多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法

2023-06-30 11:33:21 4

專利名稱：多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法
技術領域：
本發明涉及一種光吸收前驅層製造方法，特別是涉及一種非真空製作多層銅銦鎵 硒(硫)光吸收前驅層的製造方法。
背景技術：
近年來，隨國際油價高漲及環保意識的抬頭，綠色能源已成為新能源主流，其中太 陽能電池又因取自太陽的穩定輻射能，來源不會枯竭，因此更為各國所重視，無不挹注大量 研發經費及政策性補貼，以扶植本地的太陽能電池產業，使得全球太陽能產業的發展非常 快速。第一代太陽能模組包括單晶矽和多晶矽的太陽能模組，雖然光電轉換效率高且量 產技術成熟，但因為材料成本高，且矽晶圓常因半導體工業的需求而貨源不足，影響後續的 量產規模。因此，包含非晶矽薄膜、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜或銅銦鎵硒(硫)(CIGSS)薄膜和 碲化鎘薄膜的第二代的薄膜太陽能模組，在近幾年已逐漸發展並成熟，其中又以銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的轉換效率最高(單元電池可高達20%而模組約14% )，因 此特別受到重視。參閱圖1，現有習用技術銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結構的示意圖。如 圖1所示，現有習用技術的銅銦鎵硒太陽能電池結構包括基板10、第一導電層20、銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)吸收層30、緩衝層40、絕緣層50 以及第二導電層60，其中基板10可為玻 璃板、鋁板、不繡鋼板或塑膠板，第一導電層20 —般包括金屬鉬，當作背面電極，銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)吸收層30包括適當比例的銅、銦、鎵及硒，當作ρ型薄膜，為主要的光線 吸收層，緩衝層40可包括硫化鎘(CdS)，當作η型薄膜，絕緣層50包括氧化鋅(ZnO)，用以 提供保護，第二導電層60包含氧化鋅鋁(Ζη0:Α1)，用以連接正面電極。上述銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的製造方法主要依據銅銦鎵硒或銅銦 鎵硒(硫)吸收層的製造環境而分成真空工藝及非真空工藝。真空工藝包括濺鍍法或蒸鍍 法，缺點是投資成本較高且材料利用率較低，因此整體製作成本較高。非真空工藝包括印刷 法或電沉積法，缺點是技術仍不成熟，仍無較大面積的商品化產品。不過非真空工藝仍具有 製造設備簡單且工藝條件容易達成的優點，而有相當的商業潛力。銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的非真空工藝是先調配銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)漿料或墨水(Ink)，用以塗布到鉬層上。現有習用技術中，銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料調配先以適當比例混合含IB、 IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份的粉末以形成原始含銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)的粉末，再添加適當比例的溶劑，並進行攪拌以形成原始銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫) 漿料，最後添加接著劑(binder)或界面活性劑以提高銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層和 鉬背面電極的接著性，並進行攪拌混合以形成最後銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料。上述現有習用技術的缺點是，接著劑、界面活性劑可能會殘留在最後的銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)吸收層內，造成銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的含碳量和含氧量偏高，影響銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的光吸收特性，甚至影響效率。因此，需要一種不添加接著劑、界面活性劑的銅銦鎵硒(硫)漿料調配方法，以改善上述現有習用技術的問題。將漿料塗布成兩層以上塗層可使含IB/IIIA/VIA的化合物在上下層間易於進行 擴散和反應成黃銅礦結構的銅銦鎵硒(硫)的光吸收層，將IA-IIIA族化合物(例如NaIn) 加入銅銦鎵硒(硫)吸收層中，可調整光吸收層的能帶寬，以吸收更多光能。由此可見，上述現有的光吸收前驅層製造方法在方法與使用上，顯然仍存在有不 便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀 求解決之道，但長久以來一直未見適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲 解決的問題。因此如何能創設一種新的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，實屬 當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。有鑑於上述現有的光吸收前驅層製造方法存在的缺陷，本發明人基於從事此類產 品設計製造多年豐富的實務經驗及專業知識，並配合學理的運用，積極加以研究創新，以期 創設一種新的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法)，能夠改進一般現有的光吸收前 驅層製造方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，並經過反覆試作樣品及改進後， 終於創設出確具實用價值的本發明。

發明內容
本發明的主要目的在於，克服現有的光吸收前驅層製造方法存在的缺陷，而提供 一種新的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，所要解決的技術問題是使其調配銅 銦鎵硒(硫)漿料時，另外添加過量VIA族元素粉末，取代原使用的界面活性劑和接著劑； 另將IA-IIIA族化合物加入銅銦鎵硒(硫)吸收層中，調整光吸收層的能帶寬，以吸收更多 光能，非常適於實用。本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。依據本發明提出 的一種多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，為一種非真空製作方法，用以在非真空 下一鉬層上形成多層均勻的光吸收前驅層，其包括以下步驟(1)首先，依據配方比例，調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成 份粉末以形成二份相同含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末，其中該IB族元素包括銅，該IIIA 族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料，該VI族元素可為硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合 以形成一第一含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(3)再將另一份含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加額外 的VIA族元素粉末至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第二含銅 銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(4)接著將第一和第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末分別以納米球磨機，先配合 大尺寸研磨球和低溫溶劑進行粗磨，再配合小尺寸研磨球細磨，以使研磨成第一含銅銦鎵 硒(硫)納米漿料和第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料；(5)再將第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒(硫) 層；
(6)再將第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在第一銅銦鎵硒(硫)層上形成第 二銅銦鎵硒(硫)層；(7)最後軟烤使溶劑揮發形成多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層。本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的配方比例指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=1. 0 1.0 2.0。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的IA-IIIA族化合 物可為NaIn。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的VIA族元素粉末 可為硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的第二含銅銦鎵 硒(硫)最後混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 X，其中X介於 2. 0-4. O0前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的大尺寸研磨球可 為尺寸介於l_5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的低溫溶劑包括醇 類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的小尺寸研磨球可 為尺寸介於0. 1-0. 5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上可知，為達到上述 目的，本發明提供了一種多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，為一種非真空製作 方法，用以在非真空下一鉬層上形成多層均勻的光吸收前驅層。其主要利用調配銅銦鎵硒 (硫)漿料時，除了原始使用正常比例的銅銦鎵硒(硫)化合物以外，另外添加過量VIA族 元素粉末，除可補充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性劑和接著劑，將漿 料塗布成兩層以上塗層可使含IB/IIIA/VIA的化合物易於進行擴散和反應，另將IA-IIIA 族化合物(例如NaIn)加入銅銦鎵硒(硫)吸收層中，可調整光吸收層的能帶寬，以吸收更 多光能。藉由上述技術方案，本發明多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法至少具有 下列優點及有益效果1、本發明不使用界面活性劑可避免殘留含碳和氧界面活性劑，避免降低太陽能電 池效率。2、本發明將漿料塗布成兩層以上塗層可使含IB/IIIA/VIA的化合物易於進行擴 散和反應成黃銅礦結構的銅銦鎵硒(硫)的光吸收層。3、本發明將IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入銅銦鎵硒(硫)吸收層中，可調 整光吸收層的能帶寬，以吸收更多光能。綜上所述，本發明在技術上有顯著的進步，具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進 步、實用的新設計。上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段， 而可依照說明書的內容予以實施，並且為了讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，並配合附圖，詳細說明如下。


圖1是現有習用技術銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結構的示意圖。圖2是本發明銅銦鎵硒(硫)太陽能電池光吸收前驅層所使用漿料的製備方法示 意圖。圖3是本發明銅銦鎵硒(硫)太陽能電池光吸收前驅層的製備方法示意圖。10 基板20:第一導電層30 銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層40 緩衝層50 絕緣層60:第二導電層S210:調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相 同含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末S220 加入IA-IIIA化合物至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以 形成一第一含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末S230 將另一份含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加額外的 VIA族元素粉末至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第二含銅銦鎵 硒(硫)最後混合粉末S240 將第一和第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末分別以納米球磨機，先配合大 尺寸研磨球和低溫溶劑進行粗磨，再配合小尺寸研磨球細磨，以使研磨成第一含銅銦鎵硒 (硫)納米漿料和第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料S310 將第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒(硫)層S320 將第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在第一銅銦鎵硒(硫)層上形成第 二銅銦鎵硒(硫)層S330 軟烤使溶劑揮發形成多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層
具體實施例方式為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段及功效，以下結合 附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法其具 體實施方式、方法、步驟、特徵及其功效，詳細說明如後。有關本發明的前述及其他技術內容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實 施例的詳細說明中將可清楚的呈現。為了方便說明，在以下的實施例中，相同的元件以相同 的編號表示。請參閱圖2、圖3所示。本發明的圖2是銅銦鎵硒(硫)太陽能電池光吸收前驅層所使用漿料的製備方法 示意圖。其中
S210:調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相 同含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末S220 加入IA-IIIA化合物至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以 形成一第一含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末 S230 將另一份含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加額外的 VIA族元素粉末至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第二含銅銦鎵 硒(硫)最後混合粉末S240 將第一和第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末分別以納米球磨機，先配合大 尺寸研磨球和低溫溶劑進行粗磨，再配合小尺寸研磨球細磨，以使研磨成第一含銅銦鎵硒 (硫)納米漿料和第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料本發明的圖3是銅銦鎵硒(硫)太陽能電池光吸收前驅層的製備方法示意圖。其 中S310 將第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒(硫)
層S320 將第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在第一銅銦鎵硒(硫)層上形成第 二銅銦鎵硒(硫)層S330 軟烤使溶劑揮發形成多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層如上圖所示，本發明較佳實施例的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，為 一種非真空製作方法，用以在非真空下一鉬層上形成多層均勻的光吸收前驅層，其包括以 下步驟(1)首先，依據配方比例，調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成 份粉末以形成二份相同含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末，其中該IB族元素包括銅，該IIIA 族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料，該VI族元素可為硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合 以形成一第一含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(3)再將另一份含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加額外 的VIA族元素粉末至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第二含銅 銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(4)接著將第一和第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末分別以納米球磨機，先配合 大尺寸研磨球和低溫溶劑進行粗磨，再配合小尺寸研磨球細磨，以使研磨成第一含銅銦鎵 硒(硫)納米漿料和第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料；(5)再將第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒(硫) 層；(6)再將第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在第一銅銦鎵硒(硫)層上形成第 二銅銦鎵硒(硫)層；(7)最後軟烤使溶劑揮發形成多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層。本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的配方比例指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=1. 0 1.0 2.0。
前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的IA-IIIA族化合 物可為NaIn。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的VIA族元素粉末 可為硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的第二含銅銦鎵 硒(硫)最後混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 X，其中X介於 2. 0-4. O0
前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的大尺寸研磨球可 為尺寸介於l_5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的低溫溶劑包括醇 類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。前述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其中所述的小尺寸研磨球可 為尺寸介於0. 1-0. 5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。綜上所述，本發明的不含界面活性劑和溶劑的銅銦鎵硒(硫)漿料調配方法先計 算需求銅銦鎵硒(硫)配方比例，混合成二種含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或 四成份粉末以形成原始含銅銦鎵硒(硫)混合粉末。將第一種含IB、IIIA及VIA族元素的銅銦鎵硒(硫)混合粉末中加入IA-IIIA化 合物(如NaIn)，形成含IA-IIIA化合物的第一種銅銦鎵硒(硫)混合粉末。其次以第一 VIA族元素比例，添加額外的VIA族元素粉末至第二種原始含銅銦鎵 硒(硫)混合粉末中，使最後塗布兩層以上塗層後的總VIA族元素比例提高至VIA/IB比 例>2，並進行混合以形成含過量VIA元素的第二種銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中銅銦鎵 硒(硫)原始總配方比例所包含的IB、IIIA及VIA族元素的比例為IB IIIA VI的莫 耳比例=1.0 1.0 2.0。其中IIIA族元素可為純銦、純鎵或混合銦和鎵的材料，另VIA 族元素可為純硒、純硫或混合硒和硫的材料，額外添加VI族元素粉末，會使最後銅銦鎵硒 (硫)混合前驅層所包含IB、IIIA及VIA族元素的比例為IB IIIA VI的莫耳比例= 1.0 1.0 X，且X為2.0至4.0之間，額外添加VIA族元素的粉末的比例太低時，沒有接 著效果，含VIA族元素粉末比例太高時，反而降低銅銦鎵硒(硫)吸收層對鉬層接著力，因 此含VIA族元素粉末比例需控制於上述較佳範圍。最後將上述二種混合粉末分別以納米球磨機，先配合l_5mm大尺度的氧化鋁或氧 化鋯研磨球和低溫易揮發溶劑進行粗磨，再更換更小尺度0. 1-0. 5mm尺寸的氧化鋁或氧化 鋯研磨球和低溫易揮發溶劑一起研磨至500nm以下納米粉末漿料，混合完的二種納米粉末 漿料可直接作為塗布用的銅銦鎵硒(硫)漿料。先將含IA-IIIA化合物的第一種銅銦鎵硒(硫)漿料塗布於含下電極的基板上， 形成較單層塗層薄的第一層塗層(例如原始單層會將塗層塗至約2-3 μ m，若欲塗布二層， 則每層改成塗布約1. 0-1. 5 μ m)，再將含過量VIA元素的第二種銅銦鎵硒(硫)漿料塗布 於含第一層塗層的基板上，使最終塗層厚度和原始單層塗層擁有接近厚度，最後再進行軟 烤，使形成光吸收前驅層，含兩層塗布層的銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層，會比單層較厚前 驅層，在RTA快速長晶過程中，VIA族元素較易在上下塗布層間擴散以形成黃銅礦結構，且 附有接著能力的銅銦鎵硒(硫)光吸收層，附著於第一導電層上，另添加IA-IIIA族化合物(例如NaIn)於銅銦鎵硒(硫)吸收層中，可調整光吸收層的能帶寬，以吸收更多光能。本發明主要利用調配銅銦鎵硒(硫)漿料時，除了原始使用正常比例的銅銦鎵硒 (硫)化合物以外，另外添加過量VIA族元素粉末，除可補充VIA族元素的含量外，也可以取 代原使用的界面活性劑和接著劑，將漿料塗布成兩層以上塗層可使含IB/IIIA/VIA的化合 物易於進行擴散和反應，另將IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入銅銦鎵硒(硫)吸收層 中，可調整光吸收層的能帶寬，以吸收更多光能。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖 然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人 員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾 為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對 以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
權利要求
一種多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，為一種非真空製作方法，用以在非真空下一鉬層上形成多層均勻的光吸收前驅層，其特徵在於其包括以下步驟(1)首先，依據配方比例，調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相同含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末，其中該IB族元素包括銅，該IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料，該VI族元素可為硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第一含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(3)再將另一份含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加額外的VIA族元素粉末至該含銅銦鎵硒(硫)原始混合粉末中，並進行混合以形成一第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末；(4)接著將第一和第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末分別以納米球磨機，先配合大尺寸研磨球和低溫溶劑進行粗磨，再配合小尺寸研磨球細磨，以使研磨成第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料和第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料；(5)再將第一含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒(硫)層；(6)再將第二含銅銦鎵硒(硫)納米漿料塗布在第一銅銦鎵硒(硫)層上形成第二銅銦鎵硒(硫)層；(7)最後軟烤使溶劑揮發形成多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層。
2.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的配方比例指IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 2.0。
3.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的IA-IIIA族化合物可為Naln。
4.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的VIA族元素粉末可為硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。
5.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於 其中所述的第二含銅銦鎵硒(硫)最後混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例= 1.0 1.0 X，其中 X 介於 2. 0-4. 0。
6.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的大尺寸研磨球可為尺寸介於l_5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。
7.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的低溫溶劑包括醇類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。
8.根據權利要求1所述的多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，其特徵在於其 中所述的小尺寸研磨球可為尺寸介於0. 1-0. 5mm的氧化鋁或氧化鋯研磨球。
全文摘要
本發明是有關於一種多層銅銦鎵硒(硫)光吸收前驅層製造方法，為一種非真空製作方法，用以在非真空下一鉬層上形成多層均勻的光吸收前驅層。其主要利用調配銅銦鎵硒(硫)漿料時，除了原始使用正常比例的銅銦鎵硒(硫)化合物以外，另外添加過量VIA族元素粉末，除可補充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性劑和接著劑，將漿料塗布成兩層以上塗層可使含IB/IIIA/VIA的化合物易於進行擴散和反應，另將IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入銅銦鎵硒(硫)吸收層中，可調整光吸收層的能帶寬，以吸收更多光能。
文檔編號H01L31/18GK101820024SQ20101011148
公開日2010年9月1日 申請日期2010年2月11日 優先權日2010年2月11日
發明者楊益郎, 林群福, 陳文仁 申請人:崑山正富機械工業有限公司