的該空穴輸送材料的比例相對於該組合物的總重量通常為1重 量％~80重量％，優選為5重量％~60重量％。
本發明的組合物在含有本發明的嵌段共聚物以外的電子輸送材料時， 該組合物中的該電子輸送材料的比例相對於該組合物的總重量通常為1重 量％ 80重量％，優選為5重量％~60重量％。
在本發明的組合物中，本發明的嵌段共聚物的比例；和溶劑、所述嵌 段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料、或者所 述嵌段共聚物以外的電子輸送材料或它們的2種以上的組合物的比例；以
及根據需要添加的上述其它任意成分的比例的總和相對於該組合物的總 重量為100重量％。
本發明的嵌段共聚物不僅可以用作發光材料，而且可以用作薄膜、有 機半導體材料、有機電晶體、光學材料、太陽電池或通過摻雜用作導電性 材料。
對本發明的薄膜進行說明。該薄膜是使用所述嵌段共聚物而成的薄膜。作為薄膜的種類，可例示發光性薄膜、導電性薄膜、有機半導體薄膜
本發明的發光性薄膜含有本發明的嵌段共聚物。該發光性薄膜還可以 進一步含有所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴 輸送材料、或者所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或它們的2種以上 的組合。這些發光材料、空穴輸送材料及電子輸送材料的例子如上所述。 從元件的亮度及發光電壓等的觀點考慮，發光性薄膜優選發光的量子收率
為50%以上，更優選為60%以上，進一步優選為70%以上。
導電性薄膜優選表面電阻為1KQ/口以下。通過在薄膜中摻雜路易酸、 離子性化合物等，可以提高導電率。表面電阻更優選為100Q/口以下，進 一步優選為10Q/口以下。
對於有機半導體薄膜，電子遷移率或空穴遷移率中的任一較大者優選 為1(^cm々V秒以上，更優選為1(^cm々V秒以上，進一步優選為10"cmVv 秒以上。另外，可以使用有機半導體薄膜製作有機電晶體。具體而言，可 以通過在形成有Si02等絕緣膜和柵電極的Si基板上形成有機半導體薄膜、 用Au等形成源電極和漏電極，由此形成有機電晶體。
下面對作為有機電晶體的一個方案的高分子場效應電晶體進行說明。
本發明的嵌段共聚物可以優選用作高分子場效應電晶體的材料特別 是中性層。作為高分子場效應電晶體的結構，通常，以源電極及漏電極連 接在包含高分子的活性層上的方式設置、進而以夾持連接在活性層的絕緣 層的方式設置柵電極即可。
高分子場效應電晶體通常形成於支撐基板上。作為支撐基板，只要不 阻礙作為場效應電晶體的特性，材質就沒有特別限定，除了Si基板以外， 還可以使用玻璃基板及柔性薄膜基板及塑料基板。
高分子場效應電晶體可以通過公知的方法例如日本特開平5-110069 號公報中記載的方法製造。
形成活性層時，使用本發明的嵌段共聚物溶解於溶劑中而形成的溶液 在製造上是非常有利的，因此優選。作為利用溶液成膜的方法，可以使用 旋塗法、澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗 布法、浸漬塗布法、狹縫塗布法、毛細管塗布法、噴塗法、網版印刷法、
42柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷法、噴嘴塗布法等塗布法。從圖案形成 及多色的分開塗布容易的觀點考慮，優選網版印刷法、柔性版印刷、膠版 印刷、噴墨印刷法等印刷法。
優選製作高分子場效應電晶體後進行密封而成的密封高分子場效應 電晶體。由此，高分子場效應電晶體與大氣隔絕，可以抑制高分子場效應 電晶體的特性降低。
作為密封的方法，可舉出用紫外線(UV)固化樹脂、熱固化樹脂及無 機SiONx膜等覆蓋的方法；用UV固化樹脂、熱固化樹脂等將玻璃板或薄 膜粘起來的方法等。為了有效地與大氣隔絕，優選從製作高分子場效應晶 體管後到迸行密封的工序在不暴露在大氣中(例如在乾燥的氮氣氛圍中、真 空中等)的情況下進行。
以下對有機太陽電池進行說明。用作為有機太陽電池的一個方式的有 機光電轉換元件說明利用光生伏打效應的固體光電轉換元件。
本發明的嵌段共聚物可以優選用作有機光電轉換元件的材料、特別是 利用了有機半導體和金屬的界面的肖特基勢壘型元件的有機半導體層、或
者利用有機半導體和無機半導體或者有機半導體之間的界面的pn異質結
型元件的有機半導體層。
並且可以優選用作使給電子體-受電子體的接觸面積增大的體異質結 型元件的給電子性高分子、受電子性高分子，或使用了高分子，低分子復 合體系的有機光電轉換元件例如分散有富勒烯衍生物作為受電子體的體 異質結型有機光電轉換元件的給電子性共軛系高分子(分散支撐體)。
作為有機光電轉換元件的結構，例如對於pn異質結型元件，在歐姆 性電極例如ITO上形成p型半導體層，進而層疊n型半導體層，在其上設 置歐姆性電極即可。
有機光電轉換元件通常形成於支撐基板上。作為支撐基板，只要為不 阻礙作為有機光電轉換元件的特性的材質就沒有特別限定，除了 Si基板以 外，還可以使用玻璃基板、柔性薄膜基板或塑料基板。
有機光電轉換元件可以通過公知的方法例如Synth.Met.,102，982(1999) 中記載的方法或Science,270，1789(1995)中記載的方法來製造。
以下對本發明的高分子發光元件進行說明。
43本發明的高分子發光元件具有陽極、陰極和包含所述嵌段共聚物且設 置在該陽極和該陰極之間的有機層。所述有機層可以進一步包含所述嵌段 共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料或者所述嵌 段共聚物以外的電子輸送材料，或它們的2種以上的組合。這些發光材料、 空穴輸送材料及電子輸送材料的例子如上所述。本發明的高分子發光元件 中，所述有機層優選為發光層。
另外，作為本發明的高分子發光元件，可舉出(l)在陰極和發光層之 間設置有電子輸送層的高分子發光元件、(2)在陽極和發光層之間設置有空 穴輸送層的高分子發光元件、(3)在陰極和發光層之間設置有電子輸送層且 在陽極和發光層之間設置有空穴輸送層的高分子發光元件等。
更具體而言，可例示以下a) d)的結構。
a) 陽極/發光層/陰極
b) 陽極/空穴輸送層/發光層/陰極
c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極
d) 陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (這裡，/表示各層鄰接而層疊。以下相同。)
這裡，所謂發光層是具有發光功能的層，所謂空穴輸送層是具有輸送 空穴的功能的層，所謂電子輸送層是具有輸送電子的功能的層。這裡，將 電子輸送層和空穴輸送層統稱為電荷輸送層。發光層、空穴輸送層、電子
輸送層可以獨立地使用2層以上。
另外，有時將鄰接於發光層的空穴輸送層稱為夾層。 發光層的成膜方法沒有限定，可例示利用溶液成膜的方法。 作為利用溶液成膜的方法，可以使用旋塗法、澆鑄法、微凹版塗布法、 凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗布法、浸漬塗布法、狹縫塗布法、 毛細管塗布法、噴塗法、網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷 法、噴嘴塗布法等塗布法。從圖案形成及多色的分開塗布容易的觀點考慮， 優選網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷法等印刷法。
在製作高分子發光元件時，通過使用本發明的嵌段共聚物，利用溶液 成膜時，塗布該溶液後，僅通過乾燥除去溶劑即可，並且，在混合所述發 光材料、空穴輸送材料、電荷輸送材料時，也可以使用相同的方法，因此，在製造上是非常有利的。
作為發光層的膜厚，根據所使用的材料的不同，最適合的值不同，以
驅動電壓和發光效率為適當的值的方式進行選擇即可，例如為lmn liim， 優選為2nm 500nm，進一步優選為5nm 200nm。
在本發明的高分子發光元件中，可以在發光層中混合所述嵌段共聚物 以外的發光材料使用。另外，在本申請發明的高分子發光元件中，包含所 述嵌段共聚物以外的發光材料的發光層還可以與包含所述嵌段共聚物的 發光層層疊。
作為所述嵌段共聚物以外的發光材料，可以使用公知的發光材料。作 為低分子化合物，例如可以使用萘衍生物、蒽及其衍生物、茈及其衍生物、 聚亞甲基系、噻噸系、香豆素系、菁系等色素類；8-羥基喹啉及其衍生物 的金屬絡合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及 其衍生物等。
具體而言，例如可舉出日本特開昭57-51781號公報、日本特開昭 59-194393號公報等中記載的發光材料等公知的發光材料。
本發明的高分子發光元件具有空穴輸送層時，作為所使用的空穴輸送 材料，可例示聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚矽垸及其衍生物、在側鏈或 主鏈具有芳香族胺的聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍 生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡 咯及其衍生物、聚對苯乙炔及其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等。 具體而言，作為該空穴輸送材料，可例示日本特開昭63-70257號公報、日 本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開平 2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日本特開平3-37992號公 報、日本特開平3-152184號公報中記載的材料等。
其中，作為空穴輸送層所使用的空穴輸送材料，優選聚乙烯基咔唑及 其衍生物、聚矽烷及其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基團的 聚矽氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對苯乙炔及 其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等高分子空穴輸送材料，更優選聚 乙烯基咔唑及其衍生物、聚矽垸及其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳香族胺 的聚矽氧垸衍生物。為低分子空穴輸送材料時，優選分散在高分子粘合劑中使用。
聚乙烯基咔唑及其衍生物例如可以由乙烯基單體進行陽離子聚合或 自由基聚合而得到。
作為聚矽烷及其衍生物，可例示Chem.Rev.第89巻、1359頁(1989年)、 英國特許GB2300196號公開說明書中記載的化合物等。合成方法也可以 使用這些中記載的方法，特別優選使用Kipping法。
聚矽氧烷衍生物的矽氧垸骨架結構幾乎不具有空穴輸送性，因此，優 選使用在側鏈或主鏈具有上述低分子空穴輸送材料的結構的材料。特別可 例示在側鏈或主鏈具有空穴輸送性的芳香族胺的材料。
空穴輸送層的成膜方法沒有限定，為低分子空穴輸送材料時，可例示 由與高分子粘合劑的混合溶液成膜的方法。另外，為高分子空穴輸送材料 時，可例示利用溶液成膜的方法。
作為利用溶液成膜時使用的溶劑，只要是可以溶解空穴輸送材料的溶 劑就沒有特別限定。作為該溶劑，可例示氯仿、二氯甲垸、二氯乙垸等 氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、 甲乙酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、以及溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。
作為利用溶液成膜的方法，可以使用旋塗法、澆鑄法、微凹版塗布法、 凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗布法、浸漬塗布法、狹縫塗布法、 毛細管塗布法、噴塗法、網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷 法、噴嘴塗布法等塗布法。從圖案形成及多色的分開塗布容易的觀點考慮， 優選網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印刷法等印刷法。
作為混合的高分子粘合劑，優選不極度阻礙電荷輸送的粘合劑，並且 優選使用對可見光的吸收強的粘合劑。作為該高分子粘合劑，可例示聚 碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、 聚氯乙烯、聚矽氧垸等。
作為空穴輸送層的膜厚，根據所使用的材料的不同，最適合的值也不 同，以驅動電壓和發光效率成為適當的值的方式進行選擇即可，至少需要 為不產生針孔的厚度，過厚時，元件的驅動電壓變高，不優選。因此，作 為該空穴輸送層的膜厚，例如為lnm lpm，優選為2nm 500nm，進一步 優選為5nm 200nm。本發明的高分子發光元件具有電子輸送層時，作為所使用的電子輸送 材料，可以使用公知的材料，可例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍 生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌 二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯苯醌 衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹 喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。具體而言，可例示日本特開昭
63-70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359 號公報、日本特開平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日 本特開平3-37992號公報、日本特開平3-152184號公報中記載的材料等。
其中，進一步優選噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、 8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其 衍生物、聚芴及其衍生物，更優選2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l,3，4-噁 二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹啉)鋁、聚喹啉。
作為電子輸送層的成膜法，沒有特別限定，為低分子電子輸送材料時， 可例示利用粉末的真空蒸鍍法、利用溶液或熔融狀態的材料成膜的方法； 為高分子電子輸送材料時，可例示利用溶液或熔融狀態的材料成膜的方 法。利用溶液或熔融狀態的材料成膜時，可以並用高分子粘合劑。
作為利用溶液成膜時使用的溶劑，只要是使電子輸送材料和/或高分子 粘合劑溶解的溶劑就沒有特別限定。作為該溶劑，氯仿、二氯甲垸、二氯 乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑; 丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯 系溶劑。
作為利用溶液或熔融狀態的材料成膜的方法，可以使用旋塗法、澆鑄 法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗布法、浸漬塗 布法、狹縫塗布法、毛細管塗布法、噴塗法、網版印刷法、柔性版印刷、 膠版印刷、噴墨印刷法、噴嘴塗布法等塗布法。從圖案形成及多色的分開 塗布容易的觀點考慮，優選網版印刷法、柔性版印刷、膠版印刷、噴墨印 刷法等印刷法。
作為混合的高分子粘合劑，優選不極度阻礙電荷輸送的粘合劑，並且 優選使用對可見光的吸收不強的粘合劑。作為該高分子粘合劑，可例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對苯乙炔 及其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲 基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。
作為電子輸送層的膜厚，根據所使用的材料的不同，最合適的值也不 同，以驅動電壓和發光效率為合適的值的方式選擇即可，至少需要為不產 生針孔的厚度，過厚時元件的驅動電壓變高，不優選。因此，作為該電子
輸送層的膜厚，例如為lnm lpm，優選為2nm 500nm，進一步優選為 5nm 200nm。
另外，鄰接電極設置的電荷輸送層中，具有改善從電極注入電荷的效 率的功能、且具有降低元件的驅動電壓的效果的層有時通常被特別稱為電 荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。
為了進一步提高與電極的密合性及改善從電極注入電荷的效率，可以 鄰接電極地設置所述電荷注入層或絕緣層，另外，為了提高界面密合性及 防止混合等，可以在電荷輸送層及發光層的界面插入薄的緩衝層。
對於層疊的層的順序及數目及各層的厚度，考慮發光效率及元件壽命 進行適當選擇即可。
在本發明中，作為設置有電荷注入層(電子注入層、空穴注入層)的高 分子發光元件，可舉出鄰接陰極及陽極的任何一方或兩方設置電荷注入 層的高分子發光元件。
例如，具體可舉出以下e) p)的結構。
e) 陽極/電荷注入層/發光層順極
f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極
g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極
h) 陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/陰極
i) 陽極/空穴輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 k)陽極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極 1)陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電荷輸送層/陰極
48O)陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 P)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 作為電荷注入層的具體例子，可例示包含導電性高分子的層；設置 在陽極和空穴輸送層之間，包含具有陽極材料和空穴輸送層所含的空穴輸 送材料的中間值的離子化電勢的材料的層；設置在陰極和電子輸送層之 間，包含具有陰極材料和電子輸送層所含的電子輸送材料的中間值的電子 親和力的材料的層等。
上述電荷注入層為包含導電性高分子的層時，該導電性高分子的導電
率優選為l(T5S/cm以上、10、/cm以下，為了減小發光像素間的漏電流， 更優選為l(T5S/cm以上、102S/cm以下，進一步優選為l(T5S/cm以上、 10'S/cm以下。通常，為了使該導電性高分子的導電率在l(T5S/cm以上、 10、/cm以下，在該導電性高分子中摻雜適量的離子。
對於摻雜的離子的種類，如果為空穴注入層，則為陰離子，如果為電 子注入層，則為陽離子。作為陰離子的例子，可舉出聚苯乙烯磺酸離子、 烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等，作為陽離子的例子，可舉出鋰離子、
鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。
電荷注入層的膜厚例如為lnm 100nm，優選為2nm 50nm。 電荷注入層所使用的材料根據與電極及鄰接的層的材料的關係適當 選擇即可，可例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其
衍生物、聚對苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚喹啉及其衍 生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側鏈含有芳香族胺結構的聚合物等 導電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。
絕緣層是具有使電荷注入更容易的功能的層。該絕緣層的平均厚度通
常為0.1 20nm，優選為0.5 10nm，更優選為1 5nm。作為絕緣層的材料，
可舉出金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。作為設置有絕緣層 的高分子發光元件，可舉出鄰接陰極及陽極的任一方或兩方設置絕緣層 的高分子發光元件。
具體而言，例如可舉出以下q) ab)的結構。
q)陽極/絕緣層/發光層/陰極 r)陽極/發光層/絕緣層/陰極S)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
t)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發光層順極
U)陽極/空穴輸送層/發光層/絕緣層/陰極
"陽極/絕緣層/空穴輸送層/發光層/絕緣層/陰極
W)陽極/絕緣層/發光層/電荷輸送層/陰極
X)陽極/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極
y)陽極/絕緣層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極
Z)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/陰極
aa) 陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極
ab) 陽極/絕緣層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 形成本發明的高分子發光元件的基板為在形成電極及有機物的層時
不發生變化的基板即可，例如可例示玻璃、塑料、高分子薄膜、矽等基 板。為不透明基板時，優選與更靠近該基板的電極相反一側的電極為透明 或半透明。
本發明中，通常，優選包含陽極及陰極的電極的至少一方為透明或半 透明，且陽極側為透明或半透明。
作為陽極的材料，使用導電性金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。 具體而言，使用由包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫及它們的複合體即銦錫氧 化物(ITO)、銦鋅氧化物等導電性玻璃製成的膜(NESA等)及金、白金、銀、 銅等，優選ITO、銦鋅氧化物、氧化錫。作為製作方法，可舉出真空蒸 鍍法、濺射法、離子鍍法、電鍍法等。另外，作為該陽極，可以使用聚苯 胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有機透明導電膜。
陽極的膜厚可以根據透光性和導電率適當選擇，例如為10nm 10(am，
優選為20nm lpm，更優選為50nm 500nm。
另外，為了容易地注入電荷，可以在陽極上設置包含酞菁衍生物、導 電性高分子及碳等的層，或包含金屬氧化物、金屬氟化物及有機絕緣材料 等的層。
作為陰極材料，優選功函數小的材料，例如使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、 鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、硒、釤、銪、鋱、鐿等 金屬；及它們的2種以上的合金；或它們的l種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鉻、鎳、鉤、錫中的1種以上的合金；石墨或石墨層間化合物等。 作為合金的例子，可舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、 鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。可以使陰極為2層以上 的層疊結構。
陰極的膜厚可以根據導電率及耐久性適當選擇，例如為10nm 10(im， 優選為20nm l(im，更優選為50nm 500nm。
作為陰極的製作方法，使用真空蒸鍍法、濺射法、或熱壓接金屬薄膜 的層壓法等。另外，可以在陰極和有機層之間設置包含導電性高分子的層， 或包含金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料等的層，在製作陰極後， 可以安裝保護該高分子發光元件的保護層。為了長期穩定地使用該高分子 發光元件，優選安裝用於保護元件不受外部影響的保護層和/或保護罩。
作為該保護層，可以使用樹脂、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化 物等。另外，作為保護罩，可以使用玻璃板、表面實施了低透水率處理的 塑料板等，優選使用通過熱固化樹脂或光固化樹脂使該罩與元件基板粘貼 進行密閉的方法。使用間隔物來維持空間時，可較容易地防止元件受損。 在該空間封入氮氣或氬氣這樣的惰性氣體時，可以防止陰極氧化，並且， 通過進一步在該空間內設置氧化鋇等乾燥劑，可容易地抑制製造工序中吸 附的水分損壞元件。其中，優選採取任意一種以上的對策。
本發明的高分子發光元件可以用於面狀光源、分段顯示裝置、點陣顯 示裝置、液晶顯示裝置(例如背光燈等)等顯示裝置等。
為了使用本發明的高分子發光元件得到面狀的發光，以面狀的陽極和 陰極重合的方式進行配置即可。另外，為了得到圖案狀的發光，有以下方 法在所述面狀發光元件的表面設置設有圖案狀的窗的掩膜的方法；極厚 地形成非發光部的有機層，使其基本上不發光的方法；使陽極或陰極的任 一個或兩個電極形成圖案狀的方法。通過用它們中的任一個方法形成圖 案，並以可以獨立地ON/OFF幾個電極的方式進行配置，可以得到能顯示 數字、文字、簡單的符號等的分段型顯示元件。進一步，為了形成點陣元 件，以陽極和陰極均形成條紋狀並垂直相交的方式進行配置即可。採用分 開塗布多種發光色不同的高分子化合物的方法、或使用濾光片或螢光轉換 濾光片的方法，可以進行部分顏色顯示、多色顯示。點陣元件可以進行被動驅動，也可以與TFT等組合進行主動驅動。這些顯示元件可以用作計算 機、電視、可攜式終端、手機、汽車導航儀、攝影機的取景器等的顯示裝 置。
進一步，所述面狀發光元件為自發光薄型，可以優選用作液晶顯示器 的背光燈用面狀光源、或面狀照明用光源。另外，使用柔性基板時，還可 以用作曲面狀光源及顯示裝置。
實施例
以下列舉實施例及比較例對本發明進行更詳細地說明，本發明並不受 這些實施例的限定。
(實施例1)高分子化合物〈P-^的合成
:/口 y夕B
在惰性氛圍下，混合2,7-雙(1，3,2-二氧硼戊環-2-基)-9,9-二己基芴 (0.69g)、 4,7-二溴-2,l,3-苯並噻二唑(0.40g)、 4，7-雙(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2，1,3-苯並噻二唑(O.llg) 、 二氯雙(三苯基膦)鈀(3.3mg)、 Aliquat336(0.20g，阿爾德裡奇(Aldrich)制)、甲苯(16mL)，加熱至105"。 向該反應液中滴加2MNa2C03水溶液(5mL)，回流4小時。這時的聚苯乙 烯換算重均分子量為2*104。冷卻至701:後，向反應液中混合2,7-雙(1,3,2-二氧硼戊環-2-基)-9,9-二己基芴(1.46g)、 2,7-二溴-9,9-二己基芴(0.66g)、雙 (4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.52g)、 N，N'-雙-(4-溴苯基)-N,N'-二對甲苯 -9,9- 二辛基芴-2,7- 二胺(0.41g) 、 二氯雙(三苯基膦)鈀(6.2mg)、Aliquat336(0.38g，阿爾德裡奇制)、甲苯(30mL)，加熱至105。C。向該反應 液中滴加2MNa2C03水溶液(8mL)，回流7小時。反應後，添加苯基硼酸 (0.05g)，再回流2小時。然後，添加二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在 8(TC攪拌2小時。冷卻後，用水(100mL)洗滌3次，用3重量％醋酸水溶 液(100mL)洗滌3次，用水(100mL)洗滌3次，使其通過氧化鋁柱子、矽膠 柱子，進行精製。將得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，攪拌1小時後， 過濾得到的固體，並使其乾燥。得到的高分子化合物的產量為2.45g。
高分子化合物的聚苯乙烯換算重均分子量為2.9xl05，聚苯乙烯 換算數均分子量9.5X104。
這裡，4,7-二溴-2,1,3-苯並噻二唑根據US3577427記載的方法合成， 4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-2， 1,3-苯並噻二唑及4,7-雙(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2,1,3-苯並噻二唑根據WO00/046321記載的方法合成，雙(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺根據WO02/045184記載的方法合成，N,N'-雙-(4-溴苯 基)-N，N，-二對甲苯-9,9-二辛基芴-2,7-二胺根據WO2005/049548記載的方 法合成。
(比較例1)高分子化合物〈P-2〉的合成
在惰性氛圍下，混合2,7-雙(1，3,2-二氧硼戊環-2-基)-9,9-二己基笏 (0.69g)、 4,7-二溴-2,l,3-苯並噻二唑(0.35g)、 4，7-雙(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2,l,3-苯並噻二唑(0.10g)、 2，7-二溴-9,9-二己基芴(0.59g)、雙(4-溴苯 基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.46g)、N,N，-雙-(4-溴苯基)-N，N，-二對甲苯-9,9-二辛 基芴-2，7-二胺(0.36g)、 二氯雙(三苯基膦)鈀(8.4mg)、 Aliquat336(0.52g，阿 爾德裡奇制)、甲苯(40mL)，加熱至105'C。向該反應液中滴加2MNa2C03 水溶液(llmL)，回流7小時。反應後，添加苯基硼酸(0.05g)，再回流2小時。然後，添加二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80。C攪拌2小時。冷
卻後，用水(100mL)洗滌3次，用3重量。/。醋酸水溶液(100mL)洗滌3次， 用水(100mL)洗滌3次，使其通過氧化鋁柱子、矽膠柱子，進行精製。將 得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，攪拌1小時後，過濾得到的固體， 並使其乾燥。得到的高分子化合物的產量為1.83g。
高分子化合物的聚苯乙烯換算重均分子量為2.6xl05，聚苯乙烯 換算數均分子量9.8X104。
(合成例1)高分子化合物的合成
在惰性氛圍下，混合2,7-雙(1,3,2-二氧硼戊環-2-基)-9,9-二辛基芴 (5.20g)、雙(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.14g)、醋酸鈀(2.2mg)、三(2-甲 基苯基)膦(15.1mg)、 Aliquat336(0.91g，阿爾德裡奇制)、甲苯(70mL)，加 熱至105。C。向該反應液中滴加2MNa2C03水溶液(19mL)，回流4小時。 反應後，添加苯基硼酸(121mg)，再回流3小時。然後，添加二乙基二硫 代氨基甲酸鈉水溶液，在80'C攪拌4小時。冷卻後，用水(60mL)洗滌3 次，用3重量y。醋酸水溶液(60mL)洗滌3次，用水(60mL)洗滌3次，使其 通過氧化鋁柱子、矽膠柱子，進行精製。將得到的甲苯溶液滴加到甲醇(3L) 中，攪拌3小時後，過濾得到的固體，並使其乾燥。得到的高分子化合物 4-3>的產量為5.25g。
高分子化合物〈P-3〉的聚苯乙烯換算重均分子量為2.6X105,聚苯乙 烯換算數均分子量為1.2xl05。
(比較例2)高分子化合物〈P-4〉的合成formula see original document page 55丫
嵌段B'
在惰性氛圍下，混合2,7-雙(1，3,2-二氧硼戊環-2-基)-9,9-二己基芴 (0.77g)、 4，7-二溴-2，l,3-苯並噻二唑(0.44g)、 4,7-雙(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2，1,3-苯並噻二唑(0.15g) 、 二氯雙(三苯基膦)鈀(3.8mg)、 Aliquat336(0.25g，阿爾德裡奇制)、甲苯(25mL)，加熱至105。C。向該反應 液中滴加2MNa2C03水溶液(5mL)，回流2小時。這時的聚苯乙烯換算重 均分子量為7.2x103。冷卻至70。C後，向反應液中混合2,7-雙(l,3,2-二氧硼 戊環-2-基)-9，9-二己基芴(2.09g)、 2,7-二溴-9,9-二己基芴(U8g)、雙(4-溴苯 基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.83g) 、 二氯雙(三苯基膦)鈀(8.8mg)、 Aliquat336(0.55g，阿爾德裡奇制)、甲苯(45mL)，加熱至105。C。向該反應 液中滴加2MNa2C03水溶液(11.4mL)，回流1小時。反應後，添加苯基硼 酸(0.07g)，再回流2小時。然後，添加二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液， 在8(TC攪拌2小時。冷卻後，用水(80mL)洗滌2次，用3重量％醋酸水溶 液(80mL)洗滌2次，用水(80mL)洗滌2次，使其通過氧化鋁柱子、矽膠柱 子，進行精製。將得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.0L)中，攪拌1小時後， 過濾得到的固體，並使其乾燥。得到的高分子化合物〈P-4〉的產量為2.76g。
高分子化合物的聚苯乙烯換算數均分子量為8.8xl04，聚苯乙烯 換算重均分子量1.9X105。
(實施例2)
發光元件的製作
通過濺射法以150nm的厚度在帶ITO膜的玻璃基板承載聚(3,4-亞乙 二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(拜爾制，商品名BaytronP)的懸浮液，通過旋 塗法成膜，形成約65nm的厚度，在熱板上，在200。C下乾燥15分鐘。然後，使高分子化合物以1.5重量％的濃度溶解在混合二甲苯中，將得
到的二甲苯溶液承載在BaytronP的膜上，通過旋塗法成膜後，在氧濃度及 水分濃度10ppm以下(重量基準)的氮氣氛圍下，在20(TC下乾燥1小時。 乾燥後，通過在大氣中使用混合二甲苯衝洗可溶成分，形成厚度約10nm 左右的高分子化合物的膜。然後，使高分子化合物〈P-1〉以1.5重量 %的濃度溶解在混合二甲苯中，將得到的二甲苯溶液承載在高分子化合物 的膜上，通過旋塗法成膜，形成約100nm的厚度。然後，在氧濃度 及水分濃度10ppm以下(重量基準)的氮氣氛圍下，在13(TC下乾燥1小時。 減壓至1.0xl(T4Pa以下後，作為陰極，在高分子化合物〈P-1〉的膜上蒸鍍 約5nm鈣，然後在鈣層上蒸鍍約80nm鋁。蒸鍍後，通過使用玻璃基板進 行密封，製作高分子發光元件。元件構成如下所述。
ITO/BaytronP(約70nm)/高分子化合物( 10nm)/高分子化合物 〈P-l〉(約100nm)/Ba/Al EL元件的性能
對得到的高分子發光元件施加10.0V電壓時，發出發光波長的峰頂為 645nm的螢光，這時的亮度為5315cd/m2，發光效率為1.5cd/A。 (比較例3) 發光元件的製作
在實施例2中，代替高分子化合物〈P-1〉，使用高分子化合物〈P-2、 除此以外，與實施例2同樣操作，製作高分子發光元件。元件構成如下所 述。
ITO/BaytronP(約70nm)/高分子化合物( 1 Onm)/高分子化合物 〈P-2〉(約100nm)/Ba/Al 'EL元件的性能
對得到的高分子發光元件施加IO.OV電壓時，得到發光波長的峰頂為 645nm的螢光，這時的亮度為3062cd/m2，發光效率為1.3cd/A。
產業實用性
如以上所說明，根據本發明，可以提供在用作發光元件的材料時，能 製造能高亮度發光的發光元件的嵌段共聚物、以及使用該嵌段共聚物的組合物、液態組合物、發光性薄膜及高分子發光元件。
本發明的嵌段共聚物可以用作發光元件的發光材料、空穴輸送材料及 電子輸送材料，包含本發明的嵌段共聚物的發光元件可以用於液晶顯示器 的背光燈或照明用的曲面狀或平面狀光源等。
權利要求
1、一種嵌段共聚物，其特徵在於，包含下述嵌段(A)和下述嵌段(B)，所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的重複單元及下述式(II)所示的重複單元，所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重複單元、下述式(III)所示的重複單元及下述式(IV)所示的重複單元，-Ar1-(I)式(I)中，Ar1表示含有5元環的2價雜環基，-Ar2-(II)式(II)中，Ar2表示亞芳基，式(III)中，R1、R2、R3、R4、R5及R6獨立地表示滷原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，a及b獨立地表示0～4的整數，c及d獨立地表示0～5的整數，e及f獨立地表示0～3的整數，其中，R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一種存在多個時，該存在的多個原子或基團可以相同或不同，R7和R8獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，式(IV)中，R9～R34獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，m及p獨立地表示0或1，其中，R11與R13、R12與R21、R25與R34以及R30與R31的組合中的至少一個組合可不表示上述原子或基團，而合為一體形成單鍵或由式-O-或式-S-表示的2價基團。
2、根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(I)中，Ar,為下述式(V)所示的基團，formula see original document page 3式(V)中，R35、 R36、 R37、 R38、 R39及R4o獨立地表示氫原子、滷原子、 烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 垸硫基、芳烯基、芳炔基、1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯 基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，n及o獨立地表示0 3的整數，X,、 X2及X3獨立地表示氧原子或硫原子，其中，R35、 R36、 R39、 R40、 X,及X3中的至少1種存在多個時，該存 在的多個原子或基團可以相同或不同。
3、 根據權利要求2所述的嵌段共聚物，其中，上述式(V)中，X,、 X2及X3為硫原子。
4、 根據權利要求1 3中任一項所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(II)中，Ar2為下述式(VI)所示的基團，式(VI)中，R43及R44獨立地表示齒原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1價雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯 胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，e及f獨立地表示0~3的整數，其中，R43及R44中的至少一種存在多個時，該存在的多個原子或基團可以相同或不同，R45及R46獨立地表示氫原子、滷原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳烯基、芳炔基、1價 雜環基、雜環硫基、氨基、甲矽垸基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 醯亞胺基、羧基、氰基或硝基。
5、 根據權利要求1~4中任一項所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(IV)中，p及m為0。
6、 根據權利要求1~5中任一項所述的嵌段共聚物，其中， 所述嵌段共聚物的聚苯乙烯換算的重均分子量為1 X 103 1 X 107。
7、 根據權利要求1~6中任一項所述的嵌段共聚物，其中， 嵌段(A)的聚苯乙烯換算的重均分子量為1 X 103 1 X 105。
8、 根據權利要求1 7中任一項所述的嵌段共聚物，其中， [A]/[B]在0.1以上、10以下，所述式[A]/[B]中，[A]表示嵌段(A)相對於嵌段(A)及嵌段(B)的總計的 摩爾分率，[B]表示嵌段(B)相對於嵌段(A)及嵌段(B)的總計的摩爾分率。
9、 一種組合物，其特徵在於，含有 權利要求1 8中任一項所述的嵌段共聚物；和溶劑、所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴 輸送材料或所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或者它們的2種以上的 組合。
10、 根據權利要求9所述的組合物，其中， 含有至少2種所述嵌段共聚物。
11、 一種發光性薄膜，其特徵在於， 含有權利要求1~8中任一項所述的嵌段共聚物。
12、 根據權利要求ll所述的發光性薄膜，其中， 所述發光性薄膜還含有所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料或所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或者它 們的2種以上的組合。
13、 一種高分子發光元件，其特徵在於， 具有陽極、陰極及下述有機層，所述有機層包含權利要求1 8中任一項所述的嵌段共聚物，且設置於 所述陽極和所述陰極之間。
14、 根據權利要求13所述的高分子發光元件，其中， 所述有機層還包含所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料或所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或者它們的 2種以上的組合。
15、 根據權利要求13或14所述的高分子發光元件，其中， 所述有機層為發光層。
全文摘要
本發明提供嵌段共聚物、組合物、發光性薄膜和高分子發光元件，所述嵌段共聚物的特徵在於，包含嵌段(A)和嵌段(B)，所述嵌段(A)含有包含含5元環的2價雜環基的重複單元及包含亞芳基的重複單元，所述嵌段(B)含有包含亞芳基的重複單元及包含特定的2價芳香族胺殘基的不同的2種重複單元。所述組合物含有所述嵌段共聚物；和溶劑、所述嵌段共聚物以外的發光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴輸送材料或者所述嵌段共聚物以外的電子輸送材料，或它們的2種以上的組合。所述發光性薄膜的特徵在於，含有所述嵌段共聚物。所述高分子發光元件的特徵在於，具有陽極、和陰極和含有所述嵌段共聚物且設置在該陽極和該陰極之間的有機層。
文檔編號H01L51/50GK101595155SQ20088000352
公開日2009年12月2日 申請日期2008年2月1日 優先權日2007年2月1日
發明者中谷智也, 柿本秀信 申請人:住友化學株式會社